24 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2

2.2. Circuitul de comand@ al tiristorului cu stingere pe poart@ (gril@) - GTO

Tiristoarele tip GTO sunt dispozitive complet comandabile, n sensul c@ modificarea st@rii de conduc]ie (blocat/saturat) este realizabil@ ^n ambele sensuri prin intermediul circuitului de poart@. Deschiderea se ob]ine n mod similar cu tiristoarele obi}nuite, prin injectarea unui curent pozitiv n gril@ n raport cu catodul, considera]iile f@cute in paragraful 2.1 r@mnnd n ntregime valabile. Blocarea tiristorului tip GTO [12] se realizeaz@ la aplicarea n circuitul de poart@ (G)-(K) a unui impuls negativ de curent (fig. 2.11) de amplitudine IGRM }i durat@ tgq. Principalele componente ale timpului de blocare sunt: - a). timpul de stocare ts (storage time) care caracterizeaz@ iner]ia dispozitivului n r@spunsul la semnalul de comand@. El se m@soar@ din momentul aplic@rii semnalului de blocare pna cnd curentul anodic iT scade la 90% din valoarea sa din starea deschis@; - b). timpul de descre}tere tf (fall time), definit ca timpul necesar curentului anodic iT s@ scad@ de la 90% la 10% din valoarea sa ini]ial@. Simultan are loc cre}terea tensiunii anod - catod vD; - c). timpul de revenire tt (tail time) este durata de timp necesar@ pentru sc@derea curentului anodic iT de la 10% la 2% din valoarea sa ini]ial@. Tiristorul tip GTO are urm@torii parametri specifici procesului de blocare pe poart@: - a). Curentul anodic maxim controlabil de poart@ ITQM (sau ITAO) (peak controllable anode current, peak controllable on-state current) - reprezint@ valoarea maxim@ a curentului ^n conduc]ie direct@ care poate fi intrerupt@ fiabil prin comanda pe gril@. Valoarea acestui parametru se refer@ la o singur@ comuta]ie (n regim nerepetitiv) }i este specificat@ n catalog pentru Tvj = 125oC }i VD = (2/3)VDRM; - b). Curentul anodic maxim controlabil de poart@ n regim repetitiv ITQRM (peak repetitive controllable current) este valoarea maxim@ a curentului n conduc]ie direct@ care poate fi intrerupt@ fiabil n mod repetitiv (la o anumit@ frecven]@ f) prin aplicarea unui semnal negativ adecvat de comand@ pe poart@.

2.2. - Circuitul de comand@ al tiristorului GTO

25

iT
90%

2%
10% 90% 0

t ts tf tt t

iGR
tgq
0

diGR/dt IGRM

QGQ

Fig. 2.11 Curentul prin tiristor }i ^n circuitul de comand@ la blocare

Avnd n vedere faptul c@ la o func]ionare continu@ n regim de comutare pierderile n dispozitiv cresc, ITQRM este de regul@ mult inferior (uneori chiar de dou@ ori) curentului maxim ITQM; - c). Timpul de blocare tgq (}i componentele sale) specificat pentru un curent anodic egal cu ITQRM, la o temperatur@ a jonc]iunii Tvj =125oC. (Se mai utilizeaz@ nota]iile tdq pentru ts, trq pentru tf }i ttq pentru tt); - d). Sarcina stocat@ QGQ reprezint@ valoarea sarcinii electrice extrase din circuitul de poart@ n decursul intervalului tgq; - e). Factorul opera]ional de c}tig n curent la blocare Goff (operational turn-off gain) definit ca raportul dintre curentul anodic controlabil de poart@ n mod repetitiv }i amplitudinea curentului de gril@ (n general de valoare 3...10):

Goff =

ITQRM IGRM

(2.2.1)

Timpii ts, tf }i tt sunt de regul@ men]iona]i pentru valoarea specificat@ a m@rimii Goff. Odat@ cu cre}terea frecven]ei de comuta]ie se recomand@ realizarea bloc@rii (ct }i deschiderea) cu ajutorul unor impulsuri de curent de amplitudine ridicat@. Operarea la valori reduse ale c}tigului Goff prezint@ avantajul unui timp redus de comuta]ie avnd ca efect minimizarea pierderilor n acest regim.

