Sunteți pe pagina 1din 11

Curs nr. 12.

ELECTRONIC
Diode semiconductoare i aplicaiile lor
1. Circuite de limitare cu diode
Pentru a tia poriuni ale unui semnal deasupra sau dedesubtul unui anumit nivel se
pot utiliza circuite cu diode numite limitatoare sau circuite de tiere.
Caracteristica de transfer a unui limitator pasiv (fr elemente active de amplificare)
este dat n figura 1a.
Fig. 1. Limitator bilateral simetric pasiv
a) Caracteristica de transfer, b) Efectul asupra unui semnal sinusoidal
Caracteristica de transfer poate fi exprimat analitic astfel:

'


< <


+
+ +
O I O O
O I O I O
O I O O
U u dac U u
U u U dac u u
U u dac U u
.
Cel mai simplu limitator de acest tip se poate realiza cu dou diode conectate ca n
figura 2. Considernd tensiunea de prag a diodelor U
D
, funcionarea circuitului poate fi
descris cu ecuaiile:

'


< <

blocat este D , D conduce ; U u dac U u
blocate sunt diode ambele ; U u U dac u u
blocat este D , D conduce ; U u dac U u
1 2 D I D O
D I D I O
2 1 D I D O
.
a) Limitator bilateral b) Limitator cu tensiune de prag
Fig. 2. Limitatoare simple cu diode
1

t
u
u
i
u
O
U
O+
0
U
O
U
O+
U
O
u
O
u
I
0
45
o
D
2
D
1
R
u
0
i
0
=0
U
P
+
D
1
R
u
l
u
0
u
l
i
0
=0
Rezistorul R este introdus n circuit pentru a prelua diferena de tensiune dintre intrare
i ieire atunci cnd tensiunea de intrare este n afara valorilor limit.
Circuite de limitare bilaterale sunt utilizate la intrarea amplificatoarelor (pentru a
limita impulsurile accidentale la t 0,7V, protejnd astfel amplificatorul) sau la intrarea
multimetrelor digitale pentru a reduce pericolul de distrugere al acestora n cazul aplicrii unei
tensiuni n afara domeniului de msur.
Dac tensiunile normale la intrarea circuitului protejat au valori mai mari dect
tensiunea de deschidere a diodei, atunci se poate utiliza limitatorul cu tensiune de prag, care
este prezentat n figura 2.b n varianta unipolar (care limiteaz tensiunile pozitive, n acest
caz). Ca i n primul caz, circuitul lucreaz n gol, adic fr sarcin conectat la ieire
(eventualul circuit conectat la ieire are o rezisten intern foarte mare i absoarbe un curent
practic nul).
Cele dou stri posibile ale circuitului depind de starea diodei. Considernd modelul
diodei cu tensiune de prag rezult:

'

+ +
+ <
conduce dioda ; U U u dac U U u
blocat este dioda ; U U u dac u u
P D I P D O
P D I I O
.
Circuitele de limitare pot avea diferite configuraii n funcie de nivelele semnalului
care trebuiesc ndeprtate.
1. Dioda stabilizatoare de tensiune
Dioda stabilizatoare sau dioda Zener este o jonciune pn la care tensiunea de
strpungere este controlat tehnologic ct mai precis. Dioda stabilizatoare utilizeaz
proprietatea jonciunii pn polarizat invers de a menine la borne o tensiune constant
indiferent de valoarea curentului care o parcurge.
Tensiune ce apare la bornele diodei zener se numete tensiune stabilizatoare sau zener.
Simbolurile diodei stabilizatoare sunt cele din figura 3. Sensul mrimilor electrice
asociate diodei zener este invers fa de sensul convenional al jonciunii pn, astfel nct i
Z
i
u
Z
s aib valori pozitive la aplicaiile normale (unde dioda este polarizat invers).
Fig. 3. Simbolul i mrimile electrice
Diodele zener sunt jonciuni pn de construcie special cu regiunile p i n puternic
dopate, ceea ce face ca efectul de strpungere s apar la tensiuni inverse mici. Construcia
foarte uniform a jonciunii evit supranclzirea local i distrugerea pe cale termic a
jonciunii. Aceste diode sunt utilizate n polarizare invers n zona de strpungere a
caracteristicii statice, regiune n care tensiunea rmne practic constant la variaii apreciabile
ale curentului. Domeniul tensiunilor de lucru al diodelor Zener este de 3300V.
Denumirea de diod zener este de fapt improprie pentru c efectul Zener explic
numai funcionarea diodelor cu tensiuni de stabilizare pn la aproximativ 5V. La tensiuni
2

