Apean Csic Upb 2013

Amplificatoare de putere
i elemente de analiz neliniar

Obiectivele disciplinei
Pentru curs:
Prezentarea tehnologiilor folosite pentru amplificatoare de
putere.
Arhitecturi de amplificatoare de putere
Prezentarea metodelor specifice de analiz i proiectare a
amplificatoarelor de putere
Pentru laborator:
Prezentarea metodelor de analiz, proiectare i caracterizare a
amplificatoarelor de putere.
Referine bibliografice
1. Steve C. Cripps, Advanced Techniques in RF Power Amplifier Design, Artech
House, 2002
2. Anna Rudiakova, Vladimir Krizhanovski, Advanced Design Techniques for RF
Power Amplifiers, Springer 2006
3. Steve C. Cripps, RF Power Amplifiers for Wireless Communications, Artech
House 1999
4. Mona M. Hella, Mohammed Ismail, RF CMOS Power Amplifiers - Theory,
Design and Implementation, Kluwer Academic Publishers 2002
5. Almudena Surez, Raymond Qur, Stability Analysis of Nonlinear Microwave
Circuits, Artech House 2003
6. Stephen A. Maas, Nonlinear Microwave and RF Circuits, 2
nd
Edition, Artech
House 2003
7. Bal S. Virdee, Avtar S. Virdee, Ben Y. Banyamin, Broadband Microwave
Amplifiers, Artech House 2004

Structura cursului
1. Introducere
Istoric
Amplificatoare cu tranzistoare
Aplicaii
Tendine
2. Complemente de teoria circuitelor liniare de microunde
Matricea [Z]
Matricea [Y]
Parametrii ABCD
Matricea [S]
Structura cursului
3. Amplificatoare de putere
Parametri i caracteristici
Clase de amplificatoare
Metode de analiz i proiectare
4. Tehnici de liniarizare a amplificatoarelor de putere
Analiz neliniar
Liniarizarea amplificatoarelor de putere
Tehnici de mbuntire a randamentului
5. Msurarea performanelor amplificatoarelor de putere
Msurarea parametrilor tranzistoarelor
Msurarea performanelor amplificatoarelor
Introducere - Istoric
Amplificarea semnalului una dintre cele mai importante
funcii ale unui circuit de RF i microunde
Prima aplicaie semnificativ: introducerea radarului, n timpul
celui de-al doilea Rzboi Mondial
Ultimele decenii: progres deosebit al tehnologiei amplificrii:
Dispozitive (de zgomot redus, de putere)
Proiectare asistat de calculator (CAD)
Fabricaie
Tehnologii de mpachetare a tranzistoarelor (capsul metalic, plastic,
ceramic, polimeri organici polimeri termoplastici)
Aplicaii (comerciale sau n domeniul militar)
Introducere Amplificatoare cu tranzistoare
Element activ:
Tub cu vid (clistron, tub cu und progresiv, magnetron)
Tranzistor
Dispozitive unipolare:
MOSFET(Si Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
MESFET (GaAs Metal Semiconductor Field Effect Transistor)
pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)
Dispozitive bipolare:
BJT (Si Bipolar J unction Transistor)
HBT (SiGe, GaAs Heterojunction Bipolar Transistor)
Avantaje amplificatoare cu tranzistoare vs. tuburi:
Dimensiuni i greutate reduse
Fiabilitate ridicat (MTBF ~ 10
6
ore)
Nivel ridicat de integrare
Tensiuni de alimentare reduse
Flexibilitate de proiectare ridicat
Proiectarea amplificatoarelor:
Alegerea elementului activ (tehnologia semiconductoare)
Modelarea elementului activ (model, formalismul S)
Arhitectura circuitului i metoda de proiectare
Proiectarea reelelor de adaptare la intrare/ieirea dispozitivului activ
Stabilirea reelei de polarizare a elementului activ n c.c.
Alegerea tehnologiei de fabricaie
Managementul termic
Tehnologii de realizare
PCB (Printed Circuit Board)
MIC (Microwave I ntegrated Circuits) (tehnologia straturilor subiri,
straturilor groase)
MMIC (Monolithic Microwave I ntegrated Circuits)
Proiectare
Specificaia
Band, Pout, PAE,
ctig etc.
Dispozitivul activ i
tehnologia de fabricaie
Caracterizarea
compon./circ.
Topologia
circuitului
Metoda de
proiectare
Analiz/
optimizare
Fabricare
i testare
Aplicaia
Return Loss/VSWR
Factor de zgomot
P
1dB
, ACPR, EVM

FET, HBT, pHEMT, MOSFET,
MMIC, LTCC, MIC, PCB
Constante concentrate
Parametrii S
Model liniar/neliniar al
dispozitivului activ
R,L,C i/sau microstrip
Bobine de oc RF
Unul sau mai multe
etaje de amplificare
Config.: clasic sau tip
push-pull
CA de band ngust
sau de band larg
Load-line method
Low-Loss method
Metode statistice (DoE)
(metoda exp. Taguchi)
ADS, Microwave Office
EM: Sonnet, HFSS
Termic: Cooke,
ANSYS
Performane RF
Fiabilitate
Introducere Aplicaii
Receptoare (sisteme de recepie a comunicaiilor prin satelii):
amplificatoare cu zgomot redus
Emitoare: alctuite din amplificatoare cu unul sau mai multe
etaje de amplificare
Amplificatoare de putere de RF/microunde:
Telefoare fr fir i telefoare mobile
Staii de baz
Comunicaii spaiale, aeriene i la sol
Wireless LAN, GPS
Comunicaii radio punct-la-punct (PPR)
Sisteme pentru controlul traficului aerian
Rzboiul electronic, arme inteligente
Introducere Aplicaii
Nivelul puterii unui amplificator dictat de aplicaie:
Staii de baz: 20 30 W
Sisteme radar, sisteme de comunicaie prin satelii: ~10
2
W
Telefoane mobile: 1 2 W
Preul unui amplificator depinde de:
Performane (putere furnizat, PAE, factorul de zgomot, lrgimea
benzii de frecvene etc)
Tehnologia de fabricare
Complexitate (tehnologia de ncapsulare, structura mecanic folosit
pentru suportul mecanic)
Numrul exemplarelor fabricate (producie de serie mic sau mare)
Introducere Tendine
Evoluia tehnologiei de realizarea a tranzistoarelor de
microunde i unde milimetrice:
Si CMOS: 70 GHz
GaAs/InP: 280 GHz
pHEMT i HBT pe substrat InP, SiC, sau GaN: >100GHz
SiC MESFET: aplicaii de putere i de band larg n spectrul inferior
al microundelor
GaN HEMT pe substrat SiC: banda C/X (sute de wai), n domeniul
undelor milimetrice (zeci de wai), 1 2 W @100GHz
mbuntirea performanelor AP concomitent cu reducerea
costurilor, n special n cazul produciei de serie mare.
Modelarea superioar a dispozitivelor i circuitelor n cadrul
mediilor de proiectare i simulare asistat de calculator.
Complemente de teoria circuitelor liniare de
microunde
Analiza liniar de circuit relaii matematice ntre tensiunile
i curenii de la porile unui:
dispozitiv de circuit
Pasiv (constante concentrate: rezistor, bobin, condensator; constante
distribuite: cuplor, filtre n tehnologie planar etc.)
Activ (tranzistor)
circuit (amplificator)
Analiza liniar efectuat la nivele reduse de putere (n
condiii de semnal mic)
Reelele (pasive sau active) de microunde multipori
Reelele pasive comportare liniar
Amplificatoarele de putere analiz neliniar, pentru
determinarea performanelor n regim de semnal mare (P
out
,
PAE, nivelul armonicelor din semnalul la ieire)
microunde
Caracterizarea proprietilor unei reele de microunde:
Matricea impedan, Z
Matricea admitan, Y
Parametrii ABCD
Matricea de repartiie, S
Msurarea Z, Y, ABCD n microunde dificil
scurtcircuit i gol dificil de obinut ntr-o band larg de frecvene
dispozitivele active (BJT, FET, HEMT, HBT) manifest instabilitate
avnd drept sarcin scurtcircuit sau gol
Multiporii (> 2 pori) nu pot fi msurai cu precizie
Msurarea parametrilor de repartiie, S pori terminate adaptat
S msurat poate fi calculat Z, Y, ABCD
microunde
Matricea impedan, Z
Multiport
i = 1, 2,, n
U
1
I
1
U
i
I
i
I
n
U
n
11 12 1
21 22 2
1 2
n
n
n n nn
Z Z Z
Z Z Z
Z Z Z
(
(
(
=
(
(

Z
0,
, , , 1, 2 ,
k
i
ij
j
I k j
U
Z i j k n
I
= =
= =
1 11 1 12 2 1
2 21 1 22 2 2
1 1 2 2
n n
n n
n n n nn n
U Z I Z I Z I
U Z I Z I Z I
U Z I Z I Z I
= + + +
= + + +
= + + +
1 1
2 2
; ;
n n
U I
U I
U I
( (
( (
( (
= = =
( (
( (

U I U ZI
microunde
Matricea impedan, Z
Exemple de configuraii tipice
Z
1
U
2
U
1
I
2
I
Serie Z nedefinit
Z
1
U
2
U
1
I
2
I
Derivaie
Z Z
Z Z
(
=
(

Z
3
Z
1
U
2
U
1
I
2
I 2
Z
1
Z
Reea n T
1 3 3
3 2 3
Z Z Z
Z Z Z
+
(
=
(
+

Z
microunde
Matricea admitan, Y
Multiport
i = 1, 2,, n
U
1
I
1
U
i
I
i
I
n
U
n
11 12 1
21 22 2
1 2
n
n
n n nn
Y Y Y
Y Y Y
Y Y Y
(
(
(
=
(
(

Y
0,
, , , 1, 2 ,
k
i
ij
j
U k j
I
Y i j k n
U
= =
= =
1 11 1 12 2 1
2 21 1 22 2 2
1 1 2 2
n n
n n
n n n nn n
I Y U Y U Y U
I Y U Y U Y U
I Y U Y U Y U
= + + +
= + + +
= + + +
1 1
2 2
; ;
n n
I U
I U
I U
( (
( (
( (
= = =
( (
( (

I U I YU
microunde
Matricea admitan, Y
Exemple de configuraii tipice
Serie
Y
1
U
2
U
1
I
2
I
Derivaie nedefinit
Y Y
Y Y
(
=
(

Y
Reea n
1 3 3
3 2 3
Y Y Y
Y Y Y
+
(
=
(
+

Y
Y
1
U
2
U
1
I
2
I
2
Y
1
U
2
U
1
I
2
I
1
Y
3
Y
microunde
Matricea admitan, Y
Transformri tipice
Transformare
T T
2
1
1 2 2 3 1 3
Z
Y
Z Z Z Z Z Z
=
+ +

2
1
1 2 2 3 1 3
Y
Z
YY Y Y YY
=
+ +

1
2
1 2 2 3 1 3
Z
Y
Z Z Z Z Z Z
=
+ +

1
2
1 2 2 3 1 3
Y
Z
YY Y Y YY
=
+ +

3
3
1 2 2 3 1 3
Z
Y
Z Z Z Z Z Z
=
+ +

3
3
1 2 2 3 1 3
Y
Z
YY Y Y YY
=
+ +

microunde
Formalismul ABCD
Parametri utilizai pentru caracterizarea proprietilor diporilor

Proprieti
1. Dac diportul este reciproc atunci AD BC = 1;
2. Dac diportul este simetric atunci A = D.
1 2
1 2
U U A B
I I C D
( ( (
=
( ( (

Diport
1
U
2
U
1
I
2
I
AC
G
Z
G
E
S
Z
1 1 2
1 2
3 3
2
T
3 3
1
1
1
Z Z Z
Z Z
Z Z A B
C D Z
Z Z
(
+ + +
(
(
(
=
(
(

+
(

2
3 3
1 2 1
1 2
3 3
1
1
1
Y
Y Y A B
C D YY Y
Y Y
Y Y
(
+
(
(
(
=
(
(

+ + +
(

microunde
Formalismul ABCD conectri tipice ale diporilor
1
A
1
B
1
C
1
D
2
A
2
B
2
C
2
D
A B
C D
1 1 2 2 1 2 1 2 1 2 1 2
1 1 2 2 1 2 1 2 1 2 1 2
A B A B A A BC AB B D A B
C D C D C A DC C B D D C D
+ +
( ( ( (
= =
( ( ( (
+ +

1
A
1
B
1
C
1
D
2
A
2
B
2
C
2
D
A B
C D
( )( )
1 2 2 1 1 2
1 2 1 2
2 1 1 2 1 2 2 1
1 2
1 2 1 2
AB A B B B
B B B B
A B
C D A A D D D B D B
C C
B B B B
+
(
(
+ +
(
(
=
(
( +

+ +
(
+ +

microunde
Formalismul ABCD
Parametrii ABCD ai unor dipori tipici
Diport Matricea ABCD
Z

1
0 1
Z
(
(

Y

1 0
1 Y
(
(

l
0
, Z
01
Z
02
Z

0
0
cosh sinh
sinh
cosh
l Z l
l
l
Z

(
(
(
(

01
Z
02
Z
:1 n

01
Z
02
Z
1: n

0
0 1
n
n
(
(

1 0
0
n
n
(
(

microunde
Dezavantaje parametrii ABCD
Folosii numai pentru caracterizarea diporilor (componente/circuite)
Msurare dificil n domeniul microundelor
Matricea de repartiie
Caracterizeaz proprietile externe ale unui multiport
Se bazeaz pe utilizarea undelor de putere definite ntr-un plan
oarecare, n raport cu anumite impedane de referin
Poate fi folosit n cazul oricrui multiport, spre deosebire de
formalismul Z sau Y
Z sau Y pot fi determinate pe baza S (calculat sau msurat)
Parametrii S definii n condiii de semnal mic (nu depind de
nivelul semnalului aplicat la intrarea circuitului), cu porile
multiportului terminate adaptat
microunde
Multiport
i = 1, 2,, n
U
1
I
1
U
i
I
i
I
n
U
n
1
a
1
b
( )
01
Z
( )
0i
Z
i
a
i
b
n
a
n
b
( )
0n
Z
{ }
{ }
( )
1 1 1 1
2 2 2 2
0
0
; ; ;
1
diag ; diag
2 Re
( )
n n n n
i
i
U I a b
U I a b
U I a b
Z
Z
-
( ( ( (
( ( ( (
( ( ( (
= = = =
( ( ( (
( ( ( (

= =
`

)
= +
=
`
=
)
U I a b
F G
a F U GI
b Sa
b F U G I
{ }
{ }
0
0
0
0
2 Re
, 1, 2, ,
2 Re
i i i
i
i
i i i
i
i
U Z I
a
Z
i n
U Z I
b
Z
-
+
=
=
=
microunde
Multiport
i = 1, 2,, n
U
1
I
1
U
i
I
i
I
n
U
n
1
a
1
b
( )
01
Z
( )
0i
Z
i
a
i
b
n
a
n
b
( )
0n
Z
1 11 1 12 2 1
2 21 1 22 2 2
1 1 2 2
n n
n n
n n n nn n
b S a S a S a
b S a S a S a
b S a S a S a
= + + +
= + + +
= + + +
0,
, , 1, 2, ,
coeficientul de reflexie la poarta
j
i
ii
i
a j i
b
S i j n
a
i
= =
= =
0,
, , , 1, 2, ,
coeficientul de transfer de la poarta la poarta
k
j
ji
i
a k i
b
S i j k n
a
i j
= =
= =
Condiie: toate porile multiportului
terminate adaptat, Z
si
= Z
0i
, cu
excepia porii de intrare
| |
| |
21
21
20lg dB atenuarea
rad defazajul
A S

=
=
microunde
Proprieti generale
Multiport reciproc

Multiport pasiv

Multiport nedisipativ

Multiport pasiv i nedisipativ
ij ji
S S = =
T
S S
1, , , , 1, 2, ,
ji
S i j i j n s =
2
1 1
1
n n
ji ji ji
j j
S S S
-
= =
= =

1
0, , , 1, 2, ,
n
ji jk
j
S S i k i k n
-
=
= = =

microunde
Relaii de legtur (diport)
S Z
11 22 12 21 12
01 02 01 02 02
11 12
21 22
11 22 12 21
21 11 22 12 21
01 02 01 02
01 01 02 01 02
1 1 2
1
1 1
2 1 1
Z Z Z Z Z
Z Z Z Z Z
S S
S S
Z Z Z Z
Z Z Z Z Z
Z Z Z Z
Z Z Z Z Z
( | || |
+
( | |
(
\ .\ .
(
=
(
(
| || |
| || |

+ +
( +
| |
| |
\ .\ . (
\ .\ .
( )( )
( )( )
( )( )
01 11 22 12 21 02 12 11 12
01 21 02 11 22 12 21 21 22 11 22 12 21
1 1 2
1
2 1 1 1 1
Z S S S S Z S Z Z
Z S Z S S S S Z Z S S S S
( + + ( (

=
(
(
+ + (

Diport
( )
01
Z ( )
02
Z
( )
01
Z ( )
02
Z
microunde
S Y
11 22 12 21 12
01 02 01 02 01
11 12
21 22
11 22 12 21
21 11 22 12 21
01 02 01 02
02 01 02 01 02
1 1 2
1
1 1
2 1 1
Y Y Y Y Y
Y Y Y Y Y
S S
S S
Y Y Y Y
Y Y Y Y Y
Y Y Y Y
Y Y Y Y Y
( | || |
+ +
( | |
(
\ .\ .
(
=
(
(
| || |
| || |

+ +
( + +
| |
| |
\ .\ . (
\ .\ .
( )( )
( )( )
( )( )
01 11 22 12 21 01 12 11 12
02 21 02 11 22 12 21 21 22 11 22 12 21
1 1 2
1
2 1 1 1 1
Y S S S S Y S Y Y
Y S Y S S S S Y Y S S S S
( + + ( (

=
(
(
+ + + + (

microunde
S ABCD
( ) ( )
( ) ( ) ( )
( ) ( )
01 02 02 01 01 11 12
02 01 02 02 01 21 22 01 02 02 01
2
1
2
B CZ Z AZ DZ Z AD BC S S
Z B CZ Z AZ DZ S S B CZ Z AZ DZ
+ ( (
=
( (
+ + +

( )( ) ( )( )
( )( ) ( )( )
11 22 12 21 02 11 22 12 21
01
11 22 12 21 11 22 12 21 21
01 02
1 1 1 1
1
1
1 1 1 1 2
S S S S Z S S S S
A B
Z
S S S S S S S S C D S
Z Z
( + + + + (

(
(
=
(
(
+ + ( (

(

microunde
Z Y

Z ABCD
11 12 22 12
21 22 21 11 11 22 12 21
1
Z Z Y Y
Z Z Y Y Y Y Y Y
( (
=
( (

11 12 22 12
21 22 21 11 11 22 12 21
1
Y Y Z Z
Y Y Z Z Z Z Z Z
( (
=
( (

11 12
21 22
1
1
Z Z A AD BC
Z Z D C
( (
=
( (

11 11 22 12 21
22 21
1
1
Z Z Z Z Z A B
Z C D Z

( (
=
( (

microunde
Y ABCD
11 12
21 22
1
1
Y Y D AD BC
Y Y A B
+
( (
=
( (

22
11 22 12 21 11 21
1
1
Y A B
Y Y Y Y Y C D Y
( (
=
( (

microunde
Aplicaii
1. Calculai matricea Z pentru circuitul cu schema din figur.

2. Determinai matricea Y pentru circuitul cu schema din figur.
1
Z
2
Z
3
Z
4
Z
1
Y
3
Y
2
Y
4
Y
microunde
Aplicaii
3. Un diport este caracterizat de matricea de reparie S n raport cu Z
0
. Calculai
atenuarea (pierderea) de reflexie tiind c diportul este terminat pe o sarcin care la
frecvena de lucru are impedana Z
s
.
4. Calculai coeficientul de reflexie la intrarea circuitului cu schema din figur, n
raport cu Z
0
= 50, la frecvena de 1GHz. Linia de transmisiune are drept dielectric
aerul i este fr pierderi iar la frecvena de lucru diportul din schem este descris de
matricea S, raportat la Z
0
.

5. Enumerai cteva dintre avantajele utilizrii n microunde a matricei S comparativ
cu formalismul Z sau Y.
cm 75 , 3 = l
O = 50
C
Z
( )
0
Z
S
S
Z
O + 50 j 100
1
I
( )
0
Z ( )
0
Z
1 j2 2 j4
5 5
2 j4 1 j2
5 5
+
(
(
=
(

(
(

S
Amplificatoare de putere Parametri i
caracteristici
Parametri i caracteristici
Lrgimea benzii de frecvene, B
Ctigul n putere, G
Raportul de und staionar la intrare / la ieire, VSWR
Puterea la ieire, P
S

Randamentul n putere, PAE
Neliniaritatea amplificatoarelor
Distorsiunile armonice, HD
Distorsiunea de intermodulaie, IM
Puterea raportat din canalul adiacent, ACPR
Modulul vectorului eroare, EVM
Nivelul puterii pe armonice, HP
2
, HP
3
Raportul putere de vrf / putere medie,
Randamentul nsumrii puterii (divizor/sumator),
c
caracteristici
Parametri i caracteristici (continuare):
Zgomotul amplificatoarelor
Factorul de zgomot, F
Temperatura de zgomot, N
Lrgimea benzii de zgomot, NBW
Gama dinamic, DR
Media timpului de bun funcionare, MTTF
caracteristici
Definiie: Domeniul frecvenelor n care performanele amplificatorului
ndeplinesc anumite condiii stabilite prin specificaie
Criterii utilizate la definirea benzii:
Gtig n putere
Factor de zgomot
Putere la ieire
PAE, VSWR etc.
Poate fi exprimat n mrime relativ:
Factori care limiteaz banda unui amplificator:
Performanele elementului activ (banda de frecvene a tranzistorului)
Circuitul de adaptare
0 0
B f
b
f f
A
= =
caracteristici
Exemplu: impedana de intrare i admitana de ieire a unui tranzistor
FET
( )
0
3dB
0
1
2
in
in in in
in
f
b f R C
f Q
t
A
= = = ( )
3dB
0 0
1 1
2
o
o
o o o
f
b
f Q f R C t
A
= = =
( ) ( )
10 12
3dB
4
1pF 2 10 4 10 0, 251 25,1%
10GHz
in
in in
R
C b
f
t
= O
= = ~
`
=
)
( ) ( )
10 12 3dB
0
200
1
0,16pF 0, 497 49, 7%
2 10 200 0,16 10
10GHz
o
o o
R
C b
f
t

= O

= = ~
`

=
)
B limitat de impedana
de intrare a tranzistorului
caracteristici
Ctigul n putere, G

Ctigul n putere, G
P
: raportul dintre puterea la ieire i puterea la
intrarea n diport

Ctigul disponibil n putere, G
D
: raportul dintre puterea disponibil
de la ieirea diportului i puterea disponibil a generatorului

D
S
( )
0
Z ( )
0
Z
G
I
1
I
2
I
S
I
G S
( )
2
2
2
P 21 P 2 2
1
1 22
1 1
; ,
1 1
S
S
S
P
G S G f
P
S
I
= = = I
I I
S
( )
2
2
2
D 21 D 2 2
11 2
1 1
; ,
1 1
G d
G
dG
G
P
G S G f
P
S
I
= = = I
I I
S
caracteristici
Ctigul n putere, G
Ctigul de transfer, G
T
: raportul dintre puterea transferat sarcinii
i puterea disponibil a generatorului

n cazul unui AP:

( )
2 2 2 2
2 2
2
T 21 21 T 2 2 2 2
11 2 1 22
1 1 1 1
; , ,
1 1 1 1
G S G S
G S
dG
G S G S
P
G S S G f
P
S S
I I I I
= = = = I I
I I I I I I
S
( )
( )
( )
| |
P min max
, ,
out
in
P f
G f f f f
P f
= e
( ) ( )
P
funcie de
in
G f P f
( ) { }
( ) { } | |
min max
1
Re ,
2
1
Re , ,
2
in in in
out out out
P f U I
P f U I f f f
-
-
=
= e
caracteristici
Ctigul n putere, G
P
in
de valoare redus (comportare liniar a AP):

P
in
de valoare mare (comportare neliniar a AP):
( ) ( ) | |
L P min max
0
lim , ,
in
P
G f G f f f f
= e
( )
L
ctigul "liniar" G f
( ) ( ) | |
( )
min max
P
lim , ,
lim 0
in
in
sat out
P
P
P f P f f f f
G f
= e
=
caracteristici
Ctigul n putere, G

Formele de und ale
tensiunii i curentului la
ieirea unui dispozitiv activ,
pentru trei nivele diferite ale
puterii la intrare
caracteristici
Ctigul n putere, G
Puterea exprimat n uniti logaritmice

Exemplu:

Ctigul n putere, G
P[dB]
| | | | | |
| |
dBm
dBm mW W
10
mW
10lg 10lg 10lg 30
1mW
10
P
P
P P P
P
| |
= = = +
|
\ .
=
| | | | | |
P P dB dBm dBm
10lg
out in
G G P P = =
| | | |
| | | |
| | | |
mW dBm
W dBm
mW dBm
1 0
1 30
0,1 10
P P
P P
P P
= =
= =
= =
caracteristici
Ctigul n putere, G

| |
( )
, 1dB , 1dB dB
1dB
out in L
P G P

= +
Aprox. liniar Neliniar
caracteristici
Puterea la ieire, P
out
Puterea transferat sarcinii
Dependent de puterea semnalului la intrarea amplificatorului

G
L
[dB] ctigul n regim liniar
P
1dB
[dBm] punctul de compresie cu 1dB; definit pe caracteristica P
out
(P
in
)
P
3dB
[dBm] punctul de compresie cu 3dB
| | Ctig, dB G
| |
0
Puterea la ieire (pe )
dBm
out
f
P
L
G
1dB
1dB
P
3dB
3dB
P
O
n regim liniar
1dB
G
| |
1dB dB
1dB
L
G G =
caracteristici
Randamentul amplificatorului,

Parametru de performan al unui AP
AP: transform puterea de c.c., P
DC
, n putere (de c.a.) de RF /
microunde, P
out
Randamentul, caracterizeaz eficiena conversiei c.c. c.a.

Randament:
De dren,
D
element activ FET;
De colector,
C
element activ tranzistor bipolar.
Echipamente mobile (operare pe baterie): randament ridicat (consum
energetic redus)
Randament ridicat: putere disipat n elementul activ redus
[%]
1 100
out
DC
P
P
q q q = < =
out P in
DC DC
P G P
P P
q = =
caracteristici
Randamentul n putere (adugat), PAE (
add
)

PAE Power-added efficiency
Parametru caracteristic amplificatoarelor de putere

PAE Raportul dintre puterea de RF net (adugat de AP) i puterea
de c.c. absorbit de la sursa de alimentare
1
1 1
1 1 ,
unde
in
out
out add out in out
D
DC DC DC DC P P
D out DC
P
P
P P P P P
PAE
P P P P G G
P P
q
q
| |
|
| | | |
\ .
= = = = =
| |
\ . \ .
=
G
P
P
in
P
DC
P
out
caracteristici
add
)

Exemplu:
1. G
P
= 10dB: PAE = 0,9
D
P
out
= 10W necesit P
in
= 1W
2. G
P
= 6dB: PAE = 0,75
D
P
out
= 10W necesit P
in
= 2,5W

caracteristici
add
)

Dac P
in
neglijabil (amplificatoare de semnal mic):

Contribuia armonicelor de la ieirea AP:

Obs.: (P
out
)
T
> P
out
n realitate valori mai mari ale PAE
Variant a definiiei PAE:
:
out
in out D
DC
P
P P PAE
P
q ~ =
( ) ( ) ( )
fundam. armonice
1 ,
unde
out out in p out in
T
DC DC DC
p DC in T
P P P P P P
PAE
P P P
P P P P
( +

= = =
= +
1 1 1
1 1 1
out out
D D
in out P D
DC in DC
P DC DC
P P
PAE
P P G
P P P
G P P
q q
q
= = = =
+
+ + +
caracteristici
add
)

Obs.: n cazul AP avnd G
P
ridicat cele dou definiii ale PAE
converg ctre o aceeai valoare.
Bilanul puterii ntr-un AP

Concluzie: Creterea PAE implic scderea puterii disipate n AP
(n principal n dispozitivul activ)
Reducerea problemelor ridicate de evacuarea cldurii disipate;
Creterea duratei de via a dispozitivului activ.
Obs.: Dac dispozitivul activ este unul de tip FET atunci:
( ) ( ) 1
in DC out dis dis DC out in DC add DC
P P P P P P P P P P P PAE + = + = = =
, , , ,
,
dis dis D dis G dis G dis D
P P P P P = +
AP
P
in
P
DC
P
out
P
dis
caracteristici
Raportul de und staionar la intrare / ieire, VSWR
Caracterizeaz adaptarea amplificatorului la intrare, respectiv la
ieire, n raport cu impedana Z
0
a sistemului (tipic 50)

2
2 1
1
r
L
i
P
R
P
o
o
| |
= = I =
|
+
\ .
| |
2
2 1
dB 10lg 10lg 10lg
1
r
L
i
P
R
P
o
o

| |
= = I =
|
+
\ .
A
in
o
o
o
( )
0
Z ( )
0
Z
L
R
G A S
in
Z
in
o
o
o
O
Z
( )
0
Z ( )
0
Z
S
Z
G
Z
0
0
1
1
in
in
in
in
in
in
Z Z
Z Z
o
I =
+
+ I
=
I
0
0
1
1
S
S
S
S
o
S
Z Z
Z Z
o
I =
+
+ I
=
I
caracteristici

Amplificator liniar puterea la ieire crete liniar cu puterea la
intrare (ctigul n putere este constant n raport cu puterea la intrare)
| | dBm
in
P
| | dBm
out
P
O
1dB
P
1dB sat
P
l
i
n
P
Caracteristica de amplificare
| |
| | mW
dBm 10lg
1mW
P
P =
caracteristici

(A): Comportare liniar a AP
(B): Comportare neliniar distorsionarea formelor de und ale
tensiunii i curentului la ieirea AP
caracteristici

AP conine un dispozitiv activ neliniar (MOSFET, MESFET, BJT...)
operat n condiii de semnal mare.
AP produce componente care nu sunt prezente n spectrul semnalului
de la intrarea sa.
Relaia ntre tensiunea u
o
de la ieirea unui AP cu un grad redus de
neliniaritate i tensiunea semnalului de la intrare, u
in
este neliniar:

Neliniaritatea AP conduce la apariia:
Distorsiunilor armonice (armonicelor frecvenei semnalului purttor)
Distorsiunilor de intermodulaie (produselor de intermodulaie)
( )
2 3 4
(c.c.) 1 2 3 4
termeni neliniari
...
o in S in in in in
u f u U a u a u a u a u = = + + + + +
caracteristici
Distorsiuni armonice

Determinate (calculate sau msurate) atunci cnd un semnal
sinusoidal este aplicat la intrarea AP
Se consider un AP excitat cu un semnal sinusoidal

Semnalul la ieirea AP invariant n timp i fr memorie poate fi
descris printr-un polinom de ordinul 3:
( ) ( ) cos
in m
u t U t e =
( ) ( ) ( ) ( )
2 3
1 2 3 o in in in
u t a u t a u t a u t = + +
( ) ( ) ( ) ( )
( )
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
2 2 3 3
1 2 3
2 3
1 2 3
2 3 2 3
2 1 3 2 3
cos cos cos
1 cos 2 cos 3 3cos
cos
2 4
1 3 1 1
cos cos 2 cos 3
2 4 2 4
o m m m
m m m
m m m m m
u t aU t a U t a U t
t t t
aU t a U a U
a U aU a U t a U t a U t
e e e
e e e
e
e e e
= + + =
+ +
= + + =
| |
= + + + +
|
\ .
caracteristici

Semnalul de la ieirea PA conine:
Componenta fundamental, f
1
= f
c
Componente armonice:
Armonica a 2-a, 2f
1
= 2f
c

Armonica a 3-a, 3f
1
= 3f
c
Amplitudinea componentei armonice de ordin n este proporional cu
termenul
Distorsiuni armonice (HD Harmonic Distortion): raportul dintre
amplitudinea armonicei de ordinul n, U
n
i amplitudinea componentei
fundamentale, U
1

{ } , 2, 3
n
m
U ne
| |
1 1
20lg dB , 2,3
n n
n
U U
HD n
U U
| |
= =
|
\ .
caracteristici

Distorsiuni armonice totale (THD Total Harmonic Distortion):
coninutul total de armonici n spectrul semnalului de la ieirea AP
2
2
2
2 2 2
2 1 3
3 2
1 1
1 3 1 3
1
2
, dac 3 4
3 3
2
2
4 4
m
m m
m
m m m
a U
a U a U U
HD a a U
U a
aU a U a a U
= = = ~
| |
+ +
|
\ .
3
2 2
3
2
3 3 3
3 1 3
2
3
1 1 3 1
1 3
1
4
, dac 3 4
3
4 3 4
4
m
m m
m
m
m m
a U
U a U a U
HD a a U
U a a U a
aU a U
= = = ~
+
+
2 2 2
2 3 4
... THD HD HD HD = + + +
caracteristici
Nivelul puterii semnalelor armonice, HP
Indicator al distorsiunilor introduse de AP
Puterea semnalului pe armonica a doua HP
2

Puterea semnalului pe armonica a treia HP
3

Obs.: Valorile HP
2
, HP
3
depind de nivelul puterii la intrarea AP.
( )
( )
| | ( )
0
2 2 2
0
2
; dBc 10lg
out
out
P f
HP HP HP
P f
= =
( )
( )
| | ( )
0
3 3 3
0
3
; dBc 10lg
out
out
P f
HP HP HP
P f
= =
| |
dBm
out
P
| |
GHz f
0
f
0
2 f
0
3 f
( )
0 out
P f
( )
0
2
out
P f
( )
0
3
out
P f
| |
2
dBc HP
| |
3
dBc HP
fixat
in
P
| |
( )
( )
0
2
0
dBc 10lg
out
n
out
P nf
THP
P f
>
| |
|
=
|
|
\ .

caracteristici
Nivelul puterii semnalelor armonice, HP
P
out
(f
0
)
P
out
(2f
0
)
P
out
(3f
0
)
O
P
in

[dBm]
P
out

[dBm]
IP2
IP3
3
2
caracteristici
Distorsiuni de intermodulaie
Intermodulaia dou sau mai multe purttoare, pe frecvene
diferite, sunt prezente la intrarea unui amplificator neliniar. Se
produce mixarea componentelor de frecvene diferite.
Semnalul de la ieirea amplificatorului neliniar conine componente
suplimentare pe frecvene noi, numite produse de intermodulaie.
Pentru o excitaie pe dou tonuri (f
1
, f
2
), spectrul semnalului la ieirea
circuitului neliniar va conine componente pe frecvenele f
IM

Se consider un AP excitat cu un semnal de forma
Obs.: Tipic
1 2
, 0,1, 2,3,..., 0,1, 2,3,...
IM
f mf nf m n = = =
( ) ( ) ( )
1 1 2 2 1 2
cos cos ,
in m m
u t U t U t e e e e = + =
1 2 1 2
; frecvene apropiate
m m
U U f f = <
caracteristici
Semnalul la ieirea AP invariant n timp i fr memorie poate fi
descris printr-un polinom de ordinul 3:
( ) ( ) ( ) ( )
2 3
1 2 3 o in in in
u t a u t a u t a u t = + +
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) | |
( ) ( ) | | ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
2
1 1 1 1 2 2 2 1 1 2 2
3
3 1 1 2 2 1 1 1 1 2 2
2 2 2 2
2 1 1 2 1 2 1 2 2 2 2
3 3 2 2 2
3 1 1 3 1 2 1 2 3 1 2
cos cos cos cos
cos cos cos cos
cos 2 cos cos cos
cos 3 cos cos 3 c
o m m m m
m m m m
m m m m
m m m m m
u t aU t aU t a U t U t
a U t U t aU t aU t
a U t a U U t t a U t
a U t a U U t t a U U
e e e e
e e e e
e e e e
e e e
= + + + +
+ + = + +
+ + + +
+ + + ( ) ( )
( )
2
1 2
3 3
3 2 2
os cos
cos
m
t t
a U t
e e
e
+
+
caracteristici
( ) ( )
( )
( ) ( )
( ) ( )
( )
2 3
1 1 3 1 2 3 1 1
2 3
1 2 3 2 1 2 2
2 1 2 2 1 2 1 2 1 2
2 2
3 1 2 1 2 3 1 2 1 2
2 2
3 1 2 2 1 3 1 2
3 3
cos
2 4
3 3
cos
2 4
cos cos
3 3
cos 2 cos 2
4 4
3 3
cos 2 cos
4 4
o m m m m
m m m m
m m m m
m m m m
m m m m
u t aU a U U a U t
aU a U U U t
a U U t a U U t
a U U t a U U t
a U U t a U U
e
e
e e e e
e e e e
e e
| |
= + + +
|
\ .
| |
+ + + +
|
\ .
+ + + +
+ + + +
+ + ( )
2 1
2 ... t e e + +
caracteristici
Spectrul de RF al semnalului de la ieirea AP conine:
Componentele fundamentale: f
1
, f
2
Armonici ale componentelor fundamentale: 2f
1
, 2f
2
, 3f
1
, 3f
2
, ...
Produse de intermodulaie: f
2
f
1
, f
1
+ f
2
, 2f
1
f
2
, 2f
2
f
1
, 2f
1
+ f
2
, 2f
2
+ f
1
,...

Dac U
m1
=U
m2
=U
m
(tipic) i |a
3
|<<a
1
atunci amplitudinea produselor
de intermodulaie de ordinul 3 este
f
1
f
2
f
1
2 f
2
2 f
fundamentale
armonice
intermodulaie
1 2
2 f f
2 1
2 f f
( ) ( )
2 1 1 2
3
3 2 2
3
4
m f f f f
U U a U

= =
caracteristici
Componentele spectrale localizate la (2f
1
f
2
), (2f
2
f
1
):
Cea mai important contribuie n cadrul distorsiunilor de intermodulaie ,
pentru o lrgime de band de o octav (f
max
= 2f
min
);
Dificil de filtrat;
Denumite produse de intermodulaie de ordinul trei;
Efectul lor cuantificat prin distorsiuni de intermodulaie de ordinul trei,
I MD
3
Obs.: (m + n) ordinul produsului de intermodulaie, IMD

Obs.: Egalitatea apare la modelul de AP fr memorie
Presupunere: comportare slab neliniar a AP; U
m1
=U
m2

| |
( )
( )
( )
( )
2 1 1 2
2 1
2 2
3
dBc 10lg 10lg
out f f out f f
out f out f
P P
IMD
P P

= ~
caracteristici
Compresia AM-AM i conversia AM-PM
Aproximaia de ordinul trei a caracteristicii de transfer a unui AP:

x(t), y(t) semnalul (tensiune sau curent) de la intrarea / ieirea AP
k
0
= y(0) componenta de curent continuu;
k
1
ctigul (n tensiune sau curent) al AP, la frecvena f
0
, n condiii de
semnal mic;

k
2
, k
3
primii doi coeficieni ai dezvoltrii n serie Taylor a caracteristicii de
transfer a AP, trunchiat la ordinul trei.

Obs.: Expresia caracterizeaz un sistem fr memorie
Tipic, k
3
/k
1
< 0 (compresie a ctigului la semnal mare)
( ) ( ) ( ) ( )
2 3
0 1 2 3
y t k k x t k x t k x t = + + +
( )
( )
( ) ( )
2
1 1 3 0 0 0
0
3
, unde cos
4
x
y t
dy
k G k k X x t X t
dx x t
e
=
= = ~ + =
2 3
2 3 2 3
0 0
;
x x
d y d y
k k
dx dx
= =
= =
Variaia P
out
n funcie de P
in
la un AP pentru:
k
1
, k
3
acelai semn;
k
1
, k
3
semne opuse (k
3
< 0, tipic pentru AP);
caracteristici

dilatare (expansion)

compresie
caracteristici
AP real sistem cu memorie: comportarea neliniar afecteaz att
amplitudinea (AM-AM) ct i faza (AM-PM) semnalului la ieire

Variaie neliniar a puterii la ieirea AP:

Variaia fazei semnalului la ieirea AP
n funcie de nivelul semnalului de la intrare:

( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( ) { }
cos cos 2
cos 2
x t X t t t X t ft t
y t G X t ft t X t
e t
t
= + = + (

= + + u ( (

( ) ( ) G X t k X t = (

( ) const. X t u = (

AP
x(t) y(t)
caracteristici
Evaluarea liniaritii
Liniaritatea unui AP evaluat folosind diveri parametri, n funcie
de semnalul / aplicaia avut() n vedere:
IP3 Punctul de intercepie de ordinul trei
C/I Raportul dintre purttoare i distorsiunile de intermodulaie (DIM)
M-IMR Raportul dintre DIM multiton i purttoare
ACPR Puterea raportat n canalul adiacent
EVM Modulul vectorului eroare
C
Randamentul nsumrii puterii
MTTF Media timpului de bun funcionare
caracteristici
Punctul de intercepie de ordinul trei, I P3
IP3 Third-order Intercept Point

IP3
in
aflat n regiunea de
funcionare neliniar a AP

Excitaie pe un singur ton (1T):

Excitaie pe dou tonuri (2T):

| | | | | |
| |
dBm dBm L dB
,1T, 1dB dBm
3 3
3 10, 6dB
out in
out out
IP IP G
IP P
= +
~ +
,1T, 1dB ,2T, 1dB
4, 77dB
out out
P P

~ +
| | | | | | dBm dBm dBm
3 2 3
IMD out out
P P IP =
caracteristici
Raportul dintre purttoare i DIM, C/I
C/I Carrier to Intermodulation Ratio
Caracterizeaz comportarea neliniar a unui AP

Excitaie cu dou tonuri: patru msurtori posibile ale C/I n cazul AP
reale (cu memorie):

f
1
, f
2
, f
1
< f
2
dou tonuri pe frecvene apropiate
2f
2
f
1
, 2f
1
f
2
produse de intermodulaie de ordinul trei
( )
| | | | dBm dBm
[dBc]
;
out
out IMD
IMD
P
C C
P P
I I
P
=
( )
( )
( ) ( )
( )
2
, 1, 2
m n n m
out m n
out f f
P f
C
m n
I
P
= =
( )
| | | | | |
( )
| | | |
( )
dBm dBm dBm dBm dBm
[dBc]
3 2 3 2 3
out out out out out
C
P P IP IP P
I
= =
caracteristici
Raportul dintre DIM multiton i purttoare, M-I MR
M-IMR Multitone Inter-Modulation Distortion to Carrier Ratio
Metoda celor dou tonuri standard n caracterizarea distorsiunilor
de intermodulaie ale unui AP; improprie pentru caracterizarea unui
AP n condiii de operare specifice comunicaiilor actuale
Comunicaiile actuale una sau mai multe purttoare modulate
Modelarea semnalelor de intrare set de mai multe purttoare
(tonuri) avnd componente spectrale egal deprtate, aceeai
amplitudine i faze corelate sau necorelate (fiecare ton este
sintetizat folosind o referin independent)
MIMR: Raportul dintre puterea la ieirea AP corespunztoare unei
componente spectrale (ton) din canalul principal i puterea
distorsiunii de intermodulaie a unui ton din canalul adiacent
caracteristici
Raportul dintre DIM multiton i purttoare, M-I MR

fr memorie

AP
x(t) y(t)
( )
( )
( )
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( )
lim j
lim
1
j j
j 2 3
1 2 3 1 2 3
1
1 , 0
e ,
1 , 0
e e e
i
p q p q r
i
n
i t
i
i n i
n n n n n
t t
t
i p q p q r
i p n q n p n q n r n
i i n
x t X
i n i
y t k x t k x t k x t k X k X X k X X X
e
e e e e e
e
e e e
e e e
=
+ + +
= = = = = =
= + A < s
=
= + + A s <
= + + = + +

( )
( )
( )
| |
( )
0
0 T
T
dBc
,
10lg
out
out
P
M IMR
P
M IMR M IMR
e
e e
e
=
x(t) excitaie de band
ngust; componente spectrale
de amplitudine constant,
separate printr-un ecart fix Ae
caracteristici
Puterea raportat n canalul adiacent, ACPR
ACPR Adjacent Channel Power Ratio
Caracteristica neliniar a AP apariia produselor de intemodulaie n
banda canalelor adiacente (spectral regrowth)
ACPR utilizat pentru evaluarea efectului distorsiunilor de
intermodulaie ale AP din sistemele de comunicaii fr fir cu
modulaii digitale complexe
ACPR factor de merit ce estimeaz puterea emis (pierdut) n
banda canalului adiacent
ACPR: Raportul dintre puterea semnalului de la ieirea AP din
canalul adiacent i puterea din canalul principal
( )
( )
| |
( )
dBc
; 10lg
adj
ch
DSP d
ACPR ACPR ACPR
DSP d
e
e
e e
e e
=
}
}
caracteristici
Puterea raportat n canalul adiacent, ACPR
Channel 2
Channel 3
Channel 1
AP CDMA
Cerine: ACPR = 42dBc (offset 1)
ACPR = 54dBc (offset 2)
Definiia ACPR
caracteristici
EVM Error vector magnitude
ACPR evaluaz gradul n care este afectat comunicaia din canalul
adiacent (out-of-band distortion)
EVM evalueaz gradul n care este afectat calitatea semnalelor
modulate digital la trecerea acestora printr-un lan radio (in-band
distortion)
Factor de merit utilizat pentru caracterizarea rspunsului neliniar al
AP n cazul semnalelor cu raport putere de vrf / putere medie (PAR
peak-to-average ratio) mare (ex. OFDM cu semnal QAM-64)
Utilizeaz constelaia semnalului cu modulaie digital recepionat
Msur a deviaiei simbolului demodulat recepionat (I
m
, Q
m
) fa de
simbolul original transmis (I
r
, Q
r
), la un moment de timp dat.

