Elemente avansate de fizica

materialelor feroice
Cuprins

Efecte de dimensiune

Transport de sarcina in dielectrici si feroelectrici

Materiale multiferoice si cuplaj magnetoelectric

Multistraturi si super-retele

Elemente introductive in aplicatii bazate pe feroelectrici

Subiecte de examen si bibliografie
Efecte de dimensiune
Feroelectricitatea este un fenomen
colectiv.
La temperatura de tranzitie apar dipoli in
celula elementara; acesti se orienteaza
paralel cu axa polara datorita interactiunii
la distanta intre dipoli; fiecare dipol simte
campul mediu generat de ceilalti dipoli
(modele de tip Ising)
Care este numarul minim de dipoli la care mai poate aparea ordinea
feroelectrice? Exista o dimensiune minima pentru ordinea feroelectrica dispare?
Aparent polarizarea scade cu grosimea; sub o anumita grosime critica
polarizarea dispare-stare super-paraelectrice!
Constanta dielectrica scade si ea cu
grosimea, iar pierderile cresc.
Tranzitia de faza este si ea afectata de
scaderea grosimii.
Grosime critica pentru BaTiO3=3.2 nm
(experimental-strat epitaxial)
Originea efectelor de dimensiune

Cauze extrinseci:
-Calitatea structurala a probei-grosimea critica a scazut dramatic pe
masura ce calitatea straturilor subtiri a crescut prin utilizarea cresterii
epitaxiale
-Prezenta straturilor defective la interfetele cu electrozii (dead-layers)
-Prezenta regiunilor de sarcina spatiala prin acumularea de defecte
incarcate electric (ex. vacante de oxigen)

Cauze intrinseci:
-Campul de depolarizare compensarea imperfecta a sarcinilor de
polarizare la interfata cu electrozii
-Reducerea tetragonalitatii c/a
-Divergenta campului coercitiv, care creste rapid cu scaderea grosimii
eff-lungimea efectiva de ecranare
Physics of Ferroelectrics
A Modern Perspective
Springer-Verlag Berlin
Heidelberg 2007
Straturile subtiri sunt crescute pe un
suport-acesta poate influenta prezenta
feroelectricitatii prin deformare (strain),
compensare incompleta a campului de
depolarizare, electronica interfetei, etc.
Calcul teoretic in BaTiO3-polarizarea
este presenta pana la grosimi de 1,2
nm (3 constante de retea)


In PbTiO3 polarizarea creste la suprafata!
Transport de sarcina in dielectrici si feroelectrici
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. Wiley, New York, 1981.
Curent limitat de sarcina spatiala cu un singur nivel
de captura
La tensiuni mici dependenta de tensiune este de tip
ohmic, ~V
La incarcarea nivelului de captura apare o crestere
brusca a curentului
Dupa incarcare dependenta de tensiune devine ~V
2

TFL inseamna trap fill limit
Trape putin adanci
Trape adanci
Curenti limitati de sarcina spatiala (SCLC)
M. A. Lampert and P. Mark, Current Injection in Solids (Academic,
New York, 1970)
Distributie exponentiala de trape
l=T
t
/T
0.1 1 10
1E-13
1E-12
1E-11
1E-10
1E-9
1E-8
1E-7
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
C
u
r
r
e
n
t

(
A
)
Voltage (V)
150K
200K
250K
300K
350K
400K
-6 -4 -2 0 2 4 6
1E-7
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
C
u
r
r
e
n
t

d
e
n
s
i
t
y

(
A
/
c
m
2
)
Voltage (V)
30 nm
90 nm
400 K
c)
SCLC liber de centri de captura este independent de temperatura.
In regimul de camp electric mare dependenta de temperatura trebuie sa
dispara-curbele converg intr-una singura
SCLC este confirmat daca si dependenta de grosime este satisfacuta!
Emisia Pool-Frenkel
Se reprezinta Ln(J/V)~V
1/2
la T constant
Din panta se poate estima valoarea constantei dielectrice
daca valoarea este compatibila cu cea obtinuta prin alte
metode atunci mecanismul poate fi Pool-Frenkel
Se reprezinta Ln(J/V)~1/T la tensiune constanta, pentru mai
multe tensiuni si se determina un
app

Apoi
app
se reprezinta ca V
1/2
si se determina
B

Tunelare Fowler-Nordheim
Fowler-Nordheim nu are dependenta de
temperatura
Aapare la densitati mari de purtatori
liberi, si la temperaturi joase
Energia caracteristica:
FN apare atunci cand E
00
>>kT
Emisia Schottky
Ecuatia valabila daca drumul liber mediu este mai mare decat grosimea probei:
Daca drumul liber mediu este mai mic decat grosimea ecuatia valabila este:

Hopping
Hopping activat termic:
|
.
|

\
|

kT
W
T
a
exp ~
2 / 3
o
|
.
|

\
|

|
.
|

\
|
kT
W
kTw
Vqa
j
a
exp
2
sinh ~
=qa/2kTw
-80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80
-7.0x10
-6
-6.0x10
-6
-5.0x10
-6
-4.0x10
-6
-3.0x10
-6
-2.0x10
-6
-1.0x10
-6
0.0
1.0x10
-6
0.0
2.0x10
-9
4.0x10
-9
6.0x10
-9
8.0x10
-9
1.0x10
-8
1.2x10
-8
o=1
C
u
r
r
e
n
t

(
A
)
sinh(oV)
300 K
negative side
positive side

C
u
r
r
e
n
t

(
A
)
2 3 4 5 6 7
-34
-33
-32
-31
-30
-29
-28
-27
-26
-25
-24
L
n
(
o
/
T
3
/
2
)
1000/T
3 V
3.4 V
4 V
4.4 V
5 V
positive side
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3
0.24
0.26
0.28
0.30
0.32
0.34
0.36
0.38
0.40
0.42
W
a

(
e
V
)
V
1/2
C
F
Linear Fit of Data9_C
Linear Fit of Data9_F negative side
intercept at 0.74 eV
positive side
intercept at 0.51 eV
Mai exista si hopping cu range variabil
(unidimensional
in nanofire)
-3 -2 -1 0 1 2 3
10
-13
10
-12
10
-11
10
-10
10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
Voltage(V)
Cu/BTO/SRO
-3 -2 -1 0 1 2 3
10
-12
10
-11
10
-10
10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3

C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
Voltage(V)
Pt/BTO/SRO
Recorded I-V characteristics at different temperatures-BTO
-3 -2 -1 0 1 2 3
10
-13
10
-12
10
-11
10
-10
10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
Voltage(V)
SRO/BTO/SRO
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
10
-14
10
-13
10
-12
10
-11
10
-10
10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
Voltage(V)
Al/BTO/SRO
PZT
Potential barrier (eV)
BTO
Potential barrier (eV)
polarity SRO Pt Cu Al Au SRO Pt Cu Al
positive 0.14 0.46
below
240 K
~0.1
above
250 K
0.11 0.38 0.26 0.21 0.22 0.19 0.92
negative 0.17 0.16
(up to -
3 V)
0.11 up
to 300
K
0.46
above
300 K
could
not be
estimated
0.3
(?)
0.22 0.19
(up to -
2 V)
0.23
(up to -
1.5 V)
0.79
Above about 1.5 V and above about 220 K the conduction
mechanism seems to change, possibly towards SCLC, as
suggested by the jumps in the current value and by the
Maximum error:
~ +/-0.05 eV
Termenul P/ poate atinge valori de
aproximativ 1 eV in cazul straturilor
feroelectrice epitaxiale-poate domina
curbura de benzi
Materiale multiferoice
Cel mai cunoscut material multiferoic: BiFeO3-feroelectric si
antiferomagnetic
Multiferoici magnetoelectrici

Parametrii de ordine sunt cuplati: se poate modifica polarizarea
feroelectric aplicand camp magnetic si magnetizarea se poate modifica
aplicand camp electric.

Coeficient de cuplaj magnetoelectric
Controlul polarizarii cu camp magnetic in TbMnO3.
Dezavantaje: cuplajul magnetoelectric este mic in
materialele multiferoice mono-fazice; sunt necesare
campuri magnetice mari pentru a obtine efecte
masurabile; interactia magnetoelectric este
masurabila la temperaturi mici (necesita lichid
refrigerator).
Magneto-capacitate: modificarea proprietatilor dielectrice (capacitate) prin
aplicarea de camp magnetic
-1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0 1.5
2x10
-10
3x10
-10
4x10
-10
5x10
-10
6x10
-10
7x10
-10
8x10
-10
9x10
-10
+0T
+4T
+8T
+4T_R
+0T_R
C
a
p
a
c
i
t
a
n
c
e

(
F
)
Voltage (V)
Multistraturi si super-retele
Multistraturile pot fi si policristaline (spin-coating succesiv de materiale
cu diferite compozitii)

Super-retelele sunt in principiu epitaxiale

Se pot combina materiale cu proprietati diferite (ex. feroelectrici-
feromagnetici=multiferoici artificiali; feroelectrici-supraconductori;
feroelectrici-semiconductori; feroelectrici-dielectrici; etc.)

