Ministerul Educaţiei ,Culturii şi Cercetării al Republicii Moldova

Universitatea Tehnică a Moldovei

Facultatea:Calculatoare,Informatică şi Microelectronică
Departamentul Ingineria Software şi Automatică

RAPORT
la lucrarea de laborator nr. 5

la Circuite și dispozitive electrice

Tema: Studierea tranzistoarelor bipolare

A efectuat: st. gr. Ti-183 Bortă Sergiu

A verificat: Verjbițchi V.
 Chişinău – 2019

Scopul lucrării: determinarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar

în conexiunea cu bază comună(BC)și cu emitorul comun (EC)și calcularea
parametrilor “h”pentru semnale mici

Noțiuni teoretice generale.

Tranzistorul bipolar reprezintă un dispozitiv electronic activ cu trei terminale:
emitorul (E), baza (B) şi colectorul (C). Aceste trei terminale sunt plasate pe trei
regiuni semiconductoare de conductibilitate diferită (p sau n) ale aceluiaşi cristal
semiconductor (în general germaniu – Ge sau siliciu – Si). Denumirea de tranzistor
bipolar provine de la următoarea caracteristică: conducţia este asigurată de două
tipuri de purtători de sarcină de polaritate diferită (electroni şi goluri). Tranzistorul
bipolar se mai notează prescurtat TB. Observaţie: Prin comparaţie, tranzistorul cu
efect de câmp (TEC) face parte din clasa dispozitivelor unipolare (funcţionarea lor
se bazează pe un singur tip de purtători de sarcină – fie electroni, fie goluri).
Datorită faptului că există 2 tipuri de regiuni cu conductibilitate diferită (n sau p)
care trebuie să alterneze, iar TB este format din trei regiuni vor exista tranzistoare cu
structură npn sau pnp, după cum se poate observa din figura 3.1 şi 3.2.

Se observă că prin alăturarea celor trei regiuni dopate diferit se formează două
joncţiuni ce pot fi asemănate cu două diode. Săgeata din simbol corespunde
joncţiunii pn (emitor – bază). Sensul săgeţii (întotdeauna de la zona p spre zona n)
arată sensul normal, pozitiv al curentului prin joncţiunea bază – emitor polarizată
direct.
Schemele circuitelor electrice.

Tabelele cu datele experimentale.

UC,mV 2 40 60 80 100 120 140 160 200 240 280

0
IE,mA UCB=0V 0 0 0.00 0.00 0.00 0.16 0.35 0.7 3 8 19
1 3 7 6
UCB=- 0 0 0.00 0.00 0.00 0.2 0.5 1.3 4 14 32
5V 1 4 9

UCB,mV 2 4 8 10 12 14
IC,mA IE=5mA 4.92 4.93 4.94 4.95 4.95 4,96
IE=10mA 9.8 9.83 9.88 9.9 9.9 9,98
UBE,mV 20 40 60 80 100 120 140 160 200 240 280
IB,mA UCB=0V 0 0 0,0 0,03 0,06 0,1 0,23 0,3 0,87 1,65 2,68
1 3 9
UCB=- 0 0 0,0 0,03 0,08 0,1 0,25 0,4 0,90 1,65 2,6
5V 1 4 0

UCB,mV 0 1 1.5 2 3 4 6 8 10 12
IC,m IE=5mA 0,02 7,57 7,8 8,12 8,95 9,42 10,63 12,04 14,5 18
A IE=10mA 0,05 14.63 15.22 15.8 17.4 18.38 20.7 23,5 28 34.75

Uc, mV
250.0000

200.0000

150.0000

100.0000

50.0000

0.0000
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

Ie, mA Ucb = 0 Ie, mA Ucb = -5V

Ucb, mV
12.00

10.00

8.00

6.00

4.00

2.00

0.00
1 2 3 4 5 6 7 8

Ic, mA Ie = 5mA Ic, mA Ie = 10mA

 Ube, mV
20.0000
0.0000
1 2 3 4 5
-20.0000
-40.0000
-60.0000
-80.0000
-100.0000
-120.0000
-140.0000
-160.0000

Ib, mA Ucb = 0 0,0000 0,0070 0,0160 0,0355 0,0708 0,1329

Ib, mA Ucb = -5V 0,0033 0,0030 0,0270 0,0016 0,0010 (-1,6)

Uce, mV
120.0000

100.0000

80.0000

60.0000

40.0000

20.0000

0.0000
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
-20.0000

Ic, mA Ib = 200micA Ic, mA Ib = 300micA

Concluzie
În urma acestei lucrări de laborator sa făcut cunoștință cu tranzistorul
bipolar,structura acestuia și cum funcționează.
sau luat măsurările pentru determinarea caracteristicilor statice ale tranzistorului
bipolar în conexiunea cu bază comună(BC)și cu emitorul comun (EC)și calculat
parametri “h”pentru semnale mici astfel fiind puse în practică cunoștințele
accumulate la curs .