Curs Schemotehnica analogic

Program: - prelegeri-42+34
laborator-28+17
practica-14+17
Bibliografie.
D.Dascalu i al.Dispozitive i circuite electronice. B. 1982.
Anca Mnolescu i al. Circuite integrate liniare. Editura didactic i
pedagogic. B. 1983.
A. Manolascu i al. Circuite integrate liniare-curs
. .
. - . . 1968.
. . . .- .
1974.
. . , . . . -. 1991
. , .
. -. .-1979.
..,...
.- ei . .1974.
Capitolul 1. Etaje amplificatoare aperiodice de curent
alternativ (amplificatoare aperiodice).
1.1 Bazele schemotehnicii dispozitivelor de radiocomunicaii,
radiodifuziune i televiziune.
Introducere
Circuitele electronice existente n prezent pot fi mprite n dou categorii:
-circuite logice (digitale);
-circuite analogice.
Cicuitele digitale realizeaz funcii logice; ele utilizeaz dispozitive
electronice care lucreaz numai n dou stri: n blocare sau n conducie.
Circuitele logice prelucreaz numai semnale binare, adic semnale care pot avea
numai dou valori, fiecare valoare corespunde unui numr: 0 sau 1.
Circuite analogice sunt circuitele la care semnalele de ieire variaz
continuu n timp, urmrind dup o anumit lege variaia semnalului de intrare. Ele
prelucreaz sau oscileaz semnale continue n: amplitudine, polaritate sau
frecven. Semnalele de circuite analogice pot fi utilizate pentru realizarea unor
funcii analogice ca: amplificare, modulare, schimbare de frecven etc.
1
Dup natura relaiilor matematice dintre mrimile de intrare i ieire
circuitele analogice la rndul lor se mpart n circuite analogice liniare i circuite
analogice neliniare.
Circuitul este liniar dac Y1 este rspunsul la exitaia X1 i Y2 este
rspunsul la exitaia X2, iar Y1+Y2 este rspunsul la exitaia X1+X2 i KY1 este
rspunsul la exitaia KX1. Aadar, n circuitele liniare au loc relaii liniare ntre
mrimile de ieire i cele de intrare.
Menionm c n realitate nu exist dispozitive electronice absolut liniare,
ele pot fi numai considerate liniare ntr-un oarecare domeniu de funcionare.
Circuitele electronice liniare de regul se utilizeaz n prelucrarea semnalelor de
valori mici; pentru analiza lor n baza schemei electrice principiale de circuit se
elaboreaz schema echivalent, folosind modelele liniare a dispozitivelor active
(tranzistorilor, tuburilor electronice etc.) pentru semnale mici la care parametrii se
pot considera constani, avnd valori determinate de punctul static de funcionare.
n circuitele liniare ca regim de funcionare a elementelor active este regimul clasa
A.
Circuitele analogice neliniare funcioneaz n regim de prelucrare a
semnalelor de valori mari. Pentru aceast clas de circuite elaborarea schemelor
echivalente liniare de analiz este imposibil. n analiza i proiectarea lor se
folosesc familiile de caracteristici statice a elementelor active i metode de analiz
i calcule grafo-analitice. Circuitele analogice neliniare funcionez de regul n
regimele clasa AB sau B, mai rar n regimul clasa A.
Dintre circuitele analogice mai rspndite n prezent sunt: amplificatoarele
electronice, multiplicatoarele analogice de semnal, stabilizatoarele, modulatoarele
i demodulatoarele, oscilatoarele, convertoarele etc.
Din punct de vedere tehnologic circuitele analogice se mpart n trei grupe:
circuite monolitice, numite circuite integrate, circuite hibride i circuite cu
elemente discrete.
Circuitele integrate monolitice se obin integral pe placheta de material
semiconductor, fie prin tehnologie bipolar fie prin tehnologie MOS. Acest tip de
circuite sunt cele mai mici dup dimensiuni i greutate, sunt cele mai utilizate, ns
sunt i cele mai puin precise dup parametri. Ultima se explic prin faptul c
elementele pasive nu pot fi ajustate, iar cele active nu pot fi alese dup parametri.
n ce privete circuitele hibride: rezistoarele, conductoarele i evident capacitoarele
se realizeaz dup tehnologia integral fie prin tehnologia straturilor groase fie prin
tehnologia staturilor subiri. Dispozitivele active (tranzistorii, diozii) i alte
elemente discrete (elemente neintegrabile) se ataeaz pe plachet sub form
discret printr-un proces tehnologic separat. Comparativ cu circuitele integrate
monolitice, circuitele hibride sunt ceva mai mari ca dimensiuni, ns de
performane mrite, cum ar fi: putere, frecven, precizie, etc. ceea ce se datoreaz
utilizrii a mai multor tehnologii: tehnologia monolitic, tehnologia straturilor
groase i subiri. n circuitelete hibride se pot combina tranzistorii bipolari de tip
p-n-p i n-p-n . Rezistorii se pot controla precis i chiar ajusta; valoarea
rezistenelor nu cunoate limite de nominal; prin folosirea componentelor speciale
de microunde (diode, tranzistorii etc.) se pot depi barierele de frecven
caracteristic circuitelor integrate monolitice pe baza de siliciu, ajungnduse la
2
frecvene de lucru de ordinul Gigahertz. Mai departe vom precuta pe rnd mai
concret o parte din circuitele analogice sus numite, ncepnd de la cele mai
utilizabile amplificatoarele.
Amplificatoarele de semnale electrice constituie baza sistemelor i
dispozitivelor de comunicaii mobile (CM), radiocomunicaii (RC), radiodifuziune
(RD) i televiziune (TV), ntruct amplificarea semnalelor electrice este
proprietatea fundamental a aparatajului de prelucrare a semnalelor electrice.
Dispozitivele amplificatoare de CM, RD, RC i TV, att cele de
confecionare discret, ct i cele de confecionare integrat (sau mixt) se mpart
n amplificatoare aperiodice, la care sarcina elementului activ nu dispune de
proprieti selective n frecven, i amplificatoare selective, la care sarcina
elementului activ (EA) este selectiv n frecven. Amplificatoarele aperiodice, la
rndul su se mpart n amplificatoare aperiodice de curent alternativ, la care
frecvena lucrtoare de jos a gamei de frecvene lucrtoare f
j
>0, iar raportul dintre
frecvena lucrtoare de sus f
S
i frecvena de jos este foarte mare, (f
S
/f
j
)

>>1, i
amplificatoarele aperiodice de curent continuu (ACC), inclusiv amplificatoarele
operaionale (AO), la care f
j
= 0, i ca urmare raportul (f
S
/f
j
) este infinit.
Spre deosebire de amplificatoarele aperiodice, amplificatoarele selective se
caracterizeaz de raportul (f
S
/f
j
) 1,1.
n Capitolul 1 se studiaz schemotehnica i teoria amplificatoarelor
aperiodice de curent alternativ. n ce privete amplificatoarele aperiodice curent
continuu (ACC, AO) i amplificatoarele selective; ele vor fi analizate n alte
capitole a materialului didactic dat.
Amplificatoarele aperiodice de curent alternativ au o larg utilizare n
schemele de CM, RC, RD i TV.
Din clasa amplificatoarelor aperiodice de curent alternativ fac parte
amplificatoarele posibile de audiofrecven (AAF) cu f
j
20 Hz i f
S
30...35
kHz, pe larg utilizate ca noduri funcionale de radioreceptoare i emitoare (n
tractele lor de frecvene (modulatoare)), i de asemenea n calitate de dispozitive
sinestttoare, cum ar fi amplificatoarele audioaparatajelor, amplificatoare de
tracte de audioemisie, amplificatoare de staii finale a nodurilor de retransmitor.
Din amplificatoarele aperiodice de curent alternativ de asemenea mai fac parte
amplificatoarele video a centralelor de televiziune i a receptoarelor TV (n tractul
lor de frecvene modulatoare), amplificatoarele de band larg i amplificatoarele
de semnal impuls din aparatajul de msurare (oscilografe, voltmetre, etc.),
amplificatoarele din sistemele de telecomunicaii de tip impuls, amplificatoarele
aperiodice fr reacordarea frecvenei radio (AFR), amplificatoare cu amplificare
distribuit (AAD), etc.
Schemotehnica amplificatoarelor aperiodice de curent se deosebete printr-o
multitudine de soluii schemotehnice, tehnologice i constructive realizate att n
form discret ct i n form integrat (mixt). Utilizarea acestor soluii
schemotehnice n dispozitivele integrate permite minimizarea dimensiunilor, masei
i a costului lor, majorarea fiabilitii i a indicilor lor calitativi. Schemele electrice
de elaborare special, utilizate n dipozitivele electronice influieneaz schemele
lor structurale, schemotehnica, construcia i tehnologia acestor dispozitive.
3
Multitudinea schemelor electrice ale circuitelor amplificatoare complic
analiza lor ntr-un singur material didactic. Din aceast cauz, n materialul dat ne
limitm doar la soluiile schemotehnice tipice.
n marea lor majoritate, amplificatoarele aperiodice de curent alternativ,
prezint de sine dispozitive multietaj complicate. Schema lor structural tipic este
artat n fig. 1.1 din capitolul 2.
Studierea schemotehnicii amplificatoarelor multietaj, a particularitilor lor,
indicilor i caracteristicilor lor egale, de regul, se efectueaz prin analiza
particularitilor indicilor i caracteristicilor fiecrui etaj aparte, care, la rndul su,
depind de parametrii i metoda de conectare n circuitul electric a etajului, a
elementelor active (EA), caracterul elementelor de cuplare ntre etaje, parametrii
sarcinii i a sursei de semnal.
n fig. 1.2 (din capitolul 2) este artat principiul de divizare a etajelor n
amplificatorul multietaj, de unde urmeaz c amplificatoarele multietaj sunt
compuse din:
- etajul final, din care fac parte: circuitul de ieire a elementului activ
final, elementele lui de legtur cu sarcina i sarcina extern a amplificatorului;
- etajul prefinal, din care fac parte: circuitul de ieire a elementului activ
din etajul prefinal, elementele lui de legtur cu intrarea EA de intrare i circuitul
de intrare a EA final;
- primul etaj, etajul de amplificare preliminar din care fac parte:
circuitul de ieire a primului EA, elementele lui de legtur cu intrarea urmtorului
EA i circuitul de intrare a urmtorului EA (a EA doi);
- circuitul de intrare a amplificatorului multietaj, din care fac parte: sursa
de semnal, elementele ei de legtur cu intrarea primului EA i circuitul de intrare
a primului EA.
Se nelege, c etajele de intrare, intermediare i finale, sunt excitate de
diferite semnale dup valoare, minimal la cel de intrare i maximal la cel de ieire.
Din aceast cauz, schemele lor electrice, regimele de funcionare, tehnologia i
construcia etajelor de intrare, intermediare i finale vor fi diferite. Corespunztor,
i analiza lor se efectueaz prin metode pur analitice i grafo-analitice.
Metoda grafo-analitic de analiz pe larg se utilizeaz n calculul etajelor de
semnale mari, cum ar fi etajele finale i prefinale. Menionm c aceast metod de
analiz se folosete numai pentru subgama principal de frecvene (zona principal
de timp) i subgama de frecvene medii (zona de regim permanent) . Pentru analiza
acestor etaje n subgama de frecvene nalte (n zona de valori de timp mic), i n
subgama de frecvene joase (n zona de valori de timp mari) se folosesc formulele
metodei de analiz analitic.
n analiza i calculul etajelor ce lucreaz cu semnale mici se folosete
metoda analitic, bazat pe utilizarea schemelor electrice echivalente a EA n
curent alternativ (n semnal). Avantajul metodei analitice este n posibilitatea ei de
utilizare , ct i n analiza etajelor de acest gen att n subgama de frecvene medii,
ct i n subgama de frecvene nalte (valori de timp mici) i joase (valori de timp
mari).
n final, menionm, c n acest material didactic n analiza schemelor, la
rnd cu utilizarea simbolurilor de tensiuni i cureni continuu (E
0
, u
0
, i
0
) vor fi
4
utilizate simbolurile valorilor efective (de amplitudine) de tensiuni i cureni de
semnal E, U (E
m
, I
m
, U
m
) i de asemenea simbolurile valorilor remanente de
tensiuni i cureni e(t), u(t), i(t) i creterea lor e, u, i.
1.2 Etaje preliminare de amplificatoare aperiodice de curent
alternativ.
Etajele preliminare au rolul de a amplifica semnalul pn la valoarea
necesar pentru funcionarea normal a etajelor prefinal i final.
Etajele preliminare lucreaz cu semnale mici, n ele se utilizeaz EA de o
putere mai mic ca cele din etajele amplificatoare finale i prefinale.
Caracteristicile lor volt amperice se folosesc pe nedeplin. Analiza i calculul
acestor etaje se efectueaz n majoritatea cazurilor prin metoda analitic, utiliznd
schema echivalent a EA n curent alternativ i a etajului n ntregime. Scopul
principal de analiz i calcul este n obinerea valorii maximale a factorilor de
amplificare n curent, tensiune i putere la distorsiuni de amplitudine-frecven,
faz-frecven i de tranziie accesibile. n ceea ce privete distorsiunile neliniare i
randamentul, n aceast clas de etaje, ele nu sunt deterministe, fiindc
distorsiunile neliniare sunt neglijabil de mici, iar randamentul lor puin
influeneaz randamentul amplificatorului, ntruct ele, n raport cu etajele prefinal
i final, absorb mult mai puin putere de la sursa de alimentare.
Etajele preliminare folosesc ca elemente active tranzistorii bipolari,
tranzistorii cu efect de cmp, circuite integrate i mai rar tuburi electronice cu
conectarea lor n majoritatea cazurilor emitor comun (EC), surs comun (SC),
catod comun (CC) ce se explic prin faptul c n aceste conectri asigur cea mai
mare amplificare.
n amplificatoarele de curent alternativ, att n cele discrete, ct i n cele
integrate (mixte), ca etaje amplificatoare preliminare mai des sunt utilizate etajele
ntr-un timp n regimul clasa A (mai rar etajele contratimp clasa A) de tip RC,
numite amplificatoare rezistive de curent alternativ (f > 0), i etajele cu unire
galvanic, numite amplificatoare de curent continuu (f = 0).
n acest capitol se precaut numai etajele amplificatoare rezistive cu legtur
capacitiv a etajului cu sursa de semnal i sarcina extern. n ce privete
amplificatoarele cu legtur galvanic ntre etaje, ele vor fi studiate ntr-un capitol
aparte.
5
Capitolul 2. Amplificatoare electronice
2.1 Clasificarea, indicii i caracteristicile principale.
n tehnic pe larg este utilizat metoda de dirijare cu cantiti mari de
energie, consumnd cantiti de energie dirijatoare mici. Ca caz particular de
dirijare cu energia la care procesul de dirijare este continuu n timp, lent i univoc
este numit amplificare, iar dispozitivul ce execut procesul de dirijare (amplificare)
este numit amplificator. Amplificatoarele sunt destinate prelucrrii liniare de
semnal i mririi nivelului lui de putere prin debitare n sarcin de o surs de
alimentare a unei puteri controlate, utiliznd n acest scop dispozitive active de
circuit.
Dispozitivul activ ce face parte din circuitul liniar are tocmai rolul de a
transforma puterea provenit de la sursa de alimentare n putere de semnal debitat
n sarcin. Semnalul de intrare de regul de putere mic dirijeaz cu energia
sursei de alimentare n transformarea ei n semnalul util ce se elimin n sarcin.n
acest curs vom precuta numai amplificatoarele electronice liniare, destinate
amplificrii semnalelor electrice fr modificarea formei de semnal. n aceast
grup de amplificatoare ca elemente active sunt utilizate tranzistorii sau tuburile
electronice. n dependen de elementul activ utilizat amplificatoarele se mpart n
amplificatoare semiconductoare i amplificatoare pe tuburi electronice.
Amplificatoarele electronice pe larg sunt utilizate n telecomunicaii, tehnica
de calcul, fizica experimental, msurtoare electronice, electronic medicinal i
multe alte ramuri.
Intrarea i ieirea amplificatorului de regul au o born comun, unit la
mas. Ca surs de semnal poate fi : un senzor, un alt amplificator, un oscilator etc.
nivelul de semnal a crora se cere de a fi majorat.
n mod general amplificatorul poate fi precutat ca un cuadripol activ, la
intrarea cruia se aplic sursa de semnal iar la ieire sarcina. Sursa de semnal
poate fi prezentat ca surs de tensiune (fig.??? ) sau surs de curent (fig.??? ).
n fig.1.1 este artat schema structural general a amplificatorului electronic.
6
De asmenea i ieirea amplificatorului poate fi artat n form de surs de
tensiune (fig.1.1a) sau n form de surs de curent (fig. 1.1b). Amplificatorul
concomitent prezint de sine surs de semnal pentru sarcina R
s
i sarcin pentru
sursa de semnal, aplicat la intrarea lui. n dependen de raportul dintre impedana
intern a sursei de semnal R
g
i impedana de intrare a circuitului amplificator R
in,
sursa de semnal poate funciona n regim de scurt circuit (R
in
<<R
g
), n gol (R
in
>>R
g
) sau n regim de concordan (R
in
R
g
). n dependen de aceste relaii
amplificatorul este numit:
- amplificator de curent (R
in
<<R
g
);
- amplificator de tensiune (R
in
>>R
g
);
- amplificator de putere (R
in
R
g
).
n dependen de raportul dintre sarcina R
s
i impendana de ieire a
circuitului amplificator R
ie
amplificatoarele la rndul su se mpart n :
- amplificatoare cu ieire potenial(R
s
>>R
ie
);
- amplificatoare cu ieire n curent (R
s
<<R
ie
) ;
E
Amplificatorul
Sursa de
alimentare
E
g
R
g
I
in
U
in
R
in
Sursa de semnal
Sarcina
E
g
R
ies
R
S
I
ies
=I
S
U
ies
t
t
Sursa de
alimentare
E
g
R
g
I
in
U
in
R
in
Sursa de semnal
Sarcina
R
ies
R
S
I
ies
=I
S
U
ies
t
t
Amplificatorul
Fig. 1.1
E
7
- amplificatoare cu ieire n putere(R
s
R
ie
).
Ca sarcin a circuitului amplificator poate fi att absorbitorul de putere ct
i un alt amplificator. n ultimul caz amplificatorul prezint de sine un lan
compus din amplificatoare numite etaje, unite ntre ele cascad (fig.1.2).
n dependen de valoare lui n (numrul de etaje ce intr n schema structural a
circuitului amplificator), amplificatoarele se mpart n amplificatoare unietaje (n=1) i
amplificatoare multietaje (n>1).
Cuplarea ntre etaje, amplificator i sarcin, amplificator i sursa de semnal poate fi
de caracter: capacitiv( fig. 1.2(a) ) , mutual (prin transformator, fig.1.2(b) ) i galvanic
(direct, fig.1.2(c) ). n dependen de caracterul elementelor cuplatoare amplificatoarele
n rndul su se mpart n: amplificatoare cu cuplare capacitiv, amplificatoare cu cuplare
mutual, amplificatoare cu cuplare galvanic.
Primele dou grupe de circuite amplificatoare funcioneaz numai n regim de
curent alternativ, iar ultima poate funciona att n regim de curent alternativ ct i n regim
de curent continuu.
Funcionarea amplificatorului se caracterizeaz prin parametrii i caracteristicile lui
cantitative i calitative din care fac parte:
U
in
U
ies1
=U
in2
U
ies2
U
ies(N-1) U
ies
1 2 N
I
in
I
ies
R
g
E
g
R
S
Fig. 1.2
Fig. 1.2
R
S
1 2 N
R
G
E
G
1 2 N
R
G
E
G
R
S
1 2 N
R
G
E
G
C
1
C
2
R
S
C
a)
b)
c)
8
- factorul (coeficientul) de amplificare.
Coeficientul de amplificare este un indice cantitativ, adic este o valoare numeric,
care arat de cte ori valoarea mrimii de ieire a amplificatorului este mai mare de ct cea
de intrare. n dependen de destinaia circuitului amplificator factorul de amplificare se
mparte n amplificare n tensiune (
u
), amplificare n curent ( i ) i amplificare n
putere (p). Factorii de amplificare sus numii se determin de relaiile:
K
u
=U
ie
/U
in
; (1)
K
i
=I
ie
/I
in
; (2)
K
p
=K
ie
/P
in
. (3)
Mrimea K
p
mai poate fi determinat n modul urmtor .Puterea semnalului ce exit
circuitul amplificator este:
P
in
= U
2

in
/R
in.
(4)
Puterea la ieirea amplificatorului, cnd R
s
=R
ie
se determin de relaia:
P
ie
=(E/2)
2
/R
ies
=E
2
/4R
ie
(5)
Substituind (4) si (5) n (83) obinem:
K
p
=P
ie
/P
in
=
;
2
2
;
2
4
/
4
ie
in
in in
in
ie
R
R
U
E
R
U
R
E

,
_

. (6)
Pentru amplificatoarele multietaj, amplificarea sumar este:
K=K
1
K
2
**K
n
, (7)
unde K
1,
K
2
, K
n
sunt factorii de amplificare a etajlor 1, 2, ... n corespunztor.
innd cont de faptul c modificarea sunetului receptat de auzul omului este
proporional cu logaritmul zecimal de la variaia corespunztoare a energiei de sunet,
coeficientul de amplificare adesea ori se exprim n uniti logaritmice decibeli, care au
forma:
K
u
[dB]=20lg u
in
ie
K
U
U
lg 20
;

(8)
pentru amplificare n tensiune i curent i
K
p
[dB]=10lgK
p
(9)
pentru amplificare n putere.
Menionm c dublarea factorului de amplificre nseamn majorarea lui cu 6 dB, iar
majorarea lui de zece ori este egal cu majorarea la 20dB.
n mod general pentru un amplificator cu n etaje amplificarea general n [dB] se
scrie:
K[dB]=K
1
[dB]+K
2
[dB]++K
n
[dB]. (10)
Indicele calitativ principal al amplificatorului liniar este n pstrarea formei
semnalului de ieire corespunztor formei semnalului de intrare. ntr-un amplificator ideal
semnalul de ieire trebuie s repete perfect forma semnalului de intrare, admind numai o
oarecare deplasare n timp t a semnalului de ieire n raport cu semnalul de intrare,
egal cu timpul de trecere a semnalului prin amplificator. Cu aceste considerente condiia
de amplificare nedistorsionat a circuitului amplificator poate fi scris n modul urmtor:
U
ie
(t)=K
u
U
in
(t-t) (11)
Abaterea formei semnalului de ieire de la forma semnalului de intrare se numete
distorsionare.
n mod general distorsiunile de semnal se mpart n distorsiuni neliniare i
distorsiuni liniare.
9
Distorsiunile liniare la rndul su se mpart n distorsiuni de amplitudine frecven
i distorsiuni de faz frecven.
Att distorsiunile neliniare ct i cele liniare deformeaz forma semnalului de ieire
n raport cu forma semnalului de intrare, ns ele sunt provocate de diferii factori i
metodele lor de studiere i compensare sunt diferite, diferite sunt si rezultatele
distorsionrii. Precautm mai pe larg fiecare tip de distorsiuni.
Distorsiunile neliniare. Distorsiunile neliniare se exprim prin faptul c n
componena semnalului de ieire la rnd cu semnalul de frecvena semnalul de intrare au
loc semnale de noi frecvene, multiple frecvenei semnalului de intrare i corespunztor
spectrul semnalului de ieire difer de spectrul semnalului de intrare, el este mai mare.
Distorsiunile neliniare apar n urma prezenei n componena circuitului amplificator
a elementelor ce au caracteristica volt-amperica neliniar, adic caracteristica ce se descrie
de o ecuaie de gradul mai mare ca unu. De aa caracteristici dispun: elementele active
(tranzistorii bipolari i cu efect de cmp i tuburile electronice) i transformatoarele cu
miez, care n unele cazuri fac parte din componentele circuitului amplificator.
n fig. 1.3 ca exemplu este prezentat caracteristica de intrare
) U ( i b
b

a unui
tranzistor bipolar i semnalul de intrare ) t ( Uin ce excit tranzistorul. Din fig. 1.3 se vede
c dac la baza tranzistorului se aplic un semnal sinusoidal u(t), curentul baz condiionat
de acest semnal, dup form difer de cel sinusoidal; curba
)] t ( U [ i b
b

) nu este
simetric n raport cu axa t. Demonstrm spusele mai sus.
Artm n mod analitic apariia distorsiunelor neliniare. Pentru simplitate
caracteristica i
s
=(U
BE
) prezentm ca funcie ptratic.
)] ( [( ) (
2
0
2
t u U a U a i
b b b b
+
(12)
t U t U
bm b
sin ) (
(13)
2
0
2
0
2
] sin [ )] ( [ t U U a t U U a aU i
bm b b b b
+ +
(14)
U
bm
U
0b
i
b
I
0b
i
b
(t)
A
I
b
t
Fig. 1.3
U
BE
10
unde U
ob
- tensiunea de polarizare a bazei;
u
b
(t) -valoarea instantanee a semnalului de intrare.
Substituind (13) n (12) obinem:

t aU t U aU U a t U U a i
bm bm b b bm b b

2 2
0
2
0
2
0
sin sin 2 ) ( ) sin ( + + +
(15)
Notm aU
ob
=I
ob
curentul baz n punctul static de funcionare a bazei;
2aU
ob
U
bm
sint=I
1bm
sintprima armonic a curentului bazei. Componenta a(U
bm
)
2
sin
2
t o
prezentm n modul urmtor:
a(U
bm
)
2
sin
2
t = ( ) t I I t I
aU
t
aU
bm b bm
bm bm
2 cos 2 cos
2
2 cos 1
2
2 0 2
2 2
(16)
unde
t I
bm
2 cos
2 este armonica doi a curentului bazei.
Substituind (16) n (15) obinem:
i
b
=I
ob
+I
ob
+I
b1m
sint-I
b2m
cos2t (17)
Din (17) se vede c n cazul cnd caracteristica i
b
=(U
b
) este de form ptratic, n
componena semnalului de ieire apare o singur component suplimentar de semnal de
frecven dubl frecvenei semnalului de intrare. Se poate arta c atunci cnd
caracteristica numit este de un grad mai mare ca doi, numrul de armonici crete.
Toate armonicile superioare, ncepnd cu armonica doi, sunt rezultatul distorsiunilor
neliniare condiionate de nelinearitatea caracteristicilor volt amperice a elementelor
active. Nivelul distorsiunilor neliniare, condiionat de aceste armonici, este proporional cu
puterea armonicilor. n amplificatoarele de semnale sinusoidale gradul de distorsiuni
neliniare se apreciaz de coeficientul de distorsiuni neliniare K
a
(clirfactor):

2
1
2
2
2
1
2
2
1
2
I
I
U
U
P
P
K
n
n
n
n
n
a
a

, (18)
unde n este numrul armonicilor.
n amplificatoarele reale la determinarea distorsiunilor neliniare, de regul se ine
cont numai de armonicele doi i trei, fiindc armonicile de grad mai mare de regul au
putere neglijabil n comparaie cu armonicile doi i trei.
n amplificatoarele multietaj (cnd etajele provoac aproximativ aceleai
distorsiuni), coeficientul de distorsiuni neliniare complet se consider egal cu suma a
tuturor coeficienilor de distorsiuni K
ai
:
K
a
K
a1
+K
a2
++K
an
(19)
n amplificatoarele reale distorsiunele neliniare condiionate de mai multe etaje se
pot compensa reciproc, ca rezultat al defazajului de semnale amplificate de diferite etaje.
Din aceast cauz valoarea coeficientului K
a
calculat nu arat valoarea real a
distorsiunilor neliniare, mai ales cnd semnalul este de form compus.
Menionm c distorsiunile neliniare sunt condiionate numai de amplitudinea
semnalului i nu depind de frecvena lui. n amplificatoarele multietaj cele mai mari
distorsiuni neliniare sunt condiionate de etajul final, fiindc la intrarea lui se aplic cel
mai mare semnal. Cu ct puterea amplificatorului este mai mare, cu att distorsiunile lui
neliniare sunt mai mari. Existena i gradul distorsiunilor neliniare n amplificarea
semnalului de orice form se poate aprecia dupa gradul de abatere a caracteristicii
dinamice U
ie
=(U
in
) de la linia dreapt (fig.1.4).
11
Distorsiuni liniare. Distorsiunile liniare n majoritate sunt condiionate de
dependena de frecven a coeficientului de amplificare n curent a tranzistorului, () sau
() (la frecvene nalte) i a reactanelor capacitive ce intr n componena
amplificatorului (la frecvene joase).
ntr-adevr factorul de transfer al curentului emitor n funcie de frecven este
bun

( )

,
_

j
j
1
0
, (17)
unde 0

- modulul coeficientului de transfer al curentului emitor la frecvene joase (

0
);
f 2
- frecvena la care modulul factorului de transfer se micoreaz de 2 ori
(scade cu 3 dB) n comparaie cu valoarea lui la frecvene joase, ea este numit frecven
limit a factorului de transfer de curent emitor;

- valoarea curent de frecven.

Frecvena

cu mrimele r
E
i C
EB
a jonciunii emitor se gsesc n relaia:

ED E
C r
1

,
unde r
E
i C
EB
sunt corespunztor rezistena diferenial i capacitatea de difuzie a
jonciunii emitor.
Modulul i argumentul coeficientului la frecvena sunt corespunztor:

( )
2
0
1

,
_

; (18)

( )

tg
. (19)
Mrimile () i

() numite caracteristici de amplitudinefrecven i fazfrecven

n funcie de frecven sunt artate n fig.1.15.
Caracteristicile sunt construite n sistemul de coordonate normate

i 0

,
defazajul este depus n uniti absolute. Prin linii continue sunt artate caracteristicile
tranzistorului reale(experimentale), iar prin linii punctate cele calculate dup formulele
(18) i (19). Caracteristica de amplitudinefrecven real coincide cu cea calculat
teoretic. O oarecare abatere are loc numai la frecvene mult mai mari ca frecvena f

.
Defazajul calculat dupa formula (19) difer esenial de cel real chiar la frecvene de
ordinul f

. La frecvena

i la frecvena

defazajul calculat teoretic trebuie
U
ies.
U
in.
Fig. 1.4
12 0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
10
-2
10
-1
1,0 10
30
60
90

0
/
0
/
0
/

Fig.1.15
s fie de valoare 45
0
i 90
0
corespunztor. n realitate la frecvena

defazajul este
de 57
0
, iar la frecvenele

el tinde spre infinit. Dac lum n consideraie c la
frecvene mai mari de zeci de MHz eficacitatea emitorului scade (o parte din curentul I
E
curge prin capacitatea jonciunii emitor C
jE
), atunci cderea parametrului cu majorarea
frecvenei devine mai mare, ceea ce urmeaz din fig.1.5.
La conectarea tranzistorului EC n comparaie cu conectarea BC factorul de transfer
al curentului baz depinde mai puternic de frecven, iar frecvena lui limit este mult mai
mic ca f

(fig.4.15, a). Cauza principal de micorare brusc a mrimii cu creterea

frecvenei nu este n micorarea coeficientului , ci n majorarea defazajului

dintre
curenii colector I
C
i emitor I
E
(fig.1.6, b).

La frecvene joase curenii emitor i colector practic devin coincideni n faz (devin
coliniari). Fiindc
1
, la frecvene joase curentul colector foarte puin difer de curentul
emitor i corespunztor curenii I
E
, I
C
i I
B
pot fi considerai coincideni dupa direcie,
I
B
=I
E
I
C
. Cu majorarea frecvenei defazajul dintre curentii colector i emitor crete,
vectorii lor formeaz un triunghi nchis, n care modulul vectorului I
C
scade, iar modulul
vectorului de curent baz I
B
se mrete de cteva ori. Din fig. 1.6,b i expresia (4.46) se
vede, c la frecvena

(frecvena la care coeficientul n comparaie cu

coeficientul (f = 0 ) se micoreaz de 2 ori) din cauza creterii curentului baz I
B
coeficientul se micoreaz de cteva ori. Cu ct 0

este mai mare, cu att valoarea

iniial a curentului baz I
B
este mai mic i mai esenial este scderea coeficientului cu
creterea frecvenei.
Frecvena la care modulul factorului de transfer al curentului baz se micoreaz
de 2 ori n comparaie cu valoarea lui la frecvene joase, este numit frecvena limit de
transmitere a curentului baz i se noteaz prin f

. Pentru a determina frecvena f

factorul
l prezentm n modul urmtor:
0
1,0
2,0
,

I
E
I
E
I
B
I
B
I
C
I
C
Fig. 1.6
a) b) c)
13

( )
( )
( )
( )

0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1

j
j
j
j
j
j
. (20)
Raportul 0
0
0
1

este modulul coeficientului de transfer n curent baz la frecvene

joase ( 0). Ca urmare:

( )

j
j
j
+

1
1
0 0
, (21)
unde

- frecvena limit circular pentru schema EC:

( )
0
0
1
1

+

(22,a)
De defazajul

, care la frecvena
1 , 0 <
nu depete 7
o
(0,12 rad), se poate ine cont
prin introducerea coeficientului de corecie:

( )
0
1 8 , 0


(22,b)
Aadar, frecvena limit a factorului de transfer a curentului baz (schema EC) este
aproximativ de
( )
0
1 +
ori mai mic ca frecvena limit a factorului de transfer de curent
emitor.
De proprietile de frecven a tranzistorului depind i caracteristicile lui de
tranziie, care caracterizeaz forma semnalului de ieire cnd la intrarea tranzistorului se
aplic semnale de form impuls. Prin nlocuirea mrimii
( ) j
n relaia (4.65) cu
operatorul p, iar
1
cu

obinem imaginea (aproximativ) caracteristicii de tranziie a

curentului emitor, cnd tranzistorul este excitat de o treapt de curent :

( )

p
p
+

1
0
. (23)
Originalul caracteristicii de tranziie a coeficientului de transfer de curent emitor are
forma de funcie exponenial:

( )
,
_

t
e t 1
0 (24)
Constanta

aproximativ este egal cu durata medie de difuzie a purttorilor de sarcin

minoritari n baz.
Caracteristica de tranziie , calculat conform relaiei (24), este artat n fig.1.7
(linia punctat). Caracteristica real (linia continu) n comparaie cu cea calculat are o
mic ntrziere a frontului de cretere:
D D
t t t 2 , 0
int

(25)
De ntrzierea t
nt
se ine cont numai n schemele speciale.
14

0
t
Fig.1.7
Caracteristica de tranziie a factorului de transfer de curent baz ,cnd tranzistorii
au conectare EC, se descrie de relaia:

( )

,
_

t
e t 1
0 , (26)
unde

( )
0
0
1
1

(27)
n unele cazuri particularitile de frecven a tranzistorului se caracterizeaz de
frecvena f
T
, la care modulul factorului devine unitar. Frecvenele f
T
i f

sunt n relaia:

( )
T
f m f
0
1

+
, (28)
unde
2 , 1 m
pentru tranzistorii cu deriv i
6 , 1 m
pentru cei fr deriv. Frecvena

<f f
T . Din aceast cauz tranzistorii aproape nicicnd nu se folosesc la frecvenele ce de
cteva ori depesc frecvena f

. Cnd n ndrumar se arat valoarea modul a mrimii

, msurat la frecvena
( )

f f 4 ... 3 >
, frecvena f
T
poate fi calculat conform relaiei:
f
T
=|| f || (3...4)f

(29)
Cnd tranzistorul funcioneaz n curent alternativ un mare rol l joac capacitatea
parazit a jonciunii colector C
C
. Impedana jonciunii colector complet Z
C
n curent
alternativ este compus din componenta reactiv
C
C
C
X

1

i componenta activ r
C
unite
n paralel. Rezistena r
C
la creterea frecvenei puin scade, iar capacitatea C
C
puin
depinde de frecven. ns cu creterea frecvenei conductibilitatea componentei reactive
scade (o mare parte din curentul

curge prin impedana Z

C
, ocolind sarcina colector R
C,
fig.4.11). Din aceast cauz pentru ca tranzistorul s-i pstreze capabilitatea de
funcionare normal, capacitatea C
C
la frecvene mari trebuie se fie de o valoare ct mai
mic.
Factorul de reacie n tensiune intern EC

cu creterea frecvenei scade.

Dependena lui de frecven este de acelai caracter ca i a parametrului
( )
. La
frecvene mai mari ca f

, efectul de reacie poate fi neglijat.Aceasta nseamn, c

componenta difuzionar de rezisten baz
' '
b
r , ce ine cont de efectul de reacie n
tensiune, n urma modulrii grosimii bazei, cu creterea frecvenei scade. Din aceast
cauz rezistena baz (
' ' '
b b b
r r r +
) ce ine cont de efectul de reacie intern a tranzistorului
n tensiune cu majorarea frecvenei de asemenea scade i devine egal: r
b
=r
b
1
. Ultima
vorbete despre faptul c impedana de intrare a tranzistorului cu majorarea frecvenei
scade.
Produsul
C
'
b
C r poart denumirea de constant de timp a reelei de reacie intern a
tranzistorului. Aceast constant caracterizeaz reacia intern a tranzistorului la frecvene
mari i este unul din parametrii lui principali. Produsul
C b
C r
'
determin valoarea
maximal posibil de oscilare f
max
, cnd tranzistorul este utilizat ca element activ n
circuitul oscilator. Frecvena f
max
este frecve na la care amplificarea tranzistorului n
putere, cnd intrarea i ieirea lui sunt concordate, este unitar. Frecvena f
max
cu ali
15
parametri de tranzistor este n relaia:
[ ] MHz
C r
f
f
C b
,
30
'
0
max

,
(30) unde f

[Hz],
C
'
b
C r
[picosecunde].
Pentru a majora frecvena de oscilare trebuie mrit frecvena f

i micorat
constanta
C
'
b
C r
, ce practic pentru tranzistorii cu difuzie este imposibil. Micorarea
concomitent a mrimilor
'
b
r
i C
C
, pstrnd valoarea tensiunii colector mare e posibil
numai n tranzistorii cu deriv.
Menionm c gradul de distorsiuni liniare nu depinde de amplitudinea
semnalului, el depinde numai de frecvena lui. Dac la amplificatorul ce are coeficientul
K
uo
la care nu se ine cont de componentele reactante, aplicm semnalul U
in
cost, atunci
amplitudinea semnalului de ieire nu va fi egal cu K
uo
U
in
cost. Afar de aceasta el va fi
defazat n raport cu semnalul de intrare. Aadar, n amplificatorul real tensiunea de ieire
este:
U
iem
=K
u
U
inm
cos(t+), (31)
unde K
u
este coeficientul de amplificare n tensiune cu consideraia componentelor
reactive, iar este defazajul dintre semnalul de ieire i cel de intrare.
Menionm c K
u
va avea valoarea sa pentru fiecare frecven; diferit va fi i
defazajul . Neuniformitatea mrimilor K
u
i ca funcie de frecven poart denumirea
de distorsiuni corespunztor de amplitudine-frecven i faz-frecven.
Dac amplificatorul l prezentm ca un cuadripol ce are amplificarea complex
atunci coeficientul lui de transfer n tensiune K
u
() poate fi prezentat n modul urmtor:

( )
( )
( )
( )
( )

j
u j t j
in
j t j
ie
in
ie
u
e K
e e U
e e U
j U
j U
j K
1
2
) (
) (
, (32)
unde ()=
2
()
1
() este defazajul introdus de nsui amplificatorul.
n corespundere cu relaia (32) pot fi construite caracteristicile de amplitudine i
faz. De regul aceste caracteristici se construiesc aparte. Caracteristica de amplitudine
frecven (CA-F) este o curb ce exprim dependena modulului coeficientului de
amplificare n funcie de frecven
) ( K
.
Caracteristica de faz-frecven (CPh-F) caracterizeaz dependena defazajului
dintre semnalul de ieire i cel de intrare n funcie de frecven
) ( ) (
2 1

.
n fig. 1.8 sunt artate CA-F a unui amplificator ideal (linia punctat) i
amplificatorului real (linia continu).
16
??
Gradul de distorsiuni de amlitudine se determin prin factorul M numit factor de
distorsiuni de frecven. Coeficientul M caracterizeaz cantitativ gradul de distorsiuni de
amplitudine frecven i se determin de formula:
M=K()/K
o
,
unde K() este coeficientul de amplificare la frecvena prestabilit; K
o
coeficientul de
amplificare la frecvene medii (f
o
) adic la frecvene la care amplificarea se poate
considera independent de frecven din diapazonul de frecvene lucrtoare adic la
frecvena la care amplificarea nu depinde de frecven.
De regul coeficientul M se determin numai pentru frecvenele limit inferioar f
li
i limit superioar f
1s
a gamei de frecvene lucrtoare, conform relaiilor:

;
) (
) ( ;
) (
) (
0 0
K
K
M
K
K
M
lS
lS S
li
li i

(33), (34)

unde K
il
() i K
sl
() sunt coeficienii de amplificare la frecvenele limit inferioar i
superioar corespunztor. Mrimile M
i
, i M
s
pot fi ct supraunitare att i subunitare.
Corespunztor CA-F va conine ascensiune sau avalan.
n amplificatoarele multietaj, coeficientul de distorsiuni de amplitudinefrecven
este:
M=M
1
M
2
M
n
(35)
unde M
1
,

M
2
,

M
n
sunt factori de distorsiuni de ampliudine a etajelor amplificatoare
ce int n componena circuitului amplificator.
Cnd toate etajele sunt identice:
M=M
n
(36)
Factorul de distorsiuni de frecvene exprimat n decibeli este:
M[dB]=M
1
[dB]+M
2
[dB]++M
n
[dB].
Cnd CA-F este cunoscut pot fi determinate frecvenele limit (f
li
i f
ls
) i banda de
frecvene lucrtoare a amplificatorului. Ca frecvene limit se consider frecvenele la care
coeficientul de amplificare n tensiune (curent) K() difer de coeficientul K
o
(este mai
mic dect K
o
) de 2 ori (K()=K
o
/ 2 =0.707K
o
), iar cel de putere K
p
este de 0.5K
op
(K
p
=0.5K
op
). n ambele cazuri K
u
() i K
i
() sunt mai mici cu 3dB de ct coeficientul K
o
.
K K
f f
K
u0
??K
u0/2
??K
u0/2
K
u0
f
il
f
il
f
0
f
0
f
sl
f
sl
a)
b)
Fig. 1.8
17
Diapazonul de frecvene f
ls
-f
li
poart denumirea de gam (band) de frecvene lucrtoare.
n dependen de valoarea gamei de frecvene, amplificatoarele se mpart n dou grupe:
amplificatoare selective i amplificatoare de band larg.
n amplificatoarele selective are loc inegalitatea (fig.1.8,b):
f
ls
f
li
=f <<f
ls
, (37)
iar pentru amplificatoarele de band larg egalitatea:
f= f
ls
-f
li
f
ls;
f
ls
>>f
li
(38)
n amplificatoarele de band larg gama de frecvene se discern (se deosebesc)
urmtoarele subgame: subgama de frecvene joase, subgama de frecvene medii i
subgama de frecvene superioare. O grup deosebit o formeaz amplificatoarele de curent
continuu, la care f
li
=0 i corespunztor raportul f
ls
/f
li
este infinit
Distorsiuni de faz. Distorsiunile de faz nu influeneaz nici spectrul semnalului
i nici raportul dintre amplitudinile componentelor lui spectrale; ele cauzeaz numai
deformarea formei semnalului. Cauza este n faptul c componentele spectrale a
semnalului de ieire n raport cu cele de intrare trecnd prin amplificator se defazeaz la
diferite valori. Deformarea formei semnalului compus din dou componente spectrale, ca
exemplu, este artat n fig.1.9, unde se admite c armonica unu (n =1) nu este defazat de
amplificator n timp ce armonica doi este defazat la =/4.
Din oscilogramele artate n fig.1.9 se vede, c distorsiunile de faz ntr-adevr
influeneaz puternic forma semnalului de ieire n raport cu forma semnalului de intrare,
ce se reflect negativ asupra amplificatoarelor. Ca rezultat distorsiunile de faz
influeneaz negativ amplificatoarele de imagine, distorsionnd imaginea. Caracteristica de
faz artat prin linie punctat corespunde amplificatorului ideal, iar cea continu
amplificatorului real.
Pentru a arta cazul cnd distorsiunile de faz pot lipsi, admitem c amplificarea
este fr distorsiuni de faz, iar decalajul n timp dintre semnalul de ieire i cel de intrare
t
U
in
U
ies
t

t
Rezultanta
n =1
n =2
n =1
n =2
Fig. 1.9
Rezultanta
18
este de t. n aa caz fiecare armonic a semnalului de intrare poate fi prezentat n forma
urmtoarea:
U
ink
=A
k
sin(
k
t+
k
)
Dupa amplificarea lor cu considerenta de decalaj la t, la ieirea amplificatorului
obinem:
U
iek
=K
uo
A
k
sin(
k
t+
k
+
k
)
Dac
k
=
k
t, atunci:
U
iek
=K
uo
A
k
sin[
k
(t-t)+
k
],
de unde defazajul condiionat de decalajul t este:

k
= -2f
k
t=Cf
k

(39)
Din relaia (39) urmeaz, c atunci cnd defazajul este funcie liniar de frecven,
distorsiunile de faz lipsesc. n fig.1.9 sunt artate caracteristicile de fazfrecven pentru
amplificatorul ideal (linia punctat ) i cel real (linia continu).
Menionm c distorsiunile de faz i amplitudine sunt condiionate de unii i
aceiai factori i apar concomitent; distorsiunilor de amplitudine majorate le corespund
distorsiunile de faz mari i invers.
La rnd cu indicii precutai, adesea ori se cere de a cunoate randamentul
amplificatorului, diapazonul dinamic al amplitudinii semnalului de intrare, nivelul de
zgomot propriu, stabilitatea de funcionare, sensibilitatea, etc.
Randamentul amplificatorului. Pentru amplificatoarele de putere randamentul
este unul dintre cei mai importani parametri. Exist dou noiuni de randament:
- randament complet
- randament electric.
Randamentul complet se determin de relaia:
=P

/P

, (40)
unde P

- puterea util debitat n sarcin, P

- puterea absorbit de ctre toate circuitele

amplificatorului de la toate sursele de alimentare.
Randamentul electric este:
=P

/P
o
, (41)
unde P
o
este puterea absorbit de la sursa de alimentare numai de circuitul colector (dren)
de la sursa de alimentare.
Afar de parametrii sus numii circuitele amplificatoare se mai caracterizeaz de
urmtorii parametri :
- impedana de ieire i impedana de intrare (R
in
i R
ies
);
- factorul de reacie parazit ();
- etc.
Deasemenea pot fi distorsionate i semnalele compuse (nesinusoidale), ca, de
exemplu, semnalele de form impuls. Precutm cum influeniaz amplificatorul forma
semnalelor de acest gen.
19
Semnalele impuls pot fi: uniimpuls, multiimpuls sau n form de o treapt; forma lor
poate fi: dreptunghiular, triunghiular, exponenial, etc.(fig. 1.10,a)).
Semnalele impuls de asemenea pot fi unipolare sau bipolare. Impulsul ca atare se
caracterizeaz prin amplitudinea A i durata t
i
. n tehnic mai pe larg sunt utilizate
semnalele impuls de forma dreptunghiular. Consecuvitatea lor periodic se caracterizeaz
de perioada de repetare a impulsurilor, notat prin litera T (sau de frecvena F=1/T) i de
factorul de umplere, notat prin litera S i este S=T/t
i
(fig. 7,a).
Forma impulsului real difer de cel ideal (fig. 7,b), ce se explic prin distorsionarea
lui, de asemenea condiionat de circuitul amplificator. Mai caracteristice sunt urmtoarele
distorsiuni de impuls: valoarea limit a duratei frontului t
f
anterior i posterior, scderea
polierului. n multe cazuri pe polierul impulsului se observ erupii , mai ales cnd n
circuit sunt utilizate inductane de corecie. Ca durat de front t
f
se consider timpul, n
care tensiunea sau curentul impulsului se schimb de la 0,1 pn la 0,9 (sau de la 0,9 pn
la 0,1) de la valoarea sa nominal. Durata activ a impulsului real t
i
se apreciaz la nivelul
de 0,5A.
2.2 Metodele de analiz a amplificatoarelor.
Dac la intrarea amplificatorului aplicm un semnal sinusoidal, atunci i la ieirea
lui ar trebui se obinem un semnal aproape de form sinusoidal, numai cu amplitudinea
mrit i faza modificat. La transmiterea semnalelor armonice de amplitudine i frecven
constante, amplificatorul poate fi considerat c funcioneaz n regim staionar. n aa caz
pentru analiza lui poate fi utilizat principiul de suprapunere. Folosind acest principiu,
analiza reaciei amplificatorului excitat de semnalele periodice cu un spectru complicat
poate fi simplificat. Semnal complicat poate fi prezentat (artat) n form de sum de
t
i
t
f
t
t
t
U U
U
t
i
T
A
A
0,1
0,5
0,9 U
Fig. 1.10
a)
b)
c)
20
semnale armonice, precutnd transmiterea fiecrui din ele independent una de alta.
Existena caracteristicilor de amplitudinefrecven i fazfrecven sunt destule pentru
analiza particularitilor amplificatorului n transmiterea semnalelor periodice.
n alt mod st problema n ce privete transmiterea semnalelor neperiodice.
Semnalul impuls unitar este compus din poriuni care au vitez de variaie diferit
(componenta lor spectral este foarte larg). De exemplu, impulsul ideal dreptunghiular
este compus din poriuni cu derivate infinite i nule n timp. Sub influena asemenea
semnale n circuitele amplificatoare apar procese tranzitorii. Din aceste motive la
amplificatoarele n regim de amplificare a semnalelor impuls se recomand ca
performanele principale s fie descrise de caracteristicile de tranziie. Caracteristica
amplificatorului de tranziie este dependena semnalului de ieire n funcie de timp
U
ie
(t)=h(t), cnd amplificatorul este excitat de o treapt de tensiune unitar. Treapta
unitar de tensiune este numit funcia de timp care la t<0 identic este nul i la t0 este
unitar. Ea se noteaz: l
o
=l(t).
Distorsiunile liniare ale semnalelor impuls se pronun prin distorsionarea
poriunilor ce au viteze de variaie foarte mari i foarte mici. Distorsionarea poriunilor cu
viteze mari de variaie se pronun prin ntrzierea impulsului n timp, iar a celor cu viteze
mici prin scderea polierului. Cunoscnd caracteristica de tranziie a circuitului
amplificator se poate determina cum amplificatorul red semnalul neperiodic de orice
form, prezentnd semnalul studiat n form de salturi elementare, i folosind mai departe
pentru analiza lui principiul de suprapunere.
Aadar, calitatea de funcionare a circuitului amplificator, se determin prin reacia
lui la excitarea cu un semnal sinusoidal sau un semnal impuls.
Semnalul de ieire cu cel de intrare se gsesc n funcie de ecuaie diferenial
liniar. Pentru majoritatea din circuitele electrice soluionarea ecuaiilor de acest tip este
destul de complicat. Pentru o simplificare n soluionarea problemei se utilizeaz sau
metoda complex sau metoda de operatori. Cnd amplificatorul funcioneaz n
amplificarea semnalelor sinusoidale, analiza lui este mai convenabil prin metoda
complex. n acest caz semnalul sinusoidal se nlocuiete cu un complex, iar amplitudinea
semnalului sinusoidal se alege egal cu partea lui real:

( )
t j
e U t U

Re ) (
, (42)
unde
j
Ue U

(43)
Cretere
Scdere
t
t
U
in
U
ie
a)
b)
Fig. 1.11
21
n metoda complex derivarea i integrarea funciilor sinusoidale se reduc la
nmulirea i mprirea simbolului funciei cu operatorul j. Folosind aceast metod,
este uor de calculat coeficientul amplificator i defazajul semnalului de ieire n raport cu
semnalul de intrare i deasemenea construirea CA-F i CF-F.
Dac, de exemplu, semnalul de ieire cu cel de intrare se gsesc ntr-o relaie de
ecuaie diferenial de tipul:

in ie ie
ie
n
ie
n
n
U dt U a U a
dt
dU
a
dt
U d
a + + + +

1 1 1
'
... ,
atunci, nlocuind U
ie
i U
in
cu simbolurile lor, scriem ultima relaie n forma :

t j
in
t j
ie
t j
ie
t j
ie
t j
ie
n
n
e U e U
j
a e U a e U j a e U j a

+ + + +

1
... ) (
1 0 1 ,
i simplificnd la e
j t
, obinem relaiile ce determin semnalul de ieire i coeficientul de
amplificare corespunztor:
in U ie
U K U
~

(44)

) (
1 0 1
) (
1
... ) ( ... ) (
1 ~
) (

j
U
n
n
U U
e K
j
a a j a j a
K j K
+ + + + +

(45)
Adeseori n metoda complex nu trebuie de compus ecuaiile difereniale, fiindc
soluia necesar poate fi obinut, folosind legea lui Chirgof. Pentru aceasta inductanele i
capacitile din circuit se nlocuiesc cu rezistenele reactive jL i 1/jC . Un mare ajutor
n metoda complex o dau irurile Fourie.
n amplificarea semnalelor impuls, n calcule e mai bine de folosit metoda de
operatori, n baza creia este pus funcional Laplace. Funcia f(t) transformat conform
Laplace este:

[ ]

0
) ( ) ( ) ( p F dt t f e t f L
pt
,
(46)
unde p operator, el este o mrime real sau complex.
n calculele circuitelor electronice mai des este utilizat transformarea funcional
Carson:

[ ]

0
) ( ) ( ) ( t f pL dt t f e p p H
pt
(47)
n sistemul Carson, ca excitare elementar este utilizat treapta unitar cu un timp
de cretere infinit de mic. Transformarea Carson a acestei trepte este egal cu unitatea:

0
1 ) ( 1 )] ( 1 [ dt t e p t H
pt

(48)
Simbolic transformarea prin operatori se reprezint n modul urmtor:

F ( p ) = f ( t )
, (49)
unde f(t) este originalul funciei; F(p) imaginea ei n operatori.
22

Popularitatea metodei operaionale se explic prin faptul c exist tabele ce fac
legtura ntre original i imaginea operatoare a multor funcii. Ele permit gsirea soluiei
fr a efectua operaia de integrare.
Ca exemplu determinm expresia caracteristicii de tranziie a cuadripolului artat n
fig. 1.12
Tensiunea operatoare de ieire este:
) ( ) ( ) (
) ( ) (
) (
) (
2 1
2
p U p K p U
p Z p Z
p Z
p U
in U in ie

+

,
unde K
U
(p) coeficientul de transfer al cuadripolului.
Rezistenele Z
1
(p) i Z
2
(p) se obin din impedanele complexe,nlocuind (j) cu
operatorul p.
Dac tensiunea de intrare este o dreapt U
in
(t)=1
o
atunci n forma operatoare aceast
tensiune este: U
in
(p)=1.
Cu aceast considerent:
U
ie
(p)=K
U
(p)1=H(p),
unde H(p) este caracteristica de tranziie n form operaional:
H ( p ) = h ( t )
(50)
Aadar, caracteristica tranzitorie a cuadripolului este coeficientul lui de transfer n
form operaional pentru semnalele sinusoidale.
Caracteristica tranzitorie h(t) poate fi gsit n modul urmtor: toate impedanele se
scriu n form de operatori; dup Legea lui Ohm Kirgoff se determin K(p)=H(p), se
determin originalul originalului operaional, adic
h ( t ) = K ( p )
U
. Cunoscnd forma
semnalului de intrare i K
U
(p) se determin forma semnalului de ieire, pentru ce se cere
de determinat:
U
ie
(p)=K
U
(p) U
in
(p)
Cunoscnd CAF i CPF se poate determina caracteristica tranzitorie i, invers,
cunoscnd caracteristica tranzitorie, se pot determina primele dou.
Noi am gsit c
K ( p ) = H ( p ) = h ( t )
U
, adic caracteristica CAF n form de operator
este imaginea caracteristicii tranzitorii. Conform teoremei similitudinii, dac K
U
(p) h(t),
atunci:
K
U
(ap) h(t/a)
(51)
Cnd a = 0: K
U
(0) h()
U
in
U
ie
Z
1
Z
2
Fig. 1.12
23
U ( p ) = U ( t )
i n i n
U ( t ) = U ( p )
i e i e
=
=
=
Cnd a : K
U
() h(0).
Ultimele relaii arat, c n amplificatoare procesul tranzitoriu n momentul iniial
de timp (t0) se determin de capabitatea lor de a amplifica semnalele de frecvene nalte
(p=j=), iar cu creterea timpului (t) de capabilitatea de a amplifica semnalele de
frecvene joase (p=j 0).
A legerea regimului de funcionare a tranzistorului. n afara circuitelor de
intrare i ieire i a circuitelor cuplatoare dintre etaje, n circuitele amplificatoare sunt
utilizate elemente ce asigur regimul de funcionare a tranzistorului. De regul regimul
iniial de funcionare a tranzistorului (regimul de repaus) se determin de ansamblu de
componente de curent continuu -a tensiunii U
0C
i curentului I
0C
colector i tensiunii de
polarizare U
0b
. Regimului iniial a tranzistorului i corespunde poziia iniial a punctului
static de funcionare pe dreapta de sarcin, construit pe familia de caracteristici statice de
ieire. n amplificatoarele echipate cu tranzistori, rezistena sarcinii n curent alternativ
difer de cea n curent continuu.
Pentru a construi caracteristica de sarcin mai nti se determin regiunea lucrtoare
a caracteristicilor statice, limitat de valorile limit ale tensiunii i curentului colector
(U
c.max
i I
c.max
) a puterii maximal-admisibile, ce poate fi disipat de colector P
c.max
la
temperatura lucrtoare maximal admisibil (fig. 1.10, b).
n dependen de regimul iniial de lucru ales i amplitudinea semnalului de intrare,
curentul prin circuitul colector poate curge n timp de toat perioada semnalului de intrare,
sau numai ntr-o orecare parte de perioad (n cealalt parte de perioad tranzistorul este n
blocare). n corespundere cu aceasta n circuitele electronice se deosebesc urmtoarele
regime de funcionare a tranzistorului: regimul clasa A, regimul clasa AB, regimul clasa B
i regimul clasa C (fig.1.13).
24
=
n regimul clasa A poziia iniial a punctului static de funcionare pe dreapta de
sarcin i amplitudinea curentului de intrare se aleg n aa mod, ca punctul static de
funcionare s nu ias n afara limitelor dreptei de sarcin, unde variaia curentului colector
este direct proporional cu variaia curentului baz (fig.1.13,b, extremele A i B,
determinate de curenii I
C1
i I
C3.
)

n regimul clasa A, tranzistorul permanent este n
conducie (fig. 1.13,a). Funcionarea tranzistorului n regimul clasa A se caracterizeaz
prin cele mai reduse distorsiuni neliniare nsi i randamentul este cel mai mic. De
exemplu amplificatoarele n conectareare BC, n comparaie cu conectarea EC sau CC, au
cel mai mare randament, nsi chiar la puterea de ieire maximal posibil randamentul
lor nu depete ~ 4548%, n caz ideal =50%. Din aceast cauz regimul de
amplificare clasa A este utilizat numai atunci cnd cerinele n ce privete distorsiunile
neliniare sunt dure, iar puterea de ieire i randamentul sunt factori secundari. n regimul
clasa A, de regul, funcioneaz amplificatorele de tensiune i amplificatoarele de putere
redus (P
~
1W).
La amplificarea semnalelor de valori mici poziia iniial a punctului static de
funcionare se recomand de ales n aa mod ca s se obin amplificarea maximal n
curent (parametrul h
21
maximal) i o absorbire de putere minimal de la sursa de
alimentare. Regimul n curent trebuie ales aa, ca coeficientul de amplificare n curent s
U
CE
U
0C
. .m c
U

. .m c
U

U
CE
I
C
P
C max
A
B
C
D O
I
C1
I
0C
I
CE
~
S
P

S
P
E
C
t
I
b1
=0
I
b2
=I
0b
I
b3

max C
U
A

b)
. .m c
I

. .m c
I

t
i
c
a)
I
b
U
BE
I
b2
=I
0b
I
b3
I
b.m.
U
0B
U
0b.m
c)
Fig. 1.13
25
depind de schimbarea curentului I
E
. Trebuie de inut cont i de regimul la care
productorul tranzistoarelor garanteaz parametrii tipici ai tranzistorului. Cnd semnalul de
intrare este de valori comparativ mari punctul static de funcionare se alege n mijlocul
dreptei AB, n punctul O.
Pentru asigurarea regimul de funcionare ales mai nti trebuie de impus curentul
bazei (curentul de repaos baz) I
0b
=I
b2
, iar amplitudinea curentului alternativ baz nu
trebuie s depeasc diferena I
b3
-I
b2
>I
b
(fig.1.13). Dup ce s-a stabilit valoarea
curentului I
0b
se determin valorile iniiale de curent I
0C
i tensiune U
0C
colector ce
corespund punctului static de funcionare ales. Se determin de asemenea i componentele
alternative de curent I
cm
i tensiune U
cm
colector corespunztor.
n caz de sarcin pur rezistiv valoarea maximal a semnalului de ieire se asigur la
tensiunea U
0C
=E
C
/2, iar curentul I
0C
se determin de sarcina impus sau se alege din
condiia de a obine n semnalul de ieire distorsiuni neliniare minimale. n ultimul caz
sarcina se alege n aa mod ca semiperioadele cm
U
i cm
U
s fie aproximativ egale, pentru
ce dreapta de sarcin din nou se construiete pentru cteva valori de sarcin i se alege cea
la care cm
U
este mai aproape de cm
U
.
n caz cnd sursa de alimentare aleas are fora electromotoare FEM mai mare ca
tensiunea admisibil colector a tranzistorului ales schema trebuie calculat n aa mod, ca
ct la conectarea, att i la deconectarea sursei, tensiunea colectorborna comun s nu
depeasc tensiunea dat de ndrumar la tranzistor.
n caz cnd sarcina cu amplificatorul are conectare mutual, valoarea tensiunii de
ieire este maximal cnd U
0C
E
C
U
c.max
/2. Valoarea curentului I
0C
n acest caz se
determin de valoarea sarcinii colector n curent continuu.
Puterea, ce o asigur tranzistorul n sarcin, la un semnal de intrare sinusoidal este:
OBD sp AOC sp I U P
cm cm S
. .
2
1
.

iar puterea n colector se determin:
C C C
U I P
0 0

,
iar amplificarea n curent este:
ob b
oc c
bm
cm
i
I I
I I
I
I
K

3
3
.
Calculele grafico-analitice a mrimilor: amplitudinea tensiunii de intrare, impedana
de intrare n tranzistor, puterea semnalului de intrare, amplificarea n tensiune i putere, se
efectueaz, folosind caracteristicele statice de intrare a tranzistorului cu sarcin
(fig.1.13,b). Pentru amplificatorul clasa A dup caracteristica, artat n fig.1.13,b se
determin amplitudinea semnalului de intrare dubl i amplitudinea dubl a curentului de
intrare. Cunoscnd valoarea acestor mrimi, cnd semnalul de intrare este de form
sinusoidal, se pot calcula:
puterea semnalului de intrare, amplificarea n tensiune, amplificarea n putere i
impedana de intrare a tranzistorului corespunztor:
bm bm in
U I P
2
1

;
bm
cm
U
U
U
K
;
in
ie
P
P
P
K
;
bm
bm
in
I
U
R
.
Menionm c nelinearitatea caracteristicii de intrare poate servi drept pricin de
distorsiuni neliniare chiar cnd regimul de funcionare a tranzistorului dup caracteristicile
de ieire a fost ales corect.
26
Dup cum va fi artat mai jos, pentru a micora distorsiunile neliniare n schemele
BC se recomand de a utiliza surse de semnal cu impedana intern ct mai mare. Drept c
n acest caz scade amplificarea n tensiune.
n ce privete schema EC independent de valoarea impedanei interne a sursei de
semnal distorsiunile neliniare sunt ceva mai mari ca la amplificatoarele BC, mai ales la
cureni mari. Pentru micorarea lor trebuie de micorat amplitudinea semnalului de intrare.
n regimul clasa B punctul static de funcionare iniial se alege n regiunea de curent
colector redus, mai aproape de I
CO
(fig. 1.14,b).n acest regim tranzistorul conduce numai
ntr-o semiperioad de semnal (fig. 1.14), adic funcioneaz cu unghi de tiere.
Unghi de tiere (blocare) se numete jumtatea duratei de timp n care prin tranzistor curge
curent.
Unghiul de tiere n regimul clasa B este de 90
o
. Regimul clasa B se caracterizeaz
prin distorsiuni neliniare mrite, din cauza la ce el se utilizeaz numai n etajele n
contratimp.
Regimul clasa AB este regimul ce se gsete ntre regimul clasa B i regimul clasa
A. El de asemenea n majoritate se utilizeaz n etajele contratimp. Unghiul de tiere n
regimul clasa AB poate ajunge valori de pn la 120130
o
. Regimul clasa AB este ceva
mai econom n comparaie cu regimul clasa A, i se caracterizeaz cu un grad de
distorsiuni neliniare ceva mai mici ca regimul clasa B.

2.3 Metodele de asigurare a punctului static de funcionare i stabilitatea
punctului static de funcionare.
n amplificatoarele multietaj, circuitele colector a etajelor, de regul, se alimenteaz
de la aceeai surs de alimentare. Pentru a exclude legturile parazite posibele ce pot
aprea ntre etaje se folosesc filtre decuplatoare RC. Poziia iniial a punctului static de
funcionare pe dreapta de sarcin se determin de curentul de intrare a amplificatorului.
Regimul de funcionare ales a tranzistorului se asigur prin aplicarea la baza lui n raport
cu emitorul a unei tensiuni de o anumit valoare, numit tensiune de polarizare, care n
dependen de tipul tranzistorului i regimul de funcionare ales poate avea valoarea de la
U
C
U
ies
I
E
> 0
I
E
= 0
I
C
i
c
I
CMax
I
C0
t
t
a) b)
Fig. 1.14
27
0,1 pn la 1,0 [V]. Tensiunea de polarizare baz poate fi asigurat prin introducerea n
circuitul baz a unei baterii speciale (a unei surse de tensiune independent de sursa de
alimentare colector) sau prin utilizarea sursei de alimentare colector.
Practic, circuitele baz i colector se alimenteaz de la una i aceiai surs de
alimentare, numit surs de alimentare colector, utiliznd suplimentar un divizor de
tensiune rezistiv sau o rezisten atenuatoare (priveste fig.1.15). n acest caz jonciunea
emitor are conectare invers, iar jonciunea colector direct.
Tensiunea de polarizare baz poate fi aplicat n paralel cu sursa semnalului de
intrare, sau n serie cu ea. Dac sursa de semnal are o born comun cu ina nul a
amplificatorului, atunci ea se unete cu baza (sau emitorul) tranzistorului prin intremediul
unui condensator, numit condensator decuplator. Unirea sursei cu tranzistorul prin
intermediul condensatorului se folosete i cnd se cere divizarea n curent continuu a
sursei de semnal de terminalul dirijator al tranzistorului. n aa conectare sursa de semnal
este untat de circuitul de polarizare i impedana de intrare a tranzistorului (fig.1.15, a, b,
c, d ). Cnd nu se cere unirea sursei cu borna nul a amplificatorului i sursa posed de
conductibilitate galvanic (de exemplu sursa are ieire mutual), atunci ea cu circuitul de
polarizare poate avea unire serie. Circuitul de polarizare n acest caz trebuie blocat cu un
condensator de mare capacitate, pentru ca semnalul de intrare s ajung la jonciunea
emitor fr pierderi (fig. 1.15, d). Polarizarea bazei de la sursa de alimentare colector poate
avea loc prin fixarea curentului baz sau prin fixarea tensiunii baz. Polarizarea bazei prin
intermediul rezistenei R
1
(fig. 1.15, c, d) este numit polarizare prin fixarea curentului
baz. Regimul iniial de funcionare n acest caz se stabilete cu ajutorul rezistenelor R
1
i
R
e
, iar curentul iniial baz n punctul static de funcionare se determin de relaia:
I
0c
E
c
R
c
R
1
C
U
0c
U
0b
I
0c I
0b
E
c
_
+
R
c
R
1
C
R
2
I
d
I
0b
U
0c
U
0b
I
0c
E
c
_
+
R
c
I
0e
E
c
+
_
+
_
R
C
VT
U
0c
E
c
+
_
R
e
I
0b
I
0e
I
0c
E
c
_
R
c R
1
Tr
C
bl
VT
+
a) b) c)
d) e)
Fig. 1.15
U
0ce
VT
VT
VT
28

1
0
0
R
U E
I
b c
b

(52)
Cnd valoarea curentului I
0b
este cunoscut, ea practic se asigur prin alegerea rezistenei
R
1
:

b
b c
I
U E
R
0
0
1

(53)
De regul U
ob
< E
c
i atunci rezistena R
1
pote fi calculat,folosind relaia:
R
1
E
c
/I
0b
, (54)
unde U
0b
este tensiunea bazei (tensiunea de polarizare a tranzistorului) n punctul static
de funcionare cu coordonatele (I
0b
, U
0b
).
Polarizarea tranzistorului prin fixarea curentului baz nu a gsit o larg utilizare ce
se explic prin faptul c circuitul amplificator n acest caz este foarte sensibil la variaia
temperaturii. Polarizarea prin fixarea curentului baz este foarte sensibil la variaii de
temperatur,i ea poate fi utilizat numai n dispozitivele unde variaia temperaturei
mediului ambian nu depete 1020
o
C,iar curentul I
0c
este comparativ mic (nu depete
uniti de mA).
Polarizarea tranzistorilor de la sursa de alimentare colector prin intermediul
divizorului de tensiune R
1
i R
2
(fig. 1.15, b) poart denumirea de polarizare prin fixarea
tensiunii de polarizare baz. Pentru ca curentul n punctul static de funcionare la variaia
temperaturii, la mbtrnirea i schimbarea tranzistorilor, s-i pstreze valoarea iniial,
rezistena R
2
trebue se fie de o rezisten ct mai mic. Cu micorarea rezistenei R
2
scade
impedana de intrare n amplificator. n dependen de puterea de ieire i regimul de
funcionare a etajului, curentul I
d
ce curge prin divizorul R
1
,R
2
se alege de aproximativ 2
5 ori mai mare ca curentul baz I
0b
n punctul static de funcionare. Cu majorarea
curentului I
d
consumul de putere absorbit de el de la sursa de alimentare crete, iar
randamentul etajului corespunztor scade.n acest caz schimbarea tranzistorilor circuitului
amplificator nu este critic.Polarizarea prin fixarea tensiunei baz poate fi utilizat n
circuitele electronice cu variaii de temperaturi mai mari .
Cum influeneaz variaia temperaturii funcionarea circuitelor electronice
nestabilizate se poate aprecia dupa caracteristicile statice de ieire a tranzistorului de
germaniu n conectare EC,artate n fig. 1.16. Instabilitatea de funcionare a etajelor
amplificatore n majoritate este influenat de variaia curentului indirect colector I
C0,
condiionat de: variaia temperaturii, variaia coeficientului de transfer n curent emitor
a tranzistorului i deplasarea termic a caracteristicilor statice de intrare U
EB
.
Curentul indirect colector cu majorarea temperaturii crete exponenial. De exemplu,
schimbarea temperaturii de la 25
o
la 55
o
C provoac majorarea curentului termic colector a
tranzistorilor tipici de germaniu de la ~200 la ~1600 A, iar a tranzistorilor de siliciu de la
~0,8 la ~22 A.

29
Dac n circuitul colector includem o rezisten de 10 k, atunci componenta de
tensiune n curent continuu pe colectorul tranzistorului de tip germaniu se va schimba cu
14V,adic U
0C
=14V, iar a tranzistorului de siliciu cu 0,21V (U
0C
=0,21V). Din cifrele
obinute urmeaz, c pentru a majora stabilitatea de funcionare a amplificatorului trebuie
de utilizat tranzistori de siliciu, iar curentul I
0C
de ales ct mai mare.
Menionm c curentul I
0C
n punctul static de funcionare cu variaia temperaturii n
schema BC variaz mai puin ca n schema EC. De aceea pentru majorarea stabilitii de
funcionare a circuitelor electronice n curent continuu e de dorit ca tranzistorul s fie n
conectare BC.
Mai sus a fost artat, c cu majorarea temperaturii, caracteristica static de intrare a
tranzistorului se deplaseaz n partea curenilor mari.Asta nseamn c la o valoare fix de
tensiune U
EB
cu majorarea temperaturii crete curentul emitor (i corespunztor colector),
i ca urmare se schimb regimul de funcionare a tranzistorului. Deplasarea caracteristicii
de intrare este condiionat de modificarea tensiunii pe jonciunea emitor, influenat de
variaia temperaturii la I
E
=const. n calculile inginereti coeficientul termic de tensiune
emitor-baz pentru tranzistoarele de germaniu i siliciu se consider egal cu 2mV/grad.
n foile de catalog caracteristicile tranzistorului statice sunt artate la temperatura de
20
o
C. Creterea tensiunii emitor-baz la temperaturele maximal i minimal i deplasarea
punctului static de funcionare ales pe caracteristica de intrare pot fi calculate din
formulele:

( )
( )

'

+
+
C 20 t 002 , 0
t - C 20 002 , 0
o
min j 0 max 0
o
min j 0 max 0
BE BE
BE BE
U U
U U

(55)
unde
o
min j
t
i
o
max j
t
- temperatura minimal i maximal a jonciunii, C ,corespunztor.
n calculile practice se poate considera, c coeficientul de transfer n curent emitor
al tranzistorilor din germaniu i siliciu cu temperatura se variaz aproximativ cu 210
-4
la
40
40
I
b
= 40 A
20
0
20
0
20
0
2
6
10
14
18
4 8 12
+20C
+60C
+85C
E
C
U`
0c
U
0c
I
0c
I`
0c
U
ce
[V]
I
c
[mA]
Fig. 1.16
30
un grad de temper celsiu. Din aceast cauz pentru o stabilitate de funcionare
independent de temperatur n circuitele amplificatoare se introduc elemente de
stabilizare termic a regimului de funcionare n curent continuu, destinate micorrii
erorilor,condiionate de divizibilitatea () parametrilor tranzistorilor i dependena
lor de temperatur. Cu scopul de a majora stabilitatea de funcionare a circuitelor
electronice n ele pe larg se folosete stabilizarea termic, prin stabilizarea punctului static
de funcinare a tranzistorilor.
2.4 Stabilizarea punctului static de funcionare.
Stabilizarea termic. Termostabilizarea regimului de funcionare a circuitelor
electronice este un proces important n elaborarea circuitelor amplificatoare, n care
influena variaiei temperaturii mediului ambiant va fi minimal. n baza metodelor de
termostabilizare a regimului static de funcionare este pus reacia negativ n curent
continuu, utiliznd ca circuite de reacie - elemente liniare.
n fig. 1.17 sunt artate cteva scheme de termostabilizare a regimului de
funcionare puse la baza etajelor amplificatoare, alimentate de la una i de la dou surse de
alimentare.
n circuitele din fig.1.17(a,b) stabilizarea termic a regimul de funcionare se
realizeaz prin reacia negativ n curent continuu, folosind ca reea de reacie rezistena
R
E
. Aceast metod de stabilizare este numit stabilizare emitor. Principiul de stabilizare
termic emitor const n faptul c cu creterea curentului emitor I
E
, crete i cderea de
tensiune pe rezistena R
E
, prin care curge curentul. Acest proces are loc deoarece cderea
de tensiune pe rezistena R
2
nu depinde de temperatur (cu creterea temperaturii,
R
1
R
1
R
2
R
c
R
e
C
e
C
-E
C
I
c
I
e
I
b
VT
C
U
cb
I
b
I
c
R
1
R
c
U
ce
VT
-E
C
U
be
R
c
C
b
-E
C
VT
R
1
R
c
R
2
R
e
C
e
C
f
R
f
C
VT
-E
C
R
c
R
1
C
e
R
e
R
2
C
b
-E
C
VT
R
c
R
1
C
e
R
e
R
2
C
b
-E
C
VT
C
f
R
f
R
b
R
c
R
e
C
VT
E
1
_
+
-E
C
C
e
a) b) c) d)
e) f) g)
Fig. 1.17
31
rezistena R
2
rmne constant) tensiunea U
BE
=U
R2
-U
RE
scade, iar curenii baz i colector
se micoreaz. Datorit acestui fapt n schema stabilizat, curentul colector I
0C
n punctul
static de funcionare, n comparaie cu schema nestabilzat, cu variaia temperaturii se
pstreaz aproximativ la aceeai valoare.
Capacitatea C
E
ce unteaz rezistena R
E
este numit capacitate de blocare. Ea
exclude reacia negativ n etaj n curent alternativ, pstrnd coeficientul de amplificare n
curent alternativ fr schimbri. Schema de stabilizare emitor este comod prin faptul, c
n ea se poate dirija aparte cu regimul de funcionare i aparte cu regimul de stabilizare.
Alegerea corect a elementelor de stabilizare termic asigur o stabilizare nalt a
punctului static de funcionare ntr-o gam larg de temperaturi a mediului ambiant.
Circuitele amplificatoare, artate n fig.1.17,c,d difer de schemele de polarizare
prin fixarea curentul baz numai prin faptul, c rezistena R
1
este conectat nu nemijlocit la
sursa de alimentare, ci la colectorul tranzistorului. Rezistena R
1
n acest caz se determin
de relaia:

B
C
B
b C
b
CB
I
U
I
U U
I
U
R
0
0
0
0 0
1

(56)
n schemele, artate n fig. 1.17(c,d) stabilizarea termic a punctului static de
funcionare poart denumirea de stabilizare colector. Termostabilizarea colector difer de
cea emitor prin faptul c aceasta se petrece n tensiune i nu n curent. Procesul de
stabilizare termic colector poate fi descris n modul urmtor: majorarea temperaturii
provoac majorarea curentului colector I
0C
a punctului static de funcionare; majorarea
curentului punctului static de funcionare la rndul su provoc majorri de tensiune pe
rezistena R
c
, prin care el curge. Creterea tensiunii U
RC
la rndul su condiioneaz
scderea tensiunii U
EB.
ntr-adevr: U
CE
=U
CB
+U
BE
; U
CE
=U
CB
+U
BE
=E
C
-U
RC
, de unde
U
BE
=U
CE
-U
CB
=E
C
-U
RC
-U
CB
=(E
C
-U
CB
)-U
RC
.
Micorarea tensiunii U
BE
condiioneaz micorarea curentului I
OB
, care provoac la
rndul su micorarea curentului colector I
OC
(I
OC
= I
OB
), care tinde s pstreze valoarea sa
iniial I
0C
. Ca rezultat, sub influena reaciei negative, mrimile I
0C
i U
0C
variaz puin.
Schemele precutate mai sus sunt cazuri particulare ale schemelor artate n fig.
1.17(e i f), n care are loc stabilizarea mixt (reacie negativ n curent i n tensiune).
Schemele cu stabilizare termic mixt, n comparaie cu schemele de cazuri particulare,
asigur o stabilizare termic mai bun.
Pentru a exclude reacia negativ n curent alternativ, care are loc prin intermdiul
rezistenelor R
E
i R
f
, acestea se blocheaz de condensatoarele C
E
i C
f
corespunztor.
Valorile lor capacitive se aleg din relaiile:

50
1
;
50
1
f
f in
E
E in
R
C j
R
C j

unde
in
frecvena inferioar a gamei de frecvene lucrtoare.
Schemele de termostabilizare prin reacie negativ nu sunt capabile de a micora
variaia termic a curentului colector la zero, chiar cnd gradul de reacie negativ este de
100%. Aceasta se explic prin faptul, c n circuitul amplificator rmne un oarecare
disbalans iniial, una din componentele cruia, este valoarea variabil absolut a curentului
32
colector indirect. Prin stabilizarea termic precutat mai sus instabilitatea termic a
curentului colector n punctul static de funcionare poate numai fi limitat la o valoare
admisibil.
Eficacitatea de termostabilizare a curentului termic indirect colector I
C0
, a
deplasrilor termice a caracteristicilor statice de intrare T i modificarea coeficientului
de transfer (sau ) a tranzistorului se apreciaz prin coeficientul de instabilitate a
curentului colector S :
S=I
0C
/ I
C1
(1.57)
unde
I
0C
variaia curentului colector n puntul static de funcionare n schema
termocompensat n gama de temperaturi lucrtoare;
I
C1
variaia curentului colector, condiionat de factorii destabilizatori (I
C0
, T,
()).
n schemele cu termostabilizare ideal factorul de instabilitate termic este egal cu
unitatea (S=1).
Cu ct coeficientul S este mai mic , cu att schema la variaia temperaturii
funcioneaz mai stabil. Ca schem de baz n analiza abaterilor tensiunilor i curenilor de
la valorile lor nominale, lum schema artat n fig. 1.17,b, care dupa excluderea sursei de
alimentare n curent alternativ este artat n fig. 1.18,a. Rolul rezistenei R
C
n aceast
schem l joac rezistena R
f
. Considernd circuitul colector ca surs de curent, schema
artat n fig. 1.18,a poate fi adus la o schem mai simpl i mai comod pentru analiz,
artat n fig.1.18,b. Fora electromotoare (FEM) de reacie e

n schem este:

c b b
b
c c
R R R
R
i R e
+ +

1 2
2
(1.58)
Prin multiplicarea numitorului i numrtorului relaiei (1.58) cu suma (R
b1
+R
c
), obinem:
c b
c b
c
c c
i R
R R
R
i R e
+

1
(1.59)
Unde:
c b b
c b b
b
R R R
R R R
R
+ +
+

1 2
1 2
) (
.
(sau ) abaterea factorului de amplificare (n conectare BC) sau
(conectare EC) de la valoarea sa la temperatura de camer;
I
C0
abaterea curentului indirect colector de la valoarea sa la temperatura de
camer;
T deplasarea termic a caracteristicii statice de intrare de la poziia
corespunztoare temperaturii de camer.
n schema artat n fig.1.18,b prin c
R
este notat rezistena complet a sarcinii
colector cu considerenta reelei de reacie n tensiune R
b1
=R

. innd cont de acest moment

schema echivalent a etajului amplificator termostabilizat poate fi prezent n modul artat
n fig. 1.18,b, unde
T
este echivalent cu deplasarea caracteristicii de intrare a
tranzistorului, iar direcia de cretere a curenilor i polaritatea FEM corespund creterii
temperaturii.
33
Creterea curentului de repaos colector C C 0
i I
poate fi calculat din sistemul de
ecuaii, ce descriu schema artat n fig.1.18,b:

( ) ( )

+ +
+
+ + + +
E E C C
b C e
b b b E E E
I I I i
i i i
i r R i r R T e

0
' '
0
(1.60)
nmulind ecuaia doi cu suma
( )
b b
r R +
, adunnd cu ecuaia unu i substituind n
expresia obinut valoarea mrimii E
i
din ecuaia trei i
e
din egalitatea (1.59),
obinem:
1 0 C C C
I S i I
,
unde

( ) ( )
( ) ( )

+ + +
+ +

1
1
1
1
b E b C b E
b C b E
R R R R R R
R R R R
S
; (1.61)

,
_

+
+

E
b E
C C C
I
R R
T
I S i I
0 0 . (1.62)
Exprimnd prin parametrii schemei de configuraie T cu conectarea tranzistorului
EC (cnd
1 >>
) expresiile (1.61) i (1.62) pot fi scrise n modul urmtor:

( ) ( )
( ) ( ) ( )
b E b C b E
b C b E
R R R R R R
R R R R
S
+ + + + +
+ +

1 1
1
1
1
(1.63)
i

( )

,
_

+ +
+

0 0 C b
b E
C C
I I
R R
T
I S i
(1.64)
n relaiile (1.61)....(1.64) mrimile
' '
b
r
i b
r
au fost neglijate deoarece s-a
considerat c
E E
R r <<
' '
i b b
R r <<
.
Din (1.61) urmeaz, c rezistena R
b
n circuitul baz majoreaz instabilitatea
schemei i corespunztor pentru a obine o stabilitate de funcionare mai bun valoarea
rezstenei R
b
trebuie s fie ct mai mic, iar rezistena R
E
micoreaz instabilitatea schemei
r
c
R
e
R
b2
R
b1
R
c
a)
VT
i
e
R
e
R
b
C
R
b)
e
0c
+
_
i
0c
=i
e
i
b
VT
R
b
r
e
+ +
_ _
i
e
R
e
C
R
I
C
=i
C
e

T
r
b
I
b
c)
Fig. 1.18
34
i corespunztor valoarea ei trebuie s fie ct mai mare. Din formula (1.61), ce descrie
schema centralizat se poate obine expresia factorului de instabilitate practic pentru toate
cazurile particulare de stabilizare termic prin intermediul reaciei negative. Pentru aceasta
anumite rezistene ce intr n componena relaiei (1.61) se egaleaz cu zero sau infinit.
Din (1.61), respectiv (1.63) nu se poate determina corect cum mrimile R
b
i R
E
influieneaz, fiecare n parte factorul S. Pentru a rezolva aceast problem, procedm n
modul urmtor:
Admitem c R
E
=0, R
C
0, atunci relaia (1.61) va avea forma:
( )

,
_

+
+

,
_

C
b
b
b
C
b
b
C
b
R
R
R
R
R
R
R
R
R
S
1
1
1
1
1
1

a) R
b1
i corespunztor S
1
1
>>
C
b
R
R

;
b) R
b1
0 i corespunztor S ;
c) R
C
, R
b1
, R
b1
0 i corespunztor S.
Din relaiile a), b) i c) se vede cum rezistena ce determin gradul de reacie (R
b1
)
influeneaz factorul S i nu se vede cum l influeneaz rezistena R
b2
introdus nemijlocit
ntre baz i emitorul tranzistorului. Pentru a determina i influena rezistenei R
bc
admitem:
1) R
E
= 0, R
C
= 0, R
b
, R
b
0:
1
1 ) 1 (
>>

b
b
R
R
S
2) R
E
0, R
C
= 0, R
b
= 0:
1

E
E
R
R
S
3) R
E
= 0, R
C
= 0, R
b
, R
b
0, R
2
>>R
1
2
2 1
2 1
R
R R
R R
R
b

+

:
1
1 ) 1 )( (
) (
>>

+
+

b E
b E
R R
R R
S
.
n schema cu polarizare prin fixarea tensiunii baz-emitor (fig.1.15,b) (R
E
=0, R
C
=0)
factorul de instabilitate este:

1
S
n schema cu polarizare prin fixarea curentului baz (fig.1.15,c i d) (R
E
=0; R
C
=0 i

2 b
R
) factorul de instabilitate termic nu difer de factorul de stabiltate cnd schema
este stabilizat prin fixarea tensiunii baz emitor:

1
S
.
n ambele cazuri n circuitele amplificatoare stabilizarea termic lipsete i
corespunztor instabilitatea termic de funcionare S este maximal.
n schemele cu termostabilizare prin intermediul reaciei negative (fig.1.9,
2 1 2
// R R R
b

) factorul de instabilitate termic este:
35

2 1
2 1
1
1
R
R
R
R
R
R
R
R
S
E E
E E
+ +
+ +

.
Valorile limit a coeficientului S sunt:
S = S
min
= 1, cnd

E
R
i
0
b
R
.

1
max
S S
, cnd
0
E
R
i

b
R
.
Menionm c stabilitatea circuitului amplificator este cu att mai mare, cu ct mai
mare este rezistena R
E
i cu ct mai mic este rezistena R
b
; ea nu depinde de valoarea
sarcinii amplificatorului n curent continuu. nsi exagerarea cerinelor n ce privete
stabilizarea condiioneaz majorarea rezistenei R
E
, corespunztor cderii de tensiune mari
pe ea i ca urmare micorrii tensiunii E
CE
cnd tensiunea sursei de alimentare E
C
este
prestabilit:
( )
RC RE C CE
U U E U +
Cu micorarea rezistenelor R
1
i R
2
scade randamentul etajului amplificator i
impedana lui de intrare. Din aceast cauz n procesul de calcul trebuie de mers la un
oarecare compromis ntre stabilitatea termic de funcionare a etajului, parametrii i
caracteristicile lor principale . Pentru etajele echipate cu tranzistori de germaniu factorul
de instabilitate se alege de valoarea
5 ... 3 S
, iar pentru tranzistori de siliciu S poate fi ales
de o valoare mai mare.
Electrocomponentele de termostabilizare R
E
, R
1
i R
2
se aleg din condiiile:
asigurarea tensiunii de polarizare baz, factorului de stabilitate prestabilit i impedanei
de intrare. Rezistenele R
C
i R
int
de regul sunt cunoscute din calculele precedente n
curent alternativ. Din caracteristicile statice se determin valoarea minimal cerut a
curentului de repaus colector I
0Cmin
n punctul static de funcionare ales. Rezistena R
E
se
alege reieind din cderea de tensiune admisibil U
RE
pe ea conform relaiei:

min 0 min 0 C
RE
E
RE
E
I
U
I
U
R
(1.65)
n etajele amplificatoare de putere, tensiunea U
RE
se alege aproximativ egal cu
(0,05... 0,15)E
C
, iar n etajele preliminare de valoarea (0,1... 0,25)E
C
. Rezistena R
2
se
alege de 5...15 ori mai mare ca impedana de intrare a tranzistorului n curent alternativ.
Dupa alegerea rezistenei R
2
se calculeaz rezistena R
1
, reeind din condiia de asigurare a
curentului minimal colector n punctul static de funcionare I
0Cmin
la temperatura lucrtoare
minimal.
Potenialul bazei n circuitul din fig.1.17,a este:

2 1
2 1
0 2
2 1
0
R R
R R
I R
R R
E
E U
b
C
b
+

(1.66,a)
E E BE RE BE b
R I U U U U + +
0 0 0 (1.66,b)
Folosind ultimele dou relaii i innd cont de faptul c I
b
=I
E
I
C
, obinem:

( )
2 1
2 1
0
2 1
2 1
2
2 1
0
1
R R
R R
I
R R
R R
I R
R R
E
R I U
C E
C
E E BE
+
+
+

+
+
(1.67)
36
Lund mrimile I
C0min
,
min
,U
BEmin
ce corespund temperaturii lucrtoare minimale i
innd cont de relaiile (1.67) i relaia I
C
=I
E
+I
C0
, determinm valoarea rezistenei R
1
necesar n asigurarea curentului de repaos colector:

( ) ( ) [ ]
( ) ( ) ( )
min 0 0 2 2 0 max 0 min
min 0 0 max 0 min 2
1
C C E C BE
C C E BE C
I I R R R I U
I I R U E R
R
+ +

(1.68)
Dupa calculul rezistenei R
1
se calculeaz coeficientul de instabilitate S i se controleaz
cum se satisface relaia Cadm 0 C 0
I I
. Mai departe se determin curentul de repaos
maximal colector I
0Cmax
i tensiunea minimal colector la temperatura lucrtoare maximal
(alegnd valorile corespunztoare I
C0max
,
max
, U
BEmin
) conform relaiilor:


) 1 ( ) (
) ( [ ] ) ( [
max 2 1 2 1
2 1 2 1 max 0 min . 0 2 1 2 max
max 0

+ +
+ + + +

R R R R R
R R R R R I U R R R E
I
e
e C BE C
C (1.69)
E
C C
C C C CE
R
I I
R I E U
max
max 0 max 0
max 0 min 0

(1.70)
Mrimile
min
i
max
din relaiile (1.68)...(1.70) pot fi exprimate corespunztor prin
min

i max

(
min
min
min
1

;
max
max
max
1

).
Dac valorile mrimilor I
0Cmax
i U
0Cemin
obinute sunt admisibile, atunci parametrii de
stabilizare sunt alei corect.
n circuitele de stabilizare termic prin intermediul reaciei negative n tensiune
(fig.1.17,c,d; R
E
=0,

2 b
R
) factorul de instabilitate a curentului colector este:
( )
( )
1
1
1
1
1
1
1
b C
b C
b C
b C
R R
R R
R R
R R
S
+
+

+
+

.
Cnd 1 b C
R R >>
schema are cea mai mare stabilitate (S = 1). ns n acest caz se cere
respectarea inegalitii C C
r R >>
, care pentru valori de E
C
reale nu poate avea loc. Cnd
rezistena R
C
n curent continuu este de valoare mic (de exemplu, etaje n care sarcina cu
amplificatorul are cuplare mutual), gradul de reacie negativ de asemenea este mic. n
acest caz stabilitatea schemei este aproximativ egal cu stabilitatea etajelor amplificatoare
de polarizare prin fixarea curentului baz. n amplificatoarele cu cuplare RC rezistena
sarcinii n curent continuu, de regul, este mare ceea ce permite prin reacia negativ n
tensiune obinerea unei stabiliti termice bune i independente de schimbarea
tranzistorilor (n caz de necesitate) fr a schimba elementele de polarizare i
termostabilizare a etajului amplificator.
Menionm c pentru a exclude reacia negativ n curent alternativ rezistena R
b1
poate fi mprit n dou pri unde borna lor comun printr-un condensator de mare
capacitate se unete la ina comun. Din relaiile:

( )

)

+

0
1
CE C b C C
BE CB b
U I I R E
U U R I
(1.71)
cu considerenta relaiilor 0 C E C
I I I +
i I
b
=I
E
I
C
i a valorilor de mrimi I
C0
, U
0BE
i la
temperaturile minimale i maximale de lucru determinm formulele de calcul a mrimilor
R
1
, I
0Cmax
i U
0CEmin
pentru etajele amplificatoare cu stabilizarea regimului termic de
funcionare prin intermediul reaciei negative n tensiune:
37

( ) ( )
( )
min 0 min 0
min 0 0 max 0 min
1
1
C C
C C C BE C
I I
I I R U E
R

; (1.72)

( ) ( )
( )
max 1
max 0 1 min 0 max
max 0
1

+
+ +

R R
I R R U E
I
C
C C BE C
C ; (1.73)
C
C C
C CE
R
I I
E U
max
max 0 max 0
min 0

. (1.74)
De asemenea menionm c relaiile (1.68)...(1.70) i (1.72)...(1.74) sunt valabile pentru
toate schemele n care tranzistoarele au conectare EC sau BC.
n etajele amplificatoare cu termostabilizare, circuitele de stabilizare de la sursa de
alimentare colector absorb (consum) putere suplimentar, ceea ce influeneaz negativ
indicii energetici ai etajului. n unele cazuri pierderile de putere condiionate de reelele
de stabilizare termic sunt de valoarea puterii disipate de circuitul colector (E
C
I
0C
). n
mod general gradul de pierderi n circuitele de stabilizare termic depinde de metoda de
stabilizare i de factorul de instabilitate S. Cu majorarea stabilitii termice randamentul
circuitului amplificator scade. De exemplu, la valori de S = 2...4 n etajele stabilizate prin
intermediul reaciei negative n tensiune puterea absorbit de la sursa de alimentare crete
cu aproximativ 15...45% n comparaie cu etajele cu polarizare prin fixarea curentului
baz, iar n etajele cu termostabilizare n curent continuu puterea absorbit crete cu
aproximativ 40...100%. n etajele finale de putere majorat pierderile n circuitele de
stabilizare i polarizare pot fi considerabile. Din aceast cauz pentru termostabilizarea
etajelor finale se iau msuri speciale, cum ar fi termostabilizarea ce asigur o stabilizare
normal la pierderi minimale, numit termocompensare i pe care o precutm mai jos.
Compensarea termic. Compensarea termic a regimului de funcionare prevede
introducerea n componena circuitelor electronice a electrocomponentelor neliniare cu
parametrii electrici dependeni de temperatur. Stabilitatea termic prestabilit n aceast
clas de circuite se asigur fr pierderi de energie electric mari n reelele de stabilizare,
ce e foarte avantajos mai ales pentru etajele de putere finale. Schemele de compensare
termic funcioneaz bine i n caz de variaie a tensiunii de alimentare i temperaturi
joase, cnd aciunea condensatoarelor electrolitice de blocare este redus. Ca elemente
neliniare (elemente dependente de temperatur) pot fi numite: termorezistenele, diodele
semiconductoare, tranzistorii i alte dispozitive, la care rezistena intern variaz cu
variaia temperaturii.
Particularitatea principal a termorezistenelor const n coeficientul termic negativ
de valoare mare (
grad % 3
). Dac n divizorul baz rezistena R
2
este nlocuit cu o
termorezisten, care la temperatura normal are rezistena necesar pentru asigurarea
regimului static de funcionare ales, atunci prin tranzistor va curge curentul colector de
repaos necesar (fig.1.19,a). Cu creterea temperaturii rezistena termorezistenei scade
ceea ce condiioneaz scderea tensiunii bazemitor. Datorit acestui fapt curentul de
repaos colector rmne la acelai nivel. Cu ajutorul compesrii termice se poate nu numai
pstra curentul I
0C
independent de temperatur (S=0), ci chiar i micorarea lui la creterea
temperaturii (S<0).
38
Pentru o compensare termic ideal se cere de a cunoate dependena
( ) T , U I
BE C

, cnd U
CE
=const. n practic este mai simplu de determinat dependena rezistenei R
2
de
temperatur, pentru ce n procesul de ajustare a circuitului amplificator rezistena R
2
se
nlocuiete cu o rezisten variabil i se culeg valorile de rezisten R
2
necesare pentru
asigurarea egalitii I
0C
=const la variaia temperaturii. ns, innd cont de faptul c
termorezistenele chiar de acelai tip i aceeai valoare au o varietate mare de parametri,
alegerea termorezistenei de performane prestabilite practic este imposibil. Din aceast
cauz n majoritatea cazurilor caracteristica de termo element cerut poate fi obinut
prin combinaia rezistenelor liniare cu termorezistene, dup cum este artat n fig.1.19,b.
n schemele artate n fig.1.19 reeaua de compensare termic schimb regimul de
funcionare a circuitului amplificator n curent alternativ, deoarece impedana de intrare
R
in
cu creterea temperaturii scade. Din acest cauz n practic mai pe larg este folosit
schema artat n fig.1.19,b, lipsit de aceast insuficien.

