Dispozitive Și Circuite Electronice Basic

UNIVERSITATEA DIN PETROANI
DEPARTAMENT AUTOMATIC, CALCULATOARE INGINERIE ELECTRIC I

ENERGETIC
Circuite electronice liniare A

Dispozitive electronice i electronic analogic C
Electronic analogic i digital E
Electronic I
Conf.dr.ing. NICOLAE PTRCOIU
Universitatea din Petrosani

BIBLIOGRAFIE
1. Poanta Aron Dispozitive si circuite electronice Vol I.

Editura Universitatea Petrosani, 1997
2. Poanta Aron Dispozitive si circuite electronice Vol II.

3. Poanta Aron, Patrascoiu Nicolae Circuite si echipamente electronice in industrie.

Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti, 1997
4. Pop Emil, Poanta Aron Electronic industrial. Indrumtor de laborator.

5. Popescu Viorel, Lascu Dan Electronica industriala.

Universitatea Politehnica Timisoara, 1996
6. Anghel Sorin Dan Circuite electronice analogice si digitale

Universitatea Babes Bolyai, Cluj-Napoca, 2006
7. Patrascoiu Nicolae Dispozitive i circuite electronice

Curs pe suport electronic. Universitatea din Petroani, 2017
https://upet.academia.edu/Patrascoiu/Books

SCURT ISTORIC
Definiie.
vechime 120 ani

nceputul n 1895 cnd s-a realizat prima transmisie la distan a undelor electromagnetice fr fir;
se dezvolt rapid prin construirea de dispozitive electronice
1904 dioda cu vid descoperit de Fleming
1906 trioda, primul amplificator descoperit de Lee de Forest, urmeaz pentoda, tetroda
1924 dioda cu cristal descoperit de Losev
bazele dispozitivelor construite n baza fenomenului de micare a electronilor n cristale sunt puse
odat cu prezentarea modelului energetic al electronului n cristale n 1930 Strult
1947 efectul de tranzistor descoperit de Schokley
1948 tranzistorul descoperit de Barden i Brattain
1950-1960 se nlocuiesc tuburile cu dispozitive semiconductoare
dup 1960 cablaj imprimat
1964 Texas Instruments prima serie de circuite integrate
1974 microprocesoare Intel 8 bii
Romnia
1905 telegrafia fr fir
1924 primul emitor radio
1954 televiziunea

1. ELEMENTE DE CIRCUIT
Def. Elementul de circuit
Def. Dispozitivul electronic
Def. Circuitul electronic


de tensiune
surse
de curent
Elementele de circuit:
pasivi
receptori activi
1.1 Surse ideali
Sursa de tensiune Sursa de curent

I0
Simbol
U0 Simbol
U
U
U 0
I0 I
I
Fig.1.2. Caracteristica static a
Fig.1.1. Caracteristica static a sursei de curent
sursei de tensiune
dU 1
dU Ri
Ri 0 dI dI
dI dU
Ex. sursa de tensiune
V1 R1
9V 1M
Key = A

1.2. Receptori
Receptorii sunt elemente de circuit ce primesc o anumit

energie la intrare, de valoare wi i o transfer ctre ieire la
wi Receptor
we
valoarea we.
n funcie de raportul ntre cele dou energii, de intrare i ieire receptorii se clasific astfel:
wi > we receptor pasiv de circuit, caracterizat prin faptul c diferena dintre energii
wi we > 0 este datorat pierderilor pe aceste elemente
wi < we receptor activ, caracterizat prin faptul c diferena dintre energii we wi > 0 este preluat de
la o surs de alimentare, un astfel de receptor nu poate funciona fr aport energetic de la o surs
wi = we receptor ideal, ntlnit numai n modelarea dispozitivelor i circuitelor electronice

1.2.1. Rezistorul
Simbol
R
Rezistor variabil
Rezistor fix Rezistor semivariabil
(poteniometru)
Rezistorul element pasiv de circuit 1k = 103 ,
mrimea fizic rezisten electric R : [R]SI= (ohm) 1M = 103 k = 106 ,
1G = 103 M = 106 k = 109
10k 10 k
n clar 150 150
Marcarea valorii 4k7 4,7 k 1 prima cifr semnificativ;
rezistenei electrice 2 a doua cifr semnificativ;
pe corpul rezistorului 3 a treia cifr semnificativ;
prin codul culorilor
m multiplicator;
poate lipsi t tolerana;
RN R
Valoarea marcat pe corpul rezistorului = valoarea nominal RN R RN T % 100
RN
Pd R I 2 Pd = 0,125W; 0,25 W; 0,5W; 1W; 2W; 3W
divizor de tensiune
aplicaii fundamentale
I R U
I
limitarea curentului R1 R2
U U U R2
I ; U R I U R 2 I U
R R1 R2

Ex. limitarea curentului

Ex. divizarea tensiunii

1.2.1. Rezistorul, forme de prezentare

1.2.2. Condensatorul
Simbol
fix electrolitic variabil semivariabil (trimer)
1mF = 10-3 F,
Condensatorul element pasiv de circuit 1F = 10-3 mF = 10-6 F,
mrimea fizic capacitatea electric C : [C]SI= F (farad) 1nF = 10-3 F = 10-6 mF = 10-9 F
20 F 1pF = 10-3 nF = 10-6 F = 10-9 mF = 10-12 F
n clar 50 V
Marcarea valorii - +
e
capacittii electrice
d
pe corpul condensatorului c
prin codul culorilor
b
a
Pentru identificarea aplicaiilor tipice ale condensatoarelor se consider relaiile de definire a capacitii
electrice n raport cu sarcina Q
Q 1
C U Q t
U C 1 dQ d (C U ) dU dU
t U idt i C ; i C
dQ C0 dt dt dt dt
i dQ idt; Q idt
dt 0
Exemplu 1
n curent alternativ condensatorul de 1 1
capacitate C este caracterizat prin reactana XC Exemplu 2
capacitiv XC C 2 f C
Ex. ncrcare condensator
XSC1
Ext Trig
+
_
A B
_ _
S1 + +
R1
10.0k
V1 Key = C S2
C1
2F
Key = I
10V
Key = A

Ex. condensator n curent alternativ


1.2.3. Bobina
L L L LV
Simbol
fixe cu miez variabil
Bobina element pasiv de circuit

mrimea fizic inductana electric L : [L]SI= F (henry)
Pentru identificarea aplicaiilor tipice ale condensatoarelor se consider relaiile de definire a capacitii
electrice n raport cu sarcina Q