caracteristici
Q
I
r
I
m
I
r
Q
m
Q
u
k
k
R
k
M
k
E
k
R
k
vectorul poziiei simbolului k de referin
M
k
vectorul poziiei simbolului k msurat
| R
k
| - | M
k
| eroarea de amplitudine
u eroarea de faz
E
k
= R
k
- M
k
vector eroare
Constelaie original i la recepie,
semnal cu modulaie digital QAM-64
Definiia EVM
2
2
nr. total de simboluri
k k
k K
RMS
k
k K
EVM
K
e
e
M R
R
caracteristici
Raportul putere de vrf / putere medie, PAPR
PAPR Peak to Average Power Ratio
PAPR: Raportul dintre puterea de vrf, P
p
, i puterea medie, P
a
, a
unui semnal

Pentru un semnal de intrare alctuit din N purttoare:

Obs.: _ poate fi calculat pentru una/mai multe purttoare, modulate sau
nemodulate (ex. purttoare nemodulat sau modulaie cu anvelop ct.: PAPR =
0dB)
| |
p p
dB
a a
; 10lg
P P
PAPR PAPR
P P
= =
( )
2
1
1
, unde
N
i
i
i
tot N
i
i
P PAPR
PAPR
P
=
=
| |
|
\ .
=
P
i
puterea medie a purttoarei i
PAPR
i
raportul putere de vrf / putere medie corespunztor purttoarei i
caracteristici
Raportul putere de vrf / putere medie, PAPR

Nr.
crt.
Nr.
purttoare
Puterea fiecrei
purttoare [W]
PAPR PAPR
[dB]
Puterea
medie
total [W]
Puterea
de vrf
[W]
PAPR
tot
[dB]
1 4 GSM 0,5 1 0 2 8 6
2 4 IS136 0,15 2 3 1 11 10,41
3 1 IS95 0,4 3,162 5
4 2 WCDMA 15 7,943 9 30 476,5 12
caracteristici
Randamentul nsumrii puterii (divizor/sumator),
c
Caracterizeaz eficiena nsumrii puterii

n cazul unui singur amplificator:
N AP identice, adaptate, ctig G
Porile de ieire/intrare ale DP/Sum.
izolate ntre ele
Toate porile DP/Sum. adaptate
T
c
o
co
o
P
A
NP
q = =
DP
N ci
Sum.
N ci
in
P
T o
P
G
G
G
o
P
o
P
o
P
1
2
N
( )
T
c
1
T
c
T T
T

1
o in
G
in ci co cc in ci co
cc cc
in ci
o o co co in ci co
P P
PAE
P A GA P P A GA
PAE
P P
P A
P NP A N GA P A GA
N

=
= ~
`
= = =
)
( ) ( ) ( ) ( )
T T
1 1 1 1 1 1 1 1
o o o in ci o o
cc cc cc cc cc
P G P G NP G P A G G P P G
PAE N
P P NP P P

= = = ~ =
( )
c
c
1
1
Dac 1 atunci
ci co
ci
co
A GA
PAE PAE
A G
G
PAE A PAE
~
caracteristici
Zgomotul amplificatoarelor

Consideraii generale
Zgomot intern: semnalul (tensiune, curent, putere) la ieirea amplificatorului
n lipsa semnalului de intrare; proprieti stohastice (proces aleator)
Puterea de zgomot la ieirea amplificatorului, P
No
: suma dintre zgomotul la
intrarea amplificatorului P
a
, amplificat, i zgomotul intern, P
Namp
Puterea de zgomot la intrarea amplificatorului: modelat printr-un rezistor
zgomotos
Zgomotul de fluctuaie termic (efect Johnson): cauzat de micarea aleatoare a
electronilor n rezistor, din cauza agitaiei termice; caracter gaussian, d.s.p.
practic independent de frecven (zgomot alb)
Puterea disponibil de zgomot a oricrei rezistene:
| |
| |
| |
23
W , unde
1,38 10 J K,
K - temperatura absolut
Hz - lrgimea benzii n care se calculeaz zgomotul
a
P kTB
k
T
B
=
=
@
N
R T
S
Z
G
amp N
P
o amp N N
P P GkTB = +
a
P
o N
P
caracteristici
Zgomotul amplificatoarelor (continuare)

Ex. 1: B = 1GHz, T
0
= 290K:
Ex. 2: B = 1Hz, T
0
= 290K:
Puterea de zgomot disponibil: independent de valoarea rezistenei
Definiie: Raportul dintre puterea de zgomot de la ieirea amplificatorului i
puterea de zgomot de la ieire provenit din generator, la T
g
= T
0
= 290K

P
in
puterea semnalului util aplicat la intrarea diportului
F real, supraunitar, independent de sarcin; poate varia cu frecvena
9
4 10 mW 84 dBm
a
P
~ ~
18
4 10 mW 174 dBm
a
P
~ ~
( )
0
o o o o
o,g
290K
diport, gen.
g
N N in N in N
N a a in o
T T
P P P P RSZ P
F f
P GP P P G RSZ GkTB
= =
= = = = = =
caracteristici
Zgomotul amplificatoarelor (continuare)

Semnificaia F: deteriorarea raportului semnal/zgomot ntre
intrarea i ieirea din amplificator
Pentru un amplificator cu zgomot propriu P
Namp
:

Amplificator nezgomotos: F = 1 (NF = 0dB)
Temperatura echivalent de zgomot, T
e
Obs.: Zgomotul termic (zgomot Johnson) independent de valoarea
rezistenei i proporional cu temperatura absolut, T

T
0
= 290K
T
e
temperatura echivalent de zgomot a AP avnd P
Namp
= 0
amp amp
1 ; 10lg [dB]
N N
P GkTB P
F NF F
GkTB GkTB
+
= = + =
( ) | |
o 0 0
W
N e e
P GkT B GkT B Gk T T B = + = +
( )
0 0
1 ; 10lg 1 [dB]
e e
F T T NF T T = + = +
caracteristici
Media timpului de bun funcionare, MTTF

MTTF Mean time to failure
Fiabilitatea unui amplificator dictat n principal de elementele sale active
(tranzistoare)
Temperatura maxim permis a canalului/jonciunii (150, 170 pt. GaAs) nu
trebuie depit, pentru a nu reduce fiabilitatea tranzistorului (MTTF)
Calculul MTTF utilizeaz modelul Arrhenius:

C constant
E
a
[eV] energia de activare (ex. 1,2eV)
k = 1,3810
-23
J/K (constanta lui Boltzmann)
T [K] temperatura absolut
Determinarea MTTF ntr-un timp rezonabil presupune efectuarea unui test (n c.c.
sau n RF) accelerat n care temperatura jonciunii este crescut de la 150 pn la
325-350 cu pas constant de 25 sau 50
a
E kT
MTTF Ce =

Amplificatoare cu mai multe etaje

Amplificatoare de putere cu mai multe etaje
Parametri
Randamentul amplificatorului,
tot
AP cu dou etaje de amplificare

Randamentul global
tot
determinat de randamentul ultimului etaj
G
P1
P
in
P
DC1
P
out
G
P2
P
DC2
( )
2 2 2
1 1 1 2 1 2
1 2 2
1 2 2 2 2
1
1 1 1 1
out out out
tot
DC out out P
DC DC DC DC
tot
P DC out out
P P P
P P P G
P P P P
G P P P
q q q
q
q q q
q q q
= = = = = =
+
+ + + +
1 2 in out DC DC
P P P P
Parametri
Randamentul n putere (adugat), PAE
tot
AP cu n etaje de amplificare cascadate

G
1
G
2
G
n
P
in
P
out,1
P
out,2
P
out,n
=P
out
PAE
1
PAE
2
PAE
n
P
DC,1
P
DC,2
P
DC,n
( )
( )
( ) ( ) ( )
,1 1 1
1
,1 ,1 ,1
,2 ,1 2 ,1 ,1 2 1 1 2 1
2
,2 ,2 ,2 ,2
, , 1 , 1 , 1
1 1
, ,
1
1
out in in in in
DC DC DC
out out out out in in in
DC DC DC DC
n
k in k
out n n out n out n out n
k k
n
DC n DC n
P P G P G P P
PAE
P P P
P P G P P G G P GG P G P
PAE
P P P P
G P G
P P G P P
PAE
P P

= =

= = =

= = = =
| |

|

\ .
= = =
[
( )
1 1
1
, ,
1
n n
in n k in
k
DC n DC n
P G G P
P P

=
| | | |
| |
\ . \ .
=
[ [
not
RFin in
P P =
not
RFout out
P P =
Parametri
Randamentul n putere (adugat), PAE
tot

1
1
1
1
,
1
1
1
1
1
1
n
in k in n
out in k in
tot k
k DC DC DC
out
n
k
k
out
out
in
out
out out in out
tot n
DC DC DC DC
k
k
n
DC DC k
k
P G P
P P P
PAE G
P P P
P
G
P
P
P
P
P P P P
PAE
P P P P
G
P P
=
=
=
=
=
| |
= = =
|
\ .
| |
|
| |
|
|
\ . |
|
|
| |
| |
|
|
| |
\ . \ .
| = = = =
|
|
\ .
=
[
[
[
[

Parametri
Punctul de intercepie de ordinul trei, I P3

| |
( )
| | | | | |
1 2 1 1 1 2
,1 ,2 ,3 ,
,
dBm
dBm dBm dB
1
1
3 ,
1
3 3 3 3
3 i 3 exprimate n mW
3 10lg 3
3 3
in
n
in in in in n
in n in
in in
n
out in k
k
IP
GG G G GG
IP IP IP IP
IP IP
IP IP
IP IP G
=
=
+ + + +
=
= +
G
1
G
2
G
n
P
in
P
out,1
P
out,2
P
out,n
IP3
in,1
IP3
in,2
IP3
in,n
Parametri
tot

| |
3 2
1
1 1 2 1 2 1
1 1 1
10lg dB
n
tot
n
tot
F F F
F F
G GG GG G
NF F

= + + + +
=
G
1
G
2
G
n
P
in
P
out
F
1
F
2
F
n
Etaj 1 Etaj 2 Etaj 3 NF
tot

[dB]
G
1
[dB] NF
1
[dB] G
2
[dB] NF
2
[dB] G
3
[dB] NF
3
[dB]
20 2 20 2 20 2 2,02
13 2 13 2 13 2 2,08
10 2 10 2 10 2 2,17
8 2 8 2 8 2 2,29
4 2 4 2 4 2 2,81
6 2 10 2 10 2 2,42
not
1 2
not
1 2
,
msura zgomotului
1
1 1
n
n
m
n
m
m
F F F F
F
G G G G
F
F G
F
G
= = = =

`
= = = =
)

Aplicaii

Aplicaii
DP 4
ieiri
A
ci
Sum. 4
intrri
A
co
P
in
P
oT
G
G
G
G
PAE
PAE
PAE
PAE
1. Se consider circuitul cu schema din figur, alctuit
din patru AP identice, avnd fiecare ctigul n putere
G = 13dB, puterea de ieire P
o
= 10W i randamentul
n putere adugat PAE = 40%. Divizorul i sumatorul
din circuit au fiecare pierderi de inserie A
ci
= A
co
=
0,3dB. Calculai puterea la ieirea circuitului P
OT
i
randamentul n putere adugat al ansamblului, PAE
c
.
Simplificri: AP identice, adaptate, toate porile
divizorului/sumatorului adaptate, porile de ieire ale
divizorului izolate ntre ele, porile de intrare ale
sumatorului izolate ntre ele.
2. Se consider un amplificator cu trei etaje de
amplificare avnd ctigurile n putere G
1
= 10dB, G
2
=
9dB, G
3
= 8dB i punctele de intercepie de ordinul trei
la ieire IP
3out1
= 28dBm, IP
3out2
= 34dBm, IP
3out3
=
40dBm. Calculai punctul de intercepie de ordinul trei
la intrarea i la ieirea AP, IP
3in
, respectiv IP
3out
.
G
1
G
2
G
3
IP3
out1
IP3
out2 IP3
out3
IN OUT
Aplicaii
3. Se consider un circuit alctuit dintr-un atenuator fix
avnd pierderi de inserie L
f[dB]
, conectat la intrarea
unui amplificator caracterizat de ctigul G
[dB]
i
factorul de zgomot NF
[dB]
Ce valoare are factorul de
zgomot al circuitului, NF
tot[dB]
Caz numeric: A
i[dB]
=
0,2, G
[dB]
= 20, NF
[dB]
= 1,5?
At.
G
NF
IN OUT
L
f
4. Determinai expresia factorului de zgomot al unui
amsamblu de n amplificatoare identice, adaptate,
conectate n cascad, avnd fiecare ctigul n putere G
i factorul de zgomot F.
tiind c G = 5 i F = 2, care este numrul maxim de
amplificatoare conectate n cascad astfel nct factorul
de zgomot F
tot
al circuitului s fie mai mic de 2,25?
1
G
NF
G
NF
G
NF
2 n
5. Calculai factorul de zgomot NF al receptorului cu
schema din figur.
FTB Preamplif. Mixer Amp. FI
OL
L
f
= 1dB
G
1
= 10dB
NF
1
= 1,5dB
A
c
= 6dB
G
2
= 20dB
NF
1
= 1dB

Linia de sarcin

Linia de sarcin
Concept utilizat n proiectarea amplificatoarelor
Ofer o imagine a performanelor unui tranzistor legate de
puterea maxim debitat la ieire
NMOS, surs-comun
Linia de sarcin
Parametri de tranzistor
Tensiunea de intrare, v
i
(t)

Tensiunea total P-S, v
GS
(t)

Curentul total de dren, i
D
(t)

nlocuind v
gs
in expresia i
D

( ) ( ) ( )
GS GSQ i GSQ gs
v t V v t V v t = + = +
( ) ( ) sin
i i
v t V t e =
( ) ( )
2
2
,
unde mA V parametru de conducie
D n GS t
n
i t K v t V
K
= (

(

( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
2 2
2
2 2
2
2
2 sin sin
2 sin 1 cos 2
2
D n GSQ gs t n GSQ t n GSQ t gs n gs
n GSQ t n gs GSQ t n gs
n gs
n GSQ t n gs GSQ t
i t K V v t V K V V K V V v t K v t
K V V K V V V t K V t
K V
K V V K V V V t t
e e
e e
( = + = + + =

( = + + =

= + + (

Linia de sarcin
Componentele i
D
(t)
Componenta continu (de polarizare n c.c.), I
DQ
:

Partea variabil n timp, i
d
(t):

Condiia de reducere a distorsiunilor (condiia de semnal mic care
trebuie satisfcut de un amplificator liniar):

Rezult:
( )
2
DQ n GSQ t
I K V V =
( ) ( ) ( ) ( )
util
nedorit, frecvene armonice
2 sin 1 cos 2
2
n gs
d n gs GSQ t
K V
i t K V V V t t e e = + (

( )
2
gs GSQ t
v V V
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
2
2
D DQ d DQ n GSQ t n GSQ t gs
i t I i t I K V V K V V v t = + = = +
Linia de sarcin
Transconductana tranzistorului, g
m
Coeficient de transfer; g
m
corelat cu ctigul tranzistorului
Realizeaz legtura dintre curentul de dren de semnal mic i
d
i
tensiunea poart-surs de semnal mic, v
gs
:

Dar:

Rezult:
Dac v
gs
este mic atunci g
m
constant.
( )
( )
( )
2
d
m n GSQ t
gs
i t
g K V V
v t
= =
( )
( ) ( )
( )
( )
const.
2
GS GSQ
D
m DQ d
GS GS
v V
n GSQ t
i t
g I i t
v t v t
K V V
= =
c
c
( = = + =

c c
=
Caracteristica de comand
( )
2
DQ n GSQ t
I K V V =
2
m n DQ
g K I =
Linia de sarcin
Transconductana tranzistorului, g
m
Direct proporional cu parametrul de conducie, K
n

n
[m
2
/Vsec] mobilitatea electronilor
C
ox
[F/m
2
] capacitatea pe unitatea de suprafa a oxidului
k [A/V
2
] parametrul procesului de conducie; constant pentru o tehnologie
de fabricaie dat
W/L raportul de aspect al canalului tranzistorului tip FET

Obs.: Creterea limii W conduce la creterea transconductanei,
deci a ctigului tranzistorului.
2
1 1
A V
2 2
n n ox
W W
K C k
L L
' ( = =

Exemplu de calcul

Se consider un tranzistor tip MOSFET cu canal n avnd urmatorii parametri: V
t
=
1,5V, k = 50 A/V
2
, W/L = 40. tiind c intensitatea curentului de dren n p.s.f. al
tranzistorului este I
DQ
= 2mA, s se calculeze transconductana g
m
a tranzistorului
considerat.
Rezolvare:
Parametrul de conducie K
n
are valoarea:

Considernd tranzistorul polarizat n regiunea de saturaie, rezult:

Obs.: Transconductana tranzistoarelor bipolare este superioar tranzistoarelor tip
MOSFET. Avantaje MOSFET: impedan de intrare mare, putere disipat mic
2
1 1
0, 05 40 1 mA V
2 2
n
W
K k
L
' ( = = =

| |
2 2 1 2 2,82 mA V
m n DQ
g K I = = ~
Linia de sarcin
MOSFET cu canal n Circuitul echivalent de c.a.
Tensiunea total de ieire, v
O
:

Componenta de c.c.:

Componenta variabil n timp:

n condiii de semnal mic:
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
O DS DD D D DD DQ d D
DD DQ D d D O o
v t v t V i t R V I i t R
V I R i t R V v t
( = = = + =

= = +
O DD DQ D
V V I R =
( ) ( ) ( ) ( )
o ds d D m gs D
v t v t i t R g v t R = = =
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
gs i gs i
d m gs d m gs
ds d D ds d D
v t v t V V
i t g v t I g V
v t i t R V I R
= =
= =
= =
Linia de sarcin
MOSFET cu canal n Circuitul echivalent de semnal mic
Simplificare: Joas frecven neglijarea capacitii de gril

Expresia curentului total de dren i
D
(t) n regiunea de saturaie:

[V
-1
] parametrul de modulare a lungimii canalului; valoare pozitiv
NMOS, surs-comun
Circuitul echivalent de semnal
mic simplificat al NMOS
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
2
2
Simplificare: independent de
n realitate: 1 depinde slab de
D n GS t D DS
D n GS t DS D DS
i t K v t V i t v t
i t K v t V v t i t v t
= (

= + ( (

Linia de sarcin
Rezistena de ieire de dren la semnal mic, r
o
:

Obs.: r
o
depinde de p.s.f. al tranzistorului

( )
( ) ( )
( ) ( )
( )
1 1
2
const. const.
2
1
1 1
GS GSQ GS GSQ
D
o n GS t DS
DS DS
v V v V
DQ
n GS t
i t
r K v t V v t
v t v t
I
K v t V

= = =
( c
c
= = + = ( (
` (

c c

)
= =
(

Modelul de semnal mic al MOS
Circuitul echivalent de semnal mic
al amplificatorului

Aplicaie
Se consider circuitul cu schema din figur. Tranzistorul tip
MOSFET cu canal n este polarizat n regiunea de saturaie i
are urmtorii parametri: V
t
= 1V, K
n
= 0,8mA/V
2
, = 0,02V
-1
.
tiind c V
DD
= 5V, V
GSQ
= 2,12V i R
D
= 2,5kO s se calculeze
ctigul n tensiune al circuitului, n condiii de semnal mic.
Rezolvare:
Intensitatea curentului de dren n p.s.f. al tranzistorului are
valoarea:

Tensiunea D-S n p.s.f. al tranzistorului este:

Transconductana tranzistorului are valoarea:
( ) ( ) | |
2
2
0,8 2,12 1 1 mA
DQ n GSQ t
I K V V ~ = =
| |
3 3
5 10 2,5 10 2,5 V
DSQ DD DQ D
V V I R
= = =
( ) ( ) | |
2 2 0,8 2,12 1 1,79 mA V
m n GSQ t
g K V V = = =

Aplicaie
Rezistena de ieire a tranzistorului n condiii de semnal mic
are valoarea:

Amplitudinea tensiunii de c.a. de la ieirea tranzistorului are
expresia:

Rezult astfel valoarea ctigului (amplificrii) n tensiune
pentru circuitul considerat:

Obs.: V
i
i V
o
sunt n antifaz.
| |
3
1 1
50 k
0, 02 10
o
DQ
r
I
= = =
( ) ( ) || ||
o m gs o D m i o D
V g V r R g V r R = =
( )
( )
( )
6
3
3
||
50 2,5 10
|| 1, 79 10 4, 26
50 2,5 10
m i o D
o o D
V m o D m
i i o D
g V r R
V r R
A g r R g
V V r R

= = = = = =
+ +

Aplicaii
1. Se consider un tranzistor tip MOSFET cu canal n, polarizat n regiunea de saturaie,
caracterizat de urmtorii parametri: K
n
= 0,5 mA/V
2
, V
t
= 0,8V, = 0,01V
-1
, I
DQ
=
0,75mA. Calculai g
m
i r
o
pentru tranzistorul considerat.
2. Se consider un tranzistor tip MOSFET cu canal n, caracterizat de urmtorii
parametri: k = 36 A/V
2
, V
t
= 1V, = 0,015V
-1
. tiind c tranzistorul este polarizat n
regiunea de saturaie pentru care I
DQ
= 2mA, determinai raportul de aspect W/L astfel
nct transconductana g
m
= 3,4 mA/V. Calculai apoi r
o
.
3. Se consider circuitul cu schema din figur n care V
DD
= 10V
i R
D
= 10kO. Tranzistorul este caracterizat de urmtorii parametri:
V
t
= 2V, K
n
= 0,5 mA/V
2
, = 0.
Determinai:
a) Componenta continu a tensiunii G-S, V
GSQ
a. . I
DQ
= 0,4mA;
b) Componenta continu a tensiunii D-S, V
DSQ
;
c) Transconductana g
m
;
d) Rezistena de ieire de semnal mic, r
o
;
e) Amplificarea n tensiune, A
v
;
f) Componenta de semnal mic v
ds
, tiind c v
i
= 0,4sinet.
Amplificator cu p MOSFET
PMOS, surs-comun Circuitul echivalent de c.a.
Model de semnal mic al PMOS
Circuitul echivalent de semnal
mic al amplificatorului
( )
( )
||
||
o m sg o D
sg i
o
v m o D
i
V g V r R
V V
V
A g r R
V
=
=
= =

