Catedra

Telecomenzi i Electronic n Transporturi

1
Dispozitive i Circuite Electronice I
Laborator IV

LUCRAREA 4
ETAJE FUNDAMENTALE REALIZATE CU
TRANZISTOARE BIPOLARE


1 Prezentare teoretic
Amplificatorul reprezint un diport liniar, semnalul de la ieire fiind proporional cu cel de
intrare, dar de putere mai mare. Elementele active din componena diportului trebuie s lucreze liniar,
ceea ce se obine dac sunt ndeplinite condiiile de semnal mic. Distorsiunile ce apar se pot datora
neliniaritii caracteristicilor dispozitivelor (distorsiuni neliniare) sau pot fi distorsiuni liniare (de
amplitudine sau de faz), ce pot apare chiar n condiiile de semnal mic. Dup gama de frecven n
care pot fi utilizate, amplificatoarele se calsific n: amplificatoare de audiofrecven (civa Hz - 20
kHz), de videofrecven (civa Hz - uniti sau zeci de MHz), de radiofrecven (o caracteristic de
frecven de tip rezonant n jurul unei frecvene de sute kHz - MHz; se mai numesc i amplificatoare
selective i de microunde).
Semnalele de intrare i de ieire ale unui amplificator pot avea dimensiuni fizice diferite.
Amplificatorul poate fi deci de tensiune, de curent, de transimpedan sau transadmitan.
Tranzistorul bipolar se conecteaz n etajele de amplificare n trei conexiuni fundamentale:
emitor comun, baz comun i colector comun. Schema electric a amplificatorului cu TB n
conexiune EC se poate urmrii n fig. 4.1. Se observ c PSF-ul tranzistorului este stabilit prin metoda
cu divizare n baz i rezisten n emitor. Este o metod eficient din punct de vedere al stabilitii
PSF-ului cu temperatura. n acest scop, prin divizor trebuie s circule un curent mult mai mare ca I
B

divizorul lucrnd practic n gol:


1 2
1 2
=
+
C
B B
B B
E
I I
R R
(4.1)

2
1 2
B
B C
B B
R
V E
R R
=
+
(4.2)

rezult V
B
independent de temperatur, ceea ce conduce, conform relaiei V
B
=V
BE
+R
E
I
E
, la un curent
I
E
aproximativ constant. Creterea temperaturii determin mrimea lui b
0
, deci al lui I
E
, genernd astfel
reducerea lui V
BE
, deci al lui I
B
i implicit revenirea curentului de emitor. Tensiunea colector-emitor
nu va scdea cu temperatura, PSF-ul rmnnd n RAN.


( )
CE CC C E C
V V R R I = + (4.3)

Efectul de stabilizare crete cu R
E
, dar aceasta conduce la o tensiune nepractic de ridicat, pentru
R
C
i V
CE
fixate. Se lucreaz de obicei cu R
E
I
E
<< V
CE
.
PSF-ul M (V
BE
, I
B
, V
CE
, I
C
) se alege n zona central a RAN n scopul obinerii unei puteri utile
ct mai mari, fr a prsi aceast regiune.
Rezistena R
C
se alege astfel nct cderea de tensiune continu pe ea s fie V
CE
, n scpul
obinerii unei tensiuni alternative V
CE
simetrice n cele dou alternane i de amplitudine maxim.
Relaiile de dimensionare ale elementelor schemei sunt:

CE
C
C
V
R
I
= (4.4)
Catedra
Telecomenzi i Electronic n Transporturi
2
Dispozitive i Circuite Electronice I
Laborator IV


10
CE
E
C
V
R
I
= (4.5)

( )
C CE C E C
E V R R I = + + (4.6)

2
10
BE E C
B
E
V R I
R
I
+
= (4.7)

1 2
10
C
B B
E
E
R R
I
= (4.8)

Condensatorul C
E
trebuie s scurtcircuiteze rezistena R
E
pentru componenta alternativ. Este
astfel necesar ca:


min
1
E
E
C
R
>> (4.9)

Condensatoarele C
1
i C
2
trebuie alese astfel nct, la frecvena minim a semnalului, reactanele
lor s fie mult mai mici dect rezistena serie de pe care se culege semnalul:


2
min
1
C
C
R
>> (4.10)

