TRANZISTORUL

Clasa a XII a D Profesor coordonator Ciocoiu Laura

SEMICONDUCTOARE
Din punctul de vedere al proprietii corpurilor solide de a fi strbtute de curent electric sub aciunea unei tensiuni electrice continue aplicate din exterior, acestea se mpart n trei mari categorii: - conductoare (metalele); - semiconductoare; - izolatoare. n metale ntlnim o structur cristalin, unde n nodurile reelei cristaline se gsesc plasai ioni pozitivi, n timp ce printre noduri se mic liber i haotic electroni ; Apariia electronilor liberi se explic prin fora de legtur foarte slab a electronilor de valen Concentraia electronilor liberi este de ordinul 1028 m-3 i nu depinde practic de temperatur Din punct de vedere al conductivitii ( = 1/), metalele nregistreaz valori foarte mari, m [106, 108] -1m-1

 Exist i o categorie de materiale, numite izolatoare, pentru care conductivitatea este extrem de mic,i [1012,10-20] -1m-1. Electronii de valen ai atomilor acestor materiale sunt foarte puternic legai de atomi.Izolatoarele nu conduc curentul electric deoarece n interiorul lor, practic, nu exist purttori liberi de sarcin electric; ntre metale i izolatoare, din punct de vedere al conductivitii, se plaseaz semiconductoarele, pentru care s [104, 10-8] -1m-1. Spre deosebire de metale, la semiconductoare, conductivitatea crete puternic cu temperatura (absolut), aa cum se indic n fig. 2.1.

 La temperaturi foarte coborte, semiconductoarele sunt izolatoare, iar la temperaturi ridicate sunt conductoare destul de bune. Aceste legturi pot fi rupte dac electronii n categoria semiconductoarelor primesc o energie intr o mare varietate de suficient devenind astfel substane: oxizi, compui, electroni liberi elemente chimice ca siliciul, germaniul, seleniul; Pentru trecerea electronilor din stadiul de n dispozitivele electronice electroni legai de atom semiconductoare, cele mai n starea de electroni utilizate materiale sunt cristalele liberi, trebuie transmis elementelor tetravalente Ge i Si o energie minim W, i a unor compui intermetalici, numit energie de ndeosebi GaAs (arseniur de activare galiu). n cazul semiconductoarelor, Pentru semiconductoare, energia de activare se electronii de valen sunt legai plaseaz n domeniul de atom mai slab dect la 0,025 3 eV materialele izolatoare.

 La semiconductoare este caracteristic faptul c la conducie particip pe lng electronii liberi (de conducie) i electronii de valen, rmai legai de atomii din reeaua cristalin. analizand comportarea electronilor dintr-un cristal de germaniu observam ca Atomul de germaniu are patru electroni de valen. n reeaua cristalului de germaniu, fiecare atom este nconjurat echidistant de patru atomi. Fiecare electron de valen al unui atom formeaz o pereche cu un electron de valen din atomul vecin.

. n fig. 2.2 a se reprezint modelul spaial al legturilor unui atom de germaniu din reeaua cristalin, iar n fig. 2.2 b modelul plan (simplificat) al legturilor covalente dintre atomii de germaniu.

 n semiconductoare particip la conducie dou tipuri de purttori de sarcin mobil: electronii (negativi) i golurile (pozitive). ntr-un semiconductor pur, la echilibru termic, purttorii mobili apar numai prin generarea termic a perechilor electron-gol. n acest fel, vor rezulta tot atia electroni de conducie cte goluri. Semiconductorul n care concentraia de electroni este egal cu cea de goluri se numete semiconductor intrinsec, iar concentraia respectiv ni , concentraia intrinsec:n0 = p0 = ni (2.1). unde n0 i p0 reprezint concentraiile de electroni, respectiv de goluri, n semiconductorul pur, la echilibru termic. Pentru o temperatur dat, n0 i p0 sunt mrimi constante care depind de natura semiconductorului pur respectiv.

 Tipul conduciei electrice intr-un semiconductor poate fi determinat i de prezena i de natura atomilor strini (impuriti) n reeaua sa cristalin. Procesul (tehnologic) de impurificare a unui semiconductor se numete dopare (sau dotare). Nivelele normale de dopare sunt foarte mici,de ordinul un atom de impuritate la 104 107 atomi de semiconductor din cristal.

Un semiconductor asupra cruia nu acioneaz ageni exteriori cum ar fi: cmp electromagnetic, radiaii cu particule sau electromagnetice, se spune c se afl la echilibru termic. n acest caz, concentraiile de electroni i goluri generai prin mecanism intrinsec, depind de temperatura absolut:

Conform teoriei cuantice, att n stratul de valen ct i n cel de conducie, electronii sunt caracterizai de valori cuantificate (discontinue) ale energiei. Nivelele energetice (posibile) ale electronilor de valen se grupeaz n banda de valen, iar a electronilor liberi n banda de conducie. Cele dou benzi sunt separate de banda interzis.

