1.3. Dispozitive electronice de putere. Privire de ansamblu.

Pentru o mai u}oar@ ^n]elegere a modului de func]ionare a dispozitivelor electronice de putere, a locului }i rolului lor ^n structura convertoarelor statice, se prezint@ sintetic ^n cele ce urmeaz@, caracteristicile, capabilit@]ile ^n curent, tensiune }i vitez@ de comuta]ie ale acestora. Dispozitivele electronice de putere utilizate n cadrul convertoarelor statice func]ioneaz@ n regim de comuta]ie, blocate sau saturate (n stare complet deschis@), pentru a conferi echipamentului randamente energetice ridicate. Starea blocat@ se caracterizeaz@ prin tensiune mare la bornele de for]@ ale dispozitivului, f@r@ ca acestea s@ fie practic parcurse de curent electric, starea saturat@ fiind definit@ de prezen]a curentului electric prin dispozitiv, tensiunea la bornele de for]@ avnd n general valori de ordinul vol]ilor. Dispozitivele electronice de putere se pot clasifica, func]ie de modul n care pot fi comandate, n urm@toarele categorii: - a) necomadabile (f@r@ circuit de comand@); - b) semicomandabile; - c) complet comandabile.

1.3. - Dispozitive electronice de putere

11

AK

AK

v AK

i >0 G

v AK

Fig. 1.3 Simbolul diodei.

Fig. 1.4 Caracteristica ideal@.

Fig. 1.5 Simbolul tiristorului.

Fig. 1.6 Caracteristica ideal@.

Dioda de putere (fig. 1.3), a c@rei stare de conduc]ie este dictat@ doar de sensul curentului ce o str@bate de la anod (A) la catod (K), este un dispozitiv necomandabil. Caracteristica ideal@ curent - tensiune a diodei este prezentat@ n fig. 1.4. Acest dispozitiv electronic este prezent n toate convertoarele statice, fie cu rol de element redresor, fie cu rol de protec]ie. Dioda nu are circuit de comand@. Tiristorul (fig. 1.5) este un dispozitiv semicomandabil; starea sa de conduc]ie poate fi comandat@ doar n direc]ia blocat-saturat, n condi]iile n care n circuitul de comand@ gril@ (G) - catod (K) se aplic@ un curent pozitiv }i dac@ dispozitivul poate fi parcurs de un curent pozitiv de la anod (A) la catod (fig. 1.6). Starea saturat@ este p@strat@ }i dup@ anularea comenzii, blocarea tiristorului putndu-se realiza doar prin anularea curentului din circuitul de for]@. Tiristorul se utilizeaz@ n special n echipamente de interfa]are cu re]eaua de curent alternativ (redresoare, cicloconvertoare etc.) la nivele energetice mari. Convertoarele statice moderne (pentru ac]ion@ri electrice) nu mai utilizeaz@ practic acest element din cauza performan]elor sale dinamice sc@zute }i a caracterului s@u semicomandabil. Tiristorul GTO (fig. 1.7, 1.8) este un dispozitiv complet comandabil. Saturarea sa se realizeaz@ n mod similar cu tiristorul normal, blocarea fiind accesibil@ prin aplicarea unui curent negativ n circuitul de comand@. Acest dispozitiv se utilizeaz@ cu prec@dere n convertoare statice pentru ac]ion@ri electrice de puteri mari (trac]iune) }i la interfa]area convertoarelor statice cu re]eaua de curent alternativ.

12 Conversia static@ a energiei electrice - 1

i AK i >0 G i C i >0 B

G
i <0 G

C B
v AK

i =0 B

v CE

E
Fig. 1.7 Simbolul tiristorului GTO. Fig. 1.8 Caracteristica ideal@. Fig. 1.9 Simbolul Fig. 1.10 Caracteristica tranzistorului bipolar. ideal@.

