Lucrarea de laborator nr.

3
Tema: Caracteristicile de intrare i ieire tranzistorului bipolar cuplat dup schema baz
comun. Determinarea coeficientului de amplificare a tranzistorului.
Scopul lucrrii: Studierea metodelor de ridicare a caracteristicilor de intrare i ieire ale
tranzistorului bipolar conectat dup schema baz comun.
Aparate i materiale: Generator funcional, multimetru, osciloscop surs de tensiune curent
continuu, rezistoare, tranzistor bipolar.
Mersul lucrrii:
Lansai programul emulator ELECTRONICS WORKBENCH.

Experiena 1. Msurarea datelor experimentale pentru construcia caracteristicii voltamper de intrare.

Construii circuitul de mai jos

Figura 1. Conexiunea baz comun a tranzistorului bipolar.

Tastai

pentru ca prin circuit s curg curentul.

Schimbnd cu rezistorul variabil (tasta <R> rezistena scade, tastele <shift>-<R> rezistena se
mrete) tensiunea de intrare (Ueb) de la 0 pn la 0,9 V, ridicai caracteristica de intrare a tranzistorului
Ie=f(Ueb) la tensiunea colectorului (Ucb) 0; 5; 10 V (Ucb=0 n cazul cnd comutatorul este deconectat).
Datele experimentale le introducei n tabelul 1.1 .

Tabelul 1.1 Datele experimentale pentru construcia CVA de intrare.

Tensiunea de intrare
Ie ,
Ie ,
Ueb , V
Ucb = 0 V
Ucb = 5 V
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9

Ie ,
Ucb = 10 V

Experiena 2. Msurarea datelor experimentale pentru construcia caracteristicii voltamper de ieire.

Construii circuitul de mai jos:

Figura 2. Conexiunea baz comun a tranzistorului bipolar.

Tastai

pentru ca prin circuit s curg curentul.

Schimbnd tensiunea (Ucb) de la 0 pn la 10V, ridicai ramura direct a caracteristicii de ieire a

tranzistorului Ic=f(Ucb) pentru curentul emitorului (Ie) 10, 20 i 30 m. Datele experimentale le introducei
n tabelul 1.2 .
Tabelul 1.2 Datele experimentale pentru construcia CVA de ieire.
Tensiunea de intrare
Ic ,
Ic ,
Ic ,
Ucb , V
Ie = 10 mA
Ie = 20 mA
Ie = 30 mA
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Dup datele obinute n rezultatul msurrilor trasai caracteristicile de intrare i ieire

Experiena 3. Determinai urmtorii parametri:

Rezistena de intrare a tranzistorului
Rint=Ueb/Ie;
Rezistena de ieire a tranzistorului
Ries=Ucb/Ic;
Coeficientul de amplificare al tranzistorului
=Ic/Ie
Tranzistoarele V1 2N2218 +3

V2 2N2222 +3
V3 2N2222A +3

ntrebri de control: