Jonctiunea p-n

DIODA SEMICONDUCTOARE

SEMICONDUCTORI CU IMPURITATI
Dac n cristalul de siliciu care au valenta IV se introduc atomi de fosfor cu valenta V numai 4 din cei 5 electroni de valen se leag cu atomii vecini , iar cel de-al cincilea se desprinde de atomul de impuritate i devine electron liber, numit electron de conductie. Atomul de fosfor cedeaza un electron si deci devine ion pozitiv. Cristalul se incarca negativ (are surplus de electroni)si se numeste semiconductor de tip n.

Daca un atom de siliciu cu valenta IV este inlocuit cu un atom de bor cu valenta III atunci atomului de impuritate ii lipseste un electron pentru a realiza cele 4 legaturi covalente. In acest loc liber poate trece un electron de la atomul de siliciu. Locul parasit de electron ramine incarcat pozitiv si se numeste gol. Cristalul are surplus de sarcina pozitiva si devine semiconductor de tip p (pozitiv)

La cresterea temperaturii in semiconductori tot mai multi electroni isi parasesc legatura devenind liberi in acelasi timp se formeaza goluri.

La semiconductorii de tip p numarul golurilor este mai mare decit cel al electronilor covalenti astfel golurile sunt purtatori majoritari iar electronii de covalenta sunt purtatori minoritari.

JONCTIUNEA P-N
Daca punem in contact un cristal de siliciu cu impuritati de fosfor cu un ctristal de siliciu cu impuritati de bor atunci reiese ca un unim un semiconductor de tip n cu unul de tip p. In urma difuziunii electronii din partea n patrund in partea p si completeaza golurile, astfel are loc recombinarea. Partea n cedeaza electroni si deci ramine incarcat pozitiv. Partea p accepta electroni si se incarca negativ. In apropierea suprafetei de contactconcentratia purtatorilor este mica aceasta regiune este numita strat de baraj. Iar regiunea de tranzitie dintre cele 2 parti este numita jonctiunea p-n.

PROPRIETATILE ELECTRICE
Daca conectam jonctiunea intron circuit electric astfel ca partea p sa fie unita la polul pozitiv iar partea n la polul negativ atunci electronii din partea n se vor misca spre polul pozitiv iar golurile se vor misca spre polul negativ. Curentul electric circula si are sens direct

Daca conectam partea p la polul negativ iar partea n la polul pozitiv atunci electronii sunt atrasi se polul pozitiv, glorile spre cel negativ . In stratul de baraj nu sint suficienti purtatori si curentul electric aproape lipseste. Acesta este sensul invers.

DIODA SEMICONDUCTOARE
Astfel prin jocntiunea p-n curentul circula numai intr-o singura directie. Ea poseda proprietati redresoare si mai este numita dioda semiconductoare. Sensul sagestii simbolului diodei corespunde sensului curentului.

Pentru a realiza o dioda semiconductoare se ia o placa de siliciu sau care contine atomi cu valenta V adica e semiconductor de tip n . Pe o fata a ei se depune prin sudura indiu sau bor care au valenta III in aceasta regiune se formeaza semiconductor de tip p. Astfel pe aceeasi placa exista amvele tipuri de semiconductoareiar locul intersectiei lor este jonctiunea p-n. Pentru a proteja dioda ea este inchisa intr-un crop metallic sau de plastic.

DIODA ZELNER

Diodele Zener sunt proiectate s funcioneze polarizate invers.

DIODE REDRESOARE

este un dispozitiv electric care servete transformrii curentului alternativ n curent continuu

DIODE NTRERUPTOARE

LED
light-emitting diode

este o diod semiconductoare ce emite lumin la polarizarea direct a jonciunii p-n. Efectul este o form de electroluminescen.

Sfirsit