L Li t
i 1
i u dt
d d ( L i ) di L0
u L ; u dt L di
dt dt dt
d d ( L i ) di di
u L ; uL
dt dt dt dt
n curent alternativ bobina de

inductan L este caracterizat prin XL L 2 f L
reactana capacitiv XL


1.2.4. Transformatorul
miez
nfurare magnetic Considernd puterea P1 din primar, P2 puterea din secundar i
primar nfurare randamentul al transformatorului, care este o mrime
secundar adimensional i subunitar ( 0,8) i avnd n vedere relaia de
i1 definire a puterii electrice se poate scrie
u1 u2 P2 P1
Rs u 2 R s i2
u2 i 2 u1 i1 dar
deci: R S i 22 u1 i1
2
2 i 1
Prin mprire cu i1 rezult R S 2 u1
i1 i1
n1 u1 i 2
Avnd n vedere raportul de transformare k
n2 u2 i1 1 2
1 R S k 2 r1 deci r1 k RS
i introducnd mrimea u1 r1
i1
Exemplu

Ex. rezisten reflectat


2. ELEMENTE DE FIZICA SEMICONDUCTORILOR
Banda de conducie Banda de conducie Banda de conducie
Electron
Banda de valen Banda de valen Banda de valen
CONDUCTOR SEMCONDUCTOR IZOLATOR
Electron
liber Gol

Edx
x E x
D1 : 1 0 de unde E E 0 1
lp E0 lp

x E x
D2 : 1 0 de unde E E 0 1
ln E0 ln
E 0, x l n

E E 0 x 1, l n x 0
l
p

E E x 1, 0 x l
0
ln
p
E 0, x l p

C1 1 x
E x 2
E
0 E0 x 0 x 2 E0 x 2 x
lp 2 2l p 0= 2 - 1
2 -1
E 0 x E x E 0 x 2 E x
ln 2
0
2l n
0
C2 2

p E E n
p n
ES ES
+ -- +
U U

x x
0 0-U0
0+U
U
U

3. DIODE
3.1. Dioda semiconductoare A C A A
C C
Definire p n
Structur Structur Simbol
Redresoare:de putere mic, medie, mare
Diodele pot fi Detecie I
U
Speciale:Zener, Varicap, Tunel, Pin, Gunn I
D I
caracteristica
static U polarizare polarizare
U
caracteristica volt R I I i e U 1
T invers direct experimental
ampermetric E teoretic
UST U
II
I
caracteristica 1 1 dI
static liniarizat R d tg sau
R d tgU

dU
dioda
U AdI I 1 Rd
U
0 ideal C
+ -
U Iie UT
U 0 0,2 0,3V pentru Ge 0 dU UT

U 0 0,6 0,7V pentru Si U U
dI I UT
U I Iie UT
deci si deci R d
Rd T dU U T I
I
Ex. funcionare diode

Ex. caracteristica static diode
1
D1
V1 1N4148
1V

3. DIODE
3.2. Dioda Zener A C A C A C
p n
Caracteristica static Structur Simbol

I Stabilizator parametric
Polarizare invers Polarizare direct
R Is
Uzmax Uzmin U
Izmin= 210 mA I Iz
A
Unestab
RS
Rs
B
I
Izmax
Unestab R I Ustab
Ustab
U nestab z
R Rs Ustab
max I Iz Is Iz
U nestab Rs
min
U nestab B
A PSF
U
Iz Unestab R Iz stab Ustab
I z min U stab Iz max Rs
R R
Unestab R Iz 1 Ustab
Rs min R Rs Rs
U
stab R R U nestab I z max
s R RS Rs R Rs
Ustab Unestab Iz
Rs R Rs R Rs R Rs
U stab U max
nestab I z min
R Rs R Rs
Ex. stabilizator parametric

Ex. stabilizator parametric grafic

3. DIODE

4. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCIUNI
4.1. Structur i funcionare
j1 j2 j1 j2
p n p n p n
E C E C
B B
+ - + - - + - +
UEB UBC UBE UCB

U CB
x x
0 0
U BE U BE
U BC
C C
B B
E E

4.2. Ecuaiile de funcionare ale tranzistorului bipolar
p n p IE 1 IB ICB 0 / : 1
IE 1 1
IC' IE IB ICB 0
E C 1 1
IE ICB0 IC
IE IC IB 1 IB ICB 0
IB
B

IB

Ecuaiile simplificate
UEB UBC
IE IC
cazul ideal
IE IC IB IE IC IB
IC IC' ICB 0 IE IE ICB 0 IB
IC'
1 IC' IE
IC IE ICB 0 IC IB
IE I 1 I
0.9 0.999 E B

IC IB ICB 0 ICB 0 IB 1 ICB 0
1 1 1
1 IC IB 1 ICB 0

1

4.3. Regimul static de funcionare al tranzistorului bipolar
dI i dU i I E IC I B
C 0 0, i 1 3
UCB dt dt U CE U CB U BE
IC
B IB
UC
E
IE C IE IC E
UBE E IC IE
B IB B IB
UCE UEB UCB UCE
UBE UBE
E C
Conex. emitor comun EC Conex. baz comun BC Conex. colector comun CC
caracteristica de intrare caracteristica de intrare caracteristica de intrare

I B f U BE U ce cons tan t I E f U EB UCB cons tan t I B f U BC U CE cons tan t
caracteristica de ieire caracteristica de ieire caracteristica de ieire
I C f U CE I B cons tan t I C f U CB I E cons tan t I E f U EC I B cons tan t

4.3. Regimul static de funcionare al tranzistorului bipolar
Caracteristica de intrare Caracteristica de iesire

Ex. caracteristici statice

Ex. instrumente virtuale pentru regimul static

dI i dU i
4.4 Regimul dinamic de funcionare al tranzistorului 0, 0
dt dt
D1 D2
E IE C UUBE
I E I i e T 1

UBE B

2 3 U BE
U BE U BE U BE

I E Ii
U T U T
2 3 UT
1 U BE 1 U BE 1 U BE
U BE
e UT
1 UT
1! 2! 3! U T 2 U T 6 UT
U BE
U BE U BE
e UT
1 1 U BE U T U1
UT UT h11 U 2 0
h22
I1 h11I1 h12U2 I2
cuadripol U
I2 U1 h11 I1 h12U 2 h12 1 I1 0
U2
I1 I 2 h21 I1 h22U 2 I
U2 U1 h21 I2 U 2 0 U2
1 h21I1
U1 I2
h22 I 0
U2 1
E C

rE IB
rB
Universitatea din Petrosani B

4.5. Limitri n funcionarea tranzistorului
Principalele mrimi asupra valorilor crora se impun limitri sunt: tensiunea colectorul emitor, UCE; curentul
de colector IC; puterea dezvoltat pe tranzistor PD.
I. Depirea valorii maxime admise a IC M IE ICB 0
M
tensiunii UCE multiplicarea prin 1 UCE UCE max

avalan a purttorilor de sarcin M 1
n
II. A doua limitare se impune asupra U UCE
1 CE
curentului de colector prin realizarea UCEstr UCEstr
condiiei IC IC max
+ EC
III. A treia limitare se impune puterii Pd Pd max Pd max
dezvoltate n tranzistor
IC
UCE IC Pd max UCE RC
IC
dreapta de sarcina T
IC UCE UCE max
EC
UCE
RC
ICmax IC IC max
hiperbola de disipatie
PSF 1 1
UCE EC RC IC UCE IC EC UCE
RC RC
U CE max EC

