Convertoare statice Convertoare statice

1
EVALUARE
- activitatea de laborator: 25% - activitatea de laborator: 25%
- activitatea la proiect: 25%
- lucrare de control dup primele 7 sptmni (partial): 25% lucrare de control dup primele 7 sptmni (partial): 25%
- examen final scris: 25%
Condiii de promovare p
-predarea proiectului;
-efectuarea integrala a laboratorului;
-obinerea a minim 50 % din punctajul total
Exemplu: 40 - 49,99 puncte = nota 4
50 54,99 puncte = nota 5
55 64,99 puncte = nota 6
2
Coninutul cursului
1. Introducere. Locul si rolul electronicii de putere

1. Introducere. Locul si rolul electronicii de putere

2. Dioda de putere. Construcie. Funcionare. Caracteristici. Parametri caracteristici.
Regimul dinamic la intrarea in conducie si la blocare. Regimul termic permanent si g g p
tranzitoriu. Protecie.
3. Tiristorul. Construcie. Scheme echivalente. Funcionare. Ecuaia de funcionare.
Caracteristici. Parametri caracteristici. Regimul dinamic la intrarea in conducie si la
blocare. Regimul termic. Protectie.
4. GTO. Construcie. Scheme echivalente. Funcionare. Ecuaia de funcionare.
Caracteristici. Parametri caracteristici. Regimul dinamic la intrarea in conducie si la
blocare. Protectie.
5. Componente derivate din tiristor: Triac, ASCR, RCT, LAT, IGCT, MCT
3
C i t l l i
6. Tranzistorul bipolar de putere si tranzistorul Darlington. Construcie. Scheme
Coninutul cursului
6. Tranzistorul bipolar de putere si tranzistorul Darlington. Construcie. Scheme
echivalente. Funcionare. Caracteristici.Parametri caracteristici. Regimul
dinamic la intrarea in conducie si la blocare.
7 Tran istor l MOS de p tere Constr cie Scheme echi alente F ncionare 7. Tranzistorul MOS de putere. Construcie. Scheme echivalente. Funcionare.
Tipuri de MOS. Caracteristici.Parametri caracteristici. Regimul dinamic la
intrarea in conducie si la blocare.
8. Tranzistorul IGBT. Construcie. Scheme echivalente. Funcionare. Tipuri de
IGBT. Caracteristici.Parametri caracteristici. Regimul dinamic la intrarea in
conducie si la blocare.
9. Legarea in serie sau paralel a dispozitivelor semiconductoare. Legarea in serie
sau paralel a diodelor, tiristoarelor si tranzistorelor
10 C l ii l I d i i 10. Concluzii asupra ntreruptoarelor. Intreruptoare n dou, trei i patru
segmente. Celula de comutaie
4
C i t l l i
11. Conversia c.a.-c.c.: Redresoare necomandate i comandate.
Coninutul cursului
11. Conversia c.a. c.c.: Redresoare necomandate i comandate.
Redresorul monofazat monoalternan, necomandat i comandat,
funcionnd cu sarcin R i RL;
Redresorul monofazat bialternan n punte comandat i necomandat,
funcionnd cu sarcin normal;
Redresorul trifazat cu punct median comandat i necomandat funcionnd Redresorul trifazat cu punct median comandat i necomandat, funcionnd
cu sarcin normal;
Redresorul trifazat n punte comandat i necomandat, funcionnd cu
sarcin normal; Funcionarea cu sarcina RLE n regim de invertor. Caracteristica
extern a redresorului.
Interactiunea redresor reea si redresor sarcina. Interactiunea redresor reea si redresor sarcina.
5
BIBLIOGRAFIE MINIMALA
