2

STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE

AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE


1. OBIECTUL APLICA|IEI
Sunt studiate fenomenele care apar la comuta\ia direct` ]i invers` a tranzistoarelor de
putere. Sunt vizualizate formele de und` ]i m`surate m`rimile caracteristice [n condi\iile
unui circuit similar cu circuitul de test indicat [n catalog ]i [n condi\ii reale de exploatare.
Analiza SPICE a circuitului de test permite compararea rezultatelor practice cu cele ob\inute
prin simulare.

2. INTRODUCERE TEORETIC~. PREZENTAREA TRANZISTORULUI
BIPOLAR DE PUTERE
{n electronica de putere tranzistoarele se folosesc ca elemente de comuta\ie bilateral`
sau ca amplificatoare de putere [n circuitele cu sarcin` rezonant`. Tehnologia de fabrica\ie
permite realizarea tranzistoarelor care lucreaz` ca elemente de comuta\ie astfel [nc@t
tensiunea de satura\ie s` fie minim`, iar tensiunea de sus\inere [n blocare maxim`.
Tranzistoarele utilizate ca amplificatoare de putere sunt realizate astfel [nc@t s` se
maximizeze coeficien\ii de transfer, puterea ]i frecven\a de lucru.

2.1. Caracteristici statice
Pe caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar de putere din fig. 1 se pun [n
eviden\` valorile limit` ale m`rimilor electrice.

Fig. 1 Caracteristici statice.
36 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE
Curentul de colector i
CE
, tensiunea de colector v
CE
]i puterea disipat` P
d
sunt limitate
superior, deoarece sunt m`rimi care caracterizeaz` schimburi sau acumul`ri de energie. {n
planul i
C
-v
CE
aceste limite definesc "aria de func\ionare sigur`" (AFS) a tranzistorului.



2.1.1. I
CM
- curentului de colector maxim
Este valoarea maxim` a curentului de colector la dep`]irea c`reia conduc\ia prin
pastila semiconductoare cap`t` caracter ohmic. Peste aceast` valoare curentul de colector nu
mai este controlat de curentul de baz` prin factorul de amplificare [n curent .

2.1.2. P
dM
- puterea maxim` disipat`
Este puterea maxim` pe care o poate disipa tranzistorul [n condi\iile [n care
temperatura jonc\iunii nu dep`]e]te valoarea maxim` admisibil` (
jM
= 150C - 200C) iar
temperatura capsulei are o valoare fixat` (de exemplu 25C). Puterea maxim` disipat` are
expresia:
P
C
R
dM
jM
th j c
=

25
( )
(1)
unde R
th(j-c)
este rezisten\a termic` jonc\iune-capsul`.
{n montajele reale, temperatura capsulei depinde de modul [n care se face evacuarea
c`ldurii, deci de rezisten\a termic` capsul`-radiator ]i radiator-ambiant.

2.1.3. V
CEM
- limita superioar` a tensiunii colector-emitor
a) Str`pungerea primar`
Corespunde fenomenului de multiplicare [n avalan]` a purt`torilor de sarcin` [n
jonc\iunea polarizat` invers (colector-baz`) ]i depinde de profilul de impurit`\i din aceast`
jonc\iune. Tensiunea la care apare str`pungerea, denumit` primar`, depinde de mecanismul
de injec\ie de purt`tori [n baz`, deci de modul de conectare a bazei.
Se pot defini urm`toarele valori limit` ale tensiunii colector-emitor:
V
CE0
- cu baza [n gol (i
B
= 0);
V
CER
- cu baza conectat` la emitor printr-o rezistan\` de valoare R;
V
CES
- cu baza conectat` [n scurtcircuit la emitor;
V
CEX
- cu baza polarizat` invers, la o tensiune specificat` V
BE
= V
BEX
;
V
CER
(care se noteaz` V
CEM
)

]i

variaz` [ntre V
CE0
]i V
CES
(V
CE0
< V
CER
< V
CES
);
V
CEX
este mai mare dec@t V
CES
]i ambele sunt apropiate ca valoare de tensiunea
V
CB0
(tensiunea colector-baz` cu emitorul [n gol).