1
min
1
in
C
R
>> (4.11)

unde R
in
reprezint rezistena de intrare a ampilficatorului. Valorile tipice pentru C
E
, respectiv C
1
, C
2
,
sunt 500 mF, respectiv 50 mF.
Vom calcula parametrii dinamici ai amplificatorului de semnal mic i frecvene medii n spectrul
AF (300-3400 Hz). La aceste frecvene condensatoarele de cuplaj sunt considerate scurtcircuite, iar
cele din circuitul echivalent tranzistorului sunt de reactan foarte mare.
Schema echivalent de semnal mic i frecven medie este dat n fig. 4.2.
Rezistena de intrare, definit ca raportul dintre tensiunea i curentul de intrare, este dat de
expresia:


0
0 0
0
0 1
0
0
; ;
10 4, 7
; ; ;
; ; 0. ;
10

= =
= = =
= = = =

g
g
g i
g I
v i v
i g i
g
i
i i g
g g
g
V V
V
I I
k k
V V
A A A
V I V
V
V V
R R R v R
I I I
V V
I
k

(4.12)

rezistena de intrare are o valoare moderat, etajul putnd fi atacat n tensiune sau n curent. Rezistena
de ieire a etajului este:

0
0
0
0
s C
v
R v R
i
= = (4.13)
Catedra
Telecomenzi i Electronic n Transporturi
3
Dispozitive i Circuite Electronice I
Laborator IV


aceast rezisten are o valoare moderat, etajul putnd astfel fi citit n tensiune sau n curent.
Amplificarea n tensiune este:


( )
v m C L
A g R R (4.14)

Semnul minus indic faptul c tensiunea de ieire este n antifaz cu tensiunea de intrare.
Amplificarea n curent este:


2
B
i
B
R
A
R r

+
(4.15)

Amplificarea n putere este:


0 0
0
1 1
2
2
p v i
i
V I
P
A A A
V I
P
= = = (4.16)

Se observ c toi parametrii etajului sunt dependeni de parametrii tranzistorului, deci de
condiiile de lucru. La frecvene joase (sub 300 Hz) i la frecvene nalte (peste 3400 Hz) amplificarea
n tensiune devine complex datorit condensatoarelor de cuplaj, respectiv celor interne tranzistorului.
Normnd amplificarea n tensiune la valoarea de la frecvene medii A
v0
i reprezentnd grafic
A
v
/A
v0
, obinem forma din fig. 4.3.
n decibeli, amplificarea se exprim ca:


( )
0 0
20lg
v v
v v
A A
dB
A A
= (4.17)

Definim f
j
i f
s
ca fiind frecven limit inferioar, respectiv superioar, pentru care amplificarea
scade la zero din valoarea de la medie frecven sau cu trei dB fa de aceai valoare. Reducerea cu 3
dB este echivalent cu njumtirea puterii dezvoltate de semnal.
Se obin astfel pentru f
j
i f
s
expresiile:


( ) ( )
1 2
1
2
1
j
B C
E C C L E E
f
r R R
C r R R C R R C R
F

=
(
| | +
+ + + +
( |
+
\ .

(4.18)

( )
1 '
1
2
s
C bb
f
C r R r

=
+ + (

(4.19)

unde
( )
1
i p m C m
C C g R C = + + (4.20)
reprezint capacitatea de intrare n tranzistor. Efectul lui C
m
este adus, prin efect Miller, la intrare
conform celui de-al doilea termen al sumei.
Dac rezistena de emitor nu mai este decuplat prin capacitatea C
E
, proprietile etajului se
modific. Vom considera R
L
i vom obine pentru parametrii dinamici ai etajului urmtoarele expresii:
Rezistena de intrare:
Catedra
Telecomenzi i Electronic n Transporturi
4
Dispozitive i Circuite Electronice I
Laborator IV



, in E I T E
R R R R = >> (4.21)

unde
( )
1 2
,
1
B B B I T p E
R R R iR r R = = + + (4.22)
Se observ c divizorul scurtcircuiteaz impedana de intrare n tranzistor, limitnd impedana de
intrare a etajului. Fa de cazul cu C
E
rezistena de intrare este mai mare i vom considera etajul atacat
n tensiune.
Rezistena de ieire:


0 0,T C C
R R R R = >> (4.23)

Dac R
C
nu face parte din etaj (privit ca sarcin), etajul se citete n curent i se definete o
amplificare transadnitan:


1
E
A
R

(4.24)

Dac R
C
este inclus n etaj, semnalul de ieire poate fi citit i n tensiune.


