40 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2

2.4. Circuite de comand@ pentru tranzistoare tip MOS }i IGBT

Tranzistoarele MOS sunt dispozitive complet comandabile, deschiderea realiz$ndu-se cu un nivel pozitiv de tensiune VGS ntre grila (G) }i sursa (S) cu condi]ia VGS > VGS(th) (gate-source threshold voltage), iar pentru blocare un nivel 0 (pentru tranzistoarele cu canal N, cele cu canal P avnd nivelele inversate ca semn). In mod similar tranzistorului bipolar, se nregistreaz@ }i n acest caz dou@ zone distincte de func]ionare n stare deschis@: - a). Zona de satura]ie, reprezentnd deschiderea maxim@, caracterizat@ printr-o rezisten]@ dren@ - surs@ rDS(on) relativ mic@ (de ordinul ohmilor la elemente de mic@ putere, respectiv frac]iuni de ohm la elemente de medie }i mare putere). M@rimea este dependent@ de tensiunea VGS (n general n jurul valorii de 10V) }i de temperatur@, fiind definit@ de rela]ia:

r DS(on) =

VDS (on) ID

(2.4.1)

- b). Zona liniar@, n care se nregistreaz@ o dependen]@ de direct@ propor]ionalitate ntre nivelele tensiunii de comand@ VGS }i curentul de dren@ ID, conform rela]iei:

gfs =

ID VGS

(2.4.2)

n care gfs reprezint@ factorul de amplificare. Din considerente similare, exprimate la tranzistorul bipolar, n electronica de putere se utilizeaz@ (evident, al@turi de starea blocat@) prima zon@ de func]ionare. Imaginea de ansamblu a leg@turii dintre intrare (VGS) }i ie}ire (ID) este furnizat@ n cataloagele firmelor produc@toare printr-o reprezentare grafic@ (fig. 2.34) avnd ca parametri tensiunea VDS }i temperatura. Importante la acest dispozitiv, n special pentru circuitele de comand@ n gril@, sunt capacit@]ile pe care tranzistorul MOS le prezint@ ntre terminale }i care sunt dependente de tensiunea VDS (fig. 2.35).

2.4. - Circuite de comand@ pentru tranzistoare MOS }i IGBT

41

In acest sens se definesc: - Cgd capacitatea gril@-dren@; - Cgs capacitatea gril@- surs@; - Cds capacitatea dren@-surs@; - Ciss = Cgd+Cgs (capacitatea de intrare); - Coss = Cgd+Cds (capacitatea de ie}ire); - Crss = Cgd (capacitatea de transfer).

V =10V 100
DS

MTE60N20

I DS
[A]

80 60 40 20
0 2 4

T = j o -55 C

25 C 100 C
o

10

[V]

V GS

Fig. 2.34 Caracteristica de transfer a tranzistorului MOS.

[pF] 800 600 400 200 C oss C 0 10

rss

MTE60N20
T j = 25 C f = 1 MHz V =0
GS o

C iss

20

30

40

50

V DS

[V]

Fig. 2.35 Capacit@]ile tranzistorului MOS.

42 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2

Fig. 2.36 Comuta]ia tranzistorului MOS.

Avnd prezentate aceste prime elemente poate fi analizat fenomenul de comuta]ie a tranzistorului MOS cu ajutorul circuitului prezentat ^n Aplica]ia 7 pentru simularea numeric@ ^n Spice. Formele de und@ ob]inute se reg@sesc ^n fig. 2.36. Se definesc timpii corespunz@tori [15]: - a). Timpul de ntrziere la deschidere td(on) (turn-on delay time), n care circuitul de comand@ ^ncarc@ capacitatea echivalent@ Ciss la tensiunea VGS(th). La sfr}itul acestui interval tranzistorul }i manifest@ tendin]a de deschidere; - b). Timpul de cre}tere tr (rise time), n care capacitatea Ciss este nc@rcat@ la tensiunea corespunz@toare satura]iei VGS(on), Coss se descarc@ de la tensiunea VDS=VDD (corespunz@toare st@rii blocate) la VDS=VDS(on) (n stare saturat@), iar curentul ID atinge valoarea sa maxim@. Datorit@ sc@derii tensiunii VDS are loc (fig. 2.35) modificarea (cre}terea) capacit@]ilor dintre terminale, cu influen]e att n forma tensiunii de comand@ VGS ct }i a varia]iei curentului ID; - c). Timpul de ntrziere la blocare td(off) (turn-off delay time) corespunde desc@rc@rii capacit@]ii Ciss de c@tre circuitul de comand@ la valoarea VGS(th);