4.6. Polarizarea i stabilizarea termic a tranzistorului
4.6.1. Definire
Polarizare
Stabilizare termic: aprecierea stabilizrii termice se face prin coeficient de stabilizare termic S dIC
dICB 0
Se consider relaia de definire a curentului I I 1 I care prin derivare n raport cu
C B CB 0
de colector conform ecuaiilor de funcionare temperatura T
dIC dI dI dIC
B 1 CB 0 /:
dT dT dT dT
dI dI dI 1 1
1 B 1 CB 0 1 B S
dIB
dIC dI dIC S 1
C
1 dIC
S
Se observ c pentru ndeplinirea condiiei la limit de stabilitate dIB dIB dIC
1
termic absolut adic S = 1 este necesar ndeplinirea condiiei dIC
Prin schema de polarizare trebuie s se asigure i stabilizarea termic a poziiei punctului static de
funcionare. Din punct de vedere al polarizrii i stabilizrii termice exist urmtoarele scheme de polarizare:
polarizarea independent;
polarizarea cu reacie din colector;
polarizarea cu reacie din emitor;
polarizarea automat sau cu divizor rezistiv n baz.
Analiza acestor scheme din punct de vedere al polarizrii i stabilizrii termice presupune calculul mrimilor
electrice ce definesc poziia punctului static de funcionare adic valorile UCE0, IC0, IB0 i coeficientul de
stabilizare termic al schemei S
4.6.2. Polarizarea independent
Aplicnd teorema II Kirchhoff pe circuitul baz emitor al tranzistorului
+ EC EC UBE
RC EC RB IB UBE IB IB 0
RB RB
IB IC Valoarea curentului IB nu este determinat de variaia curentului IC deci
T
UC dIB 1
0 S 1 1
dIC dI
UBE E 1 B
dIC
Cunoscnd IB, n punctul static de funcionare IB0, pe baza ecuaiilor de funcionare ale tranzistorului se
poate determina valoarea curentului de colector, IC, n punctul static de funcionare, IC0
IC IC 0 IB 0 1 ICB 0 IB 0
Prin aplicarea teoremei II Kirchhoff pe circuitul colector emitor rezult

EC RC IC UCE
UCE UCE 0 EC RC IC 0
Exemplu

Ex. polarizare independent

4.6.3. Polarizarea cu reacie din colector
+ EC RC I RB IB UBE EC RC IC IB RB IB UBE
RC EC
I IC IB RC RB IB RC IC UBE
RB I
1 RC dIB RC
IB IC IB EC UBE IC
T RC RB RC RB dIC RC RB
UC
1 1
UBE E S
dIB RC
1 1
dIC RC RB
1 RC RC EC UBE
IC IB IB EC UBE IB IB 1
RC RB RC RB R R RC RB
C B
EC UBE
IB I B 0 IC IC 0 IB 0 1 ICB 0 IB 0
RC 1 RB
EC RC I UCE RC IC IB UCE
UCE UCE 0 EC RC IC 0 IB 0
Exemplu

Ex. polarizare cu reacie din colector

4.6.4. Polarizarea cu reacie din emitor
+ EC EC RB IB UBE RE IE EC RB IB UBE RE IB IC
RB IE IB IC RB RE IB UBE RE IC
IC
IB T 1 RE dIB RE
IB EC UBE IC
UCE RB RE RB RE dIC RB RE
UBE IE
1 1
RE S
dIB RC
1 1
dIC RC RB
1 RB RE EC UBE
IC IB IB EC UBE IB IB 1
RB RE RB RE R R RB RE
B E
EC UBE
IB IB 0 IC IC 0 IB 0 1 ICB 0 IB 0
RE 1 RB
EC UCE RE IE UCE RE IC IB
UCE UCE 0 EC RE IC 0 IB 0
Exemplu

Ex. polarizare cu reacie din emitor

4.6.4. Polarizarea automat
Se aplic teoremele I Kirchhoff pe nodul din circuitul baz emitor al tranzistorului
+ EC I1 I 2 IB
RC
i ochiurile de reea din circuitul baz emitor al tranzistorului
R1
IC EC R1I1 R2I2
I1 IB
T
UCE 0 RE I E U BE R 2I 2 R 2 I 2 RE I B IC U BE I 2
RE
I B
RE
IC
1
UBE
R2 R2 R2
I2
UBE IE RE R2 R 1
R2 I1 IB E IC UBE
EB RE R2 R2 R2
R1 R R
EC RE IB RE IC UBE RE R2 IB 1 RE IC 1 UBE
R2 R2 R2
R R2 R R2 R R2
EC RE 1 R1 IB RE 1 IC 1 UBE
R R R R2 R R
2 2 2 EC RE 1 2 IB RE IC UBE
R2 R1 R2 R1 R2
x 0
R1 R2
R2
EC UBE
R1 R2 RE dIB RE 1 1
IB I S
R1 R2 R1 R2 C dIC R R dIB RE
RE RE RE 1 2 1 1
R1 R2 R1 R2 R1 R2 dIC R R
RE 1 2
R1 R2

4.6.4. Polarizarea automat (continuare)
R2
EC UBE
R1 R2 RE R2
IB I EC UBE
R1 R2 R1 R2 C R1 R2 RE
RE RE IB I
R1 R2 R1 R2 R1 R2 R1 R2 B
RE RE
R1 R2 R1 R2
IC IB
R2
EC UBE
R1 R2
IC IC 0 IB 0 1 ICB 0 IB 0 IB IB 0
R1 R2
1 RE
R1 R2
+ EC
RC Prin aplicarea teoremei II Kirchhoff pe circuitul colector emitor rezult
R1
EC RC IC UCE RE IE RC IC UCE RE IC IB
T IC
UCE UCE UCE 0 EC RC RE IC 0 RE IB 0
IE
R2
RE
Exemplu

Ex. polarizare cu divizor rezistiv in baza
RB1 RB2
RB RB1 RB2 33, 3 k
RB1 RB2
RB2
EB VCC 5 V
RB1 RB2
EB RB IB UBE RE IE
IE
EB RB 0, 7 RE IE
1
EB 0, 7
IE 1, 29 mA
RB
RE
1
IE
IB 12,8 A
1
IC IB 1, 28 mA
UCE VCC IC RC RE IE 4, 73 V
4.6.5. Metode neliniare de polarizare i stabilizare
Metodele neliniare de polarizare i stabilizare utilizeaz elemente neliniare a cror caracteristic este
dependent de temperatur, cele mai utilizate astfel de elemente fiind dioda i termistorul
Utilizarea diodelor Rezistena R din schema de polarizare automat o diod D
2
polarizat invers
IC + EC jonciunea acesteia s fie de acelai tip cu cea a tranzistorului
RC cele dou dispozitive se monteaz astfel nct s fie la aceiai temperatur
R1 Aplicnd teorema I Kirchhoff i teorema II Kirchhoff pe circuitul baz emitor i
T innd seama de ecuaiile de funcionare ale tranzistorului
I1 IB EC R1 I1 UBE RE IE
UCE
Ii UBE I1 IB Ii
IE IC IB
ED D RE IC IB 1 ICB 0
Eliminnd ntre aceste ecuaii curenii I1, IB i IE se obine
IE
1 1
EC R1 RE IC R1 RE ICB 0 R1 Ii UBE