b) Str`pungerea secundar`
Datorit` distribu\iei neuniforme a impurit`\ilor sau neuniformit`\ii profilului
jonc\iunii, distribu\ia densit`tii de curent prin jonc\iune este neuniform`, ap`r@nd zone de
concentrare a curentului. {n aceste zone, denumite ]i puncte fierbin\i, temperatura cre]te ]i
determin` generarea termic` de purt`tori, lucru care contribuie la cre]terea local` a densit`\ii
Introducere teoretic` 37
de curent, deci ]i a temperaturii, concomitent cu sc`derea tensiunii dintre colector ]i emitor.
Temperatura [n punctele fierbin\i poate cre]te peste valoarea maxim` admisibil`.
Tranzistorul se poate distruge prin efect termic la o putere disipat` mai mic` dec@t puterea
admisibil`.
Fenomenul de str`pungere secundar` are un caracter statistic. Din acest motiv [n
planul caracteristicilor i
C
-v
CE
, din fig. 1, se poate trasa o curb` care [mparte planul [n dou`
zone. {n una din aceste zone poate s` apar` fenomenul de str`pungere secundar`, iar [n
cealalt` probabilitatea de apari\ie are o valoare acceptabil de mic` (1%). Curba care
delimiteaz` cele dou` zone este descris` de rela\ia empiric`:
i
C
= v
CE
-n (2)
unde ]i n depind de tehnologia de fabrica\ie a dispozitivului.

2.2. Aria de func\ionare sigur` (AFS)
Reprezint` zona [n care se poate deplasa punctul figurativ de func\ionare, de
coordonate i
C
-v
CE
, f`r` a exista pericolul distrugerii tranzistorului. Aria de func\ionare
sigur` [n fig. 1 este m`rginit` de axele de coordonate i
C
-v
CE
]i de curbele:
i
C
= I
CM
;


i
C
= P
dM
v
CE
-1, pentru i
C
< I
CM
]i

v
CE
< V
CEM
;


i
C
=

v
CE
-n
, pentru i
C
< I
CM
]i

v
CE
< V
CEM
;


v
CE
= V
CEM
.


Cazul general este cel [n care i
C
= P
dM
v
CE
-1 se intersecteaz` cu i
C
=

v
CE
-n
[ntr-un
punct (i
Cint
,

v
CEint
) pentru care avem i
Cint
< I
CM
]i v
CEint
< V
CEM
.
Dac` i
Cint
> I
CM
, atunci AFS este m`rginit` de i
C
= v
CE
-n, i
C
= I
CM
]i
v
CE
= V
CEM
, iar dac` V
CEint
> v
CEM
, AFS este m`rginit` de i
C
= P
dM
v
CE
-1, i
C
= I
CM
]i
v
CE
= V
CEM
.
{n fig. 2 este reprezentat un exemplu de arie de func\ionare sigur`.

Fig. 2 Aria de func\ionare sigur`.
{n cazul func\ion`rii [n curent continuu, curba care m`rgine]te AFS este figurat` cu
linie continu` pentru dou` temperaturi ale capsulei tranzistorului (25C ]i 100C). Se
38 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE
observ` c` aria de func\ionare sigur` se mic]oreaz` la cre]terea temperaturii capsulei. {n
cazul [n care tranzistorul func\ioneaz` [n regim de impulsuri, AFS se m`re]te (figurat`
punctat). {n aceast` situa\ie, [n pauza dintre impulsuri, jonc\iunea se r`ce]te. Din acest motiv
curentul maxim poate dep`]i valoarea sa maxim` de curent continuu (I
CM
) ]i puterea
instantanee poate fi mai mare dec@t cea de curent continuu. Tot [n aceast` situa\ie aria de
func\ionare sigur` este m`rginit` doar de str`pungerea secundar`, exponentul n fiind cu at@t
mai mare cu c@t durata impulsului scade.