Tranzistorul bipolar (fig. 1.9, 1.10) a fost practic elementul de baz@ al echipamentelor cu electronic@ de putere din deceniul al VIII-lea, la nivele energetice mici }i medii. Este un dispozitiv complet comandabil, comanda sa realiz$ndu-se prin intermediul unui curent aplicat n baz@ (B) n raport cu emitorul (E). Starea saturat@ se men]ine doar n prezen]a comenzii, tranzistorul bipolar blocndu-se la dispari]ia acesteia. Timpii de comuta]ie sunt inferiori dispozitivelor de tip tiristor, performan]ele dinamice fiind deci superioare. Tranzistorul bipolar nu poate func]iona dect n cadranul I, circuitul s@u de for]@ colector (C) - emitor (E) neputnd prelua tensiuni inverse fa]@ de polarizarea normal@. Tranzistorul MOS (fig. 1.11, 1.12) este un dispozitiv complet comandabil. Spre deosebire de elementele prezentate anterior, tranzistorul MOS solicit@ n circuitul de comand@ gril@ (G) - surs@ (S) semnale de tensiune. Din acest motiv puterea necesar@ n comand@ este practic nul@, ceea ce simplific@ sensibil circuitele aferente. Tranzistorul MOS are timpii de comuta]ie cei mai redu}i, fiind utilizat cu prec@dere n aplica]ii n care se impune frecven]@ de comuta]ie ridicat@, la mic@ }i medie putere. Tensiunea dren@ (D) - surs@ ^n stare saturat@ este mai mare relativ la celelalte dispozitive, motiv pentru care }i puterea disipat@ ^n stare deschis@ este relativ mare. Tranzistorul tip IGBT (fig. 1.13, 1.14) este, la scar@ industrial@, dispozitivul electronic complet comandabil al deceniului al IX-lea pentru echipamentele destinate ac]ion@rilor electrice. El posed@ calit@]ile tranzistorului MOS din punct de vedere al semnalelor de comand@ }i al timpilor de comuta]ie }i performan]ele tranzistorului bipolar n circuitul de for]@ (tensiune de satura]ie redus@, capabilit@]i superioare tensiune/curent).

1.3. - Dispozitive electronice de putere

13

D G

D v >0 GS V =0 GS v DS

C G

C v >0 GE V =0 GE v CE

Fig. 1.11 Simbolul Fig. 1.12 Caracteristica Fig. 1.13 Tranzistorul Fig. 1.14 Caracteristica tranzistorului MOS. ideal@. IGBT. ideal@.

Tiristorul cu poart@ MOS - MCT (fig. 1.15, 1.16) - este similar tiristorului tip GTO, dar cu facilit@]ile oferite de circuitul de comand@ MOS. MCT este un dispozitiv nou, cu variante comerciale recente. Modulele de putere (fig. 1.17) sunt ansambluri de dispozitive electronice de putere, de acela}i tip sau de categorii diferite, realizate ^ntr-o montur@ (capsul@) comun@. Nivelul de integrare (num@rul de componente dintro asemenea unitate) difer@ func]ie de aplica]ia pentru care a fost realizat modulul }i de nivelele energetice vehiculate. Aceast@ ultim@ limitare este impus@ de tensiunea de lucru, pentru evitarea str@pungerilor, }i de capacitatea capsulei de a evacua c@ldura datorat@ puterii disipate. In varianta de integrare cea mai evoluat@ modulul poate con]ine }i circuitele de comand@ }i protec]ie corespunz@toare; ^n acest caz se vorbe}te de Module Inteligente de Putere (Power Intelligent Modules PIM, fig. 1.17). O imagine sintetic@ asupra dispozitivelor de putere din punct de vedere al capabilit@]ilor }i aplica]iilor specifice este dat@ ^n fig. 1.18.
A

iA
N-MCT
vGK>0 vGK<0

vAK
Fig. 1.16 Carateristica ideal@.

Fig. 1.15 Simbolul tiristorului MCT.

14 Conversia static@ a energiei electrice - 1 Evolu]ia dispozitivelor electronice de putere, evident, nu se va opri aici. Dinamica tehnologiilor de realizare a acestora este deosebit@. Nivelele energetice c$t mai mari, cicuitele de comand@ c$t mai simple }i cu facilit@]i ^n special de protec]ie avansate, timpii de comuta]ie mici, vor fi obiective cu statut de permanen]@ la produc@torii de componente.

Fig. 1.17 Modul de putere cu 12 dispozitive semiconductoare (punte trifazat@, cu 6 tranzistoare + 6 diode).

Curent 104 [A]

Tiristoare

MOS
Circuite discrete de control
Circuite integrate de control

Transmisie de energie de |nalt~ tensiune, |n c.c. IGBT Trac\iune Ac\ion~ri electrice BJT Sudare

GTO

Iluminat Microunde

Filtre active `i compensatoare de energie reactiv~

Tensiune 104 [V]

106 Complexitate

Aparatur~ de uz casnic, surse, tehnic~ de calcul

Fig. 1.18 Aplica]ii ale dispozitivelor semiconductoare ^n func]ie de performan]e.

1.3. - Dispozitive electronice de putere

15

Bibliografie:
1. N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. Robbins - Power Electronics Converters, Applications and Design, John Wiley & Sons Inc., Edi]ia a 2-a, 1995; B.K. Bose - Modern Power Electronics - Evolution, Technology and Applications , IEEE Press, New York, 1992; B.K. Bose - Evolution of Modern Power Semiconductor Devices and Future Trends of Converters, IEEE-IA, vol.28, no.2, martie/aprilie 1992.

2. 3.