EC UBE R1 R1
IC ICB 0 Ii ICB 0 Ii 0
1 R1 RE 1 R1 RE 1 R1 RE
Din aceast relaie se va obine curentul invers al diodei necesar compensrii

1 R1 RE 1 1
Ii ICB 0 1 1 ICB 0
RE RE Exemplu
Ex. efect temperatur

4.6.5. Metode neliniare de polarizare i stabilizare
Utilizarea termistorului
Schema reprezint o variant modificat a schemei de polarizare automat n care
divizorul rezistiv este format din rezistena R1 i termistorul RT iar n cazul
IC + EC considerat este eliminat rezistena R
E
RC
Aplicnd teorema II Kirchhoff i teorema I Kirchhoff pe circuitul baz emitor
R1
EC R1 I1 UBE
EC R1 IB IT UBE
I1 IB T I1 IB IT E 1 1
IB C UBE
IT U UBE R1 RT R1
BE R
T T I U BE IT
o RT
t
RT RE
termistor Creterea temperaturii determin creterea curentului de colector i scderea

rezistenei RT ceea ce va determina conform relaiei scderea curentului IB. La rndul
su scderea curentului IB determin pe baza ecuaiilor de funcionare ale
tranzistorului scderea deci compensare creterii curentului IC. Aceast schem
realizeaz o compensare mai pronunat a variaiei tensiunii UBE cu temperatura

Analiza unui amplificator elementar cu un tranzistor
+ EC Prin analiza acestui circuit se urmrete determinarea urmtoarelor :
RC rezisten de intrare Ri, rB
C B C
R1 C rezisten de ieire Ro,
amplificare n curent AI, rE
CB
amplificare n tensiune AU. IB
T R2 R1 R
C
R
R2 CE y E E
B
u
rB rE RIB RC
RE
Ri RB E RB
R1 R2
RB R1 R2 Ri rB rE
R1 R2
+EC RIB RC rE
R1 RC
CB IB CC rB rE RB
rB
Ri rB 1 rE
I E 1 I B
T - model
R2
rE rE 1 rE
cu
parametrii
CE naturali Ro RC E RC RIB rE rB RB RO RC
RE
RIB rE rB RB RC
AI ? AU ?
Universitatea din Petrosani Exemplu
Ex. amplificator elementar cu tranzistor

4.9. Regimul de comutaie al tranzistorului bipolar Tranzistorul este blocat cnd ambele
IC jonciuni sunt polarizate invers, curentul
+ de colector al tranzistorului fiind
RC EC
EC
curentul invers al jonciunii colectorului
RC
B IC ICB 0
IC ICS B1
IB RB Din ecuaiile de funcionare ale
T I B 0 tranzistorului
UCE
u A1 IC IB 1 ICB 0
A IB 0
IC ICB 0
UCES
u EC UCE
Starea de conducie a tranzistorului E1
corespunde funcionrii acestuia n zona de
saturaie sau la limita dintre zona activ t
normal i zona de saturaie, punctul B E2
UCE UCES 0,2 0,5V EC td
EC UCES EC IB1
ICS
RC RC t
I EC IB2 tcd tci
IBS CS
RC IC tr ts tc
Orict de mult ar crete curentul de baz ICmax
peste valoarea IBS curentul de colector 0,9ICmax ti
rmne la valoarea ICS
IC IB 0,1ICmax t
Exemplu
Universitatea din Petrosani t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6
Ex. tranzistor in regim de comutatie

5. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP
5.1. Structur i funcionare
Dup modul de realizare tranzistorul cu efect de cmp poate fi:
tranzistor cu efect de cmp cu gril jonciune JFET,
tranzistor cu efect de cmp cu gril izolat prin oxid metalic MOSFET,
tranzistor cu efect de cmp cu straturi subiri TFET
Fa de tranzistorul bipolar, un tranzistor cu efect de cmp are cteva avantaje printre care:
admite tensiuni mai mari la terminale,
stabilitate bun fa de variaii de temperatur
datorit timpului de tranziie mai mic poate lucra la frecvene mai mari,
are mare imunitate la zgomote electrice,
are o construcie mai simpl.
Simboluri
UDS Canal indus
UGS D
D
dren gril surs G G
oxid de
siliciu S S
j1 n ID n j1 SiO2 Canal iniial
D
D
p G G
canal
S S
canal p canal n

dID
5.2. Regimul static al tranzistorului cu efect de cmp MOSFET ID ct sau 0
dt
Ca i n cazul tranzistorului bipolar i pentru tranzistorul cu efect de cmp regimul static este definit de dou
familii de caracteristici: regiune
regiune de regiune de
nesaturat saturaie strpungere
ID UGS3
1. caracteristici de ieire sau
caracteristici de dren, UGS2
I f U
D DS U GS ct
UGS1
UDS
Zona corespunztoare regiunii de saturaie corespunde unui curent de dren constant pentru UDS avnd valori mari. Funcionarea
tranzistorului n aceast zon are loc dac tensiunea de dren UDS depete valoarea tensiunii de dren de saturaie UDSS
UDS UDSS
IDS K UGS U p
Valoarea constant a curentului de dren n aceast zon este dat de relaia: 2
ID UDS2
UDS3 UDS1
2. caracteristici de transfer
sau caracteristici de gril I D f U GS U DS
ct
UGS

5.2. Regimul static al tranzistorului cu efect de cmp MOSFET
Pentru polarizarea tranzistorilor cu efect de cmp MOSFET sunt utilizate dou principii
+ED
R1 RD ID
CD dreapta de
R2 sarcin
ID UGS 0 ED UGS0
CG R1 R2 ED UDS A
ID ID0
UDS ED RD ID UDS RD RD
UGS UDS
R ED
UDS0
2
+ED
R1
Pentru MOSFET cu canal iniial la care tensiunea de grila UGS CD
poate avea att valori pozitive ct i negative se utilizeaz ID
schema de polarizare CG
UDS
Avnd n vedere cderea de tensiune pe rezistena RS i faptul c
ID IS R UGS CS
R2 RS
deoarece UGS 0 ED RS ID
IG 0 R1 R2 2
Nu este necesar ca circuitele de polarizare pentru MOSFET s realizeze i stabilizarea termic deoarece la
acest tip de tranzistor exist o dependen slab a caracteristicilor fa de variaiile de temperatur