Z
i
Z
u
mai mari de stabilizare, funcionarea diodelor se bazeaz pe efectul de multiplicare n
avalan.
2. Parametrii diodei zener (DZ)
Caracteristica static a diodei n zona de strpungere, cu unele detalii utile pentru
definirea parametrilor diodei, este schiat n figura 4. Parametrii diodei zener sunt:
1. Tensiunea de stabilizare este cel mai important parametru al diodei stabilizatoare.
n datele de catalog tensiunea U
Z
(sau U
ZT
) este specificat la curentul de test I
ZT
i la
temperatura ambiant de referin T
0
(de obicei 25C).
2. Rezistena diferenial (sau dinamic) r
Z
indic variaia tensiunii de stabilizare n
funcie de variaia curentului (variaii determinate la curentul I
ZT
):
T Z
I
Z
Z
Z
i d
u d
r
.
Aceast rezisten are o valoare mic, uzual de ordinul ohmilor (cu variaii de la
fraciuni de ohm pn la sute de ohmi n funcie de tipul diodei i de curentul care circul prin
diod). Din punct de vedere grafic, r
Z
este inversul pantei tangentei la caracteristica static.
ntruct caracteristica static este neliniar, rezistena diferenial va depinde de
curentul prin diod. La creterea curentului, r
Z
scade conform unor curbe date n cataloage.
Caracteristica liniarizat a diodei este trasat cu linia punctat tangent la curba din
figura 4, iar rezistena dinamic se poate calcula din panta acestei drepte:
I U r
Z
.
Fig. 4. Caracteristica static
3. Curentul maxim de stabilizare I
ZM
este impus de regimul termic staionar al diodei
zener, astfel nct temperatura diodei s fie mai mic dect temperatura maxim admisibil.
Valoarea lui I
ZM
corespunde puterii maxime care poate fi disipat de diod, P
Dadm
(specificat la T
0
=25C):
Z adm D ZM
U P I
.
Puterea disipat admisibil P
Dadm
are valori uzuale de 0,550W.
3
i
A
u
A 0
U
Z0
U
Z
U
Zm
I
U
I
Zm
I
ZT
4. Curentul minim de stabilizare I
Zm
este curentul la care dioda zener nc mai
funcioneaz n regim de stabilizare. Acest curent depinde de aplicaia concret prin valoarea
maxim admis pentru rezistena diferenial. O prim estimare poate fi: I
Zm
=(0,05
0,1)I
ZM
.
Dioda zener este folosit ca element de referin n stabilizatoarele de tensiune sau ca
element activ n stabilizatoarele parametrice.
Alte aplicaii ale diodelor zener sunt limitatoarele de tensiune i circuitele de deplasare de
nivel.
3.Stabilizatorul de tensiune parametric aplicaie a diodei zener
Stabilizatorul de tensiune este circuitul care menine ct mai constant tensiunea la
ieire n raport cu variaia tensiunii la intrare, a curentului de ieire i a temperaturii.
Stabilizatorul de tensiune parametric const dintr-o rezisten conectat n serie i o
diod zener conectat n paralel cu sarcina, conform figurii 5a. Denumirea acestuia provine de
la faptul c valoarea tensiunii stabilizate depinde direct de parametrii diodei zener. Rezistena
din circuit se mai numete rezisten de balast deoarece preia surplusul de tensiune dintre
intrare i ieire.
Fig. 5. Stabilizatorul parametric - schema de principiu
Se pot scrie urmtoarele ecuaii pentru circuit:
0 Z R
i i i +
,
R Z I
u u u + ,
Z I R
u u u ,
unde: indicii R se refer la rezistena R, indicii Z se refer la dioda zener, indicii O se
refer la ieirea stabilizatorului, indicii I se refer la intrarea stabilizatorului.
Cu aceste relaii se poate explica funcionarea stabilizatorului la variaia diferiilor
parametri. Astfel: dac presupunem tensiunea de intrare constant u
I
, cunoscnd deja ca
tensiunea pe dioda zener este constant u
Z
, din relaia referitoare la tensiuni rezult ca i
cderea de tensiune pe rezistena R, u
R
rmne constant. ntruct valoarea rezistenei R nu se
modific, nseamn c i curentul prin rezisten i
R
rmne constant (i
R
= u
R
/R).
Cu aceste consideraii, dac n stabilizator variaz curentul de sarcin, i
O
crete de
exemplu, ntruct aa cum am artat mai sus curentul i
R
este constant, nseamn c va scdea
i
z
, conform relaiilor precedente. Variaiile curentului i
Z
prin dioda zener sunt preluate de
acestea, meninnd la bornele ei o tensiune constant, u
Z
= u
O
= constant.
Presupunnd acum c rezistena de sarcin (consumatorul) nu se modific i variaz
tensiunea de intrare avem urmtoarea situaie. Presupunem de exemplu ca tensiunea de intrare
u
i
crete, atunci conform relaiei
R Z I
u u u + ntruct u
Z
este constant, va crete i u
R
.
Din relaia i
R
= u
R
/R, nseamn c va crete i i
R,
deoarece R nu variaz. Din relaia
0 Z R
i i i +
nseamn c va crete i i
Z
, ntruct am presupus ca nu se modific consumatorul, adic i
O
.
4
Z
u
R
R
L
+
I
u
R
i
O
i
Z i
O
u
Z i
I
u
Z U
+ O
u
O
i
R
i R
Variaiile de curent prin dioda zener vor fi preluate de aceasta, meninnd la borne tensiunea
constant, adic u
Z
= u
O
= constant, ceea ce se urmrete defapt prin introducerea
stabilizatoarelor n circuite.
4. Limitator de tensiune bilateral cu DZ
Diodele zener pot fi utilizate n aplicaii de curent alternativ pentru a fixa niveluri
limit de tensiune care nu trebuie depite. Stabilizatorul de tensiune (fr sarcin) poate fi
privit ca un limitator de tensiune care limiteaz alternana pozitiv la tensiunea de stabilizare
U
Z
i alternana negativ la tensiunea unei diode polarizate direct U
D
.
Un limitator specific diodelor zener este obinut prin conectarea n opoziie a dou
diode zener n serie, cu anozii (sau catozii) comuni, ca n figura 6.
Circuitul limiteaz ambele vrfuri ale semnalului cu U
O+
=U
Z1
+ U
D
i U
O
= U
Z2
U
D
, ca
n figura 7.
Fig. 6. Limitatorul bilateral de tensiune realizat cu dou diode zener (conectate n opoziie).
Fig. 7. Efectul de limitare cu doua diode zener conectate n opoziie
Tensiunea de ieire depinde de starea diodelor care pot fi: blocate cu i
A
0, n
conducie direct cu u
A
U
D
sau n strpungere cu u
A
U
Z
. Astfel:

'


+ < <
+ +
U U u dac U U u
U U u U U dac u u
U U u dac U U u
D 2 Z I D 2 Z O
D 1 Z I D 2 Z I O
D 1 Z I D 1 Z O
.
Rezistorul R preia diferena de tensiune dintre intrare i ieire atunci cnd diodele conduc.
Dac tensiunea este ntre valorile limit, cderea de tensiune pe R este nul deoarece
diodele sunt blocate i circuitul lucreaz n gol:
5

1
D
2
D
R
O
u
R
i
I
u
O
i
= 0
Z
i
t
u
u
i
u
O
U
O+
0
U
O
u
I
p
p+
Difuzia de emitor
I R I R I O O Z R
u i R u u u u 0 0 0 i i i + +
.
Tranzistoarele i aplicaiile lor
Denumirea tranzistor provine de la cuvntul englez TRANsfer reSISTOR i semnific
proprietatea tranzistorului de a transfera purttorii de sarcin de la un circuit cu rezisten
mic( jonciunea emitorului) la un circuit cu rezisten mare ( jonciunea colectorului).
Exist 2 tipuri fundamentale de tranzistoare n funcie de tipul de purttori ce
contribuie la funcionarea lor:
- tranzistoare bipolare la care conducia este asigurat att de purttori majoritari
de sarcin ct i purttori minoritari de sarcin;
- tranzistoare cu efect de cmp ( TEC) la care conducia este asigurat numai de
purttori majoritari de sarcin
1. 1. Tranzistorul bipolar Elemente fundamentale
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic format dintr-un monocristal
semiconductor n care s-a realizat prin impurificare o succesiune de 3 regiuni distincte p-n-p
sau n-p-n i care satisfac urmtoarele condiii:
- regiunea de mijloc, numit baz, are o lime mic (fraciuni de microni pn la
civa m) fa de lungimea de difuzie a purttorilor minoritari care o parcurg,
- una din regiunile extreme, numit emitor, are un grad de impurificare mult mai mare
dect baza. Cea de-a treia regiune a tranzistorului se numete colector.
Apar astfel 2 jonciuni: jonciunea emitorului ( ntre emitor i baz) i jonciunea
colectorului ( ntre baz i colector), figura 8. Simbolurile tranzistoarelor sunt prezentate n
figura 9.
Fig. 8. Jonciunile tranzistorului bipolar pnp

