CAPITOLUL 2

PROIECTAREA PĂRŢII DE FORŢĂ

2.1. ALEGEREA DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE DE

PUTERE

Convertoarele statice cu stingere naturală pot fi realizate cu diferite tipuri de

dispozitive semiconductoare de putere. Dintre acestea se pot aminti: diodele,
tiristoarele, IGBT-urile (Insulated-Gate Bipolar Transistor – tranzistoare de putere cu
poartă izolată), BJT-urile (Bipolar Junction Transistor – tranzistoare de putere),
MOSFET-urile (Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor – tranzistoare
cu efect de câmp), GTO-urile (Gate Turn-Off thyristor – tiristoare cu stingere pe
poartă), TAO-urile (tiristoare cu aprindere optică) şi altele.
În lucrarea de faţă se va considera convertorul realizat cu tiristoare, fiind
vorba de un convertor static trifazat cu stingere naturală complet comandat în
punte (CTCCP a se vedea Fig. 2.1). Alegerea şi dimensionarea celorlalte tipuri de
dispozitive semiconductoare de putere decurge similar cu cazul prezentat în
această lucrare.
Alegerea tipului de tiristor presupune calcularea valorii medii a curentului
( ITAV – unde T provine de la „thyristor” adică tiristor, iar AV provine de la „average”
adică valoare medie) şi respectiv a valorii tensiunii inverse repetitive maxime
(U RRM – unde RRM provine de la „reverse repetitive maxim” adică valoarea
repetitivă inversă maximă).
Pentru CTCCP valoarea medie a curentului printr-un tiristor este egală cu o
treime din valoarea nominală a curentului maşinii de curent continuu considerată
( I An ), iar valoarea efectivă a curentului printr-un tiristor ( ITRMS – unde T provine
de la „thyristor” adică tiristor, iar RMS provine de la „root mean square” adică

20
 Acţionări Electrice de Curent Continuu – Elemente de Proiectare – Vol. 1

rădăcină medie pătratică) este de 3 mai mică decât valoarea nominală a

curentului maşinii (a se vedea Tab. 2.1).

Fig. 2.1 Convertor static trifazat cu stingere naturală complet comandat în punte
(CTCCP).

Tab. 2.1 – Relaţiile dintre I TAV , I TRMS şi I An pentru CMCCP şi CTCCP.

Convertor static monofazat cu Convertor static trifazat cu

Curent stingere naturală complet stingere naturală complet
comandat în punte (CMCCP) comandat în punte (CTCCP)
ITAV I An / 2 I An / 3
ITRMS I An / 2 I An / 3

Conform definiţiei, valoarea medie a curentului ( ITAV în acest caz) este dată
de relaţia:

1T
ITAV = ITmed = ∫ i A ⋅ dt (2.1)
T0

unde: i A este valoarea instantanee a curentului prin indusul maşinii de curent

continuu.

21
 2. Proiectarea părţii de forţă

Valoarea efectivă a curentului ( ITRMS în acest caz) este dată de relaţia:

1T 2
ITRMS = ITef = ∫ i A ⋅ dt (2.2)
T0

Prin considerarea condiţiei de proiectare prezentată în cadrul Anexei 1

(curentul de accelerare al motorului trebuie limitat prin sistemul de reglare automată la
2 ⋅ I An ), valoarea curentului mediu şi cea corespunzătoare valorii efective vor fi
multiplicate cu 2.
De asemenea, dacă ţinem cont şi de posibila variaţie pozitivă a tensiunii de
alimentare a convertorului, este recomandabil ca acele două valori să fie mărite
cu 10%.
Aşadar din catalog se va alege tiristorul care va avea cele două valori de
curenţi superioare valorilor calculate anterior şi anume:

( ITAV )cata log > 2 ⋅ 1,1 ⋅ ITAV (2.1’)

( ITRMS )cata log > 2 ⋅ 1,1 ⋅ ITRMS (2.2’)

Pentru calculul tensiunii inverse repetitive maxime se pleacă de la relaţia:

U RRM = ( 2...2 ,5 ) ⋅ 1,1 ⋅ 2 ⋅ U 2l (2.3)

unde:
( 2...2 ,5 ) este un coeficient de siguranţă;
1,1 este un coeficient care ţine cont de posibila variaţie pozitivă a tensiunii de
alimentare a convertorului;
U 2l este valoarea efectivă a tensiunii de linie din secundarul transformatorului de
alimentare.

Trebuie precizat faptul că în cazul convertoarelor statice trifazate în punte se

operează cu tensiunea de linie, iar în cazul convertoarelor statice trifazate cu nul
se operează cu valoarea tensiunii de fază.

22
 Acţionări Electrice de Curent Continuu – Elemente de Proiectare – Vol. 1

Pentru determinarea tensiunii secundare de linie se consideră următoarea

relaţie:

U An = U A0 ⋅ cos α − U R − U γ (2.4)
unde:
U An valoarea nominală a tensiunii maşinii de curent continuu considerată;
tensiunea U A0 se determină cu relaţia:

p π
U A0 = 2 ⋅ U 2l ⋅ ⋅ sin (2.5)
π p

p reprezintă numărul de pulsuri al convertorului (vezi Tab. 2.2)

U R reprezintă căderea de tensiune rezistivă;
U γ reprezintă căderea de tensiune datorată comutaţiei;
α reprezintă unghiul de comandă al convertorului;

Tab. 2.2 – Relaţiile dintre U A0 şi U 2l pentru CMCCP şi CTCCP.

CMCCP CTCCP
p 2 6
U A0 0,9 ⋅ U 2l 1,35 ⋅ U 2l

Căderea de tensiune rezistivă se poate determina cu relaţia:

Psemiconductor + PCu + Psiguranta

UR = (2.6)
I An

unde:
pierderile din dispozitivul semiconductor de putere (puterea medie disipată de către
tiristor sau puterea de disipare a tiristorului – care poate lua valoarea maximă
PTAV max ) se vor calcula cu relaţia:

2
Psemiconductor = PTAV = tc ⋅ ( VT 0 ⋅ ITAV + rT ⋅ ITRMS ) (2.7)

23
 2. Proiectarea părţii de forţă

tc reprezintă un parametru care poate lua valoarea 1 sau 2 în funcţie de tipul

capsulei dispozitivului semiconductor ales. Dacă acesta are formă de disc, fluxul
termic se stabileşte prin ambele feţe ale tiristorului, răcirea se numeşte
bidirecţională, iar parametrul tc = 2 . În caz contrar, fluxul termic se stabileşte
printr-o singură faţă a tiristorului, procesul de răcire se numeşte unidirecţional,
iar parametrul tc = 1 ;
VT 0 reprezintă tensiunea de prag în stare de conducţie (este un parametru al
tiristorului ales şi se ia din catalogul de tiristoare);
rT reprezintă rezistenţa aparentă în stare de conducţie (este un parametru al
tiristorului ales şi se ia din catalogul de tiristoare);
pierderile în înfăşurările transformatorului de alimentare, numite pierderi în cupru,
sunt date de relaţia:

1,5
PCu = ⋅ ST (2.8)
100

puterea de tip a transformatorului de alimentare este dată de relaţia:

ST = k p ⋅ U An ⋅ I An ⋅ 2 ⋅ 1,1 (2.9)

k p este un coeficient care ţine cont de arhitectura convertorului utilizat. Astfel

pentru CMCCP k p = 1,11, iar pentru CTCCP k p = 1,05 (pentru transformatoare cu
conexiunea ∆ − Y , ∆ − ∆ sau Y − Y );
2 este un coeficient care ţine cont de valoarea curentului de accelerare acceptată
prin temă (a se vedea condiţia de proiectare prezentată în cadrul Anexei 1);
1,1 este un coeficient care ţine cont de posibila variaţie pozitivă a tensiunii de
alimentare a convertorului;
Psiguranta = 0 pierderile în siguranţe se pot considera neglijabile;

Pentru calculul căderii de tensiune datorate fenomenului de comutaţie se va

utiliza relaţia:

U γ = 0,5 ⋅ u sc ⋅ U A0 (2.10)

24
 Acţionări Electrice de Curent Continuu – Elemente de Proiectare – Vol. 1

unde: u sc reprezintă tensiunea nominală de scurtcircuit a transformatorului de

alimentare şi se determină cu relaţia (2.34).
Prin introducerea relaţiilor (2.5), (2.6) şi (2.10) în relaţia (2.4), se obţine
valoare efectivă a tensiunii de linie din secundarul transformatorului de alimentare
(considerând conform temei de proiectare un CTCCP):

U An + U R
U 2l = (2.4’)
6 π
2⋅ ⋅ sin ⋅ (cos α − 0 ,5 ⋅ u sc )
π 6

Valoarea unghiului de comandă α din relaţia (2.4’) se consideră de 30°.

Această valoare este impusă din condiţiile de limitare a unghiului de comandă al
convertorului, în fapt de evitarea fenomenului de „răsturnare” a convertorului (a
se vedea capitolul 1.3).
Înlocuind valoarea tensiunii U 2l obţinută din relaţia (2.4’) în expresia (2.3)
se determină tensiunea U RRM .
Astfel, se poate defini exact tipul de tiristor ales. Spre exemplu, tiristorul
ales poate avea următorul simbol:

TxxNyyy

unde:
xx reprezintă valoarea curentului mediu al tiristorului ( ITAV );
yyy reprezintă valoarea tensiunii inverse repetitive maxime a tiristorului
(U RRM );
N construcţie normală în ceea ce priveşte panta de creştere a curentului prin
dispozitiv ( di / dt – „slew rate” şi se măsoară în A / µs ). În cazul unei pante de
valoare foarte mică, în locul literei N apare litera F .

Notă: În această lucrare nu s-a tratat problematica legată de conectarea mai

multor dispozitive semiconductoare de putere în serie sau paralel. Tratarea
teoretică a acestui caz poate fi găsită în literatura de specialitate [6].

25
 2. Proiectarea părţii de forţă

2.2. VERIFICAREA TERMICĂ A DISPOZITIVELOR ALESE

Limitarea termică a unui dispozitiv semiconductor de putere reprezintă

solicitarea principală a acestuia. De aceea, este foarte important a se face o
verificare a comportamentului din punct de vedere termic al dispozitivului ales.
Verificarea se poate face atât pentru regimul permanent de funcţionare, cât şi
pentru regimul tranzitoriu de funcţionare.
Verificarea constă de fapt în dimensionarea unui radiator pentru răcirea
dispozitivului, astfel încât să nu se atingă temperatura virtuală maximă a joncţiunii
sale.
Temperatura virtuală a unei joncţiuni depinde de natura materialului
semiconductor din care este realizat dispozitivul. Ea are următoarele valori:
• dispozitive cu germaniu: 80 ÷ 100 oC;
• dispozitive cu siliciu: 100 ÷ 125 oC.

Pentru tiristoarele cu care sunt realizate convertoarele statice tratate în

această lucrare, temperatura maximă virtuală a joncţiunii este dată de relaţia:

Tvj max = 125 °C (2.11)

Dacă temperatura joncţiunii depăşeşte această valoare atunci pot apărea

fenomene periculoase cum ar fi: ambalarea termică, creşterea valorii curenţilor
reziduali sau pierderea capacităţii de blocare a dispozitivului etc.
De asemenea, dacă temperatura joncţiunii scade sub o valoare limită
precizată de către fabricantul de dispozitive semiconductoare de putere ( Tvj min ),
atunci pot apare contracţii neuniforme care pot duce la distrugerea dispozitivului.
Pentru dispozitivele normale (adică nu acelea care trebuie să satisfacă cerinţele din
aparaturile militare) Tvj min = −40 °C .
Temperatura virtuală a joncţiunii ( Tvj ) nu poate fi măsurată direct şi de
aceea se defineşte o altă mărime: temperatura capsulei ( Tc ) care poate lua
valoarea maximă Tc max , precum şi locul în care are loc măsurătoarea.

26
 Acţionări Electrice de Curent Continuu – Elemente de Proiectare – Vol. 1

În aceste condiţii se poate scrie următoarea relaţie:

Tvj max − Tc = PTAV ⋅ Rthj − c (2.12)

unde: Rthj − c reprezintă rezistenţa termică joncţiune – capsulă şi se măsoară în

°C/W . Acest parametru este precizat de către fabricantul de dispozitive
semiconductoare (adică este un parametru al tiristorului ales şi se ia din catalogul de
tiristoare);
Caracteristica temperaturii capsulei unui dispozitiv în funcţie de puterea
disipată de acesta este prezentată în Fig. 2.2.

Fig. 2.2 Temperatura capsulei în funcţie de puterea disipată.