5.3. Regimul dinamic al tranzistorului cu efect de cmp MOSFET
Regimul dinamic este caracterizat de variaii pronunate n raport cu timpul precum i
ID f (UDS ,UGS )
cu tensiunile dren surs UDS respectiv gril surs UGS ale curentului de dren ID
f f
Prin derivare rezulta dID dU DS dUGS
UDS UGS
f I D dID g m dUGS gd dUDS
gm U DS cons tan t
Se introduc U GS U GS gm panta tranzistorului (transconductana)
notaiile 1 f I D gd conductana de dren
gd U GS cons tan t
rd U DS U DS rd rezistena dinamic
Dac se consider regimul dinamic ca o succesiune de regimuri statice adic punctul static de funcionare i
schimb poziia din punctul de coordonate (UGSi, UDSi, IDi) ntr-un alt punct de coordonate (UGSj, UDSj, IDj)
tensiunile pe terminale avnd variaiile
UGS UGSj UGSi i aceste puncte statice fiind pe caracteristica liniar 1
Id g m UGS UDS
UDS UDSj UDSi (gm i gd constante) se poate integra relaia rezultnd rd
IG ID D
G
Aceast relaie permite construirea

circuitului echivalent al MOSFET ului UGS=Ug UDS=Ud
rd
pentru semnal mic i joas frecven
gmUg
Exemplu
Universitatea din Petrosani S S

Ex. amplificator cu MOSFET

6. TRANZISTORUL UNIJONCIUNE
6.1. Structur, funcionare, caracteristici E B2 rB rB1 rB 2
B2
rB2 rB1 r
B2 B1 = 0,5 ... 0,8
n T1 rB1 rB 2 rB
l2 E IB
E rB2 2 Dac UB2B1 > 0 jonciune p n este:
p UB2B1 T2 rB1
l1 IE IB polarizat invers dac UEB1 < U
rB1 B11 polarizat direct dac UEB1 > U
UEB1 B1
B1
rB1 IE
U UB 2B1 UB 2B1 UEB1 U U0 UP
rB
Caracteristica static a TUJ este UB2B1=
0
IE f UEB1 U ct
U1B2B1< U2B2B1<
B 2 B1
U3B2B1
IV
Ip UEB1
UV UP1 UP2 UP3

6. TRANZISTORUL UNIJONCIUNE
6.2. Aplicaie TUJ. Oscilatorul de relaxare
EB
IE
R RB2
IV V deapta de sarcin I IB2

EB UB2B1
M
R IE IB1
Ip P UEB1
UEB
UV UP EB1
UC RB y
C
R 1
I I
+
UC + UC=UEB1
EB C C UC RB1 UP
-
-
ncrcare descrcare UV t
UC URB1 tnc tdesc
EB UC
T
y
t t
tnc1 tdesc
tnc2 t
tnc3
Ex. tranzistorul unijonciune (UJT)

7. DISPOZITIVE ELECTRONICE MULTIJONCIUNE
7.1. Diacul
A1 p A2 A1 A2
n
Definire, structur i simbol p
n
p
structur simbol
Utilizat pentru a produce pulsuri de curent necesare la amorsarea unor dispozitive de comutaie, cum sunt
tiristoarele si triacele
IA +E
A
IH R
- UB0 IB0 UA1A2 A1 A2 C
UREZ UB0 C
IB0 30 40 V
IH

7. DISPOZITIVE ELECTRONICE MULTIJONCIUNE
J1 J2 J3
7.2. Tiristorul A C C
A
Definire, structur i simbol p+ n p n-
G
G
prin circuitul anodic
U AC 0
Amorsare I E1 I A Stingere
prin circuitul grilei I A I0
UAC Pe baza schemei echivalente I B1 I C 2
A C IA I E 2 I A IG
IG I C1 1 I E1 I CB 01 1 I A I CB 01
UA G U RG
Pe baza ecuaiilor I C 2 2 I E 2 I CB 02 2 I A I G I CB 02
tranzistorului bipolar
I E1 I C1 I B1 I C1 I C 2
E B C I A 1 I A I CB 01 2 I A I G I CB 02
A G
p n p
T2 I I CB 01 I CB 02 2 I G I CB 0
IA 2 G
T1
n p n
C 1 1 2 1 1 2
C B E IA
IE1=IA
T1 IC1 IG I A f U AC IG ct.
IB2=IC1+IG UG
IB1=IC2 IG1 > IG2 > IG3
I0
UA T2 IG = 0
R
UAC
IE2=IA+IG
UAC0 Exemplu
Ex. funcionare tiristor

8. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE SPECIALE
8.1.Termistorul
Definire. Simbol
to
n funcie de sensul de variaie al rezistenei cu temperatura termistoarele pot fi: R
cu coeficient pozitiv de temperatur (PTC) 1 1 RN
B
cu coeficient negativ de temperatur (NTC)
R RN e
T TN
U I
t
I
to A
E
U
Exemplu

Ex. funcionare termistor

8.2. Varistorul
Simbolul varistorului
U
R I
U
I k U U

8.3. Generatorul Hall
d
I BI
UH U H k H
d
E
B

Ex. funcionare generator Hall

8. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE OPTOELECTRONICE
Funcionarea se bazeaz pe relaia dintre proprietile unei jonciuni p n i un flux (vizibil sau n infrarou)
Dispozitive fotoreceptoare Dispozitive fotoemitoare
8.4. Fotorezistena
R I[mA] 1 2 3

R0 1 2
3
R U[V]

8.5. Fotodioda
1
I 2
3 I f U ct
A C
p n I C A U
j
E U R celul
A C solar
fotodiod

8.6. Fototranzistorul
IC 3 IC f UCE ct
C
2

E C
p n p 1
jE
E UCE
B
I
=0Imax
Optocuplorul I
LED FT
Vout 0
Vcc
Exemplu
Ex. funcionare dispozitive optoelectronice

8.7. Dioda LED (Light Emitting Diode)
Datorit consumului redus de energie, faptului c lumina generat este rece acest
Simbol A C dispozitiv este utilizat n special ca element de semnalizare
f Considernd curentul nominal

b ILED R A
g C I LED 15 mA U R I LED U LED
i tensiunea nominal
e c U ULE
U LED = 1,2...2,2V
d
PZ D U U LED
R
I LED
anod comun
catod comun
7 x LED
7 x LED
a b c d e f g h a b c d e f g h
Exemplu

