1 DCE curs 1

Chestiuni introductive.


1. Obiectul cursului. l constituie studiul dispozitivelor si circuitelor electrice.
Circuitul electronic este un circuit electric care conine dispozitive electronice.
Dispozitivele electronice sunt componente de circuit electric a cror
funcionare se bazeaz pe controlul purttorilor de sarcin in corpul solid, in gaze
respectiv in vid. Aceste dispozitive se numesc electronice datorit mecanismului de
construcie electric ce se realizeaz prin electroni.
Raiunea de a fi a circuitelor electronice este legat de faptul c ele realizeaz
anumite funcii specifice cum ar fi amplificarea sau generarea de oscilaii sau
stabilizarea tensiunii de alimentare, modularea, demodularea, etc.
Obs: 1. mrimile electrice care apar la interfaa dintre dispozitivul electronic i
circuitul electric filiform, sunt tensiuni si cureni.
2. de regul, utilizm dispozitive electronice cu dou sau cu trei borne.


( )
( ) ) 2 ( ,
) 1 (
t u i i
u i i
=
=

Fie relaia (1). Caracteristica static care o reprezint este model pentru un
dispozitiv electronic.
n cazul unor relaii de forma (2) comportarea dispozitivului este reprezentat
de schemele echivalente.
2 DCE curs 1
n cele mai multe situaii este suficient caracteristica dispozitivului prin
caracteristica static.

( )
( )
2 1 2 2
2 1 1 1
,
,
u u i i
u u i i
=
=
(3)

Proprieti ale dispozitivelor electronice

1. Dispozitivele electronice sunt n general elemente neliniare.

2. Caracterul parametric al dispozitivelor
electronice ceea ce nseamn c un
parametru esenial al dispozitivului
electronic poate fi controlat pe cale electric.
3. Unele dispozitive electronice cu un
caracter activ ceea ce nseamn c ele sunt
capabile s amplifice sau s genereze
semnale variabile n timp pe seama unui
consum de la o surs de tensiune continu.


3 DCE curs 1
Observaii privind studiul circuitelor electronice

1. Circuitele electronice fiind neliniare (datorit caracterului neliniar al dispozitivelor
electronice) studiul lor nu se poate face aplicnd direct legile electrotehnicii care se
refer la circuite liniare. Pentru depirea acestei dificulti comportamentul
dispozitivului electronic se liniarizeaz. Aceast liniarizare se poate face in 2 feluri:
a) Fie pentru semnal mare prin aproximarea caracteristicii neliniare prin
segmente de dreapt pe poriuni.
b) Liniarizarea la semnal mic n jurul unui punct static de funcionare (P.S.F).

D
D
D
D D
R
tg
cst
i
U
PSF U i
= = =
=
o
1
,

4 DCE curs 1
Se constat c pentru semnalul variabil dioda se comport ca o rezisten. n
cazul general, n cazul dispozitivelor electrice mai complexe pe lng rezistene i
capaciti intervin i surse controlate de tensiune si respectiv de curent.
2. Metoda uzual de analiz si proiectare a circuitelor electronice este aceea de a
mpri schema complex in etaje funcionale ce se proiecteaz separat. Avantaje: pot
aprea simplificri de calcul, este facilitat nelegerea mai profund a diferitelor
circuite electrice, pot fi mai uor alese valorile pentru datele de proiectare.
3. Un calcul numeric foarte exact nu este necesar n cazul circuitelor electronice
avnd n vedere c dispozitivele electronice se caracterizeaz printr-o dispersie
nsemnat a parametrilor i pe de alt parte valorile acestor parametri depind de
temperatur i de punctul static de funcionare.
4. Exist circuite electronice a cror funcionare este explicit neliniar, este cazul
circuitelor ce funcioneaz la semnal mare (amplificatoarele de putere). n aceste
situaii, pentru a evita un calcul analitic dificil, se recurge la o metod grafic de
rezolvare a circuitului, se determinarea punct cu punct a formei de variaie in timp a
tensiunii si curentului, i pe baza acestora se calculeaz parametrii ce ne intereseaz.
Metoda se aplic uor, n momentul de fa, daca se utilizeaz calculatorul.

Concluzie. Cu toate c parametrii dispozitivelor electrice nu pot fi stpnii n
totalitate (dispersie, variaia cu punctul static de funcionare, variaia cu temperatura) i
n condiiile n care calculul circuitelor electronice nu se face extrem de exact, totui
exist metode care conduc n cele din urm la un comportament predictibil cu mare
precizie a circuitelor electronice n ansamblu.
Metoda cea mai des folosit este aplicarea reaciei negative.

5 DCE curs 1
Convenii privind notaiile utilizate

1) notaii pentru tensiuni si cureni:
a) pentru regim static: valoarea curentului se noteaz cu liter mic indice
liter mare. Anumite valori particulare, pentru a fi scoase n eviden se
noteaz cu liter mare indice liter mic.
b) pentru regim variabil: valorile momentane se noteaz cu liter mic indice
liter mic. Valorile maxime primesc n plus indicele m. Valorile efective se
noteaz prin liter mare indice liter mic.

2) notaii pentru rezistene, condensatoare, bobine:
Se noteaz prin liter mare indice liter mare sau liter mare plus cifre arabe.
Elementele de circuit ce intervin n schemele echivalente se pot nota de
regul liter mica indice liter mic, dac e vorba de parametrii de semnal
mic, liter mic indice liter mare pentru parametrii de semnal mare.




Noiuni introductive privind materialele semiconductoare


Def. Materialele semiconductoare se caracterizeaz printr-o rezistivitate
specific, situat intre cea a metalelor i cea a materialelor izolatoare.

6 DCE curs 1
10
14
Ocm izolatori,10
-3
Ocm metale,10
-1
Ocm semiconductoare

| | cm
l
s
R
s
l
R O = =

Obs. 1. Materialele semiconductoare utilizate n electronic trebuie s prezinte o
structur regulat, lucru care se obine prin prelevarea acestor materiale dintr-un
monocristal.
2. Fenomene interesante din punct de vedere electric sunt prezentate n cazul
materialelor semiconductoare dopate controlat cu impuriti. Concentraia impuritilor
variaz 10
14
10
18
cm
-3
. Concentraia atomilor 10
22
cm
-3
fiind o concentraie foarte
mic.





I Semiconductori intrinseci (chimic pur)


T = 0K. La aceast temperatur electronii ocup toate legturile covalente
rezult c n material nu exist electroni liberi i deci nu este posibil conducia de
curent electric.
C V G
E E E = 1,12 eV (Si)
7 DCE curs 1
0,67 eV (Gr)
T > 0K. Datorit creteri de temperatur, crete energia electronilor i n
consecin, unii dintre aceti electroni prsesc legturile covalente. Pentru T > 0K este
posibil conducia de curent electric prin doua mecanisme:
1. Circulaia ordonat a electronilor liberi.
2. Circulaia ordonat de goluri.
Fenomenul de conducie prin aportul att a electronilor ct i a golurilor este
specific materialelor semiconductoare (la metale, conducia este asigurat exclusiv de
circulaia electronilor liberi). Materialele izolatoare se comport n mod similar cu cel
al semiconductorilor, cu diferena c numrul de perechi electroni-goluri este mult mai
mic.
8 DCE curs 1
Obs. Fenomenul de generare de perechi electroni-goluri este nsoit de procesul invers
de recombinare. Rezultatul net al acestui proces dinamic l constituie un anumit numr
de perechi electroni-goluri, care crete odat cu creterea temperaturii.




II Semiconductoare extrinseci (chimic impure)


Ele sunt de dou tipuri:
1. cu exces de electroni semiconductor ,,n.
2. cu exces de goluri semiconductor ,,p.

1. Aceste materiale semiconductoare se obin prin procedeul doprii controlate.
Semiconductorii de tip ,,n se obin prin doparea cu









9 DCE curs 1









Relaii privind concentraia purttorilor de sarcin


Aceste relaii vor fi prezentate considernd materialul semiconductor la
echilibru termic (termodinamic) fapt ce presupune temperatur uniform n interiorul
materialului, apoi lipsa cmpului electric, concentraie de purttori uniform i lipsa
radiaiilor.

) (
0 0
T k n p =

Pentru materialele intrinseci:
2
0 0 0 i i o
n n p n p n = = =

*
0
*
0
2 3
2
exp
A D
G
i
N n N p
kT
E
AT n
+ = +
|
.
|

\
|
=

10 DCE curs
1
unde
*
D
N i
*
A
N se numesc concentraiile de impuriti donore respectiv acceptoare a
atomilor ionizai.
La 300K
*
D
N ~
D
N i
*
A
N ~
A
N

Se consider un caz cu semiconductori de tip n.
= = 0 0
*
A A
N N
2
0 0
0
*
0
i
D
n n p
n N p
=
= +

( )
2
2
2
* *
0
2
2
2
* *
2 2 * *
0
2 * 2
0
2 *
0 0
4
2 2
4
2 2 2
4
0
2 , 1
i
D D
i
D D
i D D
i D
i D
n
N N
n
n
N N
n N N
p
n p N p
n N p p
+
|
|
.
|

\
|
+ =
+
|
|
.
|

\
|
=
+
=
= +
= +

T=300K
Concentraia perechilor electron-volt este neglijabil fa de concentraia
atomilor de impuritate.
( ) Si cm n
i
3 10
10 45 . 1

=
( ) Gr cm n
i
3 13
10 2

=
D
i i
D D
D
N
n
n
n
p N N n
N
2
0
2
0
*
0
18 14
10 10
~ = ~ ~
~


11 DCE curs
1
T>>300K
Concentraia perechilor electron-volt va fi foarte ridicat nct, practic, aportul
impuritilor poate fi neglijat.
i
i
n p
n n
~
~
0
0



Curenii de difuziune


F- fluxul de particule ce difuzeaz n unitatea de timp perpendicular pe unitatea de
suprafa iar D este coeficientul de difuziune.
t
E
j j j
j j j
j j j
p D q j
n D q j
n
dX
dC
C
C D F
d c
d c
pd nd d
p pd
n nd
c
c
+ + =
+ =
+ =
V =
V =
= V
V =

) (



Fenomene de transport n material semiconductor


12 DCE curs
1
La echilibru termic exist o micare dezordonat a micrilor de sarcin, dar cu
toate acestea nu poate fi vorba de o circulaie de curent, cantitatea de sarcin vehiculat
din stnga n dreapta fiind nul. Poate exist un curent n materialul semiconductor
numai n prezena unui cmp electric i/sau a unui gradient de concentraie. Exist n
consecin, printr-un semiconductor aa-numii cureni de cmp, determinai de
prezena unui electron i respectiv cureni de difuziune cauzai de un anumit profil al
concentraiei de purttori.
nc pc c
p p pc
n n nc
p p
n n
j j j
E p q V p q j
E n q V n q j
E V
E V
+ =
= =
= =
=
=

Jonciunea p-n


Jonciunea p-n reprezint o structur fizic realizat ntr-un
monocristal care are doua regiuni vecine dopate cu impuriti donore
respectiv acceptoare i la care concentraia de impuriti se modific
pe o distan suficient de mic.





13 DCE curs
1

Jonciunea p-n la echilibru termic


Studiul se va face pe cazul particula al unui profil abrupt al coeficientului de
impuriti i considernd fenomenele dup o singur ax.
Cazul n care n i p sunt independente
N

D D n
N N n ~ ~
*
0

D
i
n
N
n
p
2
0
=
P

A A p
N N p ~ ~
*
0


A
i
p
N
n
p
2
0
=


14 DCE curs
1

15 DCE curs
1

Se constat apariia unei regiuni de trecere (a unei regiuni de sarcina spaial)
n jurul regiunii metalurgice a jonciunii semiconductoare.
OBS. 1. Se constat c concentraia de purttori mobili de sarcin (goluri
respectiv electroni) este foarte mic n regiunea de trecere. Toate studiile se fac
bazndu-ne pe aceast ipotez care se
numete ipoteza regiunii golite.
2. n regiunea de trecere
exist n schimb ioni fici de impuriti
donore sau acceptoare.
3. Deoarece jonciunea este
neutr din punct de vedere electric, adic cele
dou cantiti de sarcin pozitiv respectiv
negativ sunt egale, regiunea de trecere ptrunde mai adnc n semiconductorul mai
puin dopat: ) 1 (
0 0
A n D p
N l N l = .
4. Prezena sarcinii spaiale determina apariia n regiunea de trecere a
unui cmp electric respectiv a unei bariere de potenial. Din acest motiv regiunea de
trecere se mai numete i regiune barier.





Jonciunea p-n in afara echilibrului termic

16 DCE curs
1

Vom studia comportarea jonciunii p-n care este scoas din echilibrul termic
prin aplicarea unei tensiuni prin intermediul unor contacte ohmice presupuse ideale.
- ; 0 , 0 > >
A A
i u direct polarizat
F F
i u ,
- ; 0 , 0 < <
A A
i u invers polarizat
R R
i u ,




Jonciunea p-n polarizat direct


17 DCE curs
1
Prezena tensiunii
de polarizare direct
determin apariia unui
cmp de sens contrar
cmpului electric generat
de sarcin spaial din
regiunea de trecere.
Prezena cmpului
determinat de tensiunea
aplicat la borne conduce
la creterea nsemnat a curenilor de difuziune i la o scdere de difuziune i la o
scdere cu efect neglijabil a curenilor de purttori minoritari. n consecin, printr-o
jonciune p-n polarizat direct circul un curent de valoare nsemnat.
Prezena tensiunii de polarizare direct determin apariia fenomenului de
injecie de purttori minoritari de sarcina i deci apariia unei sarcini stocate. Mrimea
sarcinii stocate depinde de nivelul tensiunii de polarizare direct.

Jonciunea p-n polarizat invers


18 DCE curs
1
n acest caz curentul prin jonciune este neglijabil, motiv pentru care
jonciunea este blocat.



Prezena tensiunii de
polarizare invers determin
extinderea regiunii de
sarcin spaial in
detrimentul regiunii neutre.






Caracteristica static a jonciunii p-n


Aceasta reprezint dependena curentului prin jonciune de tensiunea aplicat
jonciunii n regim static. Deci este o dependen ( ) ) 1 (
A A
u f i =
Ipotez:
1. se consider valabil aproximaia de golire.
19 DCE curs
1
2. se consider c jonciunea lucreaz la nivel mic de injecie, adic concentraia
purttorilor minoritari injectai in regiunile neutre poate fi neglijat fa de
concentraia purttorilor majoritari.

(

|
|
.
|

\
|
= 1 exp
KT
qu
I i
A
S A
q

T
V
q
KT
= tensiunea termic.









(

|
|
.
|

\
|
= 1 exp
T
D
S D
V
u
I i
q

2 1 = q


Modele echivalente pentru dioda semiconductoare

20 DCE curs
1

O diod semiconductoare conine o jonciune semiconductoare p-n, dou
contacte ohmice pentru legtura cu un circuit extern i o capsul care s asigure
protecia mecanic a ansamblului jonciune-contacte i n acelai timp posibilitatea
evacurii spre mediul ambiant a energiei termice dezvoltate la nivelul jonciunii.
Exist dou tipuri de modele:
1. model de semnal mare - static.
- dinamic.
2. model de semnal mic - static, de frecvene joase.
- dinamic, de frecvene nalte.


Avem un model de tip 1 dac dispozitivul electric (dioda) este modelat neliniar
cu ajutorul unor modele liniare pe poriuni. Perechile de valori (i
d
, u
d
) se pot afla n tot
domeniul permis al caracteristicii diodei.





Modelul de semnal mic daca dioda este modelat liniar, iar valorile numerice
ale parametrului elementului modelului depind de perechea (I
D
U
D
). O astfel de
pereche se numete punct static de funcionare (PSF).
Spunem c modelm n regim static atunci cnd elementele reactive pot fi
neglijate (capacitatea i inductana).
21 DCE curs
1
Un model de regim dinamic ine cont de efectele reactive dar i de anumite
fenomene fizice suplimentare ce limiteaz viteza maxim de variaie a tensiunii,
respectiv a curentului prin diod.


Modelul de semnal mare static


Sub aceast form se obin rezultate cu erori minime dac tensiune
electromotoare a buclei n care in care se afl dioda depete civa voli. Efectul
curentului i
S
poate fi neglijat dac rezistena total a buclei nu depete civa zeci de
MO.













22 DCE curs
1













Completri la modelul de semnal mare.
a. Efectul temperaturii

Temperatura influeneaz temperatura prin
T
V
q
KT
= iar al doilea efect este
adus de I
S
acesta este modificat de temperatur prin modificarea purttorilor de sarcin
majoritari.
23 DCE curs
1
) ( 2 . 2 8 . 1
); , , (
0
2
Si
C
mV
T
u
n p n p n A f I
D
i S
=
A
A
= =

Curentul I
S
se dubleaz la fiecare cretere cu aproximativ 10
0
C a temperaturii
(S.I).


b. Modelarea diodei dincolo de strpungerea invers.

Dioda Zener



Tensiunea
max
) (
inv
U curentul invers din jonciune crete dup o lege
exponenial n raport cu tensiunea. Dac nu se realizeaz o limitare a puterii dioda se
distruge.
max
) (
inv inv
U U << A cnd | |
inv D S D
i I i ) ( , e

Aceast proprietate este utilizat la realizarea diodelor Zener sau a diodelor
stabilizatoare.
Aceste dispozitive sunt utilizate n zona de strpungere invers nedistructiv a
unei jonciuni p-n.

Cauzele strpungerii inverse.

24 DCE curs
1
Prin strpungere nelegem creterea curentului la polarizarea invers a unei
jonciuni p-n atunci cnd tensiunea de polarizare depete o valoare limit
max
) (
inv
U .
Creterea curentului apare datorit efectului tunel i prin multiplicarea n avalan a
purttorilor minoritari.
Prima apare V U U
Z inv
5 ) (
max
< = , apoi a doua
Z
U >7V
Efectul tunel este favorizat ci ct variaia cmpului electric la nivelul jonciunii
se produce ntr-un spaiu mai mic. Cu ct e mai mare concentraia de impuriti
folosite in procesul de obinere a zonelor n i p, cu att tensiunea
Z
U este mai mic.
La polarizri inverse mari energia acumulat de purttorii minoritari la
deplasarea prin cmpul electric de la nivelul jonciunii depete valoarea necesar
generrii unei perechi electron-gol. n felul acesta exist o probabilitate mare ca un
purttor minoritar ce a strbtut cmpul electric s determine n partea cealalt mai
multe fenomene de generare electron-gol i recombinare.
Coeficientul de temperatur
T
U
Z
A
A
= . Daca acesta este negativ apare efectul
tunel, iar dac este pozitiv apare efectul de multiplicare prin avalan.
0 ~
A
A
T
U
Z

0
Z Z
Z Z Z
U U
U U U
m M
<< A
= A

) max(M
Z
i este limitat de
M M
Z Z M
U i P =



25 DCE curs
1









Folosind diode Zener n regim de conducie invers se pot realiza surse de
tensiune electric avnd rezistena intern R
DZ
i tensiunea electromotoare Z
0
.
Obs.
Exist dispozitive electronice numite tot diode stabilizatoare care nu folosesc
direct efectul de strpungere a uni jonciuni p-n. Ele sunt circuite electronice complexe
ce simuleaz o caracteristic (I
Z
,U
Z
) asemntoare cu a unei diode Zener obinuit.
0
1 1
1
0 0
||
||
||
||
Z
dz
a
dz L
L
Z
dz L dz
L dz
a
U
R
r
V
R R R
R R
U
R R r
R r
V u + ~
+
+
+
=





26 DCE curs
1

1
0
R
r
V u
dz
a
A ~ A
dz
a
r
R
u
V
F
1
0
~
A
A
= - factor de stabilizare.
Acest efect adus de sursa stabilizat de intrare asupra sursei de ieire.
Rapoarte de variaii n care sunt implicate tensiuni i cureni se pot calcula
dintr-o schem echivalent pentru variaii sau pentru semnal variabil. Ea se obine n
circuitul iniial prin pasivizarea surselor de tensiune i curent necomandate.
Un stabilizator de genul celui prezentat se mai numete i stabilizator
parametric. Acesta nu permite obinerea unor performane deosebit privind factorul F
i R
int
.





Modelul de semnal mic i frecvene joase a unei diode


t V V
gM g
= sin =
0 =
g
V
27 DCE curs
1

PSF i u M
V
u
i i
R i u V
dcc dcc
T
D
S D
D D a
=
|
|
.
|

\
|
=
+ =
) , (
1 exp
q



Dac amplitudinea
max g
V are o astfel de
valoare nct n vecintatea PSF putem
aproxima caracteristica diodei cu tangenta dus
n punctul M atunci am stabilit n circuit un
regim de semna mic. Dreapta d pentru
g
V =0
o numesc dreapta de sarcin static.
28 DCE curs
1

D
D
DCC
T
D
DCC
T
D
T
D
T
DCC
S
T
D
T
DCC
e
T
D DCC
S D
D DCC D
T D
T
D
T
D
T
D
x
r
t u
i
V
t u
i
V
t u
V
t u
V
u
I
V
t u
V
u
I
V
t u u
I i
t u u u
V u
V
u
x
V
u
x
V
u
x
x x
e
) ( ) ( ) ( ) (
1 exp
1
) (
exp exp 1
) (
exp
) (
1 1
1 ;
...
! 2 ! 1
1
2
= = =
(
(

|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
=
(

|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
=
(

|
|
.
|

\
|

+
=
+ =
<< << <<
= = =
+ + + ~
q
q

unde
D
r este rezistena diferenial a diodei.