2.4. - Circuite de comand@ pentru tranzistoare MOS }i IGBT

43

- d). Timpul de descre}tere tf (fall time) n care tensiunea VDS cre}te c@tre valoarea VDD, producnd modificarea corespunz@toare a capacit@]ilor tranzistorului. Coss se ncarc@ la sfr}itul acestui interval la tensiunea VDD. Proiectarea circuitelor de comand@ pentru tranzistoare MOS trebuie s@ ]in@ seama de urm@toarele considera]ii: a). Pragul de tensiune definit de VGS(th) variaz@ cu temperatura jonc]iunii (fig. 2.37); important@ este n primul rnd valoarea sa minim@ (la temperatura maxim@) care nu trebuie dep@}it@ de circuitul de comand@ n cazul n care se dore}te men]inerea st@rii blocate. Din acest motiv, ca }i pentru reducerea timpilor de comuta]ie }i evitarea unor comenzi false prin intermediul capacit@]ii Cgd (la cre}terea rapid@ a tensiunii VDS n regimul tranzitoriu de blocare) se practic@ }i varianta aliment@rii circuitului gril@-surs@ cu tensiune negativ@. Valoarea maxim@ a m@rimii VGS(th) trebuie dep@}it@ pentru asigurarea func]ion@rii la satura]ie }i ob]inerea n consecin]@ a unei rezisten]e RDS(on) mici (fig. 2.38); - b). Tensiunea de comand@ VGS nu poate dep@}i valorile maxim@ }i minim@ (negativ@) precizate de c@tre produc@tor. In cazul n care aceste valori pot s@ apar@ ele vor trebui s@ fie limitate, n general cu ajutorul unor diode Zener; - c). Impedan]a sursei care genereaz@ impulsul de comand@ trebuie s@ fie redus@ pentru a putea nc@rca rapid capacit@]ile proprii ale tranzistorului.
VGS(th) 1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 -50 -25 150 TJ [ C]
O

VGS = VGS ID = 1mA

25

50

75

100 125

Fig. 2.37 Varia]ia tensiunii de amorsare cu temperatura jonc]iunii gril@-surs@.

44 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2

rDS(on) []
1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0

VGS=10V

TJ=100OC

TJ=25OC TJ=-55 C
O

4.0

8.0

12

16

20

ID [A]

Fig. 2.38 Varia]ia rezisten]ei rDS func]ie de curentul de dren@ pentru tranzistorul MTM8N40.

In aceea}i ordine de idei, timpii de comuta]ie pot fi controla]i }i prin nserierea n circuitul gril@-surs@ a unei rezisten]e (n general ntre 10...50). Pe baza acestor considera]ii sunt prezentate n continuare variante de circuite de comand@ pentru tranzistoare MOS, cu elemente de circuit particularizate. Un circuit de comand@ pentru tranzistoare MOS, av$nd ca elemente principale dou@ tranzistoare bipolare ce lucreaz@ ^n contratimp, este prezentat ^n fig. 2.39. Deschiderea tranzistorului este ini]iat@ ^n timpul tranzi]iei pozitive a semnalului Vin. Amorsarea tranzistorului se face cu impuls tare , generat de circuitul RC din gril@, care furnizeaz@ }i tensiune negativ@ pentru stingerea rapid@ a acestuia.
+15V T1 Vin R R1 T2
220

C1 T

+V R2
470

Fig. 2.39 Circuit de comand@ cu tranzistoare bipolare.

2.4. - Circuite de comand@ pentru tranzistoare MOS }i IGBT

45

+V +15V 1:1
18 470

Vout T

T1

Fig. 2.40 Circuit de comand@ cu izolare galvanic@ prin transformator de impulsuri.