2.3. Tranzistorul [n regim de comuta\ie
2.3.1. Parametrii de impuls
Datorit` fenomenelor de stocare, recombinare ]i deplasare a purt`torilor de sarcin` [n
regiunea bazei ]i [n regiunea colector-baz`, intrarea [n conduc\ie ]i blocarea tranzistorului [n
circuitul de sarcin` se produc cu o anumit` [nt@rziere fa\` de intrarea [n conduc\ie ]i blocarea
[n regiunea bazei.

Fig. 3 Diagrame func\ionale la comutarea tranzistorului bipolar.

M`rimile care caracterizeaz` comutarea tranzistorului, definite folosind formele de
und` din fig. 3, sunt:
t
on
- intervalul de timp [ntre cre]terea curentului de baz` (0,1i
B1
) ]i atingerea de
c`tre i
C
a valorii 0,9i
CM
;
t
off
- intervalul de timp [ntre c`derea curentului de baz` (0,9i
B1
) ]i atingerea
valorii 0,1i
CM
de c`tre i
C
; t
p
- durata impulsului aplicat [n baz`;
t
d
- [nt@rzierea la cre]tere;
t
s
- timp de stocare;


Tranzistorul bipolar [n circuit de comuta\ie 39
t
on
- se nume]te timp de comuta\ie direct`, iar t
off
timp de comuta\ie invers`.
Fiecare din cei doi timpi se compune dintr-o [nt@rziere (t
d
]i t
s
) ]i un timp de
cre]tere / c`dere a frontului (t
r
, t
f
).

3. TRANZISTORUL BIPOLAR {N CIRCUIT DE COMUTA|IE
Se va analiza [n continuare dependen\a diagramelor func\ionale ale tensiunii ]i
curentului prin tranzistor ]i solicit`rile la care este supus acesta [n func\ie de caracteristicile
acestuia ]i de circuitul [n cadrul c`ruia lucreaz`.

3.1. Comutarea pe sarcin` rezistiv`
Tranzistorul din fig. 4 comut` pe sarcin` rezistiv`, formele de und` liniarizate [n
comuta\ie fiind prezentate [n fig. 5. |in@nd cont c` U E I
CE sat C CE CM ( )
, I << <<
0
]i fiind
date E I t t t
C CM r f s
, , , , , se vor determina teoretic puterile medii disipate [n comuta\ie ]i se va
trasa graficul puterii instantanee.


Fig. 4 Tranzistorul bipolar [n comuta\ie pe sarcin` rezistiv`:
a) circuit; b) excursia punctului figurativ de func\ionare.

Fig. 5 Diagrame func\ionale ale tranzistorului bipolar [n comuta\ie.
Pe intervalul 0 t putem scrie:
r
40 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE
i I
t
t
C CM
r
= , unde I
E
R
CM
C
= (3)
]i

= =
r
C C C CE
t
t
1 E R i E u . (4)
Puterea medie la comutarea [n conduc\ie este:

= =
r
t
o
C CM
CE C
r
r
6
E I
dt u i
t
1
P . (5)
La comutarea [n intervalul t , se ob\ine [n mod asem`n`tor:
f

=
f
CM C
t
t
1 I i ]i u E
t
t
CE C
f
= . (6)
Puterea medie disipat` [n intervalul t
f
este:

6
E I
dt u i
t
1
P
CD CM
t
0
CE C
f
f
f
= =

. (7)
Puterea medie disipat` de tranzistor se poate exprima:
P
t t
T
P P
t t I E
T
T
f r
r f
r f CM C
=
+
+ =
+
( )
( )
6
. (8)
Folosind rela\iile anterioare pentru curent, tensiune ]i putere, [n intervalele de timp t
r

]i t
f
se ob\in puterile instantanee:

=
2
r
2
r
C CM r
t
t
t
t
E I ) t ( p ]i

=
2
f
2
f
C CM f
t
t
t
t
E I ) t ( p . (9)
Puterea instantanee disipat` are varia\ia din fig. 6.


