1-1

Capitolul 1

INTRODUCERE




1.1. PROBLEMATICA MODEL!RII DISPOZITIVELOR
SEMICONDUCTOARE DE PUTERE
1.2. PROBLEMATICA SIMUL!RII CIRCUITELOR "I SISTEMELOR
ELECTRONICE DE PUTERE
1.3. TEHNICI, METODE "I PACHETE DE PROGRAME DESTINATE
MODEL!RII "I SIMUL!RII CIRCUITELOR "I SISTEMELOR
ELECTRONICE DE PUTERE
Breviar
Probleme



Analiza asistat! de calculator a circuitelor electronice de putere
(AACCEP) se bazeaz! pe un set de modele ale dispozitivelor
semiconductoare de putere, ale componentelor pasive "i active de
circuit, ale circuitelor integrate de comand! "i control a convertoarelor
electronice de putere, ale ma"inilor electrice etc.
Pentru ob#inerea unor rezultate de simulare ct mai apropiate de
cazul real este necesar! elaborarea "i dezvoltarea unor modele ct mai
eficiente precum "i folosirea lor corect!.


1.1. PROBLEMATICA MODEL!RII DISPOZITIVELOR
SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

Din punct de vedere al posibilit!#ilor de modelare, dispozitivele
semiconductoare de putere se pot mp!r#i n:
dispozitive pentru care exist! variante analogice de mic! putere
(dioda de putere, tranzistorul bipolar de putere, tranzistorul TEC-
MOS de putere);
dispozitive de putere specifice electronicii de putere, pentru care nu
exist! variante analogice, anume:
- structuri tiristoare: dioda tiristoare bidirec#ional! numit! "i diac,
trioda tiristoare bidirec#ional! numit! "i triac, trioda tiristoare
unidirec!ional cu poart" anodic", trioda tiristoare unidirec#ional! cu
poart! catodic! "i blocare invers! numit! tiristor conven!ional,


CAPITOLUL 1

1-2

tetroda tiristoare unidirec!ional", tiristorul cu blocare pe poart"
GTO;
- dispozitive de putere integrate Bi-MOS performante hibride:
tranzistorul bipolar cu poart" izolat" IGBT "i clasa MCT de
tiristoare controlate cu poart! MOS, ambele ob#inute prin
mbinarea selectiv! a caracteristicilor de putere ale dispozitivelor
realizate n tehnologie bipolar! cu caracteristicile de comand! ale
dispozitivelor realizate n tehnologie unipolar! MOS.
Principalele diferen#e ntre dispozitivele semiconductoare de
putere "i analoagele lor de mic! putere, care determin! o abordare
diferit! n modelare, sunt urm!toarele:
1) pentru a asigura o nalt" capabilitate de blocare a tensiunilor,
dispozitivele semiconductoare de putere con#in n plus n structura
lor intern! regiunea de drift, care este o regiune slab dopat!.
Prezen#a ei modific! att caracteristicile statice ct "i cele dinamice
ale dispozitivelor de putere "i, n consecin#!, n modelare se #ine
seama c! rezisten!a regiunii de drift domin! n expresia rezisten#ei
totale a dispozitivului n stare de conduc#ie, care devine astfel mult
mai mare dect n cazul dispozitivelor analoage de mic! putere;
2) pentru a asigura o nalt" capabilitate n curent, dispozitivele
semiconductoare de putere au jonc!iunile de arii mult mai mari, fapt
ce determin! apari#ia unor fenomene de suprafa#! specifice, cum ar
fi, de exemplu, aglomerarea curentului. Prezen#a jonc#iunilor de arii
mari cre"te curen!ii de satura!ie "i capacit"!ile de barier" ale
dispozitivelor de putere comparativ cu dispozitivele analoage de
mic! putere.
3) fenomenele de str"pungere sunt mult mai complexe la dispozitivele
de putere dect la cele de mic! putere. De exemplu, fenomenul de
str!pungere secundar! ce poate distruge prin efect termic
dipozitivul de putere la o putere mai mic! dect puterea maxim!
admisibil! dat! n catalog nu se reg!se"te n model!rile
dispozitivelor de mic! putere "i este prezent doar n unele model!ri
ale dispozitivelor de putere;
4) lucrul la tensiuni, curen#i, deci puteri mari ale dispozitivelor
semiconductoare de putere face ca fenomenele electro-termice s!
joace un rol important n func#ionarea dispozitivelor
semiconductoare de putere. Corecta modelare a varia#iei cu
temperatura a parametrilor de model este determinant! pentru
ob#inerea unor rezultate de simulare apropiate de realitate.
n plus fa#! de cazul dipozitivelor semiconductoare de mic! putere,
modelarea dispozitivelor semiconductoare de putere prezint!
urm!toarele particularit!#i:


INTRODUCERE
1-3

1) cea mai simpl! modelare idealizat! ce poate descrie numai
fenomenele principale din circuitele de putere este cea de
comutator, dispozitivului blocat corespunzndu-i starea deschis
(OFF) a comutatorului, iar dispozitivului n conduc#ie starea nchis
(ON), deoarece aceste dispozitive func#ioneaz! n regim de
comuta#ie;
2) model!ri mai precise dar tot incomplete vin s! completeze modelul
de comutator cu dispozitive auxiliare "i #in cont de fenomenele
secundare din dispozitiv: caracteristicile electrice statice, timpii de
comuta#ie, str!pungerea invers!, curen#ii de scurgere, efectele du/dt
"i di/dt etc;
3) multe dintre dispozitivele de putere moderne (VMOS, IGBT, MCT)
sunt realizate prin conectarea n paralel a unui num!r mare de
structuri integrate de mic! putere, avnd dimensiuni mici. n aceste
dispozitive apar fenomene specifice de repartizare inegal" a
curentului ntre celulele conectate n paralel, ce nu apar la
dispozitivele de mic! putere "i care uneori nu pot fi simulate nici de
pachetele de simulare a dispozitivelor de putere.
n finalul acestui subcapitol, trebuie subliniat faptul c! nu exist"
cea mai bun" metod" de modelare #i nici un model absolut pentru un
anumit dispozitiv. Fiecare dintre tipurile de modele ce vor fi descrise n
capitolul urm!tor prezint! att avantaje ct "i dezavantaje pentru un
anumit tip de simulare. Astfel, pentru un acela"i dispozitiv, simulatoarele
de circuite "i sisteme de putere dezvolt! mai multe tipuri de modele,
utilizatorul fiind cel care trebuie s! aleag! modelul cel mai potrivit pentru
aplica#ia dat!, care s! ofere compromisul optim ntre timpul de analiz! "i
precizia de simulare ob#inut!.


1.2. PROBLEMATICA SIMUL!RII CIRCUITELOR "I SISTEMELOR
ELECTRONICE DE PUTERE

Analiza asistat! de calculator a circuitelor "i sistemelor electronice
de putere pune o serie de probleme specifice care nu se reg!sesc n
cazul electronicii de mic! putere:
modificarea st!rii unui dispozitiv de putere (din starea ON n starea
OFF sau invers) modific" topologia circuitului / sistemului de putere
analizat astfel nct pe durata unei perioade de comuta#ie pot avea
loc mai multe astfel de schimb!ri n structura de analizat ce poate
influen#a curen#ii de pe diverse ramuri ale circuitului;
la modificarea topologiei de circuit se modific" setul de ecua!ii
integro-diferen!iale ce descriu respectiva stare;
cum circuitele / sistemele electronice de putere sunt n general
complexe, ordinul ecua!iilor diferen!iale este mare, deci dificil de


