TRANZISTORUL BIPOLAR

La modul cel mai simplu, tranzistorul bipor poate fi privit ca dou diode
semiconductoare legate n serie.



n partea de jos avem o zon de semiconductor de tip n cu un contact metalic,
care reprezint Emitorul. Deasupra acesteia exist o zon semiconductoare foarte
subire de tip p, la care se conecteaz un electrod metalic, numit Baz. Apare astfel
prima jonciune p-n. A doua zon de tip n cu un contact metalic reprezint Colectorul i,
mpreun cu zona n a Bazei, formeaz a doua jonciune p-n. Rezult n final tranzistorul
npn.



Acest tranzistor bipolar are urmtoarele caracteristici constructive:

regiunea Bazei este foarte subire i slab dopat;
regiunea Emitorului este puternic dopat;
Regiunea Colectorului este mare i de obicei este conectat la capsula metalic
pentru disiparea uoar a cldurii

Dup cum se poate vedea jonciunea Emitor-Baz este polarizat direct iar
jonciunea Colector-Baz este polarizat invers. Emitorul puternic dopat va emite spre
regiunea Bazei purttori majoritari, electronii care vor penetra adanc n Baz deoarece
aceasta este foarte subire i slab dopat. O mic parte din aceti electroni se vor
recombina cu golurile majoritare din baz. Ceilali electroni care au ajuns n Baz devin
aici purttori minoritari pentru jonciunea Colector-Baz polarizat invers i ei vor fi
antrenai spre Colector datorit tensiunii Ucc de valoare mare care polarizeaz invers
jonciunea Colectorului. Putem spune c suprafaa mare a Colectorului va colecta
electronii care vin din Baz. Se poate observa c are loc un transfer al electronilor
majoritari din Emitor n Baz datorit polarizrii directe a jonciunii p-n. Aceti electroni
care vin din Emitor devin n Baz purttori minoritari i sunt antrenai spre Colector
datorit tensiunii inverse aplicate pe Colector. Astfel electronii minoritari din Baz sunt
trasferai n Colector unde devin din nou purttori majoritari asigurnd asfel un curent
mare de Colector. Acest efect se numete efect de transistor (transfer resistor) de
unde i denumirea de transistor. Dou diode montate in opoziie (de fapt transistorul
este format din 3 regiuni n, p, n sau altfel spus din dou jonciuno p-n)care n mod
normal nu funcioneaz n aceast conexiune. Graie efectului de transistor descris
anterior funcionarea transistorului bipolar devin posibil.

Cel mai important aspect al funcionrii transistorului bipolar este faptul c printr-
un curent mic de Baz putem controla un curent mare de colector.
Putem folosi aici analogia cu robinetul care s ajute mai mult la inelegerea
fenomenului din transistorul bipolar. Apa potabil de la sistemul de canalizare din oras
are un debit i o presiune de valori ridicate la fel cum valoarea curentului de Colector
este mult mai mare decat curentul de Baz. Debitul prin robinet este controlat de o for
foarte mic, generat mecanic de mna noastr prin nvrtirea acestuia. La fel se
petrece i n cazul transistorului bipolar unde printr-un curent mic de Baz putem
controla un curent mare de colector.
Din tot ceea ce am artat pn acum rezult c tranzistorul se comport ca un
amplificator de curent cu factorul de amplificare direct in curent care este definit n
curent continuu ca raportul dintre curentul de Colector i curentul de Emitor.

=
B
C
I
I
.. De aici rezult c I
C
= *I
B

Teoretic ia valori cuprinse ntre 19 i 499 dar practic el are valori cuprinse ntre
50 i 200.
Cellalt tip de transistor bipolar este cel de tipul pnp ca n figura de mai jos :








GENERALITI. STRUCTURA TRANZISTORULUI BIPOLAR
Tranzistoarele bipolare (TB) sunt dispozitive semiconductoare alctuite dintr-o
succesiune de trei regiuni realizate prin impurificarea aceluiai cristal semiconductor,
regiunea central fiind mult mai ngust i de tip diferit fa de regiunile laterale.
Regiunea centrala este mult mai slab dotat cu impuriti dect celelalte regiuni i se
numete baza (B). Una dintre regiunile laterale, puternic dotat cu impuriti, se
numete emitor , iar cealalt, mai srac n impuriti dect emitorul, se numete
colector (C). Regiunile TB formeaz cele doua jonciuni ale acestuia.
n figura 1 sunt reprezentate cele dou structuri ale TB i simbolurile acestora.

