12.1 Semiconductor!

extrinseci
Intr-un semiconductor intrinsec numarul de purtatori excitati termic este foarte mic. De exemplu, la temperatura camerei, numarul de electroni excitati termic in banda de conductie este de 1,5x10 electroni/cm pentru Si si de 1,1x10 electroni/cm pentru GaAs, in timp ce intr-un metal numarul de electroni liberi pe unitate de volum este de aproximativ 10 electroni/cm . Din aceasta cauza rezistivitatea electrica a semiconductorilor puri este foarte mare si, in consecinta, materialele semiconductoare pure nu sunt adegvate pentru aplicatii in electronica. Acest neajuns poate fi depasit prin doparea (impurificarea) semiconductorului intrinsec cu atomi pentavalenti sau trivalenti. Doparea se relizeaza prin alierea controlata a semiconductorului cu aceste elemente. In urma alierii se obtine o solutie solida in care atomii de impuritate substitue atomii materialului semiconductor in reteaua cristalina, de exemplu atomii de Si.

12.1.1 Semiconductor! de tip n Pentru inceput sa analizam influenta unei impuritati pentavalente , de exemplu: P, Sb sau As . Prin aliere cu elementul pentavalent ( de exemplu P) se obtine o solutie solida de substitutie Si-P, in care atomii de impuritate sunt distribuiti uniform in reteaua cristalina a siliciului. In practica concentratia de atomi de impuritate este cuprinsa intre 10 si 10 atomi/cm , mult mai mica decat concentratia atomilor de Si (~ 10 atomi/cm ). Din aceasta cauza se poate considera ca fiecare atom de fosfor este inconjurat numai de atomi de Si. Patru din cei cinci electroni de valenta ai fosforului vor contribui la formare legaturilor covalente cu atomii de Si vecini (Fig. 12.1). Al 5-lea electron al fosforului va deveni liber , deoarece energia de ionizare a fosforului este foarte mica (45 meV). Astfel, atomul de fosfor doneaza un electron de conductie, motiv pentru care atomul poarta denumirea de atom donor, iar impuritatile pentavalente se numesc impuritati donoare. In termenii modelului de banda, energia de ionizare este egala cu distanta dintre nivelul atomic al atomului de impuritate pe care se gaseste al 5-lea electron , numit si nivel donor Ed, si limita inferioara a benzii de conductie, Ec -Ed. Daca se alege limita inferioara a bezii de conductie ca origine a energiei {Ec = 0 ) , atunci energia de ionizare este egala cu Ed (Fig. 12. lb).

Fig. 12.1. Compartarea unei impuritati pentavalente in Si a) Patru din cei 5 electroni de valenta ai P sunt fixati in legaturile covalente cu atomii de Si, iar al 5-lea devine liber b) Din punct de vedere al modelului de banda, nivelul atomic Ed pe care se gaseste a 5-lea electron este foarte aproape de limita inferioara a benzii de conductie si, ca rezultat, acest electron poate fi usor excitat termic in banda de conductie.

Intr-un semiconductor dopat cu impuritati pentavalente electronii de conductie sunt generati prin doua mecanisme: 1) Prin ionizarea atomilor donori se genereaza electroni liberi si ioni pozitivi imobili. 2) Mecanismul intrinsec de excitare termica prin care se genereaza electroni in banda de conductie si goluri in banda de valenta. Deoarece energia de ionizare este foarte mica, se poate considera ca la temperatura camerei toti atomi donori sunt ionizati, prin urmare numarul de electroni pe unitate de volum este dat de relatia n = Nd+ni, (12.1)

unde Nd concentratia de atomi de impuritate donoare, iar nt este numarul de electroni intrinseci ai Si. Pe de alta parte, densitatea de goluri pozitive este egala cu cea din siliciu pur, fiind egala cu numarul de electroni intrinseci. p=Pi=ni. Deoarece concentratie de atomi donori este Nd 10 (12.2) cm" , mult mai mare

decat cea a purtatorilor intrinseci, /?,= , 10 cm", se poate considera concentratia electronilor ca fiind egala cu concentratia atomilor donori nNd. (12.3)

Pe de alta parte, pentru un semiconductor extrinsec legea actiunii maselor (11.16) devine

np = nf,

(12.4)

unde si p este concentratia de electroni si, respectiv, de goluri din semiconductorul extrinsec, iar ; este densitatea de purtatori intrinseci. In cazul unui semiconductor dopat cu impuritati donoare relatia (11.4) devine