Pentru a putea stabili o limit a raportului ntre amplitudinea tensiunii variabile
i variaia V
T
se introduce un parametru numit factor de distorsiuni de neliniaritate. Ele
arat procentual msura n care un semnal aproape armonic se abate de la unul pur
matematic.






29 DCE curs
1

Obs. 1. Se nelege prin joas frecven frecvena pn la care comportarea
jonciunii poate fi echivalat printr-o succesiune de regimuri statice, eventualele
procese tranzitorii care apar putnd fi considerate ncheiate de la un regim la cellalt.
2. n cazul jonciunii p-n s-a introdus i noiunea de semnal mic care
nseamn c variaiile avute n vedere sunt mult mai mici dect tensiunea termic (U
T
).
3. La joas frecven poate fi echivalat printr-o rezisten dinamic a
crei valoare este dependent de punctul static n jurul cruia se realizeaz variaiile.


Circuitul echivalent de semnal mic al jonciunii p-n


Vom considera de aceast dat situaia n care nu se impun restricii asupra
frecvenei variaiilor. n aceast situaie trebuie avute n vedere regiunile tranzitorii
care apar ca urmare a existenei sarcinii fixe din regiunea de barier (trecere) respectiv
a sarcinii datorit injeciei de purttori minoritari n regiunile neutre.

du
dQ
u
Q
C
Q u
b
A
=
A
A
=
A A
lim
b
A
b
b
u
c
C
u

=
1
0
30 DCE curs
1
Obs 1.
b
u - nlimea barierei de potenial din jonciunea p-n.
2. Se consider c
b
C depinde de punctul static de funcionare.

Analizm acum situaia din regiunile neutre


du
dQ
U
Q
C
d
=
A
A
= lim

|
|
|
|
.
|

\
|
=
q
kT
u
C C
A
d d
exp
0
unde
d
C este
capacitatea de difuzie.
d b j
C C C + =



Obs. 1. La frecvene joase i medii
j
C depinde i de frecven.
2. Parametrii de semnal mic al jonciunii depind de tensiunea
A
u dup cum
urmeaz:


31 DCE curs
1

3. O aplicaie a jonciunii p-n legat de existena capacitii de barier o
constituie aa numita diod Varicap. Aceasta este o diod a crei capacitate de barier
poate fi modificat modificnd tensiunea de polarizare invers.


Jonciunea p-n in comutaie


Vom studia n continuare fenomenele ce au loc ntr-o jonciune p-n n situaia
n care tensiunea aplicat la borne i schimb brusc polaritatea. Acest proces se
numete proces de comutaie.
Procesul de comutaie este substanial influenat de sarcina stocat n regiunile
neutre.
n p
Q Q Q + =
t
Q
i
A
= (1)
32 DCE curs
1


(

=
kT
qu
I i
A
S A
exp (1)
Relaia (1) reprezint modelul cu control prin sarcin al jonciunii p-n.
Modelul cu control prin sarcin ofer o relaie liniar ntre curent i sarcin comparativ
cu caracteristica static care reprezint o relaie exponenial ntre curentul i tensiunea
aplicat jonciunii.
Relaia (1) este valoarea pentru regimul staionar. n regim variabil relaia (1)
se modific i anume
dt
dQ Q
i
A
+ =
t
(2) modelul de control prin sarcin al jonciunii
p-n in regim variabil.
R
E Q
dt
dQ
R
= +
t


R
E
Q
dt
dQ
R
t t = + ( )
t
t
t
R
Ce
R
E
t Q

+ =
pentru:
R
E
Q
F
t =
( )
F R
F R
E E
R
C
R
E
R
E
C + = =
t
t t
( ) ( )
t
t
t
T
F R
R
e E E
R R
E
t Q

+ + =


0 = = Q t t
S

33 DCE curs
1
( )
0 =
+
+

t
t t
S
t
F R R
e
R
E E
R
E

( ) 0 = + +

t
S
t
R F R
e E E E

R
F R
t
E
E E
e
S
+
=
t


R
R F
S
E
E E
t
+
= ln t (3)














34 DCE curs
1













35 DCE curs
1









t
S
= timp de stocare
t
C
= timp de cdere

Diode semiconductoare


Diodele semiconductoare sunt dispozitive electronice a cror funcionare se
bazeaz n esen pe o jonciune p-n. Exist mai multe tipuri de diode:
36 DCE curs
1
-redresoare;
-detectoare (de nalt frecven) i de comutaie;
-stabilizatoare(Zener);
-fotodiode;
-varicap;
-electroluminiscente (LED);
-Schottky.


Dioda redresoare


Se utilizeaz pentru redresarea curenilor alternativi de relativ joas frecven.
La aceast diod nu prezint interes parametrii de comutaie i nici capacitatea
jonciunii. Ne intereseaz curentul maxim n stare de conducie i tensiunea maxim
admisibil la polarizarea invers. Cu toate c puterea disipat pe diodele cu siliciu este
mai nsemnat, ele pot fi utilizate pentru redresarea unor cureni mai mari dect
diodele cu germaniu avnd n vedere c funcioneaz la temperaturi mai ridicate (150
0

C 90
0
C). De asemenea rezist la tensiuni inverse mai mari (1000V 100V).

Diode de condensare i de nalt frecven


37 DCE curs
1
Se utilizeaz acelai simbol. Sunt folosite in circuite de conectare respectiv n
circuite de nalt frecven. n cazul diodelor de comutare parametrii care prezint
interes sunt timpii de comutare (timpii de stocare, de cdere respectiv de ridicare). n
cazul diodelor de nalt frecven prezint n mod special interes capacitatea jonciunii.
L,C- contribuia capsulei n schema echivalent a diodei.


Dioda Schottky


Este o diod a crei
funcionare se bazeaz pe
aa numitul contact redresor
(dintre un metal i un
material semiconductor). Acest contact reprezint de fapt o jonciune p-n n care
metalul reprezint semiconductorul de tip p iar semiconductorul de tip n este un
material semiconductor dopat n mod corespunztor.

Contactul redresor se caracterizeaz printr-un nivel mic de injecie de purttori
minoritari i prin urmare o cantitate redus de sarcin stocat n regiunile neutre.
n consecin o diod Schottky va comuta rapid (100 ps). Cderea de tensiune n
sen direct pe dioda Schottky este mai redus comparativ cu dioda de siliciu ( 0,3
0,5 V).


38 DCE curs
1
Fotodioda


i bazeaz funcionarea pe o jonciune p-n astfel realizat nct s se permit
accesul luminii n regiunea de trecere. Ca urmare a impactului dintre fotoni i
reeaua cristalin sunt generate suplimentar perechi electron-volt. Acest fapt este
exploatat polariznd invers fotodioda i exploatnd dependena curentului invers
prin fotodiod de nivelul de iluminare.
Se definete stabilitatea fotodiodei ca fiind raportul:
E
i
S
R
= , unde E este
nivelul de iluminare. Aceast sensibilitate depinde de lungimea de und a radiaiei
incidente. Acest lucru este scos n eviden de caracteristica spectral a fotodiodei
care este dependena sensibilitii normat i lungimea de und a luminii.




39 DCE curs
1




Dioda fotoemisiv (electroluminicent LED)

Jonciunea utilizat ntr-o asemenea
diod se caracterizeaz prin energie
mare de recombinare a perechilor
electron-volt. Acest proces are loc mai
cu seam n regiunea de trecere n
situaia n care dioda este direct
polarizat direct. Procesul de
recombinare este nsoit de emisie de
lumin al crui spectru depinde de
combinaiile metalice introduse n
materialele semiconductoare.
Cderea de tensiune pe un LED la polarizarea n sens direct este relativ mare
(1,5 1,8 V) iar variaia de tensiune la variaia curentului este sczut.



Tranzistor bipolar


40 DCE curs
1
Def. Este un dispozitiv cu trei borne numite emitor, baz i colector i care
sunt conectate la un monocristal semiconductor avnd regiuni dintre care cea din
mijloc este dopat diferit fa de regiunile marginale.





















Obs. Sensul sgeii reprezint sensul de circulaie al curentului prin jonciunea
emitoare polarizat n sensul direct. Funciile de polaritatea tensiunilor aplicate
41 DCE curs
1
celor dou jonciuni, tranzistorul prezint mai multe regiuni de funcionare crora
le corespund n planul caracteristicilor statice mai multe regiuni de funcionare.

Convenia de semn




Exist patru situaii n care se poate gsi un tranzistor bipolar din punct de
vedere al polarizrii jonciunilor sale.
1. jonciunea E polarizat direct:
( )
( ) npn U
pnp U
EB
EB
0
0
<
>

jonciunea C polarizat invers:
( )
( ) npn U
pnp U
CB
CB
0
0
>
<
regim de funcionare activ
2. ambele jonciuni sunt polarizate direct: regim de funcionare saturat.
3. ambele jonciuni sunt polarizate invers: regim de funcionare blocat.
4. jonciunea E invers polarizat tranzistor in conectare invers.
jonciunea C direct polarizat.

1, 2, 3 tranzistor n conectare direct.


Conexiunile tranzistorului


42 DCE curs
1
Funcionarea unui tranzistor este caracterizat de 4 mrimi independente, dou
tensiuni i doi cureni. Ca urmare, tranzistorul poate fi echivalat cu un cuadripol n
care unul dintre terminale este comun att intrrii ct i ieirii. Dependent de
terminalul comun tranzistorul se poate gsi n urmtoarele trei conexiuni: E
comun, B comun, C comun.












Tipuri de caracteristici


Funcionarea unui tranzistor fiind caracterizat de patru mrimi, dou tensiuni
i doi cureni aceasta poate fi modelat prin familii de caracteristici adic
funcionarea este exprimat de dependena a dou mrimi funcie de o a treia
considerat independent, cea de-a patra mrime fiind considerat ca un
43 DCE curs
1
parametru. n mod uzual cele dou caracteristici ale tranzistorului reprezint aa
numita caracteristic de intrare respectiv de ieire.

1. caracteristica de intrare ( )
. cst U EB E
CB
U f i

=
2. caracteristica de ieire ( )
. cst i CB C
E
U f i

=



Obs.
1. Cele dou familii de caracteristici constituie date
de catalog ale unui tranzistor.
2. Se poate definii i o a treia caracteristic aa numita caracteristic de transfer
( )
. cst U EB C
CB
U f i

=
3. Exist n principiu familii de caracteristici definite pentru toate cele trei tipuri
de conexiuni. Sunt mai frecvent utilizate ns caracteristicile aferente conexiunilor
EC i BC.


Relaii ntre curenii din tranzistor


Vom analiza cazul funcionrii unui tranzistor pnp n conectare direct i aflat
n regiunea activ de funcionare.
44 DCE curs
1
Vom considera neglijabil curentul de purttori minoritari a jonciunii.
0
0
CB C C
CB R E B
R E C
E E E
I i i
i i i i
i i i
i i i
p
n
p p
n p
+ =
+ =
=
+ =

Se va vedea ulterior c funcionarea unui tranzistor este cu att mai eficient cu ct
valoarea curentului de colector aproximeaz mai bine curentul de emitor.
- Emitorul se face puternic dopat nct s injecteze multe goluri n baz
i prin urmare curentul din emitor s fie aproximativ un curent de goluri i n
acelai timp baza slab dopat. Se definete aa numita eficien a emitorului:

E
E
E
E
E E
i
i
i
i i
p p
p n
= =
+
< 1 1
- Prezint apoi interes ca prin golurile injectate prin baz,
p
E
i s ajung
ct mai multe la colector (componenta
p
C
i ). Se definete n acest sens aa numitul
45 DCE curs
1
factor de transport dat de relaia: 1 1 <
+
= =
R C
C
E
C
t
i i
i
i
i
p
p
p
p
| , pentru ca
t
| ct
mai apropiat de 1, baza se face subire i slab dopat.
-
0
CB
I s fie ct mai redus.
i i I
i
i
i
i
i I
C C CB
C
E
E
E
E CB
p
p
p
p
= + = +
0 0

F E t
o | = ,
unde
F
o reprezint factorul de amplificare de curent n conectare direct i
conexiune baz comun.
F
o este un parametru de regim static.

Obs.
1.
F
o are valori tipice cuprinse intre 0,980,99.
2.
F
o este un parametru ce depinde de punctul static de funcionare (curentul de
colector).
3. parametrul static
F
o poate fi interpretat i ca un
parametru de regim variabil si semnal mare.






Funcionarea tranzistorului n regim activ

46 DCE curs
1

Ne vom referi la nceput la conexiunea BC. Dac neglijm influena jonciunii
colectoare asupra jonciunii emitoare atunci se poate scrie c:
(
(

|
|
.
|

\
|
= 1 exp
0
mkT
qU
E E
EB
I i .
C B E
CB E F C
i i i
I i i
+ =
+ =
0
o



Modelul pentru tranzistorul bipolar EC


C B E
CB E F C
i i i
I i i
+ =
+ =
0
o

0
CB C F B F C
I i i i + + = o o
0
1
1
1
CB
F
B
F
F
C
I i i

=
o o
o
, notm
F
F
F
|
o
o
=
1
atunci
0
CE B F C
I i i + = |
F
| reprezint factor de amplificare n curent n conexiune
emitor comun.
0
CE
I reprezint curentul corespunztor situaiei n care baza este
n gol.
47 DCE curs
1


Modele pentru tranzistoare bipolare


1. Modelul static i de semnal mare (EBERS-MOLL)


Este un model neliniar ce exprim legtura dintre curenii i tensiunile la bornele
unui tranzistor indiferent de polarizarea celor dou jonciuni.
] 1 [exp
0

=
T
CB
CB E F C
U
u
I i i
q
o

n situaia n care jonciunea - E-B polarizat direct
- C-B polarizat invers
Constatm o situaie inversat, jonciunea - E-B polarizat invers
- C-B polarizat direct
48 DCE curs
1

R
o - amplificarea n curent de la
colector la emitor, are o valoare
<<
F
o ,
F
o ~1, deoarece
jonciunea CB nu este asimetric.
] 1 [exp
0

=
T
EB
EB C R E
U
u
I i i
q
o
] 1 [exp
0

=
T
CB
CB E F C
U
u
I i i
q
o
(1) ] 1 [exp
0

=
T
CB
EB C R E
U
u
I i i
q
o

Cele dou reprezint forma implicit a ecuaiei Ebers-Moll sau modelul Ebers-
Moll n funcie de curenii la borne.

Obs.
49 DCE curs
1
n discuiile anterioare s-a constatat c Tensiunile de polarizare din exterior
apar integral la nivelul celor dou jonciuni (s-a neglijat rezistena bazei i a zonelor
neutre din emitor i colector).
Dac se rezolv sistemul (1) n raport cu
C
i i
E
i
] 1 [exp
0

=
T
CB
CB E F C
U
u
I i i
q
o
] 1 [exp
0

=
T
CB
EB C R E
U
u
I i i
q
o
Obinem modelul Ebers-Moll explicit sau n funcie de tensiunea la borne:
] 1 [exp
1
1
] 1 [exp
1
] 1 [exp
1
] 1 [exp
1
0
0
0
0

=
T
CB
CB
F R T
EB
F R
EB F
C
T
CB
CB
F R
R
T
EB
F R
EB
E
U
u
I
U
u
I
i
U
u
I
U
u
I
i
q o o q o o
o
q o o
o
q o o

notm
CS
F R
CB
ES
F R
EB
I
I
I
I
=

o o
o o
1
1
0
0

] 1 [exp ] 1 [exp
] 1 [exp ] 1 [exp

=
T
EB
CS
T
EB
ES F C
T
EB
CS R
T
EB
ES E
U
u
I
U
u
I i
U
u
I
U
u
I i
q q
o
q
o
q

50 DCE curs
1






Obs.
Curenii
CS
I i
ES
I depind de suprafaa celor dou jonciuni i de nivelul de
dopare cu impuriti al zonelor ce formeaz jonciunile respective. Curenii acetia
depind de temperatur. Are loc o dublare la fiecare cretere de ~ 10
0
C a temperaturii.
CS R ES F
I I o o =


Cazurile particulare pentru modelului Ebers-Moll n funcie de starea de
polarizare a celor dou jonciuni


a) Jonciunea E-B polarizat invers, jonciunea C-B polarizat invers,
tranzistorul blocat.
T EB
U u q >> (50 mV) 1 exp

T
CB
U
u
q

51 DCE curs
1
T CB
U u q >> 1 exp
10

~-1
n aceast situaie, partea exponenial este, practic, zero.
( )
R
F R
CB
CS R CS ES F C
T
CB
I
I I I i
U
u
o
o o
o o
q

= = + ~

1
1
, 0 exp
0

0
, 0 exp
CB ES ES F CS R ES E
T
CB
I I I I I i
U
u
~ = + ~

o o
q

n stare blocat, prin tranzistor nu exist un curent constant, n schimb,
tensiunea poate avea valori pn la o limit (strpungerea jonciunii = limit).
ntr-o schem echivalent, se poate nlocui tranzistorul cu un circuit deschis.
b) Jonciunea E-B polarizat direct, jonciunea C-B polarizat direct,
tranzistorul se afl n stare saturat.
n aceast situaie curenii inveri ai jonciunilor sunt neglijabili fa de cei
direci.


EB CB CE
u u u = (zeci sute mV)


n stare saturat cnd
C
I i
E
I sunt mari trebuie considerate i efectul
rezistenelor R
E
i R
C
care cresc tensiunea C-E la saturaie.
n stare saturat
BE
I nu mai controleaz curentul de colector. Acesta este
determinat de valoarea tensiunii i a rezistenei echivalente din bucla C-E.
ntr-un model echivalent simplificat putem reprezenta tranzistorul n stare
saturat printr-un scurtcircuit ntre C i E.
52 DCE curs
1

c) Jonciunea B-E polarizat direct iar jonciunea C-B este polarizat invers.
Presupunem
T CB
U u q >> . Curentul invers al jonciunii B-E este neglijabil
fa de cel direct. Curentul direct al jonciunii C-B este neglijabil fa de cel invers.
( ) ( )
|
|
.
|

\
|
= =
~
1 exp 1
T
EB
ES F C E B
E F C
U
u
I i i i
i i
q
o
o








Dioda dintre B i C se poate modela ca o diod polarizat direct, n majoritatea
cazurilor se consider ) ( 6 , 0 Si V u
BE
~ .
Modelarea dup
B
I nu nseamn c tranzistorul bipolar este un dispozitiv
comandat de curent.
B
I este un efect nedorit, curentul de colector fiind modificat de
BE
u .
d) Jonciunea B-E este polarizat invers iar jonciunea C-B este polarizat
direct.
53 DCE curs
1
Nu are aplicaii practice datorit 1 <
R
o .


Caracteristicile statice pentru conexiunea emitor comun


a) Caracteristica de intrare ( )
. cst u EB B
CE
u f i
=
=
b) Caracteristica de transfer
( )
( )
.
.
cst u B C
cst u BE C
CE
CE
i f i
u f i
=
=
=
=

c) Caracteristica de ieire ( )
cst i u CE C
B BE
u f i
=
=
,



a) Caracteristica de intrare
( )
|
|
.
|

\
|
~ =
>
>> =
1 exp 1
5 , 1 1
T
BE
F C E b
CE
T BE CE CB
U
u
i i i
V u
U u u u
q
o
q

Caracteristica de intrare corespunde unei jonciuni polarizate direct cu un efect
indirect adus de
F
o din partea
CE
u .
54 DCE curs
1

F
o = ( )
CE
u f
F
o crete odat cu creterea lui
CE
u prin micorarea curentului de recombinare.

b) Caracteristica de transfer.

( )
|
|
.
|

\
|
=
~ + =
1 exp 1
0
T
BE
F F C
B F CE B F CB
U
u
i
i I i i
q
o |
| |

Are aceiai form ca i caracteristica de intrare. Dac se reprezint o
caracteristic ( )
B C
i f i = aceasta este, teoretic, o dreapt datorit efectului
CE
u asupra
F
| .
F
| depinde i de temperatur.

Caracteristica de transfer arat efectul
de amplificare introdus de tranzistor prin
55 DCE curs
1
intermediul parametrului
. cst u
BE
C
m
CE
u
i
g
=
A
A
= , unde
m
g este panta.


c) Caracteristica de ieire
] 1 [exp
0

=
T
CB
CB E F C
U
u
I i i
q
o
T BE CE CB
U u u u q >> =
0
CB E F C
I i i + ~ o
F R
CB
T
CB
ES F C
I
U
u
I I
o o q
o

+
|
|
.
|

\
|

=
1
1 exp
0

Teoretic, dac
CE
u are o astfel de valoare nct
CB
u
T
U q >> curentul de
colector depinde de
CE
u numai prin intermediul parametrului
F
o . Exist o valoare
maxim pentru tensiunea C-E pn la care este valabil afirmaia anterioar. Aceast
valoare depinde de
C
i i depind-o se ajunge n situaia de strpungere C-E (curentul
de colector crete foarte rapid odat cu tensiunea C-E).
56 DCE curs
1

ntre colector i emitor tranzistorul nu se comport ca un generator de curent
ideal,
C
i apare i ca variaie a tensiunii C-E. Se poate ine cont de efectul lui
CE
u cu
ajutorul tensiunii VAF.

