Universitatea Tehnică a Moldovei

Facultatea „Electronică și telecomunicații

Departamentul „Telecomunicații și sisteme electronice”

Lucrare individuală

la disciplina ”Dispozitive electronice”

Varianta: 14

Conducător ştiinţific: Grițco Roman

Student: Malanciuc Roman Grupa: RST-221

Chişinău - 2023

Lucrarea de laborator nr. 1

 Tema: Studiul diodelor semiconductoare şi a schemelor în baza lor.
Scopul lucrării: Familiarizarea cu metodele de ridicare a caracteristicilor volt-
amperice(CVA) pentru diverse diode semicoductoare , ridicarea parametrilor de bază a diodelor
şi schemelor cu utilizarea lor.
Aparate şi materiale: Generator funcţional, multimetru, osciloscop sursă de tensiune
curent continuu, rezistoare, diodă semiconductoare.

Mersul lucrării:

Lansaţi programul emulator ELECTRONICS WORKBENCH.

Experienţa 1. Măsurarea tensiunii şi calcularea curentului care circula

prin diodă la polarizare directă şi indirectă.

Construiţi figura 1

Figura 1. Polarizarea directă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

 Măsurăm tensiunea la polarizare directă Udir, şi calculăm conform relaţiei 1.1 curentul la
polarizare directă.

(1.1)
Tensiunea la polarizare directă este Udir= 771mV curentul este Idir= 0,088 A
Construiţi figura 2

Figura 2. Polarizarea indirectă a diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Măsurăm tensiunea la polarizare indirectă Uind, şi calculăm conform relaţiei 1.2 curentul la
polarizare indirectă.

(1.2)
Tensiunea la polarizare indirectă este Uind= 14 V curentul este Iind= 0

Experienţa 2. Măsurarea curentului care circula prin diodă la polarizare

directă şi indirectă.

Construiţi figura 3

Figura 3. Polarizarea directă a diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Măsuram curentul la polarizare directă Idir=88.19 mA
 Construiţi figura 4

Figura 4. Polarizarea indirectă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Măsuram curentul la polarizare indirectă Iind= 0

Experienţa 3. Măsurarea rezistenţei statice a diodei la polarizare directă

şi indirectă.

Construiţi figura 5

Figura 5. Polarizarea directă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Măsuram rezistenţa statică a diodei la polarizare directă Rst dir= 77.10MΩ

Construiţi figura 6

Figura 6.
Polarizarea
indirectă a diodei
semiconductoare.

Tastaţi
pentru ca prin
circuit să curgă
curentul.
 Măsuram rezistenţa statică a diodei la polarizare indirectă Rst ind =.

Experienţa 4. Măsurarea tensiunii şi curentului la polarizare directă şi

indirectă pentru trasarea CVA a diodei .

Construiţi figura 7

Figura 7. Polarizarea directă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Valorile tensiunii de intrare le luăm din tabelul 1.1 prezentat mai jos şi tot în el
întroducem datele măsurate experimental.

Tabelul 1.1 Datele măsurate pentru ramura directă a CVA

E,V Udir , mV Idir , mA
0 0 0
0,5 499.6 2.166
1 675.1 2.944
1,5 698.1 5.344
2 710.7 8.595
2,5 719.1 11.87
3 725.4 15.16
3,5 730.5 18.46
4 734.8 21.77
4,5 738.4 25.08
5 741.6 28.09

Construiţi figura 8

Figura 8. Polarizarea indirectă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.
Valorile tensiunii de intrare le luăm din tabelul 1.2 prezentat mai jos şi tot în el întroducem
datele măsurate experimental.

Tabelul 1.2 Datele măsurate pentru ramura indirectă a CVA

E,V Uind , V Iind , mA
0 0 0
5 4.999 0.004999
10 10.00 0.01
15 15.00 0.015
20 20.00 0.02
25 24.99 0.025
30 30.00 0.03
35 34.99 0.0349
40 39.99 0.0399

Experienţa 5.Obţinerea CVA a diodei pe ecranul osciloscopului.

Construiţi figura 9
 Figura 9. Instalaţia experimentală de ridicare a CVA de pe ecranul osciloscopului.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Salvaţi în lucrare caracteristica obţinută pe ecranul osciloscopului şi masuraţi tensiunea
de curbură Ucurb= 146.54mV

Figura 10. Caracteristica pe ecranul osciloscopului.

Concluzie : In concluzie în urma studierii diodelor semiconductoare și a schemelor în

baza lor, privind studiul diodelor semiconductoare și a schemelor bazate pe acestea a fost un
succes în atingerea obiectivelor stabilite. Scopul lucrării, care consta în familiarizarea cu
metodele de ridicare a caracteristicilor volt-amperice pentru diverse diode semiconductoare și în
ridicarea parametrilor de bază a diodelor și schemelor cu utilizarea lor.
În cadrul laboratorului, am învățat cum să măsorcaracteristicile volt-amperice ale diodelor
semiconductoare, cum să calculez parametrii de bază ai acestora și cum să construiesc și să
analizez scheme folosind diodele semiconductoare.

Întrebări de control.
1.Daţi noţiunea de semiconductor?
2. De explicat procesul electroconductibilităţii golurilor şi electronilor?
3. Daţi definiţia timpului de viaţă a purtătorilor de sarcină?
4. Ce reprezintă juncţiunea p-n?
5. Cîte modificaţii de joncţiuni p-n cunoaşteţi?
6. Daţi definiţia proceselor de injecţie şi extracţie ale purtătorilor de de sarcină?
7. Explicaţi procedura de polarizare directă a joncţiunii p-n?
8. Explicaţi procedura de polarizare indirectă a joncţiunii p-n?
9. Scrieţi ecuaţia statică a caracteristicii volt-amperice pentru dioda ideală?
10. Cum sa luăm în considerare procesele generare-recombinare în volumul sarcinii spaţiale?
11. Cum depinde curentul indirect al juncţiunii p-n de temperatură? Explicaţi această dependenţă.
12. Explicaţi diferenţa dintre CVA ideală şi cea reală pentru diodele semiconductoare?
13. Cîte mecanisme de spargere(străpungere) a juncţiunii p-n cunoaşteţi? Explicaţi sensul fizic al
spargerii electrice şi termice.
14. Cum alegem punctul de funcţionare al diodei semiconductoare în circuitele electronice?
15. Trasarea dreptei de sarcină pentru dioda semiconductoare.