a. tranzistor pnp b. tranzistor npn
Fig. 9. Simbolurile Tranzistorului bipolar
Regimurile de funcionare ale tranzistorului rezult funcie de modul cum sunt polarizate
jonciunile acestuia. Cazurile posibile sunt prezentate n tabelul 1. Funcionarea n regim activ
6
b ) n p n a ) p n p
C
B
i
B
i
C
i
B
E
E
i
B
C
E
E
i
C
i
E B
u
B E
u
p
p+
Difuzia de emitor
b ) n p n a ) p n p
C
B
i
B
i
C
i
B
E
E
i
B
C
E
E
i
C
i
E B
u
B E
u
normal (prescurtat RAN) este ntlnit n cazul aplicaiilor liniare. La regimul activ inversat
colectorul i emitorul i inverseaz rolurile, acest regim este ntlnit foarte rar.
Tabelul 1
Polarizarea jonciunii: Regimul de
E-B C-B funcionare
Direct Invers Activ normal
Invers Direct Activ inversat
Direct Direct Saturaie
Invers Invers Blocare
Funcionarea n saturaie poate fi aproximat de un comutator nchis (
0 U
CE

), iar
funcionarea n regim de blocare cu un comutator deschis (
0 I
C

). Tranzistorul se utilizeaz
n aceste dou ultime regimuri la aplicaiile din electronica digital i la circuitele de
comutaie.
Tranzistorul se poate conecta n circuit cu unul dintre terminale la mas. Se disting
astfel trei conexiuni posibile (exemplificate pentru cazul TB de tip pnp n figura 10): cu
emitorul comun (EC, cu intrarea n baz i ieirea n colector, cea mai des utilizat
conexiune), cu colectorul comun (CC) i cu baza comun (BC).
( < 0 )
( < 0 )
B C a ) E C b ) C C c )
E
i
E B
u
C
- i
C B
u
B E
u
B
- i
C E
u
C
- i
B C
u
E
i
E C
u
B
- i
a. conexiune BC b. conexiune EC c. conexiune CC
Fig. 10. Conexiunile pentru tranzistorul bipolar de tip pnp.
Prin convenie, la cuadripoli, se consider sensul curenilor de intrare n terminale i
tensiunile ntre terminale i mas. Masa este terminalul comun intrrii i ieirii.
n figura 11 se prezint o seciune printr-un tranzistor bipolar realizat prin dubl
difuzie. Aceast tehnologie de realizarea a tranzistoarelor permite realizarea simultan a unui
numr mare de tranzistoare pe o plachet de siliciu. O tehnologie asemntoare este utilizat
i pentru realizarea circuitelor integrate bipolare.
Fig. 11. Seciune printr-un tranzistor pnp realizat prin dubl difuzie
7
p+
p
p+
n
B E
C
Izolri
SiO
2
Metalizri
Tranzistorul intern Strat epitaxial
Substrat
Difuzia de emitor
Difuzia de baz
Tranzistorul este realizat pornind de la o pastil de siliciu de tip p cu conductivitate
ridicat (foarte puternic dopat cu impuriti, notat cu p+) a crei grosime este de cteva
zecimi de mm. Conductivitatea este ridicat pentru a reduce rezistena serie a colectorului.
Pe acest substrat se crete un strat epitaxial, cu grosime de civa microni, a crui
concentraie de impuriti este mult mai redus dect a substratului.
n acest strat epitaxial se realizeaz dou difuzii succesive: prima este difuzia de baz
prin care se obine un semiconductor de tip n slab dopat, iar cea de-a doua este difuzia de
emitor prin care se obine o regiune de tip p puternic dopat (p+).
Se depune apoi un strat de oxid de siliciu izolator care se corodeaz n zonele ferestrelor
de contact. n aceste zone se depun metalizrile prin care se conecteaz tranzistorul la
circuitul extern prin terminalele sale, emitor, baz, colector.