Tranzistoare cu efect de cmp


Denumirea provine de la faptul c curentul prin dispozitiv se comand cu
ajutorul unui cmp electric.
Caracteristici:
1. Curentul este format numai de purttori de sarcin de un anumit tip (goluri
sau electroni) motiv pentru care tranzistoarele se mai numesc i
tranzistoare unipolare.
2. Tehnologia acestor tranzistoare este simpl, iar dispozitivul ocup puin
loc.
57 DCE curs
1
3. Au o rezisten de intrare mult mai mare dect tensiunea bipolar, tipic de
ordinul MO.
4. Prezint, in general, un zgomot mai redus comparativ cu tranzistoarele
bipolare.
5. La tranzistoarele mici dispozitivul se comport ca o rezisten comandat
i care spre deosebire de cazul tranzistoarelor bipolare nu are nseriat cu
ea o surs de tensiune.
6. Dependena de temperatur a parametrilor tranzistorului este mai slab
dect a tranzistorului bipolar.





Clasificare:

cu canal n
J-FET (cu jonciune) cu canal p cu canal n
TEC
(FET) cu canal iniial
cu canal p
MOS-FET
(metal-oxid- cu canal n
semiconductor) cu canal indus

58 DCE curs
1
cu canal p


Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune (J-FET)


Se va urmri funcionarea TEC-J considernd cazul unui tranzistor cu canal n.

Obs.
La o funcionare
normal jonciunea gril-canal
este invers polarizat. n
consecin, tranzistorul prezint
ntre gril i surs (intrarea
tranzistorului) o rezisten de intrare foarte mare.

Funcionarea:
Obs.
Deoarece jonciunea gril-
canal este invers polarizat rezult c
acest tranzistor nu are caracteristic de
intrare. n consecin, se va urmri
funcionarea studiind caracteristicile
de ieire i respectiv caracteristica de
transfer a dispozitivului.
59 DCE curs
1
( )
. cst GS
u DS D
u f i
=
=
u
GS
=0

V u
u
u
DS
DS
GS
3
0
0
=
>
=

( )
GS p strang DS
u U u + =
0

0
p
U - tensiunea D-S prag la care are loc strangularea canalului.


Dup strangulare curentul circul
prin dispozitiv n mod similar cu circulaia de
curent n jonciunea colectoare a unui
tranzistor bipolar.
U
GS
<0
Se constat existena n planul
caracteristicilor de ieire a trei regiuni: prima
regiune este regiunea triod.
60 DCE curs
1
- Regiunea triod
( ) | |( ) 2 2
2
0
0
DS DS p GS D
GS p DS
u u U u K i
u U u
+ =
+ <

- Regiunea de strangulare
( ) | |( ) 2 2
2
0
0
DS DS p GS D
GS p DS
u u U u K i
u U u
+ =
+ =

- Relaia final

( )
( )
2 2
2 2
2 2
2
0 0
0
0 0
0
1 1
3 1 1
|
|
.
|

\
|
+ =
|
|
.
|

\
|
+ = + =
|
|
.
|

\
|
+ =
|
|
.
|

\
|
+ =
p
GS
DSS
p
GS
p GS GS D
p
GS
DSS D
p
GS
p D
U
u
I
U
u
KU u u K i
U
u
I i
U
u
KU i

- Regiunea pentod
( ) 5 1
2
0
0
|
|
.
|

\
|
+ ~
+ >
p
GS
DSS D
GS p DS
U
u
I i
u U u


Caracteristica de transfer.
( ) ( ) 4
. cst GS
u GS D
u f i
=
=
Aceast caracteristic prezint utilitate practic numai pentru regiunea pentod,
regiune n care funcioneaz tranzistorul atunci cnd este utilizat ca amplificator.
Deoarece n regiunea pentod i
D
nu se modific practic cu u
DS
, va exista o singur
caracteristic de transfer a tranzistorului.
2
0
1
|
|
.
|

\
|
+ =
p
GS
DSS D
U
u
I i
61 DCE curs
1


Funcionarea n regiunea triod.

( ) | |
( )
( )
( ) 6
2
1
2
2
0
0
0
0
2
2
p GS
DS
D
DS
DS p GS D
DS p DS
DS DS p GS D
U u K
r
i
u
u U u K i
u U u
u u U u K i
+
= =
+ ~
<<
+ =


Relaia (6) arat c TEC-J se comport n regiunea triod ca o rezisten
comandat de u
GS
.
D DS
D
D
DS
D
r u
i
tg
i
u
r
1
, = = = o .
62 DCE curs
1



Efectul variaiilor de temperatur asupra TEC-J


La fel ca n cazul oricrui dispozitiv semiconductor, caracteristicile statice ale
lui TEC-J depind i ele de temperatur. Aceast dependen este ns mai slab
comparativ cu tranzistoarele bipolare i mai mult dect att exist un punct static de
funcionare pentru care influena temperaturii este practic nul.


63 DCE curs
1
Tranzistoare cu efect de cmp MOS


Principala diferen ntre acest tip de tranzistor i tranzistoarele cu gril
jonciune o constituie faptul c de aceast dat grila tranzistorului este izolat de canal
printr-un strat de oxid. Vom prezenta structura unui asemenea tranzistor, considernd
cazul unui tranzistor cu canal n.


Electrodul baz este legat de surs.
Tranzistoarele MOS-FET sunt de 2 feluri:
- Cu canal iniial, caz n care canalul superficial este ntotdeauna prezent fiind
realizat prin mijloace tehnologice.
- Cu canal indus, situaie n care canalul apare n condiiile n care tranzistorul
este polarizat corespunztor.




64 DCE curs
1

TEC-MOS cu canal iniial


n cazul acestui tip de tranzistor canalul superficial ntre surs i dren prin
care se realizeaz conducia de curent ntre cei doi electrozi, este realizat tehnologic (i
nu indus).
Vom avea n vedere cazul unui tranzistor cu canal n.

Funcionarea acestui tip de transformator este asemntoare cu funciunea unui
TEC-J cu canal n.
u
GS
=0. canalul mpreun cu substratul reprezint o jonciune p-n polarizat
invers. n consecin, apare o regiune de trecere care ptrunde mai adnc n
semiconductorul mai puin dopat (p) lipsit de purttori mobili de sarcin i care
izoleaz astfel canalul de substrat.
Obs.
i de aceast dat, tranzistorul nu prezint caracteristica de intrare. Pe msur
ce crete (u
DS
) se extinde regiunea de sarcin spaial dar fr efect asupra conducie
canalului care, spre deosebire de TEC-J este un canal superficial i nu unul de volum.
65 DCE curs
1
n schimb, apariia cmpului electric E srcete canalul de purttori mobili de sarcin
i prin urmare scade conducia n canal pn cnd aceasta se optimizeaz.



u
GS
=

0 Spre deosebire de TEC-J cu canal n, u
GS
poate avea orice polaritatea.
O tensiune de gril pozitiv va conduce la mbogirea cu electroni a canalului i deci
la o mai bun conductibilitate, n timp ce o tensiune negativ va srci canalul n
purttori mobili de sarcin.
n regiunea pentod rmne valabil relaia ( ) 1 1
2
0
|
|
.
|

\
|
+ =
P
GS
DSS D
U
u
I i . Aceast
relaie reprezint n acelai timp caracteristica de transfer a TEC-MOS corespunztor
funcionrii in regiunea pentod.
Obs.
1. TEC-MOS prezint n regiunea triod un comportament similar cu
tranzistorul TEC-J.

66 DCE curs
1


2. TEC-MOS cu canal p funcioneaz
similar cu TEC-MOS cu canal n cu
diferena c polaritatea tensiunilor i
sensul curenilor sunt schimbate.


TEC-MOS cu canal indus


Ne intereseaz modul n care este introdus canalul de inducie. Analizm un
tranzistor cu canal n.

Canalul n odat format curentul de dren se modific n u
DS
similar cu situaia
de la MOS cu cana iniial. Canalul se stranguleaz chiar n origine pentru u
GS
=U
P
. n
rest u
DS
= u
GS
- U
P
.



67 DCE curs
1









Obs.
1. Tranzistoarele MOS se caracterizeaz printr-o rezisten de intrare foarte
mare, 10
10
O.
2. Stratul de oxid izolator fiind foarte subire exist pericolul strpungerii
acestuia prin descrcare electrostatic de ctre sarcina electric acumulat
n mod nedorit (operator sau echipamentul care l manipuleaz).
Fabricantul prevede, de regul, circuite complexe pe fiecare terminal care
limiteaz valoarea maxim a tensiunii electrostatice pe terminalul
respectiv. n cazul tranzistorului MOS prezena circuitelor de protecie
micoreaz rezistena de intrare. n unele situaii baza nu este conectat
electric la sursa tranzistorului. Acest electrod trebuie astfel polarizat nct
ntotdeauna jonciunea canal-substrat s fie invers polarizat. n
consecin, n cazul tranzistoarelor cu canal n baza trebuie conectat la cel
mai sczut potenial din circuit respectiv, n cazul tranzistoarelor cu canal
p, baza trebuie conectat la cel mai ridicat potenial.

68 DCE curs
1

Simboluri pentru TEC

Conveniile utilizate pentru sensul tensiunilor i curenilor.


T
E
C
-
J




0
0
0
s
>
<
D
GS
DS
i
u
u




0
0
0
>
s
>
D
GS
DS
i
u
u


T
E
C
-
M
O
S



C
a
n
a
l

i
n
i

i
a
l



0
0
0
s
><
<
D
GS
DS
i
u
u



0
0
0
>
><
>
D
GS
DS
i
u
u

C
a
n
a
l

i
n
d
u
s



0
0
0
s
<
<
D
GS
DS
i
u
u




0
0
0
>
>
>
D
GS
DS
i
u
u





69 DCE curs
1
Obs.
Sensul sgeii precizeaz tipul canalului tranzistorului conform urmtoarei
convenii: sgeata este astfel orientat nct s indice sensul real de circulaie a
curentului, n situaia n care jonciunea respectiv ar fi direct polarizat.


Plasarea punctului static de funcionare


Vom considera, pentru nceput, cazul unui etaj de amplificare cu tranzistor
bipolar (n conexiune E-C).


( )
( ) PSF U I
u R i E
C C
CE C C C

+ =
,
1

Rolul rezistorului
C
R (rezistor de colector) este de a converti variabila de
curent n variabil de tensiune la ieire. Divizorul
1
B
R ,
2
B
R polarizeaz baza
nct n regim static s avem un anumit PSF.
70 DCE curs
1
Condensatorii
1
C i
2
C se numesc condensatori de cuplaj, ei au rolul de
a bloca componentele continue la intrarea respectiv la ieire i de a lsa s
treac neatenuate componentele variabile ale semnalului (prin alegerea potrivit
a valorii capacitii dependent de frecvena amplificatorului).



=
L
R

( )
( ) ( ) 2
1
0
1
CE
C
C CE C C
CE L C C
u
R
i i u R i
u R i E
A = A A + A =
+ =

Dac se consider variaiile n raport cu un anumit P.S.F atunci relaia (2)
devine: ( ) 3
1
CE
C
C
u
R
i A =
Relaia (3) definete aa numita dreapt de sarcin dinamic. Punctul de
funcionare a tranzistorului n regim dinamic, caracterizat de mrimile
CE C
u i , se
71 DCE curs
1
situeaz n permanen pe acea dreapt dinamic dat de relaia:
( )
n mx y
R
E
u
R
i
C
C
CE
C
C
+ =
+ A = 4
1

Din relaiile (3) i (4) rezult c n cazul n care =
L
R dreapta de sarcin
dinamic se confrunt cu dreapta de sarcin static.




=
L
R

n aceast situaie schema echivalent pentru variaii a etajului de amplificare
devine: ( ) 5
1
ce
L e
C
u
R R
i = .

Pentru variaii, condensatoarele de cuplaj
2 1
, C C au reactan neglijabil deci
constituie un scurt.
P.S.F trebuie astfel ales nct s se asigure excursia maxim la ieire i cu
valori aproximativ egale pentru variaiile pozitive respectiv negative.
72 DCE curs
1
Plasarea P.S.F se face avnd n vedere dreapta de sarcin dinamic, =
L
R i
alegnd un curent care s reprezinte circa jumtate din curentul maxim pe care l
accept tranzistorul utilizat.
Obs. Plasarea P.S.F trebuie s in seama n acelai timp de mrimile limit ce
intervin n funcionarea unui tranzistor:
max max, max
,
D CE C
P U I .

( ) ( ) 6
CE C BE CB C D
E C
BE E CB C D
u i u u i P
i i
u i u i P
~ + ~
~
+ =



Puterea se disip aproape n exclusivitate
pe jonciunea BC, creia i se aplic o tensiune
mult mai mare dect pe jonciunea emitoare.




Circuite de polarizare


Rolul acestor circuite este acela de a asigura P.S.F dorit de tranzistor. Vom
analiza tipice pentru tranzistorul bipolar respectiv tranzistorul cu efect de cmp.
n cazul tranzistoarelor bipolare, polarizarea se realizeaz prin dou metode:
1. cu rezisten respectiv divizor n baza tranzistorului.
73 DCE curs
1
2. polarizare prin cuplaj n curent continuu.













Obs.

1. Varianta cu divizor n baz se comport mai favorabil cu temperatura, adic
variaiile de temperatur influeneaz n mai mic msur P.S.F.
2. Rezistena
E
R din ciclul de emitor are rolul de a stabiliza P.S.F-ul la variaiile
factorilor de influen extern dintre care cel mai important este temperatura.
Aceast rezisten introduce o aa numit reacie negativ de curent (serie-
serie): + | | |
C RE C
I U I T
n realitate prezena rezistenei
E
R face ca variaiile curentului s fie diminuate
la variaii de temperatur comparativ cu situaia n care
E
R nu este inclus n
circuit. Prezena rezistenei
E
R determin n acelai timp diminuarea
variaiilor curentului de colector cauzate de semnalul util aplicat la intrare. Se
spune c
E
R introduce o reacie negativ.
Prezena reaciei negative determin scderea amplificrii. Acest lucru poate fi
evitat untnd rezistena
E
R cu un condensator. Prezena condensatorului
E
C
ce are o reactan neglijabil la frecvene de lucru, elimin reacia negativ
pentru semnalul util. n schimb reactana lui
E
C este foarte mare pentru
variaiile lui
C
i determinate de temperatur, aceste variaii avnd o frecven
sczut. n consecin
E
R nu este scurtcircuitat de
E
C .
n schem, P.S.F lui
2
T este asigurat de tensiunea din colectorul
1
T .
74 DCE curs
1



Polarizarea tranzistoarelor cu efect de cmp



Problema se abordeaz n mod similar celor prezentate n cazul
tranzistoarelor bipolare, adic se alege un P.S.F. n planul caracteristicilor de
ieire.
( )
GS DS D
U U I F S P , . . .



TEC-J




( )
( ) 2 1
1
2
0
|
|
.
|

\
|
+ =
= =
P
GS
DSS D
D
GS
S D S GS
U
U
I i
I
U
R I R U



Caracteristica
de transfer
75 DCE curs
1
Obs.

Schema prezentat, dei simpl prezint neajunsul unei stabiliti reduse
cu temperatura. O bun stabilitate a P.S.F: ar necesita o pant ct mai mic a
dreptei 1.




S
SS
GS
S
D D S SS GS
R
E
U
R
I I R E U = =
1











n cazul TEC-MOS procedura este similar cu cea de la TEC-J, avnd
ns n vedere diferenele pe care aceste tranzistoare le prezint n ceea ce le
privete caracteristica de transfer.



TEC-MOS



76 DCE curs
1
Schema prezentat mai sus prezint dezavantajul unei slabe stabiliti a
P.S.F. cu temperatura. Prezena rezistenei
S
R mbuntete stabilitatea cu
temperatura a P.S.F.
























Obs.

( )
( ) ' 1
1
S D G GS
S D G GS
R i E U
R I E U
=
=
77 DCE curs
1
Conectarea grilei la divizor printr-o rezisten
G
R de valoare foarte mare
asigur o rezisten de intrare mare a etajului de amplificare (n lipsa lui
G
R
divizorul
2 1
,
G G
R R reduce valoarea rezistenei de intrare).
























Stabilitatea P.S.F.



nelegem prin stabilitatea P.S.F. meninerea n anumite limite a
valorilor ce caracterizeaz P.S.F ul, atunci cnd se modific factorii de
78 DCE curs
1
influen extern dintre care cel mai important e temperatura. Deoarece
CE
U depinde de fapt de
C
I : ( ) 1
CE C C C
U R I E + = . nseamn c de fapt
stabilitatea P.S.F. este asigurat dac se limiteaz variaiile lui
C
I , care depinde
te temperatur, ( )( ) 2 , ,
0
|
BE CB C
U I f I =
dT
T
i
dT
T
u
u
i
dT
T
I
I
i
di
C BE
BE
C
CB
CB
C
C

c
c

c
c
+
c
c

c
c
+
c
c

c
c
=
|
|
0
0

Mrimile
I
CB
C
S
I
i
=
c
c
0
;
N
BE
C
S
u
i
=
c
c
,
|
|
S
i
C
=
c
c
se numesc factori de
sensibilitate n raport cu curentul, temsiunea i |, i aceti parametrii depind de
tipul circuitului de polarizare utilizat.
( ) 3
0
T
T
S T
T
U
S T
T
I
S i
BE
U
SB
I C
A
c
c
+ A
c
c
+ A
c
c
= A
|
|

Factorii de sensibilitate pot fi calculai pentru fiecare schem n parte,
deci pot fi evaluate performanele circuitului cu temperatura.



Soluii pentru stabilizarea P.S.F.



Exist dou tipuri de circuite prin care se asigur stabilitatea P.S.F.
1. Se utilizeaz rezistene liniare i reacie negativ.
2. Se utilizeaz elemente neliniare conform procedurii de compensare
al variailor cu temperatura.






+ + |
C BE e
i u i
79 DCE curs
1



Reacie negativ de tip paralel-paralel

1. Rezistena
B
R realizeaz pe de o parte polarizarea tranzistorului i n
acelai timp P.S.F., introducnd aa-numita reacie negativ de tip paralel-
paralel.











2. Ce-a de a doua metod compenseaz variaiile cu temperatura ale
unor mrimi specifice tranzistorului (exemplu
BE
U ), utiliznd elemente
neliniare i al cror comportament depinde de temperatur.
Cele mai frecvent utilizat componente n cadrul metodei de compensare
sunt diodele sau termistoarele. Cel mai frecvent se compenseaz variaia cu
temperatura a lui
BE
U .









+ + + |
C B CE C
i i u i ,
80 DCE curs
1






Termistorul T compenseaz variaia cu temperatura a lui
BE
U dac el
prezint un coeficient negativ de temperatur.

( ) ( )
( )
( ) 2
2
2
2 2
2
B E
C E D B D BE
B
B E B C E D B D BE
B C E B D B D BE
R R
i R I R u u
i
R R i i R I R u u
i i R i I R u u
+
+ +
=
+ + =
+ + =




Ambalarea termic



Def.

Fenomenul de ambalare termic const n creterea cu temperatura a
curentului de colector i deci a puterii disipate pe tanzistor urmat de o nou
cretere a temperaturii jonciunii colectoare care mrete din nou valoarea
curentului de colector i acest proces de reacie pozitiv se repet pn cnd
dispozitivul se distruge termic.
Fenomenul de ambalare este specific amplificatoarelor de putere, la care
tranzistorul disip o putere important.
n cazul unui tranzistor bipolar puterea disipat corespunde aproape n
totalitate puteri disipate pe jonciunea colectoare.
Fenomenul de transmisie de cldur de la jonciunea colectoare spre
mediul ambiant poate fi cel mai simplu modelat cu relaiile:
81 DCE curs
1

R I U
R P T T
tja C a j
=
=


tja j
C
tja
C
a
R T
P
R
T
P
const T
1
1 ; =
c
c
=
c
c
=

Condiia de evitare a fenomenului de ambalare termic este ca:

tja j
D
j
C
j
D
R T
P
T
P
T
P 1
s
c
c

c
c
s
c
c



Tranzistorul bipolar n regim dinamic



n regim static, comportarea tranzistorului bipolar era complet descris
de modelul Ebers Moll. n regim dinamic, caracterizarea se va face printr-un alt
model i neaprat un model de semnal mic. Au fost elaborate mai multe tipuri
de modele dintre care dou sunt mai importante i anume modelele
quadripolare i respectiv modelul cu parametrii naturali.



Modele quadripolare



Se prefer utilizarea unor modele de semnal mic deoarece n aceast
situaie parametrii tranzistorului sunt mrimi constante dar care depind de P.S.F
i cu care se poate opera uor. Dintre cele patru
mrimi tensiuni i cureni, dou pot fi considerate n
funcie de celelalte dou mrimi considerate
variabile independente. Funcie de modul n care se
82 DCE curs
1
aleg variabilele dependente respectiv independente rezult mai multe tipuri de
quadripoli. Din cele ase combinaii posibile, patru sunt mai frecvent utilizate
n tehnic. n electronic se utilizeaz aa-numitul quadripol cu parametrii h
(hibrid) i respectiv q cu parametrul z (admitan).







Parametrii ,,h ai tranzistorului bipolar (hibrizi)




Vom introduce aceti parametrii pornind de la regimul static i vom da
mici variaii n jurul unui P.S.F. Ne va interesa apoi relaii de legtur ntre
aceste variaii. Constantele care intervin n aceste relaii de legtur vor
reprezenta parametrii tranzistorului.