C
V
E
R
A
R
(4.25)

Se observ c amplificarea n tensiune devine independent de parametrii tranzistorului, dar
amplificarea se reduce. Etajul se numete etaj cu sarcin distribuit sau defazate ( pentru R
C
= R
E
)
tensiunile din colector i din emitor sunt egale, dar defazate cu .
Fig. 4.4. reprezint un TB n conexiune BC, polarizat cu o surs de alimentare. Din calculele de
c.a. deducem urmatoarele expresii pentru parametrii dinamici ai etajului:
Rezistena de intrare:


1 1
in E
F F
r r
R R


=
+ +
(4.26)

rezistena de intrare fiind foarte mic este normal s atacm etajul n curent.
Rezistena de ieire:


0 0, C T C
R R R R = >> (4.27)

unde R
0,T
reprezint rezistena de ieire din tranzistor, ce poate atinge i caiva M.
Amplificarea n tensiune:


( )
1
v m C L
A g R R = >> (4.28)

Cu rezistena de intreare foarte mic (de ordinul zecilor de pentru un tranzistor de mica putere)
i rezistena de ieire foarte mare (far R
C
), etajul BC ar putea fi considerat un amplificator ideal de
curent, dar A
i
1, deci etajul nu poate fi considerat un amplificator de curent. Amplificarea n curent a
tranzistorului propriu-zis este:
Catedra
Telecomenzi i Electronic n Transporturi
5
Dispozitive i Circuite Electronice I
Laborator IV



1
F
i
F
A

=
+
(4.29)

Considernd ncorporat i R
C
, putem considera etajul ca un amplificator transimpedan:


s C
A R >> (4.30)

Frecvena limita superioar f
s
va fi mai mare dect n cajul conexiunii EC, deoarece nu mai
intervine termenul corespiunzator capacitatii C
m
, prin efect Miller, la intrare.
Fig. 4.5 prezint un etaj cu tranzistorul n conexiunea CC. Patametri dinamici ia etajului se
calculeaz astfel:


, in B I T B
R R R R = (4.31)

unde
( )( )
,
1
I T F E L
R r R R

= + + (4.32)
Mrimea rezistenei de intrare este limitat de divizorul din baz.
Rezistena de ieire este dat de relaia:


0 0, 0, E T T
R R R R = (4.33)

unde
( )
0,
1
B C
T
F
r R R
R

+ +
=
+
(4.34)
Obinem deci o rezistena de ieire foarte mica.
Amplificarea n tensiune este dat de relaia:


( ) ( )
( )( )
1
1
1
F E L
v
F E L
R R
A
r R R

+ +
=
+ +
(4.35)
i amplificarea n curent:


( )
,
1
E B
i F
E L B I T
R R
A
R R R R
= +
+ +
(4.36)

Ar fi necesar ca R
E
>> R
L
, dar crete cderea de tensiune continu pe R
E
.
Se utilizeaz nlocuirea lui R
E
cu un generator de curent.
Etajul ofer o capacitate de intrare C
i
mic, deoarece, prin efect Miller avem:


( )
( ) ( )
1
1
i v
F E L
r
C C C A C C
r R R

= + = +
+ +
(4.37)

i deci o frecven limit superioar mai ridicat dect la EC.
Tranzistorul bipolar se comport deci diferit n funcie de conexiunea n care este conectat.
Principalele proprieti sunt prezentate n tabelul 4.1:

Catedra
Telecomenzi i Electronic n Transporturi
6
Dispozitive i Circuite Electronice I
Laborator IV

Conexiunea
Ec BC CC
R
in
medie mic mare
R
0
medie mare mic
A
v
>100 <100
1
A
j
10-100
1
>10
A
p
<104 <1000 10
Tabelul 4.1

Conexiunea EC se utilizeaz n audoifrecven sau n radiofrecven pentru obinerea unei
amplificri n putere foarte mari. Dezavantajul conexiunii const n valorile relativ sczute ale R
in
i f
s
.
Conexiunea BC se utilizeaz n special n radiofrecven datorit rspunsului bun la frecvene foarte
nalte. Dezavantajul l reprezint rezistena de intrare mic. Conexiunea CC este utilizat ca
transformator de impedan: R
in
mare i R
0
mic.