Fig. 6 Puterea instantanee disipat` de tranzistorul
bipolar [n comuta\ie pe sarcin` rezistiv`.
3.2. Comutarea pe sarcin` inductiv`
{n condi\ii reale de func\ionare procesul de comutare al tranzistorului bipolar de putere
este determinat nu numai de parametrii intrinseci de comuta\ie ci ]i de caracterul sarcinii.
Astfel, s` consider`m circuitul din fig. 7.a cu tranzistor [n comuta\ie, lucr@nd pe sarcin`
inductiv-rezistiv`.
Tranzistorul bipolar [n circuit de comuta\ie 41

Fig. 7 Diagrame func\ionale pentru comutarea tranzistorului bipolar pe sarcin` inductiv`:
a) circuit; b) excursia punctului figurativ de func\ionare.

Traiectoria punctului figurativ de func\ionare [n planul caracteristicilor i u , [ntr-
un proces complet de comuta\ie (conduc\ie-blocare ]i invers) determin` at@t de puterea
disipat` de tranzistor c@t ]i asigurarea sa [n raport cu str`pungerea secundar`.
C CE
( )
Dac` R<L ]i tranzistorul se afl` ini\ial [n blocare, [n punctul figurativ A, la aplicarea
comenzii de comutare [n conduc\ie se produce saltul acestuia [n B, parcurg@ndu-se [n
continuare curba de satura\ie B-C. Dup` comanda de blocare, punctul figurativ descrie
traiectoria C-D-A. {n func\ie de circuitul de polarizare al intr`rii, punctul D de poate afla pe
una din caracteristicile de str`pungere primar` (u , sau ). Pe traiectoria C-D-
A se descarc` energia acumulat` [n inductan\`, o parte pe rezisten\a de sarcin` iar cealalt`
prin tranzistor.
CE0
u
CER
u
CEX
{n intervalul de blocare t , circuitul echivalent de comutare este cel din fig. 8 [n care
tranzistorul a fost modelat printr-un comutator T ideal (aceast` aproximare este posibil`
[ntruc@t tranzi\ia este determinat` [n principal de constanta de timp a sarcinii), iar tensiunea
[n str`pungerea primar` este u U .
rev
CE CE sus

( )
Aplic@nd teorema Kirchhoff II pentru circuitul echivalent se ob\ine:
L
di
dt
Ri E U
c C CE sus
+ =
( )
. (10)
Comutarea [n blocare [ncepe [n momentul [n care comutatorul S trece de pe pozi\ia 1
pe pozi\ia 2. Condi\ia ini\ial` pentru curent fiind:
i t I
E U
R
C CM
C CE sat
( )
( )
= = =

0 , (11)
solu\ia ecua\iei (10) este:

=
t
CM
t
) sus ( CE C
C
e I e 1
R
U E
i . (12)

42 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

Fig. 8 Comutarea [n blocare pe sarcin` R-L:
a) circuit echivalent; b) curentul de colector ]i tensiunea colector-emitor.

Dac` sarcina este puternic inductiv` astfel [nc@t L R t L R t
r f
/ , / >> >> ]i energia
acumulat` la sf[r]itul [nc`rc`rii este suficient de mare (W L ), punctul de
func\ionare parcurge traiectoria A-B-C-D-A.
I
L
CM
=
2
2 /
Dac` tensiunea de alimentare E ]i durata de aplicare a impulsului t sunt mari,
traiectoria parcurs` de punctul figurativ de func\ionare poate intersecta curba de
probabilitate a str`pungerii secundare ([n F), punctul figurativ se [ntoarce spre zona care
specific` tensiunea [n str`pungere secundar`, dispozitivul put@ndu-se distruge.
C p

3.3. Tehnici de comand` a tranzistoarelor bipolare de putere
Pentru cre]terea vitezei de comutare [n conduc\ie ]i respectiv blocare a tranzistorului
bipolar de putere au fost elaborate o serie de tehnici de comand`. Intervalul de timp t
poate fi mic]orat prin aplicarea ini\ial a unui curent de baz` mare pentru [nc`rcarea rapid` a
regiunii de baz`, iar apoi curentul este redus la o valoare necesar` pentru a suporta regimul
de satura\ie sta\ionar (cvasisatura\ie). Timpul de blocare t
on
off
poate fi redus prin inversarea
sensului curentului de baz`. Cre]terea valorii ini\iale a curentului invers de baz` determin`
mic]orarea timpului de stocare.
{n lucrare sunt studiate tehnicile de comand` care permit controlul comut`rii [n
conduc\ie ]i controlul de antisatura\ie.
3.3.1. Controlul comut`rii [n conduc\ie
Principiul controlului de comutare [n conduc\ie, [n vederea mic]or`rii timpului t este
prezentat [n fig. 9.
on
Tranzistorul bipolar [n circuit de comuta\ie 43

Fig. 9 Controlul comut`rii [n conduc\ie:
a) principiu; b) circuit practic.

