Universitatea Tehnic a Moldovei

Facultatea Calculatoare Informatic i Microelectronic

Catedra de Microelectronic si Inginerie Biomedical

Raport
Lucrare de Laborator Nr.4.
Disciplina: Electronica
Tema: Studierea caracteristicilor i a parametrilor diodei
semiconductoare

A efectuat:

st. gr C-151 Cervac Petru

Verificat:

lect. asistent Ababii N.

Chiinu 2016
Scopul Lucrrii :

n aceast lucrare se face cunotin cu principiile de funcionare,caracteristicile i parametrii

diodelor redresoare,diodelor Zener i ale diodelor luminiscente (LED).Se culeg datele i se
construiesc caracteristicile voltamperice.Se determin parametrii fundamentali ai dispozitivelor
resprective.
Noiuni teoretice generale:
Caracteristica voltamperica a diodei redresoare este descris de legea Ebers-Moll:
qU

I =I 0( e kT 1)
I 0 -curentul rezidual (termic de saturaie).

Unde:

q- sarcina electronului.

k-constanta lui Boltzman.

T-temperatura absolut.

U-tensiunea aplicat.

La polarizarea direct ecuaia obine forma:

I =I 0 e
Unde T =

kT
q

U
T

coeficientul termic egal cu ~26mV la T=300K.

La polarizari inverse ,cnd tensiunea aplicat este cu semnul minus(-U) ecuaia se transform n:
I =I 0
Desfaurarea lucrrii:
1.Se face cunotin cu schema electric de pe machet i cu aparatura de msurat.
2. Pentru ridicarea ramurei de polarizare direct

I dir =f (U dir ) .

- se asambleaz schema din Figura 1.3 i se instaleaz gamele de msurare a aparatelor conform
datelor din ndrumar prentru dioda respectiv.Poteniometrul R se instaleaz n poziia extrem
pre stnga.Cu ajutorul comutatorului SA se alege dioda respectiv.Se conecteaz sursa
electric.Cu poteniometrul R se regleaz lent tensiuna pre diod,instalndu-se intensitatea
curentului I dir i msurndu-se tensiunea U dir .Datele obinute se introduc n tabelul 1.1

Fig. 1.3. Schema electric pentru trasarea experimental a caracteristicii volt-amperice la

polarizare direct a diodelor semiconductoare.
Dependena curentului de tensiune la polarizare direct.
U dir ,V
I dir
mA

VD1

U dir ,V

0.05

0.10

0.15

0.20

0.25

0.30

0.35

0.4

0.45

1,5

28

91

0.10

0.30

0.50

0.60

0.65

0.70

0.75

0.8

0.83

25,5

126,7

I dir

VD2

7,2

46,7

116,3

mA

VD3

0,7

4,5

0.5

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.6

1.7

1,8

0,1

0,4

2,6

24

U dir ,V
I dir
mA
24

VD4

Dup scoaterea datelor pentru dioda respectiv potentiometrul R se aduce la starea

iniial.Msurarile se vor repeta pentru celelalte diode conform Fig.1.3.
3. Pentru ridicarea ramurei de polarizare invers

I inv =f (U inv )

- se chimb polaritatea

tensiunei aplicate la intrarea schemei dupa cum este aratat in Fig.1.4.

Gamele de masurare ale aparatelor se instaleaza cu SA 1.1 i SA 1.2 inind cont de valoarea
curentului invers,mai ales pentru dioda Zener .Msurrile se efectuiaza similar ca in punctul 2.
Petru dioda Zener(stabilitron) se recomand de a prescrie valoarea curentului invers i de a
msura tensiunea. Datele se introduc in tabelul 1.2.

Fig.1.4 Schema electric pentru trasarea experimental a caracteristicii volt-amperice la

polarizarea invers a diodelor semiconductoare.

Tabelul 1.2
Dependea curentului de tensiune la polarizarea inversa a diodei
0

10

30

50

100

15
0

200

VD1

VD2

U inv , V
I
mA

Tabelul 1.3
I z , mA

0,3

10

15

20

25

30

35

U z ,V

7,3
2

7,5
3

7,9
3

8,3
1

8,6
3

8,9
1

9,2

9,51

9,7
8

4. Se trazeaz caracteristicile volt-amperice pentru fiecare dioda separata.Este oportun ca scara

pentru tensiunele directe i cele inverse precum i pentru I dir i I inv s fie diferite.
V C 1 0, 1V

dioda VD1 este din Ge;

V C 2 0, 6 V

dioda VD2 este din Si;

V C 3 0,7 V

dioda VD3 este din Si;

V C 4 1.75V

diada VD4 este din GaAs;

5. Din caracteristicile obinute se determin parametrii de baz ai diodei

R1 fw =

U 1 fw
=
I 1 fw