NdP = nj,
17

(12.5)
3

unde am tinut cont de (11.3). De exemplu, pentru Nd~\Q

10

cm"

si

/?,= , 10 cm", rezulta pentru densitatea de goluri dintr-un semiconductor extrinsec valoarea de p = \0 cm". Prin urmare, intr-un semiconductor dopat cu impuritati donoare, densitatea de electroni este 14 ordine de marime mai mare decat densitatea de goluri si, ca rezultat, contributia golurilor la fenomenele de transport, inclusiv conductibilitatea electrica, poate fi neglijata. In concluzie, conductia electrica dintr-un semiconductor dopat cu impuritati donoare este datorata numai electronilor, motiv pentru care semiconductorul poarta denumire de semiconductor de tip n. 12.1.2 Semiconductor! de tip p Sa presupunem acum ca Si este dopat cu elemente trivalente (B, Al, Ga, In). Elementele trivalente, de exemplu aluminiu , au trei electroni de valenta. Aluminiului ii lipseste un electron pentru a stabili legaturi covalente cu cei patru atomi de Si care-1 inconjoara (Fig. 12.2a). El poate lua acest electron de la un atom de Si dintr-o alta legatura covalenta. Din punct de vedere energetic, electronul imprumutat de la o alta legatura covalente este similar cu trecere unui electron din banda de valenta a Si pe nivelul atomic al Al, cu formarea unui gol in banda de valenta. Nivelul atomic al Al, pe care trece electronul din banda de valenta, poarta denumirea de nivel acceptor, Ed, iar Al se numeste impuritate acceptoare. Deoarece pentru fiecare atom acceptor se genereaza un gol in banda de valenta, avem ca numarul total de goluri pe unitatea de volum este p = Pl+Na, (12.6)

unde Pi este concentratia golurilor intrinsecii. Ca si in cazul impuritatilor donoare , Na pt si, prin urmare, concentratia de goluri este aproximativ egala cu cea a atomilor acceptori, p = Na. Din legea actiunii maselor (12.4) rezulta ca, in cazul doparii cu o impuritatea trivalenta, concentratia golurilor este mult mai mare decat cea a electronilor, pn (demonstratia se face la fel ca si pentru impuritatile donoare). Din cauza faptului ca purtatorii de sarcina majoritari sunt pozitivi, semiconductorul se numeste de tip p.

Fig. 12.2. Compartarea unei impuritati trivalente in Si. a) Al contribuie cu trei electroni de valenta la formarea legaturilor covalente cu atomii de Si care il inconjoara. Pe legatura de valenta ramasa libera poate sa vina un electron dintr-o alta legatura covalenta. b) Din punct de vedere al modelului de banda, nivelul atomic Ea al Al este foarte aproape de limita superioara a benzii de valenta. Ca urmare a excitarii termice, un elctron din banda de valenta poate sa treaca pe nivelul acceptor al Al lasand un gol in banda de valenta. In tabelul 1 sunt prezentate valorile nivelelor donoare si acceptoare pentru impuritatile pentavalente si trivalente in Si.

12.2 Determinarea iiumai ului de purtatori. Efectul Hall

Concentratia purtatorilor de tip n sau p se determina in practica cu ajutorul efectului Hall. Efectul Hall consta in aparitia unei tensiuni electrice pe o directie perpendiculara pe directia de curgere a curentului electric, atunci cand semiconductorul este plasat intr-un camp magnetic B . Pentru a studia efectul Hall vom considera situatia din figura 12.3, in care o proba semiconductoare de tip p ,sub forma de prisma dreapta (axbxL), prin care circula un curent de-a lungul directiei x, este plasata intr-un camp magnetic indreptat de-a lungul directiei z. Deoarece de-a lungul directiei x se aplica un camp electric E (E = U/L) prin proba va circula un curent electric de densitate Jx=ePVx> (12-6)

unde p este densitatea golurilor, iar v x este viteza lor. Deoarece golurile se misca intr-un camp magnetic B asupra lor va actiona forta Lorentz L=evxxB, (12.7)

indreptata de-a lungul directiei y. Ca urmare, purtatorii vor fi deviati pe directia y, deci spre fata Si se va acumula o sarcina pozitiva. In raport cu fata Si, fata S2 se va incarca negativ. Datorita acestui fapt intre fetele Si si S2 va parea o diferenta de potential UH si un camp electric EH = UH ja. UH si EH poarta denumirea de tensiune si , respectiv, camp electric Hall. Datorita campului electric EH , pe directia y, pe langa forta Lorentz, asupra golului va ctiona si o forta electrica FH = eEH, indrepata in sensul negativ al axei y, care se opune fortei Lorentz. La echilibru cele doua forte fiind egale, rezulta evxB = eEH=e^JL. a (12.8)

Fig. 12.3. Daca se scoate viteza, vx, din relatia (12.6) si se inlocuieste in (12.8) si se tine cont ca I = jxS = jxab, se obtine UH=RH\l, (12.9)

imde i?^ = l/ep poarta denumirea de constanta Hall . Din relatia (12.9) rezulta ca intre tensiunea Hall si curentul prin proba exista o relatie liniara, similar a cu legea lui Ohm. Marimea RHa are dimensiunea unei rezistente si se numeste rezistenta Hall. Spre deosebire de legea lui Ohm, imde campul electric este paralel cu densitatea de curent, in cazul efecrului Hall campul electric WdX\,EH, este perpendicular pe densitatea de curent. Relatia (12.9) poate fi utilizata pentru determinarea concentratiei de goluri p in functie de marimile B, I, UH si a, care sunt masurabile experimental. Din (12.9) rezulta pentru concentratia de goluri valoarea (12.10)

P=^ ~ . eau H

(12.10)