1. Ionescu Fl., Nitu S., Floricau D.: Electronic de putere. Dispozitive semiconductoare de
putere .216 pag.,Ed.ICPE, Bucuresti 2000, ISBN 973-8067-15-4
2 Ionescu Fl Nitu S Floricau D Mihalache C : Electronica de putere II :"Convertoare 2 .Ionescu Fl.,Nitu S.,Floricau D.,Mihalache C. : Electronica de putere II : Convertoare
statice" Editura Electra, Bucuresti 2004, 389 pag., ISBN 973-8067-15-4
3. Ionescu Fl, Floricu D., Niu S., Six J.-P., Delarue Ph., Bogu C. : Electronic de
C i Ed T h i 1998 493 ISBN 973 31 1262 3 putere. Convertoare statice. Ed Tehnic 1998, 493 pag.,ISBN 973-31-1262-3.
4. Ionescu Fl.: Diode i redresoare de putere, Ed. Tehnic 1995, 290 pag. ISBN 973-31-
0721-2
5. Ionescu Fl., Rou E.,Six Jean-Paul, Dakyo B.,Milent E., Nichita C. :Exercices
dlectronique de puissance". Ed.Tehnic, 2001, 230 pag., ISBN 973-31-2100-2. In limba
francez francez
6. Ionescu Fl.,Nitu S.,Floricau D.,Mihalache C., Lazar L.: Componente semiconductoare
de putere. Indrumar de laborator, Lit.UPB, Bucureti, 2006
7. Ionescu Fl.,Nitu S.,Floricau D.,Mihalache C.:Convertoare statice de putere. Indrumar
de laborator, Lit UPB, Bucureti, 1997
6
Convertoare statice Convertoare statice
CURS 1
http:// www.conv.pub.ro/conv_stat
7
Introducere. Locul si rolul electronicii de putere
8
1. Dioda de putere.
9
Diodele semiconductoare de putere sunt dispozitive semiconductoare
necomandabile, unidirecionale n curent i n tensiune.
p
n
A
K A
K
+
-
++
++
p
a) b)
J
pn
n structura sa exist o singur jonciune p-n, dei are trei straturi semiconductoare:
cele dou exterioare (dopate p, respectiv n) sunt puternic dopate (notate din acest motiv
p
++
, respectiv n
++
) i permit vehicularea unui numr mare de purttori de sarcin liberi.
i l di d d Datorit lor, o diod de putere poate suporta densiti de curent medii de 60100
A/cm
2
, valori necesare frecvent n electronica de putere. Stratul median este slab dopat
(cel mai adesea p), astfel nct jonciunea p-n se realizeaz ntre un strat slab dopat i unul
t i d t N i f l l t j i t t t i i i i d puternic dopat. Numai n felul acesta jonciunea poate suporta tensiuni inverse mari, de
15 kV, fr s se strpung. Diferena mare de potenial ntre anod i catod se regsete
practic n ntregime pe stratul slab dopat, strat n care se extinde zona de blocare (srac n
purttori de sarcin liberi) de la jonciunea p n
10
purttori de sarcin liberi) de la jonciunea p-n.
v
F
v
R
) b)
-
A K
+
i
F A K
+ -
i
R
a) b)
polarizat direct cu o tensiune exterioar aplicat cu borna pozitiv la anodul diodei i cu polarizat direct, cu o tensiune exterioar aplicat cu borna pozitiv la anodul diodei i cu
cea negativ la catod, situaie n care mrimile caracteristice se noteaz cu indicele F (V
F
i
I
F
), iar dioda asigur continuitatea circuitului, dac este n conducie, adic tensiunea la
bornele ei depete o anumit valoare numit tensiune de prag; bornele ei depete o anumit valoare, numit tensiune de prag;
polarizat invers, cu o tensiune exterioara aplicat cu borna pozitiv la catodul diodei i cu
cea negativ la anod, situaie n care mrimile caracteristice se noteaz cu indicele R (V
R
i g , (
R