Ex. display 7 segmente

9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.1. Definiii. Clasificri. Performane
tensiune tensiune tensiune

tensiune alternativ continu continu
alternativ cu Redresor pulsatorie Filtru Circuit
Transformator filtrat
(TR) amplitudine (R) (F) stabilizare
modificat
Necomandate realizate cu diode

n funcie de tipul dispozitivelor electronice utilizate
Comandate realizate cu tiristoare
Monofazate
n funcie de numrul de faze redresate Polifazate - cele mai utilizate sunt cele trifazate
Monoalternan
Redresoarele monofazate Cu priz median
Dubl alternan
n punte
T
P 1
Randamentul conversiei u Pa u i d t
Pa T 0
Performanele
forma de und a tensiunii redresate 1
T
sunt apreciate U dm u t d t
prin valoarea medie a tensiunii redresate T 0
T
Calitatea tensiunii redresate 1
valoarea efectiv a tensiunii redresate U
de u 2 t d t
T 0
U de
factorul de form F
U dm
9.2. Redresoare monoalternan
Ia
Ud
TR
U max
Ud

D U de
U AC u Rs U dm
t Ud

t
u 2U sin( t ) b) c)
2
n2
Rezistena intern a circuitului de redresare Ri R T Rd unde RT r2 r1
n1
u 2 U sin t u S RS i
RS
2 U sin t
i tensiunea pe RS
Ri RS Ri RS Ri RS
2 2

1 1 2 RS U 2 U 1 2 U
U dm 0 u d t
RS
0 Ri RS 2 sin t d t cos
RS

2 2 2 Ri RS Ri RS 1
S
Ri
0
RS
2 U U dm 2 U U U
Deoarece Ri << RS U dm 0,45 U I dm 0,45 dm
R i R S R i R S Ri RS RS
2
1 1 cos2t Deoarece Ri << RS
2
1 RS RS

2 U2
dt
2
U de sin t d t U
2
0
R i R S 2
R i R S 2
0 U
U de 0,707 U
RS 1 1

1 1

RS U 1 U 2
U t sin 2t
Ri RS 2 Ri
0 2 2 Ri RS 2
0 1 2
Rs
9.2. Redresoare monoalternan (parametrii) U de U
F 1,57
Factorul de form F i respectiv coeficientul de ondulaie U dm 2 2 U 2
F 2 1 1,57 2 1 1,21
Pentru determinarea randamentului este necesar calcularea puterii utile Pu i a puterii absorbite Pa
2 1 2 U 2
Pu U dm I dm RS I dm RS
Ri RS 2 2
Pu 4
2
RS 4
2
1
2
Pa Ri RS Ri 1
1 1 2 U 2 U2
0 u i d t 2 0 Ri RS sin t d t 2 Ri RS
Pa 2 RS
2
Se observ c dac Ri << RS se poate neglija raportul celor dou rezistene i se obine un randament 45 %
iar n cazul n care nu se poate neglija rezistena intern a redresorului Ri n raport cu rezistena de sarcin RS,
adic rezistena de sarcin are o valoare mic se obine un randament < 40 %, deci un randament mic al
conversiei.
Pentru alegerea diodei redresoare se ine seama de valoarea maxim (de vrf) a tensiunii inverse aplicate
diodei i egal cu valoarea de vrf a tensiunii din secundarul transformatorului U max 2 U precum i de
valoarea curentului mediu prin diod Idm. Aceste dou valori sunt utilizate pentru alegerea diodei pe baza
datelor de catalog, astfel:
U RWM 2 U max
I 0 I dm
Exemplu

Ex. redresor monoalternan

9.2. Redresoare dubl alternan
TR 1 D1
TR
D1
Ud
Ud
D2
u Umax
~ 0
Ud ~ Ude
Udm
u Rs Rs
D2 D4
2
Ud t
2
n2
Rezistena intern a circuitului de redresare Ri RT 2 Rd unde RT r2 r1
n1
u 2 U sin t u S RS i
RS
2 U sin t
i tensiunea pe RS
Ri RS Ri RS Ri RS

1 1 2 RS U 2 2 U 1 2 2 U
U dm u S d t 2 sin t d t
RS RS
cos
0 0 Ri RS Ri RS 0
Ri RS Ri
1
RS
2 2 U U 2 2 U U
Deoarece Ri << RS U dm 0,9 U I dm dm 0,9
RS RS RS

1 RS 2 2 RS 1 1 cos2t Deoarece Ri << RS
d t
0
2 2
U de 2 U sin t d t U
Ri RS 2 Ri RS 0
2

U de U
2 RS 1 1 1 1 2 RS U 1
U t sin 2t U
Ri RS 2 0 2 2 0
Ri RS 2 Ri 1
Rs
9.2. Redresoare dubl alternan (parametrii)
U de
F U 1,11
Factorul de form F i respectiv coeficientul de ondulaie U dm 2 2 U 2 2
F 2 1 1,112 1 0,48
Pentru determinarea randamentului este necesar calcularea puterii utile Pu i a puterii absorbite Pa
2 1 8 U 2
Pu U dm I dm RS I dm RS
Ri RS 2
2 Pu 1 8 U 2 Ri RS 8 1
RS
2 Pa Ri RS 2 2 U 2 Ri 1
1 1 2 U 2 U2
u i d t
0 Ri RS
2
Pa sin t d t RS
0
Ri RS
Se observ c dac Ri << RS se poate neglija raportul celor dou rezistene i se obine un randament 81 %
iar n cazul n care nu se poate neglija rezistena intern a redresorului Ri n raport cu rezistena de sarcin RS,
adic rezistena de sarcin are o valoare mic se obine un randament < 80 %, deci un randament mult mai
bun dect al conversiei monoalternan.
Pentru alegerea diodei redresoare se ine seama de valoarea maxim (de vrf) a tensiunii inverse aplicate
diodei i egal cu valoarea de vrf a tensiunii din secundarul transformatorului U max 2 U precum i de
valoarea curentului mediu prin diod Idm. Aceste dou valori sunt utilizate pentru alegerea diodei pe baza
datelor de catalog, astfel:
Pentru redresorul cu priz median Pentru redresorul n punte Exemplu 1
U RWM 2 U max U RWM U max Exemplu 2
I 0 I dm I 0 I dm

Ex. redresor cu priz median

Ex. redresor n punte

9.3. Redresoare comandate cu tiristoare U
Th
Ud
TR
~ u, f Ud f ( ), f 0
~ DCG Rs Ud
t

Pulsuri pt. amorsare

2
1 2 U 2 U m 2 U 2 U 2 U
2 U sin t d t sin t d t cost 1 cos
2
U dm cos
2 2
2 2 2
max 2 U
2 U 2U U dm U dm 0
U dm 0 1 1
2 U min U 0
dm dm
1 1 cos2t

1 1
2
1 1 1

U de 2 U2
2
sin t d t U d t U t sin 2 t
2 2 2 2 2
1 1 1 sin 2
U sin 2 sin 2 U
2 2 2 2 4
max U
U de U de 0
2
U min U
de de 0
Exemplu

Ex. redresor comandat cu tiristor

10. CIRCUITE PENTRU FILTRAREA TENSIUNII REDRESATE
10.1.Filtrul cu condensator
Ri iS Ud R i US
dU C dU S
R iC iC C dt C dt
i Ud UC Ud i iC iS
iS U S
c
C
i RS
dU S R RS
R C U S U d
dU S U S dU S R R RS dt RS
U d R C U S R C US US : 0
dt RS dt RS RS R RS dU S RS
C US U d
R RS dt R RS
R RS
R R C T cons tan ta de timp a filtrului
S dU S
Se introduc urmtoarele notaii T U S k U d
RS k coeficientul de transfer dt
R RS
US
U d ,U S
t

