1

Diode semiconductoare. Principiul de funcionare. Diagrame energetice. Relaiile de baz. Diode redresoare.
Diode varycap. Diode Zener. Parametrii de baz i utilizarea diodelor n circuite electronice.
Diodele semiconductoare s/t dispozitivele electronice formate dintr-o jonciune p-n i dou contacte ohmice (metal
semiconductor). n f-ie de structura i de profilul de dopare cu impuriti a domeniilor semiconductoare rezult o
serie de prioriti specifice puse n eviden la jonciunea pn.
O jonciune p-n se obine impurificnd un monocristal semiconductor a.. o regiune s/c de tip p se nvecineaz cu o
regiune s/c de tip n.

Principiile de funcionare i diagramele energetice.
Presupunem c avem o structur ce reprezint un singur corp solid. Putem avea 2 cazuri.
1. jonciune simetric (N
d

= N
a
).
n structura p-n cercetat concentraia golurilor n regiunea p e/e m/mare dect n regiunea n (p
p
> p
n
), iar
concntraia electronilor n regiunea n e/e m/mare dect n regiunea p (n
n
> n
p
). Datorit diferenei mari de
concentraie, electronii din regiunea n vor difuza n reg. p, iar golurile din regiunea p vor difuza n regiunea n. Difuzia
golurilor i electronilor determin apariia de o parte i de alta a interfeei a unei sarcini spaiale fixe, datorat
atomilor de impuriti ionizai. n regiunea sarcinii spaiale apare un c.el. orientat de la n la p. C.el. se opune
deplasrii purttorilor majoritari i ca urmare procesul de difuzie e/e atenuat. C.el. favorizeaz deplasarea purttorilor
minoritari, a.. apare un curent de cmp invers curentului de difuzie. Intensitatea cmpului e/e sczut datorit num.
redus de purttori minoritari. Se stabilete astfel un echilibru dinamic ntre curenii de difuzie datorai purttorilor
purttorilor majoritari i curenii de cmp datorat purttorilor minoritari. Echilibrul dinamic se menine i la
schimbarea t
0
. Datorit difuziei la interfaa celor 2 zone apare o diferen de potenial numit barier de potenial.


Fig.1. Diagramele

Diagrama energetic a jonciunii p-n n stare de echilibru.

Fig.2
1-curentul de difuzie p/u purttorii n
n
i e/e e*D
n
(dn / dx)
2-curentul de difuzie p/u purttorii p
p
i e/e p*D
p
(dp / dx)
3-curentul de drift p/u purttorii p
n
i e/e e*n
p
*
n
*E
4- curentul de drift p/u purttorii n
p
i e/e e*p
n
*
p
*E


2
5-curent de scurgere I
0

Ecuaia de electroneutralitate: I
k
= 0

Jonciunea p-n e/e polarizat direct dac se aplic plusul tensiunii externe pe regiunea p i minusul pe reg. n
(fig.3,a). Tens. aplicat d natere unui cmp Eext cu sensul de la + la -, c/e se suprapune cmpului intern i-l
micoreaz. Cmpul favorizeaz trecerea purttorilor majoritari, ceea ce duce la creterea curentului de difuzie.
dx
dp
D e
dx
dn
D e I
p n
dir
n p
=

Fig.3
Cu creterea tensiunii U
C
scade (
C
eU) (fig.3,b), rezistena jonc. scade, iar curentul I o s creasc brusc. Tens.
real la c/e se deschide dioda este (0,21)V.
CVA a VD la pol. dir..


I=I
o
(e
eU/kT
1) (1) - rel pentru curentul ce curge prin diod la polarizare direct.

Jonciunea p-n polarizat indirect. Dac plusul tens. exterioare se apl. pe reg. n i minusul pe reg. p, jonc. pn e/e pol.
indir.. Tens. aplicat d natere la un cmp Eext cu dire. ce coincide cu dir. cmpului inter. C. extern micoreaz cur.
de difuzie datorat purttorilor majoritari. Deplasarea purtt. minoritari aflai n num. redus e/e favorizat de cmpul
rezultant, ns cur. de cmp rmne practic const..
Dac se aplic o tensiune negativ e
eU/kT
0 i I = I
o
(2) unde I
0
curent de scurgere (fig.5)




3
Fig.5

I
o
= en
p

n
E + ep
n

p
E (3)
Curent de scurgere format de purttorii minoritari de sarcin.

Caracteristica tens.-cur. p/ru jonciunile reale e/e prezent. n fig. 6. La creterea t
0
T, se majoreaz i val. cur. ce trece
prin diod. La pol. invers, cmpul electric n regiunea de trecere poate lua valori mari, la care apare procesul de
multiplicare n avalan sau efectul tunel, procese ce determin creterea rapid a curentului de scurgere deci
strpungerea jonciunii p-n.





Diode redresoare
Dioda redresoare utiliz. propriet. jonciunii p-n de a conduce curentul practic numai atunci cnd e/e pol. direct
i e/e utilizat p/u redresarea cur. alternativ. O VD redresoare ideal are o rezisten egal cu zero dac e pol. direct i
o rezisten infinit la pol. invers. Caracteristica cur.-tens. a unei diode redresoare ideale e/e prezentat n fig.7,a.
VD redresoare se construiesc din Ge sau Si i pentru a face o comparaie ntre ele se prezint fig.8. Circuitul de
cuplare a VD redresoare i diagramele energetice corespunztoare snt date de n fig. 9 a,b.


