MINISTERUL EDUCAIEI AL REPUBLICII MOLDOVA

UNIVERSITATEA TEHNIC A MOLDOVEI

FACULTATEA:RADIOELECTRONIC I TELECOMUNICAII

CATEDRA:SISTEME OPTOELECTRONICE

LUCRAREA DE LABORATOR NR.1

LA DISCIPLINA:
DISPOZITIVE ELECTRONICE

TEMA: Studiul diodelor semiconductoare i a schemelor n baza lor

A efectuat: studentul grupei SOE-102 Prna Radu

A verificat: lector universitar d-nul Grico Roman

CHIINU 2011
 Scopul lucrrii: Familiarizarea cu metodele de ridicare a caracteristicilor volt-
amperice(CVA) pentru diverse diode semicoductoare , ridicarea parametrilor de baz a diodelor
i schemelor cu utilizarea lor.
Aparate i materiale: Generator funcional, multimetru, osciloscop surs de tensiune
curent continuu, rezistoare, diod semiconductoare.

Mersul lucrrii:

Lansai programul emulator ELECTRONICS WORKBENCH.

Experiena 1. Msurarea tensiunii i calcularea curentului care circula

prin diod la polarizare direct i indirect.

Construii figura 1

Figura 1. Polarizarea direct o diodei semiconductoare.

Tastai pentru ca prin circuit s curg curentul.

Msurm tensiunea la polarizare direct Udir, i calculm conform relaiei 1.1 curentul la
polarizare direct.
E U dir
I dir (1.1)
R
E U dir 14 0,7393
I dir 0,088404 A
R 150
 Tensiunea la polarizare direct este Udir= 739,3mV curentul este Idir= 0,088404 A
Construii figura 2

Figura 2. Polarizarea indirect o diodei semiconductoare.

Tastai pentru ca prin circuit s curg curentul.

Msurm tensiunea la polarizare indirect Uind, i calculm conform relaiei 1.2 curentul la
polarizare indirect.
E U ind
I ind (1.2)
R
E U ind 14 14
I ind 0A
R 150
Tensiunea la polarizare indirect este Uind= 14V curentul este Iind=0 A

Experiena 2. Msurarea curentului care circula prin diod la polarizare

direct i indirect.

Construii figura 3

Figura 3. Polarizarea direct o diodei semiconductoare.

Tastai pentru ca prin circuit s curg curentul.

Msuram curentul la polarizare direct Idir= 88,40mA.
 Construii figura 4

Figura 4. Polarizarea indirect o diodei semiconductoare.

Tastai pentru ca prin circuit s curg curentul.

Msuram curentul la polarizare indirect Iind=0 .

Experiena 3. Msurarea rezistenei statice a diodei la polarizare direct

i indirect.

Construii figura 5

Figura 5. Polarizarea direct o diodei semiconductoare.

Tastai pentru ca prin circuit s curg curentul.

Msuram rezistena static a diodei la polarizare direct Rst dir=73,93 MOhm .

Construii figura 6

Figura 6. Polarizarea indirect o diodei semiconductoare.

Tastai pentru ca prin circuit s curg curentul.

Msuram rezistena static a diodei la polarizare indirect Rst ind = .
 Experiena 4. Msurarea tensiunii i curentului la polarizare direct i
indirect pentru trasarea CVA a diodei .

Construii figura 7

Figura 7. Polarizarea direct o diodei semiconductoare.

Tastai pentru ca prin circuit s curg curentul.

Valorile tensiunii de intrare le lum din tabelul 1.1 prezentat mai jos i tot n el
ntroducem datele msurate experimental.

Tabelul 1.1 Datele msurate pentru ramura direct a CVA

E,V Udir , mV Idir , mA
0 0,000 -0,000
0,5 0,4182 0,5455
1 3,149 527,6
1,5 6,200 570,0
2 9,361 595,9
2,5 12,57 614,4
3 15,81 628,8
3,5 19,06 640,6
4 22,33 650,6
4,5 25,60 659,3
5 28,89 667,0

Construii figura 8

Figura 8. Polarizarea indirect o diodei semiconductoare.

Tastai pentru ca prin circuit s curg curentul.