Dacă nici temperatura capsulei nu se poate măsura sau dacă precizia de

măsurare este mult prea mică atunci se va stabili următoarea relaţie:

Tvj max − Ta _ max = PTAV ⋅ Rthj − a (2.13)

unde:
Rthj − a reprezintă rezistenţa termică joncţiune – mediu ambiant şi se măsoară în
°C/W . Acest parametru este precizat de către fabricantul de dispozitive
semiconductoare (adică este un parametru al tiristorului ales şi se ia din catalogul de
tiristoare);

27
 2. Proiectarea părţii de forţă

Ta _ max reprezintă temperatura maximă a mediului ambiant. Pentru condiţiile

climatice de la noi din ţară conform instrucţiunilor STAS, acest parametru are
valoarea Ta _ max = 40 °C .

2.2.1. Regimul permanent de funcţionare

Pentru acest regim se poate stabili schema termică echivalentă prezentată în

Fig. 2.3 (în care Tk reprezintă temperatura radiatorului).

Fig. 2.3 Schema termică echivalentă pentru regimul stabilizat de funcţionare în cazul
utilizării dispozitivelor semiconductoare de putere care au răcire unidirecţională.

Această schemă este valabilă în cazul utilizării dispozitivelor

semiconductoare de putere care au răcire unidirecţională (au o singură suprafaţă
de contact cu radiatorul – fluxul termic se stabileşte printr-o singură faţă a tiristorului).
Este cazul tiristoarelor de putere mică şi medie care au capsulă de plastic, capsulă
„tip şurub” (litera B) sau capsulă „tip bază plată” (litera E). Dispozitivele care au
capsulă „tip disc” (litera T) au două suprafeţe în contact cu radiatorul de răcire.
În acest caz procesul de răcire se numeşte bidirecţional (fluxul termic se stabileşte
prin ambele feţe ale tiristorului).
Pentru acest dispozitiv schema anterioară nu se modifică ca structură de
bază, dar valorile rezistenţelor termice se înjumătăţesc. Acest lucru semnifică
faptul că transferul termic are loc prin două suprafeţe, deci se pot considera două
rezistenţe termice montate în paralel ca în Fig. 2.4.

28
 Acţionări Electrice de Curent Continuu – Elemente de Proiectare – Vol. 1

Fig. 2.4 Schema termică echivalentă pentru regimul stabilizat de funcţionare în cazul
utilizării dispozitivelor semiconductoare de putere care au răcire bidirecţională.

Dacă se are în vedere „realizarea unui compromis” între preţul de cost,

gabaritul convertorului static, fiabilitatea sa şi siguranţa în funcţionare, atunci se
va considera următorul coeficient de siguranţă în evaluarea temperaturii virtuale a
joncţiunii dispozitivului:

Tvj = ( 0 ,7...0,9 ) ⋅ Tvj max (2.14)

unde: ( 0 ,7...0 ,9 ) este un coeficient de siguranţă care uzual se alege 0,8 .

Puterea de disipare a dispozitivului semiconductor ( PTAV ) a fost calculată în
paragraful anterior, dar unii producători de astfel de dispozitive furnizează de
regulă şi o diagramă pentru această mărime, funcţie de curentul mediu calculat
prin dispozitiv şi de unghiul de conducţie al dispozitivului.
Pentru oricare din cele două scheme prezentate în Fig. 2.3 şi Fig. 2.4 se
poate stabili o ecuaţie termică similară regimului electric:

∆T j − a _ max = Tvj − Tambiant = PTAV ⋅ ( Rthj − c + Rthc − k + Rthk − a + ∆r ) (2.15)

unde:
Tambiant reprezintă temperatura mediului ambiant. De obicei se consideră (pentru
condiţiile climatice de la noi din ţară conform instrucţiunilor STAS)
Tambiant = Ta _ max = 40 °C ;

29
 2. Proiectarea părţii de forţă

Rthc − k reprezintă rezistenţa termică capsulă – radiator şi se măsoară în °C/W ;

Rthk − a reprezintă rezistenţa termică radiator – mediu ambiant şi se măsoară în
°C/W ;
∆r reprezintă rezistenţă termică adiţională care depinde de unghiul de conducţie
al dispozitivului (a se vedea spre exemplu Fig. 2.15) şi se măsoară în °C/W . Acest
parametru este precizat de către fabricantul de dispozitive semiconductoare (adică
este un parametru al tiristorului ales şi se ia din catalogul de tiristoare).
Analogia dintre un circuit termic şi unul electric este prezentată în Tab. 2.3.

Tab. 2.3 – Analogia dintre un circuit termic şi unul electric.

Circuit termic Circuit electric

Flux de putere PTAV Curent electric I
Rezistenţă termică Rth Rezistenţă electrică R
Temperatura ∆T Tensiune electrică U
Capacitate termică Cth Capacitate electrică C

Pe baza datelor de catalog şi a celor calculate, din relaţia (2.15) se deduce

valoarea rezistenţei termice capsulă – mediu ambiant:

Tvj − Tambiant
Rthc − a = − Rthj − c − ∆r = Rthc − k + Rthk − a (2.15’)
PTAV

Cu această valoare se poate determina lungimea necesară a radiatorului,

precum şi dacă este cazul să se utilizeze răcire forţată.

2.2.2. Regimul tranzitoriu de funcţionare

Circuitul termic echivalent pentru un regim tranzitoriu de funcţionare este

similar celui pentru regimul permanent cu singura deosebire că rezistenţele
termice sunt înlocuite cu impedanţe termice, ca în Fig. 2.5.

30
 Acţionări Electrice de Curent Continuu – Elemente de Proiectare – Vol. 1

Fig. 2.5 Schema termică echivalentă pentru regimul tranzitoriu de funcţionare în cazul
utilizării dispozitivelor semiconductoare de putere care au răcire unidirecţională.

Pentru calculul puterii disipate în regim tranzitoriu trebuie mai întâi calculat
curentul direct de suprasarcină ( IT ( OV ) – unde T provine de la „thyristor” adică
tiristor, iar OV provine de la „overload” adică suprasarcină). Valoarea acestui curent
depinde de condiţiile de încărcare anterioare apariţiei unei solicitări şi de
caracteristicile ansamblului format din dispozitivul semiconductor de putere şi
radiator. Curentul direct de suprasarcină poate fi calculat prin două metode.

