2.3.

- Circuitul de comand@ al tranzistorului bipolar de putere

29

2.3. Circuitul de comand@ al tranzistorului bipolar de putere

Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive complet comandabile, care necesit@ pentru deschidere un curent pozitiv n circuitul baz@-emitor (B)-(E), iar pentru blocare un curent negativ (n cazul dispozitivelor tip NPN, la cele tip PNP semnele curen]ilor fiind inversate). Comanda este deci similar@ (principial) cu cea a tiristorului tip GTO, cu diferen]a c@ men]inerea st@rii deschise impune prezen]a permanent@ a comenzii. De asemenea, trebuie men]ionat faptul c@ tranzistorul bipolar poate s@ lucreze deschis n dou@ zone distincte [12]: - a). Zona de satura]ie - reprezentnd deschiderea total@ a dispozitivului, caracterizat@ printr-o tensiune VCEsat relativ mic@, de ordinul frac]iunilor de volt sau vol]ilor; - b). Zona liniar@ - pentru care exist@ o rela]ie de propor]ionalitate ntre curentul de baz@ iB }i curentul de colector iC:

iC = h FE i B

(2.3.1)

^n care hFE (common emiter static value of the forward current transfer ratio) reprezint@ factorul de amplificare al tranzistorului n montaj cu emitor comun, dependent de curentul de colector IC, tensiunea colector-emitor VCE }i de temperatur@ (fig. 2.15). Valoarea sa minim@ se nregistreaz@ la satura]ie. In electronica de putere intereseaz@ prima zon@ de func]ionare, avnd n vedere faptul c@ cea de-a doua se caracterizeaz@ printr-o putere disipat@ relativ mare pe dispozitiv. Timpii de comuta]ie corespunz@tori regimurilor tranzitorii dintre st@rile blocat@ }i saturat@ se definesc (pentru o sarcin@ rezistiv@) astfel (fig. 2.16): - a). timpul de ntrziere la deschidere td (delay time); - b). timpul de cre}tere tr (rise time); - c). timpul de stocare ts (storage time); - d). timpul de descre}tere tf (fall time); - e). timpul de revenire tt (tail time). Aceste intervale de timp depind de curen]ii de baz@ }i colector }i de tensiunea aplicat@ circuitului (fig. 2.17 n care ton=td+tr). In unele cazuri cataloagele specific@ timpii de comuta]ie }i pentru sarcin@ inductiv@.

30 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2

h FE
125 25
T
= case

BUR52
o

80

40

o -30 C

20

V =4V
CE 10 10
-1

10

10

Ic [A]

Fig. 2.15 Varia]ia factorului de amplificare hFE func]ie de curentul de colector }i temperatur@ la VCE dat.

Principalele m@rimi electrice ce caracterizeaz@ circuitul de comand@ al tranzistorului bipolar, pentru func]ionarea n regim de comuta]ie, sunt: - a). Tensiunea de satura]ie baz@-emitor VBE(sat) (base-emiter saturation voltage) reprezint@ valoarea c@derii de tensiune rezultat@ ^ntre baz@ }i emitor la aplicarea curentului de baz@ corespunz@tor IB(sat); aceast@ m@rime este dependent@ de curentul de colector IC, de factorul de amplificare hFE capabil s@ realizeze satura]ia }i de temperatur@; - b). Tensiunea maxim@ emitor-baz@ VEBO (emitter-base voltage with collector open), la IC=0, reprezint@ valoarea (maxim@) a tensiunii inverse baz@emitor aplicabil@ la comanda bloc@rii tranzistorului;
IC
90%

V CE td(on) tr

IC

V CE tt t ts

VCE sat dyn V CE sat tf

10%

IB IB
10%

t
-dIB/dt

-IBmax
Fig. 2.16 Timpii de comuta]ie ai tranzistorului bipolar.

