80 Protec]ia dispozitivelor electronice de putere - 3

3.4. Circuite de protec]ie pentru tranzistoare

Pentru a demonstra utilitatea unor astfel de circuite de protec]ie se va porni de la schema convertorului din fig. 3.7a ^n care sunt eviden]iate inductivit@]ile parazite. Dispozitivul de comuta]ie se consider@ a fi un tranzistor bipolar ^ns@ demostra]ia poate fi extins@ }i la tranzistoare MOS, IGBT }i tiristoare GTO. In starea ini]ial@ (fig. 3.7c) tranzistorul conduce }i este parcurs de un curent iC=I0. La blocare (t=t0) tensiunea pe dispozitiv ^ncepe s@ creasc@ ^ns@, datorit@ inductivit@]ilor parazite, curentul r@m$ne neschimbat p$n@ ^n momentul t1 c$nd intr@ ^n conduc]ie dioda. Din acest moment curentul prin tranzistor scade cu panta determinat@ doar de caracteristicile elementului }i de circuitul de comand@. Tensiunea pe dispozitivul de comuta]ie are expresia:

v CE = Vi L

di C dt

(3.4.1)

unde L=L1+L2+ Prezen]a inductivit@]ilor parazite genereaz@ supratensiuni dac@ diC/dt este negativ. La t3, odat@ cu sc@derea curentului prin dispozitiv, tensiunea colector-emitor atinge valoarea Vi la care r@m$ne. La deschidere (t4), curentul prin tranzistor ^ncepe s@ creasc@ cu panta impus@ de caracteristicile dispozitivului. Ecua]ia (3.4.1) este valabil@ }i pentru acest regim tranzitoriu, cu observa]ia c@ panta curentului este de aceast@ dat@ pozitiv@, deci tensiunea colector-emitor vCE este u}or mai mic@ dec$t Vi. Datorit@ curentului de revenire al diodei de fug@, iC este mai mare dec$t I0. Dioda se blocheaz@ la t5, iar tensiunea pe tranzistor se anuleaz@ la t6 cu panta determinat@ de caracteristicile constructive ale acestuia. Locul geometric al punctelor de func]ionare pentru tranzistorul ^n comuta]ie descrie curbele din fig. 3.7b. Cu linie ^ntrerupt@ este reprezentat locul geometric pentru cazul ideal, ^n care inductivit@]ile parazite }i curentul de revenire al diodei sunt nule.

3.4. - Circuite de protec]ie pentru tranzistoare

81

+ L5 Vi

L1

L2 Io

iC t6 t0

t5

Circuit ideal

Cd T _
a).

L3

t1 Deschidere t4 Blocare t3 vCE

L4
b).

Vi

c). Fig. 3.7 a). Convertor cu inductivit@]ile parazite explicitate; b). Comuta]ia tranzistorului; c). formele de und@ la deschidere }i blocare.

Se observ@ solicitarea tranzistorului ^n curent }i tensiune at$t la deschidere c$t }i la blocare, rezult$nd v$rfuri de putere disipat@ ^n dispozitiv. Inductivit@]ile parazite determin@ supratensiuni peste valoarea Vi, iar curentul de revenire al diodei genereaz@ supracurent peste valoarea I0, f@c$nd necesare circuitele de protec]ie pentru reducerea acestor solicit@ri. Pentru simplificarea analizei func]ion@rii ansamblului tranzistor - circuit de protec]ie, se presupune c@ varia]ia curentului prin tranzistor este liniar@, cu o pant@ di/dt constant@, determinat@ doar de propriet@]ile constructive ale dispozitivului }i de circuitul lui de comand@. De asemenea se consider@ c@ panta di/dt (care poate fi diferit@ la intrarea ^n conduc]ie de cea de la blocare) nu se modific@ prin introducerea circuitului de protec]ie.

82 Protec]ia dispozitivelor electronice de putere - 3

3.4.1. Circuite de protec]ie la blocare

Pentru evitarea problemelor inerente bloc@rii (supratensiuni, v$rfuri de putere disipat@ ^n tranzistor) circuitele de protec]ie la blocare au rolul de a controla tensiunea la bornele dispozitivului pe durata comuta]iei acestuia. Acest scop poate fi atins prin conectarea unei re]ele RCD ca ^n fig. 3.8a, unde inductan]ele parazite s-au neglijat pentru simplificare. Inainte de blocare, curentul prin tranzistor este I0 iar tensiunea ^n conduc]ie aproape nul@.
+ iDf Vi

Df

Io

Df

Io

Ds Rs Cs
a).

