1

AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC, JOAS FRECVEN

n lucrare se determin amplificarea, rezistena de intrare i rezistena de ieire, la frecvene
medii, pentru diferite etaje echipate cu un tranzistor bipolar i se compar cu valorile teoretice. Se
studiaz de asemenea, influena condensatoarelor de cuplare i decuplare asupra caracteristicii de
frecven n domeniul frecvenelor joase.

7.1. OBSERVAII TEORETICE

Amplificator cu un tranzistor n conexiunea emitor comun
n figura 7.1 este prezentat schema unui amplificator cu un tranzistor npn, n conexiunea
emitor comun. Punctul static de funcionare al tranzistorului este determinat de valorile rezistenelor
7 6 4 3
, , , R R R R i sursa
CC
V , precum i de parametrii tranzistorului
F
| i
BE
V . Condensatorul
B
C
permite aplicarea semnalului de la generator fr a modifica polarizarea bazei tranzistorului, iar
condensatorul
E
C scurtcircuiteaz rezistena
7
R ncepnd de la o anumit frecven.
Fig 7.1



Comportarea dinamic la frecvene medii
Circuitul echivalent al etajului din fig. 7.1, valabil n domeniul frecvenelor medii este
prezentat n fig. 7.3.
Fig 7.3.

2
Amplificarea de tensiune n modul este dat de relaia
x)


' ' ' '
'
6 0
6
0
0
bb e b bb e b
e b
m
i
v
r r
R
r r
R r g
V
V
A
+
=
+
= =
|
(7.1)

unde
BE
C
m
dv
di
g = | ,
kT n
qI
C
C
=
m
e b
g
r
0
'
|
= (7.2)
iar
0
V i
i
V sunt valori efective.
Dac
e b bb
r r
' '
<< rezult
6 0
R g A
m v
= (7.3)
Parametrul
C
n are valori ntre 1 i 2 dup cum tranzistorul lucreaz la nivel mic, respectiv nivel
mare de injecie.
Rezistena de intrare este dat de relaia
B
e b bb
i
i
i
R r r
I
V
R || ) (
' '
+ = = (7.4)

Comportarea la frecvene joase
Comportarea la frecvene joase este determinat de condensatoarele C
B
i C
E
, circuitul
echivalent fiind prezentat n fig. 7.4.
Efectul condensatorului de cuplaj C
B
se poate pune n eviden considernd pentru C
E
o
valoare care asigur o decuplare perfect pn la frecvene foarte joase. Frecvena corespunztoare
unei atenuri de 3 dB ) 2 / (
0 V V
A A = , numit frecven limit inferioar este dat de relaia
'
1
2
1
R C
f
B
j
t
= (7.5)
unde ) ( || ' '
1
'
e b bb
B S
r r R R R R + + + = (7.6)

Fig 7.4

Efectul condensatorului de decuplare C
E
se determin considernd pentru C
B
o valoare
suficient de mare, astfel nct s poat fi considerat scurtcircuit la frecvena cea mai joas de lucru.
Se obine atunci urmtoarea expresie pentru frecvena limit inferioar
' '
2
2
1
R C
f
E
j
t
= (7.7)
unde
1
|| ) (
||
0
1
7
' '
' '
+
+ + +
=
|
B S
e b bb
R R R r r
R R

x)

vo vo
A A = deoarece
o
V i
i
V sunt n antifaz .
3
Dac cele dou efecte apar simultan, frecvena limit de jos va fi mai mare dect fiecare din
frecventele
1 j
f i
2 j
f , dar nu depete suma lor.

Etaje cu impedan mare de intrare

n cazul n care rezistena din emitor nu este decuplat se obine un etaj cu sarcina
distribuit. Impedana de intrare se mrete, iar amplificarea scade.