Fig. 1. Structura i simbolul TB de tip : a) pnp ; b) npn

Structurile din fig.1. ale celor dou tipuri de TB reprezint modelele structurale
unidimensionale ale acestora. Denumirile regiunilor extreme sunt corelate cu funciile
lor. E este sursa de purttori, care determin n general curentul prin tranzistor, iar C
colecteaz purttorii ajuni aici. B are rolul de a controla (modifica) intensitatea
curentului prin tranzistor n funcie de tensiunea dintre B si E. Tranzistorul transfer
curentul din circuitul de intrare de rezisten mic n circuitul de ieire de rezisten
mare, de unde i denumirea de tranzistor (TRANSISTOR = TRANSFER RESISTOR).
Ce dou jonciuni ale tranzistorului sunt :
jonciunea de emitor sau : emitor-baza (EB) pentru TB pnp ;
baza-emitor (BE) pentru TB npn ;
jonciunea de colector sau : colector-baza (CB) pentru TB pnp ;
baza-colector (BC) pentru TB npn.
TB este un dispozitiv activ care are ca funcie de baz pe cea de amplificare.
Proprietatea de amplificare a TB se datorete aa-numitului efect de tranzistor. Pentru
TB se pot defini trei cureni i trei tensiuni, aa cum sunt prezentate n fig. 2.
C
E
B
n p n
E B C
b
p n p
E B C
a
C
E
B


Fig.2. Mrimile la borne ale TB: a) pnp; b) npn
Tensiunile sunt legate prin relaia: v
CB
= v
CE
+ v
EB
, (1) iar curentii prin relatia: i
E
= i
C
+ i
B
.
(2)
Pentru a obine relatia (2), TB este asimilat cu un nod n care suma algebric a
curenilor este zero. Ca urmare a relatiilor (1) si (2), numai dou tensiuni i doi cureni
sunt mrimi independente. Alegerea mrimilor electrice care descriu comportarea
tranzistorului se poate face n moduri diferite. Criteriul este urmatorul: se consider
tranzistorul ca un diport (un bloc cu dou borne ce formeaz poarta de intrare i alte
dou borne ce formeaz poarta de ieire). Deoarece tranzistorul are doar trei borne
(terminale), una dintre ele trebuie s fie comun intrrii i ieirii. Borna comun
definete conexiunea tranzistorului.
CONEXIUNI FUNDAMENTALE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR
Aa cum am mai spus, TB trebuie tratat ca un diport (cuadripol), dar avnd doar trei
borne, una dintre ele va fi comun circuitelor de intrare i ieire. TB are trei noduri de
conectare fundamentale :
conexiunea BC (cu baza comuna) (fig. 3, a) ;
conexiunea EC (cu emitorul comun) (fig. 3, b) ;
conexiunea CC (cu colectorul comun) (fig. 3,c)
B
I
b
a
b
V
CE
C
E
i
c
I
e
w
V
CB V
EB
V
CE
B
C
E
i
c i
e
I
b
V
CB V
EB


Fig. 3. Conexiunile fundamentale ale TB:
a) conexiunea BC; b) conexiunea EC; c) conexiunea CC
1.c. Regimurile de funcionare ale tranzistoarelor

Dup felul polarizrii aplicate celor dou jonciuni ale unui tranzistor, se pot deosebi
patru regimuri de funcionare:

regim activ normal: - jonciunea emitorului polarizat direct;
- jonciunea colectorului polarizat invers;

regim de saturaie - jonciunea emitorului polarizat direct;
- jonciunea colectorului polarizat direct;

regim de tiere - jonciunea emitorului polarizat invers;
- jonciunea colectorului polarizat invers;

regim activ invers - jonciunea emitorului polarizat invers;
- jonciunea colectorului polarizat direct;

- Regim activ normal a fost prezentat pn acum.
- Regim de saturaie. Ambele jonciuni sunt polarizate direct. Pe tranzistor sursele
sunt montate n opoziie, avnd valori apropiate. Tensiunea rezultant colector-emitor va fi:

EB CB CE
U U U =












-
+
+
-




+
-
-
+










a
b








+
-





+
-



c
Valoarea
CE
U de saturaie este de valoare mic, aproximativ de 0,2 0,3 V. Curentul
ce trece prin tranzistor are valori relativ mari, dar mai mici dect n cazul regimului activ
normal; aceasta deoarece, prin jonciunea colectorului, trec n sens contrar att curentul de
goluri al emitorului, ct i curentul de difuziune dat de golurile majoritare ale colectorului
dirijate spre baz. Curentul rezultat, de saturaie este egal cu diferena celor doi cureni.
- Regimul de tiere (de blocare) se caracterizeaz prin faptul c, ambele
jonciuni fiind polarizate invers, curenii care circul prin tranzistor sunt cureni reziduali de
valoare mic. Cnd tranzistorul se afl n acest regim, tensiunea la bornele sale este foarte
mare, deci i rezistena sa echivalent este foarte mare. n acest regim el se comport ca
un comutator ce ntrerupe circuitul, un comutator deschis.
- Regim activ invers. n acest caz emitorul joac rolul colectorului, iar colectorul
pe cel al emitorului. Jonciunea colectorului fiind polarizat direct, colectorul injecteaz
goluri n baz iar emitorul, a crui jonciune este polarizat invers, le colecteaz. n acest
regim tranzistoarele sunt folosite forte rar, deoarece coeficientul de amplificare n curent
este mai mic ca n regim activ normal. n adevr, tehnologic suprafaa colectorului se face
mai mare dect a emitorului, tocmai pentru a mbunti procesul de captare. n situaia
invers, electrodul care capteaz (emitorul) are o suprafa mai mic dect cel ce
injecteaz (colectorul), deci amplificarea n curent este mai sczut. Se utilizeaz
cteodat n regim de comutaie.



CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR
Pentru calcule practice ale circuitelor cu tranzistoare se utilizeaz caracteristicile
statice ridicate experimental. Exist trei tipuri de caracteristici n TB:
a. caracteristicile de intrare care coreleaz dou mrimi de intrare, parametru fiind
o mrime de ieire;
b. caracteristicile de transfer care coreleaz o mrime de ieire cu una de intrare,
ca parametru putnd fi, n principiu, oricare alt mrime;
c. caracteristicile de ieire care coreleaz dou mrimi de ieire, parametru fiind o
mrime de intrare.
ntruct caracteristicile statice depind de tipul schemei de conectare, n cele ce
urmeaz le prezentm pe cele corespunztoare conexiunii EC.

Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare n conexiunea EC

Vom considera cazul unui TB npn de mic putere. n schema EC, tensiunile au ca
nivel de referin potenialul emitorului. Ca mrimi de intrare avem: V
BE
= V
EB
si I
B
, iar
ca mrimi de ieire pe V
CE
i I
C
.

a) Caracteristici de intrare
Considerm caracteristica I
B
= I
B
(V
BE
) cu
V
CE
= ct. n figur sunt reprezentate
caracteristicile de intrare tipice pentru un
TB cu Si.

Fig. 4 Caracteristica static de intrare
I
B
= I
B
(V
BE
) cu V
CE
= ct. (conexiune EC)
Examinnd caracteristicile, observm c
dac plecm de la V
BE
= 0 i, mrind
valoarea acestei tensiuni, curentul I
B
este
practic nul pn la o anumit valoare V
BED
= (V
BE,on
= V ) numit tensiune de
deschidere sau de prag. n jurul acestei valori curentul crete exponenial cu V
BE
, dup
care variaia acestuia poate fi considerat practic liniar.
Se definete rezistena diferenial de intrare a tranzistorului n montaj EC cu relaia:
dI
B
V
BE
d
V
ct
EC in
CE
R

=
,
(32)
Trebuie remarcat c TB n montaj EC, datorit variaiilor mici al lui I
B
, posed o
rezisten diferenial de intrare de valoare mare (mii de ), spre deosebire de cazul
montajului BC, pentru care R
in,BC
are o valoare foarte mic (zeci de ).







0
b) Caracteristici de transfer
Considerm caracteristica I
C
= I
C
(I
B
) pentru V
CE
= ct. (fig.5 ).

