Efectul

Hall

Nume: Vitel Diana

Stefania
Clasa A XII-aA
 Ce este efectul Hall?
 Efecte galvanometrice

 Ce sunt semiconductorii?

 Tipuri de semiconductori

 Cand apare efectul Hall?

 Aplicatii ale efectului Hall

 Efectul Hall este un efect galvanomagnetic observat pentru
prima dată de Edwin Herbert Hall în 1880. Acest efect constă
în apariția unui câmp electric transversal (denumit câmp
electric Hall EH) și a unei diferențe de potențial într-un metal
sau semiconductor parcurse de un curent electric, atunci când
ele sunt introduse într-un câmp magnetic, perpendicular pe
direcția curentului.
 Există două efecte galvanometrice transversale:
 efectul Hall

 efectul Ettingshausen, care apare simultan cu efectul

Hall şi constă în apariţia unei diferenţe de
temperatură în urma acţiunii câmpului magnetic
asupra purtătorilor de sarcină care întreţin curentul
într-o lamelă de material conductor sau semiconductor
şi normal pe direcţia de mişcare a acestora.
 Cele două efecte galvanometrice longitudinale
sunt:
 efectul de variaţie al rezistenţei în câmp magnetic

 efectul Ettingshausen-Nerst, care constă în apariţia

unei tensiuni electromotoare între două feţe ale unei
lamele rectangulare traversate de un flux termic
atunci când asupra acesteia acţionează un câmp
magnetic normal la direcţia fluxului termic. Acest efect
poate fi şi transversal
 Semiconductorii sunt materiale la temperatura
obişnuită se găsesc în stare solidă (germaniu, siliciu,
telur, seleniu sau compuşi ca: oxizi, sulfuri, seleniuri
ale diferitelor metale) Aceştia posedă aproximativ 1018
purtători de sarcină pe m3 şi au conductivitatea
electrică cuprinsă între 10-10 şi 103 ( m)-1.
 Conductivitate electrică a semiconductorilor este
aşadar mică, dar creşte cu temperatura şi este
puternic influenţată de defectele existente în
structura reţelei cristaline.
 Semiconductorii fără impurităţi se numesc şi
semiconductori intrinseci, iar cei cu
impurităţi se numesc şi semiconductori
extrinseci
 În cazul semiconductorilor intrinseci, între electronii atomului de
impuritate şi electronii atomului cristalului de bază au loc
legături covalente. Dacă atomii de impuritate au un număr de
electroni de valenţă mai mare ca atomul de bază, atomul de
impuritate cedează electronul şi poartă denumirea de atom donor,
rămânând sub formă de ion pozitiv legat în reţeaua cristalului.
Electronul necuplat al atomului de impuritate se mişcă în
semiconductorul în care este introdus pe o orbită foarte mare care
depăşeşte chiar valoarea constantei reţelei. Energia sa de ionizare
este foarte mică, ceea ce permite acestui electron să poată părăsi
cu uşurinţă orbita sa. Din punct de vedere energetic, totul apare
ca şi cum între zona de valenţă şi zona de conducţie, deci în zona
interzisă a cristalului există un nou nivel energetic permis,
denumit nivel adiţional (fig. 2.) ce este plasat mult mai aproape
de zona de conducţie, deoarece energia de activare a atomului de
impuritate este mult mai mică decât cea corespunzătoare
cristalului de bază
 Datorită acestui fapt, electronii de valenţă ai atomului de impuritate
trec cu uşurinţă în zona de conducţie a cristalului de bază, devenind
electroni liberi de conducţie. Conducţia electrică este de natură
electronică, de tip n.
 Dacă semiconductorul de bază este dopat cu impurităţi trivalente (de
ex. indiu), atunci atomul trivalent de impuritate capturează un
electron de la un atom învecinat, devenind un ion negativ legat în
reţeaua cristalului, generând un gol atomului reţelei de la care a
capturat electronul.
 Reprezentând energetic acest proces acceptor se observă apariţia
unui nivel permis adiţional între zona de valenţă şi zona de conducţie
a semiconductorului de bază, plasat însă în imediata vecinătate a
zonei de valenţă (fig. 3.). Prin trecerea unui electron din zona de
valenţă pe nivelul adiţional acceptor, în zona de valenţă apare un gol.