CAPITOLUL 1

1-4

rezolvat. De aceea, n vederea reducerii timpului de simulare "i
pentru evitarea problemelor de convergen#! trebuie folosite artificii de
modelare.
circuitul / sistemul este neliniar datorit!:
- schimb!rii topologiei pe durata unei perioade de comuta#ie;
- caracteristicilor electrice puternic neliniare ale dispozitivelor
electronice (diode, tranzistoare, tiristoare) ce lucreaz! n regim de
comuta#ie;
- caracterului profund neliniar al unor sarcini, de exemplu n cazul
ac#ion!rilor electrice;
sistemele electronice de putere con#in blocuri cu constante de timp
foarte diferite, ceea ce conduce adesea la timpi de analiz! ridica#i;
datorit! lucrului la tensiuni, curen#i "i puteri mari, apar interferen!ele
electromagnetice (EMI) pe care numai unele programe de simulare
le pot lua n considera "i proiecta filtre EMI pentru eliminarea lor;
echipamentele de putere con#in pe lng! dispozitivele electronice de
putere "i alte tipuri de dispozitive:
- componente pasive de circuit (rezisten#e, condensatoare, bobine)
- componente active de circuit de mic! putere (tranzistoare etc);
- dispozitive electro-mecanice (motoare electrice, transformatoare
de c.a., transformatoare de impulsuri);
- comutatoare electro-mecanice;
- dispozitive optoelectronice (fotodiode, fototranzistoare,
fototiristoare, optocuploare);
- dispozitive de protec#ie (siguran#e fuzibile);
- traductoare (de tura#ie, curent, temperatur!, presiune) etc, pentru
care trebuie s! existe sau s! se realizeze modele;
circuitele de comand" ale dispozitivelor de putere con#in de regul!
blocuri analogice, digitale "i mixte analog-digitale (comparatoare,
circuite integrate specializate, por#i logice, num!r!toare, procesoare
digitale de semnal, microcontrolere etc). Aceasta impune ca
simulatoarele utilizate s" func!ioneze multimod, adic! s! permit!
analiza tuturor acestor blocuri separat sau grupate la nivel de sistem,
pornind de la schema bloc principial!. De aceea, simulatoarele
trebuie s! fie "i multinivel;
simularea circuitelor / sistemelor electronice de putere presupune, n
condi#iile precizate mai sus, efectuarea mai multor tipuri de analiz!:
- determinarea punctelelor statice de func!ionare ale dispozitivelor
semiconductoare utilizate;
- analiza de curent continuu, care const! intr-o succesiune de
analize de punct static de func#ionare pentru diferite valori ale
surselor de alimentare de tensiune sau curent;


INTRODUCERE
1-5

- analiza de regim tranzitoriu n urma c!reia se determin! varia#ia n
timp a tuturor tensiunilor "i curen#ilor din circuit;
- analiza de curent alternativ, care este de fapt o analiz! n
frecven#! n care modelele dispozitivelor semiconductoare sunt
liniarizate n jurul punctelor lor de func#ionare;
- analiza spectral" #i a distorsiunilor, ce presupune descompunerea
m!rimilor electice periodice specifice aplica#iei n serie Fourier,
respectiv utilizarea pentru m!rimile electrice neperiodice a
transformatei Fourier etc.
Efectuarea tuturor analizelor de mai sus precum "i a altora
presupune existen#a unui simulator capabil de a le efectua.
n finalul acestui subcapitol, trebuie subliniat faptul c!, dac! n
cazul circuitelor microelectronice simulatoarele existente n prezent sunt
att de precise nct rezultatele ob#inute prin simulare aproape coincid
cu cele experimentale, n cazul circuitelor electronice de putere
simularea nu poate nlocui experimentul practic din motivele enumerate
mai sus, ci vine doar s! u"ureze "i s! scurteze procesul de proiectare ce
const! n etape succesive de simulare "i realizare practic!.


1.3. TEHNICI, METODE "I PACHETE DE PROGRAME DESTINATE
MODEL!RII "I SIMUL!RII CIRCUITELOR "I SISTEMELOR
ELECTRONICE DE PUTERE

Tehnicile de analiz" asistat! de calculator a circuitelor "i
sistemelor electronice de putere au ca scop final determinarea tuturor
m!rimilor semnificative din circuit, precum "i a interdependen#ei dintre
acestea.
Trebuie subliniat faptul c! oricare dintre dintre tehnicile de analiz!
s-ar alege, toate se bazeaz! pe simplific!ri sau pe solu#ii aproximative
ob#inute din reprezentarea liniar! sau neliniar! a circuitului / sistemului
dat "i, de aceea, nu pot r!spunde tuturor cerin#elor impuse. Rezult! de
aici necesitatea adopt!rii metodei cele mai adecvate scopului propus.
Metodele de analiz" a circuitelor "i sitemelor electronice de putere
sunt diverse, opernd n domeniul timp sau n domeniul frecven#!:
1. metoda de analiz! direct! prin rezolvare a ecua#iilor diferen#iale
(metoda nodal!, metoda hibrid!, metoda ecua#iilor de stare);
2. metoda de analiz! indirect! folosind transformata Laplace;
3. metoda de analiz! indirect! folosind seria Fourier aproximativ!
(prin neglijarea armonicelor);
4. metoda de analiz! direct! n spa#iul variabilelor de stare;
5. metoda de analiz! prin tehnici de mediere;
6. metode de analiz! topologic!:
- cu topologie variabil! (metoda topologic! propriu-zis!);