Exemplu de calcul

Se consider circuitul din figur, avnd un tranzistor tip p-MOSFET cu urmatorii
parametri: V
t
= -1V, K = 2mA/V
2
, = 0. tiind c V
DD
= 12V i R
D
= 6kO,
determinai:
a) V
SGQ
i I
DQ
astfel nct V
SDQ
= 7V;
b) g
m
;
c) A
v
;
d) Amplificarea n tensiune a circuitului, A
v
, pentru o valoare a
parametrului = 0,02V
-1
.
Rezolvare:
a)
| |
( ) | |
3
2
12 7
0,833 mA
6 10
0,833
1 1, 645 V
2
DD SDQ
SDQ DD DQ D DQ
D
DQ
DQ SG t SG t
V V
V V I R I
R
I
I K V V V V
K

= = = ~
= = + = + =

Exemplu de calcul

b)

c)

d) Pentru o valoare nenul a parametrului de modulare a lungimii canalului, ,
rezistena de ieire la semnal mic a tranzistorului va fi:

situaie care conduce la o reducere a amplificrii n tensiune:
( ) ( ) | |
2 2 2 1, 645 1 2,58 mA V
m SG t
g K V V = = =
( )
3 3
||
2,58 10 6 10 15, 48
1
o o D
v m o D m
i o D
v m D
o
DQ
V r R
A g r R g
V r R
A g R
r
I
= = =
= = =
`
)
| |
3
1 1
60 k
0, 02 0,833 10
o
DQ
r
I
= = ~

( )
6
3
3
60 6 10
2,58 10 14, 07
60 6 10
o D
v m
o D
r R
A g
r R

= = =
+ +

Configuraii tipice cu MOSFET
MOSFET dispozitiv cu trei terminale
Etajele de amplificare cu tranzistor: performane diferite,
funcie de conexiunea utilizat:
Surs comun, SC
Dren comun, DC
Gril (Poart) comun, GC
SC DC GC
Conexiunea surs comun, SC
Polarizarea tranzistorului n c.c. n regiunea de saturaie
asigurat de divizorul de tensiune R
1
, R
2
Cuplajul surs de semnal de c.a. gril asigurat de C
C
C
C
scurtcircuit pentru semnalul variabil n timp v
i

1 2
C
C C
X fC t =
Configuraie tipic SC Stabilirea p.s.f. (Q) al MOSFET n
1 2
||
Si i
R R R R =

Amplitudinea tensiunii la ieirea amplificatorului, V
o
:

Amplitudinea tensiunii G-S, V
gs
: Amplitudinea tensiunii D-S, V
ds
:

Amplificarea n tensiune la semnal mic (ctigul amplificatorului):
Circuitul echivalent de semnal mic al amplificatorului n conexiune SC
( ) ||
o m gs o D
V g V r R =
1 2
1 2
1 2
, ||
i
gs i i
i Si
R R R
V V R R R
R R R R
= = =
+ +
( ) ||
o i
v m o D
i i Si
V R
A g r R
V R R
= =
+
ds d D
V I R =

Obs.: Rezistena de intrare a amplificatorului n condiii de semnal
mic, r
i
, este practic egal cu R
i
= R
1
||R
2
(rezistena de intrare vzut
n circuitul de gril practiv infinit n JF)

Rezistena de ieire a amplificatorului, R
o
:

0
||
i
o o o D
V
R R r R
=
= =
Circuitul echivalent de semnal mic al amplificatorului n conexiune SC
Exemplu de proiectare:
Se consider circuitul cu schema din figur, avnd urmtoarele valori ale
elementelor componente: V
DD
= 3,3V, R
D
= 10kO, R
1
= 140kO, R
2
= 60kO i R
Si
=
4kO. Tranzistorul MOSFET cu canal n din schem este cunoscut prin umtorii
parametri: V
t
= 0,4V, K
n
= 0,5mA/V
2
i = 0,02V
-1
.
Verificai localizarea p.s.f. Q n regiunea de saturaie
i apoi calculai amplificarea n tensiune a etajului i
valorile rezistenelor de intrare i de ieire ale circuitului.
Rezolvare:
Tensiunea G-S n p.s.f. are valoarea:

Curentul de dren n p.s.f. este:
| |
2
1 2
60
3,3 0,99 V
140 60
GSQ DD
R
V V
R R
= = =
+ +
( ) ( ) | |
2
2
0,5 0,99 0, 4 0,174 mA
DQ n GSQ t
I K V V = = =
Tensiunea D-S n p.s.f. este:

V
DSQ
> V
GSQ
V
t
polarizare n regiunea de saturaie.
Transconductana de semnal mic g
m
are valoarea:

Rezistena de ieire de semnal mic a tranzistorului, r
o
, este:

Rezistena de ieire a amplificatorului, R
o
, este:

Rezistena de intrare a amplificatorului, R
i
, este:
| |
3 3
3,3 0,174 10 10 10 1,56 V
DSQ DD DQ D
V V I R
= = =
| |
2 2 0,5 0,174 0,59 mA V
m n DQ
g K I = = ~
( ) ( ) | |
1 1
3
0, 02 0,174 10 287 k
o DQ
r I

= = ~
| |
|| 287 || 10 9, 66 k
o o D
R r R = = =
| |
1 2
|| 140 || 60 42 k
i
R R R = = =
Amplificarea n tensiune n condiii de semnal mic, A
v
, este:

Obs.: Pentru obinerea unei excursii maxime a tensiunii la
ieirea amplificatorului:

Rezult c p.s.f.-ul tranzistorului nu este localizat n punctul optim de polarizare.

V
gs
/V
i
< 1 (100%) Loading effect
R
Si
<< R
i
V
gs
/V
i
1
( )
3 3
287 10 42
|| 0,59 10 10 5, 21
297 42 4
i
v m o D
i Si
R
A g r R
R R
= = ~
+ +
( ) | |
( ) | |
max
3
optim
optim
3,3
0,165 mA
2 2 2 10 10
3,3
1, 65 V
2 2
D DD
DQ
D
DD
DSQ
I V
I
R
V
V
= = = =

= = =
42
0,913
42 4
i
gs i i i
i Si
R
V V V V
R R
= = =
+ +
Conexiunea dren comun, DC
Configuraia tipic

Analiza de curent continuu aceeai ca n cazul conexiunii SC
Amplitudinea tensiunii la ieire, V
o
:

Amplitudinea tensiunii la intrare, V
in
:
Schema n conexiune DC Circuitul echivalent de semnal mic al configuraiei DC
( ) ||
o m gs S o
V g V R r =
( ) ( ) || 1 ||
in gs o gs m gs S o m S o gs
V V V V g V R r g R r V = + = + = + (

gs
:

Obs.: Expresia corespunde unui divizor de tensiune, n care termenul
este asimilat unei rezistene vzute n planul G-S al MOSFET n.
Pe de alt parte:

unde R
i
= R
1
|| R
2
este rezistena de intrare n amplificator
Amplificarea n tensiune n configuraie DC, la semnal mic, A
v
:
( )
( )
1
1
1 ||
||
in m
gs in
m S o
S o
m
V g
V V
g R r
R r
g
= =
+
+
1
m
g
i
in i
i Si
R
V V
R R
=
+
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
||
|| ||
1 || 1 ||
||
; 0 1
1 ||
m S o
in i
o m gs S o m S o i
m S o m S o i Si
m S o
o i
v v
i m S o i Si
g R r
V R
V g V R r g R r V
g R r g R r R R
g R r
V R
A A
V g R r R R
= = =
+ + +
= = < s
+ +
Rezistena de ieire, r
o
:
Pasivizarea surselor independente (V
i
= 0)
V
x
tesiune aplicat la ieire
I
x
curent msurat

Obs.: (R
o
)
DC
<< (R
o
)
SC
circuitul prezint o comportare
asemntoare cu cea a unei surse ideale de tensiune
Circuitul echivalent de semnal mic pentru
determinarea rezistenei de ieire
( )
( )
absen curent la intrare
Rezult:
|| 1 1 1 1 1
deci
1 1 1
1 ||
||
x
o
x
x x
x m gs
S o
gs x
S o
x m x o
S o
S o m S o
m m m
S o S o S o
V
R
I
V V
I g V
R r
V V
R r
I g V R
R r
R r g R r
g g g
R r R r R r
=
+ = +
=
| |
= + + = = = =
|
+
+
\ .
+ + + +
DD
= 12V, R
S
= 0,75kO, R
1
= 162kO, R
2
= 463kO i R
Si
=
4kO. Tranzistorul MOSFET cu canal n din schem este cunoscut prin umtorii
parametri: V
t
= 1,5V, K
n
= 4mA/V
2
i = 0,01V
-1
.
Calculai ctigul n tensiune i rezistena de ieire a circuitului.
Rezolvare:
Analiza de curent continuu:

nlocuind I
DQ
n prima relaie rezult ecuaia:
( )
| |
2
2
2
2
1 2
unde
463
12 8,88 V
162 463
GSQ DQ S R
DQ n GSQ t
R DD
V I R V
I K V V
R
V V
R R
+ =
= = ~
+ +
( )
2
2 2
1 2 0
n S GSQ n S t GSQ n S t R
K R V K R V V K R V V + + =
innd cont de datele problemei, rezult:

deci V
GSQ
= 2,91V (V
GSQ
> 0).
Curentul de dren I
DQ
are valoarea:

Transconductana tranzistorului g
m
are valoarea:

Rezistena de ieire a tranzistorului, r
o
, este:

Rezistena de intrare n circuit, R
i
, are valoarea:
2
3 8 2,14 0
GSQ GSQ
V V =
( ) ( ) | |
2
2
4 2,91 1,5 7,95 mA
DQ n GSQ t
I K V V = = ~
( ) ( ) | |
2 2 4 2,91 1,5 11, 28 mA V
m n GSQ t
g K V V = = =
| |
3
1 1
12,57 k
0, 01 7,95 10
o
DQ
r
I

= = =

| |
1 2
|| 162 || 463 120 k
i
R R R = = =
Ctigului n tensiune al etajului DC are expresia:

i valoarea:

Obs.: Conexiunea DC nu permite obinerea unui ctig supraunitar.
Rezistena de ieire a circuitului, R
o
, are valoarea:

Obs.: Rezistena de ieire a circuitului este redus.
( )
( )
||
1 ||
m S o
o i
v
i m S o i Si
g R r
V R
A
V g R r R R
= =
+ +
( ) ( )
( ) ( )
3 3 3
3
3 3
3 3 3
11, 28 10 0, 75 10 || 12,57 10
120 10
0,86
120 10 4 10
1 11, 28 10 0, 75 10 || 12,57 10
v
A

= ~
+ (
+

( )
( ) ( )
( ) ( )
| |
3 3
3 3 3
0, 75 10 || 12,57 10
||
78, 77
1 ||
1 11, 28 10 0, 75 10 || 12,57 10
S o
o
m S o
R r
R
g R r

= = = O
+ (
+

Conexiunea gril comun, GC
Configuraia tipic

Semnalul de intrare este aplicat pe terminalul de surs; semnalul de
ieire este cules pe terminalul de dren.
Polarizarea este asigurat de sursa de curent constant I
Q
.
R
G
previne ncrcarea static pe terminalul de gril
C
G
asigur conectarea la mas a grilei necesar n cazul GC
C
C1
, C
C2
asigur cuplajul sursei de semnal/sarcinii R
L
la circuit
Schema n conexiune GC Circuitul echivalent de semnal mic
Se presupune c rezistena de ieire a tranzistorului r
o
.
o
:

gs
:

Amplificarea n tensiune la semnal mic, A
v
:

Obs.: Amplificarea n conexiunea GC este pozitiv, deci semnalele de
intrare i de ieire sunt n faz.
( ) ||
o m gs D L
V g V R R =
( )
1
i
i Si i gs Si m gs gs gs
m Si
V
V R I V R g V V V
g R
= = =
+
( )
( )
( )
|| ||
1 1
m gs D L m D L
o
v
i m Si gs m Si
g V R R g R R
V
A
V g R V g R
= = =
+ +
Rezistena de intrare, R
i
:

Obs.: Rezistena de intrare este redus.
Determinarea rezistenei de ieire, R
o
: se impune V
i
= 0.

Surs de curent la intrare (modelare Norton)

Dar:
1
gs gs
i
i m gs m
V V
R
I g V g
= = =
( ) 1 0 0
gs m gs Si gs m Si gs o D
V g V R V g R V R R = + = = =
( ) ( )
1
L
R
D L D
o m gs m gs
L L D L D L
V
R R R
I g V g V
R R R R R R
= = =
+ +
0
1
gs
Si i
i m gs gs
Si m Si
V
R I
I g V V
R g R
+ + = =
+
( )
( ) 1 1
o Si m Si D D
i m gs
i D L gs m Si D L m Si
I R g R R R
A g V
I R R V g R R R g R
= = =
+ + + +
+
= 5V, V

= 5V, I
DQ
= 1mA, R
G
= 100kO, R
D
= 4kO,
R
L
= 10kO i R
Si
= 50kO. Tranzistorul MOSFET cu canal n din schem este
cunoscut prin umtorii parametri: V
t
= 1V, K
n
= 1mA/V
2
i = 0.
tiind c determinai expresia tensiunii la ieirea circuitului, v
o
.
Rezolvare:
( ) | |
2
1
1 2 V
1
DQ
DQ n GSQ t GSQ t
n
I
I K V V V V
K
= = + = + =
( ) ( ) | |
2 2 1 2 1 2 mA V
m n GSQ t
g K V V = = =
( ) ( ) 100sin A
i
i t t e =
( ) ( ) ( )
( ) ( ) | |
3 3
3 6
3 3
1
4 2 10 50 10
10 10 100 10 sin 0, 282sin V
4 10 1 2 10 50 10
m Si D
o L o L i
D L m Si
g R R
v t R i t R i t
R R g R
t t e e
= = =
+ +

= =
+ +

Clase de funcionare

Amplificatoare de putere Clase de
funcionare
Amplificatorul de putere (AP): element cheie ntr-un sistem de
comunicaii fr fir
AP: principalul consumator de energie
Rol AP: furnizeaz la ieire o replic (amplificat) a semnalului util
de la intrarea sa
Principiul de funcionare al AP: conversia puterii de c.c. absorbit de
la sursa de alimentare n vederea amplificrii semnalului de c.a. de la
intrare
Funciile care trebuie de obicei optimizate la AP:
Ctigul n putere;
Eficiena (randamentul) conversiei c.c. c.a.
funcionare
Consideraii generale (continuare)
n sistemele/aplicaiile cu limitri n privina consumului energetic,
proiectarea AP cu un PAE ridicat condiie obligatorie
Puterea de ieire i eficiena depind de:
Dispozitivul activ utilizat;
Condiiile de polarizare corespunztoare clasei de funcionare;
Reelele de adaptare la intrare/ieire, etc.
Opernd la semnal mare, dispozitivele active nu mai pot fi
caracterizate de parametrii S. Se procedeaz la extragerea unor
parametri de semnal mare sau se folosesc modele neliniare ale
dispozitivelor active.
Dei dispozitivele active se comport neliniar, AP trebuie s se
comporte liniar din punctul de vedere a realizrii funciei de
amplificare
funcionare
Majoritatea sistemelor de comunicaii moderne folosesc modulaii ce
ofer avantajele unei eficiene spectrale deosebite ns necesit
funcionarea n regim liniar a AP.
Trebuie fcut distincia ntre clasa de funcionare a dispozitivelor
active i modul n care se comport global AP din punctul de vedere
al liniaritii.
Tehnicile de liniarizare complic arhitectura unui AP
Predistorsionare (analogic RF sau digital)
Sisteme de liniarizare cu bucl de reacie negativ
Sisteme de liniarizare cu bucl de reacie pozitiv
funcionare
Arhitectura tipic a unui AP
Regimuri de funcionare
ale dispozitivului activ:
Surs de curent controlat
(A, B, AB, C, F);
Comutator (D, E).

Rolul reelelor de la intrare/ieire:
Ofer tranzistorului impedanele de generator i de sarcin necesare satisfacerii
cerinelor de proiectare, n banda impus:
Zgomot minim pentru amplificatoarele cu zgomot minim;
Ctig maxim;
Putere maxim n sarcin (cazul AP).
Suprimarea armonicelor;
Filtrarea spectrului semnalului util pentru a evita interferena cu semnalele din canalele
adiacente.
CA
intrare
Reea
polarizare
Disp.
activ
Reea
alim. c.c.
CA
ieire
funcionare
Clase de funcionare
Elemente importante n proiectarea unui AP:
Stabilirea PSF al dispozitivului activ (Q-point, DC quiescent point), n funcie
de clasa de funcionare a AP
Adaptarea tranzistorului la intrare i la ieire (la sarcin)
ndeplinirea condiiilor precedente determin performanele AP (F, G,
B, P
o
, PAE, liniaritate)
AP sunt identificate prin specificarea unei clase de funcionare, n
funcie de relaiile existente ntre semnalele de intrare i cele de ieire
(A, B, AB, C, D, E, F)
Amplificatoarele de semnal mic: opereaz n clasa A
Amplificatoarele cu zgomot redus: opereaz (tipic) n clasa AB
Indiferent de clasa de funcionare, apare un compromis ntre
randamentul AP i liniaritatea sa
funcionare
Clase de funcionare (continuare)
Clasificarea AP se bazeaz pe evaluarea unghiului de conducie 2
al curentului de dren (colector), pentru un semnal de intrare
sinusoidal
Forme de und ale
curentului de dren i
D

pentru diverse clase
de funcionare
funcionare
Clasa A
Semnalul la ieire este replica
amplificat a semnalului de la intrare
Dispozitivul activ conduce pe toat
durata unui ciclu al semnalului sinusoidal
RF de intrare (2 = 2et = 360).
PSF-ul tranzistorului (ex. MOS FET N)
este stabilit (I
ds
, V
ds
) n centrul caracteristicii
(I
D
-V
DS
)
Tensiunea de alimentare (pentru polarizarea drenei), aleas la jumtatea tensiunii
maxim admisibile a dispozitivului activ utilizat
Diferena AP n clas A amplificator de semnal mic: nivelul puterii la ieire
Proiectarea AP n clas A similar cu cea a unui amplificator de semnal mic
Adaptare complex conjugat a intrrii/ieirii tranzistorului, pentru ctig maxim (VSWR
mic la intrare i la ieire)
Randamentul maxim: 50%
funcionare
Clasa B
PSF-ul tranzistorului stabilit a..
tensiunea de polarizare a porii V
GS
s fie
chiar tensiunea de prag (V
p
V
GSbl.
)
n lipsa semnalului RF de intrare
tranzistorul este blocat (curent de repaus
quiescent current practic nul)
Dispozitivul activ conduce o jumtate din
durata unui ciclu al semnalului sinusoidal
RF de intrare (2 = 2et = 180).
CA la ieirea tranzistorului este proiectat pentru a se obine ctig maxim, putere
maxim i randament maxim
AP (single-ended) n clas B are o liniaritate sczut (coninut bogat de armonici)
AP de RF n clas B pot fi realizate sub forma unei structuri echilibrate cu
funcionare n contratimp (push-pull)
funcionare
Clasa B configuraia push-pull
Dou etaje de amplificare identice primesc de la un dispozitiv de tip balun
(balanced-unbalanced) semnale de intrare cu amplitudini egale dar n antifaz.
Un balun de ieire combin n antifaz semnalele de la ieirea celor dou etaje
Avantaje: puteri de ieire mai mari, liniaritate bun (rejecie superioar a
armonicilor pare)
Randament de dren maxim: ~ 75%
0
0
0
180
Input
balun
Output
balun
0
180
0
0
AP
AP
funcionare
Clasa AB
Permite reducerea distorsiunilor de
racordare, specifice clasei B
PSF-ul tranzistorului stabilit a..
curentul de repaus s reprezinte 5-30% din
valoarea componentei de c.c. la excitaie
maxim
Tensiunea de polarizare a porii i
amplitudinea semnalului de intrare alese
a.. unghiul de conducie 180<2 <360).
Puterea consumat de la sursa de alimentare n c.c. dependent de nivelul
semnalului la intrarea tranzistorului
Randamentul AP superior clasei A i inferior clasei B
funcionare
Clasa C
PSF-ul tranzistorului stabilit a.. tensiunea de polarizare a porii, V
GS
, s fie
mai mic dect tensiunea de blocare a (V
GSbl.
).
Tranzistorul conduce 25-45% din perioada semnalului RF de intrare (unghiul
de conducie 2 < 180).
Unghiul de conducie depinde puternic de amplitudinea semnalului de la
intrare.
AP n clas C puternic neliniare (forma de und a semnalului la ieire
sensibil diferit de cea a semnalului de excitaie).
Tranzistorul conduce mai puin de o jumtate de perioad randament
superior claselor A, B, AB (putnd ajunge la aproape 100%).
AP n clas C utilizate n RF i spectrul inferior al microundelor (n acest
domeniu tranzistoarele au ctig mare).
funcionare
Clasele D i E
Tranzistorul din AP lucreaz ca un comutator (switch):
ON (n prima jumtate de perioad a semnalului RF): rezisten mic;
OFF (n a doua jumtate de perioad): impedan foarte mare (n raport cu
impedana de sarcin, n banda de lucru)
Formele de und ale tensiunii i curentului la ieire sunt n antifaz.
Dac rezistena n starea ON este neglijabil (ideal) atunci puterea disipat n
tranzistor este nul.
Dac impedana n starea OFF este foarte mare atunci curentul prin tranzistor
este nul.
La un AP n comutaie ideal randamentul de dren poate atinge 100%
Un AP n clas E conine la ieirea tranzistorului un circuit rezonant LC serie
cu factor de calitate Q mare, acordat pe frecvena fundamental.
Asigur impedan infinit (gol) pe frecvenele primelor dou armonice.
funcionare
Clasa F
Tranzistorul din AP lucreaz ca un comutator.
Pentru mbuntirea randamentului, CA de la ieirea tranzistorului conine:
Un circuit rezonant LC derivaie, acordat pe frecvena armonicei a treia, 3f
0
, n serie;
Un circuit rezonant LC derivaie, acordat pe frecvena fundamental (frecvena
semnalului de la intrare), f
0
, conectat n derivaie la ieirea tranzistorului.
n cazul ideal:
Impedana vzut la ieirea tranzistorului pe armonica a doua, 2f
0
, este zero;
Impedana vzut la ieirea tranzistorului pe armonica a treia, 3f
0
, este infinit (gol);
Proiectarea AP n clasa F asemntoare cu proiectarea unui AP n clas
AB/B; deosebirea apare la proiectarea CA de la ieirea tranzistorului.
n practic se urmrete doar realizarea condiiei de scurtcircuit la frecvena
2f
0
, din cauza dificultilor ce apar la proiectarea unor CA de band foarte
larg.
Amplificatoare de putere Metode de
analiz i proiectare
Analiza unui amplificator n clas A
Configuraia de baz