( )
( )
( )
( ) 2
2
,
,
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
2
2
2
1
1
2
2 2 2
2
1
1
1
1
1
1 1 1
2 1 2 2
2 1 1 1
' A + A = A
A + A = A
A
c
c
+ A
c
c
+ ~ A +
A
c
c
+ A
c
c
+ ~ A +
=
=
u h i h i
u h i h u
u
u
i
i
i
i
I i I
u
u
u
i
i
u
U u U
i i i i
i i u u
PSF PSF
PSF PSF


Dac considerm variaii in punctul P.S.F. nseamn c aceste variaii
pot reprezenta valori momentane ale unui semnal variabil fa de un sistem de
axe cu originea n P.S.F. Mai mult dect att, considerm cazul unui semnal
83 DCE curs
1
sinusoidal (cel mai des utilizat n electrotehnic) i considernd c acest semnal
este reprezentat prin fazorii relaiei 2

.

( ) 3
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
U h I h I
U h I h U
+ =
+ =

0
1
1
11
2
=
=
U
I
U
h - impedan de intrare
0
2
1
12
1
=
=
I
U
U
h - factor transfer tensiune
invers

0
2
2
22
1
=
=
I
U
I
h - admitan de ieire

0
2
2
21
2
=
=
U
I
I
h - factor de transfer curent direct

Obs.
1. Parametrii h se utilizeaz, in general, la joas i eventual medie
frecven i n consecin sunt mrimi reale.
2. Principalul dezavantaj al parametrilor hibrizi i care le limiteaz
aplicabilitatea este dependena lor de P.S.F.
3. Parametrii hibrizi sunt parametri de gol
i de scurtcircuit i n consecin pot fi
uor msurai, cele dou regimuri
particulare de gol i scurtcircuit putnd fi
lesne realizate practic.
4. Valorile parametrilor hibrizi depind de
timpul conexiunii tranzistorului (E-C, B-
C, C-C). Pentru a putea fi distini ntre
ei, parametrii sunt afectai de un indice
ce specific conexiunea (
e
h
11
,
b
h
11
,
c
h
11
).
5. Este suficient s se cunoasc valorile parametrilor hibrizi afereni
unor conexiuni pentru ca pe baza acestora s se deduc valoarea
corespunztoare a celorlalte conexiuni.
6. Parametrii hibrizi nu depind de faptul c tranzistorul este npn sau
pnp.
84 DCE curs
1
7. Relaiile (3) permit elaborarea unei scheme echivalente cu
parametrii hibrizi pentru tranzistori bipolari.









Obs.

1. Schema echivalent nu i modific structura pentru cele trei tipuri
de conexiuni. Ceea ce va diferi de la o conexiune la alta vor fi
valorile parametrilor hibrizi.
2. Unii dintre parametrii hibrizi au valori neglijabile i prin urmare pot
fi omii din schema echivalent, rezultnd modelul simplificat cu
parametrii hibrizi.
e
h
11
=2..7 KO;
e
h
12
=
4
10

; ; 500 100
21

e
h
5 4
22
10 10

=
e
h







Parametrul admitan


85 DCE curs
1

i aceti parametri de quadripol se introduc n mod similar parametrilor
hibrizi conform relaiilor:

( ) 1
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
U Y U Y I
U Y U Y I
+ =
+ =


11
Y - admitan de intrare

12
Y - admitan de transfer invers
21
Y - admitan de transfer direct

22
Y - admitan de ieire

Aceti parametri sunt foarte utilizai la frecvene nalte i prin urmare
sunt mrimi complexe.






Modelul cau parametrul natural al tranzistorului
bipolar
(Jacoletto)



Modelul cu parametri naturali corespunde cu procesele fizice ce au loc
n tranzistorul bipolar de un de i denumirea de ,,naturali. Acest model poate
fi introdus pe cale riguroas prin analiza proceselor ce au loc n cele dou
86 DCE curs
1
jonciuni ale tranzistorului. n cele ce urmeaz se prezint rezultatul acestei
analize.
Acest model este larg utilizat deoarece parametri care intervin in el au
valori uor predictibile.
Acest model este valabil numai pentru conexiunea emitor comun.

Modelul cu parametri naturali corespunde cu procesele fizice ce au loc
n tranzistorul bipolar de un de i denumirea de ,,naturali. Acest model poate
fi introdus pe cale riguroas prin analiza proceselor ce au loc n cele dou
jonciuni ale tranzistorului. n cele ce urmeaz se prezint rezultatul acestei
analize.
Acest model este larg utilizat deoarece parametri care intervin in el au
valori uor predictibile.
Acest model este valabil numai pentru conexiunea emitor comun.



Obs.

1. Modelul poate fi utilizat la orice frecven cu simplificrile
corespunztoare la frecvene joase.
2. Parametru
m
g este panta tranzistorului i depinde de P.S.F.
( )| | V mA
U
I
g
T
C
m
/ 1 =

3. Ceilali parametri din schema echivalent au valori tipice ce depind
puin de P.S.F.


87 DCE curs
1
i n cadrul acestui model se pot face simplificri rezultnd modelul
simplificat cu parametri naturali.
pF C M r pF C K r
c b c b e b e b
2 , 2 , 200 , 5 , 2
' ' ' '
= O = = O =




Regimul dinamic al tranzistorului cu efect de cmp



Problema se trateaz n mod similar cu tranzistorul bipolar. Ne vom
referi n cele ce urmeaz la funcionarea tranzistorului cu efect de cmp n
regiunea pentod, acest regim de lucru fiind folosit n cadrul tranzistoarelor cu
efect de cmp incluse n circuite de amplificare. ( ) 1 1
2
0
|
|
.
|

\
|
+ =
p
GS
DSS d
U
u
I i Relaia
(1) permite elaborarea unei scheme echivalente de regim static i semnal mare
pentru tranzistorului cu efect de cmp (echivalent modelului Ebers-Moll).
Pentru regimul dinamic se vor introduce parametrii de semnal mic ce
fac legtura ntre variaii n jurul unui P.S.F. ( )( ) 2 ,
DS GS D D
u u i i =


88 DCE curs
1
P.S.F.
DS PSF
DS
D
GS PSF
GS
D
D D D
u
u
i
u
u
i
I i I A
c
c
+ A
c
c
+ ~ A +
( ) 3
DS d gs m d
U g U g I + =
Relaia (3) este valabil pentru joas eventual medie frecven. Ea poate
fi obinut pornind de la regimul static de funcionare.
O = =
=
M
g
r
N mA g
d
d
m
1 1 . 0
1
/ 10 1 . 0

Pentru a caracteriza comportarea la nalte frecvene a tranzistorului cu
efect de cmp modelul de joas frecven va fi completat de cteva capaciti



Comportarea tranzistorului bipolar cu frecvena



Prezena capacitilor n modelul cu parametrii naturali ai tranzistorului
bipolar, indic faptul c comportamentul acestuia depinde de frecven. Ne
intereseaz n cele ce urmeaz analiza acestui comportamentul precum i
introducerea unor parametrii corespunztori. Se va analiza n acest scop
dependena de frecven a amplificrii de curent cu ieirea n scurt a unui
tranzistor bipolar in conexiune emitor comun.

89 DCE curs
1



( )
( )
( )
( )
( )
( ) =
=
= |
=
=
=
j I I
j I I
j
j I
j I
j A
i i
i
i
=
=
= =
0 0
0


Obs

1. Admitana
c b
C
'
care apare n paralel cu
c b
g
'
poate fi neglijat de prima
deci se va neglija n calcule
c b
g
'
.
2. Se va neglija apoi n calcule i se va justifica c acest lucru este corect,
influena capaciti
c b
C
'
.
( )
( )
( ) ( ) ( ) ( )
( )
( )
( ) ( )
( )
( ) ( )
( ) 1
1
1
1
1 1
1
1 1
0
2
0 0 ' ' '
' ' ' ' ' ' ' 0
'
'
0 0
' ' ' ' ' ' '
' 0
|
|
.
|

\
|
+
=
+
=
+
=
+ +
=
+ +

=
= = =
+ +
=
+ +

= =
=
|
|
|
=
=
=
|
= |
=
=
|
= |
=
= = |
= |
| = | =
= = =
=
= |
j
j
j
C C r
C C r j C C j g
g
r g
j
r g
g
g
j
C C j g
g
C C g g U
U g
j I
j I
j
c b e b c b
c b e b c b c b e b e b
m
c b m
c b m
e b
m
c b e b e b
m
c b e b e b e b
e b m
i

90 DCE curs
1












reprezentarea relativ n coordonate logaritmice.


Obs

Din relaia (1) rezult c amplificarea de curent scade cu creterea
frecvenei.

|
w - pulsaie de tiere.

t
=
|
|
2
= f - frecven de tiere.
Obs

1. Dac raportul
( )
0
|
= | j
se exprim n dB adic
( ) ( )
0 0
log 20
|
= |
|
= | j j
dB
= atunci frecvena
|
f este frecvena pentru
care modelul amplificrii scade cu 3 dB fa de valoarea
corespunztoare pulsaiei 0.
91 DCE curs
1
dB 3 2 log 20
2
1
1
log 20
2
1
log 20 1 log 20 = = =

2. Dac reprezentarea grafic se face n coordonate logaritmice atunci
curba de variaie poate fi bine aproximat prin dou segmente care se
articuleaz corespunztor pulsaiei
|
= .
3.
|
f reprezint un parametru de catalog i este recomandat s aib o
valoare suficient de mare, potrivit aplicaiei.

Obs

Se va verifica imediat c
|
= = >>
T

( ) ( ) ( )
( )
( ) 3
2 1 1
1
' ' ' ' '
'
0
0
0 0
c b e b
m
c b e b e b
e b m
T
T
T
T
C C
g
C C r
r g
j j
T T
+
=
+

= =
= = = =
|
|
.
|

\
|
+
=
= =
|
|
|
= =
|
= =
= | =
= | =
=
=
|
= |
=
=
|
= |




Verificarea neglijrii fcute (a capacitii
c b
C
'
)


1
' '
' '
' ' '
' '
<<
+
=
+
=

e b c b
c b
m
c b
e b c b
m
e b m
c b T e b
C C
C
g
C
C C
g
U g
C U =





92 DCE curs
1


Analiza liniar a circuitelor cu tranzistoare



Circuitele cu tranzistoare sunt circuite neliniare avnd n vedere c
tranzistorul este un dispozitiv electronic nelinia. Pentru semnalele mici
comportarea tranzitorului poate fi liniarizat i n consecin circuitele
electronice respective pot fi studiate cu teoria specific circuitelor liniare.

Etapele de rezolvare ale unui circuit electronic



1. Se deseneaz schema electronic complet a circuitului.
2. Se deseneaz schema echivalent pentru variaii pstrnd elementele
pasive din schema iniial i respectiv tranzistoarele. n aceast schem
sursele de tensiune vor aprea ca scurtcircuit, sursele de curent vor
aprea ca ntreruperi, se marcheaz clar terminalele tranzitoarelor din
schem.
3. Se fac eventualele simplificri legate de influena elementelor reactive
din schem.
4. Se nlocuiesc tranzistoarele cu un model se semnal mic corespunztor.
5. Se rezolv circuitul adic se calculeaz mrimile care reprezint interes:
rezistena de intrare a circuitului, rezistena de ieire, amplificarea de
tensiune, amplificarea de curent.







93 DCE curs
1

Metode de rezolvare



1. Pentru semnal cu variaie oarecare n timp se face calculul n real
utiliznd ecuaiile difereniale sau se poate apela la calculul operaional.
2. Pentru semnale sinusoidale procedura poate fi considerabil simplificat,
utilizndu-se reprezentarea mrimilor tensiuni i cureni prin fazori i
aplicnd calculul n complex.

Obs

n schemele electronice de semnal mic tranzistorul poate fi nlocuit cu
modelul corespunztor oricrei conexiuni. Rezultatele obinute vor fi
evident aceleai, complexitatea calculelor ns poate diferi de la o situaie la
alta. Ca regul, se recomand nlocuirea tranzitoarelor care funcioneaz
ntr-o anumit conexiune cu modelul corespunztor conexiunii respective.






Analiza cu frecvena a etajului de amplificare
cu tranzitor bipolar



Ne vom referi n cele ce urmeaz la rezolvarea unui etaj de amplificare
cu tranzistor bipolar. Se va face aceast analiz pentru frecvene medii,
pentru frecvene joase i respectiv la nalt frecven.

94 DCE curs
1
Analiza la frecvene medii

Din motive ce vor rezulta ulterior tranzistorul va fi echivalat cu modelul
prin parametrii h.

Etapa I




Etapa II

Deoarece se lucreaz la frecvene medii poate fi neglijat reactana
condensatoarelor din schem.
95 DCE curs
1

Etapa III


'
'
'
g B g
g B
B
g b
R R R
R R
R
E E
=
+
=




Se constat uor c n cele din urm se obine o schem echivalent similar
cu cea de la etajul n conexiune EC, cu diferena c n schema echivalent a
tranzistorului vor interveni parametrii hibrizi corespunztori conexiunii BC.


Emitor comun (repetor cu emitor)

96 DCE curs
1


Se constat c din nou se obine o aceiai schem echivalent cu singura
diferen c n modelul cu parametrii h vor interveni parametrii corespunztori
conexiunii CC.
Obs
La studiul comportrii cu frecvena a tranzistorului bipolar au fost
introduse o serie de frecvene caracteristice: frecvena de tiere i frecvena de
tranziie. Aceste mrimi caracterizeaz tranzistorul n conexiune EC.
Se definete un parametru similar frecventei de taiere ,, i pentru
conexiunea BC.

T
EC
B
BC
f f
f f
~

o
o

n conexiunea BC tranzistorul se comporta mult mai bine cu frecvena
deoarece
B T
f f f >> ~
o



Comportarea la frecvene medii a etajului
de amplificare a tranzistorului bipolar


Din analiza precedent a rezultat c la frecvene medii unde pot fi
neglijate reactanele condensatoarelor din circuit i la care ns putem utiliza
modelul cu parametrii h schema echivalent de semnal mic a unui etaj de
97 DCE curs
1
amplificare pentru orice tip de conexiune (EC, BC, CC) poate fi redus la o
singur schem echivalent:




Obs
S-a preferat utilizarea parametrilor h deoarece analiza poate fi fcut
pentru toate cele trei conexiuni utiliznd o singur schem echivalent i
particulariznd valorile parametrilor h corespunztori conexiunii avute n
vedere.

( )
( )
( )
( ) 2
1
1
1
1
22
21
12 11
12 11 1 1
1 12 1 11 12 2 1 11 0 12 1 11 1
1
1
22
21
1 21 22 2
2 22 1 21 22 0 1 21 2
2 0
1
2
1
L
L i i
i L
i L L
i
L
i
L
L
L
e
i
R h
h
h R h Z R
A h R h I U
I A h R I h h R I I h U h I h U
I
U
Z
R h
h
A
I h R h I
R I h I h h U I h I
R I U
I
I
I
I
A
+
= =
+ =
+ = = + =
=
+
=
= +
= + =
=
= =

Obs
1. semnul ,,- n expresia unei amplificri semnific faptul c acel
amplificator introduce un defazaj de 180
o

2. se constat apoi c mrimea rezistenei de intrare este influenat de
rezistena de sarcin
L
R
98 DCE curs
1
O O O =
O =
K K R
K R
i
L
100 , 20 , 2
1

Din punctul de vedere al intrrii un etaj de amplificare poate fi echivalat
prin urmtoarea schem:





( )
( )
i g
i
i
g
g
i
i
g
i i
i
i
g g
i g g
i g
i
g g
i
i g
ug
i
L
i
L
u
i i
L
i
u
Z R
Z
Z
R
E
U
Z
R
U U
Z
U
R E
U I R E
Z R
Z
E
U
E
U
U
U
E
U
A
Z
R h
h
Z I
R h I h
A
Z I U
R h I h U
U
U
A
+
=
+
=
|
|
.
|

\
|
+ = + =
+ =
+
= = =
=

=
=
=
=
1
1
1
4
3
1
0 0 0
22
21
1
22 1 21
1
22 1 21 0
0


Rezultatele calculelor pentru O = K R
L
1 sunt 50 , 50 =
u
A .
Din cele expuse pn n momentul de fa rezult c din punct de vedere
al ieirii etajul de amplificare poate fi echivalat cu urmtoarea schem:
99 DCE curs
1
g
ug
E
E
U
A
I
U
R
g
0
0
2
0
0
=
=
=



n schema echivalent
g ug
E A
0
reprezint tensiuni ce apr n gol la
bornele de ieire ale amplificatorului, iar aceste tensiuni trebuie s acopere i
cderea de tensiune pe
0
R atunci cnd este conectat sarcina
L
R .





( )
( ) 5
1
lim
0 pentru
11
12
21 22
0 22
11
12
21 2
11
0 12
0 1
0 22 1 21 2
0
11 1 0 12
0
0
g
o
g
g
E
ug
R
ug
g g
L
g
ug
R h
h
h h
R
U h
R h
h
h I
R h
U h
I
U h I h I
A A
E R h I U h
R
E
U
A
g
L
+

=
|
|
.
|

\
|
+
+
=
+
=
+ =
=
= + =
= =
=


Rezistena de ieire
0
R depinde de
g
R
100 DCE
curs 1
O =
O O O =
K R
M K R
g
1
30 , 2 , 10
0

Concluzii:
1. se constat c etajul de amplificare n conexiune EC se comport cel
mai bine din punctul de vedere al valorilor parametrilor
caracteristici. Adic are o rezisten de intrare relativ mare, o
rezisten de ieire acceptabil de mic i o amplificare de tensiune i
de curent de valoare medie
2. amplificatorul n conexiune BC are cel mai slab comportament sub
aspectul parametrilor caracteristici (rezisten de intrare foarte mic,
o rezisten de ieire foarte mare i o amplificare de curent unitara).
Aceasta prezint ns avantajul unei bune comportri cu frecvena
3. etajul n conexiune EC, dei are o amplificare de tensiune unitar
este larg utilizat avnd n vedere rezistena de intrare foarte ridicat
i o rezisten de ieire foarte sczut.





STUDIUL COMPORTRII CU FRECVENA A AMPLIFICATOARELOR


Se vor studia separat cazurile frecvenelor medii, joase i nalte.
101 DCE
curs 1

Frecvena limit inferioar
j
f i frecvena limit superioar
i
f se obin
n momentul n care amplificarea la frecvene medii scade la












Schema tipic a unui etaj amplificator:

a. Cazul frecvenelor medii

Este caracterizat de Adic capacitile amplificatorului sunt
scurtcircuitate.
102 DCE
curs 1
? , , ,
2
1 1
=
= =
ug u O i
C
A A R R
f c c
x
t =

Pentru determinarea parametrilor sus menionai se deseneaz schema
echivalent pentru regimul dinamic.

( )
( )
( )
g i
i
u
g
i
i
O
g
O
ug
e E e
L C e
e E e b
L C b e
i
L C b e
i
O
u
C o
E e e
b
e b b E e b
b
i
i
i B i
R R
R
A
E
U
U
U
E
U
A
h R h
R R h
h R h I
R R I h
U
R R I h
U
U
A
R R
R h h
I
h I I R h I
I
U
R
R R R
+
= = =
+
'
+

=
|
.
|

\
|
+
'
+

=

= =
=
'
+ + =
+
'
+
= =
'
'
=
21 11
21
21 11
21 21
21 11
11 11
1
1
) 1 (

Procedura de calcul este similar i n cazul amplificatoarelor cu mai
multe etaje.

b. Cazul frecvenelor joase
103 DCE
curs 1

Obs. Pentru nceput se neglijeaz influena lui
E
C
( ) ( )
( )
( )
( )
( )
O L
O L
g i
g i
O L
L
g i
i
U
O L
L
g i
i
U
g
O L
L
g i
i
g
U
g
O L
L
i U
g
O
ug
R R C j
R R C j
R R C j
R R C j
R R
R
R R
R
A
R R C j
R C j
R R C j
R C j
A
E
C j
R R
R
C j
R R
R
E
A
E
C j
R R
R
U A
E
U
A
O
O
O
O
+ +
+

+ +
+

+
=
=
+ +

+ +
=
=
+ +

+ +

=
=
+ +

= =
2
2
1
1
2
2
1
1
2 1
2
1 1
1 1
1 1
1
=
=
=
=
=
=
=
=
= =
=


Notm cu
( )
( )
O L
g i
R R C T
R R C T
+
+
2 2
1 1


( ) *
1 1
2
2
1
1
T j
T j
T j
T j
A A
ug ug
=
=
=
=
+

+
=

Pentru exprimarea rspunsului n frecven a unui amplificator se
folosesc diagramele Bode. Diagramele Bode constituie o reprezentare
simplificat n coordonate logaritmice a funciei rspuns la frecven.
104 DCE
curs 1
( )
( )
( ) =
=
=
j U
j U
j A A
i
O
u u
= =
Diagonalele Bode include caracteristicile amplitudine frecven i faz
frecven.
( )
( ) ( ) =
=
j A
j A
u
u
arg
lg 20

n expresia lui ( ) = j A
u
pot interveni termeni de forma:

1. 9 e
ug
A














105 DCE
curs 1
2. T j=
( )
( )
dB
T j
T j
20 10 lg 20
10 lg 20 10
lg 20
=

= =
= =



3.
T j=
1








4.
Z
T j= + 1


5.