Metoda 1

Se poate determina din diagrama IT ( OV ) ITSM = f ( tOV ) (vezi Fig. 2.6)

unde:
ITSM reprezintă curentul de suprasarcină accidentală în stare de conducţie;
tOV reprezintă timpul corespunzător prezenţei curentului de suprasarcină. Acest
timp se calculează cu formula:

θ
tOV = ( n − 1 ) ⋅ T + ⋅T (2.16)
360°

1 1
T= = = 20 ms reprezintă perioada ;
f 50 Hz
n = 50 reprezintă numărul de perioade T ;
θ = 120° pentru CTCCP, respectiv θ = 180° pentru CMCCP.

31
 2. Proiectarea părţii de forţă

Fig. 2.6 Diagrama IT ( OV ) ITSM = f ( tOV ) .

Metoda 2

Se poate calcula cu relaţia:

IT ( OV ) = 2 ⋅ ITAV ⋅ 1,1 (2.17)

unde:
2 reprezintă coeficientul de multiplicare admis pentru curentul prin indusul
maşinii pe durata regimului tranzitoriu (care ţine cont de valoarea curentului de
accelerare acceptată prin temă – Anexa 1);
1,1 este un coeficient care ţine cont de posibila variaţie pozitivă a tensiunii de
alimentare a convertorului;
ITAV este calculat cu relaţia (2.1).
Cu ajutorul acestei valori se poate calcula puterea disipată de dispozitivul
semiconductor de putere în regim tranzitoriu:

32
 Acţionări Electrice de Curent Continuu – Elemente de Proiectare – Vol. 1

PT ( OV ) = tc ⋅ ( VT 0 ⋅ IT ( OV ) + rT ⋅ 3 ⋅ IT2( OV ) ) (2.18.a)

Pe baza diagramei furnizată de producătorul de dispozitive

Z thj − c = f ( tOV ) şi a valorii de catalog Z thc − a se va verifica dacă radiatorul
ales pentru regimul permanent de funcţionare corespunde şi pentru acest regim.
Verificarea se va face cu ajutorul relaţiei:

Tvj = Tambiant + PTAV ⋅ Rthj − a +

(2.18.b)
+ ( PT ( OV ) − PTAV ) ⋅ Z thj − a ( tOV ) < Tvj max

În cazul în care relaţia (2.18.b) nu este îndeplinită, atunci va trebui aplicată

una dintre următoarele soluţii:
• să se mărească lungimea radiatorului pentru fiecare dispozitiv
semiconductor în parte;
• să se utilizeze sistemul de răcire forţată;
• să se schimbe tipul radiatorului;

2.3. DIMENSIONAREA PROTECŢIILOR

În cele ce urmează se va trata teoretic problematica legată de protecţia

tiristoarelor folosite în realizarea convertoarelor statice trifazate. O tratare
similară se poate face şi pentru alte tipuri de dispozitive semiconductoare de
putere.

2.3.1. Dimensionarea protecţiei la scurtcircuit

Este cunoscut faptul că tiristoarele au o capabilitate mare de curent (permit

trecerea unor curenţi de valori ridicate), însă au o capacitate destul de redusă în
ceea ce priveşte supraîncărcarea în curent pentru durate mici de timp. Acest
comportament se datorează în principal inerţiei termice reduse a acestor tipuri de
dispozitive semiconductoare de putere.

33
 2. Proiectarea părţii de forţă

Tiristoarele se pot lesne distruge la apariţia unui impuls de curent de

amplitudine mare, cum ar fi de exemplu cazul curentului de scurtcircuit.
Protecţia ce se impune a fi asigurată acestor dispozitive depinde de modul
de apariţie şi de caracteristicile (amplitudine, durată) supracurentului ce le poate
străbate. Obţinerea unui nivel satisfăcător al siguranţei în funcţionare a sistemului
de acţionare electrică, impune de cele mai multe ori luarea unor măsuri combinate
de protecţie:
• Pentru protecţia la supracurenţi previzibili de durată mare se utilizează
relee termice (paragraful 2.8). Caracteristica de declanşare a releului trebuie
să fie sub caracteristica de supracurent a dispozitivului semiconductor pe
care acesta trebuie să îl protejeze. În urma declanşării acestor relee
termice, capacitatea de blocare a tiristoarelor rămâne nealterată. Un
supracurent previzibil de durată mare va duce şi la apariţia unei
supraîncălziri a tiristorului. Astfel, acest fenomen poate fi preîntâmpinat fie
prin montarea unor senzori de temperatură pe radiatorul dispozitivului, fie
prin blocarea totală a impulsurilor tiristoarelor, fie prin limitarea curentului
ca urmare a scăderii unghiului de conducţie;
• Pentru protecţia la supracurenţi de amplitudine mare şi durată redusă
(curenţi de scurtcircuit) se utilizează siguranţe ultrarapide. Acestea au rolul
de a limita supracurentul la o valoare nepericuloasă pentru dispozitivul
semiconductor de putere pe durata unei semialternanţe.

Alegerea siguranţelor fuzibile ultrarapide se face după două criterii:

Alegerea în curent.

I n _ sig > I TRMS (2.19)

unde:
I n _ sig reprezintă valoarea efectivă a curentului nominal al siguranţei fuzibile
ultrarapide;
I TRMS reprezintă valoarea efectivă a curentului prin tiristor aleasă din catalogul
de tiristoare ( ( I TRMS )cata log ).

34
 Acţionări Electrice de Curent Continuu – Elemente de Proiectare – Vol. 1

Alegerea în tensiune.

U n _ sig > 2 ⋅U 2l ⋅1,1 (2.20)

unde: U n _ sig reprezintă valoarea de vârf a tensiunii nominale a siguranţei

fuzibile ultrarapide (tensiunea eficace de utilizare) care ţine cont de posibila
variaţie pozitivă a tensiunii de alimentare a convertorului.

Pe durata procesului de întrerupere a circuitului cu ajutorul siguranţei

fuzibile va apare un arc electric. Tensiunea arcului electric (U arc ) trebuie să fie
neapărat mai mare decât tensiunea reţelei pentru a se putea anula curentul prin
dispozitivul semiconductor. Cu cât tensiunea de arc este mai mare decât cea a
reţelei, cu atât se va anula mai rapid curentul din circuit.

Fig. 2.7 Variaţia curentului prin circuit (adică prin siguranţă şi tiristor) şi a tensiunii la
bornele siguranţei.