JONCTIUNEA P-n
Jonciunea p-n este un semiconductor eterogen constituit din dou regiuni cu conductibilitate de tip opus ( p i n ), care formeaz o singur reea cristalin. Jonctiunea este practic o regiune ingusta (l = 10-4-105cm) dintr-un semiconductor dopat cu impuritati donoare intr-o regiune si cu impuritati acceptoare in regiunea adiacenta, in care se schimba conductia electrica de la un tip la altul, cand se trece de la o extremitate a ei la cealalta.La formarea unei jonctiuni pn se folosesc diferite procedee tehnologice cum ar fi difuzie, aliere, epitaxie. O jonctiune p-n simetrica este cea care este formata dintr-un cristal pur de forma regulata dopat cu impuritati acceptoare si impuritati donoare in acceasi concentratie ND NA. Procesele care au loc ntro jonciune (sau n urma interaciunii mai multor jonciuni), determin proprietile electrice ale dispozitivelor semiconductoare. Aceste procese sunt influenate de regimul de polarizare a regiunilor

1.

n absena unei tensiuni aplicate din exterior : o parte din golurile libere ale regiunii p (aflate n zona de vecintate), difuzeaz n regiunea n , unde se recombin cu electronii; o parte din electronii liberi ai regiunii n (aflai n zona de vecintate), difuzeaz n regiunea p , unde se recombin cu golurile. Prin plecarea golurilor n regiunea n i a electronilor n regiunea p, vor aprea n cele dou regiuni dou sarcini electrice spaiale, de sens opus

La echilibru termic: - curentul de goluri produs prin difuzie este egal cu curentul de goluri produs sub influena curentului electric; - curentul de electroni produs prin difuzie este egal cu curentul de electroni produs sub influena curentului electric. Rezult c, n ansamblu, semiconductorul este neutru

2. Dac se aplic jonciunii o tensiune din exterior: Se polarizeaza n sens direct (borna pozitiv a sursei la regiunea p). Deoarece, la echilibru termic, n jonciunea pn s-a format o regiune de trecere de mare rezistivitate (din cauz c este lipsit practic de purttorii mobili), prin aplicarea unei tensiuni de polarizare n sens direct, ntreaga tensiune se regsete distribuit de-a lungul regiunii de trecere micornd bariera de potenial. Acest lucru determin stricarea echilibrului dintre curenii de difuzie i cei de cmp, i anume: cei de difuzie vor crete iar cei de cmp rmn practic la valoarea lor de echilibru. Prin urmare, prin jonciune circul un curent de la p la n.

Polarizarea invers a jonciunii pn (borna pozitiv la regiunea n i borna negativ la regiunea p) : Tensiunea din exterior se regsete distribuit de-a lungul regiunii de trecere mrind bariera de potenial n acest caz, curenii de difuziune scad i devin neglijabili, n timp ce curenii minoritari rmn practic la valoarea de echilibru.

Prima jonctiune cu Germaniu

Clasificare: O jonciune se obine sub forma unui monocristal semiconductor (de germaniu sau de siliciu) prin divere procedee. Clasificarea jonciunilor dup procedeul de realizare: Jonciune prin aliere Jonciune prin difuzie (jonciune difuzat) Jonciune prin cretere epitaxial

Procedee tehnologice : Procedeele tehnologice utilizate pentru obinerea materialelor semiconductoare pot fi utilizate i la realizarea jonciunilor nlocuind materialul semiconductor intrinsec cu un material semiconductor impurificat convenabil. Procedeul de aliere Procedeul de difuzie prin tehnologie planar prin tehnologie mesa prin combinaia acestora cu tehnologie epitaxial Procedeul de cretere epitaxial prin tehnologie epitaxial

Regimul static al jonciunii pn

Exist dou modelrii ale regimului static al jonciunii pn: modelul analitic i modelul numeric. Modelul analitic are avantajul de a permite o descriere calitativa corecta a funcionrii jonciunii pn i de a pune n eviden n mod direct (analitic) influena pe care fiecare parametru al jonciunii o are asupra caracteristicii electrice. El se bazeaz pe cteva ipoteze restrictive care duc la neglijarea unor factori cu o influen mai mic asupra acestei caracteristici electrice. Modelul numeric se bazeaz pe rezolvarea numeric a sistemului de ecuaii al semiconductorilor. Avantajele evidente sunt: o mai mare precizie i o mare apropiere de realitatea fizic. Dezavantajul al acestui model este faptul c uneori procesul de obinere a soluiei nu este convergent i n general nu se poate pune n eviden o legtur direct, analitic, ntre parametrii jonciunii i caracteristica termic.

Tranzistorul-Noiuni generale
Inventat la Bell Telephone Laboratories din New Jersey n decembrie 1947 de John Bardeen, Walter Houser Brattain, i William Bradford Shockley. Descoperirea tranzistorului a determinat dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele mai mari descoperiri ale erei moderne

^Replica in marime naturala aflata la muzeul AT&T din New York

 Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive semiconductoare cu doua jonctiuni care functioneaza pe baza injectiei de purtatori minoritari. Tranzistorul poate inlocui trioda cu emisie termoelectrica. Tranzistorul este alcatuit dintr-un semiconductor cu trei straturi de conductie diferita: un strat n intre 2 straturi p, la tranzistorul p-n-p, sau un strat p intre 2 n, la tranzistorul n-p-n.

