Verde Ctlin Grigorescu Bogdan Manole Adrian Diaconu Bogdan

1


LUCRAREA 3: PROPRIETILE CONDUCTOARE ALE
MATERIALELOR

1. Scopul lucrrii:
Determinarea dependenei proprietilor conductoare ale materialelor de cmpurile
termice i electromagnetice, precum i determinarea rezistivitii materialelor.

2. Noiuni teoretice

Conducia electric ntr-un material const n apariia unui flux dirijat de purttori
mobili de sarcin la aplicarea unui cmp electric,

. Aceast curgere ordonat a purttorilor de

sarcin electric este un curent electric, iar materialul n care are loc acest fenomen fizic se
afl ntr-o stare electrocinetic. Caracterizarea local a acestei stri poate fi fcut cu ajutorul
vectorului

, numit densitatea curentului electric.

Proprietile conductoare ale unui material izotrop sunt descrise cantitativ n domeniul
liniar de coeficientul de rezistivitate electric de volum sau de mrimea invers,
conductivitatea electric de volum

. Aceste mrimi sunt definite de forma local a

legii de conducie electric:

respectiv

n cazul metalelor purttorii mobili de sarcin sunt electronii de conducie a cror
concentraie este practic constant, dependena rezistivitii electrice de temperatur fiind
determinat numai de constanta de relaxare.
La temperaturi foarte sczute este predominant mecanismul de interacie cu impuritile
i defectele existente n material, astfel nct metalul prezint o rezistivitate independent de
temperatur numit rezistivitate rezidual,

.
Modelul benzilor energetice al corpului solid permite descrierea purttorilor de sarcin.
Descrierea purttorilor de sarcin electric se realizeaz pe baza modelului simplificat al
benzilor energetice ale corpului solid. Conform acestui model, electronii unui atom ocup
diverse nivele energetice care pot fi grupe in benzi energetice:
- banda de valen: electronii de valent sunte fixai n legaturi covalente. Acest tip
de electroni sunt imobili, deci nu pot participa la fenomene de conducie;
Verde Ctlin Grigorescu Bogdan Manole Adrian Diaconu Bogdan
2

- banda de conducie: electronii de conducie sunt electroni liberi, se pot deplasa prin
structura intern a materialului, deci particip la fenomenele de conducie;
- banda interzis: electronii nu pot ocupa nivele energetice n interiorul acestor
benzi.
Diagrama benzilor energetice a materialelor permite clasificarea acestora din punct de
vedere a conductibilitii electrice (proprietatea unui material de a permite trecerea curentului
electric). Conductibilitatea electric a materialelor este determinat de apariia purttorilor de
sarcin electric, n anumite condiii energetice i de deplasarea acestora n structura intern a
materialului respectiv. Pornind de la aceast mrime, materialele electronice se pot clasifica n
trei tipuri: conductoare, semiconductoare i izolatoare.

Figura 1: Structura benzilor energetice pentru:
a) metale, b) materiale semiconductoare i materiale izolatoare
n cazul materialelor conductoare, conducia curentului electric este asigurat de
electronii de conducie, iar pentru cele semiconductoare i izolatoare electronii de conducie
i goluri.




Verde Ctlin Grigorescu Bogdan Manole Adrian Diaconu Bogdan
3

3. Prelucrarea datelor experimentale





Tabelul 1
T [
0
C] 27 35 40 45 50 55 58 60 62 64
Valori
msurate
R
Ge
[O] 338 211 174 144 120 100 90 84 78 73
R
Ni
[O] 117 132 140 147 154 160 164 169 171 177
Seciune
pentru
calcule

Ge
[Om] 3.38 2.11 1.74 1.44 1.2 1 0.9 0.84 0.78 0.73

Ge
[(m)
-1
] 0.29 0.47 0.57 0.69 0.83 1 1.11 1.19 1.28 1.37

Ni
[Om]
127.17
*10
-6

143.47
*10
-6

152.17
*10
-6

159.78
*10
-6

167.39
*10
-6

173.91
*10
-6

178.26
*10
-6

183.69
*10
-6

185.86
*10
-6

192.39
*10
-6

Ni
[(m)
-1
]
7.86
*10
3
6.97
*10
3

6.57
*10
3

6.25
*10
3

5.97
*10
3

5.75
*10
3

5.6
*10
3

5.44
*10
3

5.38
*10
3

5.19
*10
3



Proba de Ge are lungimea l = 10 mm i seciunea S = 10 10 mm
2
, iar proba de Ni are
lungimea l = 90 mm i seciunea S = 0,7 0,14 mm
2
.
S
l
R =