{n primul interval de timp curentul injectat [n baz` satisface condi\ia: I I
B C sat 1
>
( )
, iar
apoi acesta este redus la valoarea I care asigur` regimul cvasista\ionar. {n varianta real`
de circuit, curentul de baz` este exponen\ial.
B2
Curentul de baz` maxim este:
I
U U
R
B
B B
1
1
1
=

E
, (13)
iar valoarea sta\ionar` a acestuia este:
I
U U
R R
B
B B
2
1
1 2
=

+
E
. (14)
Condensatorul se [ncarc` la tensiunea:
u U
R
R R
C B

+
1
2
1 2
, (15)
av@nd constanta de timp:

1
1 2
1 2
R R
R R
C =
+
. (16)
Pentru a dimensiona condensatorul C, vom pune condi\ia egalit`\ii [ntre sarcina
electric` cu care acesta este [nc`rcat [ntre momentele comuta\iei:
(17) Q R I
c
=
2
C
B
]i sarcina electric` ce trebuie injectat` sau extras` din baz`:
. (18) Q I
B B B ef
=
( )
Rezult` valoarea condensatorului:
C
R
B ef
=

( )
2
. (19)
44 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE
Rela\ia (19) poate fi utilizat` ]i pentru determinarea experimental` a lui . {n
acest scop, se modific` valoarea lui C p@n` c@nd tensiunea u are fronturi de comuta\ie
minime, atunci c@nd la intrarea circuitului se aplic` impulsuri dreptunghiulare.
B ef ( )
CE

3.3.2. Controlul de antisatura\ie
Dac` tranzistorul este comutat "puternic" [n conduc\ie, are loc o reducere a timpului de
comutare direct` t , dar la comutarea invers`, [n blocare, se produce cre]terea timpului de
stocare, . {n aplica\iile de comuta\ie la frecven\e ridicate aceast` situa\ie devine
indezirabil`. O solu\ie mai eficient` pentru rezolvarea acestei probleme este utilizarea unui
circuit de antisatura\ie, (fig. 10).
on
t
s

Fig. 10 Circuit cu diod` D
as
de antisatura\ie pentru
minimizarea timpului de stocare.

P@n` la intrarea [n satura\ie a tranzistorului, dioda D este blocat`:
as
. (20) U U U U
Das BE D CE
= +
1
0
Curentul injectat [n baz` este i I
B B
=
1
, iar curentul de colector este egal cu cel al
sarcinii, I I .
C
=
0
La atingerea pragului impus pentru U , dioda D se deschide, o parte a
curentului I se ramific` prin D ]i curentul injectat [n baz` scade, I I ; gradul
de satura\ie scade, tranzistorul trec@nd din regim de satura\ie puternic` [n cvasisatura\ie. {n
condi\iile de limit` de satura\ie, av@nd U
CE sat ( )
s
)
as
B1 as
I
B B a
=
1
U
BE on CE sat ( ) (
= , c`derile de tensiune pe cele
dou` diode D ]i D sunt egale, u
1 as
U
Das D
=
1
. Pragul pentru u se poate controla prin
adi\ionarea unor diode [n serie cu D . Curentul de colector se poate ob\ine din ecua\ia:
CE
1
I I I I I I I
C s B s B C
s
s
B
= = + =
+
+