Vi iC _ Cs
b).

ic

ic

ic

iDf tfi iCs

iDf tfi iCs

iDf tfi iCs

Vi vCs C s mic

Vi vCs C s = C s1

Vi vCs C s mare

c). Fig. 3.8 a). Circuitul de protec]ie pentru tranzistor; b). circuitul echivalent ^n comuta]ie; c). formele de und@ la blocare ^n func]ie de valoarea capacit@]ii Cs din circuitul de protec]ie.

3.4. - Circuite de protec]ie pentru tranzistoare

83

La blocare, ^n prezen]a circuitului de protec]ie, curentul prin tranzistor scade cu panta di/dt, diferen]a I0-iC ^nc@rc$nd condensatorul din circuitul de protec]ie prin dioda Ds (fig. 3.8b). Pentru un timp de c@dere a curentului tfi, curentul prin condensator poate fi scris:

i Cs = I o

t t fi

0 < t < t fi

(3.4.2)

Curentul iCs prin condensator este zero ^nainte de momentul t = 0 c$nd se d@ comanda de blocare pentru tranzistor. Tensiunea pe condensator este egal@ cu cea de pe tranzistor at$ta timp c$t dioda Ds este deschis@:

v Cs = v CE =

I0t2 1 i dt = Cs Cs 2C s t fi 0

(3.4.3)

Rela]ia de mai sus este valabil@ ^n intervalul de sc@dere a curentului, at$ta timp c$t tensiunea pe condensator este mai mic@ sau cel mult egal@ cu Vi. Formele de und@ pentru trei valori ale condensatorului Cs din circuitul de protec]ie sunt schi]ate ^n fig. 3.8c. Pentru valori mici ale lui Cs, tensiunea la bornele acestuia atinge valoarea Vi ^nainte ca iCs s@ ajung@ la zero. In acest moment intr@ ^n conduc]ie dioda Df }i limiteaz@ tensiunea pe condensator }i la bornele tranzistorului la valoarea Vi, iar curentul iCs prin condensator scade brusc la zero datorit@ faptului c@ tensiunea vCs se men]ine la valoarea Vi (dvCs/dt este nul@). O valoare a capacit@]ii Cs = Cs1 determin@ tensiunea vCs s@ ating@ valoarea Vi exact ^n momentul ^n care curentul iCs ajunge la zero, adic@ dup@ parcurgerea tfi. Cs1 se calculeaz@ ^nlocuind t = tfi }i vCs = Vi ^n rela]ia (3.4.3):

C s1 =

I 0 t fi 2 Vi

(3.4.4)

Pentru valori mari ale capacit@]ii Cs > Cs1, formele de und@ din fig.3.8c arat@ c@ tensiunea la bornele Cs cre}te ^ncet }i timpul de cre}tere (^n care se atinge valoarea Vi) este mai mare dec$t tfi. Pentru t > tfi curentul prin condensator este I0 }i tensiunea pe tranzistor cre}te liniar la Vi. Locul geometric al punctelor de func]ionare ^n procesul de blocare pentru cele 3 valori ale Cs este prezentat ^n fig. 3.9. Pentru dimensionarea c$t mai precis@ a circuitului de protec]ie trebuie luat@ ^n considerare comportarea ansamblului tranzistor-circuit de protec]ie la blocare pe durata fenomenului tranzitoriu de deschidere (turn-on).

84 Protec]ia dispozitivelor electronice de putere - 3

iC I0 Cs=0 Cs mic
RBSOA

Cs=Cs1
Cs mare Vi
Fig. 3.9 Blocarea tranzistorului ^n func]ie de valoarea capacit@]ii din circuitul de protec]ie.

vCE

Pentru a ^n]elege comportarea ^n acest regim, se presupune c@ circuitul de protec]ie este pur capacitiv (nu con]ine rezisten]a Rs }i nici dioda Ds) ca ^n fig. 3.10a. La fel ca }i la blocare, se consider@ panta curentului diC/dt constant@. Suprafa]a ha}urat@ din fig. 3.10a reprezint@ sarcina acumulat@ ^n condensator care se descarc@ ^n tranzistor la deschiderea acestuia }i este propor]ional@ cu valoarea condensatorului Cs. In absen]a condensatorului, tensiunea vCE ar atinge valoarea zero imediat dup@ comanda de deschidere (reprezentat@ cu linie ^ntrerupt@ ^n fig. 3.10a) }i astfel energia dispat@ ^n tranzistor pe durata deschiderii ar fi foarte mic@. In prezen]a condensatorului, timpul de c@dere a tensiunii se m@re}te, deci apar pierderi suplimentare ^n dispozitivul de comuta]ie, exprimate prin:

WQ =

t ri + t rr

i C v CE dt =

t2

t ri + t rr

i Cs v CE dt +

t2

t ri + t rr

v CE dt

(3.4.5)

Primul termen din partea dreapt@ define}te energia stocat@ ^n condensator, care se disip@ pe tranzistor la deschidere. Cel de-al doilea termen reprezint@ energia suplimentar@ disipat@ ^n tranzistor, datorat@ m@ririi timpului de c@dere a tensiunii vCE ^n prezen]a condensatorului Cs }i care ^n mod frecvent este mai mare dec$t primul termen. Ad@ug$nd la circuitul de protec]ie }i rezisten]a aferent@ Rs, se ob]in formele de und@ din fig. 3.10b.

3.4. - Circuite de protec]ie pentru tranzistoare

1

85

+
2

Df

trr

Io

Cs se descarc@

Vi Io-iC T _
0

vCE Vi 0 iC
a). vCE

Cs

I0 t2

tri

tri+trr

+ iDf Vi

trr A

Df

Io

Vi

Irr

Ds Rs Cs

iDf Vi 0 iC 0 tri Irr I0

detaliu A

v Cs ( t = 0) Vi = Rs Rs
b). Fig. 3.10 Efectul condensatorului din circuitul de protec]ie la deschiderea tranzistorului - a). ^n absen]a rezisten]ei Rs; b). ^n prezen]a rezisten]ei Rs.

86 Protec]ia dispozitivelor electronice de putere - 3 In acest caz, spre deosebire de func]ionarea cu circuit de protec]ie pur capacitiv, tensiunea scade la zero aproape instantaneu, deci nu apar pierderi suplimentare de energie ^n tranzistor datorate circuitului de protec]ie. Energia din condensator, care se disip@ de aceast@ dat@ prin rezisten]a circuitului de protec]ie, este dat@ de rela]ia:

C s Vi2 WR = 2

(3.4.6)

In fig. 3.10b, rezisten]a din circuitul de protec]ie trebuie aleas@ astfel ^nc$t v$rful de curent prin ea s@ fie mai mic dec$t curentul de revenire Irr al diodei de fug@:

Vi < I rr Rs

(3.4.7)

In general curentul Irr se limiteaz@ la 0,2I0 sau chiar mai jos, deci rel. (3.4.7) devine:

Vi = 0,2I 0 Rs

(3.4.8)

Se pot observa urm@toarele efecte: - toat@ energia stocat@ ^n condensator se disip@ ^n rezisten]@, protej$nd astfel dispozitivul de comuta]ie; - nu mai apar pierderi suplimentare ^n tranzistor, la deschidere, datorate circuitului de protec]ie la blocare; - v$rful de curent pe care tranzistorul trebuie s@-l suporte nu este m@rit ^n prezen]a circuitului de protec]ie la blocare. Pentru o mai bun@ dimensionare a circuitului de protec]ie, este util@ reprezentarea grafic@ a energiei disipate ^n tranzistor la blocare }i pierderile ^n rezisten]a Rs ^n func]ie de Cs (fig. 3.11). In conformitate cu cele de mai sus, curbele ob]inute nu depind de valoarea rezisten]ei Rs. Condensatorul Cs se alege astfel ^nc$t punctul de func]ionare la blocare s@ se p@streze ^n a}a numita arie de func]ionare sigur@ la polarizare invers@ }i pierderile ^n tranzistor s@ fie reduse - din considerente legate de r@cirea capsulei. Odat@ dimensionate rezisten]a Rs din circuitul de protec]ie ^n baza ecua]iei (3.4.8) }i condensatorul Cs pe baza celor discutate anterior, se verific@ dac@ Cs se poate desc@rca p$n@ la o valoare sc@zut@ (0,1Vi) ^n intervalul de timp c$t tranzistorul este deschis pentru a fi preg@tit pentru o nou@ perioad@ de func]ionare.

3.4. - Circuite de protec]ie pentru tranzistoare

87

WT 1 Vi I 0 t f 2
Wtot=WR+WT WR

0 0,5 1

WT Cs/Cs1

Fig. 3.11 Energia disipat@ pe un tranzistor bipolar ^n comuta]ie }i pe rezisten]a din circuitul de protec]ie ^n func]ie de capacitatea Cs.