1
=







Verde Ctlin Grigorescu Bogdan Manole Adrian Diaconu Bogdan
4















0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
27 35 40 45 50 55 58 60 62 64
R
e
z
i
s
t
i
v
i
t
a
t
e
a

[
O
m
]

Temperatura [
o
C]
Rezistivitatea Ge n funcie de temperatur
Ge
0
50
100
150
200
250
27 35 40 45 50 55 58 60 62 64
R
e
z
i
s
t
i
v
i
t
a
t
e
a

[
O
m
]

*
1
0
-
6

Temperatura [
o
C]
Rezistivitatea Ni n funcie de temperatur
Ni
Verde Ctlin Grigorescu Bogdan Manole Adrian Diaconu Bogdan
5















0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
27 35 40 45 50 55 58 60 62 64
C
o
n
d
u
c
t
i
v
i
t
a
t
e
a

*
(

m
)
-
1
]


Temperatura [
o
C]
Conductivitatea Ge n funcie de temperatur
Ge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
27 35 40 45 50 55 58 60 62 64
C
o
n
d
u
c
t
i
v
i
t
a
t
e
a

*
(

m
)
-
1
]

*
1
0
3

Temperatura [
o
C]
Conductivitatea Ni n funcie de temperatur
Ni
Verde Ctlin Grigorescu Bogdan Manole Adrian Diaconu Bogdan
6

Coeficientul de temperatur al rezistivitii pentru Ge:
T A
A
=

o
1

[(
o
C)
-1
]

Coeficientul de temperatur al rezistivitii pentru Ni:

( )

[(
o
C)
-1
]


Tabelul 2 R = 1 k
U [V] 1 3 5 7 9 11 13 15
U
FR
[V] 0.895 2.68 4.46 6.24 8.01 9.77 11.55 13.27
( )
R
FR
U U
FR
I

=

[mA] 0.105 0.32 0.54 0.76 0.99 1.23 1.45 1.73




Verde Ctlin Grigorescu Bogdan Manole Adrian Diaconu Bogdan
7



R
FR
= panta =

()

= 8.09 [k]

Tabelul 3 R = 1k
Flux U [V] 1 5 10 15
|(r
1
)
r
1
=1 cm
U
FR
[V] 0.197 0.958 1.935 3.11
( )
R
FR
U U
FR
I

=

[mA]
0.803 4.042 8.065 11.89
|(r
2
)
r
2
=
cm
U
FR
[V] 0.39 1.718 3.51 5.56
( )
R
FR
U U
FR
I

=

[mA] 0.61 3.282 6.49 9.44
|(r
3
)
r
3
= 10
cm
U
FR
[V] 0.763 3.76 7.59 11.3
( )
R
FR
U U
FR
I

=

[mA]
0.237 1.24 2.41 3.7

0
2
4
6
8
10
12
14
0.105 0.32 0.54 0.76 0.99 1.23 1.45 1.73
U
F
R

I
FR

Caracteristica curent-tensiune la ntuneric pentru fotorezisten
Verde Ctlin Grigorescu Bogdan Manole Adrian Diaconu Bogdan
8




R
FR
= panta =

=

()

* 10
3
= 0.24 [k]





R
FR
= panta =

()

* 10
3
= 0.55 [k]
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0.803 4.042 8.065 11.89
U
F
R

I
FR

Caracteristica U
FR
(I
FR
) pentru |(r
1
)
0
1
2
3
4
5
6
0.61 3.282 6.49 9.44
U
F
R

I
FR

Caracteristica U
FR
(I
FR
) pentru |(r
2
)
Verde Ctlin Grigorescu Bogdan Manole Adrian Diaconu Bogdan
9



R
FR
= panta =

()

* 10
3
= 3.27 [k]

4. Concluzii i observaii personale
In concluzie, s-a observat experimental ca rezistivitatea unui semiconductor scade la
cresterea temperaturii, in schimb ii creste conductivitatea, iar in cazul unui metal se intampla
invers.De asemenea, la aplicarea unui camp electromagnetic pe fotorezistenta caracteristica
U(I) este o curba crescatoare, dar nu liniara.