2.3. - Circuitul de comand@ al tranzistorului bipolar de putere

31

- c). Curentul de baz@ IB (base current), furnizat ca valoare maxim@ }i de vrf IBM (base peak current), reprezint@ suportabilitatea circuitului de comand@. Forma de und@ a curentului de baz@ al tranzistorului este foarte important@, de aceasta depinznd utilizarea dispozitivului de comuta]ie la parametrii optimi. Astfel, comandarea intr@rii n satura]ie trebuie realizat@ cu un impuls de curent IB1, superior ca nivel (fig. 2.18) celui dictat de factorul de amplificare hFE corespunz@tor regimului sta]ionar (de satura]ie) din cauza curen]ilor de colector mai mari ^n regim dinamic (datora]i capacit@]ilor din circuit care se descarc@ prin tranzistor). La blocare, varia]ia curentului de baz@ - diB/dt trebuie men]inut@ ^ntre anumite limite pentru a p@stra tranzistorul n RBSOA (aria de func]ionare sigur@ la blocare) - fig. 2.19, ^n condi]iile ^n care se dore}te simultan realizarea unor timpi de comuta]ie redu}i. Extragerea rapid@ a sarcinii stocate din circuitul de comand@ are ca efect anularea prematur@ a curentului din emitor, curentul de colector corespunz@tor sarcinii r@mase n jonc]iunea baz@-colector fiind astfel nevoit s@ se ^nchid@ prin circuitul de baz@. Acest fenomen are ca efect cre}terea timpului de revenire tt cu implica]ii negative asupra puterii disipate pe dispozitiv. Circuitul de comand@ (principial), capabil s@ asigure forma de und@ optim@ conform celor men]ionate, este prezentat n fig. 2.20. Func]ionarea sa este similar@ comenzii ^n gril@ a tiristorului tip GTO, n sensul c@ elementele de comuta]ie static@ T1 }i T2 asigur@ polariz@rile corespunz@toare intr@rii n conduc]ie, respectiv bloc@rii tranzistorului comandat, prin intermediul rezisten]elor R11, R12 }i condensatorului C1, respectiv R2.
10 [s] 8 4 2 1 0.8 0.4 0.2 0.1 1 2
BUR52

h FE= 10
Vcc=100V Tcase=25 C
o

IB1

iB

ts

-di B /dt

t on tf
4 8 10 20 40 100

>t d+ t r

-I Bmax

I C[A] Fig. 2.17 Varia]ia timpilor de comuta]ie ai tranzistorului bipolar. Fig. 2.18 Forma optim@ de varia]ie a curentului de baz@.

32 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2

iC I CM -I
2 Bmax

-I Bmax
comanda

-I -I Bmax
0 1 2

3 Bmax 3

on

R R2

-I Bmax

-I Bmax

vCE VCEX

off

Fig. 2.19 Aria de func]ionare sigur@ la blocare.

Fig. 2.20 Schema de principiu a circuitului de comad@ n baz@ a tranzistorului bipolar.

Rezisten]a R2 poate fi nlocuit@, n vederea extragerii cu o varia]ie impus@ diB/dt a sarcinii stocate n circuitul de comand@ al tranzistorului, cu o inductan]@ L. Comanda cu o singur@ surs@ de alimentare este din nou similar@ cu cea prezentat@ la tiristorul tip GTO, o alt@ variant@ constructiv@ fiind ilustrat@ ^n fig. 2.21, n care sursa negativ@ de tensiune se ob]ine ca frac]iune din cea pozitiv@, prelevat@ cu ajutorul unui num@r de n diode (prin c@derea de tensiune corespunz@toare polariz@rii n sens direct a acestora) prin rezisten]a R3 }i filtrat@ cu ajutorul condensatorului C2.
R

R
comanda on

off

R D D

Fig. 2.21 Schema de comand@ cu o singur@ surs@ de alimentare.