35
 2. Proiectarea părţii de forţă

Tensiunea la bornele siguranţei este aproximativ zero până în momentul în

care apare arcul electric (momentul t1 ) şi tensiunea de arc (care creşte cu panta
dU arc dt ) devine mai mare decât tensiunea reţelei. Valoarea tensiunii de arc
este o caracteristică a fiecărei siguranţe în parte, iar durata de menţinere a arcului
electric ( t 2 − t1 ) este determinată de egalarea celor două zone haşurate din
graficul u = f ( t ) din Fig. 2.7.
Din momentul în care tensiunea de arc depăşeşte ca valoare pe cea a reţelei,
curentul prin dispozitivul semiconductor începe să scadă, anulându-se la
momentul t 2 . Astfel, durata t 2 depinde direct de valoarea tensiunii de arc a
siguranţei.
În cazul utilizării unor dispozitive sensibile la eventuala depăşire a valorii
tensiunii inverse repetitive maxime (U RRM ), trebuie ca valoarea tensiunii de arc
să fie limitată. Astfel se scrie relaţia:

U arc < ( 1,5...2 ) ⋅ 2 ⋅ U 2l (2.21)

Din Fig. 2.7 reiese că obţinerea unei valori scăzute a integralei Joule depinde
direct de panta de creştere a tensiunii de arc.

O dată ce siguranţa fuzibilă a fost aleasă (pe baza caracteristicilor ei furnizate

de către producător) vor trebui efectuate trei verificări. Înainte de efectuarea
acestor verificări este util a se calcula valoarea curentului prezumat
( I p = I sc _ ef ) care apare datorită unui scurtcircuit:

I p = ( ITRMS )cata log u sc (2.22)

Cele trei verificări care trebuie efectuate sunt prezentate în continuare.

I. Integrala Joule a siguranţei trebuie să fie mai mică decât cea a

tiristorului.

k1 ⋅ ( I 2 ⋅ t )sig < k 2 ⋅ ( I 2 ⋅ t )tiristor (2.23)

unde:

36
 Acţionări Electrice de Curent Continuu – Elemente de Proiectare – Vol. 1

k1 reprezintă un coeficient care depinde de valoarea efectivă a tensiunii de linie

din secundarul transformatorului de alimentare U 2l . În lipsa unei dependenţe
(diagrame) de acest gen se poate considera k1 = 1 ;
k 2 reprezintă un coeficient a cărui valoare este dată în general de fabricantul de
siguranţe în funcţie de tensiunea eficace (efectivă) de utilizare U n _ sig .

Valoarea integralei Joule a siguranţei se determină din-o diagramă în funcţie

de raportul dintre valoarea curentului prezumat şi valoarea curentului nominal al
siguranţei.

II. Curentul limitat de către siguranţă trebuie să fie mai mic decât
valoarea curentului nerepetitiv de suprasarcină.

I lim_ sig < k 3 ⋅ ITSM (2.24)

unde:
I lim_ sig reprezintă valoarea curentului limitat de către siguranţă (curentul de
tăiere) care se determină din diagrama I lim_ sig = f ( I p ) furnizată de
producătorul de siguranţe fuzibile ultrarapide;
k 3 reprezintă un coeficient de corecţie care este dat ca o funcţie de timpul total
de funcţionare al siguranţei ultrarapide k3 = f ( t ) . În lipsa unei dependenţe
(diagrame) de acest gen se poate considera, cu o aproximaţie suficient de bună,
k3 = 1 .

III. Tensiunea de arc trebuie să fie mai mică decât valoarea tensiunii
inverse repetitive maxime a tiristorului.

U arc < U RRM (2.25)

Tensiunea de arc se obţine dintr-o diagramă (dată în general de fabricantul de

siguranţe fuzibile ultrarapide) în funcţie de tensiunea eficace (efectivă) de utilizare
U n _ sig .

37
 2. Proiectarea părţii de forţă

Convertorul este alimentat cu tensiune alternativă, dar prin siguranţa va trece

un curent pulsatoriu.
Siguranţa ultrarapidă aleasă şi verificată conform procedurii anterioare, se
poate monta direct pe reţeaua de tensiune alternativă (secundarul transformatorului
de alimentare), dar soluţia optimă rămâne cea a montării ei în serie cu elementul
pe care trebuie să îl protejeze – în cazul de faţă acesta fiind tiristorul.

2.3.2. Dimensionarea protecţiei la supratensiuni

2.3.2.1. Dimensionarea protecţiei individuale

Apariţia unor supratensiuni, fie şi pentru durate foarte scurte de timp, la

bornele unui dispozitiv semiconductor de putere poate cauza distrugerea acestuia.
De aceea este necesară realizarea unei protecţii individuale eficiente a
dispozitivelor, protecţie care constă de fapt în reducerea acestor supratensiuni sub
valorile limită specificate de proiectant.
Cauzele principale care duc la apariţia supratensiunilor pot fi:
• Conectarea transformatorului de alimentare;
• Comutaţia unor sarcini;
• Diferite comutări pe reţeaua de curent alternativ folosită la alimentarea
convertorului;
• Caracteristica de comutare a dispozitivului semiconductor de putere;
• Diferite fenomene atmosferice;

În literatura de specialitate sunt prezentate mai multe soluţii de realizare a

protecţiilor individuale a dispozitivelor semiconductoare de putere:
• Utilizarea reţelelor (circuitelor) R–C;
• Supresoare cu seleniu;
• Varistoare;
• Diodele cu avalanşă controlată.

38
 Acţionări Electrice de Curent Continuu – Elemente de Proiectare – Vol. 1

Soluţia cea mai des utilizată în practică este prima şi anume cea care face
apel la reţelele (circuitele) de „tip R–C”. Din acest motiv, în lucrare va fi
prezentată doar această variantă de realizare a protecţiei individuale la
supratensiuni.
Ideea acestui circuit de protecţie se bazează pe rezonanţa serie a circuitului
R–C cu inductanţele existente în circuit. Cu ajutorul unui astfel de circuit,
supratensiunea tranzitorie este „transformată” într-o sinusoidă amortizată a cărei
amplitudine este mult redusă. Acest fenomen se numeşte supresie, şi reprezintă
transformarea puterii impulsului de tensiune de amplitudine mare şi de durată
foarte scurtă, într-un impuls de durată ceva mai mare, dar de amplitudine
semnificativ mai redusă.
Energia supratensiunii tranzitorii va fi absorbită de către elementul neliniar
(în cazul de faţă condensatorul).
Circuitul de protecţie considerat este prezentat în Fig. 2.8.

Fig. 2.8 Circuitul R–C de protecţie individuală la supratensiuni.