Fig 7.5

Utiliznd schema echivalent a circuitului, prezentat n fig. 7.5, se obin relaiile:
] ) 1 ( [ ||
7 0
' '
R r r R
I
V
R
e b bb
B
i
i
i
+ + + = = | (7.8)
i

7
6
7 0
6 0 0
) 1 (
' '
R
R
R r r
R
Vi
V
A
e b bb
vo
~
+ + +
= =
|
|
x)
(7.9)
Iar dac se consider ieirea n emitorul tranzistorului,
1
) 1 (
) 1 (
7 0
7 0
' '
~
+ + +
+
= =
R r r
R
V
V
A
e b bb
i
e
vo
|
|
(7.10)

e
V i
i
I sunt valori efective.
Pentru a elimina influena rezistenelor de polarizare asupra impedanei de intrare se poate
utiliza schema (bootstrap) din fig. 7.6. Cu ajutorul circuitului echivalent n regim dinamic prezentat
n fig. 7.7 se deduce expresia rezistenei de intrare.
)] || )( 1 ( || ) [( ||
7 0 5
' ' '
B
e b bb c b
i
i
i
R R R r r r
I
V
R + + + = = | (7.11)
Figura 7.6


x)

vo vo
A A =

4


7.2. MONTAJUL EXPERIMENTAL APARATE NECESARE

Cu ajutorul montajului din figura 7.10 se pot realiza configuraiile de amplificator cu sarcina
distribuit i etaj bootstrap.

Fig. 7.10
5
Aparate necesare:
- surs stabilizat de tensiune continu;
- generator de semnal sinusoidal;
- multimetru electronic;
- osciloscop.

7.3. DETERMINRI EXPERIMENTALE

1. Se identific montajul experimental din figura 7.10 i se fixeaz V V
CC
10 = .
2. Se msoar potenialele continue ale colectorului
C
V , emitorului
E
V , precum i la
capetele rezistenei
1 5
,
B
V R i
2 B
V .
3. Se calculeaz :
B
C
F
E B BE
E C CE
B B
B
C CC
C
I
I
V V V
V V V
R
V V
I
R
V V
I
=
=
=

=
|
5
2 1
6


REZULTATE : V
C
=7.1V ; V
E
=2.23V ; V
B1
=3.77V ; V
B2
=2.66V
Ic=1.45mA ; I
B
=12.47mA; V
CE
=4.88V; V
B
=4.08V; V
BE
=1.85V
g
m
=40I
C
=58mA/V; Av= g
m
Rc=116;
F
=0.116; r
be
=0.002k;
R
B
=27.79k; R
i
=0.0019k
Se verific astfel c tranzistorul lucreaz n regim activ normal.
Montaj : R1=12k; R2=24k; R3=68k; R4=47k; R5=89 R6=2k; R7=1.5k ;R8=1k
C1=4.7uF C2=1uF C3=10uF C4=100uF C5=22uF

Etaj cu un tranzistor n conexiunea emitor comun
4. Se realizeaz schema din figura 7.1 (pe montaj : B1 B2, BC,
1
C C
B
= i
4
C C
E
= ).
Se fixeaz frecvena generatorului f = 20 kHz i se regleaz amplitudinea sursei de semnal pentru a
obine . 5 , 2 mV V
i
= Se msoar
S
V i
0
V i se determin :
- amplificarea la frecvene medii
i
V
V
V
A
0
0
= (7.19)
- rezistena de intrare
i S
i
i
i
i
V V
V
R
I
V
R

= =
1
(7.20)
Rezultatele se trec n tabelul 7.1.

Tabelul 7.1
Experimental Calculat
V
s
(V)
V
o

(V)
A
vo
R
i

(kO)
A
vo
R
i

(kO)
C
B
= C
1
; C
E
= C
4
0.012 0.3 120 0.58 116 0.0019
C
B
= C
2
; C
E
= C
5
0.01125 0.31 124 0.52 116 0.0019
C
B
= C
1
; C
E
= C
5
0.0115 0.29 146 0.045 116 0.0019
C
B
= C
2
; C
E
= C
4
0.01125 0.295 118 0.52 116 0.0019
6

5. Msurtorile i determinrile de la punctul 4 se reiau pentru celelalte trei seturi de
valori C
B
i C
E
indicate n tabelul 7.1.
6. Pentru C
B
= C
1
, C
E
= C
4
i meninnd V
i
= 2,5 mV, se modific frecvena sursei de
semnal la valorile indicate n tabelul 7.2.
Se msoar n fiecare caz V
o
i se determin A
v
cu relaia (7.19). Rezultatele se trec n
tabelul 7.2.