Desc@rcarea condensatorului pe perioada tranzistorului se face cu constanta de timp c = RsCs:

st@rii

deschise (3.4.9)

v Cs = Vi e t / c t on > 2,3 R s C s

deci timpul necesar ca tensiunea pe condensator s@ ajung@ la 0,1Vi este: (3.4.10) Pentru Cs = Cs1 si Rs determinat cu rela]ia (3.4.8), timpul minim de conduc]ie ton trebuie s@ fie de cel pu]in 6 ori mai mare dec$t timpul de c@dere a curentului prin tranzistor tfi.

3.4.2. Circuite de protec]ie la supratensiuni pentru tranzistoare

La tratarea circuitelor de protec]ie la blocare, inductivit@]ile parazite din convertor au fost neglijate, deci }i supratensiunile generate de acestea la stingerea curentului prin tranzisor. Protec]ia la supratensiuni poate fi ob]inut@ cu circuite de tip RCD ca cel din fig. 3.12a, ^n care s-a considerat c@ inductan]ele parazite se pot ^nlocui printr-o inductan]@ echivalent@ (rel. 3.4.1).

88 Protec]ia dispozitivelor electronice de putere - 3 La momentul ini]ial tranzistorul este deschis, iar tensiunea vC0V la bornele condensatorului din circuitul de protec]ie la supratensiuni este egal@ cu Vi (condensatorul este pre^nc@rcat). La blocare, presupun$nd c@ timpul de anulare a curentului prin tranzistor este foarte mic, curentul prin inductan]a L se men]ine la valoare I0, curentul de sarcin@ ^nchiz$ndu-se prin dioda de fug@ Df. Pentru aceast@ stare, circuitul echivalent este prezentat ^n fig. 3.12b, unde dioda Df este scurtcircuitat@, iar tranzistorul este blocat. Energia ^nmagazinat@ ^n inductan]ele parazite se transfer@ acum prin intermediul diodei Dov ^n condensatorul Cov, pe care ^l ^ncarc@. Tensiunea la bornele acestuia cre}te dep@}ind valoarea Vi.
L + iDf Df Vi Cd Dov
Vi _ Cov L L iL + VCov _

Io Rov
+ Dov Rov + Vi _

Cov + Vi _

Cov _
a). b).

c).

LCov se |ncarc~

RovCov se descarc~

kVi iL Vi vCE 0 tfi

d). Fig. 3.12 a). Circuit de protec]ie la supratensiuni; b),c). circuite echivalente la blocarea tranzistorului; d). tensiunea colector-emitor ^n absen]a }i prezen]a circuitului de protec]ie.

i L

Vi

vCE 0

3.4. - Circuite de protec]ie pentru tranzistoare

89

Supratensiunea VCov ^n aceast@ stare apare }i la bornele tranzistorului: VCov=VCE }i se poate determina ^nlocuind condensatorul pre^nc@rcat cu un circuit echivalent ca ^n fig. 3.12c, cu rela]ia:
2 L I2 C ov VCE max = 0 2 2

(3.4.11)

Ecua]ia de mai sus arat@ c@ o valoare mare a condensatorului Cov ar minimiza supratensiunea VCEmax. Odat@ curentul prin inductan]@ ajuns la zero, condensatorul se descarc@ prin rezisten]a Rov cu constanta de timp RovCov, care trebuie s@ fie suficient de mic@ ^nc$t tensiunea pe Cov s@ scad@ p$n@ la aproximativ Vi, f@c$nd astfel circuitul de protec]ie func]ional ^nainte de urm@toarea blocare a tranzistorului. De folos ^n corecta estimare a valorii condensatorului Cov pot fi reprezent@rile grafice din fig. 3.12d pentru formele de und@ ^n absen]a }i prezen]a circuitului de protec]ie la supratensiuni. Supratensiunea exprimat@ ca }i kVi este utilizat@ la estimarea inductivit@]ilor parazite din circuit:

kVi =

L I 0 t fi

(3.4.12)

Dac@ se poate accepta ^n circuit o supratensiune de 0,1Vi, ^nlocuind L din rela]ia (3.4.12) se ob]ine pentru Cov:

C ov =

10kI 0 t fi Vi

( VCE max = 0,1Vi )

(3.4.13)

Relativ la valoarea lui Cs1 determinat@ cu rela]ia (3.4.4), se ob]ine:

C ov = 200kC s1

(3.4.14)

de unde se observ@ c@ pentru protec]ia la supratensiuni capacitatea din circuitul de protec]ie este semnificativ mai mare dec$t ^n cazul circuitului de protec]ie la blocare. Se poate demonstra c@ de}i Cov este a}a de mare, pierderile de energie care apar ^n rezisten]a Rov sunt comparabile cu cele din rezisten]a circuitului de protec]ie la blocare.