Pentru nceput neglijm efectul lui
2
C
106 DCE
curs 1
( ) ( )
( )
( )
( ) 3 1
2
1
1
*
1
1
+

+
=
T j
T j
A
T j
T j
A j A
ug
ug ug
=
=
=
=
=



Pulsaia
1
1
T
corespunde frecvenei de tiere sau limit inferioar
j
f
Pentru evitarea distorsiunilor se alege corespunztor
1
C astfel nct
1
1
T

s fie mai mic dect cea mai mic pulsaie din spectrul semnalului.
( )
g i j
j
R R f
C
T +
= s
t
=
2
1 1
1
1


107 DCE
curs 1



Frecvene joase:
E
c c c , ,
2 1

Frecvene nalte: trebuie luate n considerare capacitile parazite din
modelul cu parametrii naturali.


Obs.
1. Amplificarea
U
A c aracterizeaz comportarea la frecvene medii, sau
n limitele benzii de trecere a etajului de amplificare.
2. Amplificarea
U
A este dat de relaia
=
=
L
R
i
O
U
U
U
A

Se constat logic c att
1
c ct i
2
c determin scderea amplificrii pe
msur ce scade frecvena semnalului de intrare.
i O O i
U A U R = =
1
c
1
c
108 DCE
curs 1
( )
( ) frecventa - faza tica caracteris )) ( arg(
frecventa - e amplificar tica caracteris ) (
) (
) (
) 1 (
1 1 ) (
) (
) (
2
2 1
1 1
2
2
2
1
=
=
+ =
+ =
+

+
= =
= =
= =
=
=
=
=
=
=
=
f j A
f j A
c R R T
c R R T
T j
T j
T j
T j
A
j E
j U
j A
ug
ug
L O
g i
ug
g
O
ug


(1) funcie rspuns la frecven a etajului de amplificare.


109 DCE
curs 1
( )
( )
( )
| | dB
A
A j A
j
j
A j A
T
T j
T j
A j A
ug
ug ug
ug ug
ug ug
20 10 log 20
10
log 20 log 20
10
log 20
) 3 ( 1 log 20
) 2 ( log 20
) 1 ( log 20
1 log 20 log 20 log 20 log 20
1
1
1
1
1
1 1
2
1
1
2
1 1
1
1
1
1
1
1
= = =

|
|
.
|

\
|
+

|
|
.
|

\
|
+ + =
+
=
=
+
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=

Limitele benzii de trecere a unui amplificator se consider la frecvene
corespunztoare unui diferene de 3 dB a amplificrii fa de amplificarea din
mijlocul benzii de trecere.






110 DCE
curs 1
RSPUNSUL LA SEMNAL TREAPT A ETAJULUI
DE AMPLIFICARE


Se definete funcia de transfer a etajului de amplificare ca fiind dat de
relaia: ( )
( )
( )
( ) 1
p E
p U
p A
g
O
ug
=
( ) ( ) frecventa la raspuns functie = = j A p A j p
ug ug



Obs.
1. semnalul treapt de la
intrare include n spectrul
su de frecvene att
componenta de nalt
frecven ct i
componente de frecven
joas inclusiv componenta
continua. Lipsa acestor
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
( )
( ) ( ) 3
1
1
1
2
1
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
t
t
g ug O
g ug
g
ug O
g ug O
ug ug
ug ug
e e A t u
p
T
T
e A
p
e
pT
pT
A p U
p E
pT
pT
A p U
pT
pT
A p A
T j
T j
A j A

A =
+
A =
A

+
=

+
=
'
+
=
+
=
=
=
=
111 DCE
curs 1
componente de frecven sczut din spectrul semnalului de la ieire
ca urmare a influenei condensatorului de cuplaj , determin
cderea palierului semnalului de ieire. (palierul este rezultatul
contribuiilor sinusoidelor de joas frecven).
2. Abaterea formei tensiunii de la ieire fa de forma ideal a
semnalului de intrare se numete distorsiune.



RSPUNSUL LA IMPULS


Rspunsul la impulsuri al etajului de amplificare se determin prin
adiionarea rspunsurilor a dou semnale treapt decalate n timp.




112 DCE
curs 1


Rspunsul etajului de amplificare cu doi poli


Vom considera mai nti cazul simplificat n care cele dou pulsaii
1
= i
2
= sunt suficient de ndeprtate ntre ele (raportul lor este cel puin 10)


2
= >>
1
=

Obs.
( ) ( ) 1
1 1
2
2
1
1
=
=
=
=
=
=
=
=
=
j
j
j
j
A j A
ug ug
+

+
=
113 DCE
curs 1
1. n caracteristica faz-frecven de mai sus a fost neglijat defazajul cu
2
t
aferenta
factorilor
1
=
=
j respectiv
2
=
=
j
2. faptul c este satisfcut condiia
2
= >>
1
= uureaz nsumarea
contribuiilor pariale ale celor doi poli n ce privete defazajul
introdus de acetia.
3. condiia
2
= >>
1
= face ca pulsaia
2
= s poat fi considerat limita
inferioar a benzii de trecere la joase. n realitate datorit
contribuiei negative a polului
2
= pentru
2
= diferena fa de
amplificarea la frecvene medii este mai mare dect 3 dB. Prin
urmare dac nu este respectat condiia
2
= >>
1
= limit inferioar a
benzii de trecere socotit la 3 dB este mai mare dect
2
=
4. dac
2
= nu este >>
1
= un calcul exact permite determinarea limitei
inferioare a benzii de trecere socotit la 3 dB. De regul se face un
calcul aproximativ utiliznd urmtoarele relaii:

+ =
2
2
2
1
1 1 1
T T T
e

e
j
T
1
= =
INFLUENA CONDENSATORULUI DE DECUPLARE
DIN CIRCUITUL DE EMITOR LA JOASE
FRECVENE





114 DCE
curs 1
Vom utiliza modelul cu parametrii naturali i, deoarece studiul se face la joase
frecvene, pot fi neglijate condensatoarele din model.

115 DCE
curs 1
( )
(
(
(
(
(

|
|
.
|

\
|
+ + +
+
+
|
|
.
|

\
|
+ + +
+
=
=
|
|
.
|

\
|
+ +
|
|
.
|

\
|
+
+
+ +
+
=
=
|
|
.
|

\
|
+
+
+ +

=
|
|
.
|

\
|
+ + +

= =
|
|
.
|

\
|
+ + + =
=
=
e b
m E
e b
g
e b
g
E E
e b
m E
e b
g
E E m L
e b
m E
e b
m
E E
g
e b
g
E E
m L
e b
m
E E
g
e b
g
m L
e b
m E
e b
g
m L
g
o
ug
e b m
e b
e b
E e b
e b
e b
g g
e b m L o
g
o
ug
r
g R
r
R
r
R
R C j
r
g R
r
R
R C j g R
r
g R
r
g
R C j
R
r
R
R C j
g R
r
g
R C j
R
r
R
g R
r
g Z
r
R
g R
E
U
A
U g
r
U
Z U
r
U
R E
U g R U
E
U
A
' '
'
' '
' ' '
' ' ' '
'
'
'
'
'
'
'
1
1
1
1
1
1
1
1 1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
=
=
=
=
=




( )

( ) 2
1
1
1
3
2
1 _

E
E
ug ug
E E
E
E
T j
T j
A j A
R C j
R
Z
=o
=
=
=
+
+
=
+
=

Obs
1. frecvena limit
inferioar a benzii de
116 DCE
curs 1
trecere corespunztoare la 3 dB este egal cu
E
T to 2
1
, cu condiia ca
valoarile celor dou constante de timp s fie suficient de ndeprtate
ntre ele.
2. dac se are n vedere i influena condensatoarelor de cuplaj
1
C i
2
C problema determinrii limitei inferioare cu exactitate a benzii de
trecere e complicat. O metod aproximativ ce rezolv problema o
constituie metoda constantelor de timp de scurtcircuit.

Metod

Se consider sursa pasivizat i se scurtcircuiteaz toate capacitile
mai puin una. Se determin n aceste condiii constanta de timp aferent acestei
capaciti. Se repet aceast operaiune pentru toate capacitile din circuit.
Se constat c
j
= este cel mai mult de constanta de timp cea mai mic.


















117 DCE
curs 1
COMPORTAREA LA NALT FRECVEN
A ETAJULUI DE AMPLIFICARE



Pentru studiul la frecvene nalte tranzistorul va fi modelat utiliznd
modelul cu parametrii naturali.
Problema va fi abordat studiind etajul de amplificare inversor.

Teorema lui Miller

Aceast teorem este util deoarece permite efectului capacitii
c b
C
'

prin dou capaciti una conectat la intrare iar cea de-a doua la ieire.
( )
( ) 2
1
1
1
1
; ;
1 2
2
2
2
2
2 1
1
1
1
1
1 2
1
2 1
1
1
2
U
U
U
K
Z
Z
U U
U
I
U
Z
K
Z
Z
U U
U
I
U
Z
Z
U U
I
Z
U U
I
U
U
K

= =
+
=

= =

= =



118 DCE
curs 1

Obs
Deoarece
U
K reprezint o amplificare n general mult mai mare dect
Z Z ~
2
1


Caracteristica de frecven a etajului de amplificare


Se are n vedere pentru cele ce urmeaz etajul amplificator inversor.
g
R include i pe
' bb
r din modelul cu parametrii naturali.
Se calculeaz n continuare valoarea lui
U
K

L m U
L m
L c b m
L c b m
L
c b
c b m
e b
o
U
L
o
e b m
c b
o e b
e b
o
U
R g K
R g
R C g
R C j g
R
C j
C j g
U
U
K
R
U
U g
C j
U U
U
U
K
~ ~
+

=
+

= =
+ =

=
'
'
'
'
'
'
'
1 1
) (
1
1
'
'
e
e
e
=


119 DCE
curs 1


Simplificm: presupunem
L c b
L c b
c b
m
L m L c b m
R C
R C
C
g
R g R C g
'
'
'
'
<< <<
<< <<
1
) 2 ( 1
) 1 (
e e
e



Obs
1. relaia (1) i (2) arat c studiul efectuat i pstreaz valabilitatea
pn la pulsaii care nc respect inegalitile (1) i (2).
Se constat uor c mai restrictiv e condiia (2) n ceea ce privete
valabilitatea rezultatelor.

O
<<
O
<<
O
<<
=
O =
'
' '

k C
k C C
k
V mA g
k R
c b
c b c b
m
L
1
1
) 2 (
1
40
;
40
) 1 (
/ 40
1
1
e
e e

Se constat uor c mai restrictiv este condiia (2)

) 1 (
) 1 (
1
1 1 1
1
2
1
1
1
L m c b e b i
c b
L m c b
L m e b
U
R g C C C
C C
R g C C
R g C j C j
K
Z
Z
+ + =
~
+ =
+
=

=
' '
'
'
'
e e


120 DCE
curs 1








121 DCE
curs 1
( )
( )
( )
( )
( ) ( )
( )
( )
( )
( ) ( )
( )
( ) ( )
o i
ug ug
e b g i c b L
ug ug
e b
g
g
g i c b L
e b
g
L m
ug
e b
g
g i c b L
L m
e b
i g c b L
L m
ug
e b
e b
i
e b
g g
c b L
L
e b
m
g
ug
T j T j
A j A
r R C j C R j
A j A
r
R
R
R C j C R j
r
R
R g
j A
r
R
R C j C R j
R g
r
C j R C R j
R g
A
U
r
C j U R E
C R j
R
U g U
j E
j U
j A
o
o
e e
e
e e
e
e e
e
e e e e
e
e
e
e
e
+

+
=
+

+
=
|
|
|
|
|
.
|

\
|
+
+ + +

+
=
|
|
.
|

\
|
+ + +
=
(

|
|
.
|

\
|
+ + +
=
+
|
|
.
|

\
|
+ =
+
=
=
' '
'
'
'
'
'
'
'
'
'
'
' '
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1 1
1
1
1 1
1
1 1
1
1
1


122 DCE
curs 1
( )
o i
c b L m e b i
L m
e b
c b
e b
L g
c b L o
i e b g i
T T
pF C R g C C
R g
pF C
pF C
k r
k R R
C R T
C r R T
>
~ + + =
=
=
=
O =
O = =
=
=
' '
'
'
'
'
'
300 1
40
200
2
3
1


Verificarea neglijrilor fcute

L c b
i
c b i
i g
i
L c b
R C
C C
C r R
R C
c b
'
'
'
<<
>>
=
<<
'
1
1
1
e
e
e

Se constat c neglijrile
fcute nu limiteaz valabilitatea
rezultatelor obinute sub pulsaia
i
=


RSPUNSUL LA SEMNAL TREAPT DETERMINAT
DE COMPORTAREA LA NALT FRECVEN

123 DCE
curs 1


Din motive de simplitate vom considera din nou un singur pol n funcie
de rspunsul la frecven.


( ) ( )
( )
( )
( ) ( ) ( )
( )
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) 2 1 -
unde
1
1
1
1
0
0
1
1
0
1
|
|
.
|

\
|
A = A =
A
=
= =
|
|
.
|

\
|
= =
+
=
+
=

}
}
i i i
T
ug g
t T
ug g
t
T
i
g
o
t
ug g o
g
o
i
ug ug
i
ug ug
e A l e A l d e
T
l
p U L
p F L f d f
p
p F
L
p A p E p U
p E
p U
pT
A p A
T j
A j A
t t t
t
t t t
=
=

Valorile 0,1; 0,9 Au fost alese arbitrar ca o utilitate practic. Durata
frontului depinde de ( ) ( )
i c i
T f t T = .

124 DCE
curs 1

|
.
|

\
|
=
= =
= =
A =
|
|
.
|

\
|
A
A =
|
|
.
|

\
|
A

1 , 0
9 , 0
ln
1 , 0 9 , 0 1
9 , 0 1 , 0 1
9 , 0 1
1 , 0 1
1 2
2 2
1 1
2
1
i
T
t
T
t
T
t
T
t
ug g
T
t
ug g
ug g
T
t
ug g
T t t
e e
e e
A l e A l
A l e A l
i i
i i
i
i


Exemplu.
Un osciloscop cu banda de trecere 50 MHz.
Obs
Un osciloscop e cu att mai bun cu ct
i
f e mai mare (sau banda de
trecere mai larg, 50 MHz aproape modest; 200 MHz performant dar nu
foarte).



RSPUNSUL ETAJULUI LA UN IMPULS
DE INTRARE



Obs
n cazul n care banda de trecere a amplificatorului este relativ ngust
impulsurile de durat sczut nu ajung s creasc la ieire pn la o valoare
semnificativ, adic nu sunt reproduse la ieire.
125 DCE
curs 1


Cazul mai multor constante de timp

n studiul de pn acum, din motive de simplitate s-a avut n vedere
funcia rspuns la frecven cu un singur pol.
Limita superioar a benzii de trecere corespunde n aceast situaie
pulsaiei aferente polului respectiv. Problema se amplific n cazul problemelor
funcie rspuns la frecven cu mai muli poli rezult c practic utilizm
metode aproximative de calcul pentru constanta de timp.
e
i e
T
T T T
1
2
2
2
1
= + = =
n cazul mai multor constante de timp se poate aplica metoda
scurtcircuitului: pasivizarea generatorului de intrare i calculul succesiv al
constantelor de timp pentru fiecare din capacitile din circuit ce influeneaz
comportarea la nalt frecven:
n
i
t
= t t

=
1
..... ,
2 1




126 DCE
curs 1
AMPLIFICATOARE


Def: Amplificatoarele sunt circuite electronice care realizeaz pe o
sarcin conectat la ieire un semnal de putere mai mare dar identic cu forma de
variaie n timp cu semnalul de intrare. Excedentul de putere se la ieire se
realizeaz pe seama unui consum de la sursa continua de alimentare.

Clasificare - se poate face din mai multe puncte de vedere.

1. dup domeniul de frecven al semnalelor de amplificare: jf, f (ce
amplific inclusiv componenta continua a semnalului), de band
larg, de band ngust (
j
i
f
f
mic pentru ngust-selectiv).
2. dup mrimea semnalului amplificat: de semnal mic (variaz n
limite restrnse, i i P mici), de semnale mari (excursia tensiunii la
ieire este larg, i i P).
3. dup regimul de funcionare al dispozitivului de funcionare (dup
durata sau unghiul de conducie al transformatorului); rezult
distingem amplificatoare de clas:
- A conduce pe ntreaga perioad, distorsiunile neliniare sunt
mici.
- B unghiul de conducie de 180 Rezult c tranzistorul
conduce numai pe o perioad. Prin proceduri speciale poate
fi reconstituit cu erori acceptabile semnalul de intrare.
Avantajul este randamentul mare. (P utila la ieire / P
consumat de la surs).
- C unghiul de conducie < 180 - se utilizeaz de regul n
emitoare, n circuite n care se vehiculeaz puteri mari
datorit semnalului lor foarte bun.
4. dup tipul cuplajului ntre etaje: intre generatorul de intrare i
amplificator respectiv ntre amplificator i sarcin: cuplaj direct, prin
condensatori, prin transformator.

127 DCE
curs 1
Caracteristicile amplificatoarelor

1. Amplificarea
| |
p p i i u u
i
o
p
i
o
i
i
o
u
A G A G dB A G
p
p
A
I
I
A
U
U
A
log 20 ; log 20 ; lg 20
; ; ;
= = =
= = =

2. Distorsiuni: pot fi lineare i neliniare.
- liniare de frecven
- liniare de faz

n general prin distorsiuni se nelege o abatere a formai semnalului
amplificat la ieire fa de cea a semnalului la intrare.

a. Distorsiuni de frecven: sunt cauzate de amplificarea dependent de
frecven a diferitelor componente din spectrul semnalului. Aceste
distorsiuni pot fi evaluate pe baza caracteristicii amplificare-
frecven.
( )
2 3 log 20 log 20
trecere de factor 1
~ ~ = =
=
i j i j
u
u
M M dB M M
A
A
M


Prin convenie, limitele benzii de trecere se consider la 3 dB.

2
u
i j
A
A A = =
Obs
Urechea e sensibil la distorsiunile de frecven.
128 DCE
curs 1

b. Distorsiuni de faz: apar ca urmare a defazajelor introduse de
amplificator pentru diferite componente din spectrul semnalului de
intrare. Ca urmare a acestui fapt, prin nsumarea acestor componente
la ieire nu se mai obine forma semnalului de la intrare.
( ) ( ) ( )
( ) ( )
( )
( ) ( ) ( )

+ =
= =
+ =
= + = + =
1
1
1
1
1
1
1 1
sin
cu liniar variaza daca
sin
; pentru , sin sin
n
n n o
i n n
n
n n n o
n
n n n n n
n
i
t n A A t U
f n
t n A A t U
n t n A t A t U
=
= t = t
=
= = = =

Se constat c dac defazajul introdus de amplificator variaz liniar cu
frecvena la ieire se obine semnalul amplificat, identic ca form de variaie n
timp cu semnalul de intrare numai c este ntrziat rezult c un asemenea
amplificator nu introduce distorsiuni de faz. Sunt evitate distorsiunile de faz
i n cazul n care amplificatorul introduce un defazaj nul peste tot.

Obs
1. distorsiunile de faz sunt sesizate de ochi i nu de ureche.
2. att distorsiunile de frecven ct i cele de faz sunt introduse de
elemente reactive din schema de amplificare. Distorsiunile lineare
au drept trstur esenial faptul c nu introduc componente noi n
spectrul semnalului cum fac cele neliniare.


129 DCE
curs 1
Distorsiunile tranzitorii reprezint o alt faet a distorsiunilor liniare
(de frecven ct i cele de faz). Ele se realizeaz pe baza caracteristicii
tranzitorii a amplificatorului i care reprezint rspunsul amplificatorului pentru
semnalul treapt aplicat la intrare.

j i
c
T
t
a
a
f
t
'
;
35 . 0
=
A
=









DISTORSIUNILE NELINIARE


nelegem prin distorsiune orice abatere a formei de variaie n timp a
semnalului fa de o form presupus ideal.
Distorsiunile neliniare sunt cauzate de elementele neliniare din circuitul
electric adic tranzistoare, diode, transformatoare.
130 DCE
curs 1
Caracteristica dinamic de transformare dinamic introduce distorsiuni
neliniare. Aceste distorsiuni se caracterizeaz prin apariia de noi componente
n spectrul semnalului de la intrare. | |( ) 1 %
...
1
2
3
2
2
I
I I
K
+ +
=

Obs
1. de regul, valoarea lui k se calculeaz raportndu-ne la valoarea
efectiv a semnalului total i nu numai la
1
I Deoarece o asemenea
definiie permite o msurare mai simpl a lui k.
2. pentru valori nu prea mari ale lui k cele dou definiii duc la acelai
rezultat. Le putem dimensiona fie printr-o alegere potrivit a PSF fie
prin utilizarea reaciei negative.

Obs
Urechea este sensibil la distorsiunile neliniare.


ZGOMOTELE

131 DCE
curs 1

nelegem prin zgomote semnalele electrice (tensiuni sau cureni( cu
variaie ntmpltoare n timp. n cazul unui amplificator, zgomotele prezint
importan deoarece limiteaz nivelul minim al semnalului la ieire.
Nivelele de zgomot se apreciaz prin factorul de zgomot F.
( ) + >

= 1 , 2 F
A P
P
F
p zi
zo

Zgomotul unui amplificator este determinat n principal de zgomotul
primului etaj.