Ineria termic a termorezistenelor difer de ineria termic a tranzistorului. Prin
utilizarea diodei ca element termic n conectare direct pot fi obinute rezultate de
termocompensare mai bune (fig.1.20). Dioda se alege n aa mod, ca variaia curentului ei
indirect de variaia temperaturii s coincid cu variaia curentului colector I
C0
. Prin
folosirea acestor proprieti a diodei poate fi construit o schem de compensare foarte
bun (fig.1.20,a). n etajul amplificator artat n fig.8.19,a dioda D
1
compenseaz
deplasarea termic a caracteristicilor statice de intrare a tranzistorului, deoarece cu
creterea temperaturii cderea tensiunii pe diod cu conectare direct scade i ca urmare
scade tensiunea de polarizare n circuitul de intrare. Pentru compensarea curentului
indirect colector se folosete dioda D
2
conectat indirect. Curentul ei indirect curge n
direcie opus curentului indirect colector I
CO
. Prin alegerea diodei D poate fi asigurat
egalitatea 0 C ind
I S I
, unde
ind
I
- este variaia curentului indirect diod, condiionat de
variaia temperaturii. n fig.1.20,b este artat schema, n care compensarea termic are loc
n lipsa rezistenei R
E
.
R
1
R
C
R
E
VT
t
-E
c
C
E
t
-E
c
R
1
R
2
R
E
VT
R
1
R
2
R
C
R
E
t
VT
-E
c
a)
b) c)
Fig. 1.19
39

Insuficiena metodelor de compensare termic este n perturbarea reglrii circuitului
amplificator legate de schimbarea elementelor compensatoare i altor elemente de schem.
!!!!!!!!!!!!!!!
2.5 Amplificatoare cu cuplare rezistivcapacitiv

Amplificatoarele cu cuplare rezistivcapacitiv, numite amplificatoare RC sunt
destinate amplificrii preventive a oscilaiilor de tensiune sau curent mici a sursei de
semnal pn la valori destule, cnd fiid aplicate la intrarea etajului final n sarcin se
asigur puterea sau tensiunea cerut. Cuplarea rezistivcapacitiv este pe larg utilizat att
n amplificatoarele de curent alternativ, ct i n circuitele oscilante de semnale impuls.
Amplificatoarele RC sunt capabile de a amplifica semnalele de band larg. Prin
alegerea corect a elementelor de circuit amplificator i introducerea a unei corecii
comparativ simple amplificatoarele RC asigura amplificarea i a semnalelor impuls.
Amplificatoarele RC sunt simple n construcii i reglare, sunt stabile i fiabile n
funcionare, dispun de dimensiuni i greutate mici, sunt puin costisitoare.
R
1
R
2
VD1
VD2
R
C
R
E
C
E
-E
C
VT
a)
VD
VT
R
T
C
-E
C
b)
Fig. 1.20
40
Etaje amplificatoare de tip RC cu tranzistori bipolari. Circuitele amplificatoare
RC, de regul, sunt compuse din mai multe etaje amplificatoare, de regul, identice unite
ntre ele cascad. innd cont de acest moment pentru a determina parametrii i
caracteristicile lor principale ne limitm la analiza unui etaj tipic, de exemplu etaj n care
tranzistorul are conetare EC. Schemele lui electric principial i echivalent sunt artate
corespunztor n fig.2.1,a i 2.1,b,c. Prin linii punctate sunt artate capacitile parazite ce
pot avea loc n etajul amplificator. Prin R
in
i C
in
sunt notate componenta rezistiv i
corespunztor capacitiv a impedanei de intrare a urmtorului etaj. Pentru analiza i
calculul parametrilor i caracteristicilor principale de etaj amplificator ne folosim de
schema lui echivalent n curent alternativ, n care tranzistorul este nlocuit cu schema lui
echivalent de tip T (fig.2.1,b). Pentru analiza procesului electric ce are loc n circuit,
schema echivalent artat n fig.2.1,b poate fi simplificat prin neglijarea unor
componente, cum ar fi capacitatea parazit de intrare C
in
(X
Cin
>>R
in
) i capacitatea parazit
de montaj C
m
(C
m
<<C
CE
). Neglijarea lor nu provoac urmri de analiz eseniale.
Amplificarea n curent baz a tranzistorului este funcie de frecven i cu
creterea acesteia, amplificarea scade. Dependena ei de frecven se explic prin
dependena de frecven a componentelor rezistiv r
CE
i capacitiv C
CE
de impedan a
jonciunii colector. Cu scopul de a simplifica analiza etajului amplificator n funcie de
frecven, dependena de frecven a mrimilor r
CE
, C
CE
i le exprimm prin dependena
de frecven a coeficientului
e
, numit factor de transfer echivalent a curentului baz.
innd cont de relaiile (2.1,a) i (2.1,b):

( ) ( )

j r
j
j
r
r
j r
CE CE
C
CE
+
+
+

+
1
1
1
1
0 0 (2.1,a)

( ) ( )

j
C
j
j
C C j C
CE
CE C CE
+

+
+
+
1 1
1
1
0
0
, (2.1,b)
unde
0
0
1 +

C
CE
r
r
;
( ) + 1
0 C CE
C C
,
impedana intern complet a sursei de curent I
b
se determin de relaia:

( )
( )
C
CE
CE CE
CE
C CE CE
j
j r
r C j
r
jX r j Z
CE

+
+

+

1
1
1
//
0
(2.2)
41
Valoarea coeficientului dat n foaia de catalog se msoar n regim de
scurtcircuit la ieire n curent alternativ (sarcina colector n curent alternativ este nul) i n
gol la intrare. La valori de impedane Z
CE
, S C CS
R // R R
i R
g
finale, numai o parte de
curent I
b
curge prin circuitul exterior ( R
c
). innd cont de acest moment e mai comod de
operat cu valoarea efectiv a factorului de transfer de curent baz
e
, care este egal cu
raportul curentului I
cs
, ce curge prin sarcin ( S C CS
R // R R
) i curentul baz ( b CS e
I I
):

( )
CS CE
CE
g b E CS CE
CE
e
R Z
Z
R R R r r R Z
Z
+

+ + +

2 1
' '
// // //
(2.3)
unde se admite c 2
' '
// // R R R r r
g b E
+ <<
,
CS E
R r <
' '
i
CE E
Z r <<
' '
.
Substituind n (2.3) expresia mrimii Z
CE
din (2.2), dup anumite transformri
obinem:

,
_

+
+
+
+ + +

0 0
0
0
0 0
1
CE CS
CS
C
CS CE
CE
CS CE
CE
e
r R
R
R r
r
j R r
r

(2.4)
sau
R
b=
R
C
R
g
R
C
C
in
C
M C
VT
U
ies
U
in
R
g
C
1
C
in
C
M
C
CE
C
b
C
S
r
b
r
C
r``
E
R
b
I
b
E
G
E
G
U
in
U
ies
I
in
I
C
E
B
C
I
in
=I
b
E`
G
R`
g
U
in
=U
1 r``
E
R
C
R
S
U
ies
=U
2
C
b

e
I
b
Fig. 2.1
a)
b)
c)
- E
G
R
S
I
ies
=I
S
I
ies
=I
S
R
C
42

e
e
e
j

1
0
, (2.5)
unde
CS CE
CE
e
R R
r
+

0
0 0
0

- factorul de transfer echivalent al curentului baz la frecvene joase;

0 0
0
CE CS
CS C
CS CE
CE
e
r R
R
R r
r
+
+
+

- constanta de timp echivalent.
Cnd 0 CE CS
r R <<
(ce practic permanent se respect) factorul de transfer echivalent
0 e

poate fi nlocuit cu mrimea 0 0

eo , iar
( )
CS C e
R C

+ + 1
. Aadar n schema
echivalent elementele I
b
, r
CE
i C
CE
pot fi nlocuite cu un generator de curent ideal de
valoarea
e
I
b
.
n calculele circuitelor electronice se practic includerea impedanei interne (R
g
) a
sursei de semnal n componena sarcinii, considernd c la ntrare acioneaz o surs de
tensiune ideal (R
g
= 0).
Cu scopul de a simplifica, pentru analiz, schema echivalent a etajului
amplificator (fig.2.1,b) folosim aceast metod.
n schema iniial echivalent (fig.2.1,b) sursa de semnal cu FEM, E
g
i impedana
intern R
g
este ncrcat de circuitul de polarizare R
1
//R
2
=R
b
, unit n paralel cu impedana
de intrare a etajului
( ) + + 1
' '
E b in
r r R
, fig.2.2,a.
nlocuim aceast schem cu una echivalent cu condiia c curentul I
in
ce curge prin
circuitul de intrare rmne acelai. Ecuaiile Kirkoff pentru ea sunt:

( )
( )

'

+ +
+
2 1
2 1
0 I R R I R
I R I R R E
in b b
b b g g
Din soluia sistemului de ecuaii obinut, innd cont c I
2
I
in
determinm curentul I
in
.

,
_

+
+ +

in
b g
b g
b g
b
g in
R
R R
R R
R R
R
E I
Curentul I
in
n circuitul serie compus din rezistenele
b g
b g
R R
R R
+
i R
in
, care ncarc
generatorul idial de tensiune cu FEM
b g
b
g
R R
R
E
+

rmne neschimbat, fig.2.2,b. Notnd

raportul
q
R R
R
b g
b

+
, obinem o schem echivalent simpl, comod pentru calculul
circuitelor cu generator echivalent n tensiune, fig.2.2,c. Aa dar:
R
in
qR
g
qE
g
R
in
R
b
R
g
E
g
R
l

(R
g
+ R
b
)
b)
E
g
I
d
I
in
I
1
I
2
R
g
R
b
R
in
a)
I
c
Fig.2.2
c)
43

b g
b
g g g
R R
R
E qE E
+

'
(2.6)

b g
b g
g g
R R
R R
qR R
+

'
(2.7)
unde
b g
b
R R
R
q
+

. (2.8)
Cu considerena demonstraiilor fcute mai sus obinem o schem echivalent
simpl a etajului, artat n fig.2.3,b
2.6 Etaje amplificatoare RC n amplificarea semnalelor armonice.
n analiza etajului amplificator n regim de amplificare a semnalelor armonice vom
determina: factorul de amplificare n tensiune, distorsiunile de frecven condiionate de
etaj, impedanele lui de intrare i ieire , admind c ultimele sunt de caracter pur activ.
Tensiunea i impedana de intrare a etajului sunt corespunztor (fig.2.1,c) :

( )
' '
0
1
E e b b b in
r I r I U + +
.

( )
0
' '
1
e E b
in
in
in
r r
I
U
Z + +
, (2.9)
innd cont c componenta rezistenei de difuzie baz este
( )
e
E
b
r
r + 1
2
' '
,iar
' ' '
b b b
r r r +
i
( ) 1 2
' '
E b
r r
, unde
'
b
r
- este rezistena de volum baz, obinem:

( )
e E b in
r r Z + + 1
'
. (2.10)
Componenta ohmic a impedanei de intrare este:

( )

,
_

+
+ + + +
0
0
0
'
0
'
1 1
CE CS
CE
E b e E b in
r R
r
r r r r R
. (2.11)
R
/
g
E
/
g
r
b

0
I
b
R
C
r

E
R
S
C
b
I
in
I
ies

r
CE0
a)
R
/
g
r
b

e0
I
b
R
C
r

E
R
S
C
b
U
ies

I
in
I
ies

E
/
g
b)
Fig.2.3
44
Rezistena de intrare a etajului echipat cu tranzistori bipolari este comparativ mic.
Ea poate fi majorat prin micorarea curentului emitor I
E
(cu micorarea curentului I
E
crete rezistena r
E
). nsi la valori mici de curent emitor I
E
punctul static de funcionare
se poate deplasa pe partea neliniar a caracteristicii de intrare statice i corespunztor la
valori mari de semnal de intrare distorsiunile neliniare pot fi inadmisibil mari. Cu
majorarea rezistenei de sarcin complet a etajului R
CS
impedana de intrare scade, ns
chiar la valori mari de rezisten R
CS
aceast scdere este neglijabil. Impedana de intrare
este mai puternic influenat de coeficientul de transfer a curentului baz . Cu creterea
parametrului impedana de intrare crete. Cnd
1
0 e
>>
i ( )
'
b 0 e E
r 1 r >> + , rezistena de
intrare se determin de o relaie mai simpl:
0 e E in
r R
(2.12)
Cu considerena divizorului de polarizare R
1
// R
2
= R
b
impedana de intrare a etajului
(fig.2.3,b) este:
b in in et in
R R R R R R // // //
2 1 . .

(2.13)
Impedana de ieire a etajului. Impedana de ieire a etajului este impedana de
ieire a tranzistorului R
ie.t.,
unit n paralel cu rezistena colector R
C
(fig.2.3,b). Rezistena
R
ie.t.
poate fi determinat n modul urmtor: se impune tensiunea ntre colector i emitor
cnd sarcina R
CS
este deconectat, iar sursa semnalului de intrare E
g
este scurtcircuitat i
atunci curentul I i curentul baz sunt corespunztor:
b r
I I I
CE
+
' ' '
' '
' ' '
' '
g b E
E
b
g b E
E
r b
R r r
r
I
R r r
r
I I
CE
+ +

+ +

,
unde
b
CE
b g
CE CE
r
I
r
r R
r
U
r
r
U U
I
e
CE
+

'
, ,
.
Substituind curentului
CE
r
I
n ultima relaie obinem:
( )
( )
CE
b g E
E b g
E
CE
b
r
r R r
r r R
r
r
U
I
+
+ + +

' ' '
' ' '
' '
1
.
Curentul absorbit de la sursa de tensiune U se determin de relaia:
( )
( )
1
1
1
1
1
]
1

+
+ + +
+ +
+
+

CE
b g E
E b g
E b g
CE
b b
CE
b g
CE
r
r R r
r r R
r r R
r
U
I I
r
r R
r
U
I
' ' '
' ' '
' ' ' '
1

.
Rezistena de ieire a tranzistorului corespunztor este:
( )
E b g
CE
b g
E b g
CE t ie
r r R
r
r R
r r R
r
I
U
R
+ +
1
1
]
1

+
+ + +

'
'
0
' ' '
0 . .
1
. (2.14)
Rezistena de ieire a etajului cu considerena rezistenei colector R
C,
unit nparalel
cu ea se determin de relaia:
45
C t ie et ie
R R R //
. . . .

.
(2.15)
innd cont de faptul c r
CE0
>>R
C
. rezistena de ieire a etajului poate fi considerat
aproximativ egal cu rezistena colector R
C
:
C . et . ie
R R
(2.16)

Amplificarea etajului n tensiune. Amplificarea etajului n tensiune este raportul
dintre semnalul de ieire (U
ie
) i fora electromotoar E
g
a semnalului de intrare :

g
ie
u
E
U
K
.
.
(2.17)
Tensiunea de ieire a etajului este (fig. ?? ):
S
b
b C
C
b
e
ie
R
C j
R R
R I
U
+ +

1
.
.
Din (2.6) FEM a sursei de semnal este:
( )
q
Z R I
q
E
E
in g b g
g
+

' '
Cu considerena mrimilor
e

i
in
Z
din relaiile (2.5) i (2.10) ecuaiile ce
determin tensiunea U
ie
i FEM E
g
pot fi scrise n forma urmtoare:

( ) ( )
( )
1
]
1

+
+ +

S C b
e S C
S C
b
e
ie
R R C
j j R R
R R I
U

1
1 1
0
; (2.18)

( )
( ) [ ]
( )
( )
1
1
]
1

+ + +
+ +
+ + + +
+

0
' '
' '
0
' '
1
1 1
1
e E b g
E b g C
e E b g
e
b
g
r r R
r r R j
r r R
j q
I
E

(2.19)
innd cont de relaiile (2.18) i (2.19) amplificarea etajului n tensiune exprimnat
prin electrocomponentele etajului amplificator este:

( )
( ) ( )
1
]
1

+

1
1
]
1

+ + +
+ +
+

+

S C b e E b g
E b g e
et in g
CS e
u
R R C
j
r r R
r r R j
R R
q R
K

1
1
1
1
1
0
' '
' '
. .
'
0
.
(2.20)
Semnul minus naintea fraciei arat c etajul EC defazeaz semnalul de ieire n
raport cu cel de intrare la (fiindc analiza se refer numai la etajul EC mai departe
semnul minus va fi omis).
n schemele reale are loc inegalitatea:

( )
( )
S C b
e E b g
E b g
e
R R C
r r R
r r R
+ <<
+ + +
+ +

0
' '
' '
1

. (2.21)
46
Neglijnd cu produsul mrimilor
( )
0
' '
' '
1
e E b g
E b g
e
r r R
r r R

+ + +
+ +

i
( )
S C b
R R C +
1
n comparaie
cu unitatea, expresia ce determin amplificarea etajului n tensiune (2.20)se simplific i
primete forma :

( )
( )
( ) ( )
1
1
]
1

+ + +
+ +
+

+

S C b e E b g
E b g e
et in g
CS e
u
u
R R r r R
r r R
j
R R
q R
j K K

1
1
1
1
0
' '
' '
. .
'
0
.
(2.22)
Notnd:
( )
0
' '
' '
1
e E b g
E b g
r r R
r r R
G
+ + +
+ +

(2.23)
G
e C

(constanta de timp rezultant) (2.24)
( )
S C b b
R R C +
(constanta de timp baz) (2.25)
i
. .
'
0
0
et in g
CS e
u
R R
q R
K
+

(amplificarea n tensiune la frecvene medii) (2.26)
formula (2.22) poate fi scris ntr-o form mai comod:

,
_

b
C
u
u
j
K
K

1
1
0
, (2.27)
Relaia (2.27) va fi analizat mai jos.
Cnd r
CE0
>>R
CS
i in
'
g
R R >>
constanta
c
poate fi considerat egal:

( )
CS C b e S
R C
0
1 + +
(2.28)
Amplificarea etajului n curent. Amplificarea etajului n curent este raportul:

g
ie
i
I
I
K
.
.
.
. (2.29)
Curentul de ieire a etajului este (fig.??? ):
( ) ( )
( )
1
]
1

+
+ +

+ +

S C b
e S C
C b e
b
S C
C b e
ie
R R C
j j R R
R I
j
R R
R I
I

1
1 1
1
0
.
n analiza factorului de amplificare n curent a etajului, excitat de sursa de semnal cu
valoarea finit a impedanei de intrare
'
g
R , trebuie de inut cont c curentul I
b
este numai o
parte de curent absorbit de la sursa de semnal I
g
. Cu considerenta relaiilor (2.5), (2.10) i
(2.21) curentul de intrare poate fi scris n forma urmtoare:
( ) ( ) G j
j
r r R
R I
r r R
R I
Z R
R I
I
e
e
e E b g
g g
e E b g
g g
in g
g g
in

+
+

+ + +

+ + +

+

1
1
1 1
0
' '
'
' '
'
'
'
Dup determinarea curentului I
g
din ultima relaie i folosind relaia (2.21),
obinem relaia ce determin amplificarea etajului n curent:
47

,
_

b
C
in g
g
S C
C e
i
j
R R
R
R R
R
K

1
1
1
'
'
0
.
. (2.30)
Notnd produsul: K
i0
=
in g
g
S C
C e
R R
R
R R
R
+

+
'
'
0

(2.31)
formula (2.30) poate fi scris n forma urmtoare :

,
_

b
C
i
i
j
K
K

1
1
0
.
(2.32)
Comparnd relaiile (2.27) i (2.32) observm c factoruii de amplificare n tensiune
i curent a etajului, n mod general, pot fi scrii sub una i aceiai form :

,
_

b
C
j
K
K

1
1
0
.
. (2.33)
Din (2.33) pot fi determinate caracteristicile de frecven (CA-F i CPh-F) a etajului
amplificator. Prin nmulirea numitorului i numrtorului ei cu conjugata numitorului
putem obine modulul factorului de amplificare [
( ) K
] (ecuaia caracteristicii de
amplitudine-frecven) i tangenta argumentuluidefazajul semnalului de ieire
( )
(ecuaia caracteristicii de faz-frecven) corespunztor :

( )
2
0
1
1

,
_

b
C
K
K

; (2.34)

( )

,
_

b
C
tg

1
. (2.35)
Din formula (2.34) determinm factorul de distorsiuni de amplitudinefrecven a
etajului amplificator, notat prin
( ) M
:
( )
( )
2
0
1
1
1

,
_

+

b
C
K
K
M

(2.36)
Relaia dintre distorsiunile de amplitudine i defazaj poate fi obinut prin
substituirea relaiei (2.35) n relaia (2.36) :

( )
( )

cos
1
1
2

+

tg
M
(2.37)
Aadar, amplificarea etajelor RC n regim de amplificare a semnalelor sinusoidale este
mrime complex
j
Ke K
.
. Corespunztor modulul i argumentul factorului de
amplificare de asemenea sunt funcii de frecven: (
( ) ( ) ; K K
).
Menionm c defazajul

nu evideniaz defazajul de 180

o
condiionat de schema
EC.
Din (2.34),(2.35) i (2.36) se vede c amplificarea, defazajul i distorsiunile de frecven a
etajului amplificator sunt funcie de dou variabile:
b

1
i c

concomitent. Pentru a
simplifica analiza lor n funcie de frecven se recomand ca toat gama de frecvene
lucrtoare se fie nprit n trei subgame, numite: subgam de frecvene joase (0...500Hz),
subgam de frecvene medii (500...10000Hz) i subgama de frecvene mai mari ca
48
10000Hz. Pentru fiecare subgam pot fi fcute urmtoarele admisiuni: n subgama de
frecvene joase se admite c
b j
c j


1

, n subgama de frecvene medii c
s
c


0
0
1

i n
subgama de frecvene nnalte c
b n
c n


1

, fr a comite erori eseniale. Aadar dm
analizei schema echivalent a etajului pentru fiecare subgam.

Subgama de frecvene medii. Dupa cum urmeaz din relaia (2.34) cnd are loc
egalitatea
b
C

, amplificarea etajului este maximal

( )
0
K K
=K
max
, iar argumentul
este nul ( 0). Frecvena la care etajul nu provoac defazri de semnal este numit
frecven de cuazirezonan i se noteaz prin f
0
, ea se gsete n subgama de frecvene
medii i se determin de relaia:

b C
f

2
1
2
0
0

. (2.38)
n subgama de frecvene medii nu se observ o micorare observabil a factorului de
transfer n curent baz, capacitatea C
CE
cu untarea rezistenelor r
CE,
R
C
i R
S
de
capacitatea Cce este neglijabil

,
_

>>
S C
ke
C
R R
C
X
CE
//
1
0

, iar rezistena reactiv a

condensatorului decuplator de capacitate C
b
este cu mult mai mic ca suma rezistenelor
(R
C
+R
S
)

,
_

+ <<
S C
b
CB
R R
C
X
0
1

. n subgama de frecvene medii schema echivalent

complet se simplific, ea nu conine elemente dependente de frecvene (fig.2.4,a sau
2.4,b).
49
R
/
g
r
b

0
I
b
R
C
r

E
R
S
U
ies

I
in
I
ies

E
/
g
R
C
R
/
g
E
/
g
r
b

0
I
b
r

E
R
S
U
ies

I
in
= I
b
I
ies
= I
S
r
CE0
a)
Cu considerenta relaiilor (2.7) i (2.8) expresiile ce determin amplificarea n
tensiune i curent n subgama de frecvene medii K
u0
i K
i0
devin:

g b
b
in b g
CS e
u
R R
R
R R R
R
K
+

//
0
0

(2.39)

g b
b
in b g
g
S C
CS e
i
R R
R
R R R
R
R R
R
K
+

//
0
0

(2.40)
Dup cum urmeaz din relaiile (2.39) i (2.40) pentru a obine o amplificare mai
mare att n tensiune ct i n curent trebuie de folosit tranzistori cu factorul de amplificare
a curentului baz ct mai mare.!!!!!!!!!!!!!!!!
Cu majorarea sarcinii sumare a etajului R
CS
, micorarea impedanei lui de interne R
in
i micorarea impedanei interne a sursei de semnal R
g
amplificarea etajului n tensiune
K
u0
crete. Creterea factorului K
u0
cu micorarea rezistenei R
in
se explic prin faptul c
tensiunea de ieire a etajului este proporional cu curentul baz, care cu micorarea
rezistenei R
in
crete. Dac rezistena R
g
e mic ( in g
R R <<
), iar
CS
R
e mare ( in CS
R R >>
),
atunci amplificarea etajului n tensiune poate fi foarte mare (mult mai mare ca ). Condiia
in CS
R R >>
poate fi obinut n regim de ieire potenial ( C et ie S
R R R >>
. . ), care n practic
se ntlnete rar, de exemplu, cnd n calitate de sarcin a etajului este tubul cu memorie
electronic.Fiind c valoarea sarcinii R
S
este prestabilit (impus) i adesea are valori mari (
C . et . ie S
R R R <
), amplificarea etajului poate fi majorat numai prin majorarea rezistenei
colector R
C
. ns majorarea puternic a rezistenei R
C
,provoac micorarea factorului de
amplificare n curent
e0
. La valori mari de R
C
i valori mici de E
C
pot crete puternic
distorsiunile neliniare. La valori de R
C
mai mari ca (8...10)R
S
amplificarea etajului nu
difer mult de amplificarea corespunztoare rezistenei colector
( )
S C
R 10 ... 8 R
.Cnd ca
surs de semnal i sarcin a etajului sunt etaje analogice lui ( C et ie g
R R R
. . i . .et in S
R R
),
amplificarea n tensiune este maximal cnd . .et in C
R R
:

4
0
0
e
u
K

. (2.41)
Amplificarea etajului n tensiune i curent este puternic influenat de rezistena
divizorului de polarizare R
b
=R
1
//R
2
. La valori mici de rezisten R
b
prin divizor curge
curent mare i amplificarea scade (de exemplu la valori de R
b
=5R
in
amplificarea scade cu
aproximativ 20%). Cnd ca sarcin de etaj este un asemenea etaj, valoarea de rezisten R
b
mic a etajului sarcin micoreaz sarcina sumar a etajului precedent. Pentru a obine o
amplificare mai mare trebue de respectat inegalitatea R
b
>> R
in
.
Amplificarea n curent crete cu majorarea rezistenei R
g
i micorarea rezistenei R
S
,nsi ea nu poate depi valoarea de
e0
.
50
b)
Fig.2.4
Subgama de frecvene joase. n subgama de frecvene joase
( )
0
<<
j are loc
inegalitatea:

b j
C j


1
<<
(2.42)
Amplificarea complex i modul lui n aceast subgam de frecvene sunt:

b j
u
uj
j
K
K

1
1
1
0
.

(2.43)

( )
( )
2
0
2
0
1
1
1
1
1
1
]
1

+
+

,
_

S C b j
u
b j
u
uj
R R C
K K
K

(2.44)
Schema echivalent a etajului n subgama de frecvene joase este artat n fig.2.4,a
i 2.4,b. La frecvene joase amplificarea tranzistorului n curent baz nu depinde de
frecven, iar conductibilitatea capacitii C
CE
devine foarte mic n comparaie cu
conductibilitatea celorlalte electrocomponente a etajului i ea poate fi neglijat

,
_

>> >> >>

0
0
; ;
1
CE C C C S
CE j
C
r X R X R
C
X
CE CE CE

.
Scderea amplificrii cu micorarea frecvenei (n comparaie cu amplificarea la
frecvena 0

) este condiionat de creterea rezistenei reactive a condensatorului cuplator

b
C
X
(capacitile C
1
i C
E
se consider infinite). Rezistena
b
C
X
ce provoac micorarea
curentului prin sarcin i corespunztor micorarea cderii de semnal pe rezistena de
sarcin R
S
, cnd
0
j

tinde spre infinit (

b j
C
C
X
b

1
), iar
0
uj
K
.
Caracteristicile de amplitudinefrecven i fazfrecven n aceast subgam de
frecvene corespunztor se descriu de relaiile :

( )
( )
2
0
. .
1
1
1

,
_

+

b j
u
uj
b j
K
K
M

(2.45,a)

( )
b j
j
tg


1

(2.45,b)
Defazajul dintre semnalul de ieire i cel de intrare este:

( )
b j
j
arctg


1

(2.46)
La frecvene foarte mici defazajul este egal cu
2

+ k

( ) [ ] + 0
j
tg
. Prin alegerea
constantei
b
, la frecvene joase se poate dirija cu amplificarea minimal a etajului.
Distorsiunele de frecven (distorsiunele de amplitudine-frecven) la frecvenele limit
lucrtoare, de regul, sunt impuse. Cunoscnd valoarea admisibil a mrimii lim . j
M
la
frecvena limit de jos, putem determina constanta
b
ce asigur aceast valoare de lim . j
M
:

lim . .
2
lim . .
1 b j
j
b j
b
M
M

(2.47)
51
Pentru a lrgi banda de frecvene n partea de frecvene joase trebuie de mrit
constanta
( )
S et ie b b
R R C +
. .

, mrind una (sau toate) mrimile ce determin constanta

b
.
Rezistena R
S
de regul este prestabilit, n amplificatoarele multietaje ea se determin de
impedana de intrare a urmtorului etaj i nu poate fi mrit dup dorin. Mrirea
Rezistena R
ie
poate fi mrit numai prin alegerea rezistenei R
C
, fiindc rezistena r
CE0
se
determin de tipul tranzistorului. Cum se limiteaz valoare rezistenei colector R
C
a fost
artat mai sus.
Subgama de frecvene nalte. La frecvene nalte ( 0 n
>>
) are loc inegalitatea:

b n
C n


1
>>
(2.48)
Amplificarea complex i modulul ei n subgama de frecvene nalte se determin
de relaiile corespunztor:

( )
C n
u
n u
j
K
K

1
0
. .
.
(2.49)

( )
( )
2
0
. .
.
1
C n
u
n u
K
K

(2.50)
Schema echivalent a etajului n aceast subgam de frecvene este artat n fig.2.5,a i
2.5,b.
La frecvene nalte rezistena capacitiv a condensatorului decuplator poate fi
neglijat

,
_

<< 0 ; cnd ,
1
b b
C S
b n
C
X R
C
X

. Micorarea factorului de amplificare cu

creterea frecvenei n acest caz este condiionat de nsui tranzistorde micorarea
factorului de transfer a curentului baz i micorarea rezistenei capacitive
CE
C
X
, ce
52
R
/
g
r
b
I
b
R
C
r

E
R
S
U
ies

I
in
I
ies

E
/
g
r
CE0
C
CE
a)
R
/
g
r
b

e
I
b
R
C
r

E
R
S
U
ies

I
in

I
ies

E
/
g
b)
Fig.2.5
unteaz sarcina circuitului colector

,
_

CS
CE n
C
R
C
X
CE
colector i circuitulu sarcina cu l masurabil este
1

. Cnd

n

, mrimile
0
,
0
CE
C
X
i amplificarea K
u.n.
de asemenea tind spre zero.
Caracteristicile de aplitudinefrecven i fazfrecven a etajului amplificator
n subgama de frecvene nalte se descriu de relaiile (cnd r
CE0
>> R
CS
):

( )
( )
( )
2
0
. .
1
1
C n
u
n u
n
K
K
M

+

(2.51,a)

( ) ( ) G R C G tg
CS C n B n C n n 0
1 +
(2.51,b)
Defazajul este dintre semnalul de ieire a etajului i cel de intrare este:

( ) ( ) ( ) [ ] G R C G arctg arctg
CS C n B n C n n 0
1 +
(2.52,a)
innd cont de faptul c la valori mici de unghiuri X i Y este valabil relaia:

( ) Y X arctg
Y X
Y X
arctg arctgY arctgX +

+
+
formula (2.52,a) poate fi scris n modul urmtor:

( ) ( ) ( ) G R C arctg G arctg
CS C n B n n 0
1 +
(2.52,b)
Pentru valori mari de
'
g
R coeficientul
1 G
i atunci :

( ) ( ) ( )
C B n
+
, (2.53)
unde
( ) ( )
CS C n C
R C arctg
0
1 +
.
Pentru ca la frecvene nnalte amplificarea etajului s nu scad mai jos de valoarea
minimal admisibil constanta
C

trebuie s fie mai mic de o anumit valoare.

Valoarea maximal admisibil a constantei
C

se determin de relaia:

( )
( )

n n
n
C
M
M
2
1
(2.54)
Pentru a micora scderea factorului de amplificare
( )
u
K
cu creterea frecvenei
(pentru a lrgi banda din contul subgamei de frecvene nalte) trebuie de micorat
constanta
C

. ns micorarea ei prin alegerea raional a radiocomponentelor de etaj este

imposibil, fiindc constanta
C

n majoritate se determin de nsui tranzistor. n etajul

amplificator obinuit n subgama de frecvene nalte nu se poate obine o caracteristic de
amplitudinefrecven cu o neuniformitate mai mic ca cea de
( )
. innd cont de acest
fapt,n dependen de banda de frecvene lucrtoare trebuie de ales tranzistorul
corespunztor. Amplificatorul lucreaz mai efectiv cnd el la banda de frecvene lucrtoare
prestabilit asigur o amplificare maximal sau asigur o band de frecvene lucrtoare ct
mai mare, cnd amplificarea este prestabilit. Pentru a aprecia calitile amplificative a
circuitului amplificator se recomand de a opera cu parametrul, numit factor de calitate a
etajului suprafaa de amplificare, determinat de relaia:

( )
lim . lim . 0 0 j n u u
K K D
(2.55)
Fiindc n etajele RC are loc inegalitatea j n
>>
, relaia (2.55) poate fi scris n
modul urmtor:
n u
K D
0

.lim
. (2.56)
53
Pentru cazul cnd rezistena R
CS
este mare
( ) 1 i
0 0
>> >>
e C CE B CS
C C R

factorul
de calitate D se determin de relaia:

( )( )
n E b g g b C
n b
M r r R R R C
M R
D
+ + +

' '
2
1
. (2.57)
La valori de sarcin sumar mari factorul de calitate nu depinde de valoarea
sarcinei,el atinge valoarea sa maximal limit. Din formula (2.57) rezult c cu ct
frecvena superioar limit este mai mare i cu ct distorsiunile de amplitudinefrecven
admisibile sunt mai mici, cu att amplificarea etajelor cu ieire potenial (R
S
>> R
C
) va fi
mai mic. Lrgirea benzii de frecvene lucrtoare din contul frecvenelor nalte poate avea
loc prin alegerea raional a rezistenei R
CS
, adic prin micorarea rezistenei colector R
C
.
Menionm c micorarea rezistenei R
C
condiioneaz micorri de amplificare la
frecvene medii i joase.
La frecvena limit superioar ca i la frecvena limit inferioar factorul de
distorsiuni de amplitudine-frecven este:
2 1
lim .

n
M
. innd cont de aceast egalitate
relaia (2.57) se simplific i devine:

( )
g b
b
E b g C
R R
R
r r R C
D
+

+ +

' '
1
. (2.58)
Cu ajutorul relaiei (2.58) poate fi corect ales tranzistorul.
Factorul de calitate depinde i de impedana intern a sursei de semnal. Cnd R
g
=0
factorul de calitate a etajului este maximal. De regul
'
b
r >> r
E
i aproximativ se poate
considera c factorul de calitate a tranzistorului este o mrime indirect proporional cu
constanta circuitului de reacie intern a tranzistorului:

'
max
1
b C
r C
D
(2.59)
Pentru etajele construite n baza tranzistorilor de frecven joas i medie, condiia
la care factorul de calitate nu depinde de rezistena de sarcin sumar, practic nu este real
fiindc se cere o valoare de rezistena R
CS
foarte mare.Pentru rezistene R
CS
mici are loc
inegalitatea:
0 0
0
CE CS
CS
C
CS CE
CE
B
r R
R
R r
r
+
>>
+

sau

C
CS
C
R

<<
. (2.60)
Inegalitatea (2.60) practic este valabil pentru toate etajele construite n baza
tranzistorilor de putere i frecven mic ce funcioneaz n regim normal i au ca sarcin
un asemenea etaj.
n acest caz, cnd
2 1
lim .

n
M
factorul de calitate este :

g b
b
E b g
CS
n u
R R
R
r r R
R
K D D
+

+ +

' '
0
'
1

(2.61)
i factorul de calitate crete proporional cu creterea rezistenei de sarcin sumar.
Prin modificarea rezistenei R
CS
se poate ,n anumite limite, de dirijat cu factorul de
calitate al etajului. Cu micorarea rezistenei R
CS
se micoreaz i amplificarea K
u0
, ns
trebuie de inut cont de faptul c amplificarea etajului scade mai repede dect crete banda
lui de frecvene.
54
Factorul de calitate exprimat prin amplificare n curent , cu considerenta relaiilor
(2.31) i (2.54),se determin de formula:
n
n
E b g
g
S C
C
CE CS
CS
C
CS CE
CE
B
e
n i i
M
M
r r R
R
R R
R
r R
R
R r
r
K D
2
' '
0 0
0
0
0
1

+ +

+
+
+

Cnd
C
CS
C
R

<<
; E b g
r r R + >>
' '
i
2 1
n
M
factorul de calitate este :

S C
C
i
R R
R
D
+

1
. (2.62)
Din ultima relaie rezult c cnd rezistena de sarcin este prestabilit factorul de
calitate poate fi mrit numai prin mrirea rezistenei R
C
. ns valoarea rezistenei R
C
nu
trebuie s depeasc valoarea rezistenei R
S
mai mult de 8...10 ori, fiindc mrirea ei mai
departe nu condiioneaz majorri de D
i
. Factorul D
i
la acest raport dintre R
C
i R
S
atinge
valoarea sa maximal i se determin numai de parametrii tranzistorului.
Impedana complex de intrare a etajului amplificator. La frecvene nalte
impedana complex de intrare se determin de relaia:

( )
e
e E b
E b
e
in in
j
r r
r r
j
R Z

+
+ +
+
+

1
1
0
'
. (2.63)
Cu majorarea frecvenei

de la 0 la modulul impedanei Z
in
se schimb de la
R
in
pn la
E b
r r +
'
.
Exprimnd frecvenele limit f
n.lim
i f
j.lim
a benzii de frecvene lucrtoare de etaj prin
constantele de timp n

i b

se determin banda condiionat de frecvene lucrtoare a

etajului. La frecvenele limit,dupa cum a fost artat mai sus,factorul
2 1 M
.Aa dar
pentru frecvena limit superioar putem scrie:
( )
2
1
1
1
2
. lim .
lim .

+

C n
n
M

.


55
K()
lg f
lg f
0
lg f
lim.j.
lg f
lim.s.

+/2
/2
a)
lg f
b)
Fig.2.6
K
0
Numitorul ultimei relaii poate fi egalat cu
2
, cnd
C . lim . n

=1. innd cont de
acest fapt frecvena limit superioar a benzii condiionale de frecvene a etajului este:

C
n

1
. lim .

. (2.64,a)
De asemenea, se determin i frecvena inferioar limit a benzii de frecvene
lucrtoare:

b
j

1
. lim .

. (2.64,b)
Din (2.37) urmeaz c defazajele la frecvenele limit a gamei de frecvene
lucrtoare sunt:
0
lim
45
(
0
lim .
45
n

;
0
lim .
45
j

).
Caracteristicile de amplitudinefrecven i fazfrecven a unui etaj amplificator
de tip RC sunt artate n fig.2.6,a i 2.6,b corespunztor. n regiunea medie de trece band
(la frecvena f
0
) factorul M = 1, iar defazajul este nul (
0
). Valoarea de trece band
poate fi prestabilit (impus) pentru oricare valori de M admisibile, determinnd din
relaiile (2.47) i (2.54) valorile de frecven limit f
n.lim
i f
j.lim
. Frecvena 0

cu . lim . n

i
. lim . j

se gsete n relaia:
. lim . . lim . 0 j n

(2.65)
Aa dar analiza etajului amplificator cu cuplaj rezistivcapacitiv arat,c factorul de
amplificare n curent i capacitile C
CE
i C
b
condiioneaz distorsiuni de frecven i
distorsiuni de faz. Neuniformitatea caracteristicilor de amplitudinefrecven i faz
frecven este condiionat de constantele C

i b

.
n analiza dat mai sus nu s-au luat n consideraie capacitile C
E
, C
1
, i C
S
(s-a
considerat

E
C
,

1
C
i
0 C
S

). n realitate

E
C
,

1
C
i
0 C
S

, ele ca i C
CE
i
C
b
corespunztor ntr-o msur oarecare influeneaz negativ funcionarea etajului
amplificator.
Analizm cum capacitile C
E
, C
1
, i C
S
influeneaz caracteristicele de frecven a
etajului.
Influiena capacitii C
E
. Se consider:

1
C
,

b
C
,
0 C
S

i C
CE
=0 (fig.2.7).
Valoarea final a capacitii C
E
provoac distorsiuni de frecvene suplimentare la
frecvene joase. La frecvene joase ea unteaz slab rezistena R
E
,ce condiioneaz o
reacie negativ de curent alternativ i ca urmare n aceast subgame de frecvene
amplificarea etajului scade. Distorsiunile de frecven condiionate de capacitatea C
E
, pot
fi apreciate folosind schema echivalent de etaj artat n fig.2.7.
56
R
/
g
r
b

e0
I
b
R
C
r

E
R
S
U
ies

I
in
I
ies

E
/
g
U
E

C
E

Fig.2.7
Pentru calcule se admite c
( ) ( )
0
' ' '
0
0 0 '
0
//
e
b g E E CS CE
CE
e
r R r Z R r
r

+ + + +

; fiindc impedana
E E j
E
E
C R j
R
Z
+

1
la frecvene joase este comparativ mic. Notnd cderea de tensiune pe
circuitul R
E
// C
E
cu
( )
0
.
1
e
in
E E
I Z U +
, obinem:

( )
( )
in g
e
in
E g
e E b g
E g
in
R R
I Z E
r r R
U E
I
+
+

+ + +

'
0
.
'
0
' '
.
'
1
1

(2.66)
Din ultima relaie avem:

( ) [ ]
q
Z R R I
E
e E in g
in
g
0
'
.
.
1 + + +

(2.67)
Amplificarea n subgama de frecvene joase este:

( )
( ) ( )
in g E E
e E
u
uj
R R C R j
R
K
K
+ +
+
+

'
0
0
.
1
1
1

(2.68)
Distorsiunile de frecven i defazajul condiionate de circuitul R
E
C
E
se determin
de relaiile:

( )
( )
2
2
0
1
2
1
1
E j
u
uj
jE
A A
K
K
M

+
+
+

, (2.69)
E E E
C R
; (2.70)

( )
( ) A
A
tg
E
E
jE
+ +

2
1

. (2.71)
unde
( )
in g
E e
R R
R
A
+
+

'
0
1
(2.72)
Din relaia (2.69) obinem valoarea necesar a capacitii C
E
ce condiioneaz
distorsiuni de frecvene nu mai mari ca cea prestabilit de M
jE
la frecvena dat:

2
2 2 2 2
1
1 2
jE E j
jE jE jE
E
M R
AM M A M
C

+ +

. (2.73)
De regul A>>1, iar factorul jE
M
este aproape de unitate.n aa cazuri din (2.73) urmeaz:

2
'
0
2
1
1
1
jE
jE
in g
e
jE E j
jE
E
M
M
R R
M R
AM
C

+
+

(2.74)
Frecvena limit de jos a gamei de frecvene lucrtoare este:
57

( )
in g E
e
j
R R C +
+

'
0
lim .
1

(2.75)
Frecvena lim . j

este cu att mai mic cu ct mai mare este rezistena R

g
. Distorsiunile de
frecvene ,condiionate de capacitatea C
E
la frecvene joase se caracterizeaz de constanta:

( )
0
'
.
1
e
in g E
E j
R R C

+
+

(2.76)
Pentru amplificatoarele n tensiune (R
g
= 0) cnd
( )
0 e E
'
g
1 r r + <<
este valabil relaia:

E E
j
r C
1
lim .

(2.77)
Fiindc de regul rezistena r
b
este mic, pentru a obine distorsiuni mici la
frecvene de zeci de herzi, capacitatea
E
C
trebuie s fie de sute de microfarade. Lipsa
condensatoarelor electrolitice de dimensiuni mici la capaciti mari complic problema de
construire a circuitelor amplificatoare de frecvene foarte joase, uniti de zeci de herzi.
Distorsiunile de frecvene sumare condiionate de valoarea limit a condensatoarelor C
b
i
C
E
(

b
C
i

E
C
) sunt:

( ) ( ) ( )
2
.
2
. .
1
1
1
1
1

,
_

,
_

+

E j b
j E j j b j j j
M M M


(2.78)
Valorile mrimilor
( )
j b . j
M
i
( )
j E . j
M
trebuie alese n aa mod, ca
( )
j b . j
M
mai
puin ca
( )
j E . j
M
se difer de unitate, ce se poate obine prin majorarea capacitii C
b
. n
aa caz cu distorsiunile de frecven, condiionate de circuitul decuplator se poate neglija,
iar capacitatea C
E
de ales de valoarea necesar pentru obinerea frecvenei limit de jos de
valoarea prestabilit. n subgama de frecvene joase circuitul R
E
C
E
ntr-o oarecare msur
majoreaz impedana de intrare a etajului.
Influena capacitii C
1
. Capacitatea C
1
micoreaz curentul de intrare a etajului i
provoac distorsiuni de frecvene suplimentare. Pentru a analiza influena capacitii C
1
admitem c:

1
C
, iar capacitile C
b
i C
E
sunt de valoare infinit. n aa caz,
amplificarea etajului este:

( )
1
0
.
1
1

j
K
K
u
+

, (2.79)
unde
[ ]
in b g
R R R C //
1 1
+
. (2.80)
Modulul factorului de distorsiuni de frecvene ,condiionat de capacitatea C
1
se
determin de relaia:

2
1
1
1
1
1

,
_

j
M
j
(2.81)
Din (2.81) cu considerenta relaiei (2.80) urmeaz c cu ct rezistena intern a
sursei de semnal este mai mare cu att distorsiunile condiionate de valoarea finit a
capacitii C
1
(

1
C
) sunt mai mici. n caz de exitare a circuitului amplificator de o surs
de curent ideal (

gi
R
) distorsiunile de frecven, provocate de condensatorul C
1
lipsesc.
58
Pn acum s-a considerat c capacitatea parazit de sarcin este mult mai mic ca
capacitatea C
CE
. Cnd C
CE
i C
S
sunt comensurabile trebuie de inut cont de rezistena
sumar de sarcin:

sarc
CS
CS S
CS
CS
j
R
R C j
R
Z
+

1 1
, (2.82)
unde CS S sarc
R C
(2.83)
Cu considerenta relaiei (2.82), tensiunea i curentul de ieire a etajului amplificator
de tip RC corespunztor sunt:

( ) ( )
sarc
CS
e
b
e
ies
j
R
j
I
U

1 1
.
0
.
(2.84)

( ) ( )
S C
C
sarc e
b
e
ies
R R
R
j j
I
I
+

+ +

1 1
.
0
.
(2.85)
Amplificarea n tensiune i curent la frecvene nalte se determin de relaia
general:

( ) ( )
sarc C
n
j j
K
K
+ +

1 1
0
.
(2.86)
n calculele inginereti se opereaz cu constanta de timp echivalent sarc n ec
+
i
atunci amplificarea K
n
se poate prezenta n modul urmtor:

( )
ec
n
j
K
K
+

1
0
.
(2.86
`
)
2.7 Amplificatoare RC multietaj.
Amplificatoarele multietaj de regul se construiesc prin unirea etajelor n cascad. n
procesul lor de calcul se stabilete relaia dintre indicii electrci ai amplificatorului multietaj
i indicii etajeelor amplificatoare ce intr n componena lui. n amplificatorul multietaj
tensiunea de ieire a etajului (N1) este tensiune de intrare a etajului N, iar sarcina fiecrui
etaj, n afar de ultimul este impedana de intrare a urmtorului etaj. n subgama de
frecvene medii amplificarea multietaj este:
( ) N u N u u u
g
ie
u
K K K K
E
U
K
0 1 0 02 01 0
.......
, (2.87)
unde
g
ie
u
E
U
K
1 .
01

;
m in
m ie
m u
U
U
K
.
.
0

.
Cnd sarcina etajului N este cunoscut se calcul factorul lui de transfer n curent
N 0 e

, impedana lui de intrare R

in.N
i apoi amplificarea lui n tensiune
N 0 u
K
. Fiindc
mrimea
N 0 u
K
se determin de raportul semnalelor de ieire i intrare a etajului, n
calculele factorului de amplificare rezistena R
g
se consider nul, adic:

( )
gen . N . in
S CN N 0 e
N 0 u
R
R // R
K


(2.88)

. . . . . .
//
N b N in gen N in
R R R
59
Prin admiterea c ( ) . . 1 N in N S
R R
se pot gsi mrimile ( ) 1 0 N e

, ( ) 1 . N in
R
i apoi calcula
amplificarea
( )
( ) ( )
( )
( ) gen N in
gen N in N C N e
N u
R
R R
K
. 1 .
. . 1 1 0
1 0
//

(2.89)
La fel se calculeaz i amplificare de la etajul N2 pn la etajul doi. Cnd R
s1
=R
in2
se
determin mrimile 01 e

, R
in.1gen
i se calcul coeficientul de amplificare:

( )
gen in g
gen in C e
u
R R
R R
K
. 1 .
. 2 . 1 01
01
//
+


. (2.90)
Substituind (2.88)....(2.90) n (2.87) i dupa simplificrile corespunztoare obinem:

( )
( ) m in bm
bm
N
m gen m in Cm
Cm
m e
gen in g
S
u
R R
R
R R
R
R R
R
N K
. 1 1
0
. 1 .
0
1
+

+

+


+

(2.91) n
ultima formul pentru etajul N la numitor rezistena R
in(N+1)
se nlocuiete cu R
S
. Fracia
sub semnul de nmulire este coeficientul ce indic care parte din curentul colector a
etajului precedent intr n baza etajului urmtor i dirijeaz cu el. Cnd curentul de intrare
I
g
este impus, atunci se calculeaz tensiunea de intrare gen . 1 . in g 1 in
R I U
i atunci factorul
de amplificare K
u0
se calculeaz dupa relaia (2.91),( pentru R
g
= 0).
Din formula (2.91) se poate calcula numrul necesar de etaje (cnd toate etajele sunt
identice).
S ubgama de frecvene joase: distorsiunile de frecvene, condiionate de N etaje
identice se determin de relaia:

( )
N
b j
u
uj
j gen j
K
K
M
1
1
]
1

,
_

+

2
0
. .
1
1
1

(2.92)
La frecvena inferioar limit modulul factorului de distorsiuni de frecvene este
M
i.lim
=1:....2.. i corespunztor relaia dintre frecvena inferioar limit a benzii de
frecvene lucrtoare a amplificatorului multietaj N . lim . j

., constanta de timp
b

a etajului
i numrul de etaje este:

1 2
1
. lim .