2.3. - Circuitul de comand@ al tranzistorului bipolar de putere

33

Tranzistoarele bipolare de putere sunt superioare dispozitivelor de tip tiristor din punct de vedere al frecven]ei la care pot realiza comuta]ia (n general de ordinul kilohertzilor). Principalul interval de timp, limitativ n acest sens, este ts. Durata acestuia depinde n mod direct de curentul de baz@ injectat n vederea ob]inerii satura]iei. Schemele de comand@ prezentate anterior trebuie s@ asigure acest regim, indiferent de valoarea sarcinii (curentului de colector), evident cu ncadrare n limitele de suportabilitate ale dispozitivului. Acest fapt are implica]ii negative la curen]i mici de colector, cnd curentul de comand@ din baz@ este mult prea mare, conducnd la o sarcin@ stocat@ important@ }i la un timp de stocare apreciabil. De asemenea nu lipsit@ de importan]@ este puterea cerut@ de comand@, nejustificat de mare, n cazul n care tranzistorul nu lucreaz@ la curentul maxim de colector. Din acest motiv, n echipamente performante n care se dore}te utilizarea tranzistoarelor de putere la parametrii maximi }i la un randament ridicat din punct de vedere al comenzii, se folosesc circuite adaptive. Acestea realizeaz@ dozarea corespunz@toare a curentului de baz@, func]ie de curentul de colector, prin controlul tensiunii colector-emitor func]ie de tensiunea baz@emitor, men]inndu-se tranzistorul la limita regimului de satura]ie (S), n a}a numitul regim de cvasisatura]ie (CS), fig. 2.22 [13]. Practic, realizarea acestui obiectiv implic@ dotarea suplimentar@ a circuitelor de comand@ prezentate cu o re]ea de diode, conform fig. 2.23, din care rezult@ egalitatea evident@ (pentru tranzistorul comandat }i dioda D1 n stare deschis@):

VBE + VF(D2) + VF(D3) = VCE + VF(D1)

Ic
[A]
80 70 60 50 40 30 20 10 0

(2.3.2)

CS S

D1 ID1 D2 D3 IC IB T IB off D4 VBE VCE

7 VCE [V]

Fig. 2.22 Regimurile de satura]ie (S) }i cvasisatura]ie (CS) la tranzistorul bipolar.

Fig. 2.23 Circuit de prevenire a suprasatura]iei cu diode.

34 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2 Lund n considerare un tranzistor de 50A, cu VBE=1,2V la un curent de baz@ IB=6A, iar c@derea de tensiune pe o diod@ n conduc]ie VF0,7V, rezult@:

VCE = VBE + VF(D2) + VF(D3) - VF(D1) 1,9V

(2.3.3)

Cu alte cuvinte, cu ajutorul diodei D1 se preia n circuitul de colector surplusul curentului de baz@, men]inndu-se tensiunea colector-emitor la valoarea tensiuni baz@-emitor plus c@derea de tensiune pe o diod@ n conduc]ie. Dioda D4 asigur@ calea curentului negativ necesar bloc@rii dispozitivului. Configura]ia acestui circuit nu este standard, ea putnd fi modificat@ func]ie de cazul concret (parametrii tranzistorului }i ai diodelor utilizate), prin ad@ugarea sau scoaterea din montaj a unor diode (n special n serie cu baza). Sunt prezentate grafic n fig. 2.24 }i fig. 2.25 cteva aspecte comparative legate de utilizarea circuitelor de prevenire a suprasatur@rii tranzistoarelor bipolare. Dimensionarea montajului de prevenire a suprasatura]iei se realizeaz@ pe baza urm@toarelor considerente: - a). Dioda D1 trebuie s@ fie capabil@ s@ suporte tensiunile inverse ale tranzistorului comandat }i s@ dispun@ de timpi de comuta]ie redu}i (trr<200ns), n caz contrar str@pungerea sau ntrzierea sa la blocare putnd cauza distrugeri importante. De asemenea D1 trebuie s@ poat@ suporta curentul maxim de comand@ al tranzistorului (dac@ este utilizat@ schema principial@ de deviere), avnd n vedere faptul c@, la func]ionarea n gol, curentul de baz@ este foarte redus;

ts
[s]
5 saturat 4 3 2 1 cvasisaturat (o dioda) I = 6A I
B off

D60T, 25 C

= 6A

cvasisaturat (doua diode) 10 20 30 40 50

[A]

Fig. 2.24 Timpul de stocare pentru diverse configura]ii ale comenzii.