Pentru circuitul de comanda prezentat ^n fig. 2.40, se remarc@ dezavantajele ce ^nso]esc utilizarea transformatorului la semnale de comand@ cu factor de umplere mai mare de 33% sau la l@]ime de puls mic@. In primul caz se produce saturarea miezului, cu apari]ia v$rfurilor de curent ^n primar. In cea de-a doua situa]ie, inductivitatea transformatorului nu permite curentului de magnetizare Im s@ creasc@ destul de rapid, astfel ca nivelul energiei acumulate s@ fie suficient }i pentru stingerea tranzistorului MOS. Varianta prezentat@ ^n fig. 2.41 este cea mai utilizat@ ^n comanda tranzistoarelor MOS. Semnalul de comand@ este trimis prin optocuplor }i l@]imea pulsului nu mai este limitat@ nici superior nici inferior. Int$rzierile care apar ^n comand@ ^ns@ - cauzate de timpul relativ mare de deschidere al fototranzistorului datorit@ impedan]ei de sarcin@ mici a acestuia - introduc limitare ^n frecven]a de lucru a tranzistorului MOS. Circuitul din fig. 2.42 exemplific@ interfa]area cu circuite integrate CMOS. Datorit@ capabilit@]ii ^n curent mici a unui inversor CMOS, pentru a reduce timpii de comuta]ie, se recomand@ conectarea ^n paralel a mai multor astfel de celule (^n num@r de 6 ^ntr-o capsul@). Rezisten]a R1 este folosit@ pentru a echilibra capabilitatea ^n curent la amorsarea tranzistorului.

46 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2

+V Vcc

Vin

3.3k

100

Vout T

T2 T1
240 750 750

T3

15k

Fig. 2.41 Separare galvanic@ cu optocuplor ^n comanda tranzistorului MOS.

+10V +V R1 Vin 200 T

Fig. 2.42 Circuit de comand@ cu inversoare CMOS.

Pentru a ob]ine o mai mare vitez@ ^n comand@, au fost proiectate circuite integrate specializate. Unul dintre acestea este MC1472 (fig. 2.43) - care con]ine ^ntr-o capsul@ dou@ circuite de comand@ dedicate interfa]@rii logicii MOS cu elemente ce absorb un curent mare (relee, l@mpi, imprimante matriciale).

2.4. - Circuite de comand@ pentru tranzistoare MOS }i IGBT

47

+5V

+15V R1
25

+V

MC1472

T T1

Fig. 2.43 Circuit de comand@ cu integratul specializat MC1472.

Cum fiecare dintre cei doi tranzistori din etajul de ie}ire al integratului poate absorbi un curent de 300mA, timpul de blocare al tranzistorului este relativ redus. Rezisten]a de pull-up este dimensionat@ la o valoare minim@, astfel c@, pentru 25 la o surs@ de alimentare de 15V, se atinge capabilitatea ^n curent a ambelor tranzistoare de ie}ire ale circuitului de comand@. Inc@rcarea capacit@]ilor parazite ale tranzistorului MOS se face la curent mare, deci intrarea lui ^n conduc]ie are loc rapid. Circuitul integrat IR2110 este destinat comenzii a dou@ tranzistoare MOS (sau IGBT) "JOS", "SUS", dintre care unul ("SUS") are sursa flotant@ (max. 500V) n raport cu sursa de alimentare [16]. Schema bloc intern@ a circuitului, diagramele semnalelor de intrare/ie}ire }i aplica]ia tipic@ sunt prezentate n fig. 2.44 - 2.46 [16]. Circuitul "traduce" st@rile logice ale intr@rilor n semnale de comand@ corespunz@toare (fig. 2.45). Ie}irea "JOS" ("LO") se raporteaz@ la masa sursei de alimentare Vcc, iar ie}irea "SUS" ("HO") se raporteaz@ la masa (flotant@) a sursei de alimentare VBS. Ie}irile "LO" }i "HO" sunt n faz@ cu intr@rile logice "HIN" respectiv "LIN" (trigger Schmitt, compatibile CMOS }i LSTTL), avnd o capabilitate n curent de puls de minim 2A. Ambele ie}iri sunt aduse la zero printr-un nivel logic "1" aplicat intr@rii SD, p@strndu-}i starea pn@ la o nou@ reactivare a intr@rilor. In cazul n care tensiunile Vcc }i VBS sunt mai mici dect valorile limit@ minim@ admisibil@ (setate din construc]ia circuitului integrat), ie}irile sunt din nou aduse la zero, nl@turndu-se astfel posibilitatea furniz@rii unei comenzi incerte. Circuitul accept@ o tensiune de offset ntre VSS }i COM de 5V.