Valorile tensiunii de intrare le lum din tabelul 1.2 prezentat mai jos i tot n el
ntroducem datele msurate experimental.
Tabelul 1.2 Datele msurate pentru ramura indirect a CVA
E,V Uind , V Iind , A
0 0,000 0,000
5 4,999 5,669
10 10,00 10,67
15 15,00 15,67
20 20,00 20,67
25 25,00 25,66
30 30,00 30,66
35 34,99 35,66
40 49,99 40,66

Conform datelor obinute experimental construim CVA a diodei analizate innd cont de
faptul c ramura direct a CVA este n cadranul I a sistemului de coordonate , iar ramura
indirect n cadranul III.

Experiena 5.Obinerea CVA a diodei pe ecranul osciloscopului.

Construii figura 9

Figura 9. Instalaia experimental de ridicare a CVA de pe ecranul osciloscopului.

Tastai pentru ca prin circuit s curg curentul.

Salvai n lucrare caracteristica obinut pe ecranul osciloscopului i masurai tensiunea
de curbur Ucurb=746,55 mV.
 Figura 10. Caracteristica pe ecranul osciloscopului.

Concluzie :
n lucrarea dat am studiat diodele semiconductoare,fenomenele polarizrii directe a
joniunii pn i a polarizrii inverse a joniuniii pn , unde:
La polarizarea invers a joniunii pn:
- trecerea curentului este stopat;
- conectarea are loc in felul urmtor: - la regiunea p i + la regiunea n ;
- tensiunea de polarizare trebuie s fie mai mic dect tensiunea de strpungere;
- purttorii minoritari formeaz un mic curent invers;
- purttorii majoritari se deplaseaz n sensul ndeprtrii de jonciunea pn, ntr-un scurt interval
de regim tranzitoriu;
- regiunea de sarcin spaial crete n lime.
La polarizarea direct a joniunii pn:
- are loc trecerea curentului electric ;
- conectarea are loc in felul urmtor: + la regiunea p i - la regiunea n ;
- tensiunea de polarizare trebuie s fie mai mare dect potenialul barierei;
- purttorii majoritari formeaz curentul direct;
- purttorii majoritari se deplaseaz ctre jonciunea pn;
- regiunea de sarcin spaial se ngusteaz;
Datorit caracteristicii osciloscopului am determinat tensiunea de curbur.
 ntrebri de control.

1. Dai noiunea de semiconductor?

2. De explicat procesul electroconductibilitii golurilor i electronilor?
3. Dai definiia timpului de via a purttorilor de sarcin?
4. Ce reprezint junciunea p-n?
5. Cte modificaii de jonciuni p-n cunoatei?
6. Dai definiia proceselor de injecie i extracie ale purttorilor de de sarcin?
7. Explicai procedura de polarizare direct a jonciunii p-n?
8. Explicai procedura de polarizare indirect a jonciunii p-n?
9. Scriei ecuaia static a caracteristicii volt-amperice pentru dioda ideal?
10. Cum sa lum n considerare procesele generare-recombinare n volumul sarcinii spaiale?
11. Cum depinde curentul indirect al junciunii p-n de temperatur? Explicai aceast
dependen.
12. Explicai diferena dintre CVA ideal i cea real pentru diodele semiconductoare?
13. Cte mecanisme de spargere(strpungere) a junciunii p-n cunoatei? Explicai sensul
fizic al spargerii electrice i termice.
14. Cum alegem punctul de funcionare al diodei semiconductoare n circuitele electronice?
15. Trasarea dreptei de sarcin pentru dioda semiconductoare.

Datele iniiale pentru efectuarea lucrrii de laborator conform variantelor

Var R, E,V Tipul Diodei

1 75 8 D1N4003GP
2 125 16 D1N4001GP
3 100 10 D1N4004GP
4 150 14 D1N4002GP
5 175 12 D1N4005GP
6 100 10 D1N4007GP
7 125 8 D1N4006GP
8 75 16 D1N4001GP
9 175 12 D1N4004GP
10 150 14 D1N4002GP
11 75 16 D1N4006GP
12 125 10 D1N4007GP
13 150 12 D1N4003GP
14 175 8 D1N4005GP
15 100 14 D1N4001GP
16 125 16 D1N4003GP
17 75 10 D1N4002GP