N
bm
N j

, (2.93)
unde
( )
1 1 .
//
+ +
+
bm inm m ies bm bm
R R R C
(2.94)
Pentru etajul N rezistena
1 bm 1 inm
R // R
+ +
se nlocuiete cu rezistena sarcin R
S
.
Pentru un numr nu prea mare de etaje cu o eroare de aproximativ 11% se poate
considera, c frecvena limit inferioar a circuitului amplificator N . lim . j

i frecvena
limit inferioar a unui singur etaj . lim . j

sunt n relaia:

N
N
j
b
N j . lim . . lim .

. (2.95)
Trebue inut cont de faptul, c n amplificatoarele multietaje distorsiuni
suplimentare de frecven condiioneaz i capacitile C
1
i C
E
.
60
Subgama de frecvene nalte. n subgama de frecvene nalte distorsiunile de
frecvene se determin de relaia:

( )
( ) [ ]
N
C n
u
un
n gen n
K
K
M
2
0
. .
1
1

+

(2.96)
La frecvena limit superioar N . lim . n

factorul de distorsiuni de frecvene general

2 1
. .

gen n
M
, iar relaiile dintre aceast frecven, constanta de timp i numrul de etaje
ce intr n componena amplificatorului este:

1 2
1
. lim .

N
C
N n

. (2.97)
Aproximativ se poate considera c:

N N
n
C
N n
. lim .
. lim .
1

(2.98)
Din relaiile (2.93) i (2.98) urmeaz, c banda de frecvene lucrtoare a
amplificatorului multietaj este mai mic ca banda de frecvene a unui singur etaj.
n calculele preventive a indicilor electrici de frecven nnalt a unui etaj se pot folosi
relaiile:
1 . 1 . .
// //
+ +

m b m in Cm Sm C
R R R R
;
m b Cm m b m ies
gm R R R R R
. 1 . 1 .
'
// //

. De regul
( )
1 .
8 ..... 5 , 1
+

m in Cm
R R
,
( )
1 . 1 .
15 ..... 5
+ +

m in m b
R R
,adic
( )
1 . .
84 , 0 .... 54 , 0
+

m in Sm C
R R
;
( )
m in
gm R R
.
'
2 , 5 .... 15 , 1 .n aa caz cnd etajele sunt identice coeficientul
( )
0
' '
' '
1
e E
b
g
E
b
g
m
r r R
r r R
G
+ + +
+ +

poate fi ales de valoarea aproximativ 0,6.....0,86.

Cu o orecare rezerv constanta
C

poate fi considerat egal cu:

( ) [ ]
m . S . C 0 e C B C
R 1 C + +
. (2.99)
Substituind n ultima relaie valoarea ipotez(presupus) a rezitenei
m . S . C
R
i
parametrii tranzistorului ales, poate fi calculat valoarea constantei
C

i, tiind numrul
de etaje, conform formulei (2.98), se determin banda de trecere sumar a amplificatorului
i, de asemenea, se poate aprecia alegerea corect a tranzistorul. Din formula (2.99)
urmeaz c distorsiunile la frecvene nalte, condiionate de etajele n tensiune (etajele
intermediare) practic se determin numai de tranzistorii utilizai,regimul lor de funcionare
i nu depind de rezistena colector R
C
.
Mai sus a fost artat c factorul de calitate a tranzistorilor de frecven nalt este
invers proporional cu produsul
'
b C
r C . Pentru a obine un factor de calitate de etaj
maximal trebuie de utilizat tranzistori de frecvena

maximal,iar mrimele C
C
i
'
b
r se
fie de valori mici. Cu ct factorul de calitate a etajului este mai mare, cu att mai puine
etaje se cer pentru asigurarea amplificrii cerute la valoarea de trece-band dat.
Etaj amplificator RC n amplificarea semnalelor de form impuls.
Particularitile amplificatoare ale etajului n regim de amplificare a semnalelor de form
impuls e mai comod de caractirizat prin intermediul caracteristicii de tranziie. Imaginea
operatoare a caracteristicii de tranziie pentru etajele RC poate fi obinut din relaia (2.20)
nlocuind frecvena
j
cu operatorul p:
61

( ) ( )
( )
( ) ( )
C b
b u
b
C
u
u
p p
p
K
p
p
K
p K p H

+ +

,
_

+ +

1 1
1
1 1
0
0
(2.100)
Originalul caracteristicii de tranziie se determin de relaia :

( )
b
C
t t
u
C b
t t
b u
C b C b
e e
K
e e
K Z h

1
0 0
(2.101)
Relaia (2.101) descrie dependena n timp a tensiunii de ieire a etajului cnd la
intrarea lui este aplicat o treapt de semnal (privete fig.2.8).
n amplificatoarele de semnale impuls oricnd este valabil inegalitatea:

( )
( )
S C b
e E
b
g
E
b
g
e
R R C
r r R
r r R
+ <<
+ + +
+ +
0
' '
' '
1

Neglijnd n numitorul relaiei (2.101) cu componenta
b
C

n raport cu unitatea (
b
C

<<1), obinem:
( ) ( )
C b
t t
u
e e K t h


0
(2.102)
Inegalitatea (2.102) permite studierea procesului de tranziie, condiionat de
constanta
b

, independent de procesul de tranziie condiionat de constanta

C

, adic
permite analiza procesului de tranziie la nceputul i la sfritul lui aparte. ntr-adevr, la
nceput de proces, cnd durata de timp este de ordinul mrimii
C

( C
t
) nsi mult mai
mic ca
b

( b
t <<
), putem considera c
1 e
b
t

, iar la sfrit de proces cnd durata de timp
este de ordinul constantei
b

(t=t
b
), nsi mult mai mare ca constanta
C

( C
t >>
), putem
considera c
0 e
C
t

.innd cont de acest moment putem precuta apare transmitera
frontului de impuls i polierul ui lui.

Transmiterea frontului de impuls . Sectorul la nceputul caracteristicii de tranziie
reflect procesul de redare de ctre etaj a frontului anterior de impuls:
62
t
h(t)
h(t)

C
K
u0
/(1
C
/
b
)
K
u0
/(1
C
/
b
)
Fig. 2.8

C
Fig. 2.8

C
Fig. 2.8

,
_

b
t
u
e K t h

1 ) (
0 (2.103)
Expresiei (2.103) i corespunde schema echivalent de etaj pentru subgama de
frecvene nalte (privete fig.2.5), iar caracterul procesului de tranziie iniial se determin
de caracteristica de amplitudinefrecven a etajului, n subgam de frecvene nalte.
Sectorul la nceputul caracteristicii de tranziie are forma unei curbe exponeniale care
crete de la 0 pn la 1. Aa dar, aplicnd la intrarea etajului amplificator a unei trepte
ideale de tensiune, tensiunea la ieirea amplificatorului va crete nemomentan. Frontul de
cretere a tensiunii de ieire,numit front anterior, este ntins (fig.2.9). ntinderea frontului
se explic prin dou cauze. Cnd la intrarea tranzistorului se aplic un impuls de curent,
golurile surpluse se mic spre colector cu diferite viteze. Din aceast cauz curentul
colector pn la valoarea sa de regim permanent crete ne momentan. Pe lng aceasta, pe
capacitatea C
CE
, ce unteaz rezistena de sarcin, tensiunea nu se poate schimba (crete)
momentan, din aceast cauz chiar cnd la intrarea tranzistorului se aplic un impuls ideal
de curent b 0 C
I I
potenialul colector n momentul de salt rmne acelai, iar
tensiunea culeas de pe capacitatea C
CE
este nul. n primul moment dupa aplicarea
impulsului de intrare toat creterea curentului colector se ramific n capacitatea C
CE
, i o
ncarc. Prin sarcina etajului curge numai o parte mic de curent colector. Curentul de
ncrcare a capacitii C
CE
i curenii ce curg prin rezistenele R
C
i R
S
se schimb
exponenial. Fiindc C
b
>>C
CE
, se poate considera c n timpul de ncrcare a capacitii
C
CE0
diferena de potenial pe plcile condensatorului C
b
practic rmne aceeai i ultima
nu influeneaz caracterul de modificare a semnalului de ieire.
Viteza de stabilire a tensiunii de ieire depinde de constantele
b

i
C

. Cu ct ele
sunt mai mici, cu att etajul mai bine reproduce frontul impulsului. Din formula (2.103) se
poate determina durata frontului anterior t
fr
. Ca durat de front se consider timpul n care
tensiunea de ieire se schimb de la 0,1 pn la 0,9 de la valoarea sa de regim permanent.
t
fr
= t
2
t
1
, (2.104)
unde t
1
este momentul de timp la care
( ) ( )
ies ies
U t U 1 , 0
1
, iar t
2
este momentul de timp
la care
( ) ( )
ies 2 ies
U 9 , 0 t U
.
h(t)/K
u0
1,0
t
2

c
2,305
c
2
c
0,105
c

t
0,9
0,1
t
1
Fig.2.9
63
Valorile
( )
1
t h
i
( )
2
t h
corespunztoare nivelelor 0,1 i 0,9 de la valoarea de regim
permanent
( )
0 u
K h
se determin de relaiile:
( ) ( )
0 0 1
1
1 1 , 0
u
t
u
K e K t h
C

;
( ) ( )
0 0 2
2
1 9 , 0
u
t
u
K e K t h
C

.
La valori de C 1
t <<
prima relaie poate fi simplificat, nlocuind exponenta cu
relaia
C
t
t
t
e
C
C

1
1
1

<<

. n acest caz avem:

,
_

C
u u
t
K K

1
0 0
1 1 , 0
,
de unde C 1
1 , 0 t
.
Din relaia doi obinem:
C
t
e

2
1 , 0

, de unde C C
t 3 , 2 10 ln
2

. Aa dar durata
frontului anterior este:
t
fr
= t
2
t
1
=
C
3 , 2
- 0,1
C

= 2,2
G
e

(2.105)
Din ultima relaie urmeaz, c durata frontului impulsului de ieire n etajele RC se
determin de constanta
C

a tranzistorului,echipat n etaj. n cazul cnd durata frontului de

semnal la ieirea etajului este dat, valoarea maximal admisibil a constantei
C

se alege
din relaia:

2 , 2
fr
C
t

. (2.106)
n amplificarea impulsurilor dreptunghiulare valoarea accesibil a duratei de front a
impulsului de ieire,de regul, nu depete 0,1t
im
. n acest caz,valoarea maximal
admisibil a constantei
C

se determin de inegalitatea
20 t
im C

. Din relaiile (2.105) i
(2.99) urmeaz c durata frontului poate fi micorat prin micorarea rezistenei de
sarcin. Micorarea sarcinii n rndul su micoreaz amplificarea etajului K
uo
.
Calitatea de funcionare a etajului amplificator n regim de amplificare a semnalelor
de form impuls cu att e mai bun cu ct durata frontului impulsului de ieire este mai
mic la amplificarea impus sau cu ct amplificarea este mai mare la valoarea prestabilit a
frontului. Eficacitatea etajului n amplificarea semnalelor impuls poate fi apreciat prin
raportul factorului de amplificare la frecvene medii i durata frontului impulsului de ieire
fr 0 u
t K
. Acest raport se gsete n relaie direct cu factorul de calitate a etajului. ntr-
adevr, mprind K
u0
la t
fr
i innd cont de egalitate (2.64,a) obinem:

2 , 2 2 , 2
lim . 0 0
D K
t
K
n u
fr
u


(2.107)
Recomandrile n ce privete majorarea eficacitii de funcionare a circuitelor
amplificatoare n regim de amplificare a semnalelor armonice date n paragraful 9.3, rmn
valabile i pentru regimul de amplificare a semnalelor de form impuls. Durata frontului i
frecvena limit de sus a benzii de frecvene lucrtoare sunt n relaia:

lim . lim .
35 , 0 1
2
2 , 2
n n
fr
f f
t

. (2.108)
Frontul anterior a impulsului de ieire n raport cu frontul lui de intrare ntrzie n
timp. Din relaia (2.103) se poate determina timpul de ntrziere a frontului t
nt
. Ca timp de
ntrziere se consider timpul n care tensiunea de ieire crete pn la nivelul de
( )
ies
aU
,
unde a < 1. De exemplu, pentru a = 0,5 :
C nt
7 , 0 t
(2.109)
64
Menionm c n calculele caracteristicei de tranziie nu s-a inut cont de constanta

,
ce intr n relaia (2.1). Cu consideraia ei, caracteristica de tranziie nu-i schimb
forma,de asemenea nu se schimb nici durata frontului, ns apare o ntrziere n momentul
creterii semnalului de ieire , de valoarea aproximativ egal cu

.

Transmiterea polierului de impuls. Sectorul caracteristicii de tranziie ce scade
cu timpul este determinat de calitatea de redare a polierului de etajul amplificator. Cnd
C
t >>
schimbarea semnalului de ieire se determin de relaia:
( )
b
t
u
e K t h

0
(2.110)
Relaiei (2.110) i corespunde schema echivalent caracteristic etajului n regim de
amplificare a semnalelor armonice de frecvene joase. Calitatea de transfer a polierului
este determinat de caracteristica de frecvene a etajului n subgama de frecvene joase.
Graficul
( ) t h
, descris de relaia (2.110) este artat n fig.2.10. Caracteristica de transfer
este o curba exponenial care se ncepe de la K
u0
i scade pn la zero. Ea difer de
caracteristica de tranziie a etajului lipsit de distorsiuni (linia punctat).Diferen este cu
att mai mare cu ct constanta
b

este mai mic.

Scderea polierului impulsului de ieire poate fi explicat n modul urmtor. Cnd la
intrarea amplificatorului se aplic o treapt de tensiune, de exemplu de sens pozitiv,
curentul colector se micoreaz, de asemenea se micoreaz i cderea de tensiune pe
rezistena R
C
i potenialul colector n raport cu ina comun devine mai negativ. Dup ce
sarcina electric a capacitii C
CE
se schimb la valoarea, corespunztoare tensiunei U
ie
,
prin sarcina R
S
ncepe se curg curentul de ieire de valoarea U
ie
/ R
S
. Acest curent mrete
sarcina electric a condensatorului C
b
, care la nceputul procesului de tranziie se
determin de valoarea U
0C
. Fiindc tensiunea pe plcile condensatorului C
b
se schimb
(dup valoarea absolut crete), iar potenialul colectorului rmne constant, tensiunea de
ieire scade, adic polierul se distorsioneaz. Viteza lui de cdere este cu att mai mare cu
ct constanta
b

este mai mic.

t
h(t)/K
u0
1,0

b
Fig.2.10
65
t
t
U
in
U
ie
t
im
U
ie
Fig.2.11
a)
b)
Caracteristica de tranziie arat c etajul RC nu este capabil de a asigura
transmiterea impulsurilor de lung durat fr distorsiuni. Distorsiuni mici de polier pot fi
obinute numai la transmiterea impulsurilor de scurt durat. La transmiterea impulsurilor
dreptunghiulare de durat t
im
pe polierul lor apare scderea de valoarea ies
U
. Prin
prezentarea impulsului dreptunghiular sub form de sum a dou salturi de tensiune de
sens opus deplasai ntre ei la t
im
(fig.2.11,a), prin calculul sumei caracteristicilor de
tranziie pentru fiecare salt se poate determina impulsul de ieire. Din construcia, artat
n fig.2.11,b, se vede, c n semnalul de ieire pe alturi de scderea polierului se observ
erubie. Valoarea erubiei practic este egal cu scderea polierului. Apariia erubiei
ntocmai la sfritul impulsului de intrare se explic prin faptul c sarcina electric
acumulat de capacitatea C
b
n timpul de aciune a impulsului de intrare nu dispare
momentan. Condensatorul C
b
se rencarc prin rezistenele R
C
i R
S
cu constanta de timp
b

(
( )
S C b b
R R C +
). Curentul de rencarcare a condensatorului C
b
i formeaz pe
rezistena R
S
cdere de tensiune erubie.
Scderea polierului este diferena dintre valoarea tensiunii de ieire la nceput i
sfritul impulsului

( ) ( )
im ies ies ies
t U U U 0
. (2.111)
Substituind n ultima relaie mrimile
( )
0
0
u ies
K U
i ( ) ( )
b im
t
ies im ies
e U t U

0 ,
obinem:
( ) ( )
b im
t
ies ies
e U U

1 0 . (2.112)
Scderea relativ a polierului este:

( )
b im
t
ies
ies
im
e
U
U

1
0
. (2.113)
Cnd b im
t
, scderea
ies
U
este de 63% de la
( ) 0 U
ies
. n practic aa scderi mari
de polier sunt inadmisibile. De regul, b im
t <<
. innd cont de aceast inegalitate, cel mai
des se practic la desfurarea n ir a exponentei din formula (2.113) i limitndu-ne de
primii doi membri a acestei discompuneri, obinem:

b
im
b
im
im
t t

,
_

1 1
(2.114)
Prin prestabilirea cderii relative admisibile a polierului, din inegalitatea im im b
t

putem determina valoarea necesar a constantei
b

.
n amplificatoarele de impulsuri dreptunghiulare, cderea relativ admisibil a
polierului nu depete 10%. La aa condiii constanta circuitului baz
b

se alege din
condiia im b
t 10
. Prin majorarea mrimilor R
C
, R
S
i C
b
scderea
im

poate fi mult mai

66
mic ca 10%, ns valorile numerice ale mrimilor R
C
, R
S
i C
b
nu pot depi anumite
valori maximale.
n etajele amplificatoare unde pentru stabilizarea regimului se folosete reacia
negativ n curent continuu, circuitul de stabilizare emitor R
E
C
E
condiioneaz distorsiuni
de polier suplimentare. Cauza este n apariia la rnd cu reacia negativ n curent continuu
a unei reacii negative serie n curent alternativ. Distorsiunile polierului condiionate de
circuitul R
E
C
E
apar n modul urmtor. n momentul de aplicare la intrarea etajului, de
exemplu, a unui salt de tensiune negativ, curentul colector i, corespunztor emitor, cresc.
ns cderea de tensiune pe rezistena R
E
nu poate crete brusc fiindc ea este untat de
condensatorul C
E
. Toat creterea curentului emitor va curge prin condensatorul C
E
,
ncrcndul. Ca rezultat, potenialul emitor devine mai negativ. Creterea potenialului
negativ emitor are loc pn la ncrcarea deplin a condensatorului C
E
. n procesul de
ncrcare prin rezistena R
E
curge numai o parte din curentul emitor. Creterea
potenialului negativ emitor micoreaz amplitudinea semnalului aplicat ntre baz i
emitor, ce la rndul su condiioneaz micorarea curentului colector. Aceasta
condiioneaz o scdere de tensiune mai mic pe rezistena R
C.S.
i ca urmare micorarea
semnalului de ieire, adic scderea polierului. Forma impulsului dreptunghiular la ieire
va fi ca i cea artat n fig.2.11,b.
Dac capacitatea C
b
o considerm de valoare infinit, atunci factorul operaional de
amplificare pentru frecvene joase n conformitate cu relaia (2.68) poate fi scris n modul
urmtor:
( )
E E
E
u
uj
C pR
R A
K
p K
+
+

1
1
1
0
,
unde
in g
e
R R
A
+
+

'
0 1
1
.
Originalul acestei relaii este funcia:

( )
1
1
]
1

+
+
+

E j
t
E
E
E
u
e
R A
R A
R A
K t h
.
1
1
1
0
1 1
1
, (2.115)
unde
E ies E E E
E
E
E
E
E E
E j
R C R
A
C
R
A
R
A
C
R A
R C
.
1
1
1
1
.
//
1
1
1
1

,
_

+

. (2.116)
Rezistena E ies
R
. - este rezistena de ieire a circuitului emitor. Cnd
1
1
>>
E
R A
,
obinem formula cunoscut:
( )
0
'
1
.
1
e
in g E
E
E j
R R C
A
C

+
+

.
Scderea polierului sumar,condiionat att de caracteristica de tranziie, ct i de
circuitul de stabilizare emitor este :

,
_

+ +
E j b
im E im
t
.
1 1


.
Pentru a ine cont de influena concomitent a ambelor circuite de distorsionare a
polierului introducem o constant de timp echivalent cu cele dou
b

i E . j

la frecvene
joase:
67

,
_

+
+

E j b E j b
E j b
j
. .
.
1 1

. (2.117)
n aa caz:

j
im
t

. (2.118)
Distorsionarea fronturilor a unei consecutiviti de impulsuri periodice nu difer de
distorsionarea frontului unui impuls. n analiza distorsionrii polierului a consecutivitii
de impulsuri trebuie de inut cont de urmtoarea. Condensatorul C
b
nu transmite constanta
de curent continuu. Valoarea medie de potenial a plcii condensatorului C
b
din partea
rezistenei R
S
n timp rmne nul (n urma procesului de rencrcare).Valoarea medie de
curent ce curge prin rezistena R
S
de asemenea n timp rmne egal cu zero, adic n
regimul permanent (cnd b
t >>
) suprafaa impulsului plasat mai sus de linia nul este
egal cu suprafaa impulsului plasat mai jos de linia nul. Pe lng aceasta,n transmiterea
unei consecutiviti de impulsuri dreptunghiulare distorsiunea polierului depinde de
polaritatea lor. Cele mai mari distorsiuni au loc n amplificarea impulsurilor cu
sporaritatea S = 2 (impulsuri simetrice).
Forma impulsului dreptunghiular dup trecerea lui printr-un amplificator de tip RC
este artat n fig.2.12.
2.8 Distorsionarea impulsului de ctre amplificatorul multietaj.
Cele mai mici distorsiuni de impuls le asigur amplificatoarele compuse din etaje
identice. Analiza distorsiunilor de amplificatoare multietaje, de regul se exprim prin
parametrii unui singur etaj.Ca i n cazul precedent transmiterea impulsului de un
amplificator multietaj o analizm prin analiza frontului de impuls i a polierului aparte.
68
U
in
t
im
0
0
Fig.2.12
U
ies
t
t
Transmiterea frontului de impuls. Caracteristica de tranziie a amplificatorului
multietaj la nceputul procesului de tranziie poate fi gsit din imaginea operaional a
factorului de amplificare.

( )

N
m Cm
m u
p
K p H
1
0
1
1

(2.119)
Pentru N etaje identice

( )
( )

,
_

p
K
p
K
p H
C
N
C
N
u
N
C
N
u

1 1
0 0
, (2.120)
de unde caracteristica de tranziie poate fi scris n modul urmtor:

( )
( )
1
1
1
1
1
]
1

,
_

N
m
m N
C
t
N
u
m N
t
e K t h
C
1
0
!
1

. (2.121)
Cum arat caracteristicile la nceputul procesului de tranziie pentru unu,dou i trei
etaje
( )

,
_

C u
t
f
K
t h

0
este artat n fig.2.13,a (curbele 1, 2 i 3 corespunztor).
Durata frontului i timpul de ntrziere pentru amplificatoarele cu caracteristiaca de
tranziie fr erupie poate fi determinat din coeficientul operaional de distorsiuni de
frecvene, care n mod general poate fi prezentat ca ctul la mprirea a dou polinoame:

( ) ( )
( ) ... 1
... 1
2 1
2 1
2
1
0
+ + +
+ + +

p b p b
p a p a
p N
p N
K
p N
u
, (2.122)
unde secvena (ordinea) polinomului N
1
este mai mic ca ordinea polinomului N
2
; a
i
i b
i
sunt constantele determinate de parametrii circuitului.
Se poate arta c durata frontului i timpul lui de ntrziere se determin de o
formul foarte comod n calculele inginereti.
( ) ( ) [ ]
2 2
2
1
2
1
2 2 b a a b t
fr
+ (2.123)
i
t
nt
= b
1
a
1
(2.124)
Durata frontului semnalului de ieire n amplificatorul multietaj,compus din etaje
identice este:

1 . fr C N . fr
t N N 2 t
, (2.125,a)
unde t
fr.1
este durata frontului de ieire a unui etaj.
n amplificatoarele cu etaje diferite durata frontului sumar t
fr.N
se determin de relaia:

( )

N
m
m fr N fr
t t
1
2
.
2
.
(2.125,b)
69
Durata de cretere a frontului i frecvena limit superioar a benzii de trecere a
amplificatorului sunt n relaia:
lim . lim .
35 , 0 1
2
2 , 2
n n
fr
f f
t

.
Timpul de ntrziere a frontului n amplificatoarele cu etaje identice i etaje diferite
sn corespunztor:
1 . nt N . nt
t N t
. (2.126,a)

N
m
m nt N nt
t t
1
. .

(2.126,b)
Transmiterea polierului. Imaginea operaional i originea caracteristicei de
tranziie la etapa final a procesului de tranziie pentru amplificatorul compus din N etaje
identice se determin de relaiile corespunztor :

( )
N
b
N
N
u
p
p
K p H

,
_

1
0
; (2.127)

( )
( )
1
1
]
1

,
_

+ ....
! 2
1
1
2
0
b b
N
u
t N N t
N K t h

(2.128,a)
Cnd b i
t <<


( )
1
]
1

b
i N
u
t
N K t h

1
0 (2.128,b)
Scderea rezultant relativ a polierului este:
i
b
i
N
N
t
N

(2.129,a)
Pentru amplificatoarele cu diferite etaje,scderea rezultant a polierului de impuls
(cnd b i
t <<
) este egal cu suma de scderi, condiionate de fiecare etaj aparte:

N
m
m N
1

(2.129,b)
1 2 3 4 5 6 7 8

1
2 3
h(t) h(t)
t
1
2
3
a) b)
Fig.9.14
70
Distorsiunile polierului condiionate de amplificatoarele cu unu, dou i trei etaje sunt
artate n fig.2.13,b.
2.9 Etaje amplificatoare RC cu baz comun
Schemele principial i echivalent a etajului amplificator cu BC sunt artate n
fig.2.14,a i b corespunztor. n schema echivalent rezistenele R
E
i r
c
nu sunt artate
fiind c R
E
>>R
in
i r
C
>>R
C
// R
S
. innd cont de faptul c structura schemei echivalente
BC este asemntoare cu schema echivalent EC n relaiile (2.11), (2.26) i (2.31)
parametrii r
b
,
' '
E
r
i e

i nlocuim cu parametrii
' '
E
r
, r
b
i corespunztor i
corespunztor n subgama de frecvene medii impedana de intrare, amplificarea n
tensiune i curent sunt:

( ) + 1
' '
b E in
r r R
(2.130)

in g
CS
u
R R
R
K
+

0 (2.131)

in g
g
S C
C
i
R R
R
R R
R
K
+

0 (2.132)
R
ie
R
C
(2.133)
Din relaile obinute se vede c etajele amplificatoare BC n comparaie cu etajele
EC au impedana de intrare mult mai mic, iar amplificarea n curent este subunitar.
Amplificarea lor n tensiune depinde de rezistena sarcinii (R
S
), cu creterea sarcinii
amplificarea tensiunii crete. ns n amplificatoarele multietaje, cnd R
Sm
=R
in.m+1
, R
in.m+1
<< R
Cm
, iar R
gm
=R
ie.m-1
=R
Cm-1
, amplificarea n tensiune de asemenea este subunitar. Din
aceast cauz construirea amplificatoarelor multietaje cu conectarea tranzistorilor BC n
majoritate nu se pactic. Etajul cu baz comun poate fi utilizat numai cnd etajul urmtor
are impedana de intrare mare (EC sau CC),sau n calitate de etaj final, cu rezistena de
sarcin mare.
Etajele BC spre deosebire de etajele EC nu defazeaz semnalul de ieire n raport cu
cel de intrare.Din comparaia relaiilor (2.26) i (2.131) putem observa c cnd R
g
= 0
schemele EC i BC devin identice (n afar de defazajul la 180
0
).
n analiza etajului la frecvene joase se poate neglija cu dependena de frecven a
factorului de amplificare n curent i cu capacitile C
C
i C
S
. Distorsiunile de frecven n
subgama de frecvene joase se determin de constanta :

( )
S C 2 j
R R C +
. (2.134)
Pentru analiza schemei la frecvene joase amplificarea n curent emitor e mai bine
de-o prezentat n modul urmtor:

( )
'
0
'
0
1 1
e
e
C
e
e
j j

+ +

, (2.135)
unde
( )
0
' '
0
0
//

+ + +

g E b CS C
C
e
R r r R r
r
; (2.136)

( )
CS C S C C C C
R C R R r C // //
;

'
C
'
e
+

. (2.137)
71

n aa caz pentru frecvene nalte:

( )
( )( )
sarc
'
n
0
n n
j 1 j 1
K
f K
+ +

, (9.140)de ce
9.140 dar nu 2.140
unde

( ) + +
+ +

1 r r R
r r R
b
' '
E g
b
' '
E g '
e
'
n ; (9.141)
CS S sarc
R C
. (9.142)
Constanta
'
n
a etajului BC este mai mic ca constanta
n

a etajului EC, ce explic

faptul c etajul BC are caracteristica de frecvene mai mare ca etajul EC. Frecvena lui
superioar limit ca i a etajului EC se determin de relaia:

n
lim . n
1

.
Din relaia (2.105) poate fi determinat distorsiunea frontului de impuls. Din relaiile
(9.66) i (9.141) urmeaz ,c ,n deosebi de etajul EC,banda de frecvene a etajului BC cu
micorarea rezistenei Rg scade . n conformitate cu relaia (9.132) cu creterea frecvenei
impedana de intrare a etajului crete, ce se explic prin scderea factorului de transfer n
U
in
U
ies
-E
C
+E
E
E
g
R
g
R
E
R
S
R
C
C
1
C
2
I
in
I
E
C
S
VT
E
g
R
g
C
C
U
in
U
ies
I
ie
= I
S
I
in
=I
E
I
ies
R
C
R
S
r
b
E
r

I
E
C
2
C
S
Fig. 2.14
a)
b)
72
curent , n limit tinde spre r
E
+r
b
. n etajele BC spre deosebire de etajele EC
impedana de intrare este de caracter inductiv (R
inEC
este de caracter capacitiv).
Corecia caracteristicilor amplificatoarelor RC.
Dup cum tim, pentru a micora distorsiunile de amplitudine frecven i faz
frecven i a caracteristicii de tranziie n amplificatoarele RC trebuie de micorat
constanta
c
i de mrit constanta
b
, ns modificarea lor este legat de un ir de greuti.
Aceast problem poate fi rezolvat mai simplu, i anume prin majorarea factorului de
calitate al amplificatorului. Corecia este necesar n amplificatoarele de impuls, deoarece
ele trebuie s fie de band larg. Corecia poate avea loc att prin includerea n circuitul
amplificator a elementelor suplimentare cu impedana dependent de frecven, care
parial neutralizeaz factorii ce distorsioneaz caracteristicile de frecven a
amplificatorului ct i prin introducerea reaciei negative corespunztoare. Deoarece
distorsiunile liniare la frecvene joase i frecvene nalte sunt condiionate de factori
diferii (de diferite elemente ale circuitului), problema coreciei este realizat aparte pentru
frecvene joase i frecvene nalte. Corecia frecvenelor nalte concomitent implic i
corecia frontului anterior al impulsului iar a celor joase i corecia polierului.
Calculele parametrilor optimali de corecie din schemele de corecie sunt:
1. Caracteristica de frecven normal n gama 0... Hz, se descrie de relaia:
1 ) ( const M
(1)
Se poate demonstra c patratul modulului coeficientului de distorsiuni de frecven
este:

... 1
... 1
) (
6
3
4
2
2
1
6
3
4
2
2
1 2
+ + + +
+ + + +

b b b
a a a
M
(9.173)
Relaia (9.173) arat, c cea mai bun caracteristic de frecvene are loc atunci cnd
coeficienii pe lng polinoamele de aceeai putere de la numrtor i numitor sunt egali,
adic: a
1
=b
1
, a
2
=b
2
, ... , a
n
=b
n
.
Din aceste ecuaii i condiii pot fi determinate valorile optimale a elementelor de
corecie, ce corespund celei mai bune caracteristici de frecvene.
2. Caracteristica de faz frecven ideal este:
A ) (
(2)
A un oarecare coeficient de proporionalitate.
Condiia lipsei de distorsiuni de faz este:
const
d
d

) (
) ( '
(3)
Se poate demonstra c deriva de la pe este:
... 1
... 1
) ( '
4
4
2
2
4
4
2
2
0
+ + +
+ + +

d d
c c
A
(4(9.175))
Din (9.175) urmeaz c cea mai bun caracteristic de faz de asemenea are loc cnd
c
2
= d
2
, c
4
= d
4
, etc.
73
Din aceste condiii pot fi determinate valorile optimale ale elementelor corectoare ce
corespund celei mai bune caracteristici de faz.
Valorile elementelor de corecie calculate dup relaiile (1) i (4) sunt diferite.
Reeind din aceste condiii, calculele trebuiesc efectuate pentru cazuri concrete, adic se
asigur sau caracteristica de amplitudine optimal, sau de faz, n dependen de cerinele
principale.
A. Corecia de frecvene joase (corecia polierului).
Dup cum a fost artat mai sus, neuniformitatea caracteristicii de frecvene n
subgama de frecvene joase i distorsionarea polierului n majoritate sunt condiionate de
circuitele de cuplare dintre etaje. Dac schema amplificatorului o construim n aa mod, ca
cu micorarea frecvenei , impedana colector s creasc, atunci aceast cretere va
compensa micorarea amplificrii, condiionat de C
b
. O asemenea compensare poate fi
obinut prin includerea n circuitul colector a unei impedane de forma:
f f
f
C cf f C C
R C j
R
R jX R R Z
+
+ +
1
) //(
(5)
innd cont de faptul c amplificarea:
g
C
U
R h
Z
K
+

11
) (

(6)
dup cum urmeaz din fig. 9.20b, cu micorarea frecvenei amplificarea va crete,
compensnd ntr-o oarecare msur scderea ei, condiionat de C
b
.
n fig. 9.21 este artat schema electric a unui etaj real echipat cu un circuit de
corecie de frecven joas.
C
f
R
f
R
C
Z
C
f
R
R
C
R
C
+R
f
Z
C
a) b)
Fig. 9.20
74
Capacitatea C
f
trebuie aleas n aa mod ca amplificarea amplificatorului corector la
frecvene medii cu corecie i fr corecie s rmn aceeai.
Schema de corecie R
f
C
f
concomitent ndeplinete funciile filtrului decuplator,
protejnd etajul de inducerea direct a perturbaiilor prin sursa de alimentare. Filtrul R
f
C
f
de asemenea mbuntete stabilitatea termic a etajului n curent continuu, fr a micora
amplificarea la frecvene medii.Corecia se efectueaz n modul urmtor:
cu venirea impulsului de curent
e0
I
b
tensiunea ntre punctele a i b crete (se ncarc
capacitatea C
f
), compensnd cderea de tensiune pe condensatorul C
b
. Tensiunea de ieire
pentru o anumit (oarecare) durat de timp rmne constant iar cderea polierului de
impuls lipsete. Tensiunea, i corespunztor amplificarea la ieirea etajului este:
S
b
Cf f C
Cf f C b e
ies
R
C j
X R R
X R R I
U
+ + +
+

1
//
) // (
0
.
(7)
) (
1
) 1 )( (
1
) 1 (
1
~
0
S c b f f S C
f
f f C
f
u uj
R R C j R C j R R
R
R C j R
R
K K
+
+
+ +
+
+
+

(8)
Notnd cu
f
S C
f
C
S C b b f f f
R
R R
q
R
R
q R R C C R
) (
; ); ( ;
1
+
+
, i dup anumite
transformri, se poate demonstra c patratul distorsiunilor de frecvene este:
4 2 2 2 2
2 2 4
2
2
) (

+ +
+

a b b
M (9)
unde
b f b f f
b
q
q
a
q
q

1
;
1 1
;
1
1
1
+
+

.
E
g
R
g
C
1
R
1
R
f
R
C
C
b
C
f
R
S

C
E
VT1
U
ies.
a
b
C
b
R
S
R
C
U
ies.
R
f
C
f

eo
I

a)
b)
Fig. 9.21Schema (a) e dreapt??
75
Din (9) obinem ecuaia din care se pot determina parametrii optimali de corecie a
caracteristicii de amplitudine frecven:
b a 2
2 2
(10)
Substituind n (10) n loc de , a i b expresiile lor, obinem condiia de corecie de
frecvene joase ideal:

b S f C
f
S C
C R C R
R
R R
q 0
1
(11a,b)
Dac condiia doi poate fi asigurat uor, atunci prima poate avea loc numai cnd R
f
, ceea ce practic este imposibil. De regul, mrimea q
1
se alege de valoarea ~0,5...0,1.
Din aceast cauz, mai nti se alege R
f
, reeind din cderea de tensiune admisibil pe ea,
dup care se calculeaz
f
C
R
R
q
(R
C
este deja cunoscut) i din relaia (10) se gsete
raportul
b
f

ce asigur cea mai bun corecie a caracteristicii de amplitudine frecven:

q
m
q
m
q q
m
opt
b
f

,
_

,
_

+ +

,
_

,
_

2 2 2
1
1
1

(12)
unde
S C
C
R R
R
q
q
m
+

1
.
Frecvena limit inferioar cu corecie se determin dup relaia:
2
2
.
1
1
2
1 1
1
1
2
1
1
1
1
1
]
1

,
_

,
_

+ +

,
_

q
q
opt
b
f
j
cor j

(13)
unde
b
j

.
n procesul de calcul, dup alegerea mrimii q se determin raportul
opt
b
f

,
_

.
Cunoscnd acest raport i frecvena
j.cor
se calculeaz
j
. Mai departe aflm
b
i apoi C
b
.
Cunoscnd C
b
i
opt
b
f

,
_

, se calculeaz
C
b S
f
R
C R
C
. Menionm, c dac
opt
b
f
b
f

,
_

<

, atunci

j
a amplificatorului corectat puin se micoreaz.
1) Cea mai bun caracteristic de faz are loc atunci cnd se satisface relaia:
b S f C
C R C R
ce corespunde cu relaia (11b).
2) Determinm elementele de corecie joas ce asigur cea mai bun
caracteristic de tranziie.
76
Se poate arta c ca i amplificarea semnalelor armonice cea mai bun corecie are
loc cnd: b S f C
C R C R
(9.187)
Cderea relativ a polierului n acest caz este:
f
b f
f
C
b
im
C
C
C C
R
R t
+

2
2

(9.188)
a) Cnd b S f C
C R C R >
are loc corecia
nedeplin (curba 2);
b) dac b S f C
C R C R <
are loc supracorecia
(curba 1).
Eficacitatea coreciei se apreciaz de
raportul dintre cderea polierului de impuls
condiionat de amplificare, necorectat i corectat:
b f
f
C
f
im
b
cor
necor
C C
C
R
R
t +

2
.
.
Cnd distorsiunile de polier sunt condiionate i de circuitul emitor, atunci constanta

b
se nlocuiete cu:
E b
E b
j

.
B. Corecia de frecvene nalte.
Elementul principal ce condiioneaz distorsiuni la frecvene nalte este nsui
elementul activ (tranzistorul). n amplificatoarele pe tranzistoare, corecia n aceast
subgam de frecvene se efectueaz prin introducerea n serie cu R
C
a unei inductane (Fig.
9.25) sau prin intermediul reaciei negative serie n curent (Fig. 9.26).
a) corecie inductiv.
Amplificarea cu prezena inductanei de corecie este:
( )
S C
C
S C
C
C
U in U
R R
L
j
R R
L
j
R
L
j
K K
+
+

,
_

+
+ +
+

2
0 . .
1
1
(9.202)
77
U
ies
t
Fig. .
1
2
Patratul modulului de distorsiuni de frecvene este:
2
2
2
2
2
2
1
1
1
) (
1
]
1

,
_

+
+ +

,
_

,
_

S C
b
S C
b
C
R R
L
R R
R
L
M

;
Egalnd coeficienii pe lng
2
de la numitor i numrtor, obinem relaia ce
determin inductana de corecie optimal:
( )
( )
2 2
.
C S C
C S C C
opt
R R R
R R R
L
+
+

(9.203)
Din (9.203) rezult, c atunci cnd R
S
0, inductana de corecie L trebuie s fie de
foarte mare valoare. De aceea, pentru o corecie efectiv ntre etaje, trebuie de inclus
repetor pe emitor ca element de concordare.
Cnd R
C
<<R
S
, inductana de corecie optimal este:
C C
R L
b) Corecia prin intermediul reaciei negative (privete fig. 9.26)
Capacitatea C
cor.
se alege de aa valoare, ca la frecvene joase i medii s unteze
slab rezistena R
cor.
, iar la frecvene nalte s exclud reacie negativ n curent, i ca
urmare s creasc amplificarea.
n transmiterea semnalelor impuls la prima stadie a procesului de tranziie
capacitatea C
cor
scurtcircuiteaz rezistena R
cor
; ca urmare crete curentul bazei I
b
i
viteza iniial de cretere a curentului I
b
, ceea ce i micoeaz timpul de cretere al
semnalului de ieire.
Corecia cu ajutorul reaciei negative, nectnd la faptul c este mai puin efectiv ca
corecia inductiv, are un ir de prioriti:
- lrgete banda de frecvene;
R
1
R
C
R
S
R
2
R
g
R
E
C
E
L
E
g
Fig. 9.25
R
1
R
C
R
2
R
g
R
E
E
g
Fig. 9.26
VT
VT
R
S
R
Cor
C
Cor
R
E
78
- mrete stabilitatea termic de funcionare;
- mrete stabilitatea coeficientului K
U
;
- majoreaz impedana de intrare;
- micoreaz zgomotul i distorsiunile neliniare.
Se poate demonstra c condiia cea mai bun de corecie este:
b a
cor
2
2 2

sau
0
1 1
2
2
2
2

+
+

C
cor C cor (9.213)
unde
( )
0 0
1 ; ; ;
U
cor C cor C
cor cor cor
K b a C R

+
+

grad de reacie negativ.
Dup alegerea gradului de reacie negativ, constanta de circuit corecie se
determin de relaia:
1
1
2
1

+

C
cor (9.214)
Din (9.214) poate fi determinat capacitatea C
cor
.
Menionm, c n dependen de raportul dintre ,
cor
,
c
caracteristica de tranziie
poate avea caracter oscilant. Cu majorarea reaciei, durata frontului scade, n schimb crete
erubia (vbros???).
Etaje amplificatoare de curent continuu.
2.1 Noiuni generale
Amplificatoarele de curent continuu (ACC) amplific att semnalele de curent
continuu, ct i cele de curent alternativ. n dependen de destinaie, ACC pot fi de
rapiditate (funcionare) foarte joas, joas, medie i nalt. De aceea, indicii lor principali
variaz in limite destul de mari: amplificarea lor n tensiune poate fi de la 10
4
ori pn la
10
8
ori, impedana de intrare de la 100 pn la 10
8
, impedana de ieire de la 10 pn
la 10
4
, frecvena de frngere de la 10 kHz pn la 100 MHz, banda de frecvene la
semnale nedistorsionatede la 10 Hz pn la 10 MHz, viteza de cretere a semnalului de
ieire de la 1 V/s pn la 10
3
V/s, deriva de tensiune raportat la intratea amplificatorului
de la 10
-6
V pn la 10
-3
V, deriva curentului de intrare de la 10
-9
A pn la 1 A, timpul
de stabilire a semnalului de ieire de la 0,1 s pn la 1 s.
79
Amplificatoarele de curent continuu pot fi clasificate n modul urmtor:
1. amplificatoare cu cuplare galvanic, numite amplificatoare de amplificare
direct (amplificatoare fr convertarea semnalului amplificat).
2. amplificatoare cu cuplare optron, care sunt de asemenea ACC de
amplificare direct .
3. amplificatoare cu transformarea spectrului de semnal (amplificatoare cu
convertarea semnalelor) prin intermediul modulatorului i demodulatorului
amplificatoare M-DM.
n acest capitol atenia principal va fi acordat doar amplificatoarelor cu conectare
galvanic. n ce privete amplificatoarele cu cuplare optronic i cele cu transformarea
spectrului de semnal, particularitile lor vor fi precutate pe scurt, la sfritul capitolului.
Etaje difereniale.
Etajul diferenial este amplificatorul de diferen de semnale, aplicate la intrarea lui,
numit semnal de mod diferenial. Etajele difereniale formeaz baza circuitelor electronice
de prelucrare a semnalului cu component de curent continuu i cuplare galvanic ntre
ele.
Aadar, etajele difereniale, spre deosebire de etajele RC, sunt capabile de a prelucra
semnale att de curent continuu, ct i de curent alternativ i de asemenea de curent
alternativ i curent continuu concomitent.
Etajele difereniale sunt compuse din dou tranzistoare, dou dou sarcini colector,
o singur rezisten R
E
, i o surs de curent stabil. Se alimenteaz ED de la dou surse de
alimentare, una dintre care alimenteaz tranzistorii, iar alta, mpreun cu o rezisten de
mare valoare R
E
, formeaz sursa de curent stabil.

C
E
+
C
E
in.1 in.2
ies.1
ies.2
I
0
/2
VT1 VT2
E
g1
E
g2
R
g1
R
g2
_
+
+
_
I
0
in.2
-U
CB
R
E
I
0
+
C
E
Fig.
80
E
C
E
CB C
R
E
R
U E
I

0
ED au dou intrari identice i dou ieiri identice. Semnalul de mod diferenial poate fi
aplicat n modul urmtor:
. .
2 . 1 . 1 .
.
1 .
.
) (
; ;
Uneinv Uinv
g
ies ies
Ud
g
ies
Uneinv
g
ies
Uinv
K K
E
U U
K
E
U
K
E
U
K +
+

.
Principalii parametri ai AD la semnal mic i frecven joas.
a) Amplificarea n mod diferenial.
Pentru a determina parametrii AD la semnal mic, ne folosim de schema ED de
semnal mic artat n fig. ...???
E
g
R
E
VT1 VT2
E
g
R
E
VT1 VT2
U
d
/2
R
E
VT1 VT2
U
d
/2
a) b) c)
Fig. . Semnalul de mod
diferenial poate fi aplicat n
modul urmtor(Schema e
corecta??)
U
ies.1
R
m.d.
R
C1
U
m.d.
R
in.BC
R
E
*
E
R
VT
R
C2
R
m.d.2
U
m.d.2
R
ies.EC
U
ies.EC
R
E
Fig. X
81

EC E
E
BC uE
h R
R
K
11
.
) 1 (
) 1 (
+ +
+

(1)
1 . 11
.
in
C
EC g
C
EC uC
R
R
h R
R
K


+

(2)
EC g
C
BC in
C
uBC
h R
R
R
R
K
11 .
+


(3)
+
+

1
11
.
g EC
BC in
R h
R
(4)
EC g
C
g EC
E BC in E E
h R
R
R h
R R R R
11
11
.
*
1
// //
+

+
+

(5)
A. Amplificare neinversoare:
BC u EC E u
g
ies
neinv U
K K
E
U
K
. . .
2 .
.

(6)
Cu considerenta (5), amplificarea (1) este:
( )
( )

+ +
+

1
1
*
11
*
. . .
E EC
E
EC E u BC in
R h
R
K R
(7)
Amplificarea BC este:
) (
2 11
.
g EC
C
BC u
R h
R
K
+

(8)
Substituind (7) i (8) n (6), cu considerenta (5), obinem:
E
EC
g EC
C
neinv U
R
h
R h
R
K
) 1 (
2
1
11
11
.

+
+

(9)
De regul
2
) 1 (
11
<<
+
E
EC
R
h

i:
) ( 2
11
.
g EC
C
neinv U
R h
R
K
+

(10)
g EC
C
g EC
C
neinv U
R h
R
R h
R
K
+
<
+

11 11
.
2
1
(11)
B. Amplificare inversoare:
1 .
1 .
.
in
C
g
ies
inv U
R
R
E
U
K


(12)
( ) [ ]
BC in E EC in
R R h R
. 11 1 .
// 1 + +
(13)
Substituind (13) n (12), cu considerenta (4), obinem:
neinv U
E
E EC
E
EC
g EC
C
g
ies
inv U
K
R
R h
R
h
R h
R
E
U
K
.
11
11
11
1 .
.
) 1 (
) 1 (
) 1 (
2
1
>
+
+ +

+
+

(14)
C. Amplificarea diferenial:
82
??? 1
) 1 (
) 1 (
) 1 (
) 1 (
1
) 1 (
2
1
) (
) (
11
11
11
11
. .
2 . 1 . 2 . 1 .