48 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2

Fig. 2.44 IR2110 - schema bloc intern@.

HIN LIN

SD

HO LO

Fig. 2.45 IR2110 - diagramele semnalelor de intrare/ie}ire.

Func]ionarea circuitului poate fi urm@rit@ pe baza fig. 2.46. Sursa de alimentare flotant@ se "formeaz@" din cea fix@, Vcc (10...20V), cu ajutorul unei diode rapide D }i al unui condensator C, a c@rui nc@rcare se produce atunci cnd tranzistorul "JOS" este deschis. Dioda D trebuie s@ suporte tensiunea HV de alimentare a etajului de putere; o valoare de 0,1F pentru condensatorul C este n general suficient@ pentru aplica]ii cu o frecven]@ de comuta]ie mai mare de 5kHz. Sursa Vcc este decuplat@ cu ajutorul unui condensator C' (0,1F ceramic n paralel cu 1F tantal).

2.4. - Circuite de comand@ pentru tranzistoare MOS }i IGBT

49

Hv

V DD
CONTROL

9 10 11 12 13

I R 2 1 1 0

7 6 5 3 2 1

C D C'
Vcc

Fig. 2.46 IR2110 - Schema de aplica]ie tipic@.

Tranzistoarele IGBT (Insulated Gate Bipolar Tranzistors) ^mbin@ calit@]ile tranzistoarelor MOS din punct de vedere al comenzii - impedan]a de intrare (de gril@) mare, deci putere necesar@ ^n comand@ mic@ }i timpi de comuta]ie mici (<1s), cu cele ale tranzistoarelor bipolare pe partea de for]@ tensiuni de satura]ie mici, capabilit@]i superioare ^n tensiune (peste 2kV) }i curent (sute de amperi). Se utilizeaz@ ^n aplica]ii de medie frecven]@ (1050kHz). Circuilete de comand@ ale tranzistoarelor IGBT sunt similare cu cele ale tranzistoarelor MOS. In cele ce urmeaz@ se va exemplifica modul de comand@ al tranzistoarelor IGBT utiliz$nd circuitul specializat IR2110 (fig. 2.47). Acesta asigur@ }i tensiune negativ@ de blocare pentru tranzistoarele IGBT T1 }i T2, ^n vederea evit@rii amors@rilor accidentale. Tensiunea negativ@ se ob]ine direct pentru sursa fix@ }i indirect, printr-o diod@ stabilizatoare }i o rezisten]@ R, pentru sursa flotant@. Valoarea acestei rezisten]e este dependent@ de tensiunea de alimentare HV. Astfel pentru o tensiune HV=311V a fost determinat@ experimental R=47k. Puterea acestei rezisten]e depinde de frecven]a de lucru }i de factorul de umplere al semnalului de comand@. In cazul sus men]ionat o putere de 2W este acoperitoare. Intr@rile de comand@ sunt activate de un circuit logic de generare a impulsurilor }i de protec]ie. Acesta trebuie s@ asigure evitarea comenzilor simultane ale celor dou@ tranzistoare, implementarea timpului mort, protec]ia la supracurent etc.

50 Comanda dispozitivelor electronice de putere - 2

+HV +12V 9 VB 6 V DD HO 7 100nF 5 +12V 3 1 2 100nF 100nF T2 R -5V BA159 1F

T1

100F HIN SD LIN 10 11 12 13

IR2110
HIN SD LIN V SS V S

DZ4V7

Sarcina

V CC LO COM

-5V

Fig. 2.47 Comanda tranzistoarelor IGBT cu circuitul IR2110.