2. Aparate necesare:
- surs de c.c. cu tensiune stabilizat
- multimetru
- generator de semnal sinusoidal
- osciloscop

3. Desfsurarea lucrrii
1. Se proiecteaz circuitul de polarizare al tranzistorului BC 107 conectat ca n fig. 4.1.,
astfel nct pentru o tensiune E
C
=10 V s se obin un PSF M (I
C
=1 mA,V
CE
=5 V).
2. Se identific schemele electrice din fig. 4.6. i se msoar PSF-ul tranzistorului pentru o
tensiune de alimentare de 10 V.
3. Se scirtcircuiteaz 2 cu 3 i 5 cu 7. Se conecteaz generatorul (punctul 1) de semnal
sinusoidal cu f=10 kHz i nivelul astfel nct obinem 10 mV pe intrare (punctul 3). Ieirea se
consider n punctul 9. Se msoar V
8
i V
0
, calculndu-se I
8
i I
1
. Se vizualizeaz cele dou tensiuni,
observndu-se defazajul dintre cele dou semnale. Se conecteaz generatorul la ieire (punctul 8),
printr-o rezisten de 10 k, cu intrarea scurtcircuitat. Se msoar V
0
i se calculeaz curentul I
0
. Se
refac msurtorile pentru 5 cu 7 deconectat.
4. Se reiau msurtorile n cazul conexiunilor EC i BC. Pentru studiul conexiunii BC se
scurtcircuiteaz 3 cu 4, 5 cu 6, generatorul de semnal sinusoidal se conecteaz n punctul 8, iar ieirea
este pe colector. Pentru studiul conexiunii CC se scurtcirciuteaz 2 cu 3, 5 cu 10, generatorul de
semnal sinusoidal se conecteaz n punctul 1, iar ieirea este pe emitor (punctul 11). Semnalul aplicat
are f=10 kHz i amplitudinea astfel nct V
i
=10 mV, unde V
i
reprezint amplitudinea semnalului din
emitorul tranzistorului, respectiv din baz.
5. Pentru cele trei conexiuni se aplic la intrare un semnal sinusoidal astfel nct V
i
s fie
de amplitudine 10 mV. Frecvena de lucru se va varia n gama 50 Hz - 5 MHz, msurndu-se pentru
fiecare frecven tensiune V
0
.
6. Se vor rula programele corespunztoare acestei lucrri, listate n anexa 2. Pentru fiecare
program se va ridica schema etajului simulat. Se vor nota rezultatele obinute prin simulare.
Catedra
Telecomenzi i Electronic n Transporturi
7
Dispozitive i Circuite Electronice I
Laborator IV

4. Prelucrarea i interpretarea datelor
1. Cu datele de la punctul 4.3.3 i 4.3.4 se vor calcula mrimile R
in
, R
0
, A
v
, A
i
i A
p

corespunztoare fiecrui etaj. Se vor compara rezultatele obinute cu cele teoretice. Se vor compara
rezultatele obinute n cele patru cazuri. Pentru conexiunea EC sunt valabile relaiile:

0
0 0
0
0 1
0
0
; ;
10 4, 7
; ; ;
; ; 0. ;
10

= =
= = =
= = = =

g
g
g i
g I
v i v
i g i
g
i
i i g
g g
g
V V
V
I I
k k
V V
A A A
V I V
V
V V
R R R v R
I I I
V V
I
k

2. n cazul conexiunii EC se compar valorile obinute pentru R
in
, R
0
, A
v
, A
i
, pentru 6-7
deconectate i 6-7 scurtcircuitate.
3. Se vor reprezenta grafic caracteristicile de frecven pentru fiecare dintre cele trei etaje,
determinndu-se frecvenele limit i banda de frecven a amplificatorului.
4. Pe baza rezultatelor obinute se vor compara etajele studiate, subliniindu-se avantajele
i dezavantajele fiecruia.
5. Se vor compara rezultatele obinute prin simularea comportrii unui tranzistor bipolar n
cele trei conexiuni fundamentale cu cele obinute din msurtorile efectuate.

Catedra
Telecomenzi i Electronic n Transporturi
8
Dispozitive i Circuite Electronice I
Laborator IV





Catedra
Telecomenzi i Electronic n Transporturi
9
Dispozitive i Circuite Electronice I
Laborator IV