+
+ +

1
]
1

+
+ +
+
+
+

+

+
+

+

E
EC E
E
EC E
E
EC
g EC
C
Uneinv Uinv
g
ies ies
g
ies ies
d
R
h R
R
h R
R
h
R h
R
K K
E
U U
E
U U
K

???(15)
b) Amplificarea n semnal de mod comun:

1
2 ) 1 ( 2 ) 1 ( 2
11 . .
. .
. .
<<
+

+ +

E
C
E
C
EC E
C
c m in
c m ies
c m U
R
R
R
R
h R
R
U
U
K

Impedana de intrare.
a) n mod comun:
E c m in
R R
. .
b) n mod diferenial:
U
m.c.
R
E
VT1 VT2
U
m.c.
+
+
+
_
_ _

C
E
+
C
E
U
ies.m.c.
Fig. Amplificarea n semnal de
mod comun(schema e corecta??)
r
BEVT1
r
BEVT2
R
E
Fig....
83
c m in BEVT d m in
R r R
. . . .
2 <<
Amplificator diferenial din dou etaje cu reacie negativ n semnal de mod
comun.
Amplificatorul diferenial din dou etaje cu reacie negativ n semnal de mod
comun are schema urmtoare:
Usin f n pt. A micoreaz curentul I
1
n conformitate cu
1
2
1 0
R
R
I I
micoreaz
curentul I
0
i corespunztor cderea de semnal de mod comun pe R
C
.
r
BEVT1
r
BEVT2
R
E
Fig....
R
in.m.d.
R
C
R
C
R
1
R
2
-Usinf
A
Fig. Amplificator diferenial din dou etaje cu reacie negativ n
semnal de mod comun.
84
Etaj diferenial bietaj cu ieire emitor.
Schema etajului diferenial bietaj cu ieire emitor este urmtoarea:
) 1 (
11 . .
+ +
E EC E R in
R h R
Impedana de intrare a R
E
mrit nu dezechilibreaz primul etaj (VT1, VT4):
E
EC C
E R ies
R
h R
R
1
]
1

+
+

1
11
. .
Generator de curent stabil.
tim c R
e
i

C
E
formeaz o surs de curent I
0
care este:
) (
) (
0
t r R
t u E
I
BE E
BE C
+

(1)
cnd R
E
>>r
BE
(t)
) (
) (
0
t r R
t u E
I
BE E
BE C
+

(2)
Din ultima inegalitate, (R
E
>>r
BE
(t)), urmeaz c, pentru ca I
0
s nu depind de r
b
, R
E
trebuie s fie de o valoare foarte mare. Dac n circuitele construite pe baza elementelor
discrete, R
E
nu este limitat, atunci n circuitele integrate este o problem. Pentru a rezolva
VT1
VT2 VT3
VT4
VT5
VT6
ie.1 ie.2
Fig. ... . Etaj diferenial bietaj cu ieire emitor
85
problema, s-a propus ca rezistena R
E
s fie nlocuit cu schema din fig. 1, numit surs de
curent stabil:
2 2 1 1 1 0 BE BE
U R I U R I + +
(3)
) (
1
2
1 0 2 1 1 0 2 1
t
R
R
I I R I R I U U
BE BE

(4)
Prin reglarea raportului
1
2
R
R
se poate stabili I
0
dorit.
Etaje difereniale Darlington.
Etajele difereniale analizate mai sus, numite etaje difereniale de generaia unu, sunt
caracterizate de urmtoarele insuficiene:
1. amplificare n tensiune comparativ mic;
2. impedana de intrare mic;
3. capacitatea parazit colector mare, deoarece tranzistorul are conectare EC.
Darlington a avut drept scop mbuntirea neajunsurilor 1 i 2, pentru care a
propus schema din fig. 1:
E
C
E
C
u
ies
u
in2
R
surs2
e
surs2
R
surs
e
surs
u
in1
VT1
VT2
VT3
VT4
R
C1
R
C2
R
E3
R
E4
R
B3
E
+
+
_
_
Fig. 2.13
U
BE1
U
BE2
VT1
VT2
I
0
R
1
R
2
R
3

C
E
SCS
VT1
VT2 VT3
VT4
U
in
I
0
/2
I
in
=I
bVT1
Fig. 1

C
E
86
1)
( ) ( ) ( )( )
2 1
0
2 1
2
2
2
1
1 1
2 .
2 /
1 1 1 1
I
U
I
U
I
U
I
U
I
U
I
U
R
in
EVT
in
BVT
in
EVT
in
BVT
in
in
in
d in
+ + + +
??
2)
d in
C
d in
C
ud
R
R
R
R
K
.
1
.
2 1
2 /

>
.
Din (1) i (2) se pare c ntradevr, schema propus de Darlington i-a atins scopul;
n realitate, ns, ea are un ir de insuficiene, i anume:
1. Tensiunea offset este majorat, deoarece ea se determin nu de doi, ci de
patru tranzistori, care au i diferii cureni emitor; mai mult ca att, fiindc
VT1 i VT4 funcioneaz cu cureni baz de ordinul microamperi,
tensiunile lor offset cresc mult.
2. Este majorat diferena curenilor de intrare.
3.
1
i
4
au valori mici, deoarece VT1 i VT4 au curenii emitor de ordinul
microamperi. Variaia mrimilor
1
i
4
condiioneaz variaii eseniale a
impedanei difereniale de intrare.
4. Nivelul de zgomot este majorat, deoarece la intrare sunt 4 tranzistori.
Din aceast cauz, schema Darlington se folosete numai ca etajul doi, trei,
etc.
Schema Darlington modificat.
Schema Darlington modificat este urmtoarea:
Divizarea curenilor I
E1
i I
E4
prin bazele tranzistorilor VT2 i VT3 i rezistenele R
E
permite majorarea curenilor I
B1
i I
B4
, i ca urmare majorarea
1
i
4
, i de asemenea
stabilizarea rezistenelor de intrare i a curenilor I
B1
, I
B4
; concomitent se micoreaz R
in.d
deoarece crete I
in
=I
b1
=I
b4
.
SCS
VT1
VT2 VT3
VT4
Fig. ... Schema Darlington modificat
R
E
R
E
VT5

C
E
87
Etaje difereniale de amplificare majorat (etaje de generaia doi).
T
C
p n Ep C BC dCC
m
R
I R Y K

21 (1)
Curentul emitor a tranzistorilor p-n-p cu curentul I
0
se gsesc n relaia:
( )
p n p p n p p n Ep
I
I
unde
I
I

+
1
0 0
2
1
2

(2)
Substituind (2) n (1) obinem relaia:
C
T
p n p
BC dCC
R
m
I
K

2
) 1 (
0

(3)
unde:
q
kT
T

- potenial termic.
k constanta Boltzman;
T temperatura absolut;
q sarcina electric.
Pentru T = 300k
T
= 26 mV.
Exemplu:
Admitem c R
C
=10
4
:
1)
[ ] [ ] . 0 , 2 ; 26 ; 10 40 ; 100
6
0



m mV A I
T p n p

n aa caz, conform relaiei (3), obinem:
( )
4000
10 26 0 , 2 2
10 100 1 10 40
3
4 6

d
K
;
2)
10
p n p

;
( )
400
10 26 0 , 2 2
10 10 1 10 40
3
6

d
K
n schema artat n fig. 1, VT3 i VT4 sunt conectate BC, ce se caracterizeaz
printr-o impedan de ieire mrit.
SCS
VT1
VT2
VT3
VT4

C
E
+
C
E
R
C
R
C
ie.1 ie.2
Fig. 1
I
0
=I
b0VT3
VT1
VT2
VT3
VT4
VT6
SCS
VT5
ie2 ie1
+
C
E

C
E
+
C
E

C
E
Fig. 2
I
0
I
0
= I
bVT3
+I
bVT4
I
b
=I
0
/2
88
Pentru a obine un factor de transfer n tensiune, se cere s se respecte urmtoarea
inegalitate:
C ies
R R
Dac ntr-un mod discret aceast rezisten (R
C
), poate avea orice valori, atunci n
mod integrat ea condiioneaz probleme. Din aceast cauz, ea se nlocuiete cu un
tranzistor n conectare EC, numit rezisten dinamic (fig. 2) care are valoarea:
???
1
22
.
n de sute
h
R
EC
ies ????
Scheme de asigurare a semnalului diferenial deplin pe o sarcin cu o born comun
pentru ED de generaia II.
89
2
5 .
d
VT ies
U
U
;
2
'
6 .
d
VT ies
U
U
; 5 . 3 . VT ies VT in
U U
;
2
5 . 3 .
d
VT ies VT ies
U
U U
;
3 . 6 . 6 .
'
VT ies VT in VT ies
U U U
;
.
2 2
' ' '
6 . 6 . 6 . d
d d
VT ies VT ies VT ies
U
U U
U U U
,
_

+ +

2.2 Amplificatoare de curent continuu cu cuplare galvanic.

2.2.1 Noiuni generale.
Amplificatoare cu cuplare galvanic (nemijlocit sau rezistiv) au gsit cea mai
larg utilizare n schemotehnica analogic. Amplificatoarele de curent continuu sunt
amplificatoare aperiodice cu frecvena inferioar de lucru de f
i
= 0 . Aceast grup de
amplificatoare, ndeosebi n form integrat, formeaz o multitudine de niveluri din
aparatura de msur, sisteme de dirijare automat, sisteme de telecomunicaii i a tehnicii
de calcul, etc. Ca exemplu tipic de astfel de amplificator, poate servi amplificatorul
operaional (AO), care, de regul, se confecioneaz n mod integrat; ele formeaz baza
electronicii analogice contemporane.
Deoarece ACC cu cuplare galvanic constituie baza amplificatoarelor de
confecionare integrat, vom prezenta pe scurt unele date legate de modelul constructiv-
tehnologic a microcircuitelor integrate, din care fac parte:
1. tehnologia de confecionare i tipul corpului;
2. destinaia funcional;
3. parametrii electrici i condiiile de exploatare.
in.1
in.2
VT1 VT2
VT3
VT4
VT1
VT6
VT7 VT8
I
0

C
E
+
C
E
+
C
E
R
S.VT4
R
VT3
=
=R
S.VT3
Fig. 1
90
Dup tehnologia de confecionare se difer dou modele principale de microcircuite
integrate (MCI):
- MCI hibride, care se confecioneaz prin depunerea pe un suport
dielectric (o plac dielectric) a elementelor pasive i a conductoarelor
de legtur a elementelor din sistem. Elementele active de
confecionare fr corp (carcas) se plaseaz pe suportul dielectric i se
ntresc printr-o tehnologie suplimentar.
- MCI monolitice, se confecioneaz pe suport de siliciu prin diferite
metode tehnologice de confecionare a elementelor pasive i active i a
legturilor electrice ntre ele n corpul suportului, cu depunerea
suplimentar a straturilor subiri pe suprafaa lui.
Cele mai rspndite MCI sunt MCI semiconductoare monolitice. MCI hibride se
utilizeaz n produceri de serii mici. Ele cedeaz microcircuitelor conductoare n
fiabilitate, dimensiuni i cost. MCI se monteaz n corpuri (carcase) de mas plastic,
metaloplast i metaloceramic.
Dup destinaia funcional MCI se mpart n MCI analogice destinate prelucrrii
semnalelor analogice, funcia crora nu corespunde legii funciilor continui i MCI
numerice destinate prelucrrii semnalelor discrete.
Din categoria MCI analogice fac parte amplificatoarele operaionale, stabilizatoarele
de tensiune integrate, multiplicatoarele integrate de semnal analogice, comparatoarele de
semnal integrate, schemele cheie, MCI de convertare reciproc a informaiei analogice i
numerice, MCI pentru dispozitivele radioreceptoare, etc.
Spre deosebire de circuitele integrate numerice, pe MCI analogice se ataeaz
elemente suplimentare ce asigur funia de transfer cerut a dispozitivului construit n baza
MCI dat.
Toate MCI ce se produc astzi dup dup construcii i tehnologia de fabricare se
mpart n trei grupe cu urmtoarele simbolizri numerice (se ia ca exemplu MCI de
producere rus i european ??Trebuie de gsit standardele):
- 1, 5, 7 MCI semiconductoare;
- 2, 4, 6, 8 MCI hibride;
- 3 alte MCI.
Dup funciile ndeplinite n aparatura radio, MCI se mpart n subgrupe
(amplificatoare, generatoare, trigere, etc.).
Amplificatoarele integrate au urmtoarea simbolizare:
- - amplificatoare de curent continuu;
- - amplificatoare difereniale i operaionale;
- - amplificatoare de frecven joas;
- - amplificatoare de frecven nalt;
- - amplificatoare de frecven radio;
- - amplificatoare de semnale impuls;
- - repetoare de semnal.
Ca exemplu vom comenta codul microcircuitului 174-7:
- litera K indic faptul c acest microcircuit are destinaie special
(cnd litera K lipsete, nseamn c MCI este universal);
- cifra 1 indic confecionarea ei n ce peivete partea tehnologic-
constructiv;
91
- numrul 74 arat numrul de elaborare al MCI;
- cifra 7 indidc numrul de ordine al MCI.
European ??
Parametrii electrici i condiiile energetice de lucru se indic n condiiile tehnice. n
ele se indic conectrile tipice ale microcircuitului, regimul de funcionare, parametrii
circuitelor de conexiune, ataate n exteriorul microcircuitului, etc. irul de tensiuni de
alimentare a microcircuitului se ntinde de la 1,2 V pn la 200 V . De exemplu, n
radioreceptoarele staionare se foloseteirul de tensiune : 6, 9, 12, 18, 24, 36, 48, 60 V iar
n radioreceptoarele portabile tensiunile multiple tensiunii de 1,5 V. Cele mai
performante microcircuite pot funciona n gama de frecvene de pn la aproximativ 200
MHz i diapazonul de temperaturi de la -60C pn la +125C.
Amplificatoarele de curent continuu cu cuplare galvanic le analizm pe fonul i cu
utilizarea teoriei de amplificare aperiodic de curent alternativ.
Schemele structurale a ACC multietaje cu cuplare galvanic nu difer de schemele
structurale (funcionale) a amplificatoarelor de curent alternativ. Ca i la amplificatoarele
de curent alternativ, destinaia principal a etajelor preliminare (de intrare i intermediare),
este n asigurarea valorii de amplificare a semnalului de intrare, iar a etajului final n
asigurarea la ieire (n sarcina impus) a puterii cerute, a tensiunii i curentului de semnal.
Metodele de conectare a elementelor active (EA), principiile de alegere i obinere de la
ele a celor mai buni indici, metodele principale de analiz i calcul nu difer de cele ale
amplificatoarelor de curent alternativ .
Circuitele de intrare i ieire a ACC se construiesc cu considerenta sursei de semnal
i a sarcinii externe (asimetrice, simetrice) i a valorilor lor. n multe cazuri, n ACC ca i
n amplificatoarele de curent altenativ, cu scopul de a micora influiena amplificatorului
asupra sursei de semnal, se asigur o impedan de intrare n amplificator ct mai mare, i
o impedan de ieire ct mai mic, ceea ce micoreaz influiena sarcinii asupra
semnalului de ieire al amplificatorului.
Diferena const n schemotehnica etajelor i a circuitelor de intrare i ieire a
amplificatorului (mai precis n circuitele de legtur dintre etaje). Amplificarea semnalelor
de curent continuu impune refuzul de utilizare n circuitele amplificatoare a
condensatoarelor i transformatoarelor ca elemente de legtur, caracteristice pentru
amplificatoarele de curent alternativ, folosind ca elemente de legtur ntre etaje, legtur
a sursei de semnal i a sarcinii externe cu circuitul amplificator, elemente prin care poate
curge curentul continuu cum ar fi: conductoarele, rezistoarele, diodele, stabilitroanele,
iar n cazuri particulare i optroanele.
Datorit utilizrii acestor elemente de legtur, n amplificatoarele de curent
continuu, spre deosebire de amplificatoarele de curent alternativ, caracteristica de
frecvene se ntinde (fr avalan) pn la frecvene f
i
= 0 (fig. 2.1,a), defazajul la
aceast frecven fiind nul (
0
0

i
f

fig. 2.1,b) iar caracteristica de tranziie, la valori de

timp mari, nu are distorsiuni de polier (fig. 2.1,c).
92
Dup cum
se vede din fig.
2.1,
caracteristicile de
amplitudine (fig.
2.1,a), de faz
(fig. 2.1,b) i cea
de tranziie (fig.
2.1,c) a etajelor n
ACC cu cuplare
galvanic sunt, n
comparaie cu
amplificatoarele de curent alternativ, la frecvene joase i valori de timp mari, mai puin
distorsionate. Acesta este unul din avantajele principale a amplificatoarelor cu cuplare
direct. Un alt avantaj al acestei clase de amplificatoare este dimensiuni, mas, i cost
mici.
n acelai timp, n ACC cu cuplare galvanic au loc dou probleme, care lipsesc n
amplificatoarele de curent alternativ, i anume:
1. Problema de concordan a elementelor amplificatoare ntre ele n curent
continuu, cu sursa de semnal, i cu sarcina extern;
2. Problema derivei.
Prima problem n aceast clas de amplificatoare apare din cauza c, spre
deosebire de amplificatoarele de curent alternativ, n ele lipsesc condensatoarele i
transformatoarele - care asigur legtura dintre etaje, surs de semnal i sarcin, din care
cauz, la intrarea ACC poate aciona tensiunea de curent continuu ce are loc pe elementul
activ (de exemplu: tensiunea de polarizare a tranzistorului bipolar). Aceast tensiune de
curent continuu poate condiiona curgere de curent prin sursa de semnal. Din aceast cauz
i la bornele de ieire a ACC poate avea loc o tensiune de curent continuu, condiionat de
elmentul activ de ieire. Aceast tensiune, la rndul su condiioneaz curgere de curent
continuu prin nsi sarcin. Lipsa condensatoarelor de legtur ntre etaje, la rndul lor
duc la mari dezacordri de tensiuni de curent continuu eseniale (de exemplu: ntre
tensiunea mare colector U
0C
i tensiunea mic baz U
0B
). Din aceas cauz n ACC cu
cuplare galvanic, pentru a asigura la intrarea i ieirea amplificatorului tensiuni nule de
curent continuu, i tensiuni de polarizare n stare de repaos de valori cerute, se folosesc
metode speciale, scheme i etaje de deplasare a nivelului de tensiune de curent continuu.
Aceste probleme, ct i metodele lor de rezolvare, sunt date n paragraful urmtor.
Menionm c schemele i etajele ce asigur deplasarea nivelului de tensiune de
curent continuu la valoarea cerut, n caz ideal nu trebuie s influieneze negativ (s
atenuieze) semnalul util. Dup cum va fi artat mai jos, una din cele mai efective metode
de deplasare a nivelului de tensiuni de curent continuu la ieirea i intrarea ACC, chiar la
valori nule de tensiuni de curent continuu la intrarea i ieirea amplificatorului, chiar i
cnd el se afl n repaos (cnd lipsete semnalul), este utilizarea a dou surse de
alimentare, conectate serie cu borna lor comun care se unete cu masa schemei ce-o
alimenteaz. Datorit celor spuse mai sus, n ACC cu cuplare galvanic, la rnd cu
utilizarea surselor de alimentare unipolare, pe larg se folosesc i surse bipolare.
93
Problema doi a ACC cu cuplare galvanic, dup cum a fost menionat mai sus este
problema de deriv ce apare ca rezultat al cuplrii galvanice.
Deriva nu are nimic n comun cu semnalul; ea este condiionat de variaia
temperaturii, variaia tensiunii de alimentare, mbtrnirea EA, etc. Toate acestea duc la
schimbarea regimelor iniiale de funcionare a EA n curent continuu, i respectiv la
apariia derivei la ieirea amplificatorului. n principiu, deriva este un bruiaj interior de
frecvene foarte joase, tinznd spre zero, specific ACC.
Menionm c deriva tensiunii de ieire a ACC se apreciaz printr-o tensiune
echivalent reflectat la intrarea amplificatorului, care ar condiiona aceleai variaii de
tensiune (curent) la ieirea lui, provocate de bruiajul real. Deosebit de imporant este
deriva rezultant la ieirea primului etaj amplificator, deoarece ea se amplific de toate
etajele urmtoare a amplificatorului.
Menionm c n amplificatoarele de curent alternativ problema derivei lipsete,
deoarece condensatoarele lor de legtur a acestei clase de amplificatoare atenuiaz pe
deplin deriva datorit frecvenei ei foarte joase.
n ACC cu cuplare galvanic, pentru micorarea derivei se folosesc scheme speciale
de tip punte care poart denumirea de etaje difereniale. Etajele difereniale permit
micorarea derivei de sute i mii de ori. Un mijloc foarte efectiv de micorare a derivei n
ACC cu cuplare galvanic este reacia negativ n curent continuu i tensiune, inclusiv i
stabilizarea emitor, stabilizarea colector i stabilizarea mixt cunoscute din
amplificatoarele aperiodice de curent alternativ. Pe larg se utilizeaz i schemele de
stabilizare termic cu utilizarea termorezistorilor, diodelor, tranzistorilor n conectare
diodic i a sursei de curent stabil n combinaie cu sarcina dinamic.
2.2.2 Etaje de deplasare a nivelului de tensiune de curent continuu.
n amplificatoarele de curent continuu cu cuplare galvanic pe larg se folosesc
urmtoarele metode de deplasare a nivelului de tensiune de curent continuu dintre EA
vecine, EA i sarcina extern sau dintre sursa de semnal i elementul activ de intrare:
- metoda de compensare cu utilizarea unei surse de tensiune de curent
continuu suplimentar n circuitul de comutaie;
- metoda cu utilizare a stabilitronului n circuitul de comutaie;
- metoda cu utilizarea a unui divizor de tensiune de curent continuu n
circuitul de comutaie;
- metoda cu utilizarea a unor etaje suplimentare de deplasare a nivelului
de tensiune
Precutm schemotehnica de realizare a acestor metode.
n fig. X
1
este prezentat schema de realizare practic a metodei de
compensare a nivelului de tensiune n curent continuu ntr-un etaj amplificator cu
cuplare galvanic a EA cu sursa de semnal i sarcina extern. Etajul se alimenteaz
de la o singur surs unipolar de alimentare. Intrarea i ieirea schemei sunt
asimetrice. Elementele de baz ale etajului sunt: tranzistorul VT, sarcina colector
R
C
, divizorul de polarizare R
1
i R
2
, i rezistena de stabilizare termic R
E
.
94
R
d3
Fig. X
1
R
d1
R
d2
R
1
R
2
R
C
R
E
R
d4
U
in
U
ie
VT
B
B

Pentru ca tensiunea de curent continuu de la baza tranzistorului VT n raport

cu ina comun a schemei s nu influieneze sursa de semnal (U
in
), iar tensiunea de
curent continuu colector n raport cu masa s nu influieneze sarcina colector (R
s
), n
lipsa semnalului de intrare (stare de repaos), prin sursa de semnal i sarcin s nu
curg curent, la intrarea i ieirea etajului se introduc divizoare compensatoare de
tensiune (R
d1
, R
d2
, R
d3
i R
d4
), care
cu divizorul R
1
, R
2
i rezistenele
R
C
i R
E
+ r
CEVT
formeaz dou puni
de patru brae: R
d1
, R
d2
, R
1
, R
2
i
R
d3
, R
d4
, R
C
, R
E
+ r
CE
corespunztor.
Rezistena r
CE
este rezistena de
ieire a tranzistorului VT.
Prin asigurarea valorii relative
U
0Rd2
= U
0Rd1
tensiunea de curent continuu
ntre bornele B i B'

va fi zero (U
BB'
=0) i,
corespunztor, curentul nedorit prin sursa
de semnal va lipsi (i
0SS
= 0).
Insuficiena schemei din fig. X
1
const n pierderile de putere suplimentare
i, cel mai important fapt este c sursa de
semnal i sarcina nu pot avea o born
unit cu masa, adic i sursa de semnal, i sarcina trebuie s fie izolate de mas (s fie
simetrice).
Problema de asigurare a unei tensiuni de polarizare baz a urmtorului etaj n
amplificatorul multietaj (de exemplu: amplificatorul de dou etaje (fig. X
2
)), cnd la baza
tranzistorului doi (VT2), se transmite o tensiune de curent continuu mare (U
C01
+ U
0RE1
),
culeas de pe colectorul tranzistorului precedent (VT1), se asigur prin alegerea rezistenei
R
E2
, pe care cade tensiunea de curent continuu de sens opus cu tensiunea de compensare
(U
C01
+ U
RE1
), adic:
U
B02
= U
C01
+ U
RE1
U
0RE2
Schema artat n fig. X
2
este un alt exemplu de realizare
practic a deplasrii nivelului
tensiunii de curent continuu
prin metoda de compensare.
ns acestei soluii
schemotehnice i sunt
caracteristice insuficiene
eseniale, ce nu permit
95
R
D1
R
D2
R
B1
R
1
R
C1
R
E1
R
B2
R
2
R
C2
R
E2
+ +
+
+
- - -
B B
U
in
U
0RD2
U
0R1
VT1 VT2
U
C01
U
B02
C
P.in?
C
P.in?
Fig. X2
utilizarea unei astfel de soluii n amplificatoare de curent continuu n care numrul
de etaje depete trei, i anume:
Potenialul elementelor active n raport cu ina comun de la etaj la etaj crete, ceea
ce necesit majorarea tensiunii de alimentare a EA de la etaj la etaj; amplificarea
etajului urmtor este mai mic ca a etajului precedent, fapt care se explic prin
majorarea reaciei negative locale a urmtorului etaj, condiionat de creterea
rezistenei emitor: R
E(n)
> R
E (n-1)
> ... > R
E(1)
Problema derivei n aceast clas de amplificatoare se rezolv prin intermediul
reaciei negative locale i globale. Plus la aceasta, rezistenele divizoarelor de tensiune
conectate ntre baz i mas pot fi nlocuite cu termorezistene, diode sau tanzistori n
conectare diodic. Aceast nlocuire n primul rnd se folosete n primul etaj amplificator.
Din cauza insuficienelor sus numite, ACC cu compensare, intrarea i ieirea crora sunt
asimetrice, au o utilizare limitat n practic.
O mult mai larg utilizare o au ACC cu cuplare galvanic, cu deplasarea nivelului
tensiunii de curent continuu prin utilizarea stabilitroanelor. Aceast clas de ACC sunt
lipsite de insuficienele amplificatoarelor cu deplasarea tensiunii prin compensare.
n fig. 2.3 este artat schema n care n divizorul de tensiune se utilizeaz un
stabilitron VD. Tensiunea de polarizare a tranzistorului VT2 n schem se determin de
relaia:
U
0B2
= (U
0C1
+ U
0RE1
) U
0.st.
(2.1)
fiinc o parte din tensiune, culeas de pe VT1 i aplicat divizorului compus din
stabilitronul VD i intrarea tranzistorului VT2 cu rezistorul R la intrare, se elimin pe
stabilironul VD. Prin alegerea stabilitronului cu tensiunea de stabilizare U
0st
corespunztoare, se asigur coeficientul de transfer corespunztor a tensiunii de curent
continuu a divizorului, i, corespunztor, polarizarea cerut U
0B2
a tranzistorului VT2.
Utilizarea rezistenei R are drept scop ramificarea surplulsului de curent de stabilitron
i
0.st.
- i
0B2
prin ea:
i
0R
= i
0.st.
i
0B2
E
C
U
0.st
VD
VT1 VT2
R
E1
R
C1
R
R
C2
i
0.st
(i
0.st
-i
B02
)
U
0.RE1
+
+
+
+
+
-
-
-
-
U
0.C1
U
B02
i
B02
Fig. 2.3
96
n ce privete coeficientul de transfer al divizorului n curent continuu (n semnal),
el trebuie s fie ct mai mare. n schema din fig. 2.3 el trebuie s tind spre unitate, ceea
ce este posibil doar atunci cnd rezistena diferenial (rezistena n curent alternativ) a
stabilitronului este foarte mic, condiie care, de regul, se ndeplinete.
Insuficiena schemei din fig. 2.3 este n majorarea curentului continuu prin
rezistena colector R
C1
, din contul curentului de stabilitron. Curentul mrit provoac
creterea cderii de tensiune de alimentare pe rezistena R
C1
,ceea ce la rndul sau cere
majorarea tensiunii sursei de alimentare.
De aceste insuficiene este lipsit schema prezentat n fig. 2.4. n aceast schem
n deplasarea nivelului de tensiune de curent continuu, la rnd cu stabilitronul VD,
particip i tranzistorul VT3 cu dioda VD1. Dioda VD1 concomitent asigur polarizarea i
stabilizarea termic a tranzistorului VT3. Tranzistorul VT3 este n conectare EC, lucreaz
n regimul clasa A i, n principiu, ndeplinete funcia unui etaj suplimentar cu
coeficientul de amplificare n semnal mare. Sarcina lui este divizorul compus din
stabilitronul VD2, conectat serie cu impedana de intrare a tranzistorului VT2, unit n
paralel cu rezistena R. Curentul stabilitronului n aceast shem curge prin tranzistorul
VT3. Prin alegerea tensiunii de polarizare a tranzistorului VT3 cu ajutorul diodei VD1 se
asigur egalitatea i
0C3
= i
0.st.
Spre deosebire de schema artat n fig. 2.3, n schema din fig. 2.4 nu se cere
majorarea tensiunii de alimentare din cauza curentului stabilitronului mrit, iar factorul de
transfer al semnalului de la VT1 la VT2 depete cu mult unitatea.
Menionm c schema de deplasare a nivelului tensiunii de curent continuu n
baza utilizrii suplimentare a tranzistorilor (adic a etajelor suplimentare) poart
denumirea de etaje de deplasare a nivelului tensiunii de curent continuu. n schema
din fig. 2.4 n principiu se realizeaz dou metode de deplasare a nivelului tensiunii de
curent continuu: cu utilizarea stabilitronului i concomitent cu etajul de deplasare a
nivelului asigurnd i o amplificare suplimenar a semnalului util.
+ -
R
C2
R R
E1
VT1
VT3
VT2
(i
0.st
-i
B02
)
i
B02
i
C03
=i
0st
VD1
E
C
U
B02
Fig. 2.4
VD2
97
Precutm schema de deplasare a nivelului tensiunii de curent continuu prin
utilizarea divizorului de tensiune n circuitul de legtur. ncepem de la cea mai simpl
schem, artat n fig.2.5.
Aceasta prezint un repetor pe emitor echipat cu tranzistorul VT1 i cu un divizor de
tensiune n circuitul emitor, compus din rezistenele R
E1
i R
E2
. Cu ajutorul divizorului se
deplaseaz (se micoreaz) nivelul tensiunii de curent continuu. Acest repetor pe emitor cu
divizor de tensiune n circuitul emitor, poate fi considerat etaj de deplasare a nivelului
tensiunii de curent continuu. La intrarea tranzistorului VT1 se aplic tensiune de curent
continuu de valoare mare, culeas de pe colectorul tranzistorului din etajul precedent VT
pr.
.
Tensiunea de ieire a repetorului se culege de pe divizorul R
E1
i R
E2
. Tensiunea ce cade pe
rezistena R
E2,
n comparaie cu tensiunea U
0CVTpr.
se micoreaz (neglijnd cu U
0B1
)
aproximativ de

K
ori, unde:

(2.2)

Aadar, valoarea cerut a coeficientului

K
se asigur prin alegerea rezistenelor R
E1
i
R
E2
i poate avea valori foarte mici.
Insuficiena schemei artat n fig. 2.5 este n micorarea i a coeficientului de
transfer a semnalului de curent alternativ a repetorului cu micorarea coeficientului
~
r
K
,
fiind c

K K
r
~
.
Lipsit de aceast insuficien este schema prezentat n fig. 2.6. n ea rezistorul R
E2
este nlocuit cu o surs de curent stabil SCS, compus din tranzistorul VT2, rezistorul R
E2
,
rezistorul R
B2
i dioda VD2. Rezistorul R
B2
i dioda VD2 mpreun formeaz un divizor de
tensiune dependent de temperatur. Aadar, n schema din fig. 2.5 divizorul de deplasare a
nivelului tensiunii de curent continuu este compus din rezistena R
E1
i SCS.
U
0RE1
U
0RE2
U
C0.PR.
VT
PR.
VT1
U
B01
+
+
+
-
-
-
R
E2
R
E1
R
C.PR
Fig. 2.5
E
C
+
-
98
1
2 1
2
2 0 1 0
2 0
. 0
2 0
<
+

E E
E
RE RE
RE
CVTpr
RE
R R
R
U U
U
U
U
K

Impedana de ieire a SCS n curent continuu este mic, tensiunea de curent

continuu dintre colectorul tranzistorului VT2 i ina comun nu depete civa voli. Ca
urmare, coeficientul

K
a divizorului compus din R
E1
i SCS va avea valoarea mult mai
mic ca unitatea:
1
) (
1 2 0 2 0 1
2 0 2 0
. 0
2 0 2 0
<<
+

+ +
+

ies E
ies
RE C RE
RE C
Cpr
RE C
R R
R
U U U
U U
U
U U
K
(2.3)
ceea ce nseamn c n schema din fig. 2.6 se asigur o deplasare de nivel de
tensiune de curent continuu mare.
n acelai timp, impedana de iesire a SCS n curent alternativ
~
ies
R
este foarte mare
(sute de k). Datorit acestui fapt, factorul de transfer n curent alternativ a divizorului va
tinde la valoarea maxim posibil, adic la unitate.
1
~
1
~
~ ~
1
~
~
.
~
~

+

ies E
ies
SCS RE
SCS
pr
SCS
R R
R
U U
U
U
U
K
(2.4)
Datorit particularitilor pozitive numite a schemei cu utilizarea SCS n circuitul
emitor a repetorului, schema artat n fig. 2.6 a gsit o larg utilizare n ACC realizate n
mod integrat. Repetoarele pe emitor de acest gen sunt etajele de deplasare a nivelului, ns
fr amplificarea tensiunii deplasate.
n fig. 2.7 este artat o schem ce realizeaz metoda descris, care, ns, asigur
concomitent i amplificarea semnalului.
+
-
VT
PR
VT1
VT2
VD2
R
C.PR
R
B2
R
E1
R
E2
+
+
+
+
-
-
-
-
U
C0.PR
U
~PR
U
B01
U
0RE1
U
~RE1
U
C02
U
0RE2
U
~G,st
E
C
Fig. 2.6
99
Etajele echipate cu tranzistorii VT1 i VT2 n conectare EC i regimul clasa A
asigur o amplificare de semnal mare. Valoarea deplasrii nivelului de tensiune de curent
continuu se determin de coeficientul de transfer
. 0
2 0
Cpr
RC
U
U
K

. Valoarea coeficientului

K
depinde de regimele de funcionare a tranzistorilor VT1 i VT2 n curent continuu, i
de valorile rezistenelor din schem.
2.2.3 Etaje finale a amplificatoarelor de curent continuu
alimentate de la surse de alimentare bipolare.
Dup cum a fost menionat mai sus, o metod de deplasare a nivelului tensiunii de
curent continuu la ieirea i intrarea ACC este metoda de alimentare a amplificatorului de
la sursa bipolar, adic de la dou surse de alimentare identice unite n serie, avnd borna
comun unit cu masa. Tensiunile nule la intrarea i ieirea amplificatorului n stare de
repaos, adic n lipsa semnalului de intrare, permite conectarea la intrarea amplificatorului
a sursei de semnal, i, corespunztor la ieirea lui a sarcinii externe fr pericolul c prin
ele va curge curent continuu nedorit. Menionm c n amplificatoarele de curent continuu
acelai rezultat se atinge prin utilizarea condensatoarelor decuplatoare unite cu intrarea i
ieirea amplificatorului, cu sursa de semnal, i corespunztor sarcina amplificatorului.
Ca etaje finale a ACC cel mai des se folosesc repetoare de tensiune (repetor pe
emitor sau repetor pe surs) ct ntr-un timp (cu un tranzistor) n regimul clasa A, att i n
contratimp (cu doi tranzistori) n regimul clasa B sau AB cu tranzistori complimentari.
Utilizarea repetorilor de tensiune simplific asigurarea cerinelor care trebuie s le
satisfac ACC,cum ar fi: impedana de intrare mare i cea de ieire mic, distorsiunile
liniare i neliniare mici, stabilitatea nalt a regimului de funcionare n curent continuu,
amplificare stabil, zgomotul propriu redus, deriv redus, etc.
n fig. 2.8 este prezentat schema unui repetor pe emitor (VT2) ntr-un timp ca etaj
de ieire a ACC, n care etajul prefinal de asemenea este ntr-un timp i este construit pe
+ -
E
C
VT1
VT
PR
VT2
R
C.PR
R
C1
R
E2
R
E2
R
C2
U
0C.PR
U
~.PR
U
0RC2
U
~RC2
Fig. 2.7
100
tranzistorul VT1. Se alimenteaz ACC de la dou surse de almentare identice cu tensiunile
+
c
E
i

c
E
, n raport cu borna comun (mas). Datorit utilizrii a dou surse de
alimentare, la ieirea amplificatorului se formeaz o punte cu patru brae compuse din
dou surse de alimentare
+
c
E
i

c
E
, dintr-un tranzistor VT2 i un rezistor R
E2
, ce
formeaz cele patru brae de punte.
Dac n starea de repaos se asigur condiiile C 2 0R C 0C2
E U , E U
S

, atunci puntea
de la ieirea schemei va fi echilibrat. n diagonala punii (bornele E,O), cnd se
conecteaz sarcina extern R
S
, curentul continuu prin ea lipsete i potenialul bornei de
ieire (borna E) va fi egal cu potenialul bornei comune a schemei, adic va fi zero (nul).
Aadar, doar cu ajutorul sursei bipolare de alimentare, la ieirea ACC se atinge
efectul obinut n amplificatoarele de curent alternativ prin intermediul condensatorului de
legtur, ce n curent alternativ unete sarcina extern R
S
cu ieirea amplificatorului.
Trebuie de inut cont de faptul c n schema artat n fig. 2.8, emitoarele tranzistoarelor
VT1 i VT2 nu pot fi unite cu borna comun a schemei. n caz de unire, sursa de
alimentare E
C
(n schem sursa de jos) va fi scurtcircuitat.
n fig. 2.9 este prezentat schema unui etaj final contratimp (repetor pe emitor) de
ACC, echipat cu tranzistoare complimentare VT3 i VT2 n regimul clasa AB unit la
intrare cu etajul prefinal ntr-un timp, echipat cu tranzistorul VT1 n conectare EC.
Regimul lui de funcionare clasa A. Etajul prefinal este alimentat de la o surs de
alimentare bipolar. Schema artat n fig. 2.9 are o larg utilizare n amplificatoarele de
putere de curent alternativ, fr transformator la ieire, unde i este dat pe larg analiza lor.
De aceea aici ne vom opri mai detaliat la problemele de utilizare a sursei de alimentare
bipolare i protecia tranzistorilor de ieire n caz de scurtcircuit n sarcina lor de ieire R
S
.
VT1 VT2
+
+
+
_
_
_
+
_
U
C02
R
S
R
C1
R
E1
R
E2
E
C
E
C
U
0RE2
Fig. 2.8
E O
101
Datorit sursei de alimentare bipolare la ieirea etajului final (contratimp) se
formeaz o punte compus din dou surse de alimentare
+
c
E
i

c
E
i doi tranzistori VT2
i VT3 cu parametri identici. La satisfacerea condiiilor: U
0C2
= +
+
c
E
i U
0C1
=

c
U
, puntea
se gsete n echilibru, iar potenialul bornei de ieire (punctul E) n raport cu borna de
schem comun (masa), este nul. n diagonala punii, diagonala unde este conectat
sarcina extern R
S
, curentul continuu va lipsi. Aadar, scopul dorit se atinge prin utilizarea
n calitate de surs de alimentare a ACC a sursei bipolare.
n schema din fig. 2.9 polarizarea i stabilizarea termic a curenilor continui
colector a tranzistorilor VT2 i VT3 se asigur de diodele VD1 i VD2. Reamintim,c n
schemele contratimp cu cuplare serie n curent continuu a tranzistorilor din etaj, prin
reacie negativ-global n curent continuu, trebuie asigurat i stabilitatea tensiunilor
colector de curent continuu egale: U
0C2
= U
0C3
.
n fig. 2.9, cu scopul simplificrii schemei, reeaua de reacie negativ global nu
este artat. Analiza acestei reele de reacie este dat pe larg n 1.4.6.
n final, facem o scurt analiz a necesitii de protecie a tranzistorilor finali de
putere VT2 i VT3 n caz de scurtcircuit n sarcina extern R
S
.
n etajele finale nenzestrate cu scheme de protecie la scurtcircuit, scurtcircuitul n
sarcina extern, provoac creteri mari de curent n tranzistoarele etajului final, i, ca
urmare, ieirea lor din funcie. Schemele de protecie limiteaz curenii de ieire a
tranzistorilor. n fig. 2.10 este artat una din schemele de protecie posibile, compus din
tranzistorii VT4, VT5 i rezistenele R
E2
i R
E3
.
E
C
VT1
VD1
VD2
VT2
VT3
E
O
R
C1
R
E1
R
S
+
+
_
_
E
C
u
in
Fig. 2.9
U
0C2
U
0C1
102
Curenii de ieire a tranzistorilor VT3 i VT2, curgnd prin rezistenele R
E1
i R
E2
duc la cderi de tensiune pe ele. Aceste cderi de tensiune, sunt aplicate la intrrile
tranzistorilor de protecie VT4 i VT5 i sunt de aceeai polaritate ca i tensiunile ce
deschid tranzistorii VT4 i VT5. n regimul normal de funcionare, tensiunile sus numite
sunt comparativ mici i tranzistorii VT4 i VT5 practic sunt blocai; ei nu iau parte la
funcionarea schemei. n caz de scurtcircuit n sarcina extern, curenii de ieire vor depi
valoarea maxim admisibil. Curenii numii, la rndul lor, vor mri cderea de tensiune pe
rezistenele R
E1
i R
E2
, care deschide tranzistorii de protecie VT4 i VT5. Tranzistorii VT4
i VT5 deblocai unteaz diodele VD1 i VD2, micornd tensiunea de polarizare a
tranzistorilor finali VT2 i VT3.Cu micorarea tensiunii de polarizare, rezistena
tranzistorilor crete, ceea ce limiteaz creterea curentului de ieire.
n continuare precutm cile de micorare a derivei de zero la ieirea
amplificatorului de curent continuu.
2.2.4 Metodele i schemele de micorare a derivei n etajele
difereniale.
n amplificatoarele de curent pentru micorarea derivei zero, la rnd cu tradiionalele
reacii negative n curent, i tenisune (inclusiv i stabilizarea emitor, colector i mixt), la
R
S
R
E2
R
E3
R
C1
R
E1
VD1
VD2
VT4
VT5
VT2
VT3
VT1
u
in
E
C
E
C
+
+
_
_
Fig. 2.10
103
rnd cu metodele i schemele tradiionale de compensare termic cu ajutorul diodelor,
tranzistoarelor n conectare diodic, termorezistoarelor, i chiar a sursei de curent stabil, pe
larg se folosesc etajele difereniale, n special ca etaje de intrare, deoarece deriva etajului
de intrare se amplific de toate etajele urmtoare a amplificatorului multietaj.
Etajul diferenial poate fi alimentat att de la sursa de alimentare unipolar, ct i de
la cea bipolar.
n fig. 2.11 este artat cea mai simpl schem de etaj diferenial cu intrare i ieire
simetrice, alimentat de la sursa de alimentare bipolar
+
c
E
i

c
E
.
Etajul diferenial este un etaj de tip punte cu patru brae. El este o combinaie dintre
dintre dou etaje aperiodice (rezistive) ntr-un timp n regimul clasa A cu bornele nule
comune cu borna comun a sursei de alimentare. Cele dou etaje aperiodice formeaz
braele etajului diferenial (ED), cu dirijare (excitare) paralel, dirijat de dou semnale
antifaz simetrice, care acioneaz concomitent, formnd la ieirea etajului difernial dou
semnale egale dup valoare i opuse dup sens, adic n antifaz.
Aadar, n esen, ED este un etaj contratimp de amplificare a semnalelor de
curent continuu (i alternativ) n regimul clasa A cu dirijare paralel. Curenii
continuu baz i
0B1
, i
0B2
i curenii continuu colector i
0C1
, i
0C2
, pentru regimul clasa A se
asigur prin aplicarea la bazele tranzistorilor de etaj VT1 i VT2 a tensiunii de polarizare
corespunztoare. n schemele din fig. 2.11, tensiunile de polarizare se determin de
tensiunea de jos a sursei de alimentare

c
E
i de cderea de tensiune pe rezistena R
0E,
condiionat de curenii continuu emitor a tranzistorilor VT1 i VT2 ce curg prin aceast
rezisten:
U
0B1
= U
0B1
= U
0B
=

c
E
-2i
0E
R
0E
=

c
E
- 2(i
0C
+ i
0B
) R
0E
, (2.5)
unde i
0E1
= i
0E2
= i
0E
; i
0C1
= i
0C2
= i
0C
; i
0B1
= i
0B2
= i
0B
.
n caz de alimentare a etajului diferenial de la o singur surs, pentru a obine
tensiunea de polarizare se cer divizorii tradiionali de polarizare conectai n circuitele baz
a tranzistorilor VT1 i VT2. Braele etajului diferenial formeaz o punte echilibrat cu
patru brae, compus din rezistenele R
C1
, R
C2
i tranzistorii VT1, VT2. n una din
diagonalele puniieste conectat sarcina extern R
S
(fig. 2.11) .
u
ies1
u
ies2
u
ies
u
in1
u
in2
i
C2
i
C1
R
C2
R
C1
R
Surs1
R
Surs2
R
E0
e
surs1
e
surs2
0
0
U
0RE0
VT1 VT2
+
+
_
_
E
C
E
C
Fig. 2.11
104
Tensiunea de ieire a schemei (a punii) se determin de diferena de poteniale
dintre bornele ei de ieire sau, cu alta cuvinte de diferena potenialelor colector a
tranzistorilor VT1 i VT2 n raport cu ina comun. n stare de repaos, la brae identice
(R
C1
=R
C2
i r
CEVT1
=r
CEVT2
) diferena de poteniale dintre bornele de ieire a etajului, sau, cu
alte cuvinte, diferena n raport cu ina comun a potenialelor de curent continuu colector
a tranzistorilor VT1 i VT2, U
0C1
i U
0C2
este nul:
U
ies
= U
0C1
- U
0C2
=0 (2.6)
La aciunea asupra schemei a diferitor factori destabilizatori, schema nu se
dezechilibreaz, ntruct parametrii de electrocomponente a schemei vor varia la aceeai
valoare(indeosebi n microcircuitele integrate). Datorit acestui fapt, tensiunea de ieire
U
ie
va rmne neschimbat, adic nul (U
ie
=0).
Cnd la intrrile ED concomitent acioneaz dou tebsiuni de acelai sens, de
aceeai valoare i aceeai form ( 2 in in
U U t t
), numite semnale sinfaze, curenii colector
i potenialele la bornele de ieire se vor schimba la aceleai valori i acelai sens, i ca
urmare tensiunea de ieire de asemenea rmne nul (U
ie
=0). De exemplu, cnd la intrrile
schemei artate n fig. 2.11 acioneaz tensiuni negative egale (-U
in
=-U
in2
), tensiunea de
ieire va fi:
U
ie
=(U
0C1
+U
C1
)-( U
0C2
+U
0C2
)=0
ceea ce nseamn, c etajul diferenial idea echilibrat nu reacioneaz la aciunea
semnalelor sinfaze. Ca urmare, el nu va aciona i la influiena a aa factori
destabilizatori cum ar fi variaia temperaturii mediului ambiant, variaia sursei de
alimentare (inclusiv i a pulsiei sursei de alimentare), a bruiajului, mbtrnirii EA,
etc., fiindc toi aceti factori sunt aciuni sinfaze asupra braelor de etaj.
Din spusele mai sus, urmeaz o concluzie foarte important: n etajele difereniale
cu intrare i ieire simetrice, i simetrie ideal, deriva nulului lipsete. O deriv mic
poate avea loc numai n caz de asimetria etajului. ns ea va fi puternic minimalizat de
gradul mare de reacie negativ n semnalulu sinfaz datorit rezistenei R
E0,
pe care
creterile sinfaze de cureni a tranzistorilor VT1 i VT2 condiioneaz tensiuni de reacie
negativ.
Cnd la intrarea etajului acioneaz dou tensiuni egale dup valoare i form, ns
de sens opus (n antifaz) 2 in in
U U t
(semnale simetrice), curenii colector i
potenialele tranzistorilor VT1 i VT2 la simetria ideal a schemei se schimb la valori
egale, dar de sensuri opuse. Datorit acestui fapt la semnalele de ieire (ntre colectoarele
tranzistorilor VT1 i VT2) se obine, n comparaie cu ieirea unui singur bra, o cretere
de tensiune dubl: U
ie
=2U
C
.
De exemplu: la aciunea tensiunii negative, la una din intrri a schemei (U
in1
) i a
tensiunii pozitive la cealalt intrare (+U
in2
), la ieirea schemei tensiunea va fi:
U
ie
=(U
0C1
+u
C1
)-(U
0C2
-u
C2
)= u
C1+
u
C2
=2u
C
,
ntruct atunci cnd schema este absolut simetric are loc egalitatea: U
0C1
= U
0C2
= U
0C
. n
acest caz, pe rezistena R
0E
, reacia negativ n semnal sinfaz va lipsi, fiindc
componeentele alternative de curent ale tranzistorilor VT1 i VT2, condiionate de
semnale de intrare simetrice, prin rezistena R
0E
curg n direcii opuse i ,corespunztor se
intercompenseaz reciproc.
Adaogm la spusele de mai sus relaii matematice generale, care demonstreaz
corectitudinea afirmaiilor fcute.
105
Tensiunile de ieire a fiecrui bra (u
ie1
i u
ie2
) de etaj diferenial, cnd la intrrile lui
acioneaz tensiunile u
in1
i u
in2
(cu considerenta de inversie a braelor, datorit conectrii
tranzistorilor EC), cu tensiunile u
in1
i u
in2
se gsesc n relaia:
u
ie1
= - K
1
u
in1
= -Ku
in1
(2.8)
u
ie2
= - K
2
u
in2
= -Ku
in2
(2.9)
unde K
1
=K
2
=K coeficient de amplificare n tensiune a fiecrui bra. Schimbarea rezultant
(ntre bornele de ieire) a tensiunii de ieire se determin de diferena relaiilor din (2.8) i
(2.9):
u
ie.dif
= u
ie1
- u
ie2
= -K u
in1
-(-K u
in2
) = -K(u
in1
- u
in2
) = -Ku
in.dif
(2.10)
Relaia (2.10) este relaia de baz a etajelor difereniale. Din relaia de baz (2.10)
urmeaz, c semnalul de ieire a etajului u
ie.dif
este proporional cu diferena semnalelor de
intrare u
ie.dif
~ u
in1
- u
in2
. Aceasta i determin denumirea etajului etaj diferenial, adic
etaj de amplificare a diferenei de semnale.
n mod general, amplificarea diferenial n tensiune a etajului pe ieirea i intrarea
simetrice n subgamele de frecvene medii, joase i n curent continuu se determin de
raporul tensiunilor difereniale de ieire i intrare a etajului:
K
dif
= u
ie.dif
/ u
in.dif
. (2.11)
Valorile numerice a mrimilor u
ie.dif
(2.10) i K
dif
(2.11) sunt diferite pentru
semnalul diferenial (util) i cel sinfaz (duntor).
Cnd la intrarea etajului diferenial acioneaz dou semnale simetrice (semnale
difereniale utile) u
in2
= -u
in1
iar schema este ideal simetric; n conformitate cu (2.10) i
(2.11) obinem:
u
ie.dif
= -K u
in.dif
= -K(u
in1
- u
in2
) =-K[u
in1
-(- u
in2
)]= -K2u
in1
(2.12)
inVT
C
EC
VT in
C
C
in
in
dif in
dif ie
dif
R
R
h
R
R
K K
u
u
K
u
u
K
21
. 1
1
.
;.
2
2