1. Funcionarea tranzistorului n regim activ normal (RAN)
O seciune transversal prin tranzistorul intern, figurat n seciune n cursul anterior,
este reprezentat n figura 12. Seciunea este rotit cu emitorul n stnga. n structura
tranzistorului se formeaz dou jonciuni pn: jonciunea emitorului (Je, ntre E i B) i
jonciunea colectorului (Jc, ntre C i B).
i
B
U
EB
i
C
i
E
+ - - +
(zecimi V) (V, zeci V)
p+ n
p
Ei Ei
Ee Ee
i
pC
i
pR
i
pE
i
nBE
I
CB0
W
B
W
B0
U
CB
Je Jc
Fig. 12. Seciune prin tranzistorul intern.
Sursele U
EB
i U
CB
polarizeaz Je respectiv Jc astfel nct tranzistorul pnp funcioneaz
n RAN. n figur se indic cmpurile electrice (interne - E
i
i externe - E
e
) din jonciuni i
curenii care circul prin tranzistor. W
B0
reprezint grosimea metalurgic i W
B
grosimea
efectiv a bazei; W
B
<W
B0
datorit regiunilor golite de purttori ale jonciunilor (haurate).
Considernd emitorul n gol, deci cu sursa de alimentare U
EB
deconectat, prin
jonciunea colectorului polarizat invers va circula curentul invers al jonciunii respective,
notat cu I
CB0
(curentul dintre colector i baz cu emitorul n gol). Acesta este curentul
purttorilor minoritari datorat cmpului electric din jonciunea colectorului Jc, ca la orice
jonciune polarizat invers.
Prin jonciunea emitorului polarizat direct (datorit sursei U
EB
) apare curentul de
difuzie al purttorilor majoritari (goluri din emitor i electroni din baz). Acest curent depinde
exponenial de tensiunea U
EB
. Jonciunea emitorului fiind asimetric, cu emitorul mult mai
8
puternic dopat dect baza, curentul va fi datorat n principal golurilor care difuzeaz din
emitor n baz (i
p
E
) i ntr-o msur mult mai mic electronilor care trec din baz n emitor
(i
n
BE
).
Golurile sunt purttori minoritari n baz. Concentraia golurilor n vecintatea
emitorului este mare (deoarece golurile sosesc dinspre emitor) i aceste goluri vor difuza spre
regiunile de concentraie mai redus, adic spre colector. Golurile care ajung n regiunea de
sarcin spaial a colectorului sunt antrenate de cmpul electric din Jc.
Datorit grosimii mici a bazei (fa de lungimea de difuzie a purttorilor minoritari),
recombinarea n baz este redus, astfel nct aproape toate golurile (emise de emitor) trec
prin baz i sunt captate (colectate) de colector.
innd seama de explicaiile precedente i de figura 1, curenii prin tranzistor sunt:

'

,
_

+
+
+
pR
i
pC
i
pE
i
1
T
U
CB
u
exp
0 CB
I
pC
i
0 CB
I
pC
i
C
i
nBE
i
pE
i
E
i
Ce-a de-a doua relaie este valabil pentru funcionare n RAN (Jc polarizat invers), iar
partea a doua a acestei relaii (ncadrat ntre paranteze ascuite) este valabil indiferent de
polarizarea Jc. Se noteaz:
N E tB
E
i
pE
i
pE
i
pC
i
E
i
pC
i

,
0,998 ... 98 , 0
N

unde:
pE pC tB
i i
este factorul de transport n baz,
E pE E
i i
este eficiena emitorului, iar
E pC N
i i
este factorul normal de amplificare n curent n conexiunea baz comun
(BC). Valoarea practic unitar a acestui factor de amplificare arat c aproape tot
curentul din emitor ajunge n colector.
Pentru dioda EB polarizat direct se pot scrie relaiile care definesc funcionarea
tranzistorului:

'