5. ntrebri i probleme

5.1 Cum se explic faptul c, dei deplasarea purttorilor mobili de sarcin se face sub
aciunea cmpului electric, micarea acestora nu este uniform accelerat, ci uniform?
Miscarea electronilor sub actiunea campului electric ar fi uniform accelerata daca
acestia s-ar deplasa in aer sau in vid, dar in metal sau semiconductor au loc ciocniri cu reteaua
cristalina ale electronilor de conductie si de aceea miscarea lor este uniforma.
5.2 Cum se explic faptul c n general mobilitatea purttorilor mobili de sarcin scade
la creterea temperaturii?
0
2
4
6
8
10
12
0.237 1.24 2.41 3.7
U
F
R

I
FR

Caracteristica U
FR
(I
FR
) pentru |(r
3
)
Verde Ctlin Grigorescu Bogdan Manole Adrian Diaconu Bogdan
10

Conductivitatea electrica este determinata de concentratia de purtatorilor de sarcina si de
mobilitatea lor, iar in cazul metalelor, la cresterea temperaturii, concentratia purtatorilor
ramane constanta, iar mobilitatea scade, determinand o scadere a conductivitatii, deci o
crestere a rezistivitatii.
5.3 Definii temperatura Debye.
Temperatura Debye este o temperatura de referinta in electronica, astfel ca la
temperaturi sczute (T<<T
D
- temperatura Debye), este predominant interacia purtatorilor de
sarcina cu fononii acustici rezultnd o proporionalitate a rezistivitii cu T
5
, iar la
temperaturi ridicate (T>>T
D
), acelai mecanism conduce la o proporionalitate a rezistivitii
cu T.
5.4 Este justificat utilizarea unui coeficient de temperatur al conductivitii pentru
metale sau este mai potrivit introducerea unui coeficient de temperatur al rezistivitii? De
ce?
Ar fi mai potrivita introducerea unui coeficient de temperatura al rezistivitatii pentru
metale, deoarece in cazul acestora rezistivitatea creste la cresterea temperaturii, deci cresc si
pierderile prin efect Joule la trecerea curentului.
5.5 Este justificat utilizarea unui coeficient de temperatur pentru materiale
semiconductoare intrinseci? S se deduc expresia lor analitic.
Este justificata utilizarea unui coeficient de temperatura pentru materiale
semiconductoare intrinseci, pentru ca la cresterea temperaturii, conductivitatea
semiconductorului creste, iar rezistivitatea scade.
5.6 Precizia cu care se determin valoarea rezistenei fotorezistenei este mai bun dac
se msoar tensiunea ntre bornele rosu-negru sau ntre bornele rosu-verde?
Precizia este aceeasi, pentru ca daca s-ar masura intre bornele rosu-verde tensiunea pe
fotorezistenta se determina din diferenta intre tensiunea de alimentare si cea masurata, iar
curentul din raportul dintre tensiunea masurata si rezitenta de 1K.

5.7 S se precizeze rolul rezistorului montat n serie cu dioda electroluminiscent.
Verde Ctlin Grigorescu Bogdan Manole Adrian Diaconu Bogdan
11

Rolul rezistorului montat in serie cu dioda electroluminiscenta este de a limita curentul
prin dioda.Daca s-ar alimenta LED-ul la 10V, curentul prin acesta ar fi atat de mare incat s-ar
distruge.
5.8 Dup ce lege se modific fluxul electromagnetic, emis de dioda electroluminiscent
i care cade pe fotorezisten, cu distana dintre cele dou componente?
Fluxul electromagnetic emis de dioda electroluminiscent i care cade pe fotorezisten
va varia dupa o lege 1/r
2
.