CAPITOLUL 1

1-6

- cu topologie constant! (metoda rezisten#elor binare);
7. metoda variabilelor de for#are;
8. metoda de analiz! prin modelare cu re#ele Petri;
9. metoda de modelare pe baza e"antioanelor discrete;
10. metoda de analiz! n frecven#! utiliznd func#ii de comuta#ie;
11. metoda de analiz! cu variabile complexe;
12. metoda de analiz! folosind vectori Park etc.
Pachetele de programe destinate analizei pe calculator a
circuitelor #i sistemelor electronice de putere se pot clasifica dup! mai
multe criterii:
dup! evolu#ia lor n timp, exist!:
- programele elaborate n diverse limbaje de programare, mai vechi,
n care trecerea de la un interval de comuta#ie (numit mod de
operare) la urm!torul se face n mod independent, condi#iile finale
ale modului de operare anterior fiind condi#iile ini#iale pentru modul
de operare urm!tor;
- programele specializate noi, care sunt capabile s! analizeze orice
circuit / sistem electronic de putere alc!tuit din componente pasive,
dispozitive semiconductoare de mic! putere "i de putere, structuri
de convertoare, ma"ini electrice, sisteme electronice de control. La
acestea, trecerea de la un mod de operare la altul se face automat
de c!tre calculator care modific! sistemul de ecua#ii caracteristic
fiec!rui mod de operare, stabilit "i inclus nc! de la nceput n
program.
dup! metoda de analiz! nglobat! n program, exist!:
- programe bazate pe metoda analizei directe prin rezolvarea
ecua!iilor diferen!iale corespunz!toare circuitului / sistemului
analizat aceste programe fac parte din categoria anterioar! a
programelor mai vechi;
- programe bazate pe metoda de analiz" n spa!iul variabilelor de
stare marea majoritate a programelor ce fac parte din
programele specializate noi fac parte din aceast! categorie;
- programe bazate pe metoda de modelare folosind re!ele Petri,
adecvate explicit!rii condi#iilor de comutare a convertoarelor
statice de frecven#!. Acest tip de analiz! presupune existen#a a
dou! etape: etapa de elaborare, evaluare #i validare a modelului
(de exemplu, programul OVIDE creat de Laboratorul de
Automatic! "i Analiza Sistemelor din Toulouse, Fran#a) "i etapa de
simulare propriu-zis" n domeniul timp (de exemplu, programul
SEDRI al aceluia"i laborator, programul ARCANTIEL al
Laboratorului de Automatic! din Grenoble, Fran#a, programul
LORIC al INRIA, Rocquencourt, Fran#a). n prezent, exist!
programul PETRI PARTNER al Laboratorului de Ingineria


