MINISTERUL EDUCAŢIEI AL REPUBLICII MOLDOVA

UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI

CATEDRA DE MICROELECTRONICĂ
ŞI INGINERIE BIOMEDICALĂ

RAPORT
Lucrarea de laborator nr. 2
la Electronica
Tema: Studierea tranzistoarelor bipolare

A efectuat:
st. gr. SI-151 Benea Gheorghe

A verificat:
lector superior Metlinschi Pavel

Chişinău 2016
Scopul lucrarii: determinarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar in
conexiunea cu baza comuna (BC) si cu emitorul comun (EC) si calcularea parametrilor “h”
pentru semnale mici.
Notiuni teoretice generale:
Tranzistorul bipolar prezinta un dispozitiv semiconductor cu doua jonctiuni electron-
gol (n-p), formate printr-o succesiune de trei regiuni p-n-p sau n-p-n. Aceste structure
dispun de proprietati de amplificare a semnalului electric.
Zona de mijloc a tranzistorului se numeste baza (B) si are urmatoarele caracteristici:
este foarte ingusta (de ordinal micrometrilor sau chiar zecimilor de micrometri) si are
dotarea cu impuritati mult mai mica decit a celor laterale. O zona extrema cu cea mai mare
concentratie de dopare cu impuritati se numeste emitor (E), cealalta zona extrema se
numeste collector (C). Pe fieacare dintre aceste regiuni este realizat cite un contact ohmic,
pe care se sudeaza conductoarele terminale.

Schema pentru ridicarea experimentala a caracteristicilor statice a unui transistor

p-n-p in conexiune BC este aratata in figura 2.4

Schema pentru trasarea experimentala a caracteristicilor statice este aratata in figura 2.7
 Caracteristica de intrare ale tranzistorului bipolar in conexiune BC

UC, mV 0 20 40 60 80 100 120 140 160 200 240 280

IE, UCB=0 0 0,01 0,03 0,06 0,12 0,27 0,57 0,70 1,4 4,70 11,8 24
mA
UCB=-5V 0 0,01 0,03 0,06 0,15 0,32 0,67 1,38 2,81 7,47 20 49,5

Caracteristica de iesire a tranzistorului bipolar in conexiune BC

UCB, V 0 2 4 6 8 10 12 14
IC, IE=5 mA 4,89 4,92 4,92 4,92 4,93 4,93 4,93 4,93
mA IE=10 mA 9,69 9,82 9,83 9,85 9,85 9,86 9,87 9,88
 Caracteristica de intrare a tranzistorului bipolar cu conexiune EC
UBE, mV 0 20 40 60 80 100 120 140 160 200 240 280

IB, UCB=0 V 0 0 0,02 0,04 0,10 0,18 0,33 0,56 0,86 1,77 3,01 4,55
mA
UCB=-5 V 0 0 0 0 0 0 0,01 0,03 0,05 0,15 0,35 0,72

Caracteristica de iesire a tranzistorului bipolar cu conexiune EC

UCE, V 0 0.5 1 1.5 2 3 4 6 8 10 12

𝐼𝐶 , IB=200  A 0,1 6,0 7,1 7,5 7,9 8,4 8,9 9,8 10,7 11,5 12,3
mA IB=300  A 0,2 10 11 11,5 12,1 13,1 14,2 16 18 20 22
Determinarea parametrilor hibrizi h11B, h12B, h21B și h22B ale tranzistorului bipolar în conexiune BC:

∆𝑈𝐸𝐵 20 ∙ 10−3 𝑉
ℎ11𝐵 = = = 11.7[Ω] |𝑈𝐶𝐵 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.
∆𝐼𝐸 1.7 ∙ 10−3 𝐴

∆𝑈𝐸𝐵 20 ∙ 10−3 𝑉
ℎ12𝐵 = = = 4 ∙ 10−3 |𝐼𝐸 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.
∆𝑈𝐶𝐵 5𝑉

∆𝐼𝑐 4.92 ∙ 10−3 𝐴

ℎ21𝐵 = = = 0.984 |𝑈𝐶𝐵 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.
∆𝐼𝐸 5 ∙ 10−3 𝐴

∆𝐼𝐶′ 0.45 ∙ 10−3 𝐴

ℎ22𝐵 = = = 3.2 ∙ 10−5 [Ω−1 ] |𝐼𝐸 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.
∆𝑈𝐶𝐵 14𝑉

Determinarea parametrilor hibrizi h11B, h12B, h21B și h22B ale tranzistorului bipolar în conexiune EC:

∆𝑈𝐵𝐸 120 ∙ 10−3 𝑉

ℎ11𝐸 = = = 133.3[Ω] |𝑈𝐶𝐸 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.
∆𝐼𝐵 0.9 ∙ 10−3 𝐴

∆𝑈𝐵𝐸 120 ∙ 10−3 𝑉

ℎ12𝐸 = = = 24 ∙ 10−3 |𝐼𝐸 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.
∆𝑈𝐶𝐸 5𝑉

∆𝐼𝑐 1,8 ∙ 10−3 𝐴

ℎ21𝐸 = = = −18 |𝑈𝐶𝐸 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.
∆𝐼𝐵 0.1 ∙ 10−3 𝐴

∆𝐼𝐶′ 0,9 ∙ 10−3 𝐴

ℎ22𝐸 = = = 0.18 ∙ 10−3 [Ω−1 ] |𝐼𝐸 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.
∆𝑈𝐶𝐸 5𝑉

Calculul parametrilor hibrizi h11B, h12B, h21B și h22B ale tranzistorului bipolar în conexiune EC:

ℎ11𝐵 11.7
ℎ11𝐸 = = = 5.8[Ω]
1 + ℎ21𝐵 1 − 0.984

ℎ11𝐵 ∙ ℎ22𝐵 11.7 ∙ 3.2 ∙ 10−5

ℎ12𝐸 = = = 2.3 ∙ 10−3
1 + ℎ21𝐵 1 − 0.984

ℎ21𝐵 −0.984
ℎ21𝐸 = = = −15,8
1 + ℎ21𝐵 1 − 0.984

ℎ22𝐵 3.2 ∙ 10−5

ℎ22𝐸 = = = 0.14 ∙ 10−3 [Ω−1 ]
1 + ℎ21𝐵 1 − 0.984

Concluzie:
În urma lucrării de laborator am analizat diferența dintre tranzistorul bipolar cu bază comună și
tranzistorul bipolar cu emitor comun, și am observat că tranzistorul bipolar cu bază comună nu este cea
mai bună alegere pentru amplificarea curentului , deoarece parametrul de transfer al curentului este foarte
mic, iar tranzistorul bipolar cu emitor comun are un parametru de transfer al curentului mult mai mare, din
aceasta cauză el se folosește la amplificarea curentului.