Utilizare Tranzistoarele pot fi folosite in echipamentele electronice cu componente discrete in: -amplificatoare de semnal (in domeniul audio, video, radio) -amplificatoare de instrumentatie -oscilatoare -modulatoare si demodulatoare -filtre -surse de alimentare liniare sau in comutatie Sau in circuite integrate, tehnologia de astazi permitand integrarea intr-o singura capsula a milioane de tranzistori

Construcie: Tranzistorii de realizeaza pe un susbtrat semiconductor (in general siliciu, mai rar germaniu, dar nu numai). Tehnologia de realizare difera in functie de tipul tranzistorului dorit. De exemplu, un tranzistor de tip PNP se realizeaza pe un substrat de tip P, in care se creeaza prin diferite metode (difuzie de exemplu) o zona de tip N, care va constitui BAZA tranzistorului.

Functionarea tranzistorului n-p-n

Stratul din mijloc al semiconductorului se numeste baza, straturile laterale se numesc emitor si colector. Baza are o dopare mai mica decat emitorul. Tranzistorul poate fi considerat ca format din doua diode semiconductoare: una emitorbaza si alta baza-colector. Pentru functionarea tranzistorului, pe dioda bazacolector, se aplica o tensiune inversa, cu polul pozitiv la partea n, adica la colector. Deoarece in zona p nu sunt electroni liberi care sa fie atrasi de polul pozitiv de la colector, in circuitul colectorului curentul este practic nul. Aplicand intre emitor si baza o tensiune alternativa, variatiile de tensiune provoaca variatii ale curentului emitorului, care produc variatii ale curentului colectorului. Pe rezistorul de sarcina Rs, mare, din circuitul colectorului variatiile de curent produc variatii de tensiune, mai mari decat ale tensiunii de intrare. Asadar tranzistorul poate functiona ca amplificator de tensiune.

Functionarea tranzistorului p-n-p

Tranzistorul p-n-p functioneaza dupa un principiu analog, dar tensiunile aplicate trebuie sa aiba o polaritate inversa.

Simbolurile folosite n mod curent pentru tranzistori

Tranzistor JFET

Tranzistor IGFET canal N

Fototranzistor

Tranzistor bipolar PNP

Tranzistoare cu efect de camp

In cazul tranzistoarelor cu efect de camp la procesul de conductie electrica participa un singur tip de purtatori de sarcina(tranzistoare unipolare). Functionarea acestor dispozitive semiconductoare are la baza variatia conductivitatii electrice a unui canal semiconductor Acesta are drept consecinta variatia intensitatii curentului electric dintre electrozii plasati la capetele canalului si are drept cauza modificarea sectiunii sale transversale sau a concentratiei purtatorilor de sarcina din acesta ,datorita campului electic creat intre un al treilea electrod,grila sau poarta,si cei doi electrozi amintiti mai inainte.Din acest motiv asemenea tranzistoare se mai numesc tranzistoare cu efect de camp. Aceste tranzistoare se impart in tranzistoare cu efect de camp cu jonctiunii(JFET)si tranzistoare cu efect de camp cu grila izolata(MOSFET).

 Tranzistoarele unipolare prezinta urmatoarele avantaje fata de tranzistoarele bipolare: stabilitate termica superioara(datorita utilizarii unui singur tip de purtatori de sarcina), prezinta o impedanta de intrare foarte mare si o tehnologie de fabricatie mai simpla. In schimb prezinta dezavantajul unei pante mici a caracteristicilor statice de transfer.

 Structura unui tranzistor JFET contine doua jonctiunii semiconductoare pn care marginesc regiunea semiconductoare numita canal. Dupa tipul purtatorilor de sarcina din canal distingem:JFET,cu canal de tip n si tranzistor JFET cu canal de tip p.Cei doi electroizii de la capetele canalului se numesc sursa si respective drena. Tranzistorul cu efect de camp cu jonctiunii functioneaza in regim normal,cu cele doua jonctiunii polarizate invers.Aplicand pe rigla un potential negativ,fata de masa in cazul tranzistorului JFET cu canal de tip n,dimensiunile celor doua jonctiunii se maresc,find polarizate invers,ceea ce duce la reducerea sectiunii transversale efective a canalului. Caracteristica de iesire a unui tranzistor JFET are trei regiunii:regiunea liniara(1),in care JFET lucreaza un regim de rezistor comandat;o regiune de saturatie(2) utilizata in majoritatea aplicatiilor si regiunea de strapungere(3)

Structura si functionarea tranzistorului cu efect de de camp cu grila izolata(MOSFET) Pentru acest tip de tranzistor cu efect de camp electrodul de grila este izolat de structura semiconductoare a tranzistorului printr-un strat subtire de bioxid de siliciu.Exista doua tipuri de asemenea tranzistoare: a)tranzistoare MOSFETcu canal indus,caracterizate prin absenta canalului atunci cand diferenta de potential dintre grile si ceilalti doi electroizii este egala cu zero.In acest caz conductivitatea canalului este practic nula. b)tranzistoare MOSFET cu canal initial,pentru care dopand corespunzator regiunea din imediata apropiere a stratului izolator din bioxid de siliciu se realizeaza un canal ce prezinta o anumita conductivitate.De asemenea,in functie de tipul purtatorilor de sarcina din canal ce participa la procesul de conductie,tranzistoarele MOSFET pot fi:cu canal de tip n sau cu canal de tip p.