SCHEMA BLOC A UNUI AMPLIFICATOR


De regul un amplificator include mai multe etaje adic un etaj de
intrare unul sau mai multe etaje intermediare i un etaj de ieire. Etajul de
intrare are rolul de asigura o impedan de intrare ct mai ridicat a
amplificatorului i n general de a asigura adaptarea cu sursa de semnal. Etajul
de ieire are menirea de a asigura puterea de comand necesar sarcinii.

Etajul de ieire (final sau de putere)

Rolul etajului de ieire este acela de a comanda sarcina care poate si
constituit dintr-o incint acustic, poate fi reprezentat de un servomotor sau
orice alt element de execuie dintr-o instalaie de automatizare. Caracteristica
esenial a etajului de ieire este c trebuie s dezvolte o anumit putere deloc
neglijabil pe sarcin fapt ce conduce la ceva particulariti ale acestui etaj. n
primul rnd conduce la apariia distorsiunilor neliniare. al doilea rnd metoda
de proiectare va face uz de calcul grafoanalitic n lipsa unui model pentru acest
etaj. n al treilea rnd fiind vehiculate puteri mari, prezint interes calculul unor
132 DCE
curs 1
factori de merit, randamentul
m
o
A
P
P
P
P
A
= = q ,
0
factorul de utilizare a
dispozitivului semiconductor iar
m
P
A
este valoarea maxim a puterii medii
disipate pe dispozitivul semiconductor.
Un etaj de ieire poate funciona n mai multe clase. Spre exemplu
funcionarea n clas A:
% 50
% 25
=
=

q








Funcionare n clas B

133 DCE
curs 1


ETAJE FINALE
CLAS B


Se mai numete i etaj
de simetrie complementar
deoarece folosete dou
tranzistoare complementare cu
parametrii similari (pnp, npn)








134 DCE
curs 1

Obs
1. pe durata cte unei semialternane tranzistorul funcioneaz n
conexiune CC.
2. pentru a asigura o excursie simetric la ieire tensiunile celor dou
surse de tensiune se iau egale E E E = = +
3. Datorit tensiunii de deschidere semnalul de ieire va prezenta
distorsiuni neliniare, aa numitele distorsiuni de racordare.

4. distorsiunile de racordare pot fi diminuate prin prepolarizarea
tranzistoarelor finale (aducndu-se uor spre limita de conducie).
Polarizarea tranzistoarelor final prezint dezavantajul c poate
conduce la ambalarea termic a tranzistoarelor.

5. Exist posibilitatea alimentrii etajului de ieire de la o singur
surs de alimentare.

6. ponderea distorsiunilor de racordare (de trecere) scade pentru
semnalele de intrare mai mari.

7. Pentru semnale de intrare foarte mari apar distorsiuni datorate
intrrii tranzistoarelor n saturaie.


135 DCE
curs 1

ETAJE DE IEIRE N CONTRATIMP
CU TRANZISTOARE COMPUSE


Etajul de ieire prezentat anterior necesit o putere de comand
nsemnat de la etajul prefinal care n precede. Pentru a diminua aceast putere
de comand se utilizeaz aa-numitele tranzistoare compuse. Acestea constituie
combinaii de dou sau chiar trei tranzistoare astfel conectate nct echivaleaz
funcional cu un tranzistor dar care necesit un curent de comand de baz
substanial mai redus.

Se constat uor reducerea substanial a
curenilor de comand dar n acelai timp
circuitul prezint dezavantajul nserierii a dou
jonciuni emitoare fapt ce reduce panta
tranzistorului echivalent.



Obs

Tipul tranzistorului echivalent este dat de tipul tranzistorului conectat n
baz.



ETAJ DE IEIRE CU TRANZISTOARE
136 DCE
curs 1
CVAZICOMPLEMENTARE







Obs
1. schema de mai sus se justific prin faptul c tranzistoarele de tip
npn, de putere, sunt mult mai performante comparativ cu
tranzistoarele pnp prin urmare ori de cte ori este posibil vor fi
utilizate n etajele de ieire npn.
2. dezavantajul schemei l constituie lipsa de simetrie n ce privete
cele dou intrri.



ETAJUL DE IEIRE CU TRANZISTOARE
CU SIMETRIE COMPLEMENTAR



137 DCE
curs 1


Tipul dubletului e dat de tipul tranzistorului din baz. Avantajul este c
avem doar o simetrie a intrrilor i faptul c avem conectat cte o singur
jonciune emitoare la intrare.


RELAII ENERGETICE
PENTRU ETAJUL CLAS B



n cele ce urmeaz vom neglija influena distorsiunilor de racordare
considernd c fiecare tranzistor conduce exact o semiperioad i vom calcula
puterea activ, puterea disipat, puterea absorbit de la surs, randamentul,
factorul de utilizare.
1.
( ) 1 ,
2 2
; ;
2
2 2 2
2 2
= =

=
= = = =
K
R
E
P
R
E K
P
E
u
K E K u
R
u
R
U
P
L
om
L
o
om
om
L
om
L
o
o

2.
L L
om
L
om
A
R
E K
E
R
u
E E
R
u
P
2
2 2 1 1
= = + =
t t t t

3.
4 2
2
2
2 2
t
t
q
K
R
E K
R
E K
P
P
L
L
A
o
=

= =
4.
|
|
.
|

\
|
=

= =
4 2
2
2 2 2 2 2
t
t t
K
K
R
E
R
E K
R
E K
P P P
L L L
O A D

Obs
138 DCE
curs 1
Din ultimele relaii se constat c puterea absorbit de la surs crete
proporional cu semnalul n timp ce puterea disipat pe cele dou tranzistoare
nu este maxim pentru semnal maxim de intrare, dependena fiind mai
complicat.

t
t
t
t
t
1
4
4
2
0
4
2
1
2
=
|
|
|
|
.
|

\
|

=
=
|
.
|

\
|
=
A Am Am m
Am
D
P P P
K
P
dK
dP


( )
Dm Dm om
om
L L
Dm
L
Am Am Dm
Am D
L
Am Am A
C
om om o
P P P
P
R
E
R
E
P
R
E
P P P
K
K k P P
R
E
P KP P
R
E
P KP P
5 , 2
4
1
4 4 2
2 1 1 4
4
2
637 , 0
2
4
2
,
2
,
2
2
2
2
2
2
2
2
*
2
2
2
~ =
= = =
= =
|
.
|

\
|
=
= =
|
.
|

\
|
=
= =
= =
t
t t t
t t t t
t
t
t
t
t

Obs:
1. dac constanta de timp termic a dispozitivelor semiconductoare
este mult mai mare dect pe d. corespunztoare celei mai joase
frecvene din spectrul semnalului astfel nct nclzirea
139 DCE
curs 1
tranzistorului 2 urmrete n medie puterea disipat atunci condiia
de funcionare sigur este ca
Dadm om Dadm Dm
P P P P s s 4 , 0 ; .
2. Din relaia (2) rezult c etajul de ieire nu tolereaz scurtcircuit la
ieire, fapt care ar conduce la o cretere inacceptabil a puterii
disipate.
Dadm
L
Dadm om
P
R
E
P P
s
s
5 , 2
2
5 , 2
2
( ) 3
5
2
min
Dadm
L
P
E
R =




Etaje de ieire de clas A B






Aceste etaje funcioneaz ntr-un regim care se situeaz ntre regimul de
funcionare clas A i regimul de funcionare clas B (mai aproape de clas B,
n lipsa semnalului tranzistoarele nc conduc puin). Etajele n clas AB
prezint distorsiuni de racordare mai reduse.
140 DCE
curs 1
Aceste distorsiuni sunt cu att mai sczute cu ct tranzistoarele conduc
mai mult n lipsa semnalului. Acest fapt poate conduce ns pe de alt parte la
pericolul ambalrii termice. n clas AB randamentul este i el ceva mai sczut.
Dezavantajul schemei l constituie instabilitatea funcionrii cu
temperatura.

|
|
.
|

\
|
+ =
+
=
2
1
2 1
2
1
R
R
u u
R R
R
u u
BE D
D BE


Neajunsul schemei l constituie lipsa unui control facil al tranzistorului
de prepolarizare. Acest neajuns poate fi eliminat nlocuind cele doua diode cu o
superdioda.



Bootstraparea etajului final




Bootstraparea este o metod de a obine
excursia maxim posibil la ieire n condiiile n
care se utilizeaz aceleai tensiuni de alimentare.

Vom considera situaia n care conduce
T
1
. Care este valoarea tensiunii de comand?
( ) 1 E u E u u
ces BE icm
> + =
Din relaia (1) rezult c etajul prefinal ar
trebui alimentat cu o tensiune E E > ' pentru a
putea asigura comanda necesar pentru excursia maxim la ieire.
141 DCE
curs 1
Pe de alt parte excursia de la ieirea etajului prefinal este diminuat
fa de tensiunea de alimentare ca urmare a dreptei de sarcin dinamic.



Protecia etajului de ieire la scurtcircuit

Exist mai multe metode de protecie:
1. Rezistene introduse n circuitul de colector i care limiteaz
valoarea curentului i deci puterea disipat pe tranzistoarele finale.
Dadm
L C
P
E
R R
5
2
min
= > Soluia este simpl, dar diminueaz excursia la
ieire.
2. Cu elemente neliniare.
1
3
1
3 1 1
1
1 1 3 1 1
E
D
E
D D BE
C
E C D D BE
R
u
R
u u u
i
R i u u u
~
+ +
=
= =

142 DCE
curs 1


3. Cu tranzistoare.

n lipsa unui scurtcircuit, la ieire curenii de colector se situeaz n
limite normate i n consecin tranzistoarele T
4
i T
5
sunt blocate.
143 DCE
curs 1
Creterea curenilor ca urmare a unui scurtcircuit determin intrarea n
conducie a lui T
4
,T
5
i n consecin untarea curentului de comand pentru T
1

i T
2
urmat de limitarea curenilor de colector.





Zgomotul electric


Def. Zgomotul n sens restrns nseamn un semnal electric fluctuant cu
o variaie ntmpltoare n timp. Originea zgomotului se regsete n
fenomenele microscopice din elementele de circuit. n sens larg, zgomot
nseamn orice perturbaie chiar dac nu poate fi pus n eviden pe cale
acustic.


Surse de zgomot


n circuitele electronice, principalele surse de zgomot sunt rezistoarele,
tranzistoarele, diodele, diodele Zenner etc.. n cele ce urmeat vom aborda
problema zgomotelor rezistorului.
Zgomotul generat de un rezistor este de natur termic, adic depinde de
temperatur i este independent de frecven (zgomot alb) zgomotul nu depinde
de regimul electric al rezistorului ci exclusiv de temperatur.
Schema echivalent
144 DCE
curs 1

( ) 2
4
2
R
f KT
I
z
A
=

( ) 1 4
2
R f T K U
z
A =
K- constanta lui Boltzmann
T- temperatura absolut
R- valoarea rezistenei

Obs.
1. Elementele reactive nu sunt surse de zgomot.
2. n mod riguros f A nu este identic cu banda de trecere a
amplificatorului.
3. Relaia (1) i (2) i pstreaz valabilitatea i n situaia n care R
reprezint ansamblul de rezistene.
2 1
R R R
E
+ =

145 DCE
curs 1
Sursele de zgomot sunt necorelate ntre ele i n consecin se poate
aplica principiul suprapunerii efectelor.
Vom aplica acest principiu la echivalarea puterilor disipate n cele dou
circuite.
( )
e z
z
z
z z z
z z z
R f T K U
R f T K U
R f T K U
U U U
R R
U
R R
U
R R
U
e
e
e
A =
A =
A =
+ =
+
=
+
+
+
4
4
4
1
2
2
2
1
2
2 2 2
2 1
2
2 1
2
2 1
2
2
1
2 1
2 1


n mod similar se justific afirmaia pentru dou sau mai multe
rezistoare conectate n paralel. Se lucreaz de aceast dat cu modelul surs de
curent.



Calculul factorului de zgomot


Factorul de zgomot este parametrul prin care se apreciaz performanele
de zgomot ale unui amplificator.

2 2
2
1
1
A U
U
F
F
P
P
F
zgo
zto
zgo
zto

> =

n general din punct de vedere al zgomotelor unui amplificator este
apreciat pe baza urmtoarei scheme echivalente. Studiul zgomotelor se face
ntotdeauna pentru ansamblul generator-amplificator.
146 DCE
curs 1
t - total
g generatorului


( )
( ) 1 1
4
4
1
4
1
2
2 2
2
2
2
2 2
2
2
2
2
2
2 2 2 2
2 2
2
Zp
g
g
ZD
z
g
z g
g
z
g zg
zg
z g
zg
z
zg
L
L
z g z zg
zg
zto
R
R
R
R
I
R f T K
I R
R f T K
U
F
R f T K U
U
I R
U
U
U
R
A
R
A
I R U U
U A
U
F
+ + =
A

+
A
+ =
A =

+ + =

+ +
=

=

Relaia (1) reprezint factorul de zgomot al amplificatorului exprimat n
funcie de rezistena generatorului i rezistenele
ZD
R ,
Zp
R Care caracterizeaz
amplificatorul din punct de vedere al zgomotului.
Se constat c valoarea lui F depinde de rezistena generatorului.
Exist un
g
R optim pentru care F este minim.

( ) 2
0
1
2
Zp ZD g
Zp g
ZD
g
R R optim R
R R
R
dR
dF
=
= + =

n situaia n care optim R R
g g
= optim i F va fi diferit de F minim.
147 DCE
curs 1

Zp
ZD
Zp
Zp ZD
Zp ZD
ZD
R
R
R
R R
R R
R
F 2 1 1
min
+ =

+ =
Zgomotul tranzistorului bipolar


Sursele de zgomot ce caracterizeaz un tranzistor bipolar se introduc cel
mai frecvent n modelul cu parametrii naturali.


( )
( ) 2
1
2
4
1000 500
1
2
1
4
2
'
2
|
|
.
|

\
|
+
A
=

|
|
.
|

\
|
+ A =
=
=
|
=
f
m
z
t
m
bb z
g
f T K
I
Hz cst f
g
R f T K U

n cazul tranzistorului bipolar se pot defini mrimile
m
bb zs
g
R R
2
1
'
+ =

min
; 1
1
2
F F
R
R
R
R
F
g
R
zp
g
g
zs
f
m
zp
+ + =
|
|
.
|

\
|
+
=
=
=
|

Obs.
148 DCE
curs 1
1. Deoarece factorul de zgomot depinde de mrimile
m
g i | mrimi
care la rndul lor sunt determinate de curentul de colector, nseamn
c exist o valoare a curentului de colector
c
I pentru care F=F
min
.
2. n cataloage se specific o serie de informaii privind zgomotul
tranzistoarelor bipolare.


3.
4.
3. ntr-un amplificator principalele
surse de zgomot sunt rezistenele.
4. Pentru a obine un amplificator nezgomotos se minimizeaz efectul
surselor de zgomot i se caut s se fac adaptarea cu rezistena
generatorului de semnal pentru a se obine F
min
.
Se demonstreaz c n cazul unui amplificator cu mai multe etaje
zgomotele primului etaj influeneaz n cea mai mare msur performanele de
zgomot ale amplificatorului.

2
1
2
2
2
1
A
F
R
R
F F
g
g
+ =

149 DCE
curs 1
Amplificatoare cu reacie


Ne vom ocupa n cele ce urmeaz de reacia negativ aplicat
amplificatorului.
Avantaje
- insensibilitatea valorii amplificatorului la modificri ale parametrilor
elementelor de circuit.
- sunt diminuate efectele perturbaiilor i a zgomotelor.
- sunt reduse de asemenea distorsiunile neliniare.
- Reacia negativ permite modificarea facil (creterea sau scderea)
a rezistenelor de intrare respectiv de ieire.

Dezavantaje
- Reacia negativ reduce amplificarea existnd pericolul intrrii
amplificatorului cu reacie, n oscilaie.

Teoria reaciei


Def. Se nelege prin reacie procesul de aducere la intrarea
amplificatorului a unui fraciuni din mrimea de la ieirea acestuia.
Prin intermediul unui circuit anume desenat sau prin cuplaje parazite, n
ultimul caz reacia se numete reacie parazit.


( ) ( )
( )
( )
( ) 1
1
1
; ;
A
A
X
X
A
X A A X
X X A X X A X A X
X
X
A
X
X
X
X
A
i
O
r
i O
O i r i O
i
O
r
O
r O
|
|
|
|

= =
= =
+ = + = =
= = =
150 DCE
curs 1

Cazul funcionrii n limitele benzii de trecere cnd A este real i s
considerm, de asemenea, c i 9 e |
I
0 , 0
0 , 0
0
< >
> <
<
|
|
|
A
A
A

Cazul 0 < | A : nseamn c semnalul adus prin bucla de reacie, se
scade din semnalul existent la intrare, i prin urmare, reacia introdus este
reacie negativ.
n aceast situaie amplificarea amplificatorului cu reacie scade.
A A
A
A
A
r r
<
+
=
| 1


II
0 , 0
0 , 0
0
> >
< <
>
|
|
|
A
A
A


Cazul corespunde n afara benzii de trecere i mrimile A, | nu mai
sunt reale.
( )
( )
( ) ( )
( ) 2
1 = = |
=
=
j A j
j A
j A
r

=
Se contat din relaia (2) c de aceast dat reacia depinde de frecven.
Exist o pulsaie = pentru care se anuleaz numitorul relaiei (2).
( ) ( ) ( ) = = = = | j A j A j
r
1 ceea ce nseamn c amplificatorul cu
reacie se transform n oscilator. Aceast situaie trebuie evitat.

( ) ( )
( ) ( )
|

= | = |
= =
j
j
e j j
e j A j A
A
=
=

Condiia de operaie a oscilaiilor:
( ) ( ) ( ) ( ) 1 1 = = = | = = | = j j A j j A condiia de amplitudine.
( )

360 0 = +
B A
condiia de faz.
A A
A
A
A
r r
>

=
| 1
151 DCE
curs 1

Obs
Pentru a preveni apariia oscilaiilor trebuie evitat satisfacerea
simultan a condiiilor a condiiilor de oscilaie.
Acest lucru nseamn: ( ) ( )

360 ; 1 < + =
B A
j j A = | =
n cazul unui amplificator cu reacie negativ se introduce n principiu
un defazaj de 180
o
. n aceast situaie evitarea oscilaiilor nseamn c
( ) ( ) 1 = = | = j j A ( ) ( ) < + < + + 180 360 180
sup sup l B A l B A

1. Produsul A | se mai numete amplificarea n bucl deschis sau
transmisie pe bucl.
2. Diferena
e
A | = 1 se numete factor de desensibilizare sau
diferen de ntoarcere.


Efectele reaciei negative


Stabilizarea amplificrii
Vom considera cazul simplificat, cnd A i 9 e |
( ) ( )
( )
;
1
1
1
1 1
1
1
1
1
;
; ; ;
1
2
2 2
A
A
A
A
A A
A
A
A
A dA
A dA
dA
A
dA
A
A A
dA
A
A
A
A
A A A A
A
A
A
r
r
r r
r
r
r
r r r
A

= A

=
A
A
A

=

+
=
A

A
A A

=
| |
|
| |
| |
|

Obs
n cazul reaciei negative vom avea c 1 1 1 >> + A A | |
152 DCE
curs 1
Are loc o desensibiliyare a amplificrii. Mai mult dect att
|
|
|
|
| |
|
1
0 , 0
1
0 , 0
;
1
; 1
= < >
= > <
~
+
= >>
r
r
r
A A
A A
A
A
A
A
A A

| este o m[rime pe care o putem controla cu mare precizie. De regul,
raportul de dou rezistene i prin urmare amplificarea cu reacie poate fi fcut
extrem de stabil.

Reducerea perturbaiilor i o distorsiunilor neliniare

Se consider mai nti efectul de reducere a perturbaiilor.

Vom considera 9 e | , ,
2 1
A A
Schema anterioar este echivalent cu schema:

Circuitul fiind liniar putem aplica principiul suprapunerii efectelor i
vom
avea:
153 DCE
curs 1
( ) 1
1 1 1 1
2 1
2 1
2 1 2 1
2 1
1 2 1
2 1
2 1
2 1 3 2
1
A A
A A
A A
u
A A
A A
A
u
A A
A A
u
A A
A A
u u
p p
p i o
| | | |
+

=

Din relaia (1) se consider c perturbaiile sunt mai slab amplificate
relativ fa de semnalul util cu att mai mult cu ct ele se situeaz mai aproape
de ieire. Cu alte cuvinte, perturbaiile sunt cu att mai reduse cu ct ele se
situeaz mai aproape de ieire. Aceast afirmaie este adevrat i pentru
distorsiunile neliniare care pot fi echivalate printr-un semnal perturbator cu
acelai efect la ieire ca i distorsiunile.


Efectul reaciei negative asupra
caracteristicii de frecven


Vom considera pentru nceput comportarea la nalt frecven. Cazul
unui amplificator avnd funcia de rspuns la frecven cu un singur
pol.
( ) ( )
( )
( )
( )
( ) ( )
( ) ( )
i i
i
r
i
i
i
i
r
i
T A T j A j A
T j
A
A
T j
A A T j
A A
T j
A
T j
A
j A
j A
j A
j
T j
A
j A
= = =
=
|
=
| | =
=
|
= = |
=
=
| = |
=
=
lg 20 lg 20 1 log 20 log 20 log 20
1
1
1
1
1 1
1
1
1
1 1
1
1
2
= + =
+
=

+

=
+

+
=

=
=
+
=

154 DCE
curs 1

( )
r
i
ir ir
ir
A
A
A
A A T
T
A
T
lg 20
1
lg 20
1 lg 20 lg 20
1
log 20 lg 20
1
=

=
= = = =
|
| = =


Obs
Se constat c reacia negativ mrete de | A 1 ori frecvena limit
superioar a benzii de trecere.