(2.13)
Din (2.13) urmeaz, c, atunci cnd la intrarea etajului diferenial simetric
acioneaz dou semnale simetrice, coeficientul lui de amplificare n tensiune, numeric
este egal cu amplificarea unui bra de etaj, adic egal cu amplificarea unui etaj rezistiv
obinuit ntr-un timp.
Pentru o comparaie menionm c, dac semnalul la ieirea schemei din fig. 2.11
este cules numai de pe un singur bra (de exemplu de pe colectorul tranzistorului VT2),
atunci n tensiunea lui de ieire u
C2
, afar de semnalul u
ie2
= u
C2
mai este prezent i
tensiunea U
0C2
a tranzistorului VT2, adic u
C2
= U
0C2
+u
C2
, iar amplificarea braului n
raport cu semnalul diferenial u
in.dif
va fi de dou ori mai mic ca cel din (2.13):
VT in
C
EC
dif in
ie
dif dif
R
R
h
u
u
K K
.
21
.
2 ;.
1 . 2 .
2


n acelai timp, i n cazul dat, amplificarea n semnal sinfaz (duntor) a fiecrui
bra, de asemenea este mult mai mic datorit prezenei reaciei negative din contul
rezistenei R
0E
:
1
) 1 ( 2
0 21 0 .
21
. . .
21
sin .
2
. sin
<<
+ +

E
C
EC E VT in
C
EC
n r in
C
EC
f in
ies
f
R
R
h R R
R
h
R
R
h
u
u
K
,
fiindc
) 1 ( 2
) 2 (
) (
21 0 sin .
0
sin .
. . .
0
EC E f in
B
E E BE
B
R BE
B
f in
n r in
h R R
I
R I U
I
U U
I
u
R
E
+ +
+

+


.
106
Un indice de mare importan pentru schema din fig. 2.11 (i pentru
amplificatoarele operaionale ce se bazeaz pe astfel de scheme) este coeficientul de
atenuare (rejecie) a semnalului sinfaz:
1
) 1 (
0
21
0
21
.
0
21
sin
1
sin
2
sin . .
>>
+

E
E
E EC
E
EC
VT in
E
EC
f
dif
f
dif
f s a
r
R
r h
R
h
R
R
h
K
K
K
K
K
.
Caracteristica dinamic de trecere a etajului diferenial este dependena curentului
diferenial de ieire a etajului i
dif
=i
C1
i
C2
de semnalul diferenial de intrare u
in.dif
= u
in1
- u
in2
care pentru etajul absolut simetric are forma artat n fig. 2.12 (linia nentrerupt).
Diapazonul dinamic a etajului diferenial, dup cum se vede din fig. 2.12 este de
dou ori mai mare ca la un etaj rezistiv obinuit (etaj ntr-un timp).
Cnd la intrrile etajului diferenial concomitent acioneaz dou semnale sinfaze
(dou semnale duntoare) u
in.1
=u
in.2
i etajul este ideal echilibrat, la ieirea lui, conform
relaiilor (2.10) i (2.11) se obine:
U
ie.dif.sinf
=-K(u
in.1
u
in.2
) = -K(u
in1
- u
in1
) = 0
i
K
dif.sinf.
= u
ie.dif.sinf
/ u
in.sinf
= 0
Rezultatele obinute nc o dat arat corectitudinea confirmaiei fcute mai nainte,
i anume c etajul diferenial ideal simetric nu reacioneaz la semnalul sinfaz (duntor).
n schema asimetric a etajului diferenial n semnalul de ieire apare componeneta
de semnal duntor u
ie.dif.sinf
, condiionat de neidentitatea potenialelor de curent continuu
colector a tranzistoarelor VT1 i VT2 n raport cu borna comun a etajului U
0C1
U
0C2
:
U
0C1
- U
0C2
= u
ie.dif.sinf
(2.14)
Aceast component de tensiune part denumirea de bruiaj sinfaz. Ea se msoar
conectnd ambele intrri a etajului la mas, adic u
in1
= u
in2
=0.
Din cauza asimetriei etajului diferenial real caracteristica lui dinamic de trecere se
deplaseaz sau n dreapta sau n stnga de la poziia corespunztoare etajului ideal (fig.
2.12, liniile punctate). Pentru echilibrarea etajului real, adic pentru a obine la ieirea lui
tensiunea u
ie.dif.sinf
= 0, cnd u
in.1
= u
in.2
= 0 la intrrile braelor de etaj se aplic o tensiune de
curent continuu, numit tensiune de deplasare a zeroului (privete fig. 2.12). Tensiunea
i
dif
= i
C1
i
C2
- i
dif
+ u
in.dif
= (u
in1
-u
in2
) - u
in.dif
-2i
C0
+2i
C0
u
depl
Fig. 2.12
107
aplicat trebuie s fie de valoarea i sensul corespunztori, pentru ca caracteristica
dinamic de trecere a etajului s treac prin puncrul de intersecie a axelor de coordonate.
Tensiunea de deplasare a zeroului se asigur cu ajutorul circuitelor de echilibrare.
Pentru obinerea unui etaj simetric, parametrii elementelor braelor etajului de aceeai
destinaie trebuie s fie de aceeai valoare. Aceste cerine sunt ndeplinite prin tehnologia
de confecionare a microcircuitelor: toate elementele de aceeai destinaie i acelai tip din
microcircuit se confecioneaz concomitent, dup aceeai tehnologie, datorit crui fapt,
parametrii lor difer foarte puin.
Afar de aceasta, o mare importan n simetria schemei o are valoarea rezistenei
R
E0
, cu creterea ei, simetria crete. ns, odat cu mrirea rezistenei R
E0
, crete caderea
de tensiune de curent continuu pe ea U
0RE0
= R
E0
(i
0E1
+ i
0E2
); creterea tensiunii U
0RE0
la
rndul su cere majorarea tensiunii sursei de alimentare. Pentru a obine o simetrie aproape
de cea ideal, la valori de tensiune de surs admisibil, rezistena R
E0
se nlocuiete cu o
surs de curent stabil (SCS) (fig. 2.13).
n componena sursei de curent stabil din fig. 2.13 intr: tranzistorul VT3, rezistorul
R
E3
, divizorul de polarizare dependent de temperatur, compus din rezistorul R
B3
,
tranzistorul VT4 n conectare diod i rezistorul R
E4
ntre ei unii n serie. Generatorul de
curent stabil, are impedana de ieire n curent alternativ mare (sute de k), iar cderea
tensiunii de curent continuu pe el nu depete civa voli. Datorit acestor particulariti,
SCS se consider un element ideal ce cu succes nlocuiete rezistena ohmic R
E0
.
Concomitent, SCS stabilizeaz curenii colector continuu a tranzistorilor VT1 i VT2,
fiinc curentul continuu a SCS i
0SCS
este egal cu suma curenilor continuu emitor a acestor
tanzistori: i
0SCS
= i
0E1
+ i
0E2
i
0C1
+ i
0C2
.
Curentul sursei i
0SCS
se impune i se stabilizeaz de divizorul termodependent,
compus din rezistena R
B3
, VT4 n conectare diod i rezistena R
E4,
i de asemenea de
rezistena R
E3
.
E
C
E
C
u
ies
u
in2
R
surs2
e
surs2
R
surs
e
surs
u
in1
VT1
VT2
VT3
VT4
R
C1
R
C2
R
E3
R
E4
R
B3
E
+
+
_
_
Fig. 2.13
108
Pentru a mri amplificarea diferenial, etajele difereniale simetrice se unesc
nemijlocit unul dup altul, fr circuite de trecere. La ieirea simetric a ultimului etaj,
poate fi unit nemijlocit sarcina extern simetric (de exemplu: plcile tubului catodic). n
caz de sarcin extern asimetric, n ACC apare problema de trecere de la ieirea simetric
a amplificatorului la sarcina asimetric extern.
Trecerea de la ieirea simetric a amplificatorului la sarcina asimetric
extern: problema se soluioneaz cu ajutorul etajelor speciale, numite etaje de trecere de
la semnale bipolare la semnale unipolare. Schema unui asemenea etaj, alimentat de la o
surs de alimentare unipolar este artat n fig. 2.14.
Ea este compus din doi tranzistori i seamn mult cu etajul diferenial, ns, spre
deosebire de acesta, n colectorul tranzistorului VT1 rezistena colector R
C1
lipsete.
Tranzistorul VT1, spre deosebire de etajul diferenial , este n conectare CC. Amplificarea
lui n tensiune este aproape unitar. Tranzistorul VT2 lucreaz n regim de dubl dirijare
asigurat de semnale antifaz n circuitele emitor i baz de dou ori mai mare, ca
amplificarea unui amplificator rezistiv obinuit n conectare EC. Aceast schem asigur
aceeai amplificare ca i etajul diferenial, ns, spre deosebire de acesta, ieirea lui
este asimetric . Menionm, de asemenea, c acest etaj, datorit rezistenei R
E0
, dispune
de proprieti de autoechilibrare, aproape egale cu proprietile de autoechilibrare ale
etajelor difereniale.
O dezvoltare de mai departe a schemei din fig. 2.14 este schema artat n fig. 2.15.
u
ies.dif
u
in2
u
in.dif
u
in1
R
surs.1
e
surs.1
R
surs.2
e
surs.2
R
E0
R
C2
VT1 VT2
+
E
C
Fig. 2.14
_
109
n aceast schem, o mare amplificare se asigur de braul doi al etajului
(tranzistorul VT2). Diferena schemei din fig. 2.15 de cea din fig. 2.14 este n nlocuirea
rezistenei R
C2
(fig. 2.14) cu tranzistorul VT3 i dioda VD, conectat n circuitul lui de
baz. Tranzistorul VT3 cu dioda VD constituie o sarcin dinamic dirijat a tranzistorului
VT2. Impedana de ieire n curent alternativ
~
3 iesVT
R
a tranzistorului VT3 din schema fig.
2.15 ndeplinete funcia rezistenei colector R
C2
:
~
3 iesVT
R
R
C2
, ns, spre deosebire de
rezistena R
C2
, din fig. 2.14, rezistena
~
3 iesVT
R
are o valoare mai mare, ceea ce esenial
mrete amplificarea n tensiune a tranzistorului VT2. Plus la aceasta, amplificarea crete
nc i din cauza c sarcina dinamic este dirijabil, rezistena ei
~
3 iesVT
R
, variaz n
conformitate cu variaia semnalului dirijator.
Mecanismul de lucru a sarcinii dinamice const n faptul c, de exemplu, la
micorarea potenialului baz a tranzistorului VT1 din braul unu, sub aciunea semnalului
de intrare a braului doi, potenialul baz a braului doi (VT2), crete. Aceast cretere, la
rndul su, duce la creterea curentului colector ce curge prin tranzistorul VT2.
Ca rezultat, amplitudinea semnalului de ieire din fig. 2.15 depinde nu numai de
curentul tranzistorului VT2, ci i de valoarea rezistenei sarcinii
~
3 iesVT
R
. Cu ajutorul
sarcinii dinamice dirijate, coeficientul de amplificare n tensiune poate fi majorat de
aproximativ 1,5...2 ori.
Cu ajutorul diodei VD, n schema din fig. 2.15 se asigur polarizarea i
termostabilizarea curentului continuu colector a tranzistorului VT3 i dirijarea cu sarcina
dinamic.
Elemente de trecere de la semnal de dou faze la semnal monofaz a AO.
1. Schema de trecere de la ieire diferenial la ieire asimetric n etaje de generaia I
cu U
d
deplin.
_
u
in.dif
u
ies.dif
VD
VT1 VT2
VT3
R
E0
E
C
+
R
ies~VT3
Fig. 2.15
110

n aceast schem n braul tranzistorului VT1 are loc reacia negativ local n
tensiune paralel (R

) din valoarea 100%, cu alte cuvinte, pe colectorul VT1 se repet U

in.1
defazat la . Acest semnal prin intermediul rezistenei R
1
se aplic la baza VT2 unde n
faz cu U
in.2
se adun i formeaz semnalul diferenial deplin, dup care se amplific de
VT2. Dezavantajul schemei din fig. 1 este: ????
n fig. 2 este artat o alt schem de asigurare a semnalului diferenial deplin pe o
sarcin cu o born nul:
2
1 .
d
VT in
U
U
;
SCS
R

R
1
U
ies.2
U
in.1
U
in.2
R
S VT1 VT2
Fig. 1
SCS
VT1
VT2
VT3
VT4
VT5
VT6
U
ies.VT6
_
+
_ _
+ +

C
E
U
in.VT1
U
in.VT2
Fig. 2
111
2
2 .
d
VT in
U
U
;
2 2
'
2 . 2 .
d d
VT in VT ies
U U
U U
,
_

;
d
d d
VT ies VT ies VT ies
U
U U
U U U + +

2 2
'
5 . 2 . 2 .
;
2 2
3 . 3 .
d d
VT in VT ies
U U
U U
,
_

;
2
3 . 5 .
d
VT ies VT in
U
U U
;
2
5 . 5 .
d
VT in VT ies
U
U U
;
2
1 . 3 .
d
VT ies VT in
U
U U
;
U
ie.VT5
se repet i pe R
C1
i pe R
C2
concomitent. n final:
d U VT ies U U VT in VT ies
U K U K K U U
2 . 4 . 6 . .
2.3 Particularitile amplificatoarelor de curent continuu cu cuplare
optronic.
n amplificatoarele de curent continuu cu cuplare optronic, numite nc i
amplificatoare izolate, ca elemente de legtur se folosesc optroni (sau, cu alte cuvinte,
perechi optronice). Optronul (perechea optronic) este un dispozitiv optronic
semiconductor, ce conine n unul i acelai corp un radiator de energie radiant i un
fotoreceptor cu caracteristicile spectrale concordate, i cu legtur optic ntre ele. n
calitate de radiator de energie radiant se folosete fotorezistorul (fig. 2.20,a), fotodioda
(fig. 2.20,b) sau fototranzistorul (fig. 2.20,c).
Optronii se confecioneaz n form de elemente discrete, asemntoare cu
tranzistorii de putere mic, ns au patru terminale, i se formeaz n microcircuitele
monolitice integrate.
n dependen de intensitatea iradierii, se schimb rezistena fotorezistorului (Fig.
2.20,a) i, ca urmare, se schimb curentul i
2
ce curge prin ea; n fotodiod (Fig. 2.20,b) i
n fototranzistor (Fig. 2.20,c) se schimb curentul de ieire i
2
. Caracteristicile de trecere a
acestor fotoreceptori sunt de aceeai form (fig. 2.21).
i
1
i
2
a)
i
1
i
2
b)
i
1
i
2
c)
Fig. 2.20
112
Parametrii principali a optronului sunt:
coeficientul de transfer n curent K
i
, rezistena
R
tr
i capacitatea C
tr
dintre intrarea i ieirea
lui, viteza (rapiditatea) de lucru i durata de
lucru. Factorul de transfer n curent:
K
i
= i
2
/ i
1
poate avea valori de la 0,01 (optroni diodici) i
0,1 (optroni rezistivi), pn la 1,0 (optroni pe
baza tranzistorilor). Viteza lor de lucru
(rapiditatea) variaz de la aproximativ 10 ns.
( optroni diodici), 0,1...0,001ns. (optroni
rezistivi) pn la 1ms (optroni pe baza
tranzistorilor). Rezistena de izolaie R
tr
i
capacitatea C
tr
dintre intrarea i ieirea lor, n
dependen de construcie pot avea valori
corespunztoare: R
tr
(10
12
...10
14
); C
tr

(0,1...0,01) pF.
Optronul permite transmiterea semnalului att de curent continuu ct i de curent
alternativ, adic pot fi utilizai ca elamante amplificatoare n amplificatoarele de curent
continuu. n acelai timp, optroanele asigur o izolare galvanic deplin ntre etajele
amplificatorului de curent continuu i ntre amplificatoarele de curent continuu, ce a i
determinat denumirea lor de amplificatoare izolatoare.
Menionm c n optroane, legtura intern indirect dintre intrare i ieire lipsete;
ele sunt dispozitive de aciune numai ntr-o singur direcie.
Optronii suport tensiuni mari de intrare i ieire (pn la zeci de kV) i lucreaz n
gama de frecvene de la f=0 pn la sute de MHz.
Optroanele se folosesc:
a) n ACC ca elemente de legtur ntre etaje n etaj;
b) n amplificatoarele izolatoare, compuse dintr-un ACC la intrare (de exemplu
AO), i cel ce urmeaz dup el, adic un alt ACC (de exemplu AO) cu cuplare
optronic n semnal i concomitent cu dezlegare galvanic;
c) n aparatura electronic complicat ca elemente de legtur n semnal i
concomitent pentru divizare galvanic a CMI, blocurilor, etc.;
d) n construirea diferitor circuite executive de ACC(circuite reglatoare a factorului
de amplificare);
e) n construcia modulatoarelor ACC cu conversie;
f) etc.
Ca exemplu de utilizare a dispozitivelor optronice n fig. 2.22 este artat schema
unde optronul VD este utilizat ca element de legtur ntre tranzistorul VT
ie.
a etajului de
ieire al primului amplificator de curent continuu (ACC1), i tranzistorul VT
in
a etajului de
intrare din amplificatorul de curent continuu doi (ACC2), i de asemenea n calitate de
reglator de amplificare VD
reg
n etajul de intrare al ACC2.
n circuitul colector al tranzistorului VT
ie
din etajul de ieire al primului
amplificator este conectat o diod electroluminiscent a optronului de legtur VD.
Intensitatea de radiaie este proporional cu curentul colector al tranzistorului VT
ie
.
Fotodioda optronului intr n componena divizorului de polarizare baz a tranzistorului
113
i
2
i
1
fig.2.21
de intrare VT
in
din componeneta ACC2. Rezistena fotodiodei se va schimba n
corespundere cu schimbarea curentului colector al tranzistorului VT
ie
. Curentul colector al
tranzistorului VT
ie
se schimb n corespundere cu schimbarea semnalului de intrare U
in
.
Ca urmare, potenialul baz a tranzistorului VT
in
se va schimba n corespundere cu
schimbarea potenial U
in
la baza tranzistorului VT
ie
(privete diagramele in fig. 2.22, pe
care sunt artate nu numai semnalele dar i tensiunile i curenii de curent continuu,
condiionai de regimul de repaos).
Dup cum se vede din fig 2.22, pentru o izolare complet a ACC1 de ACC2,
fiecare amplificator trebuie alimentat de la sursa sa proprie, iar bornele lor comune
nu pot fi unite una cu alta adic ele trbuie izolate una de alta.
Optronul doi VD din schema din fig. 2.22 se folosete pentru reglarea factorului de
amplificare a etajului de intrare (VT
in
) din amplificatorul doi. Reglarea are loc prin
schimbarea gradului de reacie negativ n circuitul emitor, iar al doilea intr n
componena divizorului de polarizare baz a tranzistorului VT
in
. Prin alegerea rezistenei
R
Ein
a rezistorului suplimentar se asigur acea polarizare U
0B.VT.in
la baza tranzistorului VT
in
ca rezistena fotorezistenei de optron s rmn neschimbat.
Menionm, c , astfel nct dioda luminiscent a optronului VT
reg.
electric nu este
legat de circuitele semnale a ACC2, rezistorul reglator R
reg
din circuitul diodei
luminiscente poate fi scos n afara amplificatorului la orice distan, iar cicuitul compus
din rezistena R
reg
i dioda luminiscent poate fi alimentat, n caz de necesitate, de la o
surs de alimentare aparte. Aceasta permite reglarea factorului d amplificare la distan,
ceea ce este un avantaj a reglatoarelor de amplificare optronice.
114
n final, menionm, c n schema artat n fig. 2.22, optronul VD ce st n circuitul
semnalului, trebuie s fie de inerie redus, iar optronul reglator VD
reg
poate fi inert.
Schema din fig. 2.22, prezentat ca un fragment de amplificator izolator, compus din
ACC1 i ACC2 cu legtur optronic, poate fi de asemenea utilizat i ca element de
legtur optic ntre etajele unui singur ACC. n acest caz se poate utiliza o singur surs
de alimentare i o born nul comun.
La rnd cu avantajele optronilor enumerate mai sus, ei au i anumite insuficiene,
cum ar fi: indicii energetici sunt redui, sunt ntr-o oarecare msur puin ineri, dispun de
un diapazon dinamic redus, parametrii lor principali depind de temperatura mediului
ambiant, etc. Reducerea la minimum a factorilor negativi numii, poate avea loc prin
perfecionarea tehnologiei lor de producere i a schemotehnicii de utilizare. Ca exemplu de
schemotehnic de utilizare perfect este schema artat n fig. 2.23. Particularitatea
schemei artate n fig. 2.23 este n aceea c n amplificatorul izolator sunt utilizate dou
optroane identice, unul din care, VD1, se utilizeaz ca element de legtur n semnal i,
concomitent, element de divizare galvanic a microcircuitelor integrate ACC1 i ACC2 cu
cuplare galvanic. Al doilea optron VD2 asigur reacia negativ avnd drept scop
micorarea distorsiunilor neliniare i pstrarea coeficientului de transfer a semnalului de
la ACC1 la ACC2 la acelai nivel.
u
in
t
u
BVTin
t
i
CVTies
t
a b c d
u
ies
t
R
VAR
d
E
C2
E
C1
+ +
_ _
R
CVT.ies
R
CVT.in
R
E.ies
R
E.in
VD
VAR
VD
VT
ies
VT
in
U
B0VT.in
a
b
c
ACC1 ACC2
Fig. 2.22
115
Dac n schema din fig. 2.23, din oarecare pricin, de exemplu, schimbarea
temperaturii factorul de transfer scade, atunci, concomitent la aceeai valoare scade i
factorul de transfer al optronului VD2 (ei fiind identici) i, prin urmare, practic tot de
attea ori scade i gradul de reacie negativ. Datorit acestui fapt automat crete factorul
de amplificare al amplificatorului ACC1, care compenseaz deriva termic a parametrilor
optronici i liniarizeaz caracteristica de amplitudine de trecere a amplificatorului izolator.
2.4 Particularitile amplificatoarelor de curent continuu cu
transformarea spectrului de frecvene al semnalului.
Amplificarea de curent continuu cu transformarea spectrului de frecvene a
semnalului, numite i amplificatoare parametrice, se deosebesc printr-o deriv de zero
redus i de o amplificare n tensiune mare. Ele se utilizeaz n cazul cnd semnalul ce
trebuie amplificat poate avea valoarea dela foarte mic (nanaovoli) pn la foarte mare
(zeci de voli). Amplificarea semnalelor de aa gen cu ajutorul ACC este o problem.
Principiul de construire a ACC cu transformarea spectrului de frecvene a
semnalului n mod general poate fi ilustrat cu schema structural din fig. 2.24. numit
schem de un singur fir:
Ea conine: modulatorul M montat pe elemente parametrice, adic elemente
parametrii crorarezistena, inductana, capacitatea variaz n dependen de valoarea
semnalului de intrare (u
in
) sau a curentului de intrare (i
in
), generatorul (G) de frecven
purttoare (frecvena de referin) f
g
= f
0
, amplificatorul de curent alternativ (amplificator
ACC1 ACC2
VD1
VD2
E
C1
E
C1
E
C2
E
C2
+ +
+ +
_ _
_ _
U
in
U
ies
R
0C
Fig. 2.23
e
surs
, R
surs
M A D FTJ R
S
G
u
in
(i
in
) u
M
u
A
u
D
u
Rs
u
G
f
G
f
g
= 0f
sem
Fig. 2.24
116
selectiv) A, demodulatorul (detector) D, filtru de frecvene joase FFJ. Sarcina extern R
S
nu aparine amplificatorului.
Principiul de funcionare a schemei artate n fig. 2.24 este urmtorul: semnalul ce
aparine amplificrii u
in
(i
in
) cu spectrul de frevene f
g
= 0... f
sem
n modulatorul M
moduleaz frecvena purttoare f
g
a generatorului G, care, de regul depete frecvena
maximal de semnal f
sem
nu mai puin de 5...10 ori. Ca rezultat, la ieirea modulatorului
apar oscilaii de tensiune (curent) modulate n amplitudine (frecven, faz). Acest semnal
u
M
mai departe se amplific de amplificatorul selectiv A, pn la valoarea u
A
, dup care se
detecteaz de detectorul D (u
d
) i se filtreaz de filtrul de frecvene joase FFJ. n sfrit, pe
sarcina extern se obine semnalul amplificat u
j
cu spectrul iniial f
S
= 0...f
sem.
n modulator
ca elemente parametrice n dependen de destinaia ACC i valoarea frecvenei superioare
a semnalului f
sem
se utilizeaz diode, tranzistori, optroni, varicape, etc.
Deriva zeroului n ACC cu transformarea spectrului de semnal este foarte mic,
ntruct el se determin numai de deriva modulatorului, care, de regul, este foarte mic.
Deriva modulatorului n amplificator nu se amplific de amplificatorul de curent
alternativ, care, practic este amplificator fr deriv. Deriva modulatorului depinde de
particularitile lui. Pentru o micorare a derivei de modulator se folosesc modulatoare cu
schem echilibrat. Modulatoarele echilibrate de asemenea micoreaz legtura parazit
posibil dintre generatorul G i sursa de semnal.
n fig. 2.25 este artat o alt schem funcional real numit schem n doi firi a
ACC cu transformarea spectrului de frecvene a semnalului. n schema de doi firi att
modulatorul ct i demodulatorul, sunt de tip echilibrat. Schema din fig. 2.25 este una din
schemele posibile de realizare a schemei structurale generale artat n fig. 2.24. n
principiu schema din fig. 2.25 coincide cu schema general din fig. 2.24 cu diferena c
modulatorul din fig. 2.25 este realizat n form de modulator echilibrat ME, iar
demodulatorul D n form de demodulator echilibrat DE.
Explicm funcionarea schemei (fig. 2.25) cu ajutorul unor relaii matematice simple
i a diagramelor de tensiune n timp, artate n fig. 2.26.
ME A DE FTJ
G
u
in
i
in
U
ME
U
A
U
DE
U
ies
R
S
R
surs
e
surs
f
g
= 0f
sem
f
g
= 0f
sem
f
0
0f
sem
f
0
0f
sem
u
G
u
G
f
G
(510)f
sem
(f
0
)
Fig. 2.25
117
U
in
U
G
U
ME
U
A
U
DE
U
ies
t
t
t
t
t
t
Fig. 2.26
a)
b)
c)
d)
e)
f)
118
La intrarea de semnal a ME se aplic semnalul de intrare u
in
(fig. 2.26,a)
u
in
=U
min
cos
s
t , (2.17)
frecvena cruia variaz de la
sem
=0 pn la
sem
=
s.
La intrarea de referin a ME se aplic tensiunea de frecven nalt u
g
, culeas de la
generatorul G (fig. 2.26,b):
u
g
=U
mg
cos
g
t (2.18)
Frecvena
g
se alege de valoarea
g
5...10
s.
n ME semnalul cules de la generator
se moduleaz n amplitudine. Ca rezultat al modulrii, la ieirea modulatorului, se obin
oscilaii modulate u
ME
(fig. 2.26,c) de frecvena purttoare i frecvenele laterale
0

sem
.
Procesul ce are loc n ME din punct de vedere matematic poate fi, cu o oarecare
aproximare, descris de operaia de multiplicare a semnalului i a tensiunii de generator
(ME- se prezint ca multiplicator de semnal rigid):
u
ME
= n
ME
u
in
u
g
= n
ME
U
m.in
cos
s
t U
mg
cos
g
t =
=n
ME
U
m.in
U
mg
1/2 [cos(
g
+
s
)t+ cos(
g
-
s
)t]=
=U
mmE
[cos(
g
+
s
)t+ cos(
g
-
s
)t]; (2.19)
unde n
ME
- coeficientul de proporionalitate (unitatea de msur [1/V] );
Oscilaiile u
ME
cu spectrul de la (
g
-
s
) pn la (
g
+
s
), unde
s
este frecvena
maximal a semnalului U
in
se amplific de amplificatorul de curent alternativ (cu banda de
frecvene corespunztoare) De la ieirea amplificatorului A, semnalul modulat n
amplitudine u
A
=K
A
u
ME
(fig. 2.26,d) se aplic la intrarea de semnal a demodulatorului
echilibrat DE, iar la intrarea lui de referin se aplic tensiunea u
g
de la generator (fig.
2.26,b).
Demodulatorul echilibrat DE este un detector sincron sensibil la faza
semnalului(detector de faz sincron). Tensiunea lui de ieire u
DE
se determin de relaia:
u
DE
= n
DE
u
A
u
g
= n
DE
K
A
u
ME
u
g
, (2.20)
unde n
DE
coeficient de proporionalitate (unitatea de msur [1/V] ); K
A

amplificarea amplificatorului A.
Substituind n (2.20) expresiile (2.19) i (2.18) obinem:
u
DE
=U
m.DE
[1/2cos(2
g
+
s
)t+1/2cos(2
g
-
s
)t+cos
s
t] (2.21)
din (2.21) rezult, c semnalul demodulat u
DE
conine i semnal util amplificat
U
m.DE
cos
s
t. Dup filtrarea lui de ctre filtrul trece jos (FTJ), la ieirea ultimului vom
avea numai semnalul util amplificat (fig. 2.26,f) cu spectrul egal cu spectrul iniial

sem
=0...
s
al semnalului.
u
ie
=K
FFJ
U
m.DE
cos
sem
t (2.22)
Amplificarea rezultant a schemei din fig. 2.25 n majoritate se determin de
amplificarea amplificatorului de curent alternativ A i poate fi de o valoare foarte mare.
n dependen de destinaia ACC cu transformarea spectrului de semnal i frecvena
superioar a semnalului, n amplificatoare sunt diferite modulatoare i demodulatoare
echilibrate, cum ar fi: ntreruptor echilibrat cu contacte la frecvene superioare de semnal
mic, ntreruptor cu tranzistori, cu diode (dup scheme echilibrate de tip inel), cu varicap,
cu optroni (la frecvene de semnal mari), etc.
n fig. 2.27, ca exemplu este artat un optron construit n baza optronului rezistiv,
care n schema din fig. 2.25 poate nlocui ME.
119
Principiul lui de funcionare este urmtorul: sub aciunea semnalului de generator
u
g
=U
mg
cos
g
t se schimb intesitatea de iradiere al LED-ului i, ca urmare, i rezistena
fotorezistorului R
f
din optron. Frecvena de schimbare (variaie) este egal cu frcvena
generatorului
g
. Sub influiena tensiunii de semnal u
in
, aplicat la intrarea de semnal a
modulatorului, de exemplu a componentei de curent continuu, n circuitul de sarcin
extern a optronului R
Soptr.
apare componeneta de curent alternativ i
m
, de frecvena f
g
i
corespunztor tensiunea u
M
de aceeai frecven f
g
. Tensiunea u
M
mai departe se aplic la
intrarea amplificatorului A i aa mai departe (privete schema din fig. 2.25.)
Modulatoarele optroane, de regul se folosesc la frecvene de zeci de MHz i mai mari, se
nelege, cu frecvena generatorului de valoarea f
g
5...10 f
s
Avantajele ACC cu transformarea spectrului de semnal, dup cum a fost menionat
sunt n deriv puternic redus i amplificare mare.
Dezavantajul lor este n complicaia schemotehnic, ns, innd cont de faptul c
multe noduri i elemente ale acestei clase de ACC sunt de confecionare integrat,
dezavantajul numit nu limiteaz utilizarea lor pe larg.
u
M
(kA)
R
surs
i
in
e
surs
=U
g
=
=U
mg
cos
g
t
U
in
R
S.optr.
R
f
u
g
f
g
Fig. 2.27
120
1. Etaje a mplificatoare de putere fr transformator la ieire
1.1. Avantajele i dezavantajele amplificatoarelor de putere fr
transformator la ieire
Amplificatoarele de putere fr transformator, n comparaie cu cele cu transformator
n dispozitivele radiotehnice, destinate amplificrii semnalelor de audiofrecven, au o
utilizare mai larg, ce se explica prin dezavantajele ultimelor. Transformatorul este un
element netehnologic i, de regul, are dimensiuni mari, este greu; introduce n semnalul
amplificat distorsiuni de frecven i neliniare eseniale; influeneaz n sens negativ
randamentul amplificatorului din cauza pierderilor ce au loc n el.
Amplificatoarele de putere fr transformator posed urmtoarele avantaje:
sunt compuse din elemente cu o tehnologie de producere mult mai simpl, dispun de
dimensiuni i mas mult mai mici, introduc distorsiuni de frecven reduse; au un
randament mai ridicat; pot fi confecionate n form de microcircuite.
La producerea n mas, amplificatoarele de putere fr transformator aduc la o
economie esenial a aramei i oelului n transformator; se reduce volumul de munc; pot
fi alimentate de la o surs cu o tensiune de dou ori mai mare, ns cu curentul de ieire de
dou ori mai mic, fiindc n aceste amplificatoare, tranzistorii n curent continuu au
cuplare serie.
Dezavantajele amplificatoarelor de putere fr transformator ce folosesc ca elemente
active tranzistori sunt:
pentru o funcionare normal a circuitului amplificator se cere termostabilizarea
curentului n punctul static de funcionare a tranzistorilor finali, ce exclude
strpungerea termic;
protecia tranzistorilor din etajul final la scurtcircuitarea sarcinii;
mperecherea tranzistorilor etajelor final i prefinal dup parametri;
utilizarea (n anumite cazuri) sursei de alimentare cu dou ieiri calde i o born
medie comun (nul).
n acelai timp, dezavantajele sus-numite nu limiteaz utilizarea larg a acestui grup
de amplificatoare.
1.2. Principiul de funcionare a etajelor finale
n fig.1.1 i 1.2 sunt artate modelele principale de etaje finale a amplificatoarelor de
putere fr transformator. Dup cum se vede din fig.1.1 i 1.2, n aceste etaje sunt utilizai
doi tranzistori, care pot fi de aceeai conductibilitate sau de conductibiliti opuse (n-p-n i
p-n-p).
121
Ultimii sunt numii tranzistori complimentari sau cu simetrie suplimentar. n aceste
scheme circuitele colector i emitor a tranzistorilor cu o surs de alimentare (sau cu cele
dou surse de alimentare) au unire serie, ce formeaz un circuit nchis n curent continuu.
Pentru un circuit corect, direciile sgeilor terminalelor emitor trebuie s
coincid cu direcia componentei de curent continuu consumat de la sursa de
alimentare.
Sarcina etajului este cuplat ntre borna comun M i mas. n fig.1.1 (a) i 1.2 (a)
sarcina este unit la punctul M prin intermediul condensatorului C ( cuplare capacitiv ),
iar n fig.1.1 (b) i 1.2 (b) are cuplare direct (galvanic). La cuplarea direct se cer dou
surse de alimentare (sau una cu o born medie).
Tranzistorii sunt dirijai de curenii baz, care sunt funcie de tensiunea baz-emitor
u
BE
. Pentru a asigura regimul de funcionare ales ntre baz i emitor se cere asigurarea
tensiunei de polarizare E
BE
corespunztoare. ntre baz i emitor se aplic de asemenea i
semnalul de dirijare util
( ) t U
, care trebuie amplificat. Aadar, la intrarea n tranzistori,
ntre baz i emitor au loc tensiunile:
u
BE1
(t)=E
BE1
+u
1
(t)

; u
BE2
(t)=E
BE2
+u
2
(t). (1.1)
Etajele finale reale funcioneaz n regimul AB sau B. n amplificatoarele de putere
ultraliniare etajele finale funcioneaz n regimul A.
Pentru asigurarea regimului de funcionare contratimp a etajului fazele semnalelor de
dirijare u
1
(t) i u
2
(t) trebuie alese n aa mod, ca tranzistorii VT1 i VT2 se poat
funciona (conduce) pe rnd, innd cont de conductibilitatea tranzistorilor utilizai
(tranzistorii de tip n-p-n se deschid de tensiuni pozitive, iar cei de tip p-n-p se deschid de
tensiuni negative). n fig.1.1 i 1.2 simbolic sunt artate tensiunile de dirijare n form de
perioad a semnalului de form sinusoidal. Semiperioada n timpul creia tranzistorul
este deschis este ntunecat (n semiperioada nentunecat tranzistorul este blocat). Dup
Fig.1.1. Etaj final cu tranzistori complimentari
cu cuplare capacitiv (a) i direct (b)
U
BE1
i
C1 +
_
E
i
C2
VT1
VT2 U
BE2
C
R
S
a)
+
i
C1 +
_
E/2
i
C2
VT1
VT2 U
BE2
R
S
+
_
E/2
U
BE1
b)
M
M
122
cum urmeaz din fig.1.1, pentru etajele cu tranzistoare complimentare tensiunile de
dirijare se cere de a fi n aceiai faz (sinfaz), adic u
1
(t)=u
2
(t), iar pentru etajele cu
tranzistori de acelai tip (fig.1.2)-n antifaz, adic u
1
(t)=-u
2
(t).
Cnd semnalele de dirijare (exitare) sunt alese corect, curentul n sarcin este:
i
S
=i
C1
- i
C2
,

(1.2)
unde i
C1
i i
C2
sunt componentele colector de curent alternativ al tranzistorilor VT1 i VT2.
n caz de cuplare capacitiv a etajului final cu sarcin (fig.1.1 (a) i 1.2 (a)) se cere
numai o surs de alimentare de tensiunea E. Pentru a micora pierderile puterii utile ce pot
avea loc n condensatorul decuplator C, capacitatea lui trebuie aleas de aa valoare, ca
rezistena reactiv la frecventa limit de jos
lj
s fie mult mai mic ca rezistena sarcinii
R
S
, adic:
1/
lj
C << R
S
.

(1.3)
De exemplu, pentru R
S
=8 , f
l
=
lj
/2=20 Hz capacitatea C trebuie s fie nu mai
mic ca C= 10/2f
lj
R
s
, ce este un dezavantaj mare al etajelor cu cuplare capacitiv cu
sarcina. Al doilea dezavantaj const n complicaia metodei de stabilizare a tensiunii n
punctul M, n comparaie cu etajele cu cuplare direct. Al treilea dezavantaj const n
faptul c condensatoarele electrolitice n filtrele surselor de alimentare trebuie s suporte o
tensiune de lucru de dou ori mai mare ca tensiunea de alimentare.
Din aceast cauz, n amplificatoarele de putere de nalt calitate se utilizeaz numai
schemele artate n fig.1.1 (b) i 1.2 (b) scheme cu cuplaj total galvanic, n care
frecvena limit de jos se determin doar de capacitile condensatoarelor de intrare n
amplificator i a filtrelor de redresare.
Pentru o simetrie mai bun a braelor etajului final sunt utilizai tranzistorii
complimentari (fig.1.1), fiindc ei pot fi conectai dup aceeai schem cu colectorul
comun. n acelai timp, n circuitele amplificatoare de putere mrit este complicat, iar
adeseori i imposibil alegerea unei perechi de tranzistori complimentari cu parametrii
identici. n aa cazuri, n etaje se utilizeaz tranzistori din Siliciu de tip n-p-n (fig.1.2),
unde unul are conectare colector comun.
Mai jos explicm principiul de funcionare a amplificatoarelor de putere fr
transformator. Mai nti subliniem c principiul de funcionare a etajelor finale din fig.1.1
i 1.2 este identic. Utilizarea tranzistorilor de conductibilitate identic sau diferit nu are o
deosebire principial. Ne putem convinge de aceast afirmare analiznd, de exemplu,
funcionarea etajului final din fig.1.1 (a).
Dup cum a fost menionat mai sus, curentul colector al tranzistorului este determinat
de curentul bazei, iar ultimul este determinat de tensiunea u
BE
. Funcia i
C
= (u
BE
),
construit pentru o valoare de sarcin i tensiune colector dat, poart denumirea de
caracteristic dinamic de trecere (fig.1.3), considernd c FEM a sursei de alimentare a
etajului final este E, iar fiecare tranzistor este alimentat de E/2(V). Caracteristica dinamic
de trecere poate fi bine aproximat printr-o dreapt (n fig.1.3 ea este artat printr-o linie
punctat). Notm tensiunea de tiere a curentului colector prin E
BE0
. n aa caz,
aproximarea parial-liniar a caracteristicii dinamice poate fi scris n modul urmtor:
123

'

<
>

0 BE BE
0 BE BE 0 BE BE
C
E u cnd , 0
, E u cnd , E u S
i (1.4)
unde S este panta caracteristicii dinamice (pentru caracteristica artat fig.1.3 panta S=2,3
(A/V)).
Mai sus a fost menionat c etajele finale, de regul, funcioneaz n regimul B sau
AB, ce urmeaz din expresia (1.4), iar tensiunea de polarizare este egal cu tensiunea de
tiere, adic E
BE
=E
BE0
. n cazul cnd semnalul de dirijare este nul, prin tranzistor parcurge
curentul I
C0
. Prin micorarea tensiunii de polarizare E
BE
, se poate micora curentul I
C0
. La
valori mici ale curentului I
C0
regimul de funcionare a tranzistorului se consider AB,
aproape de regimul B, ce este determinat de neliniaritatea caracteristicilor dinamice reale
n regiunea curenilor de valori mici. n acest caz, n lipsa semnalului de excitare, prin
tranzistorii VT1, VT2 (fig.1.1) parcurge curentul de repaus I
C0
, care ncarc condensatorul
decuplator C pn la tensiunea de E/2. n fig.1.4 este artat schema echivalent a etajului
final cu cuplare capacitiv n regim de repaus, unde tranzistorii VT1 i VT2 sunt nlocuii
prin rezistenele echivalente R
CE1
=R
CE2
=0,5E/I. Potenialul punctului M este considerat
E/2. Ca urmare, i condensatorul C va fi ncrcat pn la tensiunea de E/2. ntruct
capacitatea C este mare, cnd la etaj se aplic semnalul de dirijare potenialul punctului M
nu se schimb i condensatorul de capacitatea C devine o surs de alimentare cu FEM,
egal cu E/2.
i
C
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0
0,5 1,0 1,5 U
BE
,V E
BE0

Fig.1.3. Caracteristica de trecere dinamic a tranzistorului
de Siliciu KT 805A la
R
S
=8 (), E/2=25 V
124
n fig.1.5 (a) este artat schema echivalent a braului de sus al etajului final, artat
n fig.1.1 (a), unde condensatorul decuplator C este nlocuit cu o surs de semnal cu
impedana intern nul i FEM de E/2. FEM total n circuitul nchis al braului de sus
(fig.1.5 (a)) este E-E/2=E/2, ntruct ambele FEM sunt contrapuse. Cu aceast
considerent schema echivalent din fig.1.5 (a) poate fi nlocuit cu o alt schem
echivalent artat n fig.1.5 (b), n care acioneaz tensiunea de FEM E/2. n fig.1.6 (a)
este artat schema echivalent a braului de jos al etajului final cu cuplare capacitiv
(fig.1.1 (a)), n care condensatorul decuplator C, de asemenea, este nlocuit cu o FEM de
E/2 (V). n fig.1.6 (b) schema echivalent din fig.1.6 (a) este prezentat ca i cea din
fig.1.5 (b).