( ) (
1 0 1
1
)
0
, (21)
unde cu s-a notat un factor de amplificare echivalent, la satura\ie.
s
Dioda D trebuie s` aib` un timp de revenire mai redus dec@t timpul de stocare al
tranzistorului. Mai mult, tensiunea invers` maxim` a diodei trebuie s` fie similar` cu
tensiunea de sus\inere a tranzistorului.
as
Tranzistorul bipolar [n circuit de comuta\ie 45
{n circuitele din fig. 10, dioda D este introdus` pentru a permite eliminarea sarcinii
stocate prin curent invers [n baz`, etc.
2
Dezavantajul major al metodei prezentate const` [n cre]terea puterii disipate, datorat`
cre]terii tensiunii u ]i [ntr-o oarecare m`sur` cre]terii curentului de colector prin
adi\ionarea componentei de curent prin D .
CE
as

3.4. Circuite de protec\ie pentru tranzistoare bipolare de putere
Circuitele de protec\ie individual` ("snubber circuits") pentru tranzistoare bipolare cu
jonc\iuni (TBJ) de putere sunt utilizate pentru a men\ine pe intervalul de comuta\ie
traiectoria punctului figurativ de func\ionare [n AFS. Astfel tranzistorul este supus la un
regim de stress la comutarea [n conduc\ie/blocare, c@nd at@t curentul c@t ]i tensiunea au
valori ridicate, ceea ce conduce la puteri mari disipate, efecte nedorite ale str`pungerii
dispozitivului ].a. Circuitele de protec\ie individual` a TBJ de putere sunt necesare tocmai
pentru a diminua (dac` nu a reduce [n totalitate) elementele de stress.
{n cele ce urmeaz`, [n vederea simplific`rii analizei circuitelor de protec\ie, se
consider` varia\ia curentului prin tranzistor liniar`. Aceast` ipotez` permite elaborarea unor
criterii simple pentru proiectarea circuitelor de protec\ie.

3.4.1. Circuit de protec\ie la comutarea [n blocare
Problema care se cere rezolvat` la comutarea [n blocare const` [n diminuarea puterii
disipate pe dispozitiv.
Tranzistorul are curentul [n conduc\ie i I
C
=
0
]i tensiunea la borne u =0. La
comutarea [n blocare, [n prezen\a snubber-ului R C , curentul i descre]te liniar, iar
componenta i I prin D [ncarc` capacitatea C . {n intervalul de blocare
CE
D
s s
, ,
s C
i
Cs C
=
0 s s
t t t
f 0
< <
se ob\ine:
i
I
t
t
Cs
f
=
0
(22)
iar curentul prin tranzistor este:

=
f
0 C
t
t
1 I i . (23)
46 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

Fig. 11 Circuit pentru protec\ia la comutarea [n blocare (snubber "off"):
a) circuit; b) diagramele func\ionale ale tensiunii ]i curentului la comutarea [n blocare.

Tensiunea la bornele condensatorului ]i tranzistorului este:

f s
2
0
t
0
Cs
s
CE Cs
t C 2
t I
dt i
C
1
u u = = =

. (24)
Formele de und` ale m`rimilor electrice pentru trei valori ale capacit`\ii C sunt
reprezentate [n fig. 11.b.
s
1. Pentru o valoare mic` a lui C , tensiunea u atinge valoarea E [nainte ca i s` se
anuleze. La t dioda de nul D, [n paralel pe sarcin`, comut` [n conduc\ie ]i tensiunea u
devine egal` cu E, dioda D este blocat`, iar [nc`rcarea condensatorului [nceteaz`.
s C C
f CE
s
2. Pentru o valoare C se produce anularea curentului de colector la t=t , c@nd
= E. Din rela\ia (24) se ob\ine:
C
s
=
1 s f
u
CE
C
I t
E
s
f
1
0
2
= . (25)
3. Pentru o valoare C , [nc`rcarea este mai lent`, are loc prelungirea procesului
de comuta\ie. De]i curentul de colector se anuleaz` [nainte ca tensiunea u s` ating`
valoarea sta\ionar` E, comutarea [n circuitul de sarcin` nu este [ncheiat`.
C
s
>
1 s
CE
Utiliz@nd rela\iile (23) ]i (24), se poate determina energia disipat` de tranzistorul
bipolar [n prezen\a circuitului snubber off:

s
2
f
2
0
t
0 f
0
f s
2
0
t
0
C CE f
C 24
t I
dt
t
t
1 I
t C 2
t I
dt i u W
f f
=