Analiza la joase frecvene

Presupunem o funcie cu rspuns la frecven cu un singur pol.
155 DCE
curs 1

( ) ( )
( )
( )
( ) ( )
( )
( )
( )
jr
jr r
r
j
j
j j
j
j
j
j
j
r
j
j
T j
T A
j A
A T j
A T j
A
A
T j A T j
T j
A
T j
T j
A
T j
T j
A
j A
j A
j A
A
T j
T j
j A
=
=
| =
| =
|
= | =
=
=
=
|
=
=
= |
=
=
=
=
=
|
+

=
+

=
+
=
+

+
=

+
=
9 e
1 1 1
1
1
1
1
1
1
1 1
1
1

Obs
Cele spuse mai sus i pstreaz valabilitatea cu mici diferene i n
cazul amplificatoarelor cu mai multe etaje. Aceste diferene vizeaz alura
caracteristicii de frecven.
156 DCE
curs 1






Rezolvarea amplificatoarelor cu
reacie negativ



A rezolva un amplificator cu reacie negativ nseamn ai calcula
principalii parametrii: rezistena de intrare, de ieire i o amplificare.

Metode
1. ecuaiile de circuit bazate pe legile electrotehnicii. Aceast metod
conduce la calcule complicate iar pe de alt parte nu permite
stabilirea unor concluzii utile n studiul altor proprieti ale
amplificatorului cu reacie (ex. analiza stabilitii amplificatorului).
2. topologic evit dezavantajele de mai sus ns nu conduce la
rezultate exacte dar permite o precizie acceptabil din punct de
vedere aplicativ.

157 DCE
curs 1
Metoda topologic presupune separarea amplificatorului cu reacie n
aa-zisul amplificator de baz i cuadripolul de reacie, dup care se aplic o
metod de rezolvare formal. Aceast metod se bazeaz pe ipoteza
unilateralitii ceea ce nseamn c n cazul amplificatorului de baz exist
transmisie de semnal exclusiv de la intrare spre ieire i c n cazul
cuadripolului de reacie, semnalul se transmite de asemenea de la intrarea
cuadripolului spre ieire. Ipoteza unilateralitii este cu o bun aproximare
valabil n cazul amplificatorului de baz iar n cazul cuadripolului de reacie
sunt situaii n care aceast ipotez nu este total satisfcut. De aici apar de
altfel erorile prezentate de aceast metod topologic.


Clasificarea amplificatoarelor cu reacie negativ


Obs
Deoarece mrimile de intrare ct i cele de ieire sunt tensiuni i cureni,
exist patru tipuri de amplificatoare cu reacie. Tipul amplificatorului cu reacie
se specific prin dou cuvinte, primul cuvnt caracteriznd modul n care este
prelevat mrimea de la ieirea amplificatorului iar cel de-al doilea cuvnt
specificnd modul n care se aplic mrimea de reacie la intrarea
amplificatorului.
Sunt uzuali urmtorii termeni:
IEIREA
- tensiune, paralel, cu eantionare n nod.
- curent, serie, cu eantionare n bucl.
INTRAREA
- serie, comparare n bucl.
- paralel, comparare n nod.

Tipuri de amplificatoare cu reacie

1. paralel paralel
2. paralel serie
3. serie paralel
158 DCE
curs 1
4. serie serie



1. Amplificator cu reacie paralel paralel



Metoda topologic include mai multe etape.

Etapa 1. Se echivaleaz amplificatorul de baz i cuadripolul de reacie prin
scheme cuadripolare convenabile.

2 1
2 1
; :
; :
U U VD
I I VI

2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
I Z I Z U
I Z I Z U
+ =
+ =
(1) parametrii Z

0
12
2
0
=
=
=
I
i
i
i
I
U
R
Z



t
Z - impedan de transfer

0
0
=
=
=
=
i
o
I
o
o
o
I
i
o
t
I
U
R
I
U
Z


Un astfel de amplificator se numete trans impedan.
159 DCE
curs 1

2 1
2 1
; :
; :
U U VI
I I VD

2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
U Y U Y I
U Y U Y I
+ =
+ =
(2)


0 0 0
; ;
2
= = =
= = =
O I
U
r
i
of U
o
r
U
if
o
if
I
U
R
U
I
I
U
R |

Obs
Se constat c parametrii ce caracterizeaz cuadripolul de reacie se
determin n condiiile n care se scurtcircuiteaz nodurile.
Etapa 2. Se deseneaz utiliznd scheme echivalente stabilite, schema
amplificatorului cu reacie.


Etapa 3. Se redeseneaz schema amplificatorului cu reacie concentrnd
160 DCE
curs 1
anumite elemente.

i t i t
I Z I Z ' ' =
Etapa 4. Se determin n continuare parametrii acestui amplificator..
L O
L
t
L O
L
i t
i i
o
T
o
i g g i
R R
R
Z
R R
R
I Z
I I
U
Z
R
R R R R
+
=
+
= =
=
1
'

Etapa 5. Se definesc i se calculeaz parametrii amplificatorului cu reacie.
T
t
i
r
t
r i
o
g
o
tr
Z
Z
I
I
Z
I I
U
I
U
Z
| +
=
+
=
+
= =
1
1

O i g
O r
r i g
U I I
U I
I I I
+ =
=
+ =
|
|
0
1
=
=
+
=
+
= =
g
I
O
O
or
T
i
O i
i
g
i
ir
I
U
R
Z
R
U I
U
I
U
R
| |

O i g
O
i t O
O
U I I
R
I Z U
I
| = =

=
0

O
O t O
O
R
U Z U
I
| +
=
|
|
+
=
+
=
t
O
O
O t O
O
or
Z
R
R
U Z U
U
R
1

| +
=
t
O
or
Z
R
R
1
;
T
i
ir
Z
R
R
| +
=
1
;
T
t
tr
Z
Z
Z
| +
=
1
(2)

Relaiile (2) permit calculul amplificatorului cu reacie aa cum au fost
acetia definii n ultima figur.

Obs
161 DCE
curs 1
1. Se constat c n relaiile de calcul (2) intervin
parametrii
i
R ,
o
R ,
T
Z ,
t
Z , care caracterizeaz amplificatorul fr
reacie cu influena pasiv a cuadripolului de reacie inclus.
2. Pentru a evita calculul lui
t
Z ce intervine n relaia lui
or
R se
observ c:
O L
L
t T t T
R
R R
R
Z Z Z Z
L +
= =

; lim
3. In cele mai multe situaii se cer a fi calculate alte mrimi ce
caracterizeaz amplificatorul cu reacie fa de cele rezultate
aplicnd relaiile (2). Este ns relativ uor ca pornind de la mrimile
calculate s obinem mrimile dorite.


* *
ir ir g ir
R R R R =
Ex. S se rezolve urmtorul amplificator cu reacie negativ.

162 DCE
curs 1
R U
I
R R
R R
i
U
O
r
of
if
1
0
= =
=
=
=
|


Vom desena schema amplificatorului fr reacie cu influena pasiv a
cuadripolului de reacie inclus.

163 DCE
curs 1
;
i
O
T
I
U
Z =
t T
R
Z Z
L
=

lim
n ultima etap se calculeaz pe baza parametrilor amplificatorului fr
reacie cu influena inclus, parametrii amplificatorului cu reacie.
; , ,
tr of if
Z R R
n final se calculeaz mrimile dorite pe baza mrimilor cu reacie deja
calculate.

g
tr
g g
O
g
O
ur
g
O
tr
R
Z
R I
U
E
U
A
I
U
Z =

= = = ;
Reacia paralel serie



Se utilizeaz aceeai metodologie de studiu.


La fel ca i n cazul precedent, se echivaleaz amplificatorul de baz i
circuitul de reacie prin scheme cuadripolae potrivite.
Sch,sch,schsch

) 1 (
, :
, :
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
2 1
2 1
I F U F U
I F U F I
U I VD
I U VI
+ =
+ =

164 DCE
curs 1

i u i u
U
r
r
of
I
O
R
I
if
O
if
U A U A
I
U
R
U
U
I
U
R
O
r
' '
0
0
0
2
=
=
=
=
=
=
=
|

n etapa urmtoare se rearanjeaz elementele din schem.
Sch

L o
L
u
i L o
L
i u
i
o
u
o o
of i g i
R R
R
A
U R R
R
U A
U
U
A
R R
R R R R
+
=
+
= =
=
+ + =
1
'

Ultima etapa prevede calculul parametrilor amplificatorului cu reacie.



165 DCE
curs 1

( )
u
R
u
u
o
or
o
o u o
o
o i u
o
o i o i
E
o
o
or
u i
i
i
o i
i
g
ir
u
u
o i
o
g
o
ur
o i g
A A
A
R
R
R
U A U
R
U U A
I
U U U U
I
U
R
A R
R
U
U U
I
E
R
A
A
U U
U
E
U
A
U U E
L
g

=
=
+
=
+
=

=
= = +
=
+ =
+
= =
+
=
+
= =
+ =
lim
1
0
1
1
0
|
|
| |
|
|
| |
|

Reacie serie paralel

Sch,sch,sch,sch,sch

) 1 (
, :
, :
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
2 1
2 1
U H I H I
U H I H U
I U VD
U I VI
+ =
+ =

166 DCE
curs 1

0
0
0
=
=
=
=
=
=
if
r
r
I
r
r
of
U
if
R
U
if
if
if
I
U
R
I
I
I
U
R
|
Se rearanjeaz schema.

i L o
o
i I
i
o
I
o
i of g i
I R R
R
I A
I
I
A
R
R R R R
1
'

+
= =
=



167 DCE
curs 1
Se calculeaz parametrii amplificatorului cu reacie.

( )
( )
( )
i o
o
i o o
o I
o
o i i o
or
o i g
I
o
o
or
I
i
o i
i
g
i
ir
I
I
if i
o
g
o
ir
if i g
A R
I
A I R
I
I I A R
R
I I I
I
U
R
A
R
I I
U
I
U
R
A
A
I I
I
I
I
A
I I I
g
g
+ =
+
= =

=
= =
=
+
=
+
= =
+
=
+
= =
+ =
=
=
|
|
|
| |
| |
|
1
1
0
1
1
0

Obs
1. din cele prezentate pn aici s-a putu constata c pentru
determinarea elementelor componente ale cuadripolului de reacie
trebuie scurtcircuitate nodurile, respectiv ntrerupe buclele.
2. se constat apoi c reacia de tip serie mrete rezistena (de intrare
respectiv ieire)


Reacia serie serie


Sch.sch.sch.schsch


) 1 (
, :
, :
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
2 1
2 1
I Z I Z U
I Z I Z U
I U VD
I I VI
+ =
+ =

168 DCE
curs 1

0
0
0
=
=
=
=
=
=
O
r
r
I
r
r
of
I
O
R
I
O
if
if
I
U
R
I
U
I
U
R
|
' ' U Y U Y
t i t
=
n continuare se rearanjeaz
schema.


i L o
o
i I
i
o
T
o o
i of g i
U R R
R
U Y
U
I
Y
R R
R R R R
1
'

+
= =
=
+ + =


Calculul parametrilor amplificatorului cu reacie:
169 DCE
curs 1

( )
( )
( )
( )
i o
o
i o o
o I
o
o i i o
or
o i g
I
o
o
or
T i
Y
i
o
R
i
i
i
i
o i
i
g
ir
o i g
T
T
o i
o
g
o
tr
A R
I
A I R
I
I I A R
R
I I I
I
U
R
Y R
U
U
I
U
R
I
I I
I
E
R
I U E
Y
Y
I U
I
E
I
Y
g
g
T i
+ =
+
= =

=
= =
=
+ = + =
+
= =
+ =
+
=
+
= =
=
=
|
|
|
| |
|
|
| |
1
1
0
1
1
0


STABILITATEA AMPLIFICATORULUI CU
REACIE



170 DCE
curs 1
n situaiile practice, reacia negativ se poate transforma printr-o
anumit pulsaie n reacie pozitiv, situai n care amplificatorul devine
oscilator.
9 e
+
= A
A
A
A
r
, ;
1
|
|

- reacie negativ 0 < | A
- A
A
A
A
r
<
+
=
| 1










n aceast situaie amplificatorul funcioneaz necondiionat, stabil.
La marginile benzii de trecere intervine efectul elementelor reactive din
circuitele amplificator i prin urmare amplificarea va fi complex.

( )
( ) ( )

= +
=
=
=
=
faza de conditie 3 360 0
e amplitudin de conditie 2 1
1
oscilator in a transform se amplif. 0 1
) (
|

|
|
| =
=
A
A
A
A
j A A

171 DCE
curs 1
Problema stabilitii amplificatorului cu reacie poate fi studiat prin
mai multe metode:
- metoda locului rdcinilor. Este o metod foarte matematizat,
utilizat cu precdere n automatic.
- criteriul lui Nyquist.
- metoda diagramelor Bode.

Ultimele dou metode prezint avantajul c pentru studiul stabilitii
utilizeaz caracteristicile de frecven ale amplificatorului, care pot fi
determinate experimental i prin urmare aceste metode au o larg aplicabilitate.


CRITERIUL LUI NYQUIST



172 DCE
curs 1
Un amplificator cu reacie negativ este stabil numai dac hodograful
transmisiei pe bucl, ( ) ( ) ( ) = | = = = j j A j = , nu ocolete punctul critic(-1, 0).
Pentru a preveni apariia oscilaiilor este necesar ca cele dou condiii de
amplitudine i de faz s nu fie satisfcute simultan. n cazul unui amplificatro
cu reacie negativ se introduce din principiu un defazaj de 180 pe bucla
amplificare circuit de reacie.
) ' 3 ( 180 360 180
sup sup
= = + = +
l l A

|

(3) condiia de faz a unui amplificator cu reacie negativ.

) 5 ( 180 , 1
) 4 ( 180 , 1
sup
sup
> <
< >
l
l
A
A
|
|

Relaiile (4) i (5) pot fi puse n legtur cu hidrograful lui Nyquist i
pe aceast baz rezultnd justeea criteriului lui Nyquist.
Pe baza hidrograful lui Nyquist pot fi definii nite parametrii ce
caracterizeaz stabilitatea amplificatorului.
Un amplificator cu reacie negativ este cu att mai stabil cu ct rezerva
de faz i rezerva de amplitudine au valori mai mari.

( )
( ) ( ) ( )
( )
( ) 1
arg 180
log 20 1 log 20 180 arg
1
log 20
* * * *
* *
* *
*
=
+ =
= = = =
= =
=
= = =
=

j w
j w R
j w j w
j w
R
a

Pentru ca amplificatorul cu reacie s fie stabil este necesar ca
a
R s fie
mai mare ca 0.








173 DCE
curs 1

Studiul stabilitii utiliznd caracteristicile Bode


Studiul stabilitii pe baza criteriului lui Nzquist poate fi extins la
caracteristicile de frecven ale lui ) ( = j w
( ) * log 20 = j w R
a
=

n situaia din figur, 0 <
a
R i prin urmare amplificatorul este instabil.

Obs
n aplicaiile practice se lucreaz de regul cu o rezerv de faz
= 45

R i dB R
a
20 =









174 DCE
curs 1


Studiul stabilitii pe baza caracteristicilord e frecven ale
amplificatorului de baz



Avantajele acestui studiu sunt legate de faptul c n timp ce
caracteristicile de frecven a lui ( ) = j w trebuie msurate, caracteristicile de
frecven ale amplificatorului de baz sunt disponibile ca date de catalog.
Metoda este aplicabil numai n cazul ( ) | = | = j real (situaia cea mai
frecvent ntlnit n aplicaiile practice).


( ) ( ) ( ) | |
( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( ) = =
| = =
|
= | = =
j A j w
j A j w
dB j A j A j w
arg arg
1
log 20 log 20 log 20
=
=
= =

Pentru simplitatea expunerii vom considera cazul unui amplificator
avnd funcia rspuns la frecven cu mai muli poli. Se va considera de
asemenea c aceti poli sunt suficient de ndeprtai ntre ei nct s nu se
influeneze.

175 DCE
curs 1
Caracteristica amplificare frecven a amplificatorului de baz
reprezint fa de axa corespunztoare lui
|
1
chiar transmisia pe bucl ( ) = j w
i prin urmare n aceste condiii putem face studiul stabilitii.
Pentru amplificarea cu reacie (1) amplificatorul cu recie este stabil.
Se constat c pericolul instabilitii amplificatorului cu reacie apare la
valori mici ale amplificrii, de aceea n cataloage se specific frecvent c
amplificatorul e stabil pn la o amplificare minim, de regul 1. (fr circuite
suplimentare de evitare a oscilaiilor)


Compensarea (corecia amplificrii cu reacie)



n situaia n care ca urmare a amplificrii reaciei amplificatorului
devine instabil, se procedeaz la corecia lui, la compensarea lui n scopul
asigurrii stabilitii n funcionare.
Problema se rezolv n principiu acionnd asupra caracteristicilor de
frecven ale amplificatorului de baz, n sensul ca, caracteristica amplificare
frecven s cad mai repede n raport cu caracteristica de faz frecven.
Exist mai multe metode de corecie i compensare:



Corecia cu pol dominant

Aceast metod presupune introducerea n funcia rspuns la frecven a
amplificatorului necorectat a unui pol situat la frecvene mult mai joase fa de
primul pol din funcia rspuns la frecven.
176 DCE
curs 1

( ) ( )
( )
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
=
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
=
3 2 1
3 2 1
1 1 1 1
1
1 1 1
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
j j j j
A
j A
j j j
A
j A
d
C


1
= = <<
d

n lipsa coreciei, pentru valoarea dorit a amplificrii cu reacie,
amplificatorul este instabil 0 <
a
R
Pulsaia polului dominant se stabilete n aa fel nct s fie asigurat o
rezerv de faz de 45

177 DCE
curs 1

A
A
A
A
A
A
A
j
A
r
d r
d
r
d
d d
1
1
log 20 log 20 :
log 20
1
log 20
= =
=
=
=
=
= =
=
=
=
=
= =
= =
=
+


Metoda s implementeaz fizic conectnd un condensator ntre dou etaje
succesive ale amplificatorului. Amplificatoarele integrate au prevzute n acest
scop un terminal coresunztor.












IMPLEMENTAREA METODEI



Compensarea cu poli dominant se realizeaz prin conectarea unui
condensator de compensare ntre dou etaje succesive ale amplificatorului.
178 DCE
curs 1

) 2 (
1 1 1 1
) (
) 1 (
1 1 1
) (
3 2 1
3 2 1
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
=
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
j j j j
A
j A
j j j
A
j A
d
C


0 0 0 0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
R R C j R R
R
R R C j R R
R
C j
R
R
C j
R
C j
R
C j
R
R
C j
R
C j
R
i C i
i
i C i
i
C
i
C
i
C
i
C
i
C
i
C
i
= =
=
=
=
=
=
=
+

+
=
+ + +
=
+
+
+
=
+

+
+

d
d
d C i
T
T C R R
1
0
=
=
=


Obs.
1. Principiul ce st la baza metodei de corecie sau de compensare cu
poli dominant const n forarea cderii caracteristicii de amplitudine mai rapid
dect cade caracteristica de faz. Metoda de corecie prezint dezavantajul c
reduce drastic banda de trecere (la = dominant). Poziia polului dominant se
179 DCE
curs 1
alege dintr-un compromis. O valoare ct mai mic pentru
d
= conduce la o mai
bun stabilitate dar n acelai timp o band de trecere mai sczut.
2. Condensatorul de compensare
C
C se amplaseaz n aa fel nct
capacitatea necesar s rezulte de valoare ct mai mic.


METODA DE COMPENSARE CU POLI I 0


Metoda de compensare cu poli i 0 este similar compensrii cu pol
dominant. Singura diferen care apare este c pe lng polul dominant se
introduce n funcia rspuns la frecven i un 0 care anuleaz polul
1
= din
funcia rspuns la frecvena necorectat.
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
=
=
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
=
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
=
3 2
3 2 1
3 2 1
1 1 1
1 1 1 1
) (
1 1 1
) (
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
j j j
A
j j j j
A
j A
j j j
A
j A
d
d
C

n raport cu ultima relaie, metoda de compensare este identic cu cea de
la corecia cu pol dominant cu singura diferen c polul
1
= este substituit cu
polul
2
= n consecin
d
= poate lua valori mai mari i prin urmare
amplificatorul corectat rezult cu o band de trecere mai larg.


IMPLEMENTAREA METODEI

180 DCE
curs 1


Implementarea este similar coreciei pol dominant cu diferena c, n
loc de condensatorul
C
C se conecteaz o rezisten n serie cu un condensator.

( )
( )
d
d d i C C
C
C C C
i C C
C C
T
T R R R C
T
T C R
R R R C j
R C j
1
; ;
1
1
1
0 1
0
= = + =
=
+ +
+
= =
=
=






CORECIA CU AVANS DE FAZ


Aceast compensare se realizeaz conectnd un condensator n paralel
cu rezistena din circuitul de reacie la reaciile de tipul paralel-paralel, paralel-
serie i serie-paralel i respectiv o inductan n serie cu rezistena, la reacia de
tipul serie-serie.