,
_


I i i
1
U
u
exp I i
0 CB E N C
T
EB
E 0 E
,
unde I
0E
este curentul invers de saturaie al jonciunii emitorului (valoare teoretic de ordinul
fraciunilor de picoamper).
2. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
9
I
B
[A]
U
CE
= 0,1V
U
CE
= 1V
5
0
5
I
C
[mA]
I
B
= 50A
I
B
= 40A
I
B
= 30A
I
B
= 20A
I
B
=10A
U
CE
[V]
I
C
[mA]
I
B
[A]
U
BE
[V]
U
CE
=10V
U
CE
=0,1V
Caracteristicile statice ale tranzistorului exprim legtura dintre tensiunile aplicate i
curenii care circul prin tranzistor n regim static (n cc).
Trasarea caracteristicilor statice se face experimental, prin conectarea tranzistorului
ntr-un circuit care permite msurarea tensiunilor i curenilor. Tranzistorul, considerat ca
fiind o "cutie neagr", adic un obiect la care prezint interes comportarea la borne, poate fi
ncadrat n categoria cuadripolilor.
Cuadripolii sunt circuite cu 4 borne de acces, grupate n dou pori denumite intrare i
ieire. Prin poart se nelege o pereche de borne la care suma algebric a curenilor este nul.
Mrimile electrice de la bornele de intrare, respectiv ieire sunt marcate n figura 13.a cu
indicii "I", respectiv "O".
Fig. 13. TB privit ca un cuadripol; a. schema bloc a unui cuadripol, b. TB tip npn n
conexiunea EC
O familie de caracteristici statice reprezint relaia (grafic) dintre 3 mrimi: una n
abscis, una n ordonat i cealalt considerat ca parametru. La cuadripoli se utilizeaz 3
familii de caracteristici:
- de ieire:
) u ( f i
O O

cu I
I
parametru, adic i
I

=constant pentru fiecare curb, (sau cu U
I
parametru),
- de intrare:
) u ( f i
I I

cu U
O
parametru,
- de transfer:
) i ( f i
I O

cu U
O
parametru.
Pentru a putea considera TB ca un cuadripol este necesar ca un terminal s fie comun
intrrii i ieirii cuadripolului. Acest terminal reprezint masa electric a montajului i va fi
considerat referin de potenial, adic tensiunile din circuit se exprim implicit fa de mas.
Dup cum s-a artat n paragraful referitor la modurile de conectare ale tranzistorului,
terminalul conectat la mas determin conexiunea tranzistorului. n cazul conexiunii emitor
comun (EC) intrarea este ntre baz i emitor, iar ieirea ntre colector i emitor conform
figurii 13.b.
Pentru trasarea caracteristicilor statice, schema simplificat din figura 13.b este
completat cu surse de alimentare reglabile i aparate de msur. La tranzistorul de tip npn,
caracteristicile statice (obinute prin simularea circuitului realizat cu un tranzistor de tip
2N2222) sunt prezentate n figurile 14 i 15. n planul caracteristicilor de ieire s-a trasat cu
linie punctat i curba U
CE

=U
BE
, care delimiteaz RAN (zona cu U
CE

>U
BE
) de saturaie.
10
I
B
[A]
U
CE
= 0,1V
U
CE
= 1V
5
0
5
I
C
[mA]
I
B
= 50A
I
B
= 40A
I
B
= 30A
I
B
= 20A
I
B
=10A
U
CE
[V]
I
C
[mA]
I
B
[A]
U
BE
[V]
U
CE
=10V
U
CE
=0,1V
b )
a )
I N
O U T
B E
u
C E
u
B
i
C
i
I
u
O
u
I
i
O
i
Fig. 14. Caracteristici de intrare, tranzistor npn, conexiunea EC.
Fig. 15. Caracteristici TB npn, conexiunea EC: a) de ieire, b) de transfer.
11
I
B
[A]
U
CE
= 0,1V
U
CE
= 1V
U
CE
=10V
50
10
5
0
10
5
0 2 4 6
I
C
[mA]
I
B
= 50A
I
B
= 40A
I
B
= 30A
I
B
= 20A
I
B
=10A
U
CE
[V]
U
CE
=U
BE
I
C
[mA]
20
40
0,8
0,4
I
B
[A]
0
U
BE
[V]
U
CE
=10V
U
CE
=0,1V