Configuraia AP de RF cuprinde:
Element activ (tranzistor)
Circuit rezonant paralel L-C acordat pe frecvena fundamental f
0
Bobin de oc de RF, L
C

Condensator de cuplaj, C
C
GS
v
l
V
l
I
D
i
C
L
C
C
DS
v
o
i
o
v
R
v
gs
V
GS
L C
analiz i proiectare
Analiza unui amplificator n clas A (continuare)
Condiii de funcionare
Tranzistorul este polarizat n regiunea activ (de saturaie)
V
GS
> V
t

Tranzistorul lucreaz ca surs de curent constant controlat de tensiunea de
poart, V
GS
Componenta de curent alternativ a tensiunii P-S, v
gs
poate avea orice form de
und
Curentul de dren i
D
este n faz cu tensiunea v
gs

Forma componentei de curent alternativ a curentului de dren i
d
este aceeai
cu cea a tensiunii v
gs
att timp ct v
DS
> v
GS
V
t
Polarizarea tranzistorului trebuie s asigure un unghi de conducie 2u de 360
analiz i proiectare
Condiii de funcionare (continuare)
Funcionarea AP RF n clas A n condiii de semnal mare este asemntoare
cu funcionarea n condiii de semnal mic.
AP n clas A este caracterizat de distorsiuni armonice i de intermodulaie
sczute.
Concluzie: AP RF n clas A poate fi considerat un amplificator liniar.
AP n clas A poate fi folosit pentru amplificarea semnalelor cu anvelop
variabil (de ex. semnalele MA).
Funcia circuitului rezonant paralel (de band ngust) de la ieirea
tranzistorului este de:
Filtrarea semnalului pe frecvena fundamentalei

Compensarea reactanei de ieire a tranzistorului
3dB 0 0 0
,
L L L L
B f Q Q R C R L e e = = =
analiz i proiectare
Condiii de funcionare (continuare)
ocul de RF L
C
poate fi uneori nlocuit printr-un tronson de linie inversor de
impedan (
0
/4, la frecvena fundamental f
0
).
Neuniformitatea curentului prin bobina de oc L
C
trebuie s fie redus, de cel
puin 10 ori mai mic dect I
l
(egal cu componenta de c.c. a curentului de
dren, I
D
):

Neuniformitatea tensiunii la bornele condensatorului de cuplaj C
C
este sczut
dac

Capacitatea condensatorului de cuplaj C
C
mare

10
C
L C
X L R e = >
C
C L
X R
1
10
C
C
C
R
X
C e
= s
C
C l
V V =
analiz i proiectare
Forme de und
Tensiunea poart-surs (P-S), v
GS
:

V
GS
tensiunea de c.c. de polarizare
v
gs
componenta de c.a. a tensiunii P-S
V
gsm
amplitudinea componentei v
gs

cos
GS GS gs GS gsm
GS gsm t
v V v V V t
V V V
e = + = +
>
analiz i proiectare
Forme de und (continuare)
Expresia curentului de dren:

K
sat
parametru de tranzistor (MOSFET)
V
t
tensiunea de prag

I
m
amplitudinea componentei de c.a. a i
D
Evitarea distorsionrii componentei
de c.a. a curentului de dren presupune ca:
( )
( ) cos cos
D sat GS gsm t sat GS t sat gsm
i K V V t V K V V K V t e e = + = +
cos cos
D D d D m l m
i I i I I t I I t e e = + = + = +
( )
max
m l D
I I I = =
analiz i proiectare
Expresia curentului la ieirea tranzistorului, la frecvena de rezonan f
0
a
circuitului L-C ideal:
Componenta fundamental a tensiunii dren-surs, D-S:

Tensiunea D-S la frecvena de rezonan f
0
:

unde tensiunea de c.c. de polarizare V
DS
= V
l
Condiie pentru funcionarea tranzistorului (ideal) ca
surs de curent constant controlat n tensiune:
( ) ( ) cos
C
o C l D l D d l l d d m
i i I i I I i I I i i I t e = = = + = + = =
cos cos
ds o m m
v Ri RI t V t e e = = =
cos cos
DS DS ds DS ds DS m l m
v V v V v V V t V V t e e = + = + = =
( ) ( )
max max
0
DS m m l DS
v V R I V V > = = =
analiz i proiectare
Tensiunea la ieirea tranzistorului, la frecvena fundamental f
0
:
( ) ( ) cos
cos cos
C C
o DS C DS ds C l ds l ds m
o m
o m
v v V V v V V v V v V t
v V
i t I t
R R
e
e e
= = + = + = =
= = =
o
v
O
t
2t
m
V
t e
m
V
o
i
O
t
2t
m
I
t e
m
I
analiz i proiectare
Puterea instantanee n circuitul de dren la frecvena fundamental f
0
:

Puterea instantanee disipat n tranzistor la frecvena f
0
:
( ) ( )( ) ( ) ( )
2
cos cos cos 1 cos 2
2
m m
o o o m m m m
I V
p t i v I t V t I V t t e e e e e = = = = + (

( ) ( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
cos cos
1 cos 1 cos
1 cos 1 cos
D D DS l m l m
m m
l l
l l
m m
l
l l
p t i v I I t V V t
I V
I V t t
I V
I V
P t t
I V
e e e
e e
e e
= = + = ( (

( (
= + =
( (

( (
= +
( (

( ) ( ) ( )
2
1 cos 2 1 cos 2
m l
m l
I I
D l l
V V
p t P t P t e e e
=
=
( = = (

analiz i proiectare
Variaia puterii instantanee normate disipat n tranzistor
n raport cu V
m
/V
l
, la frecvena f
0
, la AP de RF n clas A
I
m
= I
l
analiz i proiectare
Parametrii AP de RF n clas A
Curentul absorbit de la sursa de alimentare n c.c.:

Sarcina vzut de sursa de alimentare n c.c.:

Puterea de c.c. absorbit de la sursa de alimentare:

Puterea activ a semnalului n drena tranzistorului, la f = f
0
:
( )
( )
max
max
m
DS l
l m
V
V V
I I
R R R
= = = =
c.c.
l
l
V
R R
I
= =
( ) ( )
2
max
const.,
l
l D DS m l l l m
V
P I V I V I V V
R
= = = = =
2
2 2 2
1
2 2 2 2
m m m m l m
DS
l
I V RI V V V
P
R R V
| |
= = = =
|
\ .
analiz i proiectare
Parametrii AP de RF n clas A (continuare)
Obs.: Puterea semnalului n drena tranzistorului este proporional cu ptratul
amplitudinii tensiunii la ieire.
Puterea maxim a semnalului la ieire, la f = f
0
:

Puterea disipat n tranzistor:

Obs.: Se neglijeaz puterea activ a semnalului de comand pe poart
Puterea maxim disipat n tranzistor:
( )
( )
max
2
max
2 2
m m l
l l
DS DS
V V V
V P
P P
R
= =
= = =
2
2 2 2 2
1
1
2 2 2
m l m l m
D l DS L L
l
V V V V V
P P P I V
R R R R V
(
| |
= = = = (
|
\ . (

( )
2
0 max
DS
l
D D l l l
P
V
P P P I V
R
=
= = = =
analiz i proiectare
Puterea minim disipat n tranzistor:

Randamentul de dren al AP la f = f
0
:

Randamentul de dren maxim (teoretic)

Obs.: n realitate, MOSFET se comport ca o surs de curent constant
controlat dac tensiunea dren-surs depete o valoare minim
( ) ( )
2
min max
2 2 2
l l l
D l DS l
P P V
P P P P
R
= = = =
2
2
2
1 1
2 2 2
DS m m m m
D
l l l l l
P I V V V R
P I V RV V
q
| |
= = = =
|
\ .
( )
( )
( )
max
max
1
50%
2
m m l
D D
V V V
q q
= =
= =
( )
min
DS GS t GS gsm t
V v V V V V = = +
analiz i proiectare
( )
( ) ( ) ( )
max min min
max
1
1 0,5
2 2 2
m l DS DS
D
l l l
V V V V
V V V
q
(
= = = <
(

Variaia P
l
, P
o
i P
D
n raport cu V
m
/V
l
, la AP n clas A Variaia randamentului AP n clas A n raport cu V
m
/V
l

analiz i proiectare
Concluzii
Liniaritate foarte bun, superioar altor clase de funcionare
Amplitudinea armonicilor la ieirea AP redus
Nivel mic al semnalului la intrare
Gama dinamic relativ mare
Puterea absorbit de la sursa de alimentare n c.c. constant, deci
independent de amplitudinea semnalului de ieire
Puterea disipat n tranzistor ridicat
Puterea maxim disipat de AP n clas A apare n lipsa semnalului de
ieire (putere de ieire nul).
Randamentul maxim 50%
AP n clas A sunt utilizate ca amplificatoare de mic putere (driver)
pentru amplificatoarele de putere mare.
analiz i proiectare
Aplicaii
1. Calculai randamentul de dren al tranzistorului dintr-un AP n
clas A cu bobin de oc de RF ideal tiind c:
a) V
l
= 20V, V
m
= 10V
b) V
l
= 20V, V
m
= 18V
2. Calculai puterea maxim pierdut n tranzistorul dintr-un AP n
clas A cu un etaj de amplificare, tiind c V
l
= 10V, I
l
= 1A.
3. S se proiecteze un RF PA n clas A avnd urmtoarea
specificaie: P
L
= 0,25W, V
l
= 1,5V, (V
DS
)
min
= 0,2V, f = 2,4GHz
analiz i proiectare
Analiza unui amplificator n clas B
Configuraia de baz

Element activ (tranzistor MOSFET, MESFET, BJT)
Circuit rezonant paralel L-C acordat pe frecvena fundamental f
0
C

Condensator de cuplaj, C
C
GS
v
l
V
l
I
D
i
C
L
C
C
DS
v
o
i
o
v
R
v
gs
V
GS
L C
l
V
l
I
D
i
C
L
C
C
DS
v
o
i
o
v
R
L C
O
t
i
D
analiz i proiectare
Analiza unui amplificator n clas B (continuare)
Condiii de funcionare
Tranzistorul (MOSFET) este polarizat la grania dintre regiunea de blocare
(liniar) i regiunea activ (de saturaie).
Componenta de c.c. a tensiunii P-S, V
GS
, este egal cu tensiunea de prag, V
t
.
Unghiul de conducie al curentului de dren 2 este de 180.
Tranzistorul lucreaz n regim de surs de curent controlat n tensiune.
Puritatea spectral a semnalului la ieire depinde de selectivitatea circuitului
rezonant L-C din drena tranzistorului.

analiz i proiectare
Forme de und
Tensiunea P-S, v
GS
:

Curentul de dren, i
D
, n condiii de semnal mare:

n clas B,
cos
GS GS gs t gsm
v V v V V t e = + = +
( ) cos ,
0,
GS t gsm GS t
D
GS t
K v V KV t v V
i
v V
e = >
=
<
cos
2 2
3
0
2 2
DM
D
I t t
i
t
t t
e e
t t
e
< s
< s
O
v
GS
et
V
t
2
t
2
t 3
2
t
et
i
D
2
t
2
t 3
2
t
I
DM
O
analiz i proiectare
Tensiunea D-S, v
DS
:

Curentul absorbit de la sursa de alimentare n c.c., I
l
:

Componenta fundamental a curentului de dren, I
m
:
cos 1 cos ,
m
DS l m l m m
l
V
v V V t V t V RI
V
e e
| |
= = =
|
\ .
( ) ( )
2
2
2
1
cos
2 2
DM
m DM l
I
I I t d t I
t
t
t
e e
t

= = =
}
O
v
DS
et
V
l
2
t
2
t 3
2
t
et
v
o
2
t
2
t 3
2
t
O
V
m
V
m
et
p
D
2
t
2
t 3
2
t
O
( ) ( ) ( )
2 2
2 2
2 1 1 2
cos
2 2
m m DM
l D DM
I V I
I i d t I t d t
R
t t
t t
e e e
t t t t t

= = = = =
} }
Rezult: 2
DM l m
I I I t = =
Rezult: 2
DSM l
V V =
analiz i proiectare
Relaii ntre puteri

Puterea instantanee disipat n tranzistor, la f = f
0
:
cos ,
2 2
3
0,
2 2
l
D
I t t
i
t
t t
t e e
t t
e
< s
< s
( )
( )
( )
cos cos ,
2 2
3
0,
2 2
1 cos cos ,
2 2
3
0,
2 2
DM l m
D D DS
m
l l
l
D D DS
I V V t t t
p t i v
t
V
I V t t t
V
p t i v
t
t t
e e e
e
t t
e
t t
t e e e
e
t t
e
< s
= =

< s
| |
< s
|
\ .
= =

< s

analiz i proiectare
Relaii ntre puteri (continuare)
Puterea instantanee normat disipat n tranzistor, la f = f
0
:
( )
1 cos cos ,
2 2
3
0,
2 2
m
D
l
l
V
t t t
p t
V
P
t
t t
t e e e
e
t t
e
| |
< s
|
\ .
=
< s
Creterea raportului V
m
/V
l
conduce la
scderea puterii instantanee disipat
n tranzistor, deci la creterea
eficienei AP n clas B.
f = f
0
( )
1 cos cos ,
2 2
3
0,
2 2
m
l
l
D
V
P t t t
V
p t
t
t t
t e e e
e
t t
e
| |
< s
|
\ .
=
< s

analiz i proiectare
Rezistena vzut de sursa de alimentare, R
cc
:

Curentul maxim absorbit de la sursa de alimentare n c.c., (I
l
)
max
:

Rezistena minim vzut de sursa de alimentare, (R
cc
)
min
:

Rezistena maxim vzut de sursa de alimentare, (R
cc
)
max
:
2
l l
cc
l m
V V
R R
I V
t
= =
( )
max
2 2
m l
m l
m l
l l
V V
V V
V V
I I
R R t t
=
=
= = =
( )
0 max
m
cc cc
V
R R
=
=
( )
( )
( )
max
min
max
2
l l
l
cc cc
I I
l
V
R R R
I
t
=
= = =
analiz i proiectare
Puterea absorbit de la sursa de alimentare n c.c., P
l
:

Puterea activ la ieirea tranzistorului, P
o
:

Puterea pierdut prin disipaie termic n tranzistor, P
D
:

2
2 2 2
m l l m DM
l l l l m l
l
V V V V I
P I V V I V
R R V t t t t
| | | |
= = = = =
| |
\ .\ .
2
2 2
1
2 2 2
m m m l m
o
l
I V V V V
P
R R V
| |
= = =
|
\ .
( )
2
2
2
2
2 2 2
1 2
2 2
2 1 2 1
2 2
l m m
D D DS l o
l m l m l m m
l l l l
VV V
P i v d t P P
R R
V V V V V V V
R V R V R V V
t
t
e
t t
t t
= = = =
| | | |
= =
| |
\ . \ .
}
analiz i proiectare
Puterea maxim disipat, (P
D
)
max
:
Variaia normat a P
l
, P
o
i P
D
n raport cu V
m
/V
l
la AP n clas B
( )
( )
lim
lim
d 2 2
0
d
2
0, 636
l m D
m l
m
m
l
V V P
V V
V R R
V
V
t t
t
= = =
= ~
( )
( )
lim
2 2
2 2 max
2
2
4 2
2
m m
l l
D D
V V
l
V V
P P
R R
V
R
t t
t
=
= = =
=
analiz i proiectare
Randamentul AP de RF

Obs.: Randament superior clasei A
( ) ( )
2
min min 2
1
2
4 4 4
m
l DS DS
o m
D
l m
l l l l
V
V V V
P V
R
VV
P V V V
R
t t t
q
t
(
= = = = =
(

( )
( )
( )
max
max
0, 7854 78,54%
4
m l
o
D D
V V
l
P
P
t
q q
=
= = = ~
Randamentul AP n clas B n funcie de V
m
/V
l
analiz i proiectare
Aplicaie
S se proiecteze un AP n clas B care s respecte urmtoarea specificaie: frecvena f
0
=
2,4GHz, lrgimea benzii de frecvene B = 480MHz, puterea la ieire P
o
= 20W. Tensiunea
de alimentare n c.c. este V
l
= 24V iar tensiunea D-S minim a elementului activ (tranzistor
MOSFET N) este V
DSmin
= 2V.
Soluie:
m
:

Rezistena de sarcin , R:

Amplitudinea componentei fundamentale a curentului de dren, I
m
:
( ) | |
min
24 2 22 V
m l DS
V V V = = =
| |
2 2
22
12,1
2 2 20
m
o
V
R
P
= = =
| |
22
1,818 A
12,1
m
m
V
I
R
= = =
analiz i proiectare
Aplicaie (continuare)
Curentul absorbit de la sursa de alimentare n c.c., I
l
:

Valoarea maxim a curentului de dren este, I
DM
:

Valoarea maxim a tensiunii D-S, V
DSM
:

l
:

Puterea disipat n tranzistor, P
D
:

Randamentul,
D
:

| |
2 2
1,818 1,157 A
l m
I I
t t
= = =
| | 1,157 3,634 A
DM l
I I t t = = =
2 48V
DSM l
V V = =
| | 1,157 24 27,76 28 W
l l l
P I V = = = ~
| | 28 20 8 W
D l o
P P P = = =
( )
20
0, 7142 71, 42%
28
o
D
l
P
P
q = = =
analiz i proiectare
Factorul de calitate al circuitului rezonant derivaie, Q
L
:

La frecvena de rezonan, f
0
:

Valorile elementelor circuitului rezonant L-C derivaie:

0
2400
5
480
L
f
Q
B
= = =
| |
12,1
2, 42
5
L C
L
R
X X
Q
= = = = O
| |
9
0
2, 42
0,16 nH
2 2, 4 10
L
X
L
e t
= = =

| |
9
0
1 1
27, 4 pF
2 2, 4 10 2, 42
C
C
X e t
= = =

analiz i proiectare
Analiza amplificatoarelor n clasa AB sau C
Configuraia de baz

Topologie asemntoare cu cea a unui AP de radiofrecven n clas B
Punctul static de funcionare al tranzistorului se afl n regiunea de tiere
V
GS
< V
t

Tranzistorul este n conducie un interval mai mic dect o semiperioad a
semnalului de intrare, 2 < 180
GS
v
l
V
l
I
D
i
C
L
C
C
DS
v
o
i
o
v
R
v
gs
V
GS
L C
l
V
l
I
D
i
C
L
C
C
DS
v
o
i
o
v
R
L C
O
t
i
D
analiz i proiectare
Analiza amplificatoarelor n clasa AB sau C (continuare)
Forme de und
t e
v
o
-t/2 t/2 3t/2 O
V
m
O
t e
-t/2 t/2 3t/2 -u u
p
D
t e
v
GS
V
t
-t/2 t/2 3t/2 O
t e
i
D
V
t
-t/2 t/2 3t/2 O
I
DM
-u u
t e
v
DS
V
t
-t/2 t/2 3t/2 O
analiz i proiectare
Expresia curentului de dren (valabil pentru AP n clas AB, B, C), i
D
:

Dezvoltarea n serie Fourier a expresiei curentului de dren:

Componenta de c.c. a curentului de dren, I
l
:

( ) ( )
cos cos
,
1 cos
0, 2
DM
D D
t
I t
i t i t
t
e u
u e u
e e
u
u e t u
< s
= =
< s
( ) ( ) ( ) ( )
0 0 1 2
1
cos cos cos 2
D DM n DM
n
i t I n t I t t e o o e o o e o e
=
(
= + = + + + (

(

( ) ( ) ( ) ( )
( )
( )
( ) ( )
0 0
0 0
cos cos 1 1
2 1 cos
sin cos sin cos
, unde
1 cos 1 cos
DM
l D D
l
DM DM
DM
t I
I i t d t i t d t d t
I
I I
I
u u u
u
e u
e e e e e
t t t u
u u u u u u
o o
t u t u
= = = =

= = = =

} } }
analiz i proiectare
Amplitudinea componentei fundamentale a curentului la ieire, I
m
:

Amplitudinea componentei armonice de ordinul n a curentului la ieire:
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( )
( ) ( )
( )
( )
0
1
0
1
1
1 2
cos cos
cos cos 2 sin cos
cos ,
1 cos 1 cos
sin cos
unde
1 cos
m D D
DM
DM DM
m m
DM
DM
I i t t d t i t t d t
t I
t d t I I
I I
I
I
u u
u
u
e e e e e e
t t
e u u u u
e e o
t u t u
u u u
o
t u o
= = =

= = =

= = =
} }
}
( )
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( )
( ) ( )
( ) ( )
( )
( )
0
2
0
1 2
cos cos
cos cos sin cos cos sin 2 2
cos
1 cos 1 1 cos
n
m D D
DM
DM
I i t n t d t i t n t d t
t n n n I
n t d t I
n n
u u
u
u
e e e e e e
t t
e u u u u u
e e
t u t u
= = =

= =

} }
}
analiz i proiectare
( )
( )
( ) ( )
( )
( )
2
sin cos cos sin 2
, unde , 2,3, 4,
1 1 cos
n
n
m
m n DM n
DM
n n n I
I I n
I n n
u u u u
o o
t u
= = = =

Coeficienii seriei Fourier n raport
cu semiunghiul de conducie u al
curentului de dren pentru AP de RF
n clasele AB, B i C
analiz i proiectare
Raportul dintre amplitudinea componentei fundamentale i a componentei de
c.c. ale curentului de dren,
l
:
1
0
sin cos
sin cos
m
l
l
I
I
o u u u
o u u u
= = =
Variaia
l
n raport cu semiunghiul de
conducie u al curentului de dren pentru
AP de RF n clasele AB, B i C
analiz i proiectare
Expresia curentului de dren, i
D
:

Tensiunea D-S la frecvena fundamental, f = f
0
, v
DS
:

Puterea instantanee disipat, la f = f
0
, p
D
:

Puterea instantanee normat disipat n tranzistor, la f = f
0
:

( )
( ) cos cos
,
sin cos
D l
t
i t I t
t e u
e u e u
u u u
= s s
( ) ( ) ( )
max
cos 1 cos ; 2
m
DS l m l DSM l m l
l
V
v V V t V t V V V V
V
e e
(
= = = + =
(

( )
( ) cos cos
1 cos ,
sin cos
m
D D DS l l
l
t V
p t i v I V t t
V
t e u
e e u e u
u u u
| |
= = s s
|
\ .
( ) ( ) cos cos
1 cos ,
sin cos
D D DS m
l l l l
p t t i v V
t t
P I V V
e t e u
e u e u
u u u
| |
= = s s
|
\ .
analiz i proiectare
Variaia puterii instantanee normat disipat, n
raport cu et, corespunztoare unui unghi u =120,
pentru AP de RF n clas AB
f = f
0
Variaia puterii instantanee pierdut normat, n
raport cu et, corespunztoare unui unghi u =60,
pentru AP de RF n clas C
f = f
0
analiz i proiectare
Relaii ntre puteri
l
:

Puterea activ la ieire pe componenta fundamental, P
o
:

D
:

Raportul dintre amplitudinea componentei fundamentale a tensiunii D-S i
tensiunea de alimentare,
l
:
0 l l l DM l
P I V I V o = =
1
1 1
2 2
o m m DM m
P I V I V o = =
1 1
0 1 0 0
1
2 2 2
m
D l o DM l DM m DM l DM l l
l
V
P P P I V I V I V I V
V
o o
o o o o
| |
| |
= = = =
| |
\ .
\ .
m
l
l
V
V
=
analiz i proiectare
Randamentul,
D
( )
( )
1
1 1 1 1
0
min
1 1 1 1 sin cos
2 2 2 2 sin cos
sin cos
1
2 sin cos
o m m
D
l l l
DS
l
P I V
P I V
V
V
o u u u
q
o u u u
u u u
u u u
= = = = = =
(
=
(

Randamentul de dren n funcie de unghiul
de conducie u pentru diverse valori ale
1

Pe msura scderii unghiului de conducie
de la 180 la 0 randamentul crete de la
50% (
1
=0,5) la 100% (
1
=1).
analiz i proiectare
Parametrii AP n clas AB
AP n clas AB: 90 < u < 180
Valoare considerat: u = 120
Coeficienii seriei Fourier a curentului de dren

Raportul dintre amplitudinea componentei fundamentale i a componentei de c.c.
ale curentului de dren,
l
:
( ) ( )
3 2 1
2 3 2
0
1
2
2 3
sin cos 3 3 2
0, 406
1 cos 1 9
l
DM
I
I
t
u t
u u u t
o
t u t t
=
+ +
= = = = ~
+
( ) ( )
3 2 1
3 2 2
1
1
2
2 3
sin cos 3 3 8
0,536
1 cos 1 18
m
DM
I
I
t
u t
u u u t
o
t u t t
=
+ +
= = = = ~
+
( )
3 2 1
3 2 2 1
1
3 2 1
2 3 0 2 3 2
sin cos 3 3 8
1,321
sin cos
2 3 3 2
m
l
I
I
t
t
u t
o u u u t
o u u u
t
=
+ +
= = = = = ~
+
+
analiz i proiectare
Parametrii AP n clas AB (continuare)
l
:

o
:

D
:

Randamentul de dren,
D
:
0, 406
l DM l
P I V =
0, 268
o DM m
P I V =
( ) 0, 406 0, 268 0, 406 0, 268 0, 406 0, 268
m
D DM l DM m DM l DM l l
l
V
P I V I V I V I V
V
| |
= = =
|
\ .
( )
( )
( )
( )
( )
( ) ( )
3 2 1
3 2 2 min min
3 2 1
2 3 2
2 3
min min
sin cos
1 1
2 sin cos
2
3 3 8
1 0, 6605 1
4 3 3 2
DS DS
o
D
l l l
DS DS
l l
V V
P
P V V
V V
V V
t
t
u t
u u u
q
u u u
t
t
=
( ( +
= = = =
( (
+

( ( +
= ~
( (
+

analiz i proiectare
Aplicaie
S se proiecteze un AP n clas AB care s furnizeze la ieire puterea activ P
o
= 12W la
frecvena f
0
= 5GHz, n condiiile unui unghi de conducie al curentului de dren u = 120.
Lrgimea benzii de frecvene a FTB (modelat printr-un circuit rezonant derivaie L-C fr
pierderi) de la ieirea AP este B = 500MHz. Tensiunea de alimentare n c.c. a tranzistorului
MOSFET N este V
l
= 24V iar tensiunea D-S minim este V
DSmin
= 1V.
Soluie:
Amplitudinea tensiunii la ieirea tranzistorului, V
m
:

Rezistena de sarcin pe care lucreaz tranzistorul, R:

Amplitudinea curentului de ieire, I
m
:
( ) | |
min
24 1 23 V
m l DS
V V V = = =
| |
2 2
23
22
2 2 12
m
o
V
R
P
= = ~ O
| |
23
1, 045 A
22
m
m
V
I
R
= = =
analiz i proiectare
Curentul absorbit de la sursa de alimentare, I
l
:

Valoarea maxim a curentului de dren pe fundamental pentru u = 120, I
DM
:

Tensiunea maxim D-S, V
DSM
:

Puterea absorbit de la sursa de alimentare, P
l
:

Puterea disipat n circuitul de dren, P
D
:

| |
1, 045
0, 791 A
1,321
m
l
l
I
I
= ~ =
| |
1
1, 045
1,949 A
0,536
m
DM
I
I
o
= = =
| | 2 2 24 48 V
DSM l
V V = = =
| | 0,791 24 18,98 W
l l l
P I V = = =
| | 18,98 12 6,98 W
D l o
P P P = = =
analiz i proiectare
Eficiena de dren este,
D
:

Factorul de calitate n sarcin al circuitului rezonant L-C, Q
L
:

0
:


( )
12
0, 6322 63, 22%
18,98
o
D
l
P
P
q = = ~
0
5000
10
500
L
f
Q
B
= = =
| |
22
2, 2
10
L C
L
R
X X
Q
= = = = O
| |
9
0
2, 2
0, 07 nH
2 2 5 10
L
X
L
f t t
= = =

| |
9
1 1
14, 46 pF
2 2 5 10 2, 2
C
C
fX t t
= = =

analiz i proiectare
Parametrii AP n clas C
AP n clas C: u < 90

l
:
( ) ( )
3 1
2 3 2
0
1
2
3
sin cos 3 1
0, 218
1 cos 1 3
l
DM
I
I
t
u t
u u u
o
t u t t
=

= = = = ~

( ) ( )
3 1
3 2 2
1
1
2
3
sin cos 2 3
0,391
1 cos 1 3 2
m
DM
I
I
t
u t
u u u
o
t u t t
=

= = = = ~

( )
3 1
3 2 2 1
1
3 1
3 0 2 3 2
sin cos 4 3 3
1, 793
sin cos
2 3 3
m
l
I
I
t
t
u t
o u u u t
o u u u
t
=

= = = = = ~

analiz i proiectare
Parametrii AP n clas C (continuare)
l
:

o
:

D
:

D
:
0, 218
l DM l
P I V =
0,195
o DM m
P I V ~
( ) 0, 218 0,195 0, 218 0,195 0, 218 0,195
m
l
V
P I V I V I V I V
V
| |
= = =
|
\ .
( )
( )
( )
( )
( )
( ) ( )
3 1
3 2 2 min min
3 1
2 3 2
3
min min
sin cos
1 1
2 sin cos
2
4 3 3
1 0,8968 1
4 3 3
DS DS
o
D
l l l
DS DS
l l
V V
P
P V V
V V
V V
t
t
u t
u u u
q
u u u
t
t
=
( (
= = = =
( (

( (
= ~
( (

analiz i proiectare
Aplicaie
S se proiecteze un AP n clas C care s furnizeze la ieire puterea activ P
o
= 6W la
frecvena f
0
= 2,4GHz, tiind c unghiul de conducie al curentului de dren este u = 60.
MOSFET N este V
l
DSmin
= 1V.
Soluie:
m
:


m
:
( ) | |
min
12 1 11 V
m l DS
V V V = = =
| |
2 2
11
10
2 2 6
m
o
V
R
P
= = ~ O
| |
11
1,1 A
10
m
m
V
I
R
= = =
analiz i proiectare
l
:

DM
:

DSM
:

l
:

D
:
| |
1,1
0, 613 A
1, 793
m
l
l
I
I
= = =
| |
1
1,1
2,813 A
0,391
m
DM
I
I
o
= = =
| | 2 2 12 24 V
DSM l
V V = = =
| | 0,613 12 7,35 W
l l l
P I V = = =
| | 7,35 6 1,35 W
D l o
P P P = = =
analiz i proiectare
D
:

L
:

0
:

( )
6
0,8163 81, 63%
7,35
o
D
l
P
P
q = = =
0
2400
10
240
L
f
Q
B
= = =
| |
10
1
10
L C
L
R
X X
Q
= = = = O
| |
9
0
1
0, 066 nH
2 2 2, 4 10
L
X
L
f t t
= = =

| |
9
0
1 1
66,31 pF
2 2 2, 4 10 1
C
C
f X t t
= = =

analiz i proiectare
Parametrii AP n clas C, = 45
AP n clas C: u < 90

l
:
( )
( )
( )
( )
2 2
2 4 2
0
2
2
4
2 4 sin cos
0,1649
1 cos
1 4 2 2
l
DM
I
I
t
u t
t u u u
o
t u
t t
=

= = = = ~

( )
( )
( )
2 2
4 2 2
1
2
2
4
sin cos 2
0,3101
1 cos
1 2 2 2
m
DM
I
I
t
u t
u u u t
o
t u
t t
=

= = = = ~

( )
2 2
1 4 2 2
2 2
4 0 2 4 2
2 2 sin cos
1,8807
sin cos 4
m
l
l
I
I
t
t
u t
t o u u u
o u u u t
=

= = = = = ~

analiz i proiectare
Parametrii AP n clas C, = 45 (continuare)
l
:

o
:

D
:

D
:
0,1649
l DM l
P I V ~
0,3101
o DM m
P I V ~
( ) 0,1649 0,155 0,1649 0,155 0,1649 0,155
m
l
V
P I V I V I V I V
V
| |
= = =
|
\ .
( )
( ) ( )
min min
4
sin cos
1 0,9403 1
2 sin cos
DS DS
o
D
l l l
V V
P
P V V
u t
u u u
q
u u u
=
( (
= = ~
( (

analiz i proiectare
Coeficienii seriei Fourier pentru AP de RF n clasele AB, B
i C
analiz i proiectare
Aplicaie
S se proiecteze un AP n clas C care s furnizeze la ieire puterea activ P
o
= 1W la
frecvena f = 2,4GHz, tiind c unghiul de conducie al curentului de dren este u = 45.
MOSFET N este V
l
DSmin
= 0,2V.
Soluie:
m
:


m
:
( ) | |
min
5 0, 2 4,8 V
m l DS
V V V = = =
| |
2 2
4,8
11,52
2 2 1
m
o
V
R
P
= = = O
| |
4,8
0, 416 A
11,52
m
m
V
I
R
= = ~
analiz i proiectare
l
:

DM
:

DSM
:

l
:

D
:
| |
0, 416
0, 221 A
1,8807
m
l
l
I
I
= = =
| |
0 1
0, 416
1,341 A
0,3101
l m
DM
I I
I
o o
= = = =
| | 2 2 5 10 V
DSM l
V V = = =
| | 0, 221 5 1,105 W
l l l
P I V = = =
| | 1,105 1 0,105 W
D l o
P P P = = =
analiz i proiectare
D
:

L
:

0
:

( )
1
0,9049 90, 49%
1,105
o
D
l
P
P
q = = =
0
2, 4
10
0, 24
L
f
Q
B
= = =
| |
11,52
1,152
10
L C
L
R
X X
Q
= = = = O
| |
9
0
1,152
0, 076 nH
2 2 2, 4 10
L
X
L
f t t
= = =

| |
9
0
1 1
57,56 pF
2 2 2, 4 10 1,152
C
C
f X t t
= = =

analiz i proiectare
Analiza unui amplificator n clas E
Configuraia de baz

Tranzistor rol de comutator ideal
Circuit rezonant serie L
0
-C
0
acordat pe frecvena fundamental f
0
C

Reactan serie, X

S
v
D
V
ds
I
S
i
C
L
ds
V L
i
L
v
L
R
d
C
C
i
0
L
0
C jX
analiz i proiectare
Analiza unui amplificator n clas E (continuare)
Funcionare
S
v
D
V
ds
I
S
i
C
L
ds
V L
i
L
v
L
R
d
C
C
i
0
L
0
C jX
Putere maxim la ieire:
ON (nchis) n cursul primei
semiperioade a ciclului de RF
OFF (deschis) pe durata celei de-a doua
semiperioade
0 et t: comutator n starea ON

t = 0: i
S
= 0. Rezult:
( )
( )
( ) ( )
0
sin
sin
C
L L
S ds L
i t
i t I t
i t I I t
e
e
=
=
= +
( ) ( ) ( )
sin . Se obine:
sin sin sin sin
ds L
S L L L
I I
i t I I t I t
e e
=
= + = + (

analiz i proiectare
Funcionare (continuare)
S
v
D
V
ds
I
S
i
C
L
ds
V L
i
L
v
L
R
d
C
C
i
0
L
0
C jX
t et 2t: comutator n starea OFF
( ) ( )
( )
sin
sin sin
ds C L C ds L
L
I i i i t I I t
I t
e
e
= + = + =
= + (

( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
( ) ( )
( ) ( ) ( )
( ) ( )
1
sin sin
sin sin
sin cos
sin cos cos
cos cos sin
t t
L
S C
d d
t t
L
d
t t
L
d
L
d
L
d
I
v t i d t t d t
C C
I
d t t d t
C
I
t t
C
I
t t
C
I
t t
C
e e
t t
e e
t t
e e
t t
e e e
e e
e e e
e
e e
e
e t e t
e
e e t
e
= = + = (

(
= + =
(

(
= + + =

= + + + = (

= + + + (

} }
} }
analiz i proiectare
S
v
D
V
ds
I
S
i
C
L
ds
V L
i
L
v
L
R
d
C
C
i
0
L
0
C jX
t et 2t: comutator n starea OFF
et = 2t: v
S
= 0. Rezult:
2
2cos sin 0 tg 32, 482 t
t
+ = = ~
( )
( )
2 2
2
2
2
Dar: sin ; cos
4 4
2 4
sin
2
4
Rezult:
, unde
3
cos sin
2 2
L
ds L L ds
ds
S
d
I
I I I I
I
v F t
C
F t t t t
t

t t
t
t
e
e
t t
e e e e
= =
+ +
+
= = =
+
=
=
( ) cos cos sin sin cos sin
L
S
d
I
v t t t
C
e e e t
e
= + + (

analiz i proiectare
Bobin de oc de RF ideal: V
D
= V
ds

Componenta reactiv jX: corecteaz defazajul dintre v
L
i v
S

( )
( )
( ) ( ) ( )
2 2
2
2
2 2
2
1 3
cos sin
2 2 2 2
3
sin cos
2 2 2 2
ds
ds S
d
ds
d
ds
d
I
V v d t t t t d t
C
t I
t t t
C
I
C
t t
t t
t
t t
t
t
t t
t
t t
e e e e e
t te
e
t t
e e e
te
te
(
= = =
(

(
(
= + =
(

=
} }
Arhitectura push-pull complementar a AP
de RF n clasele AB, B i C
Configuraia de baz:
O pereche de tranzistoare complementare
Circuit rezonant paralel
Condensator de cuplaj
Q
1
, Q
2
:
Pereche complementar
Operate n regim de surs de curent
controlat n tensiune
NMOS PMOS: AP CMOS n
configuraie push-pull complementar
Tranzistoare CBJT
l
V
1 D
i
2 D
i
C
C
2 DS
v
L
i
L
v
L
R
L C
1 DS
v
1 2 D D
i i
O
t
i
D2
O
t
i
D1
l
V
C
C
2 DS
v
L
i
L
v
L
R
L C
v
i
Q
1
Q
2
1 DS
v
1 D
i
2 D
i
1 2 D D
i i
AP n clas B n configuraie push-pull folosete Q
1
pentru amplificarea
alternanei pozitive a semnalului de intrare v
i
i Q
2
pentru amplificarea alternanei
negative a v
i
C
C
:
Blocheaz componenta de c. c.
Asigur un nivel al tensiunii de c.c. egal cu V
l
/ 2, asigurnd alimentarea Q
2
ct timp Q
1

este blocat (nu conduce) capacitate mare
Anularea armonicilor pare n AP push-pull
Ipotez simplificatoare: Q
1
i Q
2
au caracteristici identice, circuit echilibrat
Dezvoltarea n serie Fourier a curentului i
D1

Dezvoltarea n serie Fourier a curentului i
D2
(defazat cu 180 fa de i
D1
)

Valoarea instantanee total a curentului prin C
C

Concluzie: THD mic; FTB de la ieire elimin doar armonicile impare

1 1 2 3
1 2 3
cos cos 2 cos3 e e e
= + + + + =
= + + + +
D D d d d
D dm dm dm
i I i i i
I I t I t I t
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
2 1 1 2 3
1 2 3
1 2 3
cos cos2 cos3
cos cos2 cos3
D D D d d d
D dm dm dm
D dm dm dm
i t i t I i t i t i t
I I t I t I t
I I t I t I t
e e t e t e t e t
e t e t e t
e e e
= = + + + + =
= + + + + =
= + +
1 2 1 3
2 cos 2 cos3
C D D dm dm
i i i I t I t e e = = + +
Relaii ntre puteri (RF AP n clas B)
Tensiunea la sarcin i curentul prin sarcin

Puterea activ n sarcin

Curentul absorbit de Q
1
la sursa de alimentare
cos ,
2
cos ,
2
l
L m m
m l
L m m
L L
V
v V t V
V V
i I t I
R R
e
e
= =
= = =
2
2 8
m m l
o
L
V I V
P
R
= =
( ) ( ) ( ) ( )
2 2
1
2 2
1 1
cos
2 2 2 2
l l
l D
L L
V V
I i t d t t d t
R R
t t
t t
e e e e
t t t

= = =
} }
Relaii ntre puteri (RF AP n clas B) (continuare)
Puterea absorbit de la sursa de alimentare n c.c.

Puterea activ, disipat n tranzistoare

Randamentul maxim AP
2
2 2
l l
l l l l
L L
V V
P V I V
R R t t
= = =
2 2 2 2
1 1
0, 0341
2 8 2 4
l l l l
D l o
L L L L
V V V V
P P P
R R R R t t
| |
= = = =
|
\ .
( ) ( )
2
2 max
2
0, 7853 78,53%
8 4
t t
q = = = ~
o l L
D
l L l
P V R
P R V
Aplicaie
S se proiecteze un AP CMOS n clas B care s furnizeze la ieire puterea activ P
o
= 50W
pe rezistena de sarcin R
L
= 50O, la frecvena f = 1,8GHz. Lrgimea benzii de frecvene a
FTB (modelat printr-un circuit rezonant derivaie L-C) de la ieirea AP este B = 180MHz.
Tensiunea de alimentare n c.c. este V
l
DSmin
= 1V. Se
consider un randament al circuitului rezonant q
r
= 95%.
Soluie:
Puterea activ la intrarea circuitului rezonant are valoarea:

Amplitudinea tensiunii D-S este:

Rezistena vzut la intrarea circuitului rezonant este:
50
52, 63W
0,95
o
DS
r
P
P
q
= = =
( )
min
48
1 23V
2 2
l
dm DS
V
V V = = =
2 2
23
5, 025
2 2 52, 63
dm
DS
V
R
P
= = = O

Amplitudinea componentei fundamentale a curentului de dren are valoarea:

Curentul absorbit de la sursa de alimentare este:

Puterea absorbit de la sursa de alimentare are, n aceste condiii, valoarea:

Randamentul global al PA este:

Estimarea PAE pentru G
1
= 6dB, respectiv G
2
= 10dB
23
4,57A
5, 025
dm
dm
V
I
R
= = =
1 1
4,57 1, 45A
l dm
I I
t t
= = =
1, 45 48 69,6W
l l l
P I V = = =
( )
50
0, 7183 71,83%
69, 6
o
l
P
P
q = = =
( )
( )
1
2
50 50 4
0,5387 53,87% , 6dB
69, 6
50 50 10
0, 6465 64, 65% , 10dB
69, 6
o i
l
G
P P
PAE
P
G
= =

= =

= =

Factorul de calitate n sarcin al circuitului rezonant L-C are valoarea:

La frecvena f reactanele elementelor circuitului rezonant sunt:

Rezult, astfel:
1,8
10
0,18
L
f
Q
B
= = =
5, 025
0,5025
10
L C
L
R
X X
Q
= = = = O
9
0,5025
0, 044nH
2 2 1,8 10
L
X
L
f t t
= = =

9
1 1
175,95pF
2 2 1,8 10 0,5025
C
C
fX t t
= = =

Arhitectura push-pull n contratimp cu cuplaj
prin transformator a RF AP n clasele AB, B i C
Configuraia de baz

Forme de und ale semnalelor
Expresia curentului prin sarcin i a tensiunii pe sarcin
sin sin
L m dm
m dm
dm m
i I t nI t
I V
n
I V
e e = =
= =
sin sin
dm
L m m L
V
v V t I R t
n
e e = = =
v
i
1:n:n n:n:1 Q
1
Q
2
L C R
L
1 GS
v
2 GS
v
1 DS
v
2 DS
v
1 D
i
2 D
i
l
I 1 p
v
2 p
v
s
v
L
i
L
v
Forme de und ale semnalelor (continuare)
Rezistena vzut de fiecare tranzistor n circuitul su de dren, cu cealalt
nfurare din primar n gol

Pe alternana pozitiv a v
i
Q
1
ON, Q
2
OFF
2
L
R n R =
( )
( )
( ) ( ) ( ) ( )
( )
( ) ( ) ( ) ( )
1
2
2
1 1 1 2
2
2
1 1 1 1
sin sin , 0
0
, unde
sin sin sin
sin sin sin
m
D dm
D
p D D L p
m
p dm m L
DS l p l D l D L
m
l dm l l m L
I
i t I t t t
n
i t
v t i t R i t n R v t
I
v t RI t R t nI R t
n
v t V v t V i t R V i t n R
I
V RI t V R t V nI R t
n
e e e e t
e
e e e e
e e e e
e e e e
e e e
= = < s
=
= = =
= = =
= + = = =
= = =
Pe alternana negativ a v
i
Q
1
OFF, Q
2
ON

Tensiunea ntre drenele Q
1
i Q
2
( )
( )
( ) ( ) ( ) ( )
( )
( ) ( ) ( ) ( )
1
2
2
2 2 2 1
1
2
2 2 2 2
0, 2
sin sin
, unde
sin sin sin
sin sin sin
D
m
D dm
p D D L p
m
p dm m L
DS l p l D l D L
m
l dm l l m L
i t t
I
i t I t t
n
v t i t R i t n R v t
I
v t RI t R t nI R t
n
v t V v t V i t R V i t n R
I
V RI t V R t V nI R t
n
e t e t
e e e
e e e e
e e e e
e e e e
e e e
= < s
= =
= = =
= = =
= = = =
= + = + = +
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
2
1 2 1 2 1 2
2 sin
D D p p L D D m L
v t v t v t n R i t i t nI R t e e e e e e = + = = (

Teoretic (Q
1
, Q
2
identice, structura perfect echilibrat) armonicele pare sunt
eliminate
Tensiunea din nfurarea secundar a transformatorului de la ieire, v
s

l
( )
( )
( ) ( )
1 2
1 2
sin
2 2
D D L
s D D L m
v t nR
v t i t i t R I t
n
e
e e e e = = = (

( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
1 2
2 2
0 0
sin sin
2 2 1 1
sin
2 2
m
l D D dm
m m m
l l
L
I
i t i t i t I t t
n
I I V
I i t d t t d t
n n nR
t t
e e e e e
e e e e
t t t t
= + = =
= = = =
} }
Relaii ntre puteri
Puterea absorbit de la sursa de alimentare

Puterea activ la sarcin

Puterea activ n circuitul de dren

2
l m
l l l
L
VV
P V I
nR t
= =
2
2
m
o
L
V
P
R
=
2
2
2
l m m
D l o
L L
VV V
P P P
nR R t
= =
( )
( )
( )
2 2
2 2 2 max
2 d 2
0
d
2 2
m m
cr
l m l D
m
cr
m L L
l l
D D
V V
L
V V V P
V
V nR R n
V V
P P
n R R
t t
t t
=
= = =
= = =
Amplitudinea tensiunii D-S

Randamentul AP

Dac V
dm
= nV
m
= V
l
atunci
2
dm m l
V nV V
t
= =
2
2 2 4 4
o m m dm L
D
l L l m l l
P V nV V nR
P R VV V V
t t t
q = = = =
( ) ( )
2 2
2
2 2
2
2
2 max
2 2
2 2
0, 7853 78,53%
2 2 4
l l
o
L
l l
l
L
o l
D
l l
V V
P
n R R
V V
P
n R R
P V R
P R V
t t
t t
q
= =
= =
= = = ~
Sumar
AP n clas B sunt alctuite n principal dintr-un tranzistor, un circuit
rezonant paralel, o bobin de oc RF i un condensator de blocare a
componentei de c.c.
n AP n clas B elementul activ este operat n regim de surs de
curent controlat de tensiunea D-S (respectiv B-E, tr. bipolare).
Unghiul de conducie al curentului de dren 2u este de 180 n cazul
AP n clas B.
Randamentul AP n clas B este ridicat, valoarea sa maxim fiind de
cca. 78,5%.
Unghiul de conducie al curentului de dren 2u este mai mic dect
180 n cazul AP n clas C.
Sumar (continuare)
n AP n clas C elementul activ este operat n regim de surs de
curent controlat de tensiunea D-S (B-E).
Randamentul AP n clas AB i C crete de la 50% la 100% odat cu
scderea unghiului de conducie 2u de la 180 la 0, dac V
m
= V
l
.
Randamentul maxim (teoretic) al AP n clas C este de 89,68%, dac
u = 60 i V
m
= V
l
.
Randamentul maxim al AP n clas C este de 94,04%, dac u = 45 i
V
m
= V
l
.
AP n clas B i C sunt utilizate ca AP de band ngust, din cauza
circuitului rezonant de la ieire.