INTRODUCERE
1-7

Sistemelor Automate din Angers, Fran#a ce este capabil s!
efectueze ambele etape;
- programe de analiz" a sistemelor dinamice, bazate pe metode de
analiz" topologic", care nu sunt specifice analizei circuitelor
electronice de putere deci au dezavantajul necesit!#ii de a dezvolta
modele specifice structurilor de convertoare, dar care prezint!
marele avantaj de a putea analiza u"or sisteme, prin
interconectarea facil! a modelelor de motoare "i a altor sisteme
electromecanice. Un astfel de pachet este SIMULINK ce apeleaz!
programul MATLAB pentru efectuarea calculelor matematice.
dup! domeniul de utilizare al programului, exist!:
- programe de uz general, care nu sunt dedicate strict studiului
electronicii de putere. Ca exemplu, programul SPICE a fost creat
n 1970 la Universitatea din Berkley, California, fiind dedicat
analizei "i proiect!rii pe calculator a circuitelor electrice "i
electronice. Ulterior, prin dezvoltarea de modele "i subcircuite
specifice dispozitivelor semiconductoare de putere, el a devenit
posibil de utilizat "i n domeniul electronicii de putere. Alte
programe din aceast! categorie sunt: ECAP, SCEPTRE etc;
- programe dedicate simul"rii circuitelor #i sistemelor electronice de
putere, dezvoltate de regul! de fiecare colectiv de cercetare
puternic din lume (ATOSECS al Universita#ii Trois Rivieres din
Quebec, Canada ce efectueaz! analiza de circuit prin rezolvarea
ecua#iilor de stare, EMTP al Universit!#ii Minesota din SUA ce
efectueaz! analiza de sistem cu simularea inclusiv a
componentelor electromagnetice, PECAN al Instutului Tehnic din
Trondheim, Norvegia ce efectueaz! analiza de circuit pe baza
metodei nodale etc);
dup! puterea la care lucreaz! circuitele de putere:
- programe pentru analiza circuitelor de mic! putere ce nu #in cont
de fenomenele EMI introduse de componentele
electromagnmetice este cazul majorit!#ii programelor;
- programe pentru analiza la puteri mari, ce #in cont de fenomenele
EMI (de exemplu, programele EMTP al Universit!#ii Minesota, SUA
"i SABER).
Men#ion!m c! n aceast! enumerare a metodelor "i pachetelor de
programe destinate AACCEP nu au fost incluse programele de
proiectare #i de optimizare a proiect"rii deoarece ele nu pot avea un
caracter general, fiind specifice unui anumit produs electronic de putere
dezvoltat "i utilizat exclusiv n proiectarea industrial!.
Trebuie men#ionat c! firmele mari (de exemplu, On
Semiconductor) pun la dispozi#ia ulilizatorilor programe simple "i
prietenoase accesibile pe diverse pagini de web pentru ca ace"tia,
asista#i de programele interactive afi"ate, s! "i proiecteze circuite de


CAPITOLUL 1

1-8

putere de care au nevoie folosind componentele electrice "i electronice
ale respectivei firme. Un astfel de program comercial este dedicat
exclusiv s! deserveasc! o anumit! aplica#ie sau o categorie de aplica#ii.

Aplica!ia A1.1
Se va proiecta o surs! de tensiune cu func"ionare n comuta"ie ce
utilizeaz! un convertor Buck, folosind programul sms6.3 al firmei On
Semiconductor (www.onsemi.com).

Solu!ie:
Intrnd pe respectiva pagin! de web #i desc!rcnd programul sms6.3,
firma pune la dispozi"ie un prim ecran prin care solicit! utilizatorului datele de
intrare ale sursei dorite, pe care acesta le completeaz! n c!su"ele de mai jos:


Fig.A1.1. Ecranul pentru introducerea pareametrilor sursei n comuta"ie

n continuare, ap!snd butonul Show Power ManagementICs din fig.A1.1
#i apoi butonul Schematic din fig.A1.2, programul afi#eaz! schema electric! a
sursei proiectate folosind circuitul integrat LM2852Y al firmei, specializat n
realizarea surselor n comuta"ie avnd tensiunea de ie#ire Vout=1,8V (fig.A1.2).


Fig.A1.2. Ecranul de afi#are a schemei electrice a sursei n comuta"ie


INTRODUCERE
1-9

Prin aparea butonului DataSheet din fig.A1.2, programul intr! pe pagina
de internet a firmei, la produsul LM2852Y oferind date de catalog #i informa"ii
(fig.A1.3):
- descriere general!: circuitul integrat LM2852Y este dedicat proiect!rii
surselor de tensiune cu func"ionare n comuta"ie folosind convertorul Buck,
curentul maxim acceptat pe sarcin! fiind de 2A, iar frecven"a de comuta"ie a
convertorului fiind n gama 500kHz-1200kHz:
- schema bloc intern! echivalent! a circuitului;
- date de catalog suplimentare:- gama tensiunilor de intrare: 2,85V...5,5V;
gama tensiunilor de ie#ire standard: 0,8V, 1V, 1,5V, 1,8V, 2,5V, 3,3V; existen"a
a trei tipuri interne de compensare; comutatoarele sunt realizate cu tranzistoare
MOS; eficien"! maxim!: 95%.
Este prezentat graficul dependen"ei randamentului (eficien"ei) sursei n
func"ie de curentul prin sarcin! pentru dou! tensiuni de intrare: 3,3V #i 5V.
- domeniile de aplica"ii ale circuitului;
- schema electric! a unei aplica"ii tipice;
- trimitere la note de aplica"ii suplimentare;
- trimitere la alte circuite integrate specializate similare.