2.3. - Circuitul de comand@ al tranzistorului bipolar de putere

35

- b). D2 }i D3 suport@ n stare blocat@ doar c@derea de tensiune n sens direct a diodei D4, dac@ aceasta exist@ sau, cel mult, tensiunea invers@ aplicat@ la blocarea tranzistorului (5...10)V. Ele pot fi diode normale deoarece un timp de comuta]ie mai mare ajut@ la trecerea curentului negativ de baz@. Capabilitatea n curent a diodelor trebuie s@ fie IBM; - c). D4 asigur@ procesul de blocare. Tensiunea invers@ este mic@ (avnd n antiparalel diodele D2 }i D3), iar curentul ce o traverseaz@ este de scurt@ durat@ (practic ts). Schema principial@ prezentat@ n fig. 2.23, care poate fi utilizat@ }i ca atare, nu realizeaz@ dozarea puterii absorbite n comand@ ci doar devierea din baz@ a curentului suplimentar (curentul total I furnizat fiind constant), conform fig. 2.26. In fig. 2.27 este prezentat@ o variant@ de circuit de comand@ n care dozarea curentului de baz@ este realizat@ cu ajutorul tranzistorului T1. Rolul uneia din diode (D2 sau D3, fig. 2.23) este preluat de jonc]iunea baz@-emitor a acestui tranzistor, dioda D4 nefiind necesar@, deoarece T2 ac]ioneaz@ la blocare direct. Curentul deviat de aceast@ dat@ prin D1 este de hFE(T1) ori mai mic dect n schema de principiu, de la sursa de alimentare a comenzii fiind preluat practic numai curentul necesar n baz@. O posibil@ configura]ie a unui circuit de comand@ cu controlul satura]iei este prezentat@ n fig. 2.28, cu urm@toarele func]iuni: - separarea galvanic@ a comenzii prin optocuplor; - men]inerea tranzistorului de putere n regimul de cvasisatura]ie n vederea reducerii timpilor de comuta]ie la blocare }i a puterii necesare n comand@.
I

c [A]
50 40 30 20 10 0

saturat

D60T, 25 C I = 6A

[A]
6 5 4

D60T, 25 C

IB I D1

cvasisaturat

3 2 1

0.5

1.0

1.5

2.0

V [V]
CE

10

20

30

40

50

I C [A]

Fig. 2.25 Curentul }i tensiunea pe tranzistor la satura]ie }i cvasisatura]ie.

Fig. 2.26 Dozarea curentului de baz@ prin devierea curentului suplimentar.

36 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2

R R D
comanda on

D R R

off

Fig. 2.27 Prevenirea suprasatura]iei prin intermediul tranzistorului de comand@ T1.

Limitarea curentul injectat ^n baza tranzistorului comandat QBJT se face prin devierea unei p@r]i a curentului cu ajutorul diodei D1 ^ntr-un etaj superior din circuitul de comand@, atunci c$nd tensiunea corespuz@toare jonc]iunii colectoremitor (VCE) scade sub valoarea determinat@ de ^nsumarea c@derilor de tensiune pe jonc]iunile ^nseriate ^n baza tranzistorului QBJT;

4 R2 1k V4 +12V Rd 100 pin1 Xopto R3 2.7k 2 pin6 SW 101 300 pin2 R1 39k 3 R4 1.8k Q1 200 1 R6 2.7k 8 R5 3.3k 5

R7 150 7 Q2

R8 10

V1 C1 +12V 0.22

V3 +12V 16 Rs 4 13

11 D1 1N4148

R9 270 R10 6.2

Q3 D2 10 14

QBJT

12 Q4 15

0 V2 -5V

C2 0.1

R11 10

Fig. 2.28 Circuit de comand@ cu elemente discrete.