I
R
), iar dioda asigur ntreruperea circuitului (prin jonciune circul un curent invers foarte
mic, de ordinul mA);
nepolarizat, fr tensiune exterioara aplicat, situaie n care dioda asigur ntreruperea
circuitului, dar care este fr importan practic n domeniul convertoarelor statice de putere.
11
1.1. CARACTERISTICA
STATIC STATIC
i=i
F
[A sau kA]
C I
F
+
-
V
F
V
RSM
I
F
I
F
A K
V
V
v=v
r
on
V
T
o
O
V
0
o
v=v
F
[V]
V
BR
V
RRM
I
RM
V
F
v=v
R
[kV]
V
T
o
O
R
0
o
o
V
R
i=i
R
[mA]
I
R
+
A
-
K
r
off
C III
12
R
S
Caracteristica direct corespunde polarizrii directe a diodei, se numete i
caracteristica de conducie i este reprezentat prin ramura OF. Curentul
i=i
F
i tensiunea v=v
F
corespunztoare sunt considerate pozitive, motiv pentru
care se traseaz n cadranul unu al planului (i,v).

0 F T T F
i r V v + =
t i t di i di d i (d t d t l )
F
v d
r
T
este rezistena dinamic a diodei (dat de catalog)
F
F
T
i
v
r
d
d
=
F F
T
V v
r ~ ~ = ctg
d
F F
T
I i
r ~ ~ = ctg
d
O diod n conducie este echivalent cu un circuit serie format dintr-o
i t d l i i d t i ti d l rezisten de valoare mic r
on
= r
T
i o surs de tensiune continu de valoare
V
T0
.
13
Caracteristica invers corespunde polarizrii inverse a diodei, se numete i
t i ti d bl i i OR C l i i i i caracteristica de blocare i este reprezentat prin ramura OR. Curentul i=i
R
i tensiunea
v=v
R
corespunztoare sunt considerate negative, motiv pentru care se traseaz n cadranul
trei al planului (i,v).
Pentru valori negative ale tensiunii la borne, curentul prin diod este foarte mic, de
10A100mA i se datoreaz agitaiei termice. Acest curent este neglijabil n raport
cu valorile uzuale ale curenilor n electronica de putere cu valorile uzuale ale curenilor n electronica de putere
O diod blocat este echivalent cu o rezisten de valoare mare r
off
14
Valoarea maxim a tensiunii inverse este limitat de apariia fenomenului de strpungere Valoarea maxim a tensiunii inverse este limitat de apariia fenomenului de strpungere
prin avalan. La depirea tensiunii de strpungere, notat V
BR
, curentul invers crete brusc,
datorit ionizrilor prin ciocniri repetate i smulgerii de electroni din legturile covalente.
n cataloagele productorilor de diode semiconductoare de putere este indicat tensiunea V
RRM
,
numit tensiune invers repetitiv maxim i care reprezint valoarea de vrf a tensiunii
inverse ce poate fi aplicat diodei, periodic (repetitiv), fr ca ea s se distrug inverse ce poate fi aplicat diodei, periodic (repetitiv), fr ca ea s se distrug.
Curentul invers corespunztor tensiunii V
RRM
este curentul invers maxim, notat I
RM
i
indicat de asemenea n cataloagele de diode. g
Unii productori dau i tensiunea V
RSM
, tensiunea invers maxim accidental, care poate fi
suportat de diod n mod singular, fr s se strpung. Strpungerea diodei este p g p g p g
ireversibil i nseamn distrugerea dispozitivului semiconductor, deoarece acesta i pierde
proprietatea de conducie unidirecional. Pe caracteristica static, acest regim este reprezentat
de poriunea RS din cadranul trei al planului (i,v).
15
Exemplu de caracteristica static direct, pentru dou temperaturi de
funcionare (data de catalog) ( g)
T
25 C
o
I T
vj
=25 C
o
T
j
=150 C
o
I
F
[kA]
T
vj
50 C
V
F
[V]
16
1.2. CARACTERISTICA
DINAMIC DINAMIC
Caracteristica dinamic reprezint variaia n timp a curentului prin diod i a
tensiunii la bornele acesteia, n regim dinamic de funcionare, adic n comutaie.
Prin comutaie se desemneaz trecerea diodei din stare de blocare n stare de
conducie (proces denumit comutaia n direct) i invers, din stare de conducie n
stare de blocare (proces denumit comutaia n invers).
17
CARACTERISTICA DINAMIC
di
i v
di
F
dt
_
t
rr i
I
F
i ,v
t
s
f
t V
FM
V
F
1,1
v
A
v
F
t
1
t
2
Q
t
3
t
4
|
I
R
I
RRM
0,25
V
t
V
F
1,1
t
fr
t
0
|
Q
s
I
0,9
V
R
Q
f
I
RRM
RM R
V
RM
I
18
1.2.1. Comutaia n direct
Trecerea diodei din stare de blocare sau de nepolarizare n stare de conducie (comutaia n
direct) se face ntr-un interval de timp foarte scurt de cteva ns notat t i numit timp direct) se face ntr-un interval de timp foarte scurt, de cteva ns, notat t
fr
i numit timp
de comutaie n direct. Acest timp este necesar ca, ncepnd cu momentul t
0
, cnd diodei i
se aplic o tensiune direct, zona srac n purttori de sarcin liberi, din preajma jonciunii
p-n, s fie invadat de purttori de sarcin liberi, provenii din zonele puternic dopate i s p n, s fie invadat de purttori de sarcin liberi, provenii din zonele puternic dopate i s
capete astfel conductibilitate electric ridicat.
La bornele diodei apare o supratensiune direct de comutaie, V
FM
, care depinde de p p ,
FM
, p
panta curentului direct prin diod i de valoarea lui stabilizat I
F
, deci, mai mult de
circuitul exterior dect de proprietile diodei.
19
1.2.2. Comutaia n invers
Trecerea diodei din starea de conducie n starea de blocare (comutaia n invers)
dureaz un timp mai lung, definitoriu pentru proprietile de comutaie ale diodei.
La momentul t
1
, se aplic diodei o tensiune invers. Este nevoie de timp pentru ca
purttorii de sarcin liberi s prseasc zona jonciunii prin difuzie sau recombinare.
Curentul scade, dar nu se oprete la valoarea practic nul a curentului invers de regim,
I
R
, ci scade n continuare pn la curentul I
RRM
(curent invers de revenire maxim),
astfel nct toi purttorii de sarcin liberi care au existat n zona jonciunii s fie astfel nct toi purttorii de sarcin liberi, care au existat n zona jonciunii, s fie
evacuai i jonciunea s i recapete proprietile izolante. Scderea curentului se face
cu viteza , care este impus de caracteristicile circuitului i de tensiunea
t
i
F
d
d