Din schemele artate n fig.1.5 (b) i 1.6 (b) urmeaz c fiecare bra prezint un
circuit nchis, compus din tranzistor, sarcin i FEM de valoarea E/2. Acelai lucru se
refer i la etajele finale din fig.1.1 (b) i 1.2 (b). Aceasta i adeverete faptul, c
+
_
+
_
I
C0
E
C
R
CE1
R
CE2
Fig.1.4. Schema echivalent a etajului final, artat
n fig.1.1, n regim de repaus

VT1
R
S
+
_
i
C1
VT1
+
_
R
S
i
C1
+
_
E
E/2
a)
b)
Fig.1.5. Schemele echivalente ale prii
de sus a etajului final din fig.1.1 ( a )
E/2
E/2
+
_
E/2
i
C2
VT2
i
C2
+
_
R
S
R
S
a) b)
Fig.1.6. Schemele echivalente ale prii
de jos a etajului final din fig.1.1 (b)
VT2
125
principiul de funcionare a etajelor finale din fig.1.1 i 1.2 este unul i acelai. Reieind din
aceast ipotez, materialul ce va fi expus mai departe se refer, n aceeai msur, la toate
etajele finale.
n fig.1.7 sunt artate diagramele semnalelor de dirijare, ce explic funcionarea
ambilor tranzistori din etajul final.
Se consider c caracteristicile de trecere dinamice sunt ideale, iar polarizarea este
aleas n aa mod, ca s asigure regimul B, adic ea este egal cu tensiunea de tiere E
BE0
.
n fig.1.7 (a) este artat caracteristica dinamic de trecere i
C1
= (u
BE
) a tranzistorului
VT1 cu panta S i tensiunea de dirijare :
u(t) = U
max
sint, (1.5)
i de asemenea diagrama curentului colector i
C1
. Unghiul de tiere este =/2, ce
corespunde regimului B. n acest caz, impulsurile curentului colector exist doar n acele
semiperioade, n durata crora tensiunea de dirijare este de sens pozitiv. Durata
impulsurilor curentului colector, determinat la nivelul nul, este egal cu durata unei
semiperioade a tensiunii de dirijare.
Conform relaiilor (1.1), (1.5) i fig.1.7 (a), tensiunea ntre baz i emitor este:
u
BE1
= E
BE0
+U
max
sint. (1.6)
Substituind (1.6) n (1.4), obinem c impulsurile curentului colector sunt
i
C1
=SU
max
sint, ce este corect n semiperioada pozitiv a sinusoidei sint. Din relaia
(1.6) obinem c amplitudinea impulsurilor curentului colector este I
Cmax1
= SU
max
.
n fig.1.7 (b) sunt artate caracteristicile de trecere dinamice i
C2
=f(u
BE
) a
tranzistorului VT2 cu panta S, tensiunea de dirijare u
2
(t)=u
1
(t) i diagrama impulsurilor
curentului colector i
C2
. Tensiunea de dirijare u
2
(t) este sinfaz cu tensiunea u
1
(t), ce
corespunde tranzistorilor complimentari. Impulsurile curentului colector sunt descrise de
expresia i
C2
= SU
max
sint, care este just n semiperioada negativ a sint.
126
Amplitudinea impulsurilor curentului colector este I
Cmax2
= SU
max
. Aadar, dac
pantele caracteristicilor de trecere dinamice ale tranzistorilor VT1 i VT2 sunt identice,
atunci pentru ambii tranzistori amplitudinile curenilor colectori sunt de aceeai valoare i
se determin de relaia:
I
Cmax
= SU
max
. (1.7)
Curentul i
S
n sarcin, conform fig.1.2 i relaiei (1.2), este egal cu diferena curenilor
colectori. El este artat n fig.7 (c) pentru cazul cnd braele sunt complet simetrice. n
clasa B, acest curent poate fi descris de o sinusoid:
i
S
= SU
max
sint = I
Cmax
sint, (1.8)
ce nu conine armonici superioare.
Curentul absorbit de etajul final de la sursa de alimentare este egal cu
componenta de curent continuu a impulsurilor curentului colector, cum este artat n
fig.1.7 (a), (b). Conform descompunerii n irul Fourier, componentele de curent continuu
ale acestor impulsuri sunt:
I
med
= I
med1
= I
med2
= I
cmax
/ . (1.9)
0 2 3 4
i
S
=i
C1
-i
C2
t
I
C
m
a
x
c)
Fig.1.7. Diagramele de semnal ale etajului final contratimp echipat
cu tranzistoare n-p-n (a), p-n-p (b) i curentul lor colector sumar (c)
i
C1
n-p-n i
C1

0 U
BE1
0
u
1
0
U
max

t
t
=/2
2 3




I
m
e
d
1



I
C
m
a
x
1
a)
E
BE0
p-n-p i
C2
0
E
BE0
U
BE2
u
2
U
max t
i
C2



I
C
m
a
x
2




I
m
e
d
2
0 2 3 4 t
b)
127
Diagramele din fig.1.7 corespund etajelor finale cu tranzistori complimentari. Tot n
aa mod pot fi construite diagramele i pentru etajele finale cu tranzistori de acelai tip
(fig.1.8). n ultimul tip semnalele de excitare sunt contrafaz. Toate celelalte diagrame, ce
arat modificarea curenilor sunt identice cu cele din fig.1.7, ce nc o dat demonstreaz
c toate etajele finale funcioneaz la fel.
n analiza etajelor finale contratimp pe larg este utilizat principiul de suprapunere a
caracteristicilor de trecere dinamice a tranzistorilor (fig.1.9).
Caracteristica de trecere dinamic suprapus prezint o linie dreapt, cu panta S.
Aceast dreapt trece prin punctul iniial (de intersecie) a coordonatelor. Tot n aceast
figur sunt artate semnalul de dirijare u(t) i curentul n sarcin i
S
(t), care coincide cu
curenii sarcinii artai n fig.1.7 (b) i 1.8 (b).
Caracteristica dinamic suprapus va fi o dreapt numai n cazul cnd caracteristicile
de trecere dinamice ale tranzistorilor sunt ideale (adic se aproximeaz de o dreapt), iar
tensiunea de polarizare este egal cu tensiunea de tiere.
i
C1
n-p-n i
C1

0 U
BE1
0
u
1
0
U
max

t
t
=/2
2 3




I
m
e
d
1



I
C
m
a
x
1
a)
E
BE0
i
C2
n-p-n
0 U
BE2
0
u
2
0
U
max

t
E
BE0
i
C2
I
C
m
a
x
2




I
m
e
d
2
0 2 3 4 t
b)
i
S
=i
C1
-i
C2
t
0 2 3 4
I
S
m
a
x
c)
Fig.1.8. Diagramele de semnal ale etajului final contratimp echipat
cu tranzistoare n-p-n (a,b) i curentul lor colector sumar
128
Caracteristicile reale la curenii colector att de valori mici, ct i de valori mari au
poriuni neliniare. Dac tranzistorii funcioneaz fr polarizare, din cauza neliniaritii
caracteristicilor lor, n regiunile de cureni mici caracteristica de trecere dinamic
suprapus va fi neliniar, dup cum este artat printr-o linie nentrerupt n fig.1.10.
Neliniaritatea caracteristicii aduce la neliniaritatea curentului n sarcin n regiunea
curenilor de valori mici. Aceste neliniariti sunt numite neliniariti de tip treapt. n
fig.1.10 caracteristica de trecere dinamic suprapus ideal este artat printr-o linie
punctat. Din fig.1.10 se vede c la unul i acelai semnal de dirijare, cnd caracteristica
dinamic este ideal, amplitudinea curentului n sarcin este mai mare dect cnd
caracteristica dinamic este real. Prin alegerea corect a tensiunii de polarizare
neliniaritatea caracteristicii dinamice poate fi exclus. Acest caz este ilustrat prin
caracteristicile i diagramele din fig.1.11.
Caracteristicile reale ale tranzistorilor i curenii lor corespunztori sunt artai prin
linii groase, iar caracteristica suprapus i curentul n sarcin prin linii mai subiri. Dup
Fig.1.9. Diagramele n timp ale etajului final cu
suprapunerea caracteristicilor de trecere dinamice ale
tranzistorilor
i
C
i
C
I
C
m
a
x
t
t
U
max
0
u
u
0
Fig.1.10. Diagramele n timp ale etajului final contratimp cu
caracteristicile dinamice suprapuse ale tranzistorilor nepolarizai
i
S
i
S
t
t
0
u
u
0
0
129
cum se vede din fig.1.11, curentul n sarcin este un curent de form sinusoidal, ca i
semnalul de intrare u(t).
1.3. Tranzistorii compui
Tranzistorii compui au o larg utilizare n amplificatoarele de putere fr
transformator. Tranzistorii compui pot avea n componena sa doi, trei, sau patru
tranzistori obinuii. Mai des sunt utilizai tranzistorii compui din doi sau trei tranzistori
obinuii. Schema de cuplare a doi tranzistori obinuii este artat n fig.1.12.
i
S
i
S
i
C
t
t
E
BE
0
u
u
0
0
I
C
I
C
m
a
x
Fig.1.11. Diagramele n timp ale etajului final contratimp cu
caractaristicile dinamice suprapuse cnd tranzistorii sunt polarizai
130

Conductibilitatea tranzistorului compus este determinat de conductibilitatea
primului tranzistor (tranzistorul de intrare). Tranzistorul compus poate fi nlocuit cu
un singur tranzistor echivalent. n fig. 1.12 terminalele tranzistorului echivalent sunt notate
prin litere mari: colectorul (C), emitorul (E) i baza (B). Parametrii tranzistorului
echivalent vor fi determinai mai jos.
n fig. 1.13 sunt artate patru scheme principiale, dup care poate fi conectat
tranzistorul compus EC-CC n circuitul amplificator final, unde este alimentat ct de la
borna pozitiv (+E/2), att i de la borna negativ (-E/2) a sursei de alimentare.
Fig.1.12. Tranzistorii compui, construii conform schemelor EC-CC
(a,b) i CC-CC(c,d)
B
C
E
n-p-n
a)
B
C
E
p-n-p
b)
B
C
E
n-p-n
c)
E
p-n-p
d)
C
B
131
+Eal/2
R1
C1
R2
R3
C2
VT1
VT2
RS Uies
M
a)
Uint
-Eal/2
R1
C1
R2
R3
C2
VT1
VT2
RS
Uies
M
b)
Uint
+Eal/2
R2
R1
VT1
VT2
RS Uies
M
d)
Uint
-Eal/2
R2
R1
VT1
VT2
RS
Uies
M
Uint
c)
Fig.1.13. Modelele de conectare a tranzistorului compus EC-CC
n etajul final al amplificatorului de putere fr transformator
132

n fig.1.13 (a) rezistorul R
1
i condensatorul C
1
formeaz circuitul de stabilizare
emitor a tranzistorului VT1. Rezistorul R
2
, mpreun cu circuitul bazei tranzistorului VT2,
formeaz sarcina tranzistorului VT1. Rezistorul R
3
i condensatorul C
2
ndeplinesc
funciile circuitului de stabilizare a tranzistorului VT2. Sarcina tranzistorului compus R
S
este n acelai timp i sarcina amplificatorului, ea este conectat ntre punctul mediu M i
mas.
De regul, condensatoarele C
1
i C
2
n amplificatoarele reale nu se utilizeaz (fig.1.13
(c, d)). Schema artat n fig.1.13 (b) este analogic cu cea din fig.1.13(a). Ele difer
numai prin polaritatea sursei de alimentare.
Schemele artate n fig.1.13 (c, d) conin numai rezistorul colector (R
1
) i rezistorul
(R
2
). Rezistorul R
2
asigur stabilizarea emitor a tranzistorului compus. Schema din
fig.1.13 (c) este analogic cu schema din fig.1.13 (d).
n fig.1.14 sunt artate schemele principiale de conectare n etajul final de putere al
tranzistorului compus CC-CC. n fig.1.14 (a,b) tranzistorii VT1 i VT2 au o stabilizare
emitor, corespunztor VT1 este stabilizat de R
1
i VT2 de R
2
. n fig.1.14 (c,d) stabilizarea
emitor a tranzistorului compus este asigurat de rezistorul R
2
.
+Eal/2
R1
VT1
VT2
RS Uies
M
a)
Uint
b)
R2
-Eal/2
R1
VT1
VT2
RS Uies
M
Uint
R2
n-p-n
p-n-p
d)
+Eal/2
R1
VT1
VT2
RS
Uies
M
c)
Uint
R2
n-p-n
-Eal/2
R1
VT1
VT2
RS
Uies
M
Uint
R2
p-n-p
Fig.1.14. Modelele de conectare a tranzistorului compus CC-CC
n etajul final al amplificatorului de putere fr transformator
133

n amplificatoarele de putere fr transformator la ieire poate fi utilizat orice
pereche de tranzistori compui dac se respect condiia ca aceste perechi sunt de
conductibilitate diferit sau se alimenteaz de la surse de alimentare de diferite polariti.
n fig.1.15 sunt artai tranzistorii compui, unde fiecare tranzistor este alctuit din trei
tranzistori obinuii. Cu literele B, E i C sunt marcate corespunztor: baza, emitorul i
colectorul tranzistorului echivalent. n principiu, pot fi i alte combinaii, ns n practic o
larg utilizare a gsit numai combinaia artat n fig.1.15, ce se determin de
conductibilitatea tranzistorului de ieire VT3 (de tip n-p-n).
n fig.1.16 este artat schema tranzistorului echivalent de tip n-p-n, unde tranzistorii
ce intr n componena lui sunt n conectare EC-CC-CC, iar n fig.1.17 tranzistorii ce
formeaz tranzistorul compus au conectarea CC-CC-CC.
B
C
E
a)
B
C
E
b)
VT1
VT2
VT3 VT1
VT2
VT3
Fig.1.15. Tranzistori compui cu conectare
EC-CC-CC (a) i CC-CC-CC (b)
VT1
VT2
VT3
Uies
Uint
M
R1
R2
R3
RS
p-n-p
-Eal/2
Fig.1.16. Schema de conectare a tranzistorului compus
EC-CC-CC n etajul final al amplificatorului fr transformator
134
Uie
n-p-n
RS
-E/2
Rezistorii R
1
, R
2
, mpreun cu circuitele de intrare a urmtorilor tranzistori, servesc
drept sarcini pentru tranzistorii VT1, VT2. Rezistorul R
3
asigur stabilizarea emitor a
tranzistorului compus.
Pentru a determina parametrii tranzistorului compus, se cere ca tranzistorii ce intr n
componena lor s fie nlocuii cu schemele lor echivalente, utilizndu-se legile
corespunztoare ale electrotehnicii: s se exprime tensiunea i curentul la ieire din
tranzistorul compus prin tensiunea i curentul lui de intrare. Utilizndu-se schemele
echivalente ale tranzistorului bipolar (fig.1.18), au fost compuse schemele echivalente ale
tranzistorilor compui (fig.1.191.22), parametrii lor sunt artai n tab.1.1.
n tab.1.1 factorii de transfer n curent ai tranzistorilor VT1 i VT2 sunt notai ca
h
21E1
i h
21E2
, corespunztor. Dac parametrul <<1 i R2<<R
S
, h
21E
>>1, r
in
, r
in
<<h
21ech
R
S,
atunci expresiile din tab. 6 se simplific i devin:
- coeficientul de amplificare n tensiune:
K
U
= 1, (1.10)
- coeficientul de amplificare n curent:
K
i
= h
21ech.
h
21E1
h
21E2
, (1.11a)
- coeficientul de amplificare n putere:
K
p
=K
U
K
i
1h
21E1
h
21E2
,

(1.11b)
- impedana de intrare:
R
in


h
21E1
h
21E2
R
S
. (1.12)
+Eal/2
R1
VT1
VT2
RS
Uies
M
Uint
R2
n-p-n
VT3
R3
Fig.1.17. Schema de conectare a tranzistorului compus CC-CC-CC
n etajul final al amplificatorului de putere fr transformator
E
B
C
rB
rE
CC
E
B C
rB
rE
rC
r*
C
C*
C
I
B
a)
b)
Fig.1.18. Schema echivalent a tranzistorului bipolar: a) BC, b) EC
I
E
135
Tabelul 1.1 Parametrii tranzistorilor compui de tip EC-CC i CC-CC

n tab.1.2 sunt artai parametrii tranzistorilor compui de tip EC-CC-CC i CC-
CC-CC.
Parametr
ii
Schema EC-CC Schema CC-CC
K
U
1
R h
r
R
R
1
1
s ech 21
1 int
s
2

,
_

+ +

1
R h
' r
R
R
1
1
s ech 21
1 int
s
2

,
_

+ +

K
i
=h
21Eech ( )
( )
2 E 21 1 E 21 1 E 21
1
2 E 21 1 E 21
h h 1 h
1 h h
+ +
+ +

( )( )
( ) ( )
( )
2 E 21 1 E 21
1
1 E 21
1
2 E 21 1 E 21
h h 1
1 h 1
1 h 1 h
+
+ + +
+ +

K
p
= K
U

K
i
1
2 E 21 1 E 21
h h
1
2 E 21 1 E 21
h h
R
in
( )
( ) [ ] { }
( )
s ech 21 2 s ech 21
1
2 s ech 21
2 s ech 21
R h R R h
R R h 1
R R h
+
+ +
+

( )
( )
s ech 21 2 s ech 21
1 int 2 s ech 21
R h R R h
' r R R h
+
+ +
Notaie
( )
( )
2 E 2 E 21 2 B 2 int
1 E 1 E 21 1 B 1 int
1
2 int
r 1 h r r
r 1 h r r
R
r
+ +
+ +

( )
( )
( )
( )
2 int
1
2 E 21 1 int 1 int
2 E 2 E 21 2 B 2 int
1 E 1 E 21 1 B 1 int
1
2 int
r 1
1 h r ' r
r 1 h r r
r 1 h r r
R
r

+
+ +
+ +
+ +

136
Factorii de transfer n curent ai tranzistorilor VT1, VT2, VT3 sunt notai
corespunztor prin h
21E1
, h
21E2
, h
21E3
. n tab.1.2 sunt date formulele precise i cele
aproximative, obinute la aceleai condiii, ca i n tab.1.1. Formulele aproximative pentru
ambele scheme sunt aceleai (lundu-se n considerare c tranzistorul echivalent este
compus din trei tranzistori obinuii):
- factorul de amplificare n tensiune:
K
U
1, (1.13)
- factorul de amplificare n curent:
K
i
h
21E1
h
21E2
h
21E3
, (1.14)
- factorul de amplificare n putere:
K
p
=K
U
K
i
1h
21E1
h
21E2
h
21E3
, (1.15)
- impedana de intrare:
R
in


h
21E1
h
21E2
h
21E3
R
S
.

(1.16)
Tabelul 1.2 Parametrii tranzistorilor compui de tip EC-CC-CC i CC-CC-CC
Parametri
i
Schema EC-CC-CC Schema CC-CC-CC
K
U
1
R h
r
R
R
1
1
s ech 21
1 int
s
2

,
_

+ +

1
R h
' r
R
R
1
1
s ech 21
1 int
s
2

,
_

+ +

K
i
=h
21Eech ( )( )
( )
( ) ( )
3 E 21 2 E 21 1 E 21
1 E 21
1
2
2 E 21 1 E 21
1
2
1
1 2 E 21 1 E 21
h h h
1 h 1
h h 1
1 1 h h

+ + +
+ +
+ +

( )( )
( )
( ) ( )
3 E 21 2 E 21 1 E 21
1 E 21
1
2
2 E 21 1 E 21
1
2
1
1 2 E 21 1 E 21
h h h
1 h 1
h h 1
1 1 h h

+ + +
+ +
+ +

K
p
=K
U
K
i
1 3 E 21 2 E 21 1 E 21
h h h
1 3 E 21 2 E 21 1 E 21
h h h
R
in
( )
s ech 21
3 s ech 21 1 int
R h
R R h r

+ + ( )
s ech 21
3 s ech 21 1 int
R h
R R h ' r

+ +
Notaie
( )
( )
( )
( )
( )
3 E 3 E 21 3 B 3 int
2 int
1
2
2 E 21 2 int 2 int
2 E 2 E 21 2 B 2 int
1 E 1 E 21 1 B 1 int
2
2 int
2
1
2 int
1
r 1 h r r
r 1
1 h r ' r
r 1 h r r
r 1 h r r
R
r
,
R
' r
+ +
+
+ +
+ +
+ +

( )
( )
2 int
1
2 E 21 1 int 1 int
1
2 int
r 1
1 h r ' r
R
r

+
+ +


137

Uint
iC1
iC2
Rint
R1
rB1 rB2
iB1 iB2
iE2 iR1
Uies
R2
RS
rE2
iR2
iS
Eint
rE1
iE1
Fig.1.19. Schema echivalent a tranzistorului
compus EC-CC, cu schema electric din fig.1.13 (c)
Uies
Uint
iC1
iC2
R1
R2
RS
rB1
rB2
iB1
iB2
iE2
rE2
iR1
Fig.1.20. Schema echivalent a tranzistorului
compus CC-CC ce este artat n fig.1.14 (c)
138
Uint
iC1
iC2
Rint
R1
rB2
iB1
iB2
iE2
iR1
R3
RS
rE2
iR2
R2 rE3
iE3
iC3
iC iE1
rE1
rB1
Eint
Uies
rB3
iB3
Fig.1.21. Schema echivalent a tranzistorului compus EC-CC-CC ce
este artat n fig.1.16
R3
RS
iS
U
i
e
s
-
U
S
R1
iB2
iE2
iR1
rE2
iR2
R2 rE3
iE3
iC1 iC2
rB2
iC3
Uint
Rint
iB1
iE1 rE1
rB1
Eint
rB3
iB3
Fig.1.22. Schema echivalent a tranzistorului compus
CC-CC-CC ce este artat n fig.1.17
139
Din comparaia expresiilor (1.10)(1.12) cu (1.13)(1.16), observm c
amplificarea n curent, putere i impedana de intrare a tranzistorului echivalent compus
din trei tranzistori sunt mai mari de h
21E3
ori, n comparaie cu tranzistorul echivalent
compus din doi tranzistori, n timp ce amplificarea n tensiune este aceeai (K
Uech
1).
1.4. Etaje cu tranzistori compui
Prin tranzistori compui se nelege o combinaie bine determinat din doi (mai rar
trei) tranzistori obinuii, n care terminalul de ieire al unui (precedent) tranzistor este
conectat direct (uneori cu utilizarea elementelor de legtur) cu terminalul de intrare al
celuilalt (urmtorul) tranzistor. De aceea, fiecare tranzistor ce intr n combinaie poate fi
conectat dup una din conectrile cunoscute cu EC (SC), CC (DC), BC (GC). n
ntregime combinaia din cei doi (trei) tranzistori are trei borne echivalente de dirijare
(baz, gril), dirijat (colector, dren) i de emitoare (emitor, surs), posed noi parametri i
caracteristici i poate fi conectat ca i un tranzistor obinuit de amplificare n conectare
EC (SC), CC (DC), BC (GC).
Precutm cteva variante de etaje cu tranzistori compui. Etaje cu tranzistori
complementari, folosindu-se n fiecare bra cte doi tranzistori de acelai tip (configuraie
Darlington), (fig. 1.23).
Dezavantajul:
+

ie ie
R R

fiindc
p n p
ie
1
1
R

+
<
+

ie
n p n
ie
R
1
1
R
, p n p n p n
>
.
Etajul de ieire cu tranzistori cuasi-complementari (fig.1.24). Etajul are aceast
denumire deoarece tranzistoarele finale nu sunt complementare, ci sunt de acelai fel, ele
sunt nsi comandate de o pereche de tranzistoare complementare.
Fig.1.23. Etajul de ieire cu tranzistori complementari
VT1
VT2
VT4
VT3
Rs
U1
+Ec
-Ec
+

ie ie
R R
2 int 1 int
R R
140
n acest fel tranzistoarele complementare realizeaz inversarea de faz necesar
pentru comanda n contratimp a tranzistoarelor finale.
Dezavantajul schemei:
Etajul de comand vede spre etajul final impedane neegale; ntr-o semialternan
impedana de intrare include o singur jonciune baz emitor VT3, iar n cealalt, dou
n serie VT1 i VT2, ceea ce poate determina distorsiunea semnalului de ieire. n acest
caz 2 int 1 int
R R
, n timp ce
+

ie ie
R R
.
n fig.1.25 se prezint un alt etaj de ieire cu tranzistori compui i simetrie
complementar.

Circuitul este simplu, fiind totodat simetric din punct de vedere al intrrii, n sens
c n fiecare semialternan curentul de intrare include o singur jonciune baz emitor
(VT1 sau VT3) 2 int 1 int
R R
.
n dependen de conectarea tranzistorilor simpli ce intr n combinaie i conectarea
combinaiei, adic a tranzistorului compus, se pot obine indici ai etajului echipat cu
tranzistori compui, imposibili n caz de utilizare numai a tranzistorilor obinuii. De
VT1
VT2
VT3
Rs
U1
+Ec
-Ec
VT4
Fig.1.24. Etajul de ieire cu tranzistori cuasi-complementari
2 int 1 int
R R
+

ie ie
R R
VT1
VT3
Rs
U1
+Ec
-Ec
VT4
VT2
Fig.1.25. Etajul de ieire cu tranzistori compui i
simetrie complementar
141
exemplu, rezistena de intrare este mult mai mare, rezistena de ieire mult mai mic,
coeficientul de amplificare n curent mult mai mare etc.
Cea mai larg utilizare, tranzistorii compui, au gsit-o n amplificatoarele de putere
mrit i amplificatoarele integrate. Tehnologia circuitelor integrate permite
confecionarea tranzistorilor compui cu parametri ridicai, ceea ce n sfrit aduce la
simplificarea schemei electrice a circuitului amplificator integrat.
Etajul echipat cu tranzistori compui reprezint, n principiu, un etaj complicat, etaj
compus din 2 etaje obinuite (monociclu), dintre care primul l excit pe al doilea. Din
aceste considerente, etajul cu tranzistori compui se poate analiza i calcula prin una din
cele 2 metode: sau ca amplificator compus din dou etaje, calculndu-se fiecare etaj aparte,
sau ca un singur etaj echipat cu tranzistor compus echivalent, preventiv determinndu-se
pentru el parametrii echivaleni. Pentru fiecare din cele dou metode se pot folosi relaiile
de calcul al unui etaj obinuit. n ce privete parametrii echivaleni ai tranzistorului
compus, ei pot fi determinai din schema echivalent a tranzistorului compus, obinut din
schemele echivalente ale fiecrui tranzistor ce intr n componena lui.
Precutm cteva scheme electrice principiale cu dou etaje, echipate cu tranzistori
compui, pe larg utilizate n tehnica amplificatoare.
n fig. 1.26 (a) este artat schema unui repetor pe emitor compus (sau altfel spus,
repetor pe emitor dublu), cu dou tranzistoare VT1 i VT2 de aceeai structur n-p-n (pot
fi i de structur p-n-p, dar cu polaritatea tensiunii de alimentare de sens opus), n care
fiecare tranzistor i n ntregime toat combinaia tranzistoarelor, adic tranzistorul
compus, sunt n conectare CC. Aa conectare de tranzistori permite majorarea
coeficientului de amplificare n curent i rezistena de intrare a circuitului i, de asemenea,
permite micorarea rezistenei lui de ieire, ce pe larg se utilizeaz att n etajele de intrare,
ct i n cele de ieire a circuitelor amplificatoare.
Repetorul pe emitor dublu prezentat, n fig.1.26 (a) poate fi analizat i calculat prin
calcularea fiecrui etaj n parte, ncepnd cu repetorul doi (pe VT2), utilizndu-se relaiile
obinute mai nainte pentru repetorul pe emitor obinuit.
142
Totodat, repetorul pe emitor dublu poate fi prezentat i ca un singur repetor pe
emitor, echipat cu un singur tranzistor compus de aceeai structur (fig.1.26 (b)), dar cu
parametrii lui echivaleni. n acest caz, repetorul pe emitor compus nu trebuie analizat,
deoarece pentru calculul lui pot fi utilizate relaiile de calcul ale repetorului pe emitor,
echipat cu un tranzistor simplu, nlocuindu-se parametrii de tranzistor simplu cu parametrii
echivaleni de tranzistor compus.
n domeniul frecvenelor medii i joase coeficientul static echivalent de amplificare n
curent al tranzistorului compus se determin de relaia:
( ) ( )
2 . E 21 1 . E 21 1 . E 21 2 . E 21 1 . E 21 1 . E 21
1 B
2 . e 21 1 . E 21 1 B 1 B 1 . E 21 1 B 1 B
1 B
2 . E 21 1 E 1 E
1 B
2 E
. comp . E 21
h h 1 h h h 1 h 1
I
h ) h I I ( ) h I I (
I
h I I
I
I
h
+ + + + +

+ + +

+

Parametrul echivalent . comp . E 11
h
este:
( )
2 . E 11 1 . E 21 1 . E 11 . comp . E 11
h h 1 h h + +
.
La frecvene nalte parametrii . comp . E 21
h
i . comp . E 11
h
sunt de caracter complex.
Evideniem, c dac VT1 i VT2 sunt aproape de aceeai putere, atunci n schem,
pentru egalizarea regimurilor lor de lucru n curent continuu se introduce rezistena
suplimentar R
sup
(privete linia punctat), ceea ce permite majorarea parametrilor
b)
a)
Fig.1.26. Schema unui repetor pe emitor dublu:
a) Repetorul pe emitor dublu cu dou tranzistoare;
b) Repetorul pe emitor dublu cu un tranzistor compus
143
. comp . E 21
h
i . comp . E 11
h
. La prima privire, aceasta ar fi ca o nedumerire, deoarece untarea
intrrii tranzistorului VT2 de rezistorul R
sup
micoreaz puin parametrul . comp . E 21
h
:
2 . E 21
2 . E 11 sup
sup
1 . E 21 1 . E 21 . comp . E 21
h
h R
R
) h 1 ( h 1 h
+
+ +
+ .
ns aici nu sunt contradicii. Problema este n aceea, c n lipsa rezistenei R
sup
curentul 01 . E
i
este egal cu curentul 02 . B
i
i, dac tranzistorii dispun de puteri aproximativ
egale, tranzistorul VT1 va lucra n regim de cureni mici, ce condiioneaz, la rndul su,
micorarea parametrului 1 . E 21
h
i, prin urmare, micorarea parametrului . comp . E 21
h
. Prin
conectarea ns a rezistenei R
sup
, curentul 01 . E
i
al tranzistorului VT1 nu este limitat de
curentul baz al tranzistorului VT2, i el poate fi ales astfel, ca parametrul 1 . E 21
h
s fie de
valoare mare, ce n sfrit va majora . comp . E 21
h
.
n plus la aceasta trebuie de evideniat c rezistorul R
sup
mbuntete stabilitatea
termic a curenilor de curent continuu ai tranzistorilor.
Dezavantajul schemei din fig. 1.26 const n aceea c divizorul de polarizare R
1
R
2
micoreaz esenial rezistena de intrare a repetorului.
O
rezisten de intrare comparativ mare posed repetorul pe surs compus (dublu),
care este analogul repetorului pe emitor compus precutat. n fig. 1.27 este prezentat
schema repetorului pe surs (RS) compus, echipat cu doi tranzistori cu efect de cmp cu
canale de tip n (n schem se pot include TEC i cu canale de tip p, ns cu schimbarea
totodat i a polaritii sursei de alimentare).
Rezistena de intrare mare a schemei din fig. 1.27 este condiionat nu numai de
rezistenele mari ale ambilor tranzistori cu efect de cmp (mai ales de conectare DC), dar i
din contul rezistenei R
G
de valoare mare, conectat

ntre grila VT1 i punctul mediu al
rezistoarelor R
G1
i R
G2
ale divizorului, conectat la intrarea VT1, i de asemenea de
condensatorul C, ca i n schema precedent de RS cu un singur TEC.
Fig.1.27. Schema repetorului pe surs compus
144
Schemele artate n fig. 1.26 i 1.27 pot fi utilizate n calitate de etaje de intrare sau
etaje de ieire ale circuitelor amplificatoare.
Trebuie de menionat, c tranzistorul compus din dou tranzistoare bipolare de
aceeai structur, conectate dup schema RE dublu (ca i n schema din fig. 1.26 (a)), pe
larg este utilizat i n proiectarea etajelor de ieire n doi timpi, fr transformator.
Menionm, c dac n schema din fig. 1.26 (a) sarcina din circuitele emitor ale
tranzistoarelor VT1 i VT2 o transferm n circuitele lor colector, atunci fiecare din aceti
tranzistori i combinaia lor n ntregime, adic tranzistorul compus VT
comp
, vor avea
conectare EC (fig. 1.28 (a), (b)). n cazul domeniului de frecvene medii i joase,
parametrii echivaleni . comp . E 21
h
i . comp . E 11
h
ai tranzistorului compus VT
comp
se determin
de relaiile:
( )
2 . E 21 1 . E 21 1 . E 21 . comp . E 21
h h 1 h h + +
( )
2 . E 11 1 . E 21 1 . E 11 . comp . E 11
h h 1 h h + +
Trebuie de inut cont de faptul, c la frecvene nalte aceti parametri sunt de caracter
complex.
Fig.1.28. Schema unui repetor pe emitor dublu cu
conectarea tranzistorului compus EC:
a) Repetorul pe emitor dublu cu dou tranzistoare;
b) Repetorul pe emitor dublu cu un tranzistor
compus
b)
a)
145

ns schema din fig. 1.28 (a), (b) cedeaz schemei din fig.1.23 (a) n ce privete
rezistena de intrare (ea este mai mic) i caracteristica de frecven i de tranziie (ele vor
fi mai puin atractive), ns ea depete schema din fig.1.26 dup coeficientul de
amplificare n tensiune (este mai mare ca unitatea).
Mrirea rezistenei de intrare a schemei din fig. 1.28 (a) poate avea loc prin nlocuirea
tranzistorului bipolar VT1 cu divizorul lui de polarizare R
1
R
2
cu un tranzistor cu efect de
cmp cu divizor, unde ntre punctul lui mediu i gril este conectat rezistorul R
G
de
rezisten mare, dup cum este prezentat n fig. 1.29.
O alt schem des utilizat, de asemenea, cu tranzistor compus, dar echipat cu
tranzistori de structur diferit, este artat n fig. 1.30 (a). n ea tranzistorul VT1 de
structur p-n-p este n conectare EC (ns cu reacia negativ n circuitul emitor, deoarece
tensiunea de ieire a schemei este introdus n circuitul ei emitor), i tranzistorul VT2 de
structur n-p-n, de asemenea, este n conectare EC (deoarece emitorul lui este conectat la
ina de alimentare, de potenial nul n curent alternativ). Destinaia rezistenei R
sup
este
aceeai ca i n fig.1.26 (a).
Schema din fig.1.30 (a) poate fi analizat i calculat din etaj n etaj aparte ca i un
amplificator compus din dou etaje cu reacie negativ de 100 %. Dar dac combinaia de
tranzistori VT1 i VT2 se nlocuiete cu un tranzistor compus, atunci se obine schema de
repetor pe emitor pe tranzistorul compus VT
comp
de structura p-n-p (fig.1.30 (b)). Pentru
calculul acestei scheme pot fi folosite toate relaiile utilizate pentru calculul RE cu un
singur tranzistor. Trebuie de menionat, c tranzistorii VT1 i VT2 n schema din fig.1.30
(a) pot fi i de alt structur, cu condiia c polaritatea sursei de alimentare E
al
este de sens
opus. n acest caz i n schema din fig.1.30 (b), care este analogul schemei din fig.1.30 (a),
structura tranzistorului compus VT
comp
i polaritatea tensiunii de alimentare E
al
vor fi de
sens opus.
n domeniile frecvenelor medii i joase, relaia ce determin coeficientul static
echivalent de amplificare n curent al tranzistorului compus din fig.1.30 (a), (b) este:
( ) ( )
), h 1 ( h
I
h 1 h I
I
h 1 I
I
I
h
2 E 21 1 E 21
1 B
2 E 21 1 E 21 1 B
1 B
2 E 21 1 C
1 B
2 E
comp . E 21
+
+

+

Fig.1.29. Schema repetorului pe surs
compus cu conectare surs comun
146
iar parametrul echivalent comp . E 11
h
este egal cu parametrul
1 E 11
h
, adic 1 E 11 comp . E 11
h h
.
Menionm nc o dat, c la frecvene nalte, parametrii comp . E 21
h
i comp . E 11
h
sunt de
caracter complex.
Schema din fig.1.30 (a), (b) n amplificatoare de asemenea poate fi utilizat att ca
etaj de intrare, ct i de ieire. Trebuie de asemenea de remarcat, c tranzistorul compus
precutat, alctuit din doi tranzistori bipolari de structur diferit pe larg se utilizeaz i n
etajele de ieire n doi timpi fr transformator.


Fig.1.30. Schema unui repetor pe emitor dublu cu
tranzistoare de structur diferit n conectarea EC:
a) Repetorul pe emitor dublu cu dou tranzistoare;
b) Repetorul pe emitor dublu cu un tranzistor compus
b)
a)
147
1.5. Polarizarea etajelor de ieire clasa AB, echipate cu
tranzistoare complementare

Etajele prefinale sunt etaje de regimul clasa A. Etajele prefinale pe de o parte
trebuie s asigure comanda etajelor finale n aa fel nct acestea s aib un randament ct
mai mare, iar pe de alt parte s asigure polarizarea lor cu scopul de a liniariza
caracteristica de transfer. Cea mai simpl prepolarizare este introducerea ntre baze a unei
rezistene R (fig.1.31).
Acestei metode de polarizare i sunt caracteristice urmtoarele insuficiene:
- dac tensiunea dintre cele dou baze este prea mic, caracteristica de transfer are o mic
zon moart i deci pot aprea distorsiuni de amplitudine;
- dac, dimpotriv, aceast tensiune este prea mare, poate aprea pericolul strpungerii
termice a tranzistoarelor finale.
Pentru evitarea acestor insuficiene este necesar ca tensiunea de polarizare a bazelor
celor dou tranzistoare finale s depind de temperatur.
n fig.1.32 este artat un circuit de polarizare bazat pe utilizarea unui termorezistor
R
T
cu coeficient de temperatur negativ. Rezistoarele R
1
i R
2
permit obinerea unei
dependene liniare a valorii R
T
||R
2
de temperatur, necesar pentru a compensa dependena
VT2
VT1
VT3
R
Rs
U1
-Ec
+Ec
Rc1
Fig.1.31. Metoda cea mai simpl de
prepolarizare a etajului de ieire
148
(de asemenea liniar) tensiunii baz emitor a tranzistoarelor finale de temperatur.

Dioda Zener DZ (fig.1.32) are la bornele ei o tensiune constant, ceea ce asigur
obinerea unei tensiuni de polarizare 2U
BE
independent de valoarea curentului de colector
al tranzistorului VT1.
Rezistena reglabil R permite obinerea curentului de repaus dorit n tranzistorul
final.
Asemenea scheme au performane relativ bune. Ele, n majoritate, se utilizeaz n
amplificatoarele de putere, realizate cu componente discrete sau circuite integrate hibride.
O soluie mult mai atractiv i n acelai timp compatibil cu cerinele tehnologice
integrate const n polarizarea bazelor tranzistoarelor finale prin utilizarea a dou jonciuni
polarizate direct (fig.1.33).
Dac aceste jonciuni au caracteristici identice cu jonciunile baz emitor a
tranzistoarelor finale i se gsesc n contact termic direct cu ele se poate reduce esenial
dependena curentului de repaus a tranzistoarelor finale de temperatur.
VT2
VT1
VT3
R2
Rs
U1
-Ec
+Ec
R
DZ
RT
R1
R3
Fig.1.32. Schema cu circuit de polarizare bazat pe
utilizarea unui termorezistor
149

Introducerea unor rezistene de valori mici r (fig.1.33) n emitor i mai mult
mbuntete aceste performane. Cderea de tensiune pe aceste rezistoare reduce
tensiunea baz emitor a tranzistoarelor i tinde astfel s stabilizeze curenii de polarizare.
Valorile acestor rezistoare prezint un compromis ntre creterea stabilitii punctului de
funcionare, ce necesit utilizarea unor rezistoare de valori mari i obinerea unui
randament ridicat, care necesit utilizarea unor rezistoare de valori mici. n mod uzual
aceste rezistoare au valori de aproximativ 25 pentru amplitudini ale curentului de ieire
pn la aproximativ 20 mA.
Circuitul din fig.1.33 are un dezavantaj principial nu permite controlul riguros al
curentului de repaus al tranzistoarelor finale, deoarece tensiunile corespunztoare
polarizrii directe a celor dou jonciuni sunt relativ fixe (adic tensiunea nu poate fi
reglat). Din acest punct de vedere, ar fi ideal ca ntre cele dou baze s se foloseasc o
diod identic cu tranzistoarele finale din punct de vedere al comportrii cu temperatura,
dar cu o tensiune reglabil.
O asemenea comportare se poate obine utiliznd circuitul din fig.1.34, n care VT
p
este un tranzistor identic cu tranzistoarele VT2 i VT3.
VT2
VT1
VT3
r
Rs
U1
-Ec
+Ec
r
VD1
VD2
R
Fig.1.33. Schema cu circuit de polarizare bazat pe
utilizarea a dou jonciuni polarizate direct
150

Pentru tranzistorul VT
p
, neglijnd curentul baz, se poate scrie:
a b
b
CE
BE
R R
R
' U
' U
+

sau

,
_

+
b
a
BE CE
R
R
1 ' U ' U
. Aceast relaie arat c prin reglarea raportului rezistoarelor
b
a
R
R
se
poate regla valoarea tensiunii CE
' U
, respectiv a tensiunii aplicate ntre bazele celor dou
tranzistoare, la orice valoare mai mare dect
BE
' U
.
1.6. Particularitile etajului prefinal
Etajul de excitare (etajul prefinal) a amplificatorului de ieire dup cum a fost
menionat mai sus, de rnd cu polarizarea convenabil a tranzistoarelor finale trebuie s
asigure i excitarea lor, astfel nct s se obin un randament ct mai apropiat de valoarea
teoretic maximal, care dup cum se tie, pentru regimul clasa B este:
6 . 78
4 4
1
B

,
unde
C
CEsat C
E
U E

.
Aadar, pentru a obine randamentul maximal (78,6 %), este necesar ca factorul de
utilizare

a tensiunii de alimentare s fie ct mai apropiat de unitate (

1
).
n fig.1.35 (a) este artat schema unui etaj final contratimp, echipat cu tranzistori
complimentari; n fig. 1.35 (b) este artat un bra de etaj din care se poate determina
amplitudinea maximal a semnalului lui de ieire, iar n fig. 1.35 (c) excursul
semnalului de ieire n funcie de semnalul de comand.
Din fig. 1.35 (b) reiese c amplitudinea maximal a tensiunii de ieire este:
) 1 VT ( final . CEsat C 0 max . ie
U E U U
.
Deoarece tranzistoarele etajului final (VT1 i VT2) au conexiune colector
comun, valoarea corespunztoare a tensiunii de comand a etajului final trebuie s fie:
VT2
VT1
VT3
Rs
U1
-Ec
+Ec
R
Ra
Rb
VTp
UCE
UBE
Fig.1.34. Schema cu circuit de polarizare bazat pe
utilizarea unui tranzistor
151
. U U deoarece
, E U U E
U U U U U
1 VT . BE 1 VT . CEsat
C ) 1 VT ( BEfin ) 1 VT ( fin . CEsat C
~
0 ) 1 VT ( BEfin 1 in com
3 VT . C
<
> +
+
Obinerea unei tensiuni de ieire a etajului prefinal (care este tensiune de comand
pentru etajul final) mai mare dect E
C
implic utilizarea unor surse de alimentare
'
C
E
a
etajului prefinal mai mari dect ale etajului final, ce este evident inconvenabil.


Practic ambele etaje se alimenteaz de la una i aceeai surs. Asemenea etaje
introduc o limitare suplimentar n amplitudinea tensiunii de comand a etajului final.
Pentru a nelege aceast limitare principal, n fig. 1.36 sunt reprezentate
caracteristica de sarcin static i dinamic a etajului prefinal, din care urmeaz c
amplitudinea pozitiv U
03m
este mai mic dect amplitudinea negativ -U
03m
(fig. 1.37).

<
C fin . int C 03
~
3 S
R R R R R
,
unde R
int.fin
- rezistena dinamic de intrare n etajul final.
Fig.1.35. Schema unui etaj final contratimp (a), echipat cu tranzistori
complementari; braul de etaj din care determin amplitudinea maximal a
semnalului de ieire (b); excursul semnalului de ieire n funcie de
semnalul de comand (c)
-Ec
+Ec
Uin
=
+Ec
UBE
UCEsatVT1
Uiesmax=U0
VT1
Uin
U0=Uies
Ec-UCEsatVT1
-Ec+ UCEsatVT2
-Ec- UBEVT2 +UCEsatVT2
Ec+UBEVT1-UCEsatVT1
Ucomanda
Rs
UCEsatVT1
U
C
E
s
a
t
V
T
2
UBEVT2
UBEVT1
i0
VT1-in cond
VT2- bloc
VT1- bloc
VT2-in cond
U0
Rs
a)
b)
c)
152
Deoarece

<
C
~
3 S
R R
, rezult c amplitudinea pozitiv a tensiunii de ieire din etajul
prefinal este limitat de valoarea
~
3 S 3 C max 03
R I U
+
, pentru care tranzistorul (VT3, fig.1.37)
se blocheaz, ceea ce evident va limita i amplitudinea pozitiv a semnalului de ieire de
aproximativ aceeai valoare. Aceasta nseamn, de fapt, c etajul prefinal nu poate aduce
pe VT1 n saturaie; ca urmare, se reduce deci i factorul de utilizare a tensiunii de
alimentare pozitive a etajului final.
Un alt dezavantaj al schemei din fig.1.37 const n faptul c etajul prefinal lucreaz la
semnal mare, introduce distorsiuni neliniare mari datorite caracteristicii sale de transfer
exponenial, deci puternic neliniare.
Pentru ameliorarea factorului de utilizare a tensiunii de alimentare a schemei din fig.
1.37 o soluie ar fi alegerea unei rezistene de colector
'
C
R
de valoare mic, pentru ca
'
C fin . in
'
C
'
3 S
R R R R
, unde
fin . in
'
C
R R <<
(fig.1.37). Micorarea R
C
conduce ns la creterea
curentului de colector I
C3
i, ca urmare, a consumului de putere de la sursa de alimentare
pozitiv. Totodat crete i puterea disipat de VT3. De aceea schema prezentat n fig.
1.37 se poate folosi dect n cazuri particulare i numai la puteri foarte mici.
U
+
03m
U
-
03m
U
-
03m
< U
+
03m
R
=
C
E
C
, I
C3
i
C3
U
CE3
Dreapta dinamic de nclinaie
E
C
2E
C
Fig.1.36. Caracteristica de sarcin static i
dinamic a etajului prefinal
VT3
VT2
VT1
Rs
Circuit de
polarizare
Rc
+Ec
-Ec
U1
i
Fig.1.37. Schema posibil a unui etaj prefinal
153
Pentru mrirea tensiunii de ieire nedistorsionate din etajul prefinal, deci implicit
pentru mrirea factorului de utilizare a tensiunilor de alimentare se pot folosi o serie de
scheme.
Schema (fig.1.38) se bazeaz pe boot-stroparea rezistenei colector a tranzistorului
prefinal, ce const n divizarea rezistenei R
C
n dou rezistene
'
C
R
i
' '
C
R
, astfel ca
' '
C
'
C C
R R R +

. n aa caz, dreapta de sarcin static n planul caracteristicilor de ieire

rmne neschimbat.
Conexiunea boot-strop se obine prin introducerea unui condensator C (fig.1.38 (a))
ntre punctul comun al
'
C
R
i
' '
C
R
i borna de ieire. Acest condensator trebuie s aib o
reactan foarte mic, adic C

, ce poate fi considerat scurtcircuit pentru toate
frecvenele de lucru.
n fig. 1.38 (b) este artat schema echivalent pentru curentul alternativ, valabil n
semiperioada excitrii tranzistorului VT2; se neglijeaz rezistena dinamic a circuitului
de polarizare.
Rezistena de sarcin dinamic a tranzistorului VT3 devine:
( ) ( ) [ ]
2 E 2 B
' '
C
' '
C 2
'
S 2 E 2 B
' '
C
' '
~ 3 S
r r R / R 1 R r r R R + + + + +
,
n care
2 2 E 2 B
, r , r
- reprezint parametrii tranzistorului final, iar
'
C S
'
S
R R R
.
Aceeai relaie este valabil i pentru semiperioada de excitare a tranzistorului VT1
(fig.1.38 (c)).
VT3
VT2
VT1
Circuit de
polarizare
Rc
+Ec
-Ec
U1
U0
RC
C
RC
Rs
a)
VT1
Rs
Rc
Rc
U1
U0
RS3
VT3
c)
Fig.1.38. Schema cu boot-stroparea rezistenei colector a
tranzistorului prefinal (a), schemele echivalente n semiperioada
excitrii tranzistorului VT2 (b) i VT1(c)
Rs
VT2
Rs
Rc
Rc
U1
RS3
VT3
b)
154
n fig. 1.39 sunt reprezentate din nou dreptele de sarcin statice i dinamice n planul
caracteristicilor de ieire ale tranzistorului VT3 n ipoteza c

>
C
' '
3 S
R R
. Dup cum se
observ din fig. 1.39, s-au obinut o serie de avantaje importante n comparaie cu circuitul
din fig. 1.37:
Mai nti amplitudinea pozitiv maximal a tensiunii de ieirea U
03
a etajului
prefinal este de valoarea E
C
(U
03
=E
C
), ceea ce permite aducerea tranzistorului VT1 n
saturaie i, ca urmare, o ameliorare a factorului de utilizare a sursei de alimentare
pozitive
,
_

1
E
U
C
max . ies
.
n al doilea rnd, amplitudinea maximal a curentului colector I
m.max.C
al
tranzistorului VT3 este mai mic dect curentul colector de repaus I
0C3
. Aceasta
rezolv problema distorsionrii semnalului de ctre etajul prefinal, fiindc, n
comparaie cu fig. 1.37, se reduce considerabil curentul colector.
Singurul dezavantaj al circuitului din fig. 1.38, n comparaie cu fig. 1.37, const n
faptul c funcionarea acestui etaj are loc, conform celor de mai sus, numai atta vreme, ct
reactana condensatorului C este foarte mic, astfel nct el s poat fi considerat practic
scurtcircuit.
n general aceasta duce la sute i mii de microfarazi pentru frecvene de ordinul Hz,
ceea ce implic utilizarea condensatoarelor neintegrabile, urmnd a se ataa n exterior.
Boot-stroparea rezistenei de sarcin a etajului prefinal este utilizat frecvent n cazul
amplificatoarelor audio.
n circuitele integrate liniare, pentru ameliorarea factorului de utilizare a tensiunii de
alimentare pozitive, pentru tranzistorul etajului prefinal se folosete o sarcin activ
(dinamic) (fig.1.40).
Ca i n schema precedent, prin utilizarea sarcinii active rezistena de sarcin
dinamic a etajului prefinal este rezistena dinamic de intrare n etajul final, ceea ce
pentru o proiectare corect asigur, ca i n cazul utilizrii conexiunii boot-strop, aducerea
n saturaie a ambelor tranzistoare finale.

Dreapta de sarcin dinamic,
Dreapta de sarcin static
i
C3
U
CE3 2E
C
E
C
I
0C3
I
m.max
=I
~
C3.max
I
m.Cmax
Fig.1.39. Dreptele de sarcin statice i dinamice n planul
caracteristicilor de ieire ale tranzistorului VT3
155
1.7. Etaje amplificatoare cu sarcin dinamic
Etajele amplificatoare cu sarcin dinamic sau, altfel spus, cu sarcin activ se obin
din etajele rezistive cu tranzistoare bipolare precutate mai sus, n conectare EC i CC, i
etaje echipate cu TEC, n conectare SC i DC, prin nlocuirea n ele a rezistorului colector
(dren) R
C
(R
D
) n etajele EC (SC) i corespunztor a rezistorului R
E
(R
S
) n etajele CC
(DC) cu un tranzistor (tranzistor de tip bipolar sau TEC) n regim activ normal, conectat la
elementul amplificator (EA) al etajului cu colectorul lui (drena), iar la sursa de alimentare
cu emitorul lui (sursa).
n acest caz, rolul rezistenei colector (dren) l ndeplinete rezistena de ieire a
tranzistorului n curent alternativ sau, altfel spus, rezistena lui dinamic (diferenial),
care semnificativ (cu cteva ordine) depete rezistena de ieire a tranzistorului n
curent continuu. Acest tranzistor introdus suplimentar este sarcina dinamic a
tranzistorului.
nlocuirea rezistenei ohmice colector (dren) pasive cu o rezisten ohmic activ
duce la obinerea rezistenei de legtur de valoare mare cu pierderi de curent continuu
mici pe ea, absorbit de la sursa de alimentare. De asemenea avantaje sunt lipsite etajele n
care sarcina colector (dren) este o rezisten ohmic obinuit, deoarece majorarea
rezistenei (cu scopul de a mri coeficientul de amplificare n tensiune) condiioneaz
cderi de tensiune de alimentare de curent continuu pe ea (respectiv, i la pierderi de
putere adugtoare). Majorarea cderii de tensiune alimentar, la rndul su, n condiii
egale cere mrirea tensiunii sursei de alimentare, mrind riscul strpungerii electrice a
tranzistorilor i microschemelor, dar i scumpirea i mrirea dimensiunilor
microcircuitelor integrate, deoarece rezistorul de rezisten mare pe cristalul
microschemei ocup corespunztor i o suprafa mare.
Precutm particularitile schemotehnicii a ctorva etaje amplificatoare cu sarcin
dinamic.
n fig. 1.41 este artat una din cele mai simple variante de etaje echipate cu tranzistori
bipolari i sarcin dinamic. Elementul amplificator n etaj este tranzistorul bipolar VT1
de structur n-p-n n conectare EC, polarizat de divizorul R
1
R
2
. Tranzistorul VT2 de
VT3
VT2
VT1
Rs
Circuit de
polarizare
+Ec
-Ec
U1
U0
RC
Sarcina activ
Fig.1.40. Schema cu sarcin dinamic a etajului prefinal
156
structur opus, polarizat de divizorul su R
3
R
4
reprezint sarcin dinamic pentru EA,
adic pentru tranzistorul VT1. Circuitele de ieire ale ambilor tranzistori n raport cu sursa
de alimentare sunt conectate n serie. Ca urmare, curenii colector de curent continuu ai
tranzistoarelor VT2 i VT1 sunt egali I
0C.2
=I
0C.1
.
Conectarea tranzistoarelor VT2 i VT1 n aa mod este binevenit pentru stabilizarea
regimului lor de alimentare n curent continuu pentru fiecare tranzistor. Menionm c
sarcina dinamic de rezisten mare poate fi obinut numai din partea bornei colector a
tranzistorului VT2, deci numai atunci cnd n calitate de sarcin a EA VT1 se utilizeaz
rezistena de ieire a tranzistorului VT2. n etajul cu conectare EC aceasta poate avea loc
numai dac tranzistorul VT2 este de structur invers n comparaie cu structura EA.