Fig. 5 Caracteristica de transfer (conexiune EC) I
C
= I
C
(I
B
) pentru V
CE
= ct.
n regiunea valorilor medii ale curentilor dependenta experimentala I
C
= I
C
(I
B
) este
cvasiliniara, astfel nct n zona acestor cureni
I
I
B
C
F
1
1
=
|
(33) poate fi considerat
constant.
Caracteristici de ieire
n figura 6 este reprezentat familia caracteristicilor experimentale de ieire I
C
=
I
C
(V
CE
) cu I
B
= ct., caracteristice pentru un tranzistor npn.
Caracteristica I
B
= 0 nu este, de fapt,
limita regiunii de tiere. Pentru a bloca
tranzistorul este necesar blocarea
jonciunii emitorului. n acest caz, pentru
TB I
C
este egal cu I
CE0
. Funcionarea TB
n regim de saturaie este ntlnit
frecvent n circuitele digitale, deoarece
n aceast regiune se asigur o
tensiune de ieire bine specificat, care
reprezint o stare logic. n circuitele
analogice se evit n mod uzual
regiunea de saturaie, deoarece factorul
de amplificare al TB este foarte mic.

Fig. 6. Caracteristicile de ieire I
C
=
I
C
(V
CE
) cu I
B
= ct.


2) Tensiuni tipice pe jonctiunile tranzistorului






Regiune de tiere

20 10
Regiune de
saturaie
Regiune active
normala








Considerm caracteristica de transfer I
C
= I
C
(V
BE
) pentru tranzistorul npn cu Ge,
respectiv cu Si (fig. 7).
Tabelul 1. Valori tipice ale tensiunilor pe joncunile tranzistorului npn
Tensiune [V]
Tip tranzistor
V
CE,sat

V
BE,sat
=

V
BE,reg.activ

V
BED

)
V
BE,taiere

Si 0,2 0,8 0,7 0,5 0,0
Ge
0,1 0,3 0,2 0,1 0,1

Fig. 7. Valori tipice ale tensiunilor pe joncunile tranzistorului npn
MULTIPLICAREA N AVALAN LA JONCIUNEA COLECTORULUI
Caracteristicile electrice ale tranzistoarelor sunt afectate de fenomenul de multiplicare n
avalan a purttorilor de sarcin. Acest fenomen este provocat de cmpul electric
intens din regiunea de sarcin spaial. Tensiunile mai apar, de regul, pe jonciunea
colectorului i aici apare multiplicarea curentului iniial cu un factor:
|
|
.
|

\
|

=
V
V
CB
M
n
o
1
1
(34) :unde V
a
este tensiunea de strpungere a jonciunii colectorului.



IC
Saturati
e
Reg
activ
Deschidere
(prag)
Blocar
e
-0.1
0


V
BE
[V]
Baza in
gol
-0.3 -0.2 -0.1 0 0.06 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
0.7 0.8
(baza in gol)
Reg. activa
Saturat
ie
Blocare

V
BE

[V]

IC

4.5. POLARIZAREA TRANZISTORULUI NTR-UN PUNCT DAT DE FUNCIONARE,
N REGIUNEA ACTIV NORMAL
Ca i n cazul tuburilor electronice, circuitele de polarizare au rolul de a plasa
funcionarea tranzistorului n PSF ales n cadrul regiunii permise de pe caracteristicile
statice ale TB. Considerm cazul TB n conexiune EC.
Punctul static de funcionare (PSF) se gaseste la intersectia unei caracteristici I
C
=
I
C
(V
CE
) pentru o anumita valoare I
B
cu dreapta de sarcin static.
PSF al TB trebuie s fie situat n regiunea permis (fig. 8), delimitat de urmtoarele
curbe:







Figura 8
a. dreapta I
C
= I
Cmax
pentru a feri TB de distrugerea jonciunilor;
b. hiperbola de disipaie maxim corespunztoare puterii maxime admisibile;
c. dreapta V
CE
= V
Cemax
pentru a nu aprea fenomenul de strpungere a TB;
d. dreapta I
C
= I
Cmin
pentru meninerea jonciunii emitorului polarizat direct i
n prezena semnalului; I
Cmin
este situat n regiunea activ a
caracteristicilor;
e. dreapta V
CE
= V
Cemin
= V
C,sat
; pentru ca tranzistorul s nu intre n regim de
saturaie este necesar ca V
CE
s fie mai mare dect tensiunea
corespunztoare acestui regim.
Meninerea unei funcionri liniare a TB este legat de fixarea PSF n regiunea liniar
a caracteristicilor statice. PSF se fixeaz pe dreapta de sarcin astfel nct, n regim
dinamic, n funcie de amplitudinea semnalului care se aplic la intrare, tranzistorul s
nu intre nici n blocare nici n saturaie (fig. 9).
Ecuatia dreptei de sarcin static (pentru schemele din fig.10) este: V
CC
= I
C
(R
C
+ R
E
)
+ V
CE
, (35) obtinu dac se consider I
C
= I
E
.