Sumar (continuare)
n cadrul AP push-pull n clas B un tranzistor lucreaz pe alternana
pozitiv a semnalului de intrare iar cellalt tranzistor pe alternana
negativ (funcionare n contratimp). Pe semialternana pozitiv un
tranzistor mpinge (push) curentul n sarcin iar pe semialternana
negativ cellalt tranzistor trage (pull) curentul din sarcin.
n configuraia push-pull armonicile pare ale semnalului de la ieirea
AP sunt eliminate, reducndu-se astfel distorsiunile armonice totale,
THD. n AP reale, armonicile pare sunt cauzate de asimetria
circuitului i de diferenele ntre caracteristicile celor dou
tranzistoare.
Cerine
1. Desenai schema unui AP n clas B, detaliind rolul fiecrui
element din circuit.
2. Care este modul de operare al tranzistorului n cadrul unui AP n
clas B?
3. Ce valoare are randamentul maxim al unui AP n clas B?
4. Cum este operat tranzistorul din cadrul unui AP n clas C?
5. Ce valoare are randamentul unui AP n clas C pentru u = 60,
respectiv u = 45?
6. Depind curentul de dren i tensiunea la ieire de tensiunea G-S n
cazul AP n clas B i C?
7. Descriei principiul de funcionare al AP CMOS push-pull n clas
B cu tranzistoare complementare.
Cerine
8. Descriei principiul de funcionare al AP push-pull n clas B cu
cuplaj prin transformator.
9. Ce tip de armonici sunt prezente n semnalul de ieire al AP push-
pull? Justificai rspunsul.
6.7 Aplicaii
1. Proiectai un AP n clas B care s respecte specificaia: V
l
= 3,3V,
P
o
= 1W, V
DSmin
= 0,2V, B = 240MHz, f = 2,4GHz.
2. Proiectai un AP n clas AB care s respecte specificaia: V
l
= 48V,
P
o
= 22W, V
DSmin
= 1V, u = 120, B = 90MHz, f = 0,9GHz.
3. Proiectai un AP n clas C care s respecte specificaia: V
l
= 3,3V,
P
o
= 0,25W, V
DSmin
= 0,2V, u = 60, B = 240MHz, f = 2,4GHz.
4. Proiectai un AP n clas C care s respecte specificaia: V
l
= 12V,
P
o
= 6W, V
DSmin
= 1V, u = 45, B = 240MHz, f = 2,4GHz.
Metode de proiectare
Proiectarea unui amplificator ndeplinirea unor cerine de natur:
Fizic
Electric
Termic
Pre
Performanele unui amplificator determinate de:
Tipul i dimensiunea elementului activ (tranzistorului)
Topologia circuitului
Reelele de adaptare
Numrul etajelor de amplificare
Circuitele de polarizare n c.c.
Tehnologia de realizare
ncapsularea
Proiectarea amplificatorului
Funcie de tipul aplicaiei, d.p.d.v. al puterii cerute
Aplicaii de mic putere metode de proiectare liniar
Aplicaii de putere metode de proiectare neliniar; presupun utilizarea CAD
pentru caracterizarea neliniaritilor
Metodologia de proiectare include:
Selecia topologiei circuitului
Stabilirea numrului etajelor de amplificare
Sinteza reelelor de adaptare
Reeaua de polarizare
Circuitul de nsumare a puterii
Proiectarea:
Unul sau mai multe etaje
Band ngust sau band larg
Proiectarea amplificatorului Etape
1. Tipul de tranzistor utilizat i tehnologia de fabricaie
Tipul de tranzistor funcie de cerinele impuse prin specificaie (puterea n
c.c. disponibil, putere de ieire, factor de zgomot, frecvena de lucru i banda
aplicaiei etc.): CMOS, BJT, FET, HBT, HEMT
Tehnologia de fabricaie funcie de aplicaie, inta de pre, volumul anticipat
al produciei:
PCB (Printed Circuit Boards) RF, aplicaii de mic putere
Tehnologia straturilor subiri/groase dispozitive discrete; amplificator cu circuit
intern de adaptare; volum redus al produciei;
LTCC (Low-Temperature Cofired Ceramic) nivel ridicat de integrare a
componentelor; posibilitatea realizrii diverselor tipuri de linii de transmisiune
(strip, microstrip, ghid coplanar);
HTCC (High-Temperature Cofired Ceramic);
MIC (Monolithic Integrated Circuits) soluie preferat pentru aplicaii n unde
milimetrice; volum ridicat al produciei; pre mic
2. Dimensiunile (geometria) tranzistorului
Etap important n cazul aplicaiilor de putere
Alegerea geometriei depinde de:
Capabilitatea n putere a tranzistorului;
Disipaia termic important ce apare la puteri mari;
Frecvena de lucru i lrgimea benzii de frecvene a aplicaiei.
Analiza electrotermic permite alegerea unei geometrii optime, pe baza
CAD
3. Metoda de proiectare
Metoda liniei de sarcin (load-line method)
Utilizeaz relaiile lui Kirchhoff pentru caracterizarea amplificatorului (putere
absorbit n c.c, putere transmis sarcinii, randament);
Permite calculul puterii n sarcin i a randamentului n putere (PAE) doar la
frecvena fundamental
3. Metoda de proiectare (continuare)
Metoda adaptrii cu pierderi mici (LLM, low-loss match method)
Utilizeaz parametri extrai n condiii de semnal mare prin msurtori de tip load-
pull precum i parametrii S ai elementului activ;
Puterea n sarcin i PAE sunt calculai empiric.
Metod de proiectare neliniar
Utilizeaz CAD mpreun cu un model neliniar furnizat de regul de productor
al dispozitivului activ
Permite calculul compresiei puterii, PAE i al puterii la ieire funcie de puterea la
intrare
Metode statistice (DoE, Design of Experiments)
Utilizare tipic: optimizarea performanelor unui amplificator proiectat
Metoda experimental Taguchi: maximizeaz cantitatea de informaie ce poate fi
extras pe baza numr minim de experimente;
Variabilele (lungime linii, inductane, capaciti) factori, valorile asociate nivele.
4. Topologia circuitului i selecia componentelor
Topologia circuitului i reelele de adaptare proiectate n vederea obinerii
lrgimii benzii de frecvene necesare
Reducerea dimensiunilor amplificatorului:
ncorporarea reelei de polarizare n reeaua de adaptare;
Utilizarea unor reele de adaptare alctuite din elemente cu constante concentrate sau
elemente cu constante concentrate i cu constante distribuite (ex. linii microstrip);
La ieirea tranzistorului componente cu pierderi mici
ocul de RF din colectorul (drena) tranzistorului bobin discret, n locul
unui tronson inversor de impedan
Elemente cu constante concentrate vs. cu constante distribuite:
Dimensiuni i pre mai mici;
Raport mai mare de transformare a impedanei, pentru aceeai lrgime de band;
Recomandate n aplicaii de band larg
5. Analiza i optimizarea amplificatorului
Parametri de catalog ai tranzistoarelor:
Matricea de repartiie, S sau modele echivalente de circuit;
Condiiile recomandate de polarizare n c.c.;
Modele neliniare;
Impedanele optime de intrare i ieire n/din tranzistor, pentru o putere la ieire sau
PAE maxime;
Ctigul, n banda asigurat.
S / modelele echivalente de circuit i modelele neliniare
Necesare pentru calculul stabilitii i a performanelor electrice ale amplificatorului;
Permit anticiparea, prin simulare, a unor parametri precum: P
1dB
, PAE, G, TOI
(Third-Order Intercept Point), nivelul armonicelor doi i trei.
Datele extrase prin metodele load-pull i source-pull permit determinarea
precis a impedanelor de intrare/ieire, n condiii de semnal mare
Optimizarea include: analiza stabilitii, analiz termic, efectul ncapsulrii
Tehnica load-pull
Procesul de modificare a impedanei vzut de un
dispozitiv activ (tranzistor) la ieirea sa, alta dect
50, pentru msurarea parametrilor de performan
ai dispozitivului (ex. ctigul, G)
Se fac msurtori la semnal mare i se traseaz pe
diagrama Smith locul geometric al coeficientului de
reflexie al sarcinii pentru o valoare constant a
puterii n sarcin. Vor fi trasate mai multe asemenea
contururi.
Contururile de putere constant NU sunt cercuri;
au aceeai form pentru valori diferite ale puterii n
sarcin.
Metoda load-pull precis; asigur rezultatele
dorite reducnd problema la o simpl adaptare de
impedan.
Tehnica load-pull
Stand de msur (load-pull bench) permite evaluarea parametrilor de semnal
mare a unui tranzistor de putere: caracteristicile de compresie, puterea n
saturaie, randamentul i liniaritatea.
Metoda load-pull necesit echipament complex; mare consumatoare de resurse
de calcul n faza realizrii bazei de date.
Tehnica load-pull
Tuner de microunde
Echipament ce permite obinerea, repetabil, a unor coeficieni de
reflexie variabili
Conectabil la un IBM-PC printr-o interfa GPIB
Controlat prin intermediul unui software specializat
Tehnologii de realizare
Coaxial (0,2 50 GHz)
n ghid de und (26 110 GHz)
Parametri
VSWR
Lrgimea benzii de frecvene
Puterea de RF suportat
Repetabilitatea de obinere a coeficienilor de reflexie
Fiabilitatea (tunere electro-mecanice)

Tehnica load-pull
Tunere de microunde

Tunere de microunde electro-mecanice
CCMT (Focus Microwaves)
Modele (din spate n fa):
802-2C (0.2-18 GHz)
1808 (0.8-18 GHz )
4006 (6-40 GHz)
4006-2H (6-40 GHz)
Structura intern a unui tuner
multioctav cu dou axe
(Focus Microwaves)
Metoda liniei de sarcin
Model simplificat:
Dispozitivul activ generator ideal de
curent constant controlat n tensiune
Excursia semnalului la ieire nu depete
I
max
sau V
max
.
Elementele reactive ale dispozitivului activ
pot fi considerate ca aparinnd sarcinii.
Metoda liniei de sarcin valabil atta
timp ct dispozitivul activ nu intr n zona de
neliniaritate puternic.
Metoda i propune s traseze contururile de
putere constant pentru acest model
simplificat.

L
C
oc de RF ideal,
C
C
DC-block ideal,
C L
L R e >>
1
C L
C R e <<
DC
V
D
i
C
L
C
C
OUT
V
L
R
opt
=
L
Z R
V
IN
k ds
V BV <<
Rezistena optim de sarcin:

Puterea transmis sarcinii:

opt
max
2
DC DC
DC
V V
R
I
I
= =
O
t
DS
V
2
DC
V
DC
V
O
t
D
I
max
I
max
2 I
DC
I
opt
1
2
DC DC
P V I =
DC
V
D
i
C
L
C
C
OUT
V
L
R
opt
=
L
Z R
V
IN
Rezistena optim de sarcin: R
opt
+ j0
trasarea contururilor de putere constant
opt
LO opt
opt
HI opt opt
, 1
RF
R
R R
P
p P p
p
R pR R
= <
| |
= >
|
\ .
= >
opt opt L RF
R R P P = <
O
t
DS
V
2
DC
V
O
t
D
I
max
I
LO L
Z R =
HI L
Z R =
max
I p
2
DC
V p
LO L
Z R =
HI L
Z R =
O
t
DS
V
2
DC
V
O
t
D
I
max
I
LO L
Z R =
LO
j
L M
Z R X = +
LO opt
2 2
HI opt opt LO
2
opt
max
,
,
8
L
M
L
RF M S M
R R R p
R pR R R X
P
I R
P X X X
p
= =
= = +
= = < <
DC
V
D
i
C
L
C
C
L
R
j
L L S
Z R X = +
V
IN
j
S
X
( )
HI opt
2
opt 2 2
opt HI
1 1
, 1 ,
2
L L
DC L
RF M
M P M
G R G pR
P
V G
P R G B
p
B B B
= = =
= = = +
< <
O
t
DS
V
2
DC
V
O
t
D
I
max
I
HI L
G G =
HI L
G G =
HI
j
L M
G G B = +
HI
j
L M
G G B = +
DC
V
D
i
C
L
C
C
L
G
j
L L P
Y G B = +
V
IN
j
P
B
Modelarea conturului de putere constant p [dB]

LO
R
S
L
S
C
HI
R
P
L
P
C
( )
opt [dB] 10
LO HI opt [dB] 10
2 2
opt LO 2 2
opt HI
1 2
2 1
1 2
1 2 1 2
, 10
10
1 1
,
, limitele benzii considerate
1 1 1
,
1, 1
e e
e e
e e
ee ee
= =
= =
| |
= =
|
\ .
= =
p
p
M M
S P M
M
S S P P
R
R R R
X R R B
R R
C C B
X
L C L C
P
X
S
X
L
Z
A B C
Capsul
Elementele parazite introduse de capsula
dispozitivului activ se asimileaz circuitelor
de adaptare prin de-embedding, n banda
de lucru a amplificatorului.
Reele de adaptare
Rol: Transformarea unei impedane de sarcin, Z
L
, ntr-o impedan
Z
i
optim d.p.d.v. al sursei de semnal

Impedana optim de lucru Z
i
poate asigura:
Ctig maxim
Putere maxim transmis sarcinii
Distorsiuni minime ale semnalului n sarcin
Cazuri tipice:
Adaptarea unei linii de acces la o sarcin: Z
i
= Z
C

Amplificatoarele de semnal mic:
RF PA:
V
g
Z
G
Circuit de
adaptare
Z
L
Z
i
i G
Z Z
-
=
opt i G
Z R Z
-
= =
Circuite de adaptare

CA tipic reea cu proprieti de filtru trece-band
Variante
Reea cu proprieti de filtru trece-jos:

Reea cu proprieti de filtru trece-sus:
Circuit de
adaptare
fr
pierderi
E
G
G
Z
S
Z
S
R
S
L
S
G
S
C
S
R
S
C
S
G
S
L
Circuite de adaptare

Tranzistorul diport activ (Z, Y, S)
Reprezentarea tip diport: aplicabil numai ntre poarta de intrare i
cea de ieire a elementului activ, celelalte pori fiind terminate pe
impedane cunoscute
S
12
= 0: Cuplaj intrare ieire
Dispozitiv
activ
S
Z E
G
G
Z
CA
la ieire
CA
la intrare
Reele de adaptare
Cerinele reelelor de adaptare din RF PA
Transformarea unei impedane de sarcin, Z
L
, ntr-o impedan Z
i
optim
d.p.d.v. al scopului urmrit
Meninerea unei caracteristici de amplitudine i a unei caracteristici de faz
impuse ntr-un domeniu de frecvene n concordan cu ceea ce este transmis
i n conformitate cu standardele impuse
Atenuarea suficient d.p.d.v. al aplicaiei a armonicelor semnalului de ieire
Putere pierdut ct mai redus n reeaua de adaptare (randament al CA ct
mai ridicat)
Pre, gabarit, greutate i fiabilitate n conformitate cu specificaia impus
Reele de adaptare
Clasificare
Din punct de vedere al benzii de frecvene
De band ngust (uzual sub 10%), pentru un VSWR max. 2
De band larg
Din punct de vedere al elementelor constitutive
Pasive
Cu constante concentrate
Nedisipative
Disipative
Cu constante distribuite
Mixt
Active
Reele de adaptare de band ngust
Reele de adaptare cu constante concentrate
Reea de adaptare cu dou reactane (L sau I)
C
L
L
Z
Z
C
L
L
Z
Z
C
L
Z
Z
C
L
L
Z
Z
L
C
L
Z
Z
L C
L
Z
Z
L
C
L
Z
Z
C
L
Z
Z
L
L
L
C R
L
R
L
C R
L
R
L
R R <
L
R R >
1
L
L
R
X L R
R
e = =
1
1
L
C
L
R
X
C
R
R
e
= =
1
L L
L
R
X L R
R
e = =
1
1
C
L
R
X
C
R
R
e
= =

Presupune impedane terminale (R, R
L
) pur rezistive
Pentru impedane complexe poate fi utilizat urmtoarea procedur:
Etapa 1: Modelarea impedanelor terminale printr-o grupare rezisten-reactan
serie sau derivaie
Etapa 2: Stabilirea configuraiei reelei de adaptare
Etapa 3: Proiectarea reelei de adaptare ignornd reactanele impedanelor terminale
Etapa 4: Modificarea valorilor elementelor reactive obinute n etapa 3 n urma lurii
n considerare a efectului prezenei n circuit a reactanelor impedanelor terminale
Aplicaie: Z = (10 + j2) O, Z
L
= 50O || 20pF, f = 10MHz
Etapa 1

Etapa 2

L
C R
L
R
serie
10
j 10 j2
31,83nH
R
Z R X
L
= O
= + = + O
' =
R
L'
derivaie
50
50 || 20pF
20pF
L
L
L
R
Z
C
= O
= O
R
L
C
L
10
50
L
R
R
= O
= O

L
= 50O || 20pF, f = 10MHz
Etapa 3
7
50
1 10 1 20
10
20
318,3nH
2 2 10
L
L
L
R
X L R
R
X
L
f
e
t t
= = = = O
= = ~
7
1 50
25
50
1 1
10
1 1
636.6pF
2 2 10 25
L
C
L
C
R
X
C
R
R
C
fX
e
t t
= = = = O

= = ~

318,3nH
636,6pF
50O
10O
L
= 50O || 20pF, f = 10MHz
Etapa 4
R
L
L
C
R
C
L
L'
Z
R
L
Z
C
L
L L' +
L
C C
(10+j2)O
350nH
617pF
Dezavantaje:
Exist combinaii de impedane terminale care nu pot fi adaptate
Valorile L i C ale elementelor reelei de adaptare obinute prin proiectare pot fi
neuzuale (prea mari sau prea mici)
Celula de adaptare cu dou reactane nu prezint grade de libertate care s permit
optimizarea unor parametri de proiectare (atenuarea armonicilor, puterea pierdut)
Reea de adaptare cu trei reactane (T sau )
1
0
2
0
0
1
1
1
1
1 1
G
L
G
C
Z N
C
N
Z
M
NZ
L
N
N
M
e
e
e
=
=
| |
+
|
\ .
1
0
2
0
0
1
1
1 1
G
L
G
Z N
L
N
Z
M
L
N
N
M
C
NZ
e
e
e
=
+
=
G
Z
L
Z
1
C
2
C
L
G
Z
L
Z
1
L
2
L
C
0
frecvena unghiular de proiectare
1 raportul de transformare
, variabil
L
G
Z
M
Z
N M N
e
= >
>
G
Z
L
Z
L
1
C
2
C
G
Z
L
Z
1
L C
2
L
0
1
0
2
0
1
1
1
1 1
G
L
G
Z N
L
C
N
Z
M
N
N
M
C
NZ
e
e
e
=
=

=
0
1
0
2
0
1
1
1
1 1
G
L
G
C
Z N
N
Z
M
L
NZ
L
N
N
M
e
e
e
=
=
=
| |

|
\ .
Des folosit, datorit simplitii i a flexibilitii oferit n proiectare
Configuraii tipice:
Reea de adaptare n PI
L
C
1
R
L
R
C
2
1
1
1
C
R
X
C Q e
= =
( )
2
2 2
1
1 1
L
C
L
R
X
C
R
Q
R
e