Fig.A1.3. Ecranul de afi#are a datelor de catalog ale circuitului integrat
specializat LM2852Z


CAPITOLUL 1

1-10

Ap!snd butonul Operating Values n Fig.A1.2, programul arat!
performan"ele sursei proiectate, prin numero#ii parametri afi#a"i (fig.A1.4).


Fig.A1.4. Ecranul de afi#are parametrilor sursei

Prin ap!sarea butonului Bill of Materials pe ecranul din fig.A1.2,
programul pune la dispozi"ie datele necesare privind achizi"ionarea pieselor
schemei electrice din fig.A1.2, de la diverse firme (fig.A1.5)

Fig.A1.5. Ecranul de afi#are a listei de componente


INTRODUCERE
1-11

Dac! se apas! butoanele View Alternatives n fig.A1.4, programul ofer!
componente echivalente alternative pentru cump!rarea componentelor. De
exemplu, fig.A1.6 a fost ob"inut! prin ap!sarea butonului View Alternatives n
fig.A1.4 pentru componenta L1.


Fig.A1.6. Ecranul de afi#are a listei echivalente pentru L1 din fig.A1.4

n final, se remarc! faptul c! n prezent exist! pe pia#! o larg!
varietate de simulatoare electronice, fiecare dintre ele avnd avantajele
specifice n cadrul aplica#iei date. Totu"i, din gama larg! de simulatoare
dezvoltate fie de laboratoare de cercetare universitare, fie de firme
comerciale private, s-au impus doar cteva accesibile, avnd un
caracter general deoarece nu sunt limitate la un num!r redus de circuite
/ sisteme electronice de putere posibil de analizat "i ofer! facilit!#i
multiple pentru analiza circuitelor electronice (de exemplu, SPICE,
SABER).


Breviar

n cadrul acestui capitol s-a definit obiectul de studiu al disciplinei
Analiza asistat! de calculator a circuitelor "i sistemelor electronice de
putere.
Primul subcapitol este axat pe problematica model"rii dispozitivelor
semiconductoare de putere, att prin compara#ie cu dispozitivele
semiconductoare de mic! putere analoage ct "i prin prisma
fenomenelor specifice dispozitivelor semiconductoare de putere. Se
remarc! concluzia final! a inexisten#ei unui model perfect de dispozitiv
datorit! faptului c! fiecare model creat prezint! att avantaje ct "i
dezavantaje pentru un anumit tip de simulare, utilizatorul fiind cel care


CAPITOLUL 1

1-12

trebuie s! aleag! modelul cel mai potrivit pentru aplica#ia dat!, care
s! ofere compromisul optim ntre timpul de analiz! "i precizia de
simulare ob#inut!;
Al doilea subcapitol se ocup! de problematica simul"rii circuitelor #i
sistemelor electronice de putere, concluzia final! fiind aceea c!
datorit! particularit!#ilor acestora simularea nu poate nlocui
experimentul practic, ci vine doar s! u"ureze "i s! scurteze procesul
de proiectare ce const! n etape succesive de simulare "i realizare
practic!;
Ultimul capitol enumer! unele metode de analiz" #i exemplific!
pachete de programe pentru modelarea #i simularea circuitelor
electronice de putere. Concluzia final! este c!, de"i n prezent exist!
o gama larg! de simulatoare dezvoltate de laboratoare de cercetare
universitare "i de firme comerciale private, s-au impus doar cteva
pachete de uz general care au facilit!#i multiple pentru analiza
circuitelor/sistemelor electronice de putere.