181 DCE
curs 1


Obs.
1. Cuadripolul de reacie coninnd elemente reactive nseamn c nu ne
mai situm n cazul
9 e | Studiul
stabilitii, prin urmare,
nu se mai poate face
utiliznd caracteristicile
de frecven ale
amplificatorului de baz,
ci utiliznd funcia
( ) ( ) ( ) = | = = j j A j W =
2. Cuadripolul coninnd
elemente reactive,
acestea vor influena
comportarea cu
frecvena a amplificatorului de baz, ceea ce nu era cazul pn n
momentul de fa.



182 DCE
curs 1
Din nefericire, aceste modificri (introduceri de poli i 0 n funcia rspuns
la frecven) se manifest la frecvene mari dac capacitatea
C
C este luat mare
de
fapt aceast influen fiind neglijabil.



( )
( )
( )
A A
R R C T
j j j
A j W
T
T C R
R R C j
R C j
R R
R
j j j
A
j W
R C j
R
C j
R
C j
R
C R
R R C j
R C j
R R
R
R R C j R
R C j R
R C j
R
R
R
U
U
j
j j j
A
j A
C

C
C C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
I
i
O
r
~
=
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
=
=
=
+
+

|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
=
+
=
+

=
+
+

+
=
+ + +
+
=
+
+
= =
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
=
=
'
1 1 1
1
'
1
;
1
1
1 1 1
1
1
1
1
1
1
1
1
) (
1 1 1
) (
1 1
3 1
2
1
2 1
1
1 2
2
3 2 1
1
1
1
1
1
2 1
1
1 2
2
1 1 2
1 2
1
1
2
2
0
3 2 1
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
= |
=
=
=
=
=
=
=
183 DCE
curs 1




Obs.
Metoda cu avans de faz prezint dezavantajul
major c pe lng prevenirea apariiei oscilaiilor
mrete banda de trecere a amplificatorului cu reacie
corectat.





OSCILATOARE ARMONICE



Oscilatoarele armonice sunt circuite ce genereaz semnal de form
ideal la ieire, pe seama unui consum de la sursa de tensiune de alimentare.
( ) t u t u
m
= sin
0 0
=
184 DCE
curs 1

Un asemenea circuit oscilator trebuie neaprat s includ dispozitive
electronice active pentru a putea genera tensiunea sinusoidal.

CLASIFICAREA OSCILATOARELOR ARMONICE

1. Dup principiul de funcionare:

- Oscilator cu amplificator cu reacie pozitiv
- Oscilator cu dispozitive ce prezint rezisten negativ

2. dup domeniul frecvenelor generate:

- Oscilator de audio-frecven ( limita superioar 1 MHz)
- Oscilator de radio-frecven ( limita superioar 1GHz)
- Oscilator cu frecvene mai mari de 1 GHz

n cele ce urmeaz vom aborda exclusiv problema oscilatoarelor cu
amplificator cu reacie pozitiv .Acestea includ un amplificator de baz i un
circuit de reacie. Dependent de tipul circuitului de reacie oscilatoarele se
clasific n:
- Oscilatoare RC
- Oscilatoare LC

Primul tip de oscilator utilizeaz drept circuit de reacie o reea RC. Al
doilea tip de oscilator folosete n bucla de reacie pozitiv circuite oscilante
LC.
oscilator j j A
j j A
j A
j A
r
r
=

=
1 ) ( ) (
) 1 (
) ( ) ( 1
) (
) (
= | =
= | =
=
=

Condiii de apariie a oscilaiilor:
185 DCE
curs 1
( ) faza de conditia 2 0
e amplitudin de conditia 1 ) ( ) (
B A
t
= | =
= +
= j j A

( ) t
= | = |
= =
|

|
2 0
) ( ) (
) ( ) (
A
A
= +
=
=
j
j
e j j
e j A j A

n situaiile practice, realizarea riguroas a condiiei de amplitudine este
practic imposibil avnd n vedere imperfeciunile circuitelor electronice.
Pentru a asigura amorsarea oscilaiilor se ndeplinete condiia:
amorsare de conditia - ) 3 ( 1 ) ( ) ( > = | = j j A

Condiia de amorsare a oscilaiilor presupune c amplificarea
amplificatorului este mai mare dect atenuarea
) (
1
= | j
a cuadripolului de
reacie.
n aceste condiii amplitudinea oscilaiilor tinde s creasc, amplificatorul de
baz intrnd n limitare. Acest fapt echivaleaz cu scderea amplificrii,
amplitudinea oscilaiilor stabilizndu-se la o valoare pentru care condiia de
amplitudine este riguros satisfcut.
Acest echilibru este dinamic, asigurnd prezena oscilaiilor chiar i n situaia
n care amplificarea respectiv atenuarea reelei de reacie sufer variaii.
Stabilitatea funcionrii este asigurat n acest fel, iar preul pltit l constituie
apariia distorsiunilor neliniare n semnalul generat ca urmare a intrrii n
limitare.


186 DCE
curs 1
Teoria oscilatorului



Ne vom referi n cele ce urmeaz la oscilatoarele realizate cu
amplificatoare cu reacie pozitiv.
1. Condiia de amorsare a oscilaiilor.
2. Frecvena oscilaiilor.
3. Stabilitatea dinamic a oscilaiilor.
4. Stabilitatea amplitudinii i frecvenei oscilaiilor.
5. Distorsiunile semnalului oscilant.

Modele de studiu

Teoria liniar a oscilatorului

Conform acestei metode, dispozitivele electronice din oscilator se
modeleaz prin scheme liniare echivalente de semnal mic. Rezult n
consecin un circuit liniar care poate fi studiat utiliznd legile electrotehnicii.
Metoda are ns limitri avnd n vedere c oscilatorul funcioneaz, n esen,
neliniar. Metoda permite soluionarea a 2 probleme: scrierea condiiei de
amorsarea a oscilaiilor i respectiv determinarea frecvenei de oscilaie.

Teoria cvasiliniar a oscilatorului

n cadrul acesteia se presupune c amplificatorul din oscilator
funcioneaz cu distorsiuni neliniare mici, care pot fi neglijate toate calculele
fcndu-se pentru prima armonic a semnalului generat.
Esena metodei o constituie dependena amplificrii de amplitudinea
fundamental.

Metoda permite soluionarea primelor patru probleme enumerate ns
aproximativ, avnd n vedere neglijarea fcut.


187 DCE
curs 1
Teoria neliniar a oscilatorului


Permite soluionarea exact a primelor patru probleme prin procedee
matematice complicate respectiv rezolvarea unor ecuaii difereniale neliniare.
Metoda ofer forma exact a variaiei n timp a oscilaiilor generate.

Teoria cvasiliniar a oscilatorului



Amplificatorul din oscilator lucreaz n limitele de trecere a benzii
rezulta amplificarea este reala.

( ) ( )
( ) ( )
( ) ( ) ( ) 2 1
1
=
=

= |
= | =
=
j u A
j j A
u A j A
om
om

La frecvene de oscilaie ( ) ) 3 ( ,
0 0
9 e = | = j rezult frecvena de
oscilaie (3)
Din condiia (3) rezult c pulsaia oscilaiilor generate este determinat
de condiia de faz.

( ) ( ) ( )
( ) ( )
( )
( )
0
0
0
1
or oscilatiil a amorsare de conditia - 1
or oscilatiil a mentinere de conditia - 4 1
= |
= |
= |
>
>
=
om
om
om
u A
u A
u A

Din relaia (4) poate fi determinat amplitudinea oscilaiilor,
( )
om om
u u A

Stabilitatea dinamic a oscilaiilor

188 DCE
curs 1
Se va presupune pentru a determina dependena amplificrii de
amplitudine a semnalului de intrare normal.


( )
( )
0
1
= |
>
om
u A
Funcionara oscilatorului n punctul p este o funcionare stabil, adic
dup dispariia perturbaiei oscilatorului revine n punctul de funcionare p.
Pentru cazul analizat amorsarea oscilaiilor se face fr aportul din
exterior.

n cazul analizat,
1
p , este punctul instabil de funcionare n timp ce
2
p
este un punct de funcionare stabil.
De aceast dat amorsarea oscilaiilor nu este cu putin fr aportul
unui semnal perturbator din exterior.


189 DCE
curs 1



Oscilatoare RC


Sunt nite circuite caracterizate de prezena celulelor RC n circuitul de
reacie pozitiv.
Clasificare:
- dup tipul reelei: - RC cu reea de defazare.
- RC cu reea selectiv.


1. Oscilatoare RC cu reea de defazare

a. Tip trece sus.

Fiecare celul RC introduce un defazaj de 60 satisfcndu-se astfel
condiia de faz pentru apariia oscilaiilor.
190 DCE
curs 1
( )
( )
( ) ( )
( )
( ) ( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
29 1
29
1
6 6
1
6
1
5
6 6
1
6
1
6 1
,
1
1
1
6 5 1
3
3
3
3
0
0
2 2 2
0
0 0
3 2 3 3
3 2 2 2 1
2 1 1
3 2
3
> >
=

=
9 e = =
+ =
+ =
+ =
+ + +
= =
A A
RC
RC
RC
RC
RC
RC
RC
C R
j
R I I
C j
I R I
R I I
C j
I R I I
R I I
C j
I U
R j R j R j
R j
U
U
j
o
C C C
C
o
r
|
|
= =
| = | = =
=
=
=
= = =
=
= |



b. Tip trece jos
c.
Frecvena de oscilaie e meninut fix din cauza dificultii modificrii
191 DCE
curs 1
simultan a valorii RC.
RC
6
0
= =

d.
( )
( )
( )
2
1
,
1
0 1
2 1
1 1
1
1
10
1 . 0
1
1 . 0
1
0 0
2 2 2
2 2 2
0 0
= = = 9 e
+
=
=
+

+
=
+

+
=
= =
| = = = |
= =
=
=
=
=
= =
=
= |
= |
RC
C R j
C R CR j
CR j
CR j
CR j
CR j
C j
R
R
R
C j
C j
j
U
U
U
U
U
U
j
r r

Obs:
1. Oscilatoarele RC cu reea de defazare se utilizeaz n general
pentru generarea unor frecvene fixe avnd n vedere dificultatea
modificrii simultane a parametrilor RC.
2. Frecvena de oscilaiile apar pentru acea pulsaie pentru care
reeaua RC introduce un defazaj de 180 respectiv 0.


2.Oscilatoare RC cu reea selectiv.


a. Oscilatoare Wien

192 DCE
curs 1

193 DCE
curs 1
( )
( )
( )
3
1
1
1
1 1
0
1
,
1
1
1
1 1
1
1
1 1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
2
1
0
2 2 1 1
0 1 2 0
2 1
0
2 1
2 2 1 1
2
2 1
2 2 1 1
2 1
2 1
2 2 1 1
2
1 1 2 2
2
2 2
1
1 1
2 2
2
1
1 1
2
2
2
2
1
1
2
1
2
1
2 1
2
=
+ +
=
= = = 9 e =

+
+ +
=
+ + +
+
=
+

+
=
+
+
=
+
+
=
+
=
+
= =
C
C
R
R
RC R C R C
R C
R C
j
R C j
R C R C
R C
R C R C
R C j
R C j
R C R C R C j R C j
j
R
R C j
C j
R C j
R C j
R
C j
R C j
C j
R
C j
R
C j
R
Z
Z
Z
Z
Z Z
Z
U
U
j
o
o
r
|
= =
=
= | = =
=
=
=
=
= = =
= |
=
=
=
=
=
=
=
=
=
= |


Obs.
194 DCE
curs 1

Se constat comportamentul selectiv ca urmare apariia i mulimea
oscilaiilor este determinat nu numai de condiia de faz dar i de condiia de
amplitudine deoarece pentru ( ) max ,
0
= = | = j respectiv
( )
min
1
=
= | j
i prin
urmare pentru aceast pulsaie poate fi satisfcut condiia de amplitudine (1).
De regul acest oscilator este cu frecvena reglabil, reglarea frecvenei
fcndu-se n trepte, prin comutarea capacitilor
2 1
,C C , i continuu,
modificndu-se simultan rezistenele
2 1
, R R
De regul oscilatoarele cu circuitul Wien se realizeaz n jurul unui
amplificator operaional ca n figura:


195 DCE
curs 1
( )
4
3
4
4 3
4 3
4
4
3
4
4 3
4 3
4
0
1
2 1
1
; ;
1
1
1
1
R
R
R
R R
u
u
A
R R
R
u u
R
R
R
R R
A
R R
R
u
u
A
A
A
A
A
A
A
A
i
o
ur
o i
ur
i
o
r
u
u
u
u
ur
u
u
ur
r
+ =
+
= =
+
=
+ =
+
= ~
+
= =
+
=
+
=
+
=
=
|
|
|
|
|

Oscilatorul acesta se mai numete oscilatorul n punte Wiene.


n scopul reducerii distorsiunilor neliniare ale semnalului generat,
oscilatorul Wien poate fi prevzut cu un circuit pentru reglare automat a
amplificrii, dependent de amplificarea oscilaiilor. n aceast situaie pe
msur ce crete amplitudinea oscilaiilor n procesul de amorsare, circuitul de
reglare scade amplificarea n aa fel nct condiia se amplitudine este riguros
satisfcut nainte ca amplificatorul s intre n regim de funcionare neliniar.
196 DCE
curs 1
Mai mult dect att, acest circuit permite reglarea amplitudinii oscilaiilor cu
pstrarea unui nivel minim al distorsiunilor neliniare.
Obs:
n cazul oscilatorului RC condiia de apariie a oscilaiilor este
satisfcut pentru o singur frecven. n consecin semnalul periodic general
ca include o singur component i n consecin va fi un semnal sinusoidal.
Aceast afirmaie rmne valabil i n cazul oscilatorului CC.


Oscilatoare LC


Se realizeaz dup aceleai principii ca i oscilatoarele RC, cu diferena
c n circuitul de reacie se va utiliza un circuit oscilant RC de regul paralel.
Spre deosebire de oscilatoarele RC care se folosesc pentru generarea
unor frecvene relativ joase. Oscilatoarele LC se utilizeaz pentru frecvene mai
mari de 100 KHz, pn la cele mai mari frecvene. Acest fapt se datoreaz
valorilor parametrilor elementelor de circuit care determin frecvenele de
oscilaie.

KHz
LC
k
LC
RC
k
RC
100
mare foarte
0
1
0
=
=
=
=

Generaliti privind circuitele LC cu derivaie


197 DCE
curs 1






C
X
L X
X X
X
R
Q
L X
R
X
R
c
L
C L
L
t
o
L
L
L
L
0
0
2
1
rezonanta de pulastie
, '
=
=
=
=
=
=
=
=

= ~

198 DCE
curs 1

( )
( )
2
2
2 2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
'
|
|
.
|

\
|
+

+
=

+
=
+

+
=
=

+
=
+

+
+

+
=
=
=
LC
LC
R R
R R
R
E
U
LC
LC
R jR
R R
R
R R
R
LC R R L j
L j
LC
L j
R R
LC
L j
R R
R
C j
L j
C j
L j
R R
C j
L j
C j
L j
R R
R
E
E E
U
R R R R
f
E
U
g
g g
o
g
g g
g
g
g
g
g
g
g g
o
C L i
g
o
=
=
=
=
= =
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=


199 DCE
curs 1

( )
L
R R
Q
Q
g
0
0
1 2
1
=
=
=
= =

Cu ct un circuit oscilant derivaie are un factor de calitate mai ridicat
cu att caracteristica de selectivitate este mai ascuit i prin urmare circuitul
este mai selectiv.
Caracterul selectiv al circuitelor LC face ca distorsiunile semnalului
generat de oscilatoarele LC s fie mai reduse.
Se va arta n continuare c un factor de calitate ridicat al circuitului
oscilant conduce n acelai timp la o mai bun stabilitate a frecvenelor
oscilaiilor generate.




Diagrama fazorial la rezonan


Ne vom referi din nou la schema cu generator de tensiune i rezistena
aferent.


Q
R
U
C j U
I
I
Q
L
R
R
U
L j
U
I
I
O
R
C
O
R
L
~

=
~ = =
0
0
0
0
0
=
=
=

200 DCE
curs 1
La rezonan se nchide un curent relativ mare prin bobine i un
condensator, n timp ce pentru sursa de semnal circuitul se comport ca o
rezisten foarte mare corespunztoare rezistenei de pierderi.

Transformatorul capacitiv


Este utilizat n aa numitul oscilator Coolpits

( )
2
2 1
2
1
2
0
2
2
2 1
1
0
2
2 1
2
2 1
1
0
0 0
1
;
1 1
1
1
C C
C
U
U
C C
C
U
U
C C
C
C j C j
C j
U
U U
U
+
=
+
=
+
=
+
=
= =
=



S
R va fi transpus n
S
R' din considerente energetice, adic puterea
disipat n cele dou situaii s fie aceeai.

( )
2
1
2
2 1
2
2
2
0
2
0
2
2
'
'
C
C C
R R
U
U
R
R
U
R
U
S S S
S S
+
= =
=


Transformatorul inductiv


201 DCE
curs 1
2 1
1
0
2
2 1
1
2 1
1
0
0 0
1
1
L L
L
U
U
L L
L
L j L j
L j
U
U U
U
+
=
+
=
+
=
= =
=


Oscilatorul COLLPITS


Utilizeaz transformatorul capacitiv.

Analizm varianta cu tranzistor cu efectul de cmp.
202 DCE
curs 1

Tensiunile
r
U i
0
U sunt la rezonan defazate cu 180 deoarece
amplificatorul introduce i el un defazaj de 180 nseamn c exist reacie
pozitiv i prin urmare, pot aprea oscilaii.
Frecvena oscilaiilor este egal cu frecvena de rezonan a circuitului
oscilant.

2 1
2 1
0
;
1
C C
C C
C
LC
e
e
+
= ~ =
Pentru stabilirea condiiei de amplitudine se va calcula separat
amplificarea respectiv ( ) = | j ce caracterizeaz circuitul de reacie.
203 DCE
curs 1

( )
( )
( ) amorsare de conditia - 1
1
1
1
1
1
1
2
2
1
0
2
1
1
2
0
0
p
m
p m
r
p m
gs
p gs m
gs
R C
C
g
C
C
R g
j A
C
C
C j
I
C j
I
U
U
j
R g
U
R U g
U
U
A
>
>
|
|
.
|

\
|

>
=

= =
=

= =
= |
=
=
= |


Obs
1. bobina de oc
L
X asigur alimentarea cu tensiune continu a
circuitului n condiiile n care blocheaz componenta variabil spre
sursa de semnal (care reprezint pentru aceast component un
scurtcircuit).
2. la acest oscilator frecvena este dificil de reglat n mod continuu, de
aceea, se utilizeaz pentru generarea unor frecvene fixe.


Oscilatorul HARTLEY


Utilizeaz transformatorul inductiv.
Se utilizeaz, n general, pn la frecvena de 100 MHz. Peste aceast
frecven este de preferat oscilatorul Collpits.

1
C este neglijabil ca reactana la frecvena de oscilaie.
204 DCE
curs 1
















205 DCE
curs 1
( )
( )
( )
=
+

+
+
+

=
=
+
+ + +

=
=
|
|
|
|
.
|

\
|
+

+ +
=
=
L j
h
L j L j C j
h L j
L j
h L j
h
C j
h L j
h L j h L j L j
L j L j
h
h L j
L j
h L j
h L j
C j
L j
L j
I h
I
j A
j A
I
I
e e e
e
e
e e
e
e
e
e
b e
b
b
b
= = = =
=
=
=
=
=
= = =
= =
=
=
=
=
=
=
=
= |
= |
11
2 1
11 1
1
11 1
21
11 1
11 1 11 1 2
1 2
21
11 1
1
11 1
11 1
2
2
' 21
'
'
1
1

206 DCE
curs 1

( )
( )
( )
( )
( )
( )
1 1 1
1
1 1
1
or oscilatiil a amorsare de conditia - 1
1
1
1
1 1 1
1 1 1
0
;
1
1
2 1
21 2
2
1
21
2
2
0
1
2
0
21
1
2
0 2
2
0
2
2
0 1
2
0 2 1
2
0
2 1
2
0
2
2
0
21
0
2 1
0 2 1
2
0
2 1
2 1
1 2 2 1
2
0
1 0
11
2 0
11
2 1
3
0
11
0
2
11
2 1
3
11
1
2
1
11
21
>
+

> >
=
= + = +
+
=
>

>
=
+
= + =

+
= + =
=
9 e
+

=
L L
h L
L
L
h
C L
C L
h
C L C L
C L C L C L L
C L L
C L
h
j A
C L C L L
C L L
L L
L L
L L C L L
L
h
L
h
C L L
h
j A
L
h
j
C L L
h
j
C L L
h
j
h
e e e
e
e
e e
e
e e e
e
=
=
= =
= = = =
=
= |
=
=
=
= = =
= | =
= = = =


La acest oscilator frecvena poate fi continuu reglat modificnd
capacitatea condensatorului variabil C i comutnd n trepte bobina.
Gama de frecvene acoperit cu o aceeai bobin depinde de parametrii
condensatorului variabil.
207 DCE
curs 1

min
max
min
max
max
min
min
max
2
1
2
1
C
C
f
f
C L
f
C L
f
e
e
=

=
=
t
t


Bobinele
1
L i
2
L se realizeaz constructiv sub forma unei singure
bobine cu priz.
Cu toate acestea, n calcule, a fost neglijat inductana mutual dintre
cele dou seciuni.