Se pot obtine functionalitati noi-proprietatile multistratului sau super-
retelei nu sunt simpla suma a proprietatilor materialelor componente

Cuplajele interfaciale au un rol foarte important-controlul proprietatilor
structurale si electronice ale interfetelor
Tranzitie de faza feroelectrica indusa in SrTiO3 de catre stressul
mecanic impus de substrat
Super-retea tricolora: SrTiO3-BaTiO3-CaTiO3
Pentru o anumita periodicitate a straturilor componente se
poate obtine o imbunatatire semnificativa a polarizarii!
(comparativ cu stratul de BaTiO3 crescut in aceleasi conditii)
Feroelectricitate in super-retele
alcatuite din materiale ne-
feroelectrice!
Curba de histerezis pleaca
intotdeauna din zero-nu exista
polarizare spontana.
Histerezisul apare numai la o
frecventa bine-definita.
NU ESTE FEROELECTRICITATE
Imbunatatire semnificativa a constantei dielectrice in super-retele!
Efect Maxwell-Wagner datorat rezistivitatilor diferite ale fazelor componente.
Tranzitie de faza indusa de grosime in super-
retele PZT-PZO (feroelectric-antiferoelectric).
Cu scaderea grosimii straturilor componente faza
antiferoelectrica devine feroelectrica.
Interfacial polarization
Multistraturi si super-retele
Interfacial charge
Pentru polarizare saturata
150K
350K
450K
Structuri PZT-ZnO (MFS)
epitaxial
columnar
policristalin
Multiferoici artificiali
Cuplaj prin intermediul deformarii-piezoelectric+magnetostrictiv
Structuri PZT-CFO-prezinta atat ciclul de
histerezis feroelectric cat si pe cel magnetic.
Elemente introductive in aplicatii bazate pe feroelectrici
Detectorul piroelectric

Celula fotovoltaica feroelectrica

Tranzistorul FeFET

Dioda feroelectrica

Memoria nevolatila FeRAM
i
d C V
dt
V
R
V
R
p
x x x
x
x
o
= + +
( ) R0-rezistenta
instrumentului de masura
V
R
i C
dV
dt
V
C
dC
dt
V
x
o
p x
x x
x
x x
x
= + + ( )
t
x
p
x
x
x
x
C
i
dt
dC
V
dt
dV
= + + )
1
(
t
La viteza de incalzire mica Vx si
Cx variaza lent cu timpul
V i R
x p x
=
Detectorul piroelectric
q
u
u W C
d
dt
G
T T
= + ( )
W t W i t
o
( ) exp( ) = e
u
q
e
e ( ) exp( ) t
W
G i C
i t
o
T T
=
+
q pA = u
p-coeficient piroelectric dP/dT
i
dq
dt
=
i
i W pA
G i C
i t
o
T T
=
+
eq
e
e exp( )
i
W pA
G
o
T T
=
+
eq
e t ( )
/
1
2 2 1 2

T
=C
T
/G
T

R
pA
G
i
T T
=
+
eq
e t ( )
/
1
2 2 1 2
Responsivitatea in curent
Z R
i C
= +
1
e
iZ v =
v
pAW
G G
o
T e T e
=
+ +
eq
e t e t ( ) ( )
/ /
1 1
2 2 1 2 2 2 1 2

e
=C
e
/G
e

R
pA
G G
V
T e T e
=
+ +
eq
e t e t ( ) ( )
/ /
1 1
2 2 1 2 2 2 1 2
Responsivitatea in tensiune
R
pA
C C
V
T
=
q
e
La frecvente mari
Celula fotovoltaica feroelectrica
Curent de scurt circuit pentru efectul
fotovoltaic de volum.
In cazul straturilor subtiri efectul fotovoltaic este o combinatie intre efectul de
volum si cel legat de prezenta contactelor Schottky.
Curentul de scurt circuit depinde de directia si
marimea polarizarii in feroelectric.
Efect fotovoltaic gigant in BiFeO3 datorita peretilor de domenii
Imbunatatirea eficientei prin combinare cu materiale semiconductoare
oxidice avand banda interzisa mai mica decat a feroelectricului.
Tranzistorul FeFET
Modularea conductiei canalului prin valoarea si orientarea polarizarii
Dioda feroelectrica
Contact Schottky rectificator-SRO/PZT/Ta
(interfata SRO/PZT este contact Schottky,
interfata PZT/Ta este contact ohmic
Heterostructura p-n (Nb:SrTiO3/Gd:BiFeO3/Pt)
Bariera de potential la interfata STON/Gd:BFO se modifica functie de dopajul cu Gd
Memoria nevolatila FeRAM
Celula de memorie este relativ
simpla; citirea si scrierea sunt
complicate (citire distructiva,
informatia trebuie rescrisa dupa
fiecare citire)
Jonctiuni tunel
magnetorezistive/electrorezistive
(TMR/TER)
Barierele de potential la interfete se
modifica functie de directia
polarizarii feroelectrice
Subiecte posibile

Campul electric in capacitorul feroelectric (slide 12)

Ecuatiile densitatilor de curent pentru mecanismele de
conductie uzuale in feroelectrici, explicarea marimilor care
intervin, cazuri in care se aplica un mecanism sau altul (slide
14-21)

Efectul interfetelor asupra capacitatii (slide 37-38)

Detectorul piroelectric (slide 43-45)


Bibliografia este in text! (sau on-line)