În Fig. 2.9 se prezintă modul în care variază curentul şi tensiunea la bornele

unui tiristor în momentul blocării acestuia. În această figură sunt evidenţiate trei
durate de timp: t rr – timpul de revenire la polarizaţie inversă, t s – timpul de
stocare în volum şi t f – timpul de scădere.
După momentul inversării curentului prin tiristor pe durata t s se desfăşoară
procesul de refacere a capacităţii sale de blocare prin acumularea de purtători de
sarcină.
Prezenţa circuitului R–C în paralel cu tiristorul face ca evoluţia tensiunii la
bornele acestuia să aibă un caracter oscilant amortizat.

39
 2. Proiectarea părţii de forţă

Fig. 2.9 Variaţia curentului şi a tensiunii la bornele unui tiristor în momentul blocării
acestuia.

Totuşi, pentru a putea defini exact modul de variaţie al tensiunii la bornele

tiristorului, este necesar să se definească următorii trei parametrii:

R' 2 ⋅ L' C' 4 ⋅ a2

a= b= k critic = (2.26)
2 ⋅ L' C' U inv _ tiristor I R 4 ⋅ a2 − 1

unde:
U inv _ tiristor = 2 ⋅ U 2l reprezintă valoarea maximă a tensiunii inverse ce poate
fi aplicată în condiţii normale tiristorului;
I R = I RM reprezintă curentul invers prin tiristor (este un parametru al tiristorului
ales şi se ia din catalogul de tiristoare);

Astfel pentru c = a ⋅ b > k critic tensiunea la bornele tiristorului variază ca în

Fig. 2.9, iar pentru c = a ⋅ b < kcritic panta dv R dt ≅ −90o .

40
 Acţionări Electrice de Curent Continuu – Elemente de Proiectare – Vol. 1

Dimensionarea grupului R–C constă de fapt în a alege pentru aceste

elemente acele valori pentru care tensiunea maximă ce poate cădea pe circuitul
R–C (U R − C max ) să fie mai mică decât tensiunea inversă repetitivă maximă pe
tiristor.
Dependenţa dintre valorile constantelor care intervin în formulele
parametrilor din relaţiile (2.26) şi configuraţia convertorului static este prezentată
în Tab. 2.4.

Tab. 2.4 – Valorile constantelor care intervin în formulele parametrilor din relaţiile
(2.26) pentru CMCCP şi CTCCP.

CMCCP CTCCP
L' LS T 2⋅L
R' R 2 3⋅ R 5
C' 2⋅C 5⋅C 3

În Tab. 2.4 sunt prezentate următoarele mărimi:

LST – inductanţa de scăpări a transformatorului de alimentare (calculată cu
ajutorul relaţiei (2.33) din paragraful 2.4), sau, după caz, inductanţa de reţea Lretea
(calculată cu relaţia (2.35) din paragraful 2.5);
L p – inductanţă de protecţie montată în serie cu tiristorul (calculată cu relaţia
(2.30) sau relaţia (2.31) din paragraful 2.3.3);
L = LST + L p – suma dintre inductanţele LST şi L p ;
R şi C – elementele grupului de protecţie conectat în paralel cu tiristorul.

Rezistenţa echivalentă R' se calculează cu ajutorul relaţiei:

R' ≥ ( U inv _ tiristor − 100 ) ( 40...80 ) (2.27)

În cazul convertoarelor de putere realizate cu ajutorul tiristoarelor,

capacitatea echivalentă, C' , se poate considera cu aproximaţie suficient de bună
la valoarea de C' = 1 µF .
Tensiunea de alegere pentru condensatorul C este tensiunea inversă
repetitivă maximă pe tiristor (U C = U RRM ).

41
 2. Proiectarea părţii de forţă

Puterea de disipare pentru rezistenţa R se calculează cu ajutorul relaţiei:

PR = 4 ⋅ f ⋅ C ⋅ ( U 2l ⋅ 1,1 )2 (2.28)

unde: f = 50 Hz reprezintă frecvenţa reţelei electrice de alimentare.

2.3.2.1. Dimensionarea protecţiei colective

Pentru a realiza o protecţie eficientă a convertoarelor statice cu tiristoare, la

eventuala apariţie a unor supratensiuni pe liniile de reţea, se pot folosi diferite
scheme bazate pe utilizarea unor rezistenţe, condensatoare şi eventual diode.
Deoarece, în această lucrare tratarea elementelor de proiectare a fost făcută
în special pentru CMCCP şi pentru CTCCP, în Fig. 2.10 sunt prezentate câteva
soluţii de realizare a protecţiei colective pentru aceste tipuri de convertoare.

Fig. 2.10 Soluţii de conectare a grupurilor de protecţie colectivă.

42
 Acţionări Electrice de Curent Continuu – Elemente de Proiectare – Vol. 1

Pentru calculul valorii mărimilor din circuitele prezentate în Fig. 2.10 se vor
folosi relaţiile din Tab. 2.5.

Tab. 2.5 – Relaţiile de calcul a valorilor mărimilor din circuitele prezentate în Fig.
2.10.

Fig. 2.10.a. Fig. 2.10.b. Fig. 2.10.c. Fig. 2.10.d.

R1 = 2 ⋅ LS T C1
R1 [ Ω ]
2 U 22l ⋅ R1
PR1 = 2 ⋅ ( U 2l ⋅ 2 ⋅ π ⋅ f ⋅ C1 ) ⋅ R1 PR1 =
( R1 + R2 )2
5 25 5
– R2 = R2 = R2 =
f ⋅ C1 f ⋅ C1 f ⋅ C1
R2 [ Ω ]
0 ,8 ⋅ U 22l 1,8 ⋅ U 22l
– PR2 = PR2 = PR2 = U 22l R2
R2 R2
i0 [%] ⋅ ST ⋅ 10 − 3
C1 = 6,4 ⋅
C1 [ µF ] 2
U RRM
U C = U RRM
2 ⋅ U 2l
– I FAV ≥
3 ⋅ ( R1 + R2 )
D U RRM
– I FSM ≥
R1 ⋅ ( 0,3...0,6 )
– ( U RRM )dioda ≥ U RRM

În Tab. 2.5 sunt prezentate următoarele mărimi:

I FAV – curentul mediu redresat – prin diodă (este un parametru în funcţie de care
se alege dioda din catalogul de diode astfel încât să se respecte condiţia din tabel –
unde FAV provine de la „forward average” adică valoare medie);
I FSM – valoarea de vârf a curentului direct de suprasarcină accidentală (este un
parametru în funcţie de care se alege dioda din catalogul de diode astfel încât să se
respecte condiţia din tabel – unde FSM provine de la „forward surge maxim” adică
valoare directă maximă).
( U RRM )dioda – valoarea tensiunii inverse repetitive maxime a diodei (este un
parametru în funcţie de care se alege dioda din catalogul de diode astfel încât să se
respecte condiţia din tabel)

43
 2. Proiectarea părţii de forţă

2.3.3. Dimensionarea inductanţei de protecţie

Limitarea pantei de creştere a tensiunii în sens pozitiv la bornele

dispozitivului semiconductor considerat (în această lucrare fiind vorba despre
tiristor) se realizează cu ajutorul unor inductanţe montate în serie cu acesta.
Dimensionarea inductanţelor de protecţie se va face astfel încât să se respecte
inegalitatea:

 dU   dU 
  <  (2.29)
 dt  max  dt tiristor _ max im _ admisibila

Pentru inductanţele de protecţie realizate „pe aer” se va folosi următoarea

relaţie de calcul:

 dU  2 ⋅ U 2l ⋅ R 2 ⋅ LS T
  = ⋅ (2.30)
 dt  max 3 ( 2 ⋅ LS T + L p ) ⋅ L p
iar pentru inductanţele de protecţie saturabile (cu miez feromagnetic) se va utiliza
relaţia:

 dU  2 ⋅ U 2l ⋅ R 2 ⋅ LS T
  = ⋅ (2.31)
 dt  max 5 ( 2 ⋅ LS T + L p ) ⋅ L p

unde: R reprezintă rezistenţa din circuitul R–C de protecţie individuală la

supratensiuni (vezi Fig. 2.8).

2.4. ALEGREA TRANSFORMATORULUI DE ALIMENTARE

Pentru a dimensiona transformatorul de alimentare este necesar să se

calculeze mai întâi puterea sa de tip. Prin definiţie, puterea de tip reprezintă
semisuma puterilor înfăşurărilor transformatorului calculate cu valorile efective
ale tensiunilor şi curenţilor.

44
 Acţionări Electrice de Curent Continuu – Elemente de Proiectare – Vol. 1

Această putere se poate calcula şi cu ajutorul unui coeficient k p care ţine

cont de arhitectura convertorului utilizat (vezi relaţia (2.9)). Din experienţa
practică în domeniu, se recomandă ca puterea de tip a transformatorului de
alimentare să fie majorată cu cei doi coeficienţi din relaţia (2.9).
Tensiunea secundară a transformatorului este calculată în funcţie de tipul
convertorului utilizat şi a datelor nominale ale maşinii de curent continuu din
cadrul SAE (vezi relaţia (2.4’)).
Tensiunea nominală din primarul transformatorului se alege în funcţie de
tensiunea reţelei de alimentare disponibile şi în funcţie de conexiunea considerată
(pentru transformator).
Dacă se consideră că alimentarea transformatorului se realizează dintr-o
reţea de putere infinită (în raport cu puterea lui), atunci valoarea efectivă a
curentului secundar al transformatorului (considerând cazul unui CTCCP deci al
unui transformator trifazat) este dată de relaţia:

ST
I 2 ef = (2.32)
3 ⋅ U 2l

Pentru cazul CMCCP, la numitorul relaţiei anterioare nu mai apare 3 .

Transformatoarele de alimentare folosite în SAE cu convertoare cu stingere
naturală ale căror dispozitive semiconductoare de putere sunt protejate cu
siguranţe ultrarapide, trebuie să aibă o tensiune de scurtcircuit (reactanţă de
scăpări) bine precizată. Aşa cum a rezultat şi din procesul de alegere a siguranţei
(necesare pentru protecţia la scurtcircuit – paragraful 2.3.1), la apariţia unui
scurtcircuit în convertor, valoarea curentului limitat de către aceasta (siguranţă)
trebuie să fie mai mică decât valoarea curentului nerepetitiv de suprasarcină al
tiristorului (relaţia (2.24)).
Inductivitatea de scăpări a transformatorului de alimentare se poate calcula
cu relaţia:

u sc ⋅ U 22l
LS T = [ µH ] (2.33)
2 ⋅ π ⋅ f ⋅ ST

unde:

45
 2. Proiectarea părţii de forţă

u sc reprezintă tensiunea nominală de scurtcircuit a transformatorului de

alimentare şi se determină cu relaţia:

I An
u sc = (2.34)
I sc _ ef ⋅ 1,22

I sc _ ef reprezintă valoarea efectivă a curentului de scurtcircuit (valoarea

curentului prezumat ( I p = I sc _ ef ) care apare datorită unui scurtcircuit) şi se
calculează cu relaţia (2.22).

Relaţiile (2.33) şi (2.34) sunt valabile dacă se consideră că alimentarea

transformatorului se realizează dintr-o reţea de putere infinită (în raport cu puterea
lui).

2.5. CALCULUL INDUCTANŢEI DE REŢEA

Inductanţele de reţea sunt necesare numai în cazul în care convertorul este

conectat direct la barele reţelei de alimentare şi nu prin intermediul unui
transformator de adaptare (transformator de alimentare).
În cazul convertoarelor statice trifazate (CTCCP) schema prevede montarea
a unei inductanţe de reţea pe fiecare dintre liniile de alimentare (R, S şi respectiv
T), în timp ce la convertoarele statice monofazate (CMCCP) nu se montează decât
o singură inductivitate.
Dacă puterea convertorului este mică atunci va rezulta o valoare mare pentru
inductanţa de reţea, ceea ce implică luarea în calcul a realizării acesteia pe un
miez feromagnetic.
Pentru o putere de dimensionare mare a convertorului va rezulta o valoare
mai mică a inductanţei de reţea. În acest caz aceasta se va putea realiza („în aer”)
„pe aer”, dar în schimb va trebui acordată o mai mare atenţie amplasării acesteia.
Trebuie evitată amplasarea inductanţelor „pe aer” în imediata apropiere a unor
metale. Curenţii induşi în aceste metale (datorită câmpului de dispersie foarte mare
al inductivităţii) pot conduce la încălziri importante ale acestora.
Inductanţa de reţea se poate calcula cu ajutorul următoarei relaţii:

46
 Acţionări Electrice de Curent Continuu – Elemente de Proiectare – Vol. 1

U retea
Lretea = (2.35)
3 ⋅ 2 ⋅ π ⋅ f ⋅ I sc _ ef

În cazul alimentării monofazate (CMCCP), la numitorul relaţiei anterioare nu

mai apare 3.