 In cazul tranzistoarelor MOSFET cu canal indus in absenta unei tensiunii aplicate intre grila si ceilalti electrozi structura tranzistorului este echivalenta cu doua jonctiunii pn legate in opozitie.Pentru tranzistoarele MOSFET cu canal initial,prin constructie,dopand corespunzator regiunea dintre sursa si drena din apropierea stratului izolator se realizeaza un canal conductor astfel incat,in absenta unei diferente de potential dintre grila si sursa conductivitatea electrica a acestuia este ridicata. Tranzistorul MOSFET necesita precautii speciale legate de manipularea sa.Deoarece stratul izolator de oxid se strapunge la tensiuni mici,de ordinul a 50 de V,care pot lua nastere accidental cu mare usurinta,tranzistorul MOSFET se pastreaza cu terminalele scurt circuitate.

Tranzistoare unipolare de tip TECJ

In dispozitivele unipolare curentul electric este datorat in principal unui singur tip de purtatori fie elecroni, fie goluri. In esenta, aceste dispozitive constau dintr-un canal conductiv prevazut la capete cu doua contacte pentru amplificarea tensiunilor de alimentare;i n functie de metoda utilizata pentru modularea curentului prin canal,se disting mai multe tipuri de dispozitive unipolare. O metoda eficienta foarte raspandita de variere a conductantei canalului consta in utilizarea unui camp electric.Astfel de dispozitive se numesc tranzistoare cu efect de camp.Exista doua categorii importante de tranzistoareTEC care difera prinprincipiul fizic de realizare practica a modulatiei canalului

 Tranzistoare TEC cu jonctiune, notate TECJ. Modulatia conductantei canalului se efectuiaza prin variatia largimii regiuneii saracite ( de sarcina spatiala ) a unei jonctiuni pn, constituita din canalul conductiv si o regiune puternica afirmata numita poarta, care se intinde pe intreaga lungime a canalului; pentru un canal de tip n poarta este de tip p+, astfel regiunea saracita a jonctiunii p+n polarizarea invers se intinde in principal in interiorul canalului (daca canalul este de tip p poarta este de tip n+). Contactele fixate la capetele canalului se numesc surse , respectv drena: oricare ar fi tipul canalului, totdeauna purtatori pleaca de la sursa si sunt colectati la drena. Se observa ca la acest tip de tranzitoare controlul curentului se realizeaza prin variati marimii A din relatia G=o A/ L=qunA/L (5.1). tranzitoare TEC , cu poarta izolata , fiind cunoscute sub denumirea de TECMOS

Tranzistorul bipolar

In principiu un tranzistor bipolar este o pastila de siliciu dopata astfel incat sa se creeze trei straturi depate diferit, si deci doua jonctiuni pn; astfel, tranzistoarele pot fi ,,pnp" (zona din mijloc dopata cu elemente ,,donoare" de electroni - cu valenta 5, celelalte doua dopate cu elemente ,,acceptoare cu valenta 3) sau ,,npn" (dopat invers). Totusi, din. cauza grosimii foarte mici a zonei centrale (baza),.cele doua joncjiuni nu functioneaza independent si intre terminalele extreme (colector si emitator) poate aparea un curent, aceasta fiind si proprietatea cea mai importanta a tranzistorului, si aceea care permite folosirea lui pe post de amplificator.

In fig.3.1 este reprezentata structura fizica de principiu a unui tranzistor npn discret. Tranzistorul discret din figura este de tip dublu difuzat - difuzia tip p a bazei in substratul tip n dopat uniform cu donori si difuzia tip n++ a emitatorului in difuzia p a bazei. Tranzistorul bipolar npn integrat este triplu difuzat, necesitatea unei difuzii suplimentare fiind detenninata de faptul ca in circuitele integrate terminalul de colector este in acelasi plan cu cele de B si E - curentul principal (intre terminalele C si E) circuland paralel cu suprafata cipului si nu transversal prin cip ca la TB discret Privit de deasupra aria ocupata de TB , in fig. 3.1, este de forma dreptunghiulara sau patrata si are valoarea dependenta de curentul maxim permis prin structura. Din fig. 3.2 sa observam ca dispozitivul are doua jonctiuni: - jonctiunea n+p emitoare (Je ); -jonctiunea np colectoare (Jc);

Pentru obtinerea celor doua jonctiuni se pleaca de la placheta de siliciu monocristalin (disc mare) de tip n (concentratia atomilor pentavalenti este relativ mica si uniforma in tot volumul plachetei), si la temperatura absoluta T=300K (temperatura mediului ambiant aproximativ 27C) va rezulta aceeasi concentratie de electroni liberi in tot volumul plachetei, n = nd.

Urmeaza o difuzie in stare solida cu atomi acceptori in locuri precis delimitate prin fotolitografie (raman gauri in Si02 prin care se vede suprafata siliciului prin care se face difuzia acceptorilor, atomi trivalenti). Aceasta difuze este pentru implementarea zonei p a bazei tranzistorului npn. Concentratia atomilor trivalenti difuzati este mai mare fata de concentratia donorilor pentavalenti din substrat astfel incat se obtine inversarea tipului de semiconductor; a fost inainte de tip n si dupa difuzie devine de tip p.