Tabelul 7.2

f(kHz) 10 5 2 1 0,5 0,2 0,1 0,05 0,02
C
B
= C
1

C
E
= C
4

V
o
(V)
0.720 0.275 0.270 0.265 0.260 0.200 0.190
Vi=6mV
155
Vi=10mV
100
A
v

144 110 108 106 108 80 76 51 20
C
B
= C
2

C
E
= C
4

V
o
(V)
0.300 0.3 0.320 0.3 0.265 0.190
Vi=6mV
175
Vi=8mV
150
Vi=10mV
90
A
v

120 120 128 120 106 76 58 37.5 18
C
B
= C
2

C
E
= C
5

V
o
(V)
0.25 0.21 0.3 0.35 0.175 0.135

0.05 0.06 0.04
A
v

100 84 120 140 70 45 10 12 8

Etaj cu sarcina distribuit
7. Se realizeaz configuraia de etaj cu sarcina distribuit ( ca cel din figura 7.1, dar fr
condensatorul C
E
) i C
B
= C
1
. Se fixeaz f = 20 kHz, V
i
= 100 mV i se msoar V
s
, V
e
i V
o
.
Se determin A
vo
i R
i
cu relaiile (7.19) i (7.20), iar

i
e
vo
V
V
A =
'
(7.21)
Rezultatele se trec n tabelul 7.3

Etaj bootstrap
8. Se realizeaz configuraia de etaj bootstrap din figura 7.6 (pe montaj: E B1 i C1 H)
cu C
B
= C
1
. Se fixeaz f = 20 kHz, V
i
= 100 mV i se msoar V
s
i V
e
. Se determin A
vo
cu relaia
(7.21) i R
i
cu relaia :
i S
i
i
V V
V
R R R

+ = ) (
2 1
(7.22)
Rezultatele se trec n tabelul 7.3.

Tabelul 7.3

V
i
= 100 mV
Experimental Calculat
V
s

(mV)
V
e

(mV)
V
o

(mV)
A
vo
A
vo

R
i

(kO)
A
vo
A
vo

R
i

(kO)
Etaj cu sarcina
distribuit
152 110 110 1.1 1.1 29 1.1 1.1 24
Etaj
bootstrap

125

55

55

0.55

0.55

144

0.55

0.55

144

7
9. Se realizeaz configuraia din figura 7.8 (pe montaj A M1) pentru msurarea
rezistenei de ieire a etajului bootstrap. Se aplic un semnal sinusoidal cu V
i
= 100 mV i
f = 20 kHz. Se msoar
0
V .
10. Se determin rezistena de ieire
o s
o
o
o
o
V V
V
R
I
V
R

= =
8
(7.23)

8
7.4 PRELUCRAREA DATELOR EXPERIMENTALE. CONCLUZII

1. Se compar n tabelul 7.1 valorile determinate experimental pentru amplificarea la
frecvene medii
VO
A i rezistena de intrare
i
R ale etajului cu tranzistor n conexiunea emitor
comun cu cele calculate cu relaiile (7.3) respectiv (7.4). Se va considera . 0 , '
0
~ ~
bb
F
r | |
2. Pe baza datelor din tabelul 7.2 se reprezint pe acelai grafic variaia amplificrii
V
A n
funcie de frecven pentru cele trei seturi de valori ale lui
B
C i
E
C .
Se determin pe grafice frecvenele limit inferioare ( punnd condiia 2 ) 3 ( dB A A
V VO
= )
i se compar cu valorile calculate cu relaiile (7.5) i (7.7). Se vor comenta rezultatele obinute.
3. Se compar n tabelul 7.3 valorile obinute experimental n cazul etajului cu sarcina
distribuit pentru
VO i
A R , i
'
VO
A cu cele calculate cu relaiile (7.8), (7.9) i (7.10). Se va lua
. 0 ,
'
0
~ ~
bb
F
r | |
4. Se compar valorile obinute experimental pentru
i
R i
'
VO
A n cazul etajului bootstrap cu
valorile date de relaiile (7.10) i (7.11). Deasemenea se va compara valoarea msurat pentru
0
R
cu cea calculat cu (7.13). Se va considera . 0 ,
'
0
~ ~
bb
F
r | | , . 1
'
O = M r
c b
.


GRAFICE Av(f)




0
20
40
60
80
100
120
140
160
0 2 4 6 8 10 12
A
m
p
l
i
f
i
c
a
r
e
a

Frecventa
Av1
Av3
Av2