= =
+
( )
2
2
1
1 1 1
1
L
L
Q R
X L R Q
Q Q R
e
(
= = + +
(
+

Condiie:
( )
2
1
L
R Q R + >
Des folosit, datorit simplitii i a flexibilitii oferit n proiectare
Configuraii tipice:
Reea de adaptare n PI Observaii
Valoarea factorului de calitate Q are implicaii asupra:
lrgimii benzii de frecvene a circuitului (Q| B+);
atenurii armonicilor semnalului (creterii selectivitii reelei de adaptare) (Q| a|);
randamentului (Q|q +).
Reeaua de adaptare n PI are proprieti de filtrare foarte bune
Pentru o atenuare ridicat a armonicilor poate fi folosit o reea n PI dubl (structur
compus din dou reele n PI cascadate)
Reea de adaptare n T (simetric sau nesimetric)
1 1 L
X L QR e = =
( )
2
2 2
1 1
L L
L
R
X L R Q
R
e = = +
( )
2
2
1 1
1 1
C
L
Q
X R
C
R
Q Q
R
e
+
= =
+ +
L
C
2
R
L
R
C
1
( )
2
1
L
R R R Q < < +
L
1
R
L
R
C
L
2
( )
2
1
L
R Q R + >
L
X L QR e = =
( )
2
1
2 1
1 1
1 1
C
L
Q
X R
C
R
Q Q
R
e
+
= =
+
( )
2
2
2
1
1 1
C L
L
R
X R Q
C R e
= = +
Aplicaie: Z = 10O || 100pF, Z
L
= 20O || 50nH, f = 100MHz, T simetric
Etapa 1

R C
Z
( )
( )
| |
j
|| j
j
10 j 15,915
7,17 j4,5
10 j 15,915
C
C
C
R X
Z R X
R X
= = =
+

= = O
+
R
s
C
s
| |
2 2
10
7,17
10
1
1
15,915
s
C
R
R
R
X
= = = O
| | | |
+
+
|
|
\ .
\ .
| |
2 2
15,915
4,5
15,915
1 1
10
C
Cs
C
X
X
X
R
= = = O
| | | |
+ +
| |
\ . \ .
L
Etapa 1

| |
j
|| j
j
20 j31, 416
14, 23 j9, 06
20 j31, 416
L L
L L L
L L
R X
Z R X
R X
= = =
+
= = + O
+
| |
2 2
20
14, 23
20
1
1
31, 416
L
Ls
L
L
R
R
R
X
= = = O
| | | |
+
+
|
|
\ .
\ .
| |
2 2
31, 416
9, 06
31, 416
1
1
20
L
Ls
L
L
X
X
X
R
= = = O
| | | |
+
+
|
|
\ .
\ .
R
L
L
L
Z
L
R
Ls
L
Ls
L
Etapa 2

Etapa 3

Condiie:
( )
2
7,17 1 14, 23
Se alege 3
Q
Q
+ O> O
=
1 1
3 7,17 21,51
L s
X L QR e = = = = O
L
1
R
Ls
R
s
C
L
2
( )
2
1
s Ls
R Q R + >
( )
( )
2
2 2
2
1 1
7,17
14, 23 1 3 1 28, 6
14, 23
s
L Ls
Ls
R
X L R Q
R
e = = + =
= + ~ O
( )
( )
2
2
2
2
1 1
1 1
1 3
7,17 14,31
7,17
3 1 3 1
14, 23
C s
s
Ls
Q
X R
C
R
Q Q
R
e
+
= = =
+ +
+
= ~ O
+ +
L
Etapa 3 (continuare)
1
1 1 1
21,51 34, 23nH
2
L
L
X
X L L
f
e
t
= = O = =
2
2 2 2
28, 6 45,52nH
2
L
L
X
X L L
f
e
t
= = O = =
1 1
14,31 111, 2 pF
2
C
C
X C
C fX e t

= = O = =
34,23
nH
14,23O
7,17O
111,2pF
45,52
nH
L
Etapa 4
L
1
R
Ls
R
s
C
L
2
L
Ls
Z
L
C
s
1
1 1 1
21,51 4,5 17, 01 27,1nH
2
s
T
T L C T
X
X X X L
f t
= + = = O = ~
1
2 2 2
28, 6 9, 06 19,54 31,1nH
2
s
T
T L L T
X
X X X L
f t
= = = O = ~
111, 2 pF C =
L
T1
Z
L
Z
C
L
T2
L
= 20O || 50nH, f = 100MHz, T nesimetric
Etapa 1

R C
Z
R
s
C
s
7,17
4,5 353, 7 pF
s
Cs s
R
X C
= O
= O =
10
100pF
R
C
= O
=
R
L
L
L
Z
L
R
Ls
L
Ls
20
50nH
L
L
R
L
= O
=
14, 23
9, 06 14, 42 nH
Ls
Ls Ls
R
X L
= O
= O =
L
Etapa 2

Etapa 3

( )
2
1
s Ls s
R R R Q < < +
L
C
2
R
Ls
R
s
C
1
Condiie:
( )
2
7,17 14, 23 7,17 1
Se alege 3
Q
Q
O< O< + O
=
3 7,17 21,51
L s
X L QR e = = = = O
( )
2
1
2 1
1 1
72, 4
1 1
C s
s
Ls
Q
X R
C
R
Q Q
R
e
+
= = ~ O
+
( )
2
2
2
1
1 1 28, 6
s
C Ls
Ls
R
X R Q
C R e
= = + ~ O
L
Etapa 3 (continuare)

21,51 34, 23nH
L
X L = O =
1 1
72, 4 22pF
C
X C = O ~
2 2
28, 6 55, 65pF
C
X C = O =
34,23
nH
55,65pF
14,23O
7,17O
22pF
L
Etapa 4
L
1
R
Ls
R
s
C
1
C
2
L
Ls
Z
L
C
s
21,51 4,5 17, 01 27,1nH
2
s
T
T L C T
X
X X X L
f t
= + = = O = ~
2 2 2
2
1
28, 6 9, 06 37, 66 42,3pF
2
s
T C L T
T
X X X C
fX t
= = = O = ~
1
22 pF C ~
L
T
Z
L
Z
C
1
C
T2
Reele de adaptare cu constante distribuite
Reea de adaptare pentru terminaii rezistive

Obs.: Valorile Z
C
ce pot fi obinute sunt limitate, depinznd de
tehnologia de realizare a liniei
( ) , 2 1 , 0,1,
4
C L
Z R R l n n
= = + =
l
R
L
Z
C
R
0 0
max
2
max
2 1
0 1 2
2
2 1 2 1 , unde
1
2
cos
1
frecvena la care 4
m
m
L
L
f f
FBW
f f
RR
R R
f f f
f f f l
u
t
u
| | A
| |
= = =
| |
\ .
\ .
=
| |
I
|
|
I
\ .
A =
= =
Exemplu:
l
R
L
Z
C
R
( ) ( )
max max
0
0,1 0,2
100 ; 50
4; 6, 25
10GHz
? ?
?; ?
L
r
C
R R
l
f
Z l
FBW FBW
c
I = I =
= O = O
= =
=
= =
= =
( )
( )
max
max
8
0
10
0
0,1
2
0,2
2
50 100 70, 71
3 10
3 mm
4
4 4 10 6, 25
4 1
2 0,37 37%
2 0,1 50 100
cos
100 50
1 0,1
4 1
2 0, 78 78%
2 0, 2 50 100
cos
100 50
1 0, 2
C L
r
Z RR
c
l
f
FBW
FBW
c
t
t
I =
I =
= = = O
= = = =
= =
| |

|
|
\ .
= =
| |

|
|
\ .
Reele de adaptare pentru terminaii complexe
( )
( )
( )
( )
( )
2 2
2 2
j tg
tg j tg
1
tg
tg tg
1
tg
L L C
G G in C
C L L
G L L L
C
L
G G C L C L
G L C L C
L
G L L L
G
L
R X Z
Z R Z Z
Z X R
R R R X
Z
R
R R Z X Z R
R R Z X Z
R
R R R X
R
X
u
u u
u
u u
u
+ +
= = =
+

= +
| |
(
+
|

\ .
C
Z
L
Z
G
Z
in
Z
u
impedan pur rezistiv
Z j
2 lungimea electric a liniei
G G
L L L
Z R
R X
l
l u | t
=
= +
= =
Reele de adaptare pentru terminaii complexe
( )
( )
( )
1 1
2 2
0
j
45 8
90 4
G G G
L L L
Z R X
Z R X
l
l
u
u
= =
= +
= =
= =
( )
2 2
1
2
1
2
2
1
2
2
C L L L
L C
i
L C L
C G i
Z Z R X
R Z
R
R Z X
Z R R
= = +
=
+
=
1 C
Z
L
Z
in G
Z R =
1
u
2
u
2 C
Z
G
Z
i
R
Reele de adaptare cu un tronson conectat derivaie (stub)
1 C
Z
L
Z
0 in
Z Z =
1
4 l =
0
Z
2
l
1 i
Z
1 1 0 2 0
1 0
1 0 2
0
1
0
0
2
1
1
j
1 1
j j ctg ,
ctg
4
arctg ,
2 2
L L L
L
i i
i
i L
r
L
C
C
L
Y G B
Z
Y B Y l Y
Z Z
B Y l B
c
l
f
Y
l k k
B
Z
Z
G
|
|
c

t
= = +
= = = =
= =
= + e

Reele de adaptare cu dou tronsoane conectate derivaie (stub-uri)
L
Z
1
l
3
l
1 C
Z
2 C
Z
3 C
Z
4 C
Z
2
l
4
l
0
Z
1 i
Z
2 i
Z
3 i
Z
4 i
Z
( )
( )
0 3 4
0 3 4
1 2 3 3
3 3
3 1 2 3
4 4 4
1 1
1 1
1 1
2 2 2
1 1 1
j tg
j tg
j ctg
j tg
j tg
j ctg
i i
i i
i i C
i C
C i i
i C
L C
i C
C L
i C
Y Y Y
Z Z Z
Y Y Y l
Y Y
Y Y Y l
Y Y l
Y Y l
Y Y
Y Y l
Y Y l
|
|
|
|
|
|
= = + = +
+ +
=
+ +
=
+
=
+
=
Circuite de adaptare de band larg
Limitri ale CA de band larg
Criteriul BodeFano: exprim limitarea teoretic a reelelor de
adaptare de band larg
Circuit de
adaptare
fr
pierderi
( ) e I R C
Circuit de
adaptare
fr
pierderi
( ) e I
R
C
( )
0
1
ln d
RC
t
e
e
s
I
}
( )
2
0
0
1
ln d RC e te
e
s
I
}
Circuit de
adaptare
fr
pierderi
( ) e I
R L
( )
2
0
0
1
ln
L
d
R
te
e
e
s
I
}
Circuit de
adaptare
fr
pierderi
( ) e I
R
L
( )
0
1
ln
R
d
L
t
e
e
s
I
}
0 S
Q RC e =
0
1
S
Q RC e = 0 S
Q L R e =
0 S
Q R L e =
0
C
Q
e
e
=
A
0
C
Q
e
e
=
A
0
C
Q
e
e
=
A
0
C
Q
e
e
=
A
O
( ) e I
e
0
e
max
I
O
( ) e I
e
0
e
1
min
I
a
e
b
e
a
e
b
e
min
0 I =
CA de band larg:
( )
min
max
0
ct.,
1, n rest
1
a b
C
FBW Q
e e e
e
e e
I = < <
I =
I =
= = A
CA de band ngust
( ) ( )
0
min
0 e e I = I =
max
impus
b a
e e e I A =
( )
( )
min
0 min min
1 1 1
ln ln ln e
b
C S
a
Q Q
b a
d d
RC RC RC
e
t
e
t t t
e e e e
e
s s s I =
I I I
} }

Creterea benzii de frecvene n care se urmrete adaptarea unei sarcini date
impune creterea coeficientului de reflexie (dezadaptrii) n band.
Adaptare perfect (coeficient de reflexie nul) nu poate fi obinut dect la un
numr finit de frecvene:
Q
S
de valori mici permite obinerea unei benzi de adaptare mai largi, pentru o
dezadaptare n band impus.
Ae sau 1/|I|
min
scad pe msura creterii valorii lui R sau C. Ca urmare, sarcini
avnd Q
S
mare sunt mai dificil de adaptat dect sarcinile cu Q
S
sczut. Raport
Q
C
/Q
S
mare conduce la dezadaptri |I|
min
mici n band.
O sarcin pur reactiv nu poate fi adaptat folosind un circuit de adaptare fr
pierderi.
( )
( )
min
e ,
b a
RC
a b
t
e e
e e e e
I = < <
min
0 0
b a
e e e I = A = =
Circuite de adaptare cu constante concentrate
Reea de adaptare disipativ tip Tpodit
Lrgimea benzii de frecvene mai mare dect o octav
Caracteristic de transfer constant n band
Q sczut aplicaii de band (ultra)larg
R
G
= 50O, tipic
G
R
1
C
1
R
2
L
1
L
gs
C
in
R
In FET
2
1
2
2
1
1
2
1
1
2
in
G gs
G
in
G gs
G
R
L R C
R
R
L R C
R
| |
=
|
\ .
| |
= +
|
\ .
2
1 2
1
1
1
4
in
gs
G
G
R
C C
R
R R
| |
=
|
\ .
=
Circuite de adaptare cu linii de transmisiune
Transformator de adaptare cu tronsoane de linie /4 ( = 90)

Sinteza circuitului de adaptare metoda neglijrii reflexiilor
multiple:
Coeficientul de reflexie de la intrare suma contribuiilor reflexiilor pariale
care apar in planele de interconectare a liniilor avnd impedane caracteristice
Z
1
, Z
2
, Z
N
diferite ntre ele.
Reflexiile de ordin superior neglijate (mrimile coeficienilor de reflexie
sunt, fiecare n parte, suficient de mici pentru ca produsele lor reprezentnd
reflexiile multiple s poat fi neglijate).
E
0 G
Z Z =
1 N S
Z Z
+
=
0
I
1
I
2
I
N
I
1
Z
2
Z
N
Z

0 1
1
1
lungimea electric a unui tronson, 90
, , , coeficieni de reflexie individuali cauzai de saltul de impedan corespunztor
, 0, 1,
Pentru reflexii mici, coeficientul de
N
i i
i
i i
l
Z Z
i N
Z Z
|
+
+
= =
I I I
I = =
+
( ) ( )
( )
j2 j4 j2
0 1 2
0 1 1 2 2
j
0 1
2
reflexie al dispozitivului, :
e e e
Structur simetric: , , ,
2e cos cos 2 cos 2 ,
2, pentru par 2, par
,
1 2, pt. impar ,
N
N
N N N
N
k
k
k
k
N N N k
N N N
k
N N N

I
I ~ I + I + I + + I
I = I I = I I = I
I = I + I + + I (

I
= I =
impar
E
0 G
Z Z =
1 N S
Z Z
+
=
0
I
1
I
2
I
N
I
1
Z
2
Z
N
Z

Transformator de adaptare cu tronsoane de linie /4 ( = 90)

E
0 G
Z Z =
1 N S
Z Z
+
=
0
I
1
I
2
I
N
I
1
Z
2
Z
N
Z

( )
2
3
4 2
j 2
0 1 2
0 1
Dar:
cos 2 2cos 1
cos3 4cos 3cos
cos 4 8cos 8cos 1, etc.
Rezult:
=e cos cos cos
, , , coeficieni alctuii din combinaii liniare ntre coeficienii
N N
N
N i
A A A A
A A A
=
=
= +
I + + + +
I
Proiectarea transformatorului de adaptare

La frecvena nominal adaptarea este perfect dac adic A
0
= 0.
Condiia unic A
0
= 0 nu definete n mod univoc setul impedanelor
necunoscute Z
0
, Z
1
,, Z
N
.
Transformatorul poate fi calculat n vederea obinerii:
Adaptrii la frecvena nominal, la care = |l = 90;
Unui anumit rspuns (Butterworth, Cebev) n vecintatea frecvenei nominale.
Transformatorul binomial
Rspuns tip maxim plat :
A
0
= A
1
= = A
N-1
= 0

0 1
;
G N S
Z Z Z Z
+
= =
cos 0
0
=
I =
( )
( )
0
d
0, cos , 1, 2, 1
d
i
i
p
p
p i N
p
=
I
= = =
( )
j j2
e cos 1 e , .
2
N
N N
N S G
N N N
S G
A Z Z
A A
Z Z

I = = + =
+

Rspuns tip Butterworth coeficieni de reflexie pariali proporionali cu
coeficienii binomului lui Newton:

Din valorile I
i
rezult impedanele caracteristice Z
i
ale tronsoanelor
Banda relativ de lucru a transformatorului binomial

|I|
max
valoarea maxim admisibil a modulului coeficientului de reflexie
j2
0
1
e
2
N
k k
S G
N N
k
S G
Z Z
C
Z Z

=
I =
+
2
k
N S G
k N
S G
C Z Z
Z Z
I =
+
max
0
4
2 arccos ,
S G
N
S G
Z Z f
f Z Z
t
I
A
= =
+
O
I
0
e
m
m
t
max
I
0
0
0
max
0
0
2
4 2
4
2
arccos
2 2
ln
m
m
N
S
f f
l
c
c f
f
f Z
Z
e t t
|
t t
= = = =
I
= = <
| |
|
\ .

N = 2 N = 3 N = 4
Z
S
/Z
0
Z
1
/Z
0
Z
2
/Z
0
Z
1
/Z
0
Z
2
/Z
0
Z
3
/Z
0
Z
1
/Z
0
Z
2
/Z
0
Z
3
/Z
0
Z
4
/Z
0
1 1,0000 1,0000 1,0000 1,0000 1,0000 1,0000 1,0000 1,0000 1,0000
1,5 1,1067 1,3554 1,0520 1,2247 1,4259 1,0257 1,1351 1,3215 1,4624
2,0 1,1892 1,6818 1,0907 1,4142 1,8337 1,0444 1,2421 1,6102 1,9150
3,0 1,3161 2,2795 1,1479 1,7321 2,6135 1,0718 1,4105 2,1269 2,7990
4,0 1,4142 2,8285 1,1707 2,0000 3,3594 1,0919 1,5442 2,5903 3,6633
6,0 1,5651 3,8336 1,2544 2,4495 4,7832 1,1215 1,7553 3,4182 5,3500
8,0 1,6818 4,7568 1,3022 2,8284 6,1434 1,1436 1,9232 4,1597 6,9955
10,0 1,7783 5,6233 1,3409 3,1623 7,4577 1,1613 2,0651 4,8424 8,6110
0
Z
S
Z
1
Z
2
Z
3
Z
4
Z
90 90 90 90
Transformatorul Cebev
Superior transformatorului Butterworth, d.p.d.v. al benzii de frecvene oferite
O
I
0
e
m
m
t
max
I
t
Af / f
0
= 0,2 Af / f
0
= 0,4 Af / f
0
= 0,6
Z
S
/Z
0
Z
1
/Z
0
k
2
Z
1
/Z
0
k
2
Z
1
/Z
0
k
2
2 1,09247 1,1910
7
1,09908 7,9810
6
1,1083 9,5710
5
4 1,19474 5,3510
7
1,20746 3,5510
5
1,23087 4,3110
4
10 1,349 1,9210
7
1,37482 1,2810
4
1,4232 1,5510
3
20 1,48359 4,2910
7
1,52371 2,8510
4
1,60023 3,4510
3
100 1,87411 2,3310
6
1,975 1,5510
3
2,17928 1,8710
2
0
Z
S
Z
1
Z
2
Z
3
Z
90 90 90
2 0
0
3
1
2
2 max
1
S
S
Z Z Z
Z Z
Z
Z
k
k
=
=
I =
+
Transformator de impedan cu linii neuniforme
Impedana caracteristic funcie de
coordonata z n lungul liniei
Profilul variaiei
Liniar;
Exponenial;
Cebev, etc.
Frecvena de proiectare cea mai joas frecven din banda de interes
max
max
0
valoarea maxim admis a dezadaptrii n band
lungimea de und corespunztoare frecvenei minime
impedana normat de sarcin
S
S
Z
z
Z
=
max
max
ln
4
S
z
l
t
=
I
( )
( )
ln
0
e
S
z
z
l
n
Z z
z z
Z
= =
S
Z
0
Z
( ) Z z
z
O
l
Transformator de impedan cu dispozitive tip balun
BALUN BALanced (simetric) UNbalanced (asimetric)
Transformare de impedan de band larg (multi-octav) n RF
Transformator multistrat cu dou linii A, B
necuplate, raport de transformare 4:1
(Z
G
= 4Z
S
)
E
G
0
2
G
Z Z =
4
0
Z
0
Z
A
B
0
0,5
L
Z
Z
1 2
E
G
0
2
G
Z Z =
l
0
Z
A
B
0
0,5
L
Z
Z
1 2
w
s
Transformator de impedan cu linii
microstrip cuplate, raport de transformare
4:1, Z
G
= 4Z
S
(vedere de sus)
Circuite de nsumare a puterii
Condiiile de baz pentru interconectarea mai multor
tranzistoare de putere identice prin intermediul unui dispozitiv
de nsumare a puterii:
Realizarea unor lungimi de drum pe cile ce leag intrarea comun de
ieirea comun a amplificatorului astfel nct s se realizeze
sinfazarea semnalelor ce trebuie nsumate (indiferent de poziionarea
spaial a dispozitivelor active);
Realizarea adaptrii optime a fiecrui dispozitiv activ n toat banda
de lucru;
Realizarea unei izolri ct mai mari ntre dispozitive;
Realizarea unei dispuneri spaiale ct mai simetrice n vederea
obinerii unei dispersii uniforme a cldurii pe structura
amplificatorului.
Clasificarea dispozitivelor de divizare/nsumare a puterii:
Progresive n care numrul dispozitivelor este succesiv combinat:
De tip arbore (sau paralel);
De tip lan (serie).
Cu N ci puterea este nsumat/divizat de la/ctre N dispozitive ,
ntr-un singur pas:
Tip Wilkinson
Tip Radial
Tip Planar

Sumator/divizor paralel

0
2
1
2
2
2
2
2
N
1
2
N
2
N
Utilizeaz un nr. de dispozitive
multiplu de doi
Se asigur simetria structurii
Sumator/divizor serie
Avantaj: permite utilizarea unui numr variabil de dispozitive
Dezavantaj: necesit cuploare directive diferite
1 2 3 4 N
3dB
4,8dB
6dB
10lg N
Sumatoare/divizoare de putere cu N ci
0
Z
0
Z
0
Z
R
R
R
1
2
N
IN
Wilkinson
Radial
0
Z
0
Z
0
Z
R
R
2
N
IN
0
Z
R
R
1
R
3
01
Z
02
Z
0M
Z
1
R
2
R
M
R
01
Z
02
Z
0M
Z
1
R
2
R
M
R
1
R
2
R
M
R
01
Z
02
Z
0M
Z
IN
1
2
N
Planar

Apean Csic Upb 2013

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Apean Csic Upb 2013

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Amplificatoare de putere

i elemente de analiz neliniar

Complemente de teoria circuitelor liniare de

Amplificatoare de putere Parametri i

Amplificatoare de putere cu mai multe etaje

Amplificatoare de putere Metode de

Amplificatoare de putere Metode de

Arhitectura push-pull complementar a AP

Arhitectura push-pull complementar a AP

Reele de adaptare de band ngust

Reele de adaptare de band ngust

Reele de adaptare de band ngust

S-ar putea să vă placă și