Fig.7


P/u a realiza o VD redresoare se caut prin procedee tehnologice s se realizeze jonc. care s aib urmtoarele propr.:
*la pol.dir. s aib R ct m/mic i s permit trecerea unui cur. ct m/mare.; *la pol.inv. s aib R ct m/mare i s
permit trecerea unui cur. ct m/mic.


4
A/te propr. se ob. prealiznd jonc. De tip psn, unde s o reg. slab impurificat tip p sau n.

Parametrii VD redresoare:
*Val. med. a cur. dir.
*Val. med. a tens. dir.
*Val. med. a cur. indir.
*Val. med. a tens. indir.
*Cur. med. redresat I
0
*Tens. de prag (tens. la c/e prin VD trece un cur. sufiecient de mare)
*Tens. de strpungere (tens. invers la c/e cur. invers devine m/mare dect o val. specificat)
*Rezistena intern a VD
Utilizarea VD redresoare: Se folosesc p/u construcia dispozitivelor de redresare (transformarea unui semn. alternativ
n continuu)


Diode Varycap (Diode cu capacitate variabil) C=dQ/dU
A/te VD s/t VD cu jonc. funcionnd n reg. de pol inv., pn la val. de strpungere. Ele util. propr. jonc. p-n de a se
comporta ca o capacitate dependent de tens. inv.
Caracteristica de baz a varycapului e/e cea Volt-Capacitate: C
V
= f (U
inv
), unde C
V
capacit. tot. a varycapului. C
total e/e compus din C
B
(capacit. de barier) i C
D
(capacit. de difuzie).




La polarizare direct are loc procesul de difuzie i se obine C
dif
mare iar C
barier
de ordinul a pF. La polarizare
indirect nu apare fenomenul de difuzie, C
B
>> C
D
. C ~ d.

f
rez
=1/2t\L*C*C
VD
/(C+C
VD
)
Capacitatea C prezint un sistem de blocaj dup curent continuu. Factorul de calitate Q depinde de frecven:
Q = eR
jonc
*C
bar

Parametrii VD varycap:
*Coef. de acoperire a capacitii a varycapului
2 V
1 V
C
C
C
K =
unde: C
V1
, C
V2
capacit. tot. a varycap. la U ind.1 i respectiv U ind.2.
*Coef. de calitate Q; Q = Rreactiv/Ractiv = x/R (E necesar R0)
*Tens. max. admisibil
*Put. max. admisibil
Utilizarea VD cu capacit. variabile: circuite de schimbare a frecv. (selectoare de canale din receptoarele moderne


5
de TV cu acord continuu); circuite de reglaj automat al frecv.; modulatoare p/u modulaia n frecv..
Diode Zener
Diodele stabilizatoare de tens. numite i diode Zener utilizeaz proprietatea jonciunii p-n de a avea o tens. invers
aproximativ constant la borne, atunci cnd lucreaz n regiunea de strpungere. VD stabilizatoare de tens. se
realizeaz din Si deoarece a/ta prezint avantaje fa de Ge: curent invers nainte de intrarea n regiunea de
strpungere mai mic, intrarea n strpungere se face aproape vertical rezist la temperaturi mai nalte. VD Zener se
construiesc p/u a stabiliza tensiuni de (3-400 V) i p/u puteri disipate cuprinse ntre (0,25-50 ) W.
VD Zener lucreaz numai la pol. indir. pe baza efectului Zener multiplicarea purttorilor de sarcin prin avalan.
Simbolul de circuit al VD Zener este urmtorul:


Analiza CVA a VD Zener: Rdin = AU/AI cu ct este mai mic Rdin cu att efectul de stabilizare a diodei e mai bun.
Pentru R din nul vom avea tot timpul aceeai tensiune de stabilizare (*). VD Zener se utilizeaz ca surs de referin
n tensiune. Dependena de temperatur a caracteristicii statice se caracterizeaz prin coeficientul de temperatur al
tensiunii stabilizate: CTUstab=(1/Ustab)*(AUstab/AT); De regul pentru VD Zener schema de cuplaj este
urmtoarea:
Ro rezisten de balan
Ecuaiile de baz p/u acest sistem:
Eal = I
0
R
0
+ I
S
R
S
= I
0
R
0
+ I
VD
R
VD
= I
0
R
0
+ U
VD
= I
0
R
0
+ U
s
(1)
I
0
= I
VD
+Is (2).


Parametrii VD Zener:
*Tens. invers la c/e are loc strpungerea U
S

*U
ST
tens. de pe VD la trecerea cur. de stabilizare nominal;
*Cur. min. de stabilizare e/e cur. necesar p/u ca fenomenul de strpungere s fie stabil
*Cur. max. de stabilizare se calc.: I = P
D
/U
S
*P
D
puterea pe c/e dioda o poate disipa.

Utilizarea VD Zener: Au primit o larg utilizare ca elemente de stabilizare n cele m/simple stabilizatoare
parametrice de tens.. n scheme de limitare a impulsurilor, n circuite de protecie de suprancrcare.