 In toata literatura de tip didactic, pentru explicarea fenomenelor fundamentale din TB si modelarea matematica a acestora se considera doar o zona de tipul celei din fig.3.2 in care zonele de curbura ale jonctiunii emitoare nu sunt luate in considerate.

Tranzistorul npn (sau pnp) isi realizeaza functia principala si anume amplificarea curentului de baza, numai daca jonctiunea emitoare este direct polarizata, iar jonctiunea colectoare este invers polarizata. Functionarea tranzistoarelor cu JE polarizata direct si Jc polarizata invers defineste regimul activ normal de functionare (RAN).

 Fenomenele fizice principale din TB, care asigura proprietatea de amplificare., pot fi urmarite pe fig. 3.4 unde sursa vbb polarizeaza direct je iar sursa Vcc > Vbb polarizeaza invers Jc (se asigura regimul activ normal).

TB in circuit. Moduri de conectare

Desi tranzistorul bipolar are trei terminale pentru conectare in circuit, in majoritatea situatiilor poate fi analizat ca un cuadripol cu patru terminale, fig. 3.6. In toate aceste situatii un terminal al tranzistorului trebuie sa fie borna comuna intrarii si iesirii cuadripolului.
TB in conexiune emitor comun (EC), fig. 3.7; TB in conexiune baza comunfl (BC), fig. 3.8; TB in conexiune colector comun (CC), fig. 3.9.

CIRCUITE INTEGRATE
Un circuit integrat este un ansamblu de componente discrete ( diode, tranzistoare, rezistente, condensatoare i chiar bobine ) montate pe un suport de siliciu miniatural numit cip. Acest ansamblu a fost standardizat i a cptat forme de capsule cu diferite dimensiuni i numr de terminale. Numrul componentelor a crescut de la cteva sute, la cteva mii sau chiar zeci de mii n cazul microprocesoarelor. Cele mai simple circuite integrate, sunt cele logice fabricate i n ara noastr i sunt din seria CDB ncepnd cu 400, 402, 403, 404, care conineau maxim 4 trazistoare, 2 diode, i 4 rezistente, ele putnd fi construite uor i din componente discrete.

 Aceste pori au fost folosite la fabricarea de calculatoare Principalul productor de circuite i n automatizri unde integrate i alte componente, a numrul lor erau cu sutele i fost IPRS Bneasa, o fabric chiar cu miile. Sigur, gama unde au fost produse alte de produse din seria CDB nu circuite integrate liniare, ca s-a oprit la aceste cteva alimentatorul stabilizat pentru tipuri, numrul lor fiind tunere cu varicap TAA 550, cteva sute. amplificatorul de frecven intermediar sunet i imagine Circuitele integrate TTL s-au la TV (TDA 440), culminat n cele mai simple sincroprocesorul TV (TBA 950), microprocesoare de C.I. pentru baleiaj vertical (TDA fabricaie romneasc ca: 1170 ), amplificatoare procesorul de 1 bit PC operaionale (A 741, M 3900 ), 14500, numrtorul de stabilizatoare de tensuine (A program de 4 bii PC 14104 723), temporizator ca E 555, sau demultiplexor 1:8 cu senzor magnetic M 230, memorie. comutator senzorial pentru tastaturile electronice la TV, seria SAS 560,561.

Circuit integrat vazut la microscop

Porti Logice
Circuitele cu ajutorul crora se pot implementa operaiile fundamentale din algebra boolean se numesc pori logice. O poart accept unul sau mai multe semnale logice de intrare i produce un semnal de ieire conform unei funcii logice de baz a intrrilor (tabel de adevr). Aceste pori se pot proiecta folosind att elemente pasive de circuit (rezistene, becuri, ntreruptoare i/sau diode semiconductoare) ct i elemente active de circuit (tranzistori sau circuite integrate). n practic, realizarea porilor logice cu diod semiconductoare nu este posibil, deoarece atunci cnd se mrete numrul intrrilor (mrind implicit numrul de diode folosite) curenii inveri de saturaie se vor aduna, ceea ce poate cauza deplasarea nedorit a nivelului logic de ieire. Un alt dezavantaj al porilor logice cu diode este i faptul c nu se poate impletenta funcia logic NU.

 Toate aceste dezavantaje pot fi eliminate folosind tranzistorul bipolar. Aplicand la intrarea circuitului din figura alaturata un semnal logic dat, la iesire se va obtine inversul (negativul) acestuia. In cazul in care pe intrare (baza) se aplica nivelul 0 logic, tranzistorul se va afla in stare de blocare. Pe iesire se va masura nivelul logic 1. Aplicand nivelul logic 1 pe baza tranzistorului se va deschide, iar tensiunea colector emitor scade, obtinandu-se nivelul0 logic la iesire

 Schemele de lucru folosite la studiul funciilor logice

de baz sunt prezentate mai jos:

 O poart accept unul sau mai multe semnale logice de intrare i produce un semnal de ieire conform unei funcii logice de baz a intrrilor (tabel de adevr). Din teorema lui DeMorgan pentru dou variabile logice rezult o relaie ntre funciile logice I respectiv SAU: Prin urmare, dintre cele trei operaii de baz (I, SAU, NU), numai dou sunt strict necesare (I / NU, respectiv SAU / NU), pentru c a treia poate fi nlocuit de o combinaie corespunztoare a celorlalte dou. Dup cum arat i exemplul de mai jos, operatorii NU, respectiv I pot fi combinai n aa fel nct s formeze un operator universal care poate fi utilizat pentru a implementa orice expresie boolean. A B A B A B A B pentru c A A

Amplificatorul cu tranzistor bipolar

Acest articol este bazat n mare msur pe ideile din articolul de specialitate de pe Internet al lui LY2HT, unui radioamator din Lituania i este o descriere a amplificatorul liniar care folosete dou tranzistoare Mosfet IRF 510, construcie similar cu cel al lui WA2EBY, K5OOR, F6BQU, DK7ZB, DL9AH i WA1GPO. Proiectul lui LY2HT este undeva la mijlocul evoluiei ideii de a construi liniare pentru HF cu ajutorul tranzistoarelor concepute iniial pentru comutare rapid Tranzistoarele VMosfet de tip IRF (International Rectifier) sunt destul de ieftine, chiar foarte ieftine fa de semiconductoare RF tradiionale epitaxial-planare MRF (Motorola). Modelele care pot fi folosite sunt IRF 510...540 (100 V), 710...840 (500 V), sau cele cu sigla IRFP care au o tensiune de lucru de 1000 V ceea ce ar permite alimentarea lor direct de la priz. Cel mai potrivit tranzistor pentru QRP ar fi IRF 540 care are o rezisten proprie de 0,06 , dar este i cel mai scump

Modul de funcionare
Semnalul este introdus prin modulul atenuatorului, el trece filtrat de L3 spre T1 (1:1) defazor (180o) care l acordeaz la impedana tranzistoarelor MOSFET, legate push pull. T2 colecteaz semnalele amplificate alternativ de cele dou tranzistoare i le transmite ctre T3. T3 acordeaz impedana construciei cu cea a antenei, la 50 de ohmi. Dioda Z de 5.1 V stabilizeaz tensiunea surs - poart mpreun cu ajutorul rezistorului R11, care mai poate fi acordat cu ajutorul celor dou trimere R1 i R2. De aceste acorduri fine depinde funcionarea corect a tranzistoarelor Mosfet, i implicit a liniarului prezentat. Tensiunea gate nu poate depi 1/3 de tensiune maxim admis a tranzistorului IRF510 (100 V), adic cca 30 V, valoare dat la 25oC a elementului semiconductor, n timp ce pe durata transmisiei acesta se nclzete la cca 95oC, ceea ce implic reducerea tensiunii gate admis cu mult sub valoarea de laborator. Atenuatorul este compus din R8, 9 i 10. Acesta servete la protecia amplificatorului liniar mpotriva semnalelor excesive. Tabelul de mai jos exemplific valorile RF i ale rezistoarelor (2W Pdis)

 Montajele cu un singur tranzistor sunt mai simple, debiteaz putere ceva mai mare, iar cele n push-pull sunt mai greu de confecionat, dar par s aib o fiabilitate superioar i prezint o liniaritate mai bun pe toate benzile de radioamatori, adic variaiile puterii de emisie nu sunt att de diferite la capetele benzilor. Un liniar cu tuburi de aceeai putere pare mai simplu de fcut, ns tensiunea de lucru este de cca 20 de ori mai mare, dar i pericolul de electrocutare prin arc electric ce se poate produce la tensiuni mari i contacte defectuoase. Proiectele destinate radioamatorilor trebuie s fie att uor reproductibile, ct i sigure n exploatare. În consecin, cei mai muli radioamatori premiaz proiectele care au un grad ridicat de siguran, costuri foarte sczute i dau posibilitatea de a mbunti montajul fcut. Utilizatorii acestor amplificatoare le consider unelte secundare pentru expediii, pentru alimentare de la acumulatori auto, pentru trafic QRP sau le creeaz pentru dotarea unui QTH mai puin costisitor.

PROCESORUL
Procesorul este o component mic dar vital pentru orice computer. Eu prefer s-l vd ca fiind "inima" sistemului, dei alii l consider mai degrab "creierul". Rolul su este fundamental, el fiind cel care parcurge programele din computer, instruciune cu instruciune, i le execut coordonnd dispozitivele din sistem, procesnd i manevrnd datele, i astfel controlnd toat activitatea sistemului. Procesorul este un circuit integrat care include echivalentul unui numr foarte mare de elemente de circuit electronic clasic - tranzistori. El lucreaz n strns colaborare cu placa de baz, pe care este montat ntr-o mic priz (numit i slot sau socket) special. n funcie de tipul acestei prize, o plac de baz poate suporta numai anumite tipuri de procesoare, care pot fi montate n acel tip de priz. Astfel, dac plnuieti s-i schimbi procesorul, gama ta de opiuni este limitat la opiunile permise de placa de baz.