Soluia ecuaiei difereniale U S (t ) k e T
U d (t ) Ud
1 t
T

Pentru o bun filtrare constanta de timp 1 R RS 1
trebuie s fie mai mare dect pulsaia T C Exemplu
2f R RS 2f
tensiunii redresat, astfel c se obine
succesiv R Rs 1
C
R Rs 2f
Ex. filtrarea tensiunii redresate

11. STABILIZATOARE DE TENSIUNE
Re dresor Filtru S UZ iS
D U BE U Z U S
Ui i1
C Stabilizator U s RS U BE
IB U BE U Z U SC U
IZ US RS
ui U BE U U Z U SC
U S f U i , iS , T UZ
U
I E I i BE
U S U S U S UT
dU S dU i diS dT
U i iS T U S U BE I E iS U S RS iS
1
U S U i Ri iS ST T U S U BE I E iS US RS i S
S
T1 r
U S
i S IE1 iS
RS U BE 2 R4
R5 R2 T2
I1 I B1
1 R
U S U i i U S IC3
S RS US
ui IB3
T3
U i R U BE 3 R5
K S 1 i U BE 3 U R U Z
U S RS UR
uS
UZ
US
U S U BE I E iS U S RS iS
tg = Ri
U S U BE I E iS US RS i S
iS
11. STABILIZATOARE DE TENSIUNE
Stabilizatoare integrate de tensiune
Construite pe baza unei scheme cu reglaj de tip serie i care nu difer de schema cu componente discrete.
cu tensiune de ieire fix cu tensiune de ieire variabil
Nu permit modificarea valorii tensiunii de putere mic de putere mare

la ieire, aceasta fiind prestabilit
Permit accesul utilizatorului la Puteri de 10....100W n capsule
intrrile i ieirile blocurilor cu trei terminale. Avantaje
funcionale i permit utilizarea lor protecie integrat
n mai multe variante necesit cel mult 3
Capsule cu mai mult de trei componente externe
terminale, furnizeaz un curent furnizeaz cureni de ordinul
de sarcin mic (zeci de mA) amperilor.
Ex. LM7805 (pt. tensiuni pozitive), Ex: LM723 Ex. LM317 (pt. tensiuni
LM7905 (pt. tensiuni negative pozitive), LM337 (pt. tensiuni
negative
Exemplu
Exemplu Exemplu

Ex. stabilizator de tensiune fix

Ex. stabilizator de tensiune reglabil

12. AMPLIFICATOARE ELECTRONICE
12.1. Definire. Clasificri. Parametrii
Def. Amplificatoarele se clasific n raport cu diferite criterii, astfel:
ii 1. n raport cu mrimea semnalelor de la intrare:
Rg iS
ui uS RS amplificatoare de semnal mic;
e amplificatoare de semnal mare (de putere);
2. n raport cu frecvena semnalului de la intrare:

amplificatoare de curent continuu (c.c.)
amplificatoare de joas frecven (JF) f < 100 kH.
amplificatoare de nalt, foarte nalt (FIF) i ultra nalt frecven (UIF) f =10 ... 15 GkH.
3. n raport cu limea de band a semnalului aplicat prin limitele frecven inferioar fi i
frecven superioar fs:
amplificatoare de band ngust
amplificatoare de band larg
4. n funcie de poziia punctului static de funcionare (P.S.F.) pe dreapta de sarcin pot fi

urmtoarele clase de amplificare:
clasa A:;
clasa B:
clasa C:

12.1. Definire. Clasificri. Parametrii
Ec IC
Rc IC IC
B
t
A
t
B' UCE
Evaluarea performanelor unui amplificator:

parametrii de intrare: ui, Zi,
parametrii de ieire:ue, ie, Pe
parametrii de transfer: AU, AI, AP. GdB 20 lg A
A
A0
A0
2
B
f
fi f0 fS

12.2. Amplificatoare de semnal mic
Ec
Ec U 1 h11 I 1 h12 U 2
U 2 RS I 2
I 2R hR
21 I 1 h 22 U 2
C2
RC1 R3 R3 C2
R1
CC1 C C
CB1 I 2 h21 IC1 2 h22
C 2 U h I h R I
2 21 1 22 S 2 I2 h21
T1 T2 T2 AI
I 2 (1 h22 Rs ) h21 I1 I1 1 h22 RS
I2
I1 U2
1 h22 RS 1 h22 RS U 2
G R2 Re1 R 4 RR4Ie12Re 2 h I2
h21

RS
21 C
e2 Ce 2
U1 Ce1 RS
h11 (1 h22 RS ) U 2 h h h R
U1 h12 U 2 U 2 h12 11 11 22 S
h21 RS h21 RS
h12 h21 RS h11 h11 h22 RS
U 2
h21 RS
h11 (h12 h21 h11 h22 ) RS

U1 U 2
h21 RS
Pentru h 0
U h21 RS
AU 2 U2 h21 RS h21 Rs Rs
U1 h11 (h12 h21 h11 h22 ) RS AU AU
U1 h11 h RS h11 h11
h12 h21 h11 h22 h
h11 h Rs' RC RS h11 Rg' RG RB

Zi unde Rs' Rc Rs Ze unde RG' RG RB
1 h22 Rs' RC RS h22 Rg' h RG RB

Ex. amplificator de semnal mic

12.3. Amplificatoare de putere
12.3.1. Amplificatoare de putere de clasa A
Dif
IC y
Ec R1
Rc Cb
A
C
u Re
R2
UCE Ce
EC EC
2
TE Dif
RS y
AU R1
h11 Cb
C
1 2 Rc u Re
Rc k RS k
R2
Rs Ce
Exemplu
Ex. amplificator clasa A

12.3.2. Amplificatoare de putere n clasa B
Amplificator in clasa B
Amplificator clasa B de tip push-pull utilizeaz 2 tranzistori de acelai tip ctre care sunt trimise semnale
identice dar in antifaz obinute fie cu circuit defazor cu tranzistor fie cu transformator defazor
Circuit defazor Transformator defazor

Ex. amplificator clasa B

Ex. circuite defazoare

12.4. Amplificatoare cu reacie
Comparator
u ur
Amplificator

y A
u y

A
ur y y A
Ur Atenuator AU
u y; u 1 A
y A (u y); y (1 A) A u
A A e jA
A
j y u
e 1 A
A e j A A e j A A e j A
AU 1 A e j
1 A e
j A 1 A cos j sin
A Ec
AU
1 2 A cos A 2 R1 R C1 R3
RC 2
CC2
y A C C1
dac semnalul de intrare u
i semnalul de reacie ur
2 k 1 AU
u 1 A T1 T2
sunt n antifaz cos 1 dA y

dA U u R e1 R 4 Re
1 A 2
R2
2 C e2
C e1
dac semnalul de intrare u
2 k y A
i semnalul de reacie ur AU
sunt n faz cos 1 u 1 A
R5 C R6