invers aplicat.
20
Comutaia n invers
Timpul scurs din momentul trecerii curentului prin zero, de la valori pozitive, ctre valori
negative (notat cu t
2
), pn n momentul atingerii valorii inverse maxime, I
RRM
(notat cu t
3
) se numete timp de stocare i se noteaz cu t
s
. n acest interval de timp,
tensiunea scade de la V
F
la zero, iar n jonciune se acumuleaz o cantitate de sarcin
electric numit sarcin stocat notat Q i definit de relaia: electric, numit sarcin stocat, notat Q
s
i definit de relaia:
}
=
s
t
s
t i Q
0
d
}
0
Timpul scurs din momentul atingerii valorii inverse maxime, I
RRM
(notat cu t
3
) pn n
momentul t
4
se numete timp de cdere i se noteaz cu t
f
. Momentul t
4
se obine prin
4
p
f 4
p
intersecia abscisei cu o dreapt ajuttoare A.. Dreapta A se construiete unind punctele de
ordonate 0,9I
RRM
i 0,25I
RRM
i aproximeaz variaia curentului invers care scade de la I
RRM
l I C d t l i d d t it i i l t l la I
R
. Cnd curentul invers ncepe s scad, datorit energiei acumulate n cmpul
magnetic al inductivitilor din circuit, apare o supratensiune de comutaie invers V
RM
.
Aceast supratensiune este normal n funcionarea diodei, dar trebuie luate msuri ca ea
21
s nu depeasc tensiunea V
RRM
.
Comutaia n invers
Se definesc:
f
t
t
} }
= + = =
rr
f
t
f s rr
t
f
t i Q Q Q t i Q
0 0
d d
f s rr
t t t + =
Dup mrimea lui t
rr
diodele se clasific n :
- diode rapide (de comutaie), cu t
rr
< 10s p ( )
rr

- diode normale , cu t
rr
> 10s.
22
Comutaia n invers
n cataloage, este indicat grafic modul de cretere al sarcinii Q
s
sau Q
rr
ca funcii de (-di/dt),
cu I
F
ca parametru.
Circuitul de for determin (-di/dt) i I
F
.
Caracteristicile diodei determin Q sau Q ; Caracteristicile diodei determin Q
s
sau Q
rr
;
Se pot determina I
RRM
i t
s
, aproximnd variaia curentului cu o variaie liniar, adic :
= = g const
d
d
t
t
i
= = =
} }
2 d
d
d
d
d
d
2
0 0
s
t t
s
t
t
i
t t
t
i
t t
t
i
Q
s s
Q
t
s
2
i d
t
i
Q
t
s
s
d
d

=
t
i
Q I
s RRM
d
d
2 =
23