2.3. - Circuitul de comand@ al tranzistorului bipolar de putere

37

- blocarea cu tensiune negativ@ }i limitarea rezistiv@ a pantei curentului de blocare. Fi}ierul care descrie circuitul din fig. 2.28, destinat simul@rii numerice SPICE este prezentat ^n Aplica]ia 5, iar ^n continuare sunt redate principalele forme de und@ rezultate: cu dioda D1 conectat@ - fig. 2.29, cu dioda D1 neconectat@ n circuit - fig. 2.30. Analiznd comparativ rezultatele prezentate, sunt evidente performan]ele superioare din punct de vedere al reducerii timpului de stocare }i al puterii mai mici n comand@ (curent de baz@ mic) atunci cnd este folosit circuitul de men]inere n regimul de cvasisatura]ie (dioda D1 conectat@). Avantajele introduse de circuitele de prevenire a suprasatura]iei sunt nso]ite }i de un dezavantaj, uneori major: cre}terea tensiunii colector-emitor, VCE, n regim de cvasisatura]ie conduce la cre}terea puterii disipate pe tranzistor, astfel nct configura]ia optim@ a circuitului de comand@ trebuie aleas@ func]ie de aplica]ie. Leg@tura de propor]ionalitate ntre tensiunea VCE }i curentul de colector IC (fig. 2.31) este utilizat@ n unele circuite de comand@ n baz@ la implementarea protec]iei la suprasarcin@. Circuitul din fig. 2.32 supraveghez@ tensiunea VCE (pe durata conduc]iei) }i inhib@ comanda cnd aceasta dep@}e}te o anumit@ valoare.

Fig. 2. 29 Formele de und@ cu dioda D1 conectat@.

38 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2

Fig. 2.30 Formele de und@ cu dioda D1 neconectat@.

Dioda D5 are rolul de a separa acest circuit pe durata st@rii blocate a tranzistorului. De asemenea, la implementarea acestei protec]ii trebuie s@ se ]in@ seama }i de timpii de deschidere ai tranzistorului, impunndu-se o ntrziere corespuz@toare a momentului declan}@rii supravegherii, pentru a nu bloca n mod eronat comanda.
V CE(sat) [V]
1.5 h =10
FE

Rp
BUR52

R R 12 C 1 D D 2 3

11

BLOC PROTEC[IE m@sur@ VCE, c-d@ blocare, ^ntrziere. D5 T1

on

+V

CC

D1 T

1
125 25 -30
o o o

C C C

R T 2

0.5

off

0 10

-1

10

10

comanda

-V

CC

Ic [A]
Fig. 2.32 Circuit de protec]ie la

Fig. 2.31 Dependen]a dintre tensiunea

2.3. - Circuitul de comand@ al tranzistorului bipolar de putere colector-emitor }i curentul de colector.

C B

39

suprasarcin@.

T1

D1 T2
E

D 2

Fig. 2.33 Tranzistoare ^n conexiune Darlington.

Cele dou@ func]iuni (prevenirea suprasatura]iei }i protec]ia) sunt astfel combinate ntr-un circuit comun de comand@. Electronica de putere utilizeaz@ n mod frecvent cascadarea a dou@ tranzistoare n a}a-numita conexiune Darlington, n special la puteri mari, cu scopul mic}or@rii curentului de comand@ (fig. 2.33). Aceste montaje se pot executa de c@tre utilizator cu dispozitive distincte, dar se }i ^ncapsuleaz@ la produc@torii de componente, ^ntr-o singur@ unitate. Factorul de amplificare de ansamblu, , este n acest caz:

= hFE(T1) h FE(T2) + h FE(T1) + h FE(T2) h FE(T1) h FE(T2)

(2.3.4)

Dioda D2 sprijin@ blocarea ansamblului, curentul negativ fiind extras simultan din ambele circuite de baz@, iar dioda D1 protejeaz@ la polarizare invers@. Cascadarea poate utiliza }i trei tranzistoare, precum }i dispunerea unor rezisten]e n paralel cu circuitele baz@-emitor ale unit@]ilor, n vederea cre}terii amplific@rii , respectiv sc@derii timpilor de comuta]ie. In aceste condi]ii rela]ia (2.3.4) trebuie corectat@ corespunz@tor cazului concret. Se impune men]ionat faptul c@, n aceast@ conexiune, tranzistorul T2 func]ioneaz@ implicit n regim de cvasisatura]ie, tensiunea VCE(T2) fiind dat@ de rela]ia:

VCE(T2) = VCE(T1) + VBE(T2)

(2.3.5)

Pentru mic}orarea timpilor de comuta]ie (mai mari dect la tranzistoarele individuale) se practic@, }i n acest caz, prevenirea suprasatura]iei (pentru T1), circuitul aferent fiind similar. De asemenea se poate introduce protec]ia la suprasarcin@ prin m@surarea tensiunii VCE(T2).