 Exist multe tipuri de procesoare, dar cele mai cunoscute sunt cele produse de firmele Intel (realizatoarea procesoarelor din familia 80x86, mai popular cunoscute prin codurile 286, 386, 486, i sub marca Pentium I,II,III sau 4) i AMD (cu procesoarele din seria K6, iar mai nou cu seriile Athlon, Duron i K7, n 2003 ateptate sunt K8). Numele procesorului dintrun computer i frecvena lui de lucru se pot citi, de obicei, n primele rnduri de mesaje afiate la pornirea computerului

Performanele procesorului se msoar prin mai muli parametri, dar cel mai important este frecvena de lucru a procesorului

PLACA DE BAZ
Placa de baz este un dizpozitiv de baz un pamnt pe care se planteaz celelalte componente . Este componenta pe care se implanteaz procesorul , pe care se afla sloturile de extensie , pe care se afla memoria cache L2 . Pe lang aceast funcie, de support pentru celelalte componente , are rolul de a regla i distribui tensiune procesorului i celorlalte componente . O plac de baz de calitate are variaii mici al intensitii curentului livrat i mai multe valori ale tensiunii pe care o poate furniza .

 1.

2.

Pe o placa de baz se afl urmtoarele componente: soclul pentru processor(interfata) un socket n care se introduce procesorul Placa de baz mai include controllere i conectori pentru hard-disk , floppydisk , tastatur , port serial, optional PS/2 i USB

Mai exist pe placa de baz sloturile n care se pot introduce placi de extensie (modemuri , placi video, laci de retea , placi de sunet , etc). Sloturile pot fi difereniate n funcie de diferenele constructive : VL-BUS , ISA , EISA , PCI ,PCMCIA, AGP . Interfata VL-BUS este depit , interfata ISA este nca folosit cu success , fiind prezent pe majoritatea placilor de baza de generaie nou .

Digital Signal Processor

Un DSP (Digital Signal Processor) sau procesor de semnal numeric este un tip de procesor optimizat pentru procesarea rapid (n timp real) a unui flux numeric de natur divers precum sunet, video etc. Creierul Pozitronic al lui Isaac Asimov's din nuvelele SF (science fiction) - e nc numai SF, dar un simplu adevr se poate extrage. Suntem ncercuii de un mare numr de aparate ale cror comportare e destul de complicat i ncontinuu cer o supraveghere constant a lumii exterioare i rspunderea la impulsurile din exterior

 Evoluia extraordinar a acestor creaturi electromecanice se desfoar n faa ochilor notri. De la ENIAC la CRAY, de la Spectrum la Pentium, autovehicole care ''tiu'' dac ai legat centura de siguran (safety belt), dac afar e umezeal sau nu, aspiratoare care ''tiu'' ct de murdar este covorul... Toate acestea, au ''creierul'' produs din siliciu i cu toii vorbesc o limb foarte simpl. Limba care folosete dou numere, 0 i 1. Dei limita ntre aceste specii nu e precis trasat, putem face o selecie cu aceia a cror ''creier'' const dintr-un procesor DSP.

DSP (Digital Signal Processing) sau Digital Signal Processor (aparatul care face procesarea semnalului digital) n primul rnd conine cuvntul d-i-gi-t-a-l. Aceasta ne spune c limba acestor aparate este digital. Achiziia de informaii impune dou necesiti, dac dorim s transformm semnalul din lumea exterioar procesorului i s reinem realitatea i precizia informaiilor: o bun vitez de eantionare i o rezoluie bun

FPGA
Un FPGA (Field Programmable Gate Array), adic o reea de pori logice reconfigurabile, este un dispozitiv electronic pe baz de semiconductori (disponibil sub form de circuit integrat VLSI), care conine module elementare (numite adeseori "celule") de funciuni logice de baz (AND, OR, XOR etc..) precum i celule elementare de memorie. Dup cum o indic numele su, ceea ce difereniaz un FPGA de un circuit integrat "normal" este faptul c poate fi configurat de ctre utilizator, acesta putnd modifica de exemplu "cablajul logic" intern al circuitului su FPGA n mod dinamic, pentru a-l adapta necesitilor sale de moment, sau chiar pentru a corecta anumite erori de programare.

Tranzistori vs LATCH(tehnologia crossbar)

Tranzistorul a fost inventat la Bell Telephone Laboratories din William Bradford Shockley. Descoperirea tranzistorului a determinat dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele mai mari descoperiri ale erei moderne. Tranzistoarele pot fi folosite n echipamentele electronice cu componente discrete n amplificatoare de semnal, amplificatoare de instrumentatie, oscilatoare, modulatoare si demodulatoare, filtre, surse de alimentare liniare sau n comutaie sau n circuite integrate, tehnologia de astzi permind integrarea ntr-o singur capsul a milioane de tranzistori.

Grupul de oameni de stiinta Quantum Science Research (QSR) de la HP Labs a prezentat recent tehnologia crossbar latch, care face sa nu mai fie nevoie de tranzistori. "Reinventam computerele la scara moleculara", a declarat Stan Williams, directorul QSR. "Crossbar latch ofera un element-cheie necesar construirii unui computer, folosind componente a caror dimensiune este de ordinul nanometrilor , usor de contruit si la preturi accesibile", a explicat omul de stiinta.

 Tranzistorii vor continua sa fie folositi in anii urmatori in circuitele din siliciu conventionale, dar s-ar putea sa fie inlocuiti in computere,asa cum ei insisi au inlocuit tuburile electronice si cum tuburile electronice au inlocuit retelele electromagenetice" Phil Kuekes, senior computer architect la QSR Tehnologia crossbar latch, asigura refacerea si inversarea semnalului fara sa fie nevoie de tranzistori.