In practica, pentru a media erorile experimantale, determinarea concentratiei purtatorilor se face din panta caracteristii UH (/), tga = AUH /AI = RH B/a, cu ajutorul relatiei p= - . tga ea (12.11)

Daca se inlocuieste p cu n in relatia (12.11), atunci se obtine relatia pentru determinarea concentratiei de electroni dintr-un semiconductor de tip n. Dispozitivul prezentat in figura 12.3 se utilizeaza in practica pentru masurarea campului magnetic, purtand denumirea de senzor Hall sau sonda Hall. Asa cum rezulta din relatia (12.9), daca senzorul este alimentat in curent constant, atuci exista o relatia liniara intre campul magnetic B si tensiunea Hall, UJJ. Corespondenta dintre tensiunea Hall si campul magnetic este data de relatia B = KHUH, (12.12)

unde KH= b/IRH poarta denumirea de constanta de etalonare a senzorului.

12.3 Absorbtia si emisia luminii intr-un semiconductor

O serie de dispozitive optoelectronice (LED-uri, fotodiode, fototranzistori, fotorezistente, diode laser) se bazeaza pe interactiunea electronilor si a golurilor cu lumina. Emisia si absorbtia luminii de catre un semiconductor este in stransa legatura cu structura de benzi a semiconductorului. In functie de pozitia minimului benzii de conductie in raport cu maximul benzii de valenta exista doua tipuri de semiconductori: semiconductori cu gap direct si cu gap indirect (Fig. 12.3). Semiconductorii cu gap direct au minimul benzii de conductie pentru aceiasi valoare a lui kca si maximul din banda de valenta (Fig. 12.3a). Majoritatea semiconductorilor III-V (GaAs, InP, GaN) sunt semiconductori cu gap direct. Semiconductorii cu gap indirect au minimul benzii de conductie deplasat in raport cu maximul benzii de valenta

(Fig. 12.3b). Semiconductorii din grupa a patra Si, Ge si SiC sunt semiconductori cu gap indirect.

(a) Fig. 12.4.

(b)

Absorbtia sau emisia luminii de catre un semiconductor se face prin excitarea unui electron din banda de valenta in cea de conductie si, respectiv, prin trecerea unui electron din banda de conductie in cea de valenta. Deoarece la trecerea unui electron din banda de valenta in cea de conductie se creaza un gol in banda de valenta si un electron in banda de conductie, procesul poarta numele si deproces de generare a unei perechi electron-gol. Procesul invers prin care un electron trece din banda de conductie in banda de valenta, avand ca rezultat disparitia unui electron din banda de conductie si a unui gol din banda de valenta, poarta denumirea de proces de recombinare electron-gol. In cazul absorbtiei luminii electronul din banda de valenta este excitat in banda de conductie in urma ciocnirii cu un foton de energie h v si de impuls = hk = h2^=2^. A cT (12.13)

Ciocnirea fiind elastica se conserva atat energia cat si impulsul. Deoarece fotonul se propaga cu viteza luminii, impulsul sau este foarte mic. Prin urmare , in urma ciocnirii cu un electron din banda de valenta ele nu va putea modifica impulsul electronului. Cu alte cuvinte, electronul din banda de valenta va trece in banda de conductie pe o stare de acelasi impuls, adica tranzitia va avea loc pe verticala. Asa cum se poate observa din figura 12.3 acest lucru este posibil numai pentru semiconductorii cu gap direct. Din aceasta cauza in dispozitivele optoelectronice se folosesc cu precadere semiconductorii din familia III-V (GaAs, InP, GaN). In cazul semiconductorilor cu gap indirect nu este posibila excitarea directa a unui electron din banda de valenta in banda de conductie deoarece starile libere din banda de conductie au impulsul mai mare cu hk0 fata de starile din banda de valenta. Aceasta diferenta de impuls este mult mai mare decat impulsul fotonului incident. In acest caz excitarea se produce indirect prin intermediul unui fonon (fononul este o particola asociata vibratiilor atomilor din reteaua cristalina). Fononul are un impuls mare in raport cu impulsul fotonului, dar are o nergie mult mai mica decat fotonul. Chiar daca impulsul fononului este suficient de mare incat sa poata determina tranzitia intre doua stari aflate la distanta hk0, energia fononului este mul mai mica decat largimea benzii interzise, E si din aceasta cauza el nu poate produce singur generarea unui elctron-gol. In schimb, prin ciocnire cu un foton energia lui creste suficient incat in urma ciocnirii cu un electron din banda de valenta sa-1 excite in banda de conductie. Mecanismul de excitare asistata de un fonon este prezentat in figura 12.3b. Fenomenul de emisie a luminii de catre un semiconductor este similar cu absorbtia. In cazul emisiei un electron din banda de conductie trece in banda de valenta de energie mai joasa emitand un foton de frecventa v=- ^ . h (12.14)

Din relatia (12.4) rezulta in lungimea de unda a radiatiei emise poate fi controlata prin largimea benzii interzise. Si in cazul emisiei (LED-uri, diode laser), semiconductorii de interes practic sunt cei cu gap direct din familia III-V.