Fotorezistenta

16

1. Teorie

Conducia are loc datorit micrii purttorilor de sarcina (electroni si goluri). Prin fenomenul de fotoconducie se nelege creterea conduciei unui material (metal, semiconductor) datorita generrii de purttori de sarcin suplimentari sub influena radiaiei luminoase. Printr-un semiconductor supus unei diferene de potenial U va trece un curent electric slab (de ntuneric), care crete, atunci cnd semiconductorul este iluminat, datorit fotoconduciei. Intensitatea fotocurentului, diferit de cea a curentului de ntuneric, depinde de temperatur, tensiunea electric aplicat i de durata iluminrii. Conductibilitatea electric total t este datorat electronilor (de concentraie n) i golurilor (de concentratie p), si avand mobilitile n , respectiv p. t = enn + epp La intuneric conductibilitatea se datoreaz purttorilor de sarcina de echilibru (electroni de concentratie n = n0 si goluri de concentratie p = p0), conductibilitatea total fiind numit i conductibilitatea de ntuneric 0 . t|ntuneric = 0 = enn0 + epp0 Prin iluminare, concentraia de electroni crete de la n0 la n, iar cea de goluri de la p0 la p. t|iluminare = enn + epp = en (n0 + n n0 )+ ep(p0 + p p0) = 0 + f (1)

unde f este conductibilitatea datorit iluminrii, sau fotoconductibilitatea, datorata crearii excesului de purttori n, respective p. Din (1) fotoconductibilitatea este: f = t 0 = e(nn + p p) (2)

Intensitatea curentului electric de fotoconducie (fotorspuns) este direct proporional cu numrul total de fotoni absorbii (G) n volumul probei semiconductoare luminate i cu sarcina electronului. Factorul de proportionalitate A se numete coeficient de amplificare de conducie, deci IL =AGe (3)

Fotorezistenele utilizate n practic sunt fabricate din materiale semiconductoare fotosensibile a cror conductibilitate de ntuneric este mult mai mic dect fotoconductibilitatea, 0 << f.

Fotorezistenta

17

Aceast comportare a condus la utilizarea fotorezistenelor n circuite optoelectronice i de automatizare. Studiul fotoconduciei semiconductorilor se face mai ales pe strat uri subiri cu grosimi de ordinul mm deoarece n comparaie cu probele masive, prezint urmtoarele avantaje: Rezisten electric este mare, variatia ei la iluminare fiind mai uor de msurat; Se nltur posibilitatea variaiei suplimentare a rezistenei prin nclzire; Stratul subire poate fi activat prin iluminare n toat grosimea sa, funcie de parcursul fotonilor incideni n materialul respectiv; Procesul de impurificare se poate realiza mai uor, fapt important deoarece impurificarea produce o deplasare a maximului fotorspunsului spre lungimi de und din domeniul vizibil (pentru care distana de ptrundere a fotonilor n prob este mai mare). Acest lucru este exemplificat in Fig. 1 , unde este prezentat rspunsul pentru un strat fotorezistor de CdS i un fotorezistor de CdS impurificat cu Cu.

Fig. 1. Rspunsul unui fotorezistor de CdS pur si impurificat cu Cu 2. Metoda experimental folosit Se va studia variaia fotocurentului fotorezistenei n funcie de iluminarea E. Fotorezistena se afla dispusa pe o placa atasata unui piranometru. Cu ajutorul unei surse mobile se va ilumina fotorezistena la diferite distante si nivele de iluminare. Folosind un ohmetru se vor msura valorile rezistenei pentru fiecare distanta si nivel de iluminare. Se ridica curba R=R(d). Se va ridica caracteristica E = f(R) obinndu-se astfel curba de calibrare.

Fotorezistenta

18

U 1 2 3 4 5 6 7 8

R 27 15.5 11.5 2.5 1.05 0.6 0.4 0.29

W/m2 0 0.3 2.6 9.6 22.1 42.6 68 102

W/m2
1200 1000 800 600 400 200 0 0 5 10 15 20 25 30

W/m2

Fotorezistenta

19

R 2.3 3 3.2 3.4 3.5 4.2 4.4 7.7

W/m2 160 151 149 145 133 119 109 53

Dist. 2.5 3.5 4.5 5.5 6.5 7.5 8.5 9.5

W/m2
180 160 140 120 100 80 60 40 20 0 0 2 4 6 8 10 W/m2