2.6. CALCULUL INDUCTANŢEI DE NETEZIRE

Bobina de netezire sau inductanţa de filtrare cum mai este denumită în

literatura de specialitate, este prezentă numai în circuitul de curent continuu al
convertizoarelor unidirecţionale (sisteme de acţionare electrică de două cadrane).
Dimensionarea acestei inductanţe poate fi realizată după două criterii:
• Evitarea regimului de curent întrerupt (funcţionare discontinuă). Prezenţa
unui astfel de regim de funcţionare ar determina o funcţionare instabilă a
sistemului;
• Diminuarea armonicilor de curent prin indusul maşinii de curent continuu
provocate de către armonicile tensiunii de la ieşirea convertorului.

Pentru „evitarea regimului de curent întrerupt”, dimensionarea bobinei

de netezire se realizează cu ajutorul relaţiei:

U A0
Ln1 = k1L (2.36)
k1I ⋅ I An

unde:
k1L depinde de arhitectura convertorului static (a se vedea Tab. 2.6);
k1I reprezintă raportul dintre curentul de mers în gol al maşinii de curent
continuu şi curentul nominal al maşinii. Această valoare se indică de către
utilizator. În lipsa acestei date, valoarea coeficientului k1I se poate aproxima cu
ajutorul relaţiei:

47
 2. Proiectarea părţii de forţă

I 0 ,1 ⋅ I An
k1I = 0 ,5 ⋅ A0 ≅ 0 ,5 ⋅ = 0 ,05 (2.37)
I An I An

Pentru „diminuarea armonicilor de curent”, dimensionarea bobinei de

netezire se realizează cu ajutorul relaţiei:

U A0
Ln 2 = k 2 L (2.38)
k 2 I ⋅ I An

unde:
k 2 L depinde de arhitectura convertorului static (a se vedea Tab. 2.6);
k 2 I reprezintă un coeficient care maşini de curent continuu de putere mică şi
medie acest coeficient poate fi aproximat cu valoarea k 2 I = 0 ,17 .

Tab. 2.6 – Valorile constantelor k1L şi k 2 L pentru CMCCP şi CTCCP.

CMCCP CTCCP
k1L 3,18 0,3
k2L 1,6 0,13

Dimensionarea inductanţei de netezire se realizează de obicei astfel încât să

se respecte ambele criterii prezentate anterior astfel încât în final se va alege
valoarea ca mai mare rezultată din calcul:

Ln = max( Ln1 ; Ln 2 ) (2.39)

Bobinele de netezire sunt realizate în cea mai mare parte a cazurilor cu miez
feromagnetic. În calculul de dimensionare a bobinei trebuie avut grijă ca la o
valoare a curentului de:

1 1
⋅ k1I ⋅ I An sau ⋅ k 2 I ⋅ I An (2.40)
0 ,22 0 ,22

48
 Acţionări Electrice de Curent Continuu – Elemente de Proiectare – Vol. 1

această inductivitate să fie liniară. Pentru valori ale curentului superioare celor din
relaţiile (2.40), inductanţa de netezire poate fi saturabilă. Valoarea bobinei
saturate este aproximativ egală cu a zecea parte din cea a bobinei nesaturate.

2.7. CALCULUL INDUCTANŢEI DE LIMITARE A CURENŢILOR DE

CIRCULAŢIE

Schemele de acţionări electrice cu curenţi de circulaţie trebuie prevăzute cu

inductanţe de limitare a acestora.
După cum am mai precizat în cazul schemelor cu curenţi de circulaţie,
pentru montajul în antiparalel (al celor două convertoare statice) se utilizează patru
inductanţe de limitare a curenţilor de circulaţie, iar pentru montajul în cruce (al
celor două convertoare statice) se utilizează două astfel de inductanţe de limitare.
Dimensionarea acestor inductivităţi se poate face cu ajutorul următoarei
relaţii:

U A0
Lc = k I c1 ⋅ (2.41)
k I c 2 ⋅ I An

unde:
k I c1 depinde de arhitectura convertorului static şi de tipul montajului utilizat
pentru schema cu curenţi de circulaţie (a se vedea Tab. 2.7);
k I c 2 reprezintă un coeficient care se poate calcula cu ajutorul relaţiei:

I circulatie _ mediu
k I c2 = (2.42)
I An

I circulatie _ mediu este admis în general ca având o valoare de aproximativ 10%

din valoarea curentului nominal al maşini de curent continuu utilizate. Astfel,
rezultă k I c 2 = 0 ,1 .

49
 2. Proiectarea părţii de forţă

Tab. 2.7 – Valorile constantei k I pentru CMCCP şi CTCCP în funcţie de tipul

c1
montajului utilizat pentru schema cu curenţi de circulaţie.

CMCCP CTCCP
k I c1 _ antiparalel 3,18 1,09
k I c1 _ cruce 0,15 0,3

Pentru cele patru variante de scheme prezentate în Tab. 2.7 se folosesc patru
inductanţe (pentru montajul în antiparalel) respectiv două inductanţe (pentru
montajul în cruce) de limitare a curenţilor de circulaţie.
Aceste inductanţe se realizează în general cu miez feromagnetic. La
convertoarele de putere mare, aceste inductanţe se realizează „pe aer” la fel ca
cele de reţea şi la fel ca şi în cazul acestora trebuie avut grijă de locul fizic de
amplasare (a se vedea paragraful 2.5).
Inductanţele de limitare a curenţilor de circulaţie Lc trebuie să aibă un
comportament liniar cel puţin până la valoarea:

1
I saturatie = ⋅ k I ⋅ I An (2.43)
0 ,22 c 2

În schimb curentul de regim permanent la care aceste inductivităţi trebuie

dimensionate este dat de relaţia:

I Lc _ regim _ de _ durata = 1,3 ⋅ I An (2.44)

În practică schema cu curenţi de circulaţie care utilizează montajul în cruce

(al celor două convertoare statice) este mai rar folosită.

2.8. ALEGEREA APARATELOR DIN SCHEMA DE FORŢĂ

Alevra fii cuminte!

50
Acţionări Electrice de Curent Continuu – Elemente de Proiectare – Vol. 1

Fig. 2.15 Rezistenţa termică adiţională în funcţie de unghiul de conducţie a

dispozitivului semiconductor de putere ∆r = f ( θ ) .

51