Acesta migrează în cadrul reţelei, constituind un purtător de sarcină
liberă pozitivă. Semiconductorii cu impurităţi acceptoare prezentând
o conductibilitate electrică prin goluri poartă denumirea de
semiconductori de tip p.
 Valoarea conductibilităţii electrice a unui semiconductor depinde de
ambele tipuri de purtători de sarcină.
 Efectul Hall apare întotdeauna când un conductor sau un
semiconductor, traversat de un curent electric, este supus acțiunii
unui cîmp magnetic perpendicular pe direcția curentului și se
manifestă prin apariția unei tensiuni, denumită tensiune Hall.
 Fie o lamelă străbătută de curentul I, care are o concentrație n în
purtătorii de sarcină. Sub acțiunea cîmpului magnetic, asupra fiecărui
purtător de sarcină q va acționa forța F=q*v*B datorită căreia aceștia
vor fi deviați după o direcție perpendiculară pe planul format
de v și B. Între aceste fețe va apărea o tensiune Hall UH, care va crea
un câmp EH=UH/b. Acest câmp dă naștere unei forțe FH=q*EH, care
se opune deplasării purtătorilor, iar la echilibru cele două forțe fiind
egale ca mărime, rezultă: qvB=qEH=qUh/b.
 Exprimând pe I în funcție de concentrația în purtători de sarcină și de
viteză acestora, adică: I=nqvab, se poate exprima valoarea lui v, care
da: UH=BI/nqa.
 Notând 1/nq=RH și denumind-o constanta Hall, se obține în
final UH=RHBI/a.
 Rezultă că din cunoașterea lui B,I și a se poate calcula valoarea constantei Hall, care
permite să se determine concentrația în purtători de sarcină în cazul diverșilor conductori
și semiconductori.
 După semnul constantei Hall se poate determina natura purtătorilor de sarcină din
conductori și semiconductori. Astfel, în cazul conductorilor și semiconductorilor de tip n,
R<subH<o, în timp ce pentru semiconductori p, RH>0.
 În cazul metalelor, purtătorii de sarcină fiind electronii liberi, constanta Hall ar trebui să
fie negativă. Determinările experimentale dau însă în cazul unor metale valori negative
pentru RH, în timp ce la alte metale dă valori pozitive pentru RH. Aceste rezultate nu
trebuie înțelese în sensul că există metale la care purtătorii de sarcină sunt pozitivi, ci în
cazul metalelor ce prezintă o constantă Hall pozitivă trebuie să se ia în considerare atât
influența rețelei cristaline asupra mișcării electronilor liberi, cât și a deficitului de
electroni din unele benzi energetice permise (cadmiu, cobalt, fier, zinc).
 Un calcul mai riguros al constantei Hall, ținând cont de influența retelei cristaline, dă o
valoare puțin diferită în comparație cu cea dedusă mai sus:RH=A/nq, unde A este o
constantă a cărei mărime depinde de structura cristalului și valoarea ei este cuprinsă între
1 și 2. În cazul unui semiconductor cu două tipuri de purtători de sarcină, se poate arăta
că valoarea constantei Hall este dată de formula:
 RH=pμ2p - nμ2n/e(pμp+nμn)2,
 unde p și n sunt concentrațiile purtătorilor de sarcină pozitivă, respectiv negativă, iar μp și
μn sunt mobilitățile purtătorilor.
 Fie că este vorba de conductori metalici sau de semiconductori,
tensiunea Hall poate să intrețină într-un circuit exterior un curent
electric, ceea ce permite realizarea de generatoare Hall. De
asemenea, efectul Hall poate fi folosit pentru măsurarea câmpurilor
magnetice, obținându-se traductorii Hall.
 Senzorii pe baza efectului Hall sunt folosiți pentru a măsura:
 Câmpurile magnetice;
 Intensitatea curenților electrici: senzori de curent.
 Senzorii de poziție fără contact, utilizată mai ales în automobile,
pentru detectarea poziției față de un ax de rotație (cutie de viteze...).
 Senzori Hall în sistemele de măsurare a vitezei în transportul
feroviar.
 Senzori Hall sub tastatura instrumentelor muzicale moderne (organe,
organe digitale, sintetizatoare), evitându-se astfel uzura, care este des
întâlnită la comutatoarele electrice convenționale.
 Efectul Hall este utilizat în domeniul sateliților artificiali, în special
la proiectarea elicelor acestor sateliți.