ICmax
ICmin
VCEmax
VCEmin
Regiune
Tiere
Regiune
Saturaie
Hiperbola de
disipaie maxim
VCE
Regiune
permis
IC


Fig. 9. Stabilirea PSF pentru TB
n practic exist trei tipuri fundamentale de reele care asigur polarizarea TB
(fig.10).





Fig. 10. Circuite de polarizare pentru TB

M1
M0
M2
t
t
t

VCC
VCE
0
Vce
VCE min

VCE max


VCE
0
0
0
0
I
C max
I
C

i
b
i
b
=I
B
i
c
I
c
I
C0
R
C
R
E
R
B
i
I
E
V
V
BB
T

b

+V
CC
R
C
R
B
R
E
T

c

+V
CC
R
E
R
2
R
1
A

B

T

a

+V
CC
R
C
Aplicnd teorema lui Thvenin la stnga punctelor AB (fig. 10, a) obtinem un circuit de
forma celui din fig. 10, b, unde
) 37 ( , ) 36 ( ,
2 1
2
2 1
2 1
V
R R
R
V
R R
R R
R CC BB B
+
=
+
= ,

Rezistenele R
1
si R
2
pot fi alese de valoare suficient de mic pentru ca R
B
s
satisfac condiia
(
F
+ 1) R
E
>> R
B
. (38)
Satisfacerea condiiei (38) determin ca reacia negativ introdus de R
E
, s duc la
micorarea dependenei lui I
C
de
F
, care depinde puternic de temperatur.
Considerm schema din figura14, b. Conform teoremei a II-a a lui Kirchhoff vom
avea:
V
BB
= R
B
I
B
+ V
BE
+ R
E
I
E
(.38, a)
tim c I
C
=
F
I
B
+ I
CE0
. n regim uzual
F
I
E
>> I
CE0
, deci frecvent se folosete relaia
I
C
=
F
I
B
. (38, b)
Din (38, a) i (38, b) rezult I
E
=
F
I
B
+ I
B
= (
F
+ 1)I
B
,
V
BB
= R
B
I
B
+ V
BE
+ R
E
(
F
+ 1)I
B
= V
BE
+ [R
B
+ (
F
+ 1)R
E
]I
B
,
) , 38 (
) 1 (
c
R R
V V
I
E
F
B
BE BB
B
+ +

=
|

Din (38, b) i (38, c) rezult
) . 38 ( ,
) 1 (
) (
d
R R
V V
I I
E
F
B
BE BB
F
B
F
C
+ +

=
|
|
|

Conform lui (38, d) se observa ca cresterea lui
F
determina att o crestere a
numaratorului ct si a numitorului. I
C
devine independent de
F
doar cnd acesta tinde
la infinit.
Daca V
BB
este egal cu V
CC
se obtine schema din figura 10, c
n figura 14.a avem schema de polarizare uzual a tranzistorului bipolar. Pentru
a calcula valorile punctului static de funcionare I
C
, U
CE
, apoximnd I
E
=I
C
, i U
BE
=0.6
V, se procedeaz n felul urmtor:
Aplic teorema lui Kirchhoff II pe ochiul de reea care cuprinde jonciunea Baz
Emitor. Calculm n prealabil tensiunea ntre punctele A, B aplicnd teorema lui
Thevenin:
U
R R
R
U CC BB
2 1
2
+
=

U
BE
U
BB
+ I
E
*R
E
=0
I
E
=
E
BE BB
R
U U
; dar I
E
= I
C
Aplic teorema lui Kirchhoff II pe ochiul de reea care cuprinde jonciunea
ColectorEmitor pentru a calcula U
CE:
U
CE
+ I
C*
(R
C
+ R
E
) = U
CC
U
CE
= U
CC
I
C*
(R
C
+ R
E
)

Rezult n felul acesta valorile pentru punctul static de funcionare I
C
, U
CE
.