= =

, (26)
care pentru C devine: C
s
=
1 s
W
I Et
f
f
=
0
12
. (27)
Compar@nd aceast` energie cu cea ob\inut` [n circuitul f`r` snubber se constat` un
raport de 1:6, ceea ce exprim` [n mod evident utilitatea circuitului de protec\ie.
O analiz` mai detaliat` a circuitului snubber off trebuie s` ia [n considerare ]i
influen\a snubber-ului asupra energiei disipate de dispozitiv la comutarea [n conduc\ie.
Tranzistorul bipolar [n circuit de comuta\ie 47

3.4.2. Circuit de protec\ie la comutarea [n conduc\ie
Ca ]i pentru celelalte situa\ii prezentate, punctul figurativ de func\ionare pentru
regimul normal trebuie s` se g`seasc` [n AFS. {n acest caz, circuitul de protec\ie este utilizat
pentru reducerea pierderilor de comuta\ie ]i mai ales la frecven\e de lucru mari.
1. {n circuitul din fig. 12. a snubber-ul este utilizat [n scopul reducerii tensiunii la
bornele de ie]ire ale dispozitivului la comutarea [n conduc\ie. Diagramele func\ionale pentru
circuitul men\ionat sunt trasate [n fig. 12.b.
La comutarea [n conduc\ie inductan\a L a snubber-ului "on" preia saltul de tensiune:
s
U
LI
t
CE
ri
=
0
, (28)
unde t este timpul de cre]tere al curentului pentru valori mici ale lui L ; panta de cre]tere a
curentului, di/dt, la valori mici ale lui L este dictat` numai de parametrii tranzistorului.
ri s
s
Pentru valori mari ale lui L , se reduce c`derea de tensiune u ca ]i valoarea
curentului i [n comuta\ie.
s CE
C
{n intervalul de conduc\ie al tranzistorului, energia acumulat` [n inductan\a
snubber-ului, L I
s
0
2
2, este disipat` [n R . La determinarea rezisten\ei R se au [n vedere 2
factori:
s s
a) Pe durata bloc`rii tranzistorului, c`derea de tensiune la bornele R este adi\ionat`
tensiunii de alimentare, astfel c` la bornele tranzistorului apare supratensiunea:
s
. (29) U R
CE s max
=
0
I


Fig. 12 Circuit pentru protec\ia la comutarea [n blocare (snubber "on"):
a) circuit; b) diagramele func\ionale ale tensiunii ]i curentului la comutarea [n conduc\ie.

b) {n blocare curentul prin L trebuie s` scad` la o valoare minim` (de exemplu la
0,1I ) astfel [nc@t la [nceputul unui nou ciclu de comutare s` fie realizate acelea]i condi\ii
ini\iale.
s
0
48 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE
Rezult` c` intervalul minim de blocare al tranzistorului trebuie s` satisfac` condi\ia:
t
L
R
off
s
s
> 2 3 , . (30)
Dimensionarea elementelor snubber-ului ia [n considera\ie procesele de blocare at@t
[n conduc\ie c@t ]i [n blocare.

4. MONTAJUL STUDIAT
Se remarc` [n fig. 13 modulul de comand` care este un circuit basculant astabil
realizat cu tranzistoarele T
2
]i T
3
. Etajul de ie]ire este realizat [n contratimp cu T
3
]i T
4
,
astfel [nc@t prin saturarea tranzistoarelor, acestea s` prezinte o impedan\` de ie]ire foarte
mic` [n ambele stari. Circuitul basculant astabil este astfel dimensionat [nc@t s` oscileze
pentru tensiuni de alimentare cuprinse [ntre V
+
= 4 10V ]i V
-
= 0 -8V furniz@nd semnale
de comand` pentru tranzistorul de putere studiat.
Tranzistorul de putere studiat este T
1
2N 5492 cu parametrii I
CM
= 6A, f
T
= 0,8
MHz, P
d
= 50 W /
c
= 25 C. Pentru T
1
care este echivalent cu tranzistorul 2N3055, se
cunosc: t
d
= 0,2s, t
s
= 2,6s, t
s
= 2,7s, t
f
= 6s, la I
B
= +/- 4A.
Diodele folosite sunt 1N4148. Pentru a evita str`pungerea diodelor se limiteaz`
tensiunea de alimentare (E) la 30V. De asemenea se limiteaz` curentul prin tranzistor (i
C
) la
1A pentru a se evita supra[nc`lzirea acestuia.