12.5. Amplificatoare de curent continuu
EC u R 1 I1 R 2 I 2
R 2 I 2 U BE R E1 I E
IC
RC1
RC 2 E C R C1 I C y1
R3
R1 IB I1 I 2 I B
T1 T2 IE IC IB I B I C
IC IB
I1 U BE
y
u R E1 y1 u R1 I 2 R1 I B R 2 I 2
R2 R4 RE 2
I2 IE 1
I2 u R 1 I B
R1 R 2
E C R C11 I B y1
R2
u R 1 I B U BE I B R E R2
R1 R 2 u U BE
R1 R 2
R2 E C R C1 y1
u U BE R1 R 2
R1 R 2 RE
IB R1 R 2
R R
RE 1 2 R2
R1 R 2 u U BE
R1 R 2
y1 E C R C1
R1 R 2
RE
R1 R 2
u
y1 E C R C1
R2 dy1 R C1
R1 R E AU
R1 R 2 du R2
R1 R E
R1 R 2
12.5. Amplificatoare de curent continuu (continuare)
RC1 EC
RE 0 AU GCC
R6
R1 R5
dy1 R C1
AU R5
du R2
R1 R E T3
R1 R 2
R C1
AU
R1 1 R1 ctre
RE T1 etajul
R R C1
1
1 AU urmtor
R2
RE u R2
R 2 R 1
foarte mare
I C1 1 I B1 1 I B
I E1 I B 2 1 1 I B1 1 1 I B

I C 2 2 I B 2 2 1 2 I B 1 2 1 2
I C I C1 I C 2

I C I B 1 2 1 2 I B
Exemplu
Ex. configuraie Darlington

12.6. Amplificatoare difereniale i operaionale
12.6.1. Amplificatoare difereniale Condiii impuse schemei
EC
RC1 RC 2 RC
RC 1 y RC 2
RB1 RB 2 RB
R B1 RB2
RE1 RE 2 RE
R1 R2 RB1 RB 2
T1 T2
y1 y2 u2
u1
R1 R E1 RE 2 R2 1 2 cu valori foarte mari
RC1
RE
y1 AU 1 u1 u1
RE1
EC RC 2
y2 AU 2 u 2 u2
RC1 R R R R RE 2
y y1 y2 u1 C 2 u 2 C u1 C u 2 C (u1 u 2 )
R E1 RE 2 RE RE RE
y AU u
V tensiunea diferenial de intrare: u d u u
I
factor de amplificarea diferenial: A d
y
ud u u
u
I
tensiunea de mod comun: u C
u u
y 2
u V yC
traseucomun factor de amplificare al tensiunii de mod comun: A C
uC
Ad
rejecia modului comun (CMR) exprimat n decibeli CMR dB
AC

i2
12.6.2. Amplificatoare operaionale, AO
Amplificatorul operaional AO reprezint, n esen, un Z1 Z2
amplificator diferenial urmat de un etaj de amplificare ce
realizeaz amplificarea semnalului diferenial y astfel nct u i1 i
AO
ieirea unui AO este nesimetric. y
Parametrul Valori uzuale Valori ideale

Amplificarea diferenial, Ad 105 106
A
Rezistena de intrare, Ri 106
i 0
Rezistena de intrare, Re 102 103 0 Ri 0
Cureni de intrare, I+, I 10-9 A 0
Rejecia modului comun, CMR 60 100 dB
Tensiunea diferenial de intrare, ud 10-5 V 0

i1 i2 i 0 i1 i2
u u y Z2
u Z1 i1 uiAO Z1 i1 i1 y u
Z Z1 Z2 Z1
y Z 2 i2 uiAO Z 2 i2 1
y
i2
Z 2
Z 2 (s)
Y(s) U(s)
Z1 (s)

12.6.2. Amplificatoare operaionale, aplicaii
Sumator
R
i
i
ui1 R1 i1
i2
y
ui2 R2 AO
uin Rn i3
nmulire cu o constant (amplificator inversor)
R2
R1
u
y
AO


Ex. sumator, multiplicator

12.6.2. Amplificatoare operaionale, aplicaii
Integrator
i2 C
R uC

u i1 i AO
y
Amplificator neinversor
u
i2 i1 i i1 i2
y

AO
u R1 i1 uiA0 u R1 i1

i
y R2 i2 R1 i1 y R i R i

i2 R2
2 2 1 1
a
i1
b
R1
De unde prin nlocuiri se obine
R2 R y R
y u u 1 2 u AU 1 2
R1 R1 u R1

Ex. integrator, amplificator neinversor

Dispozitive Și Circuite Electronice Basic

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Dispozitive Și Circuite Electronice Basic

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

UNIVERSITATEA DIN PETROANI

DEPARTAMENT AUTOMATIC, CALCULATOARE INGINERIE ELECTRIC I

Circuite electronice liniare A

Conf.dr.ing. NICOLAE PTRCOIU

Universitatea din Petrosani

1. Poanta Aron Dispozitive si circuite electronice Vol I.

2. Poanta Aron Dispozitive si circuite electronice Vol II.

3. Poanta Aron, Patrascoiu Nicolae Circuite si echipamente electronice in industrie.

4. Pop Emil, Poanta Aron Electronic industrial. Indrumtor de laborator.

5. Popescu Viorel, Lascu Dan Electronica industriala.

6. Anghel Sorin Dan Circuite electronice analogice si digitale

7. Patrascoiu Nicolae Dispozitive i circuite electronice

Universitatea din Petrosani

vechime 120 ani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

1.1 Surse ideali

Sursa de tensiune Sursa de curent

Universitatea din Petrosani

Receptorii sunt elemente de circuit ce primesc o anumit

wi = we receptor ideal, ntlnit numai n modelarea dispozitivelor i circuitelor electronice

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Bobina element pasiv de circuit

n curent alternativ bobina de

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Banda de conducie Banda de conducie Banda de conducie

Banda de valen Banda de valen Banda de valen

CONDUCTOR SEMCONDUCTOR IZOLATOR

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

U 0 0,2 0,3V pentru Ge 0 dU UT

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Caracteristica static Structur Simbol

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Conex. emitor comun EC Conex. baz comun BC Conex. colector comun CC

caracteristica de intrare caracteristica de intrare caracteristica de intrare

Universitatea din Petrosani

Caracteristica de intrare Caracteristica de iesire

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani

Universitatea din Petrosani B

tensiunii UCE multiplicarea prin 1 UCE UCE max

Universitatea din Petrosani

Prin aplicarea teoremei II Kirchhoff pe circuitul colector emitor rezult

Universitatea din Petrosani