Din familia caracteristicilor voltamperice statice de ieire a tranzistorului VT2 (fig.
1.42) se vede c rezistena lui de ieire n curent alternativ n punctul static de funcionare
(PSF) ales este
const i i
2 C
2 C
2 ies
2 B . 0 2 B
i
u
R

.
Valoarea rezistenei
2 ies R

a tranzistorului VT2 n curent alternativ este semnificativ mai

mare dect rezistena lui de ieire n curent continuu
const i i
2 C . 0
2 C . 0
2 ies
2 B . 0 2 B
i
U
R

.
Fig.1.41. Cea mai simpl variant de etaj echipat cu
tranzistori bipolari i sarcin dinamic
i
C2
i
0C2
PSF
u
C2
i
C2
i
B2
i
0B2
U
0C2
u
C2
Fig.1.42. Familia caracteristicilor voltamperice statice de
ieire a tranzistorului VT2
157
Rezistena mare a sarcinii dinamice ne permite de a o prezenta ca un generator de
curent stabil (GCS). Amintim c GCS este dispozitivul care se apropie de sursa ideal
(avnd, dup cum se tie, o rezisten de ieire infinit de mare), curentul creia, datorit
rezistenei de ieire infinit de mare, nu se modific cu schimbarea parametrilor circuitului,
n care el este conectat. n GCS rezistena dinamic (diferenial), adic rezistena n
curent alternativ oricnd este cu mult mai mare (cu cteva ordine) dect rezistena lui n
curent continuu. Aadar, tranzistorul VT2, ce ndeplinete rolul sarcinii dinamice, este cel
mai simplu generator de curent stabil (GCS).
Un GCS mai complicat dect cel din fig.1.41, ce ndeplinete funcia sarcinii
dinamice i a stabilizatorului regimului de alimentare a EA al etajului n curent continuu,
este artat n schemele din fig.1.43 (a) (d) de etaj cu tranzistoare bipolare n conectare EC.
Aceste scheme reprezint o dezvoltare de mai departe a schemei din fig.1.41.
n schema din fig. 1.43 (a) GCS este dat combinaia tranzistorului VT2 i a
rezistorului R
E2
(cu divizorul de polarizare pentru tranzistorul VT2 compus din conectarea
n serie a rezistorului R
B3
, a tranzistorului VT3 n conectare diodic i a rezistorului R
E3
).
Rezistorul R
E2
, conectat n circuitul emitor al tranzistorului VT2, realizeaz pentru
VT2 o reea de reacie negativ serie fa de intrare i ieire n curent alternativ i curent
continuu. Reacia negativ n curent alternativ semnificativ mrete rezistena de ieire a
tranzistorului VT2.
Graie acestei reacii negative, sarcina dinamic n form de combinaie a
tranzistorului VT2 i rezistenei R
E2
(adic un GCS mai complicat) este de o rezisten
mult mai mare dect n schema din fig.1.41.
158

a)
Fig.1.43. Scheme de etaj, echipate cu tranzistoare bipolare n
conectare EC cu GCS mai complicat (a, d) i caracteristicile de
trecere voltamperice ale GCS (b, c)
T
2
=T
1
+T
T
1
=25
0
C
U
0B.T2
U
0B.T1
i
0C.T2
i
0C.T1
i
C.GCS
u
B.GCS
b)
U
0D.T1=
U
0B.T1
U
0D.T2=
U
0B.T2
T
2
=T
1
+T T
1
=25
0
C
i
0D
c)
i
D
159

Reacia negativ n curent continuu stabilizeaz curentul continuu colector al
tranzistorului VT2 2 C . 0
i
i, ca urmare, curentul continuu colector al EA (VT1) 1 C . 0
i
,
deoarece n circuitul serie curge unul i acelai curent 1 C . 0 2 C . 0
i i
.n plus la aceasta, pentru
o stabilizare termic suplimentar a curenilor 2 C . 0
i
i 1 C . 0
i
, n divizorul de polarizare
GCS (VT2, R
E2
) este conectat tranzistorul VT3 n conectare diodic. n principiu,
tranzistorul VT3 cu conectare diodic poate fi nlocuit cu o diod (sau termorezistor cu
coeficient negativ de temperatur). Din punct de vedere tehnologic, n circuitele integrate
mai simplu i mai ieftin este de a utiliza tranzistorul, ntruct unirea mpreun a bazei cu
colectorul nu este o problem.
Mecanismul de stabilizare a curentului continuu colector al GCS cu ajutorul diodei
(sau tranzistorului n conectare diodic) n divizorul de polarizare a GCS la variaia
temperaturii mediului const n urmtoarele. Fie, de exemplu, temperatura mediului
ambiant s-a ridicat de la T
1
=25
0
C pn la T
2
=T
1
+T, ceea ce va provoca deplasarea n
stnga a caracteristicii de trecere voltamperice a GCS (fig.1.43(b)). Dac tensiunea de
polarizare a GCS ar fi fixat, aceasta ar duce la creterea nedorit a curentului continuu al
GCS de la valoarea iniial
1
T . C 0
i
pn la valoarea
2
T . C 0
i
(fig.1.43 (b)). ns, prezena
diodei n divizorul de polarizare menine curentul continuu al GCS constant: datorit
diodei, tensiunea de polarizare se culege de pe diod; cu creterea temperaturii ea se
micoreaz de la valoarea iniial
1
T . B 0
U
pn la valoarea
2
T . B 0
U
, ce stopeaz creterea
curentului continuu al GCS (fig.1.43 (b)). Aceasta se explic prin faptul c la creterea
temperaturii caracteristica voltamperic a diodei se deplaseaz n stnga (fig.1.43 (c)), i,
deoarece curentul prin diod (curentul divizorului) substanial depete curentul baz al
GCS, practic curentul prin diod rmne neschimbat, tensiunea pe diod, fiind egal cu
tensiunea de polarizare se micoreaz de la
1 1
T . B 0 T . D 0
U U
, pn la
2 2
T . B 0 T . D 0
U U
. Datorit
acestui fapt curentul static colector al GCS practic rmne neschimbat.
Schema din fig.1.43 (a) se deosebete printr-o stabilitate nalt a regimului de lucru n
curent continuu i printr-o sarcin dinamic mare.
d)
Fig.1.43. (continuare)
160
Schema din fig.1.43 (d) este analogic cu schema din fig.1.43 (a). ns n ea este
micorat numrul de rezistoare, ce este mai uor de utilizat n microcircuitele integrate.
Divizorul de polarizare al EA (VT1) aparte n aceast variant nu este, iar polarizarea lui
se obine cu ajutorul divizorului de polarizare deja existent GCS, n care rezistena R
B3
se
obine din dou rezistoare
'
3 B
R
i
' '
3 B
R
(
' '
3 B
'
3 B 3 B
R R R +
) n aa fel, nct pe
'
3 B
R
n circuitul
baz al EA (VT1) s se obin polarizarea lui necesar.
Variantele schemelor din fig.1.43 (a), (d) ilustreaz la concret posibilitile
schemotehnicii.
n mod analogic pot fi construite scheme de etaje echipate cu sarcin dinamic pe
baza tranzistoarelor cu efect de cmp. n fig.1.44, ca exemplu, este prezentat o variant
posibil a schemei de etaj echipat cu TEC (VT1) i sarcin dinamic de forma GCS cu
TEC (VT2). Pentru ridicarea rezistenei dinamice i a stabilitii GCS, el este cuprins de o
reacie negativ n circuitul sursei R
S2
.

Aici tranzistorul cu efect de cmp VT1 cu canalul de tip n, n conectare SC,
reprezint elementul amplificator (EA) al etajului, iar tranzistorul cu efect de cmp VT2,
cu canal obligatoriu de tip invers, conectat cu drena la EA, reprezint mpreun cu
rezistorul R
S2
sarcina dinamic pentru EA. Aceast schem dup proprieti este analogic
cu schemele din fig.1.43 (a), (d).
Deoarece schemele din fig.1.41, 1.43 (a), (d), 1.44 cu sarcin dinamic posed
proprietile etajelor cu EC i SC, atunci n calculul parametrilor lor se poate de utilizat
relaiile utilizate n etajele rezistive obinuite n conectare EC i SC corespunztor,
nlocuind n ele rezistenele R
C
i R
D
cu rezistena de ieire a GCS. Amintim c n schema
din fig. 1.41 aceasta va fi chiar rezistena de ieire a tranzistorului VT2 n curent alternativ
2 iesVT
~
R
, iar n schemele din fig. 1.43 (a), (d) i 1.44 ea se nmulete cu
*
2 VT . gol in
F
.
Mai departe precutm repetoarele cu sarcin dinamic.
Fig.1.44. Variant posibil schemei de etaj echipat cu TEC
161

n fig. 1.45 este artat cea mai simpl schem de repetor pe emitor cu sarcin dinamic.
n schema din fig. 1.45 tranzistorul VT1 de structur n-p-n cu divizorul lui de
polarizare R
1
R
2
este element amplificator. n circuitul lui emitor rezistorul tradiional R
E
este nlocuit cu tranzistorul VT2 de aceeai structur i polarizat de divizorul R
3
R
4
. Acest
tranzistor i este sarcin dinamic pentru EA (VT1). Amintim, c, deoarece se cere o
sarcin dinamic cu o rezisten de curent alternativ mare, care poate fi obinut numai
prin utilizarea rezistenei de ieire a tranzistorului VT2, tranzistorul VT2 la emitorul
tranzistorului VT1 (EA) trebuie unit numai cu colectorul su. n repetoare, aa conectare
este posibil numai cnd tranzistoarele sunt de aceeai conductibilitate (structur), dup
cum are loc unirea tranzistoarelor n schema din fig.1.45. Tranzistoarele, n raport cu sursa
de alimentare au conectare serie, ceea ce permite mrirea stabilitii lor de funcionare n
curent continuu.
n aa mod, n raport cu EA (VT1), tranzistorul VT2, mpreun cu divizorul su de
polarizare, prezint unul din cele mai simple generatoare de curent stabil (GCS),
ndeplinind rolul de sarcin dinamic pentru EA i stabiliznd regimul lui de lucru n
curent continuu.
O dezvoltare de mai departe a schemei din fig.1.45 este schema RE cu sarcin
dinamic, artat n fig.1.49. n ea, cu scopul de a mri suplimentar rezistena sarcinii
dinamice i stabilitatea regimurilor de lucru n curent continuu a EA (VT1), se utilizeaz
un GCS mai complicat dup structur. GCS este construit n baza tranzistorului VT2, ce
are ca rezisten de sarcin R
E2
conectat n circuitul lui emitor; divizorul lui de polarizare
este

dependent de temperatur i este compus din rezistena R
B3
, tranzistorul VT3 n
conectare diodic i rezistorul R
E3
.
Fig.1.45. Cea mai simpl schem de repetor
pe emitor cu sarcin dinamic
162
n aa mod se construiesc i schemele repetoarelor pe surs cu sarcin dinamic:
rezistorul R
S
se nlocuiete cu GCS, echipat cu TEC. Ca exemplu n fig.1.47 este
prezentat o schem simpl a repetorului pe surs EA (VT1) cu GCS n circuitul sursei cu
TEC (VT2) i rezistorul R
S2
. n aceast schem GCS ndeplinete 3 funcii concomitent:
asigur polarizarea EA (VT1), asigur stabilizarea regimului lui de funcionare n curent
continuu (stabilizeaz curentul continuu de dren 1 . D 0
i
a EA) i ndeplinete rolul de
sarcin dinamic de rezisten mare.
n calculul parametrilor schemelor RE i RS, precutate cu sarcin dinamic (fig.
1.44, 1.45, 1.46 i 1.47), pot fi folosite relaiile obinute pentru RE i RS obinuite,
nlocuind n ele rezistenele R
E
sau R
S
cu rezistena de ieire a GCS.
Etajele amplificatoare cu sarcin dinamic (cu GCS) gsesc o utilizare larg n
amplificatoarele, de obicei, de realizare integrat. Ultima se explic prin aceea, c n
tehnica circuitelor integrate tranzistoarele sunt mai ieftine ca rezistoarele. Menionm c
tranzistoare de baz n tehnica circuitelor integrate sunt tranzistoarele de structur n-p-n,
Fig.1.46. Schema complicat a RE cu sarcin dinamic
Fig.1.47. Schema repetorului pe surs cu sarcin dinamic
163
avnd, n comparaie cu tranzistorii cu structura p-n-p, mai buni parametri. La cele spuse
adugm c n schemele electrice principiale ale tehnicii circuitelor integrate tranzistoarele
se prezint fr cercuri.
Sfrind descrierea proprietilor etajelor amplificatoare cu sarcin dinamic (cu
GCS), evideniem urmtoarele momentecheie.
GCS este un mijloc foarte bun i efectiv n mbuntirea parametrilor etajelor
amplificatoare. Ele mai pe larg se utilizeaz n circuitele integrate, att pentru obinerea
polarizrii i stabilizrii regimului de lucru n curent continuu, ct i ca diferite sarcini
dinamice pentru EA a etajelor.
Deoarece GCS trebuie s posede o rezisten dinamic mare, tranzistorul GCS la EA
al etajului se conecteaz numai cu colectorul sau cu drena. n legtur cu aceasta, dac
GCS se realizeaz cu tranzitoare de structur p-n-p sau cu canal de tip p (privete
schemele etajelor cu EC i SC din fig. 1.41, 1.43 (a), (d) i 1.44), atunci el trebuie
conectat la borna pozitiv a sursei de alimentare. Astfel de GCS parc ar impune curentul
stabil al elementului amplificator din etaj. Din aceast cauz, n literatur, el este numit
surs de curent. n cazul n care GCS este realizat pe tranzistoare de structur n-p-n sau
cu canal de tip n (privete schemele cu RE i RS din fig. 1.45, 1.46 i 1.47), el trebuie
conectat la borna negativ a sursei de alimentare. Astfel de GCS parc ar racorda curentul
stabil de la elementul amplificator al etajului i de aceea n literatur el se numete priz
de curent.
Urmeaz de menionat c n circuitele integrate mai des se utilizeaz GCS de tip
priz de curent, deoarece, cum s-a menionat mai sus, tranzistoare de baz n circuitele
integrate sunt tranzistoare de structur n-p-n, care, fiind realizate n componena
circuitului integrat, au parametri mult mai buni dect tranzistoarele de structur p-n-p. Iat
de ce parametrii GCS priz de curent sunt mai buni dect parametrii GCS surs de
curent.

2. Amplificatoare de semnal contratimp fr
transformator la ieire
2.1. Noiuni generale
n canalele de modulaie n frecven (n canale postdetectoare) contemporane de
emisie i n dispozitivele radioreceptoare profesionale, dar de asemenea i n diverse
dispozitive de nregistrare, o utilizare larg i gsesc amplificatoarele de semnal fr
transformator la ieire de calitate nalt, echipate cu tranzistoare bipolare i cu tranzistoare
cu efect de cmp (TEC), realizate n mod discret, integral sau mixt, cu puteri de ieire de
la zecimi de watt pn la 20-50W.
Ele se caracterizeaz printr-o stabilitate nalt n regim de curent continuu, prin
stabilitatea coeficientului de amplificare i a tensiunii semnalului de ieire, distorsiuni
liniare i neliniare mici (de faz i frecven), nivel mic al zgomotului propriu, un mare
diapazon dinamic i de asemenea gabarit, mas i pre redus.
Caracteristicile nalte ale acestor amplificatoare se asigur prin alegerea
soluiilor optimale ale schemelor electrice i regimurilor de lucru ale etajelor, utilizarea
elementelor termodependente i a reelelor de reacie local i global n curent i tensiune
att dup semnal, ct i dup alimentare.
164
Amplificatoarele de semnal fr transformator la ieire se deosebesc de cele
cu transformator, n general, prin particularitile de construcie i de calcul ale etajelor
finale i prefinale. Aceste deosebiri sunt determinate de conectarea fr transformator a
sarcinii externe la tranzistoarele de ieire ale acestor amplificatoare. Principalele
caracteristici ale amplificatoarelor multietaj fr transformator, n mare parte, sunt
determinate anume de proprietile etajelor de ieire.
Schema de structur general a unui canal de amplificare cu amplificator de semnal
de frecven joas fr transformator la ieire poate fi considerat ca cea artat n
fig.2.1, unde APSFJ- amplificator de putere de semnal de frecven joas; BRAP- bloc de
reglare i amplificare preventiv.
Numrul total de etaje ale amplificatoarelor fr transformator depinde de utilizarea
concret a amplificatorului respectiv.

De remarcat c baza tuturor variantelor posibile de amplificatoare fr transformator
o formeaz amplificatoarele de putere de frecven joas, cu cuplare galvanic ntre etaje
i cu cuplare galvanic sau capacitiv cu sarcina extern, cuprinse de o reea de reacie
negativ global. Anume aceast reea de reacie negativ, n general, asigur un nivel
nalt al indicilor amplificatorului de putere.
n raport cu ieirea, reeaua de reacie negativ se execut paralel, adic n tensiune
(n curent continuu i n curent alternativ), ce este dictat de necesitatea stabilizrii tensiunii
de ieire i de micorarea rezistenei de ieire a amplificatorului de putere.
n raport cu intrarea, reeaua de reacie negativ se execut paralel sau serie i
depinde de numrul de etaje ale amplificatorului i de posibilitatea acestor etaje de a
defaza sau nu semnalul amplificat. Numrul de etaje ale amplificatorului de putere n
majoritatea cazurilor nu depete 2-3, deoarece, n cazul cuprinderii cu o reea de reacie
negativ global a unui numr mai mare de 3 etaje, este dificil asigurarea unei funcionri
stabile a amplificatorului. Cu toate acestea, trebuie de remarcat c stabilitatea funcionrii
n asemenea cazuri, n principiu, poate fi asigurat prin conectarea n amplificator a unor
circuite speciale de corecie.
n caz general, semnalul sursei cu o tensiune electromotoare surs
E
i cu o impedan
intern surs
R
(spre exemplu, de la detectorul dispozitivului de radiorecepie) se aplic la
intrarea amplificatorului de putere printr-un bloc de reglare al volumului i tembrului
Fig.2.1. Schema de structur general a unui canal de amplificare
BRAP APSFJ
RRN
Sursa de
semnal
Sarcina
externa
Rsurs
Esurs
Iies.surs
Uies.surs
Iint.APSFJ
Uint.APSFJ
Iies
Uies
RS
165
semnalului i al amplificrii preventive al acestuia. Blocul sus-numit permite reglarea i
asigurarea unei puteri necesare a semnalului
~
ie
P
pe sarcina extern S
R
a amplificatorului
de putere (spre exemplu, un megafon electrodinamic, difuzor etc.) i a unei caracteristici
de amplitudine-frecven necesar care influeneaz tembrul sunetului. Blocul de reglare i
amplificare preventiv se simplific pn la reglatorul de amplificare (sau complet se
exclude dac acesta nu este prevzut de sarcina de proiectare).
Pentru amplificatoarele de putere mrit este nevoie de complicat schema etajului
final contratimp fr transformator, conectnd dup tranzistorii complementari de putere
relativ mic ai etajului final tranzistori de putere mare de structur identic (ambii
tranzistori trebuie s fie sau de tip n-p-n, sau p-n-p ). n acest caz, fiecare bra al etajului
final va conine doi tranzistori, iar tot etajul va conine patru tranzistori. Amplificarea mare
n curent i impedana de intrare mare a acestui tip de etaj, numit etaj final n contratimp
fr transformator pe tranzistori compui, permite micorarea puterii necesare pentru
excitarea acestuia i, ca rezultat, necesitatea utilizrii n etajul prefinal al unui tranzistor de
putere mare decade, adic permite utilizarea n etajul prefinal al unui tranzistor de putere
redus.
Etajul prefinal n aceste cazuri se execut n forma unui etaj rezistiv obinuit n regim
clasa A cu stabilizare emitor i conectare galvanic cu etajul final. Mai mult ca att, n
acest caz, destul de simplu se rezolv problema polarizrii i termostabilizrii n regim de
repaus a tranzistorilor etajului final cu ajutorul termorezistoarelor de stabilizare, ce au un
coeficient de temperatur negativ sau cu ajutorul diodelor de polarizare.
Utilizarea conectrii dup CC a tranzistorilor bipolari este determinat de indicii
calitativi nali ai etajului final (distorsiuni liniare i neliniare mici, zgomot mic,
stabilitatea de amplificare nalt) ca rezultat al utilizrii unei reele de reacie negative de
grad nalt (
9 , 0
), caracteristic repetoarelor pe emitor (cu o singur insuficien care
const n faptul c amplificarea n tensiune a repetorului pe emitor nu depete unitatea).
Aceast reea de reacie negativ local mrete efectul de mbuntire a indicilor
amplificatorului cuprins cu o reea de reacie negativ global.
Legtura tranzistorilor etajului final cu sarcina extern se execut, sau nemijlocit (n
acest caz se utilizeaz o surs de alimentare bipolar, adic dou surse de alimentare
identice cu o born comun), sau capacitiv (aici se utilizeaz o singur surs de
alimentare).
n ce privete etajele prefinale ale amplificatorului de putere, ele sunt monociclice n
regim clasa A, dup schema EC i CC cu stabilizare emitor, colector, sau mixt i cu
legtura dintre etaje galvanic sau rezistivcapacitiv.
Dup cum a fost menionat mai sus, amplificatoarele fr transformator pot fi
executate n form discret, integrat sau hibrid. Axndu-ne mai mult pe variantele micro-
schemelor integrate, totui trebuie de remarcat c variantele pe elemente discrete se
deosebesc printr-o flexibilitate mare n construcie, ceea ce permite obinerea unor indici
calitativi mult mai nali dect n cazul micro-schemelor integrate. Aceasta se explic prin
faptul c n variantele pe elemente discrete se reuete alegerea mult mai apropiat (dup
parametri) a tranzistorilor compui, asigurarea n etaje a unui regim de lucru optimal i
alegerea tranzistorilor de frecven nalt, ce permite utilizarea unei reele de reacie
negativ de grad mult mai nalt, fr nrutirea stabilitii de lucru a amplificatorului.
Amnunit ntrebrile legate de tehnica circuitelor i de calculul amplificatoarelor de
putere vor fi analizate n capitolele urmtoare. Cu toate acestea, o atenie deosebit se
166
acord amplificatoarelor de putere cu dou sau trei etaje. De remarcat c tehnica
circuitelor i calculul etajelor de ieire ale amplificatoarelor cu dou sau trei etaje, n mare
majoritate, nu se deosebesc.
2.2. Schemotehnica amplificatoarelor contratimp
cu dou etaje fr transformator la ieire
Conectarea direct (sau prin condensator) a sarcinii externe n circuitul de ieire a
elementelor active a amplificatorului permite excluderea din schema etajului final a unei
detalii nestandarde transformatorul de ieire i, ca urmare, lichidarea distorsiunilor de
faz, de frecven i a celor neliniare introduse de el, micorarea dimensiunilor, a masei, a
preului de cost i perfecionarea tehnologiei de producere. Anume prin aceste cauze se
explic marele interes fa de amplificatoarele de frecven joas fr transformator la
ieire. ns excluderea din schem a transformatorului de ieire creeaz unele dificulti n
asigurarea unei valori optimale a rezistenei de sarcin a elementului amplificatorului.
Conectarea direct (sau prin condensator) a sarcinii externe la amplificatorul fr
transformator la ieire se recomand doar numai n cazurile cnd rezistena de sarcin
impus a amplificatorului se apropie de valoarea optimal a rezistenei de sarcin a
circuitului de ieire a elementului amplificator ( ie S
Z R
). Aceast condiie n
amplificatoarele echipate cu tranzistori bipolari poate fi satisfcut relativ uor. Se explic
aceasta prin faptul c rezistena optimal a circuitului colector al tranzistorilor bipolari la
tensiuni de alimentare reduse i puteri de ieire medii dup valoare este aproape de valorile
reale ale sarcinii externe, cu care lucreaz amplificatorul, valoarea creia este dat de
sarcin la proiectare.
n prezent o utilizare larg o au amplificatoarele cu etaj de ieire n doi timpi fr
transformator i conectare succesiv a tranzistorilor n curent continuu. Aceste etaje, de
regul, funcioneaz n regimurile economice clasa B sau clasa AB (n caz de
necesitate ele pot fi proiectate i n regim clasa A). Randamentul maxim al circuitului de
ieire a astfel de etaje n regimul clasa B este de 78,5 % (iar n regimul clasa A de
doar 50 %) ca i n etajele cu transformator la ieire, ns randamentul real, de regul, se
dovedete a fi mai mare dect a celui cu transformator, care ntotdeauna introduce pierderi
suplimentare (nu este ideal).
Dup cum s-a mai menionat mai sus, cel mai frecvent sunt utilizate etajele de ieire
n doi timpi fr transformator, braele crora sunt conectate cu tranzistori compui, adic
doi tranzistori de structur diferit (n-p-n i p-n-p), dar cu parametri identici sau aproape
identici i doi tranzistori de aceeai structur (ambii de tip n-p-n sau p-n-p). Principalul
avantaj al etajelor finale echipate cu tranzistori compui const n posibilitatea utilizrii n
calitate de etaj prefinal al unui etaj rezistiv monociclu cu legtur galvanic (rezistiv,
direct etc.) ntre ieirea lui i etajul final, ce duce la micorarea numrului de elemente ale
amplificatorului i la mbuntirea considerabil a caracteristicii de amplitudine-frecven
(CAF) i a caracteristicii de faz-frecven (CPF).
n fig.2.2 este prezentat una din cele mai simple scheme ale etajelor finale n
contratimp i prefinal monociclu al unui amplificator de semnal de frecven joas cu
tranzistori compui n etajul final, alimentat de dou surse de alimentare (sau de o singur
surs de alimentare de tensiune dubl i cu born medie).
167
Aici tranzistorii de ieire VT4 i VT5 sunt de aceeai structur, iar tranzistorii VT2 i
VT3 de putere relativ mic sunt complementari. Braul etajului final pe tranzistorii VT2 i
VT4 prezint un repetor pe emitor dublat, iar cel pe tranzistorii VT3 i VT5 schema
dublat cu EC cu o reacie negativ de 100 % paralel n raport cu ieirea (dup tensiune)
i serie n raport cu intrarea (n circuitul emitor VT3 se aplic toat tensiunea de ieire a
etajului).
Parametrii acestor brae corespund unii altora, deoarece schema dublat n conectare
EC cu o reacie negativ de 100 %, paralel la ieire (n tensiune) i serie la intrare, ca i
repetorul pe emitor dublu, se caracterizeaz prin coincidena semnalelor de ieire i de
intrare dup faz, prin impedane de ieire mici, impedane de intrare mari i cu un
coeficient de transfer n tensiune aproape unitar. Rezistoarele
4 BE
R
i 5 BE
R
, conectate
ntre baz i emitorul tranzistorilor VT4 i VT5, mbuntesc stabilitatea termic a
etajului.
Rezistena lor se alege de aproximativ 510 ori mai mare ca rezistena de intrare n
curent alternativ 4 VT . int
R
i 5 VT . int
R
a tranzistorilor VT4 i VT5 la valoarea maxim a
semnalului de intrare. Alegerea acestor rezistene de valoare mai mic mrete stabilitatea
termic de regim, ns micoreaz amplificarea din cauza untrii lor considerabile a
circuitelor de intrare a tranzistorilor VT4 i VT5 n curent alternativ. Perechile de
tranzistori conectai serie VT2, VT3 i VT4, VT5 trebuie alese dup coeficientul de
amplificare n curent
E 21
h
i frecvena limit
E 21 h
f
, cu o abatere a acestor valori de cel
mult 1020 %. n cazul unor abateri mai mari i utilizrii considerabile a tensiunii
colector pot aprea distorsiuni neliniare, condiionate de limitarea semnalului.
+
-
+
-
Eal/2
Eal/2
Um.int1
Cd.int
VT1
R1
R2
RC1
VD
RT
RS
RBE4
RBE5
VT2
VT3
VT4
VT5
RE1
CE1
Rs
Eal/2-U0B2-U0B4
U
0
B
2
+
U
0
B
3
+
U
0
B
4
Eal/2-U0B3
U0C1
Um.ies1
U
0
C
4
=
E
a
l
/
2
U
0
C
5
=
E
a
l
/
2
Um.ies
Fig.2.2. Schema etajului final contratimp i prefinal monociclu
alimentat de dou surse de alimentare
t
0
168
n etajul final deoarece sarcina extern este conectat direct la ieirea circuitului
tranzistorilor, curentul ce curge prin sarcin nu conine componenta continu, deoarece
componentele curentului continuu de ieire a braelor sunt egale ca valoare, dar opuse ca
sens. Respectiv, pierderile sursei de alimentare n sarcin lipsesc i tensiunea dintre
colector i emitor la fiecare tranzistor al etajului final va fi de al
E 5 , 0
. Componentele
alternative ale curenilor din brae, cauzate de semnalul de intrare n regimul clasa B,
trec prin sarcin succesiv fiecare semiperioad a semnalului, crend pe sarcin o tensiune
alternativ de semnal cu amplitudinea ie . m
U
.
Tranzistorul VT1 din etajul prefinal monociclu, conectat dup schema EC, i care
lucreaz n regimul clasa A, este alimentat cu tensiunea al
E
. Legtura tranzistorului
VT1 a etajului prefinal cu etajul final este rezistiv; n schema de legtur intr rezistorul
1 C
R
n circuitul colector al tranzistorului VT1.
Cu ajutorul termorezistorului
T
R
se obine tensiunea de polarizare a tranzistorilor
VT2 i VT3 a etajului final i totodat se realizeaz termostabilizarea curenilor colector
de repaus ai acestor tranzistori. Cu scopul simplificrii obinerii regimului de
termostabilizare necesar, n paralel cu termorezistorul
T
R
se conecteaz o rezisten de
unt
R
de valoare prestabilit. Trebuie de remarcat c valoarea rezistenei
T
T
T
R R
R R
R R
+

, de regul, este mult mai mic ca rezistena colector 1 C

R
. De asemenea
trebuie de remarcat c n locul termorezistorului
T
R
pentru polarizare i termostabilizare
poate fi folosit o diod (linie punctat pe fig.2.2) sau cteva diode VD. Aceast variant
este de baz n circuitele integrate, deoarece n ele obinerea diodelor nu prezint
dificultate. Tensiunea de polarizare la baza tranzistorului VT1 a etajului prefinal este
asigurat de sursa de alimentare prin intermediul divizorului de tensiune
2 1
R R
. Pentru
stabilizarea curentului de repaus colector 1 C 0
i
a tranzistorului VT1 este utilizat
stabilizarea emitor cu ajutorul rezistorului
1 E
R
. Cu ct este mai mare valoarea rezistorului
1 E
R
i cu ct este mai mic valoarea rezistenei divizorului de tensiune
2 1
2 1
2 1 1 D
R R
R R
R R R
+

, cu att mai mare va fi gradul reaciei negative locale n curent
continuu, care se formeaz datorit conectrii rezistorului
1 E
R
i cu att mai mic este
curentul colector de repaus 1 C 0
i
al tranzistorului VT1. Pentru prentmpinarea reaciei
negative n curent alternativ (dup semnal), condiionat de prezena rezistorului
1 E
R
, care
reduce amplificarea etajului n curent alternativ, rezistorul
1 E
R
se unteaz n curent
alternativ cu un condensator
1 E
C
de valoare destul de mare. n conformitate cu
clasificarea reelelor de reacie, aceast reacie negativ local este serie n raport cu
intrarea i paralel n raport cu ieirea amplificatorului. De remarcat c n circuitele
integrate varianta cu o astfel de reea de reacie (adic fr condensatorul
1 E
C
) este de
baz.
Dac varianta circuitului din fig.2.2 este incomod din cauza utilizrii a dou surse de
alimentare (sau a unei surse cu born medie) sau, dac, conform cerinelor tehnice, sarcina
extern trebuie s aib legtur cu borna comun, atunci schema din fig.2.2 se modific
prin utilizarea unei singure surse de alimentare fr born comun, conectnd sarcina S
R

capacitiv, adic printr-un condensator de divizare ie . d
C
, dup cum este artat n fig.2.3.
Dup principiul de funcionare, schema din fig.2.3 nu se deosebete de cea din
fig.2.2. Trebuie doar de menionat funcia principal a condensatorului ie . d
C
, pe care el o
ndeplinete n etajul final la funcionarea lui n regimul clasa B, mpreun cu funciile
169
de baz de deconectare a sarcinii externe S
R
de la tranzistoarele de ieire VT4 i VT5 n
curent continuu i conectarea acestora n curent alternativ. Acest condensator, ncrcndu-
se pn la al
E 5 , 0
, la conectarea schemei joac rolul de surs de alimentare pentru braul
inferior al etajului final n acele semiperioade ale semnalului n care braul de jos se
deschide, iar cel de sus se nchide, ntrerupnd alimentarea braului inferior de la redresor.
De remarcat c n procesul de blocare i deblocare succesiv a braelor, tensiunea pe
condensator va varia nesemnificativ, crescnd datorit ncrcrii n timpul funcionrii
braului de sus i descrescnd datorit descrcrii pariale n timpul funcionrii braului de
jos. ns aceast variaie de tensiune ce are loc pe condensatorul ie . d
C
poate fi redus pn
la o valoare minim prin alegerea capacitii condensatorului de valoare destul de mare.

O dezvoltare de mai departe a circuitului amplificator din fig.2.3 este schema artat
n fig.2.4. Deosebirea ei de fig.2.3 este c divizorul de tensiune
2 1
R R
nu este conectat
nemijlocit la sursa de alimentare, ci la tranzistorul VT5. n acest caz, pentru polarizarea
bazei tranzistorului VT1 se utilizeaz tensiunea de alimentare 3 C 0
U
a tranzistorului VT3.
Totodat, concomitent cu polarizarea, n schem se creeaz o reea de reacie negativ
global (cuprinde toate etajele) paralel, i n raport cu intrarea, i n raport cu ieirea.
Culegerea paralel a semnalului de reacie negativ de la ieirea schemei nseamn c
reacia negativ va fi n tensiune, i n curent continuu, i n curent alternativ (n semnal).
+
-
Eal
Um.int1
Cd.int
VT1
R1
R2
RC1
VD
RT
RS
RBE4
RBE5
VT2
VT3
VT4
VT5
RE1
CE1
Rs
Eal/2-U0B2-U0B4
U
0
B
2
+
U
0
B
3
+
U
0
B
4
Eal/2-U0B3
U0C1
Um.ies1
U
0
C
4
=
E
a
l
/
2
U
0
C
5
=
E
a
l
/
2
Cd.ies
t
0
Fig.2.3. Schema etajului final contratimp i prefinal monociclu
alimentat de o surs de alimentare
170
n ce privete reacia negativ general n tensiune alternativ (dup semnal), ea va
micora distorsiunile de faz, distorsiunile de frecven, distorsiunile neliniare i va majora
stabilitatea coeficientului de amplificare. Plus la aceasta, trebuie de remarcat c deoarece
reacia negativ general n tensiune alternativ este paralel n raport cu intrarea, ea va
micora impedana de intrare i coeficientul de amplificare n curent (i respectiv
coeficientul de amplificare n tensiune) al schemei. Acest moment trebuie luat n
considerare n timpul calculului schemei. Dac gradul de reacie n semnal va fi mai mic
ca cel calculat la proiectare (din punct de vedere al micorrii distorsiunilor neliniare i de
frecven), atunci ea poate fi exclus, nlocuind rezistorul
1
R
cu dou rezistoare i
introducnd un condensator de dezlegare
f
C
(reacia negativ de tensiune de curent
continuu n acest caz rmne), iar n schem poate fi introdus o reacie negativ global n
curent alternativ dup semnal de un grad dorit cu ajutorul rezistorului
R
i a
condensatorului decuplator
C
, de o capacitate destul de mare aleas din condiia
( ) 100 ... 50
R
C
1
j

(fig. 2.5).
Trebuie de menionat c n toate schemele analizate valoarea mare a amplitudinii
tensiunii de ieire a etajului prefinal ie . m ) 3 ( 2 B 1 ie . m
U U U +
necesit i o valoare mare a
amplitudinii componentei alternative de curent colector (curent de semnal) de la
tranzistorul VT1 prin rezistorul 1 C
R
n circuitul colector al acestui tranzistor, ceea ce
impune mrirea puterii tranzistorului respectiv.

+
-
Eal
Um.int1
Cd.int
VT1
R1
R2
RC1
VD1
RT
RS
RBE4
RBE5
VT2
VT3
VT4
VT5
RE1
CE1
Rs
Eal/2-U0B2-U0B4
U
0
B
2
+
U
0
B
3
+
U
0
B
4
Eal/2-U0B3
U0C1
Um.ies1
Cd.ies
VD2
Fig.2.4. Schema etajului final contratimp i prefinal monociclu
cuprins de o reea de reacie negativ general
171
n caz de necesitate aceste mrimi (curentul i puterea) pot fi reduse prin cteva
modificri ale schemei de conectare a rezistorului 1 C
R
, aa cum este artat n fig.2.6, care
este schema din fig.2.4 modificat.
n aceast schem, cu ajutorul unui circuit RC special, toate tensiunile semnalului de
pe sarcina etajului final sunt introduse n circuitul colector al tranzistorului VT1 al etajului
prefinal n serie i n faz cu tensiunea semnalului pe 1 C
R
, obinut din contul curentului
alternativ colector al tranzistorului VT1.
Se poate spune c prin intermediul poriunii de circuit RC din schema fig.2.6 este
introdus o oarecare reacie pozitiv. La alegerea valorii rezistenei rezistorului R ne vom
conduce de urmtoarele considerente. Dintr-o parte, rezistorul R devine conectat n curent
alternativ, prin condensatoarele C i ie . d
C
n paralel cu sarcina S
R
.
+
-
Eal
Um.int1
Cd.int
VT1
R1
R2
RC1
RT
RS
RBE4
RBE5
VT2
VT3
VT4
VT5
RE1
CE1
Rs
U0C1
Cd.ies
R1
Cf
R

Fig.2.5. Schema etajului final contratimp i prefinal monociclu

cuprins de circuitul de reacie R

, C

172
De aceea valoarea rezistenei rezistorului R trebuie s fie mult mai mare ca S
R
,
pentru a micora pierderile de semnal pe aceasta.
Din alt parte, rezistorul R n curent continuu e conectat n raport cu sursa de
alimentare n serie cu 1 C
R
, deoarece rezistena rezistorului R trebuie s fie mai mic ca a
rezistorului R
C1
, pentru a reduce pierderile tensiunii de alimentare. De regul, rezistena R
se alege din condiiile 510R
s
R 0,10,2R
C1
. n ce privete valoarea capacitii
condensatorului C, ea se alege din condiia
( ) 10 ... 5
R
C
1
j

.
n ncheierea analizei schemelor din figurile 2.22.6 trebuie de menionat
urmtoarele.
Structurile tranzistorilor utilizai n aceste scheme, n caz de necesitate, pot fi
schimbate cu schimbarea concomitent a polaritii tensiunii de alimentare. Spre exemplu,
dac n etajul prefinal n loc de tranzistorul de structur n-p-n (cum este artat n figurile
analizate) va fi utilizat un tranzistor de tip p-n-p i n acest caz va fi nevoie de schimbat
polaritatea sursei de alimentare i respectiv structurile tranzistorilor VT2, VT3, VT4 i
VT5: n loc de VT2 va fi un tranzistor p-n-p, n loc de VT3-tranzistor n-p-n, n loc de
VT4 i VT5-tranzistori p-n-p.
Variantele analizate de etaje finale i prefinale formeaz baza multor circuite
amplificatoare de semnal de frecven joas fr transformator, utilizate n practic. Ele
pot fi complicate prin introducerea diverselor circuite suplimentare care mbuntesc
+
-
Eal
Um.int1
Cd.int
VT1
R1
R2
RC1
RT
RS
RBE4
RBE5
VT2
VT3
VT4
VT5
RE1
CE1
Rs
Eal/2-U0B2-U0B4
U
0
B
2
+
U
0
B
3
+
U
0
B
4
Eal/2-U0B3
U0C1
Um.ies1
Cd.ies
C
R
Fig.2.6. Schema etajului final contratimp i prefinal monociclu
cuprins de circuitul de reacie pozitiv RC
173
caracteristicile de exploatare ale amplificatoarelor (spre exemplu, a circuitelor de protecie
a tranzistoarelor de ieire, n caz de scurtcircuit n sarcin; circuite de corecie etc.).
n ncheierea acestui capitol menionm c dac sursa de semnal cerut cu o F.E.M.
E
surs
i cu o rezisten intern R
surs
nu asigur la intrarea amplificatorului de putere din
schemele din fig.2.22.6 nivelul necesar de tensiune i curent U
m.int1
i I
m.int1
necesar
pentru obinerea n sarcina S
R
a nivelului tensiunii de ieire U
m.ie
cerut i puterii de ieire
P
~
ie
cerute de semnal util, atunci la intrarea acestor etaje se conecteaz sau etaje
monociclu cu conectare rezistiv-capacitiv sau galvanic, sau amplificatoare operaionale
cu un coeficient de amplificare ce asigur mrimile U
m.int1
i I
m.int1
necesare. Aceste etaje
suplimentare sunt amplasate n BRAP-ul din schema bloc (fig.2.1).
Ca exemplu, n fig.2.8 este prezentat schema posibil a unui amplificator de putere
cu 4 etaje, avnd dou etaje preliminare echipate cu tranzistorii VT
prel.1
i VT
prel.2
. Baza
acestui amplificator o constituie schema etajului final cu tranzistori compui cuasi-
complementari VT2-VT3 i etajul prefinal cu tranzistorul VT1, care prezint o oarecare
modificare a schemei amplificatorului n dou etaje artat n fig.2.4. Modificarea const
n nlocuirea elementelor de polarizare i termostabilizare R
T
(cu untul R

) prin diodele
VD1 i VD2; n adugarea circuitului special RC pentru simplificarea condiiilor de lucru
a tranzistorului prefinal VT1 i adugarea rezistenelor de reacie R
4
i R
5
n circuitele
emitor ale tranzistorilor de ieire VT4 i VT5 cu scopul de a simetriza braele etajului
contratimp. n principiu, neschimbat n aceast modificaie rmne utilizarea a dou
sisteme de stabilizare a regimului de lucru a tranzistorilor etajului final sistemul de
termostabilizare a curenilor continui colector ai tranzistorilor de ieire (ns cu
modificarea R
T
i R

prin VD1 i VD2 menionat mai sus) i sistemul de stabilizare a

tensiunilor de curent continuu colector identice
2
E
U
al
C 0

pe tranzistorii VT2VT4 i
VT3VT5 prin intermediul unei reele de reacie negativ galvanic paralel att n raport
cu intrarea, ct i cu ieirea cu ajutorul divizorului R
1
i R
2
.
Menionm c utilizarea diodelor (uneia sau a mai multor, unite serie una cu alta) n
locul termorezistorilor se utilizeaz pe larg att n dispozitivele discrete, ct i n cele
integrate. Vom remarca c la realizarea n form discret diodele se fixeaz nemijlocit pe
carcas sau pe radiatorul unuia din tranzistori. Mecanismul de termostabilizare cu ajutorul
diodelor se reduce la urmtoarele.
La creterea temperaturii tranzistorilor VT2 i VT3, concomitent crete i
temperatura diodelor VD2 i VD3. CVA a fiecrei diode ce se deplaseaz la dreapta cu
aproximativ 2,2 mV/C (fig.2.7).
174
Concomitent, curentul fiecrei diode i
0VD
practic rmne constant, deoarece se
determin n principal de curentul colector i
0C
stabilizat al tranzistorului VT1, care este
considerabil mai mare dect curenii de polarizare i
0B2
i i
B03
ai tranzistorilor VT2 i VT3.
n rezultat se micoreaz cderea de tensiune pe fiecare diod de la U
0VD.T1
la U
0VD.T2
(fig.2.8), care duce la micorarea curenilor de polarizare i
0B2
i i
0B3
ce contravine creterea
curenilor i
0C2
i i
0C3
. Fiindc caracterul de schimbare a CVA a diodelor i a CVA de
intrare a tranzistorilor este asemntor, atunci termostabilizarea prin utilizarea diodelor
este mult mai efectiv dect prin utilizarea termorezistorilor.
n privina etajelor preliminare din schema artat n fig. 2.8, se poate spune
urmtoarele. Primul etaj preliminar (etaj de intrare) a amplificatorului are executare EC
(tranzistorul VT
prel.1
) i funcioneaz n regimul clasa A. Polarizarea bazei VT
prel.1
se
realizeaz cu ajutorul divizorului R
1.prel.1
i R
2.prel.1
. Rezistorul R
Eprel.1
formeaz reeaua de
reacie negativ i este element de termostabilizare emitor n curent continuu (stabilizeaz
curentul colector a VT
prel.1
). Semnalul amplificat de primul etaj preliminar se aplic la al
doilea etaj preliminar, realizat n conexiune CC pe tranzistorul VT
prel.2
, care de asemenea
funcioneaz n regimul clasa A. Rezistorul R
2.prel.2
i R
1.prel.2
formeaz divizorul de
polarizare pentru tranzistorul VT
prel.2
. Rezistorul R
Eprel.2
intr n sarcina emitor i
concomitent asigur stabilizarea curentului continuu colector VT
prel.2
. Necesitatea n
repetorul pe emitor (CC) este dictat de impedana de intrare mic a etajului prefinal din
cauza reelei de reacie negativ global paralel ce cuprinde etajul final i prefinal.
Datorit repetorului pe emitor pe VT
prel.2
, primul etaj asigur o amplificare mare a
semnalului, ce nu ar fi fost posibil dac primul etaj ar fi lucrat la o impedan de intrare
mic a etajului urmtor. n circuitul de alimentare a primelor dou etaje este conectat
filtrul R
f
C
f
, care asigur atenuarea reaciei parazite, ce poate avea loc ntre etaje prin sursa
de alimentare comun i amortizarea suplimentar a pulsaiilor tensiunii de alimentare de
redresorul E
al
.
n schema din fig. 2.8, n afar de reeaua de reacie negativ global paralel n
tensiune prin intermediul rezistenelor R
1
i R
2
, ce cuprinde etajele final i prefinal n
curent continuu i tensiune de curent continuu, poate fi realizat i o reea de reacie
negativ global serie n raport cu intrarea i paralel n raport cu ieirea prin intermediul
R

i R
Eprel.1
(vezi linia punctat), care cuprinde toate etajele i micoreaz distorsiunile
liniare i neliniare, zgomotul propriu, instabilitatea amplificrii i a impedanei de ieire, i
mrete impedana de intrare a amplificatorului. Cu toate c aceast reea de reacie
i
VD
i
0VD
U
0VD.T2

T
1
T
2
u
VD
U
0VD.T1

Fig.2.7. Caracteristica volt-amper a diodei
175
negativ global cuprinde mai mult de trei etaje, schema funcioneaz stabil, ceea ce se
explic prin faptul c deplasrile de faz la frecvene inferioare i superioare ce intr n
aceast bucl a reelei de reacie negativ global a etajelor sunt relativ mici datorit reelei
de reacie negative locale existente. La intrarea schemei date este un regulator al
amplificrii R
P
de tip poteniometru.
Pentru calculul schemelor analizate mai sus, de regul, valorile date iniial n sarcina
de proiectare sunt: puterea de ieire P
~
ie
, rezistena de sarcin R
S
, frecvenele limit ale
benzii de frecvene lucrtoare f
s
i f
j
, valoarea maxim admisibil a nivelului distorsiunilor
de frecven la extremitatea benzii frecvenei de lucru M
j.dat
i M
s.dat
, diapazonul
temperaturilor de lucru a mediului T
m.min
i T
m.max
, nivelul admisibil al coeficientului de
armonici K
a.dat
, coeficientul de micorare a sarcinii S, ce caracterizeaz instabilitatea
tensiunii de semnal la ieirea amplificatorului, F.E.M. a sursei de semnal E
surs
, rezistena
intern a sursei de semnal R
surs
.
Alegerea schemei corespunztoare se face n conformitate cu recomandrile expuse
mai sus i cu luarea n vedere a puterii de ieire necesare.
n capitolul trei este prezentat consecutivitatea aproximativ a calcului
amplificatoarelor fr transformator n dou etaje, cu etaj final contratimp complicat pe
baz de tranzistori compui (fig. 2.4 i 2.8) n regim de lucru clasa B.
Fig.2.8. Schema posibil a unui amplificator de putere cu 4 etaje
176