26 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2 In fig. 2.12 sunt prezenta]i timpul de stocare ts }i curentul maxim de gril@ func]ie de curentul anodic ITQ; - f). Factorul maxim de c}tig n curent la blocare Goff(max) (peak turnoff gain) definit pentru valoarea minim@ IGRMmin a amplitudinii curentului de gril@ care mai poate asigura ntreruperea curentului anodic iT (de regul@ iT=ITQRM). Utilizarea tiristorului tip GTO la un asemenea c}tig conduce inerent la cre}terea timpului de blocare tgq n principal datorit@ cre}terii componentei de stocare ts; - g). Tensiunea invers@ maxim@ de poart@ VGRM (peak reverse gate voltage) este valoarea maxim@ a tensiunii negative aplicat@ ntre poart@ }i catod n vederea bloc@rii tiristorului tip GTO. Ea este limitat@ de tensiunea de str@pungere n avalan}@ BVGK (n general de ordinul 7...20V); - h). Rata de cre}tere a curentului invers de poart@ diGR/dt [A/ms] (rate of rise of reverse gate current) reprezint@ viteza de cre}tere cvasi-liniar@ a curentului negativ de gril@ de la valoarea zero la iGR=IGRM. O valoare mai mare a acesteia conduce la mic}orarea intervalului ts }i deci a timpului de blocare a dispozitivului. Valorile tipice ale acestei varia]ii sunt cuprinse ntre 1A/s si 30A/s.

ts[s]
30 25 20 15 10 5 0

IGRM [A]
600 500 400 300 200

diGR/dt=30A/s Tvj=125C

IGRM

ts

100

500 1000 1500 2000 ITQ [A]

Fig. 2.12 Timpul de stocare }i curentul maxim de blocare func]ie de curentul anodic.

2.2. - Circuitul de comand@ al tiristorului GTO

27

In mod similar tiristoarelor obi}nuite, tiristorul tip GTO prezint@ o caracteristic@ de poart@ pentru comanda deschiderii (n cadranul I) }i o a doua caracteristic@ de poart@ pentru blocare (n cadranul III) limitat@ de acelea}i m@rimi (dispersia caracteristicilor, temperatura }i puterea disipat@ maxim@ n circuitul de poart@ la blocare PRGM). Principial structura unui circuit de comand@ n gril@ a tiristorului tip GTO este prezentat@ ^n fig. 2.13. Alimentarea este asigurat@ de o surs@ dubl@ de tensiune (+VCC, -VCC) care genereaz@, cu ajutorul tranzistoarelor T1 }i T2 (cu func]ionare n contratimp) }i rezisten]elor a R11, R12 }i R2, curen]ii necesari comand@rii deschiderii sau bloc@rii dispozitivului. Condensatorul C1 realizeaz@ supracre}terea curentului de comand@ la deschidere. O alt@ schem@ de principiu, care utilizeaz@ o singur@ surs@ de alimentare, se compune de asemenea din cele dou@ tranzistoare cu rezisten]ele aferente, sursa de tensiune negativ@ necesar@ bloc@rii fiind realizat@ cu ajutorul condensatorului C a c@rui tensiune este limitat@ de dioda Zener DZ (fig. 2.14). Inc@rcarea condensatorului se realizeaz@ la comanda deschiderii (aplicnd un impuls de comand@ corespunz@tor pe baza tranzistorului T1), curentul pozitiv de poart@ fiind dat de expresia:

iGF (t) =

VCC - VCE1 - vc (t) - VGK R1

R11 R12 T1
R

(2.2.2)

+VCC

C1 GTO

comand on

T2 R2 -VCC

off

Fig. 2.13 Schema circuitului de comand@ n gril@ a tiristorului GTO cu dou@ surse de alimentare.

28 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2

+VCC R1 T1
comanda on

vCE1 C vc(t) GTO

T2 DZ R2

vGK

off

Fig. 2.14 Comanda tiristorului GTO cu o singur@ surs@ de alimentare.

Supracre}terea curentului de comand@ la deschidere se realizeaz@ implicit pe durata nc@rc@rii condensatorului C. Cnd pe circuitul comun de baz@ al tranzistoarelor T1 }i T2 se aplic@ impulsul de comand@ al bloc@rii tiristorului GTO (care are ca efect deschiderea lui T2 }i blocarea lui T1), se produce desc@rcarea condensatorului C pe circuitul de poart@, curentul de desc@rcare comandnd astfel comuta]ia. Condensatorul C se dimensioneaz@ astfel nct sarcina pe care o acumuleaz@ la deschiderea tiristorului GTO s@ poat@ produce blocarea:

C >

QGQ VDZ

I t IGRM t s = TQRM s VDZ G off VDZ

(2.2.3)

Stingerea tiristorului GTO reprezint@ procesul cel mai dificil de realizat din cauza nivelelor de curent n gril@ }i a ratei de cre}tere relativ mari ale acestuia la blocare. Din acest motiv este deosebit de important@ impedan]a sursei negative de alimentare -VCC }i, n general, a circuitului de stingere. O valoare mic@ a acesteia se realizeaz@ practic prin dispunerea de condensatoare de decuplare n apropierea dispozitivelor implicate n comandarea bloc@rii, scurtarea la minim a conductoarelor de leg@tur@ precum }i prin utilizarea unor comutatoare statice (T2) performante (tiristoare rapide, tranzistoare bipolare de comuta]ie sau MOS). In acela}i scop, n unele aplica]ii se nlocuie}te rezisten]a R2 cu o inductivitate prin intermediul c@reia se impune panta curentului de blocare.