Electronic Analogic an II ET Partial exemple de subiecte SI. S se trateze: a) Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciuni.

i. Structur, simboluri, funcionare, caracteristici de ieire. (5p) b) Clasificarea reaciei negative. (4p) c) Redresorul monofazat bialternan n punte: schema, diagrama formelor de und, funcionarea, calculul valorii medii a tensiunii redresate. (5p) d) Etajul diferenial n regim dinamic. (4p) e) Redresorul monofazat semicomandat bialternan n punte: schema, diagrama formelor de und, funcionarea, calculul funciei de reglare. (5p) f) Clasificarea amplificatoarelor funcie regimul de funcionare al tranzistorului. (4p) g) Amplificatoare de semnal mare - Etajele push-pull n clasa B i clasa AB: scheme, diagrame, funcionare.(4p) h) Tranzistorul compus fr inversarea polaritii: structur, schem echivalent, calculul lui h21e i h11e .(4p) i) Tranzistorul compus cu inversarea polaritii: structur, schem echivalent, calculul lui h21e i h11e .(4p) SII. S se indice: a) Schema echivalent termic a diodei redresoare. Semnificaiile mrimilor. (3p) b) Schema i diagrama formelor de und pentru un variator de valoare efectiv. (3p) c) Principiul reaciei. (3p) d) Legea jonciunii pn ideale. Semnificaiile mrimilor i forma grafic. (3p) e) Parametrii redresorului. (3p) f) Circuitele de polarizare ale TEC-J (2 scheme). (3p) g) Dioda stabilizatoare: simbol, caracteristic VA, parametrii. (3p) h) Structura si funcionarea unui filtru inductiv. (3p) i) Modelul dinamic al TEC-J varianta complet i cea simplificat.(3p) j) Schema bloc principial pentru conversia ca-cc. Rolul blocurilor componente (3p) k) Structura si funcionarea unui filtru capacitiv. (3p) l) Scheme de redresoare semicomandate bialternan (2 scheme).(3p)

Problema 1.(1p) Se d circuitul din figur. Se cere: a) Trasai DSS (Dreapta de Sarcin Static) i deducei coordonatele PFS (Punct de Funcionare Static) care asigur excursia simetric maxim a tensiunii VCE.(3p) b) Determinai valorile rezistenelor RB1 i RB2 pentru a asigura excursia simetric maxim a tensiunii VCE. Se va lua ID = 10*IB, VBE = 0,6V i = 250.(3p) c) Desenai schema echivalent n regim dinamic a etajului amplificator i deducei relaiile de calcul pentru rezistena de intrare Ri i amplificarea de tensiune AV.(5p) d) Calculai Ri i AV. Se cunosc VT = 26mV, h21e = 250 i h11e = h21e* VT/IC.(3p)

EC 30V RB1 Rc 2,5k

CL

CB

Q1

Rg 600 RB2 eg RE1 50

RL 2,5k

RE2 450

CE

Problema 2.(1p) Se d circuitul din figur. Se cere: 1. Trasai DSS (Dreapta de Sarcin Static) i deducei coordonatele PFS (Punct de Funcionare Static) care asigur excursia simetric maxim a tensiunii VCE.(3p) 2. Determinai valorile rezistenelor RB1 i RB2 pentru a asigura excursia simetric maxim a tensiunii VCE. Se va lua ID = 10*IB, VBE = 0,6V i = 250.(3p) 3. Desenai schema echivalent n regim dinamic a etajului amplificator i deducei relaiile de calcul pentru rezistena de intrare Ri i amplificarea de tensiune AV.(5p) 4. n ipoteza Rg = 0 aflai valoarea rezistenei RE2 astfel nct amplificarea de tensiune a etajului s fie AV = -5. Se cunosc: VT = 26mV, h21e = 250 i h11e = h21e* VT/IC.(3p)
EC =15V Rc 2,5k

RB1

CL

CB Rg eg

Q1

RL 2,5k RB2 RE1 500 CE RE2

Problema 3.(1p) Se d circuitul din figur. Se cere: 1. Determinai valorile rezistenelor RB1 i RB2 astfel nct tranzistorul s aib VCE = 6V. Se va lua ID = 10*IB. Se cunosc: VBE = 0,6V i = 250.(4p) 2. Trasai DSS (Dreapta de Sarcin Static) i reprezentai pe ea Punctul de Funcionare Static (PFS).(2p) 3. Desenai schema echivalent n regim dinamic a etajului amplificator i deducei relaiile de calcul pentru rezistena de intrare Ri i amplificarea de tensiune AV.(5p) 4. Calculai Ri i AV. Se cunosc VT = 26mV, h21e = 250 i h11e = h21e* VT/IC.(3p)
EC=12V Rc 4,7k

RB1 CB Rg 600 eg RB2 Q1

CL

RE1 220

RL 4,7k

RE2 820

CE

Problema 4.(1p) Se d circuitul din figur. Se cere: 1. n ipoteza neglijri curentului de baz deducei coordonatele PFS (Punct de Funcionare Static). Se cunoate VBE = 0,6V.(4p) 2. Trasai DSS (Dreapta de Sarcin Static) i fixai pe ea PFS (Punctul de Funcionare Static).(2p) 3. Desenai schema echivalent n regim dinamic a etajului amplificator i deducei relaiile de calcul pentru rezistena de intrare Ri i amplificarea de tensiune AV.(5p) 4. n ipoteza Rg = 0 aflai valoarea rezistenei R E2 astfel nct amplificarea de tensiune a etajului s fie AV = -10. Se cunosc: VT = 26mV, h21e = 200 i h11e = h21e* VT/IC.(3p)
EC =10V Rc 2k

RB1 84k CB Rg eg Q1

CL

2k RB2 16k CE RE1 500 RE2

RL