Tehnologia poate sta la baza unor calculatoare de mii de ori mai puternice decat cele actuale. QSR foloseste componente electronice de ordinul nanometrilor care vor completa pentru prima oara si vor nlocui probabil, la un moment dat, tehnologia bazata pe siliciu, ale carei limite fizice se estimeaza ca vor fi atinse n circa 10 ani.

 Experientele au demonstrat ca latch-ul consta dintr-un set de fire paralele, de dimensiuni moleculare, care actioneaza ca o linie de semnal, intersectate sub un unghi de aproximativ 90 de grade de alte linii paralele de control. ntre acestea se intercaleaza un strat de material comutabil electric, prin care se genereaza o conexiune electrica la scara moleculara, acolo unde se intersecteaza firele. Prin aplicarea unei secvente de impulsuri de tensiune, latch-ul poate executa operatiunea NOT, una dintre operatiile logice de baza ce se pot executa ntr-un circuit primar, alaturi de AND si OR, care sunt esentiale pentru efectuarea calculelor obisnuite si formand astfel un comutator reprezentand 1 sau 0.

Tehnologia crossbar latch, asigura refacerea si inversarea semnalului fara sa fie nevoie de tranzistori. Tehnologia poate sta la baza unor calculatoare de mii de ori mai puternice decat cele actuale. QSR foloseste componente electronice de ordinul nanometrilor care vor completa pentru prima oara si vor nlocui probabil, la un moment dat, tehnologia bazata pe siliciu, ale carei limite fizice se estimeaza ca vor fi atinse n circa 10 ani.

 Circuitele standard de semiconductoare necesita trei tranzistori terminali pentru efectuarea operatiei NOT si refacerea semnalelor. Totusi, multi cred ca tranzistorii nu vor putea fi micsorati la dimensiunea catorva nanometri, ramanand functionali.

Dezavantajul structurilor crossbar este acela ca necesita mai mult spatiu pe substratul de siliciu. n plus, avand n vedere ca dimensiunile structurilor electronice coboara sub cativa nanometri, producerea unor circuite absolut perfecte va deveni fie imposibila din punct de vedere fizic, fie nerentabila din punct de vedere economic.

Stiati ca?
O replica in marime naturala Datorita faptului ca a primului tranzistor tranzistorul indeplineste doar inventat la The Bell Labs in doua functii, rezistoarele si anul1947 este expusa in tranzistoarele au fost montate muzeul AT&T din New York; alaturat pentru a indeplini diferite functiuni, iar cu timpul pentru o mai mare usurinta in montare sa trecut la chip-uri (numite si tranzistoare digitale), ce contin un tranzistor si cateva rezistoare;

27 de ani de la primul PC:La 27 de ani de la aparitia pe piata a primului Personal Computer (PC), aceste masinarii care au bulversat viata cotidiana a sute de milioane de oameni sunt considerate abia la inceputul existentei, subliniaza expertii in domeniu, transmite AFP, citata de Mediafax. Primul PC, creat de IBM, cantarea 12 kilograme, tastatura avand 2,7 kilograme, nu era mai puternic decat un simplu calculator de buzunar de astazi si costa echivalentul unui salariu mediu din Statele Unite ale Americii;

n anii 1960, lmpile (tuburile electronice) au fost nlocuite de tranzistori, mult mai eficieni, mai mici, mai ieftini i mai fiabili, ceea ce a dus la miniaturizarea i ieftinirea computerelor. Din anii 1970, adoptarea circuitelor integrate a cobort i mai mult preul i dimensiunea computerelor, permind printre altele i apariia calculatoarelor personale de astzi;

 Datorita descoperirii metodelor prin care tranzistorul a ajuns la dimensiuni foarte mici, de ordinul nanometrilor, electronica a patruns in medicina, prin inventarea unor biodispozitive si a unor biosenzori. Astfel ca sa reusit replicareaochiului uman, chiar daca momentan calitatea imaginii nu este aceeasi cu cea a unui ochi cormal in viitorul apropiat se preconizeaza o imbunatatire a acesteia. De asemenea biosenzorii sunt folositi pentu detectarea unor substante din organismul uman cum ar fi albumina serica, cu ajutorul senzorilor optoelectronici, a NO, CO si a microorganismelor, cu ajutorul senzorilor piezoelectrici;

Un grup de cercetatori din Finlanda si Italia a realizat un tranzistor de racire de constructie speciala, capabil sa raceasca structuri microscopice, atunci cand se afla sub tensiune electrica;

 Cipurile bazate pe siliciu nu pot deveni mai mici si mai performante decat acum. Nici chiar noile masini care produc cipuri cu frecvente de tact de pana la 10 GHz nu prea mai pot schimba situatia. Limitele fizice si tehnice au fost atinse pana in 2005: atunci, straturile de siliciu au avut o grosime (daca i se poate spune asa) de 1 nanometru, pierzand in acest fel si din conductibilitate. Viitorul apartine altor semiconductori precum germaniul, metalelor pretioase precum aurul, dar si sticlei si diamantului;