Fig. 13 Schema electric` a montajului studiat.

Elemente de simulare SPICE 49
Rezisten\ele din circuit trebuie s` aib` inductan\a parazit` c@t mai mic`, astfel [nc@t
constanta de timp proprie s` fie mic` [n raport cu timpii de comuta\ie.
{ntrerup`toarele sunt marcate [n dreptul pozi\iei care introduce [n circuit componenta
respectiv`.

5. ELEMENTE DE SIMULARE PSPICE
Circuitul PSpice corespunz`tor tranzistorului bipolar cu sarcin` rezistiv` [n colector
din fig. 14 este urm`torul:

Comutatia tranzistorului bipolar de putere
* Sarcina rezistiva, fara DF, snubber on, snubber off, CB si DAS.
.LIB C:\PSPICE\L2\LIB\DIODE.LIB
.LIB C:\PSPICE\L2\LIB\BIPOLAR.LIB
Q 5 4 0 Q2N5492
*Circuitul din baza
VIN 1 0 PULSE(-5 5 0 0 0 25u 50u)
Rb 1 2 56
D1 2 3 1N4148
D2 3 4 1N4148
D3 4 2 1N4148
*Circuitul din colector
VCC 6 0 30V
Rs 5 6 40
*Optiuni
.TRAN 10n 100u
.OPTIONS ITL5=0 RELTOL=0.0001
.END

Fig. 14 Tranzistor bipolar [n comuta\ie cu sarcin` rezistiv`.
50 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

{n fig. 14 este [nlocuit circuitului astabil pentru generarea impulsurilor de comand` cu
sursa de tensiune [n impulsuri V .
IN
Pentru diode ]i tranzistoare se folosesc modele PSpice aflate [n bibliotecile diode.lib,
respectiv BIPOLAR.LIB. Tranzistorul bipolar este modelat de PSpice ca un tranzistor
intrinsec, cu rezisten\ele ohmice [n serie cu colectorul (RC), cu baza (valoarea acesteia este
dependent` de curent) ]i cu emitorul (RE). Parametrii de model mai importan\i ai
tranzistoarelor bipolare, [n regim de comuta\ie sunt:
Parametru
de model
Semnifica\ie parametru de model Valoare
implicit`
Unitate de
m`sur`
IS curent de satura\ie al jonc\iunii p-n 1E-16 A
BF valoarea lui direct 100 -
BR valoarea lui invers 1 -
RB rezisten\a bazei la curent nul 0 Ohm
RE rezisten\a ohmic` a emitorului 0 Ohm
RC rezisten\a ohmic` a colectorului 0 Ohm
CJE capacitatea jonc\iunii baz`-emitor la curent nul 0 F
CJC capacitatea jonc\iunii baz`-colector la curent nul 0 F
TF timpul de tranzit la comuta\ia direct` 0 S
TR timpul de tranzit la comuta\ia invers` 0 S
6. DESF~}URAREA APLICA|IEI
Aparate ]i echipamente necesare:
- dou` surse stabilizate de tensiune de 0 - 10V ]i 0,5A, pentru alimentarea diferen\ial`
a astabilului, de exemplu stabilizatorul dublu IFIN Multistab 235;
- stabilizator de tensiune de 0 - 30V ]i 0,75A, pentru alimentarea tranzistorului de
studiat, de exemplu IFA Stabitrans 303 sau IEMI 4102;
- osciloscop cu dou` spoturi ]i banda de cel pu\in 10 MHz, de exemplu Tesla BM;
- dou` sonde f`r` divizor;
- calculator compatibil IBM PC;
- pachet de programe PSpice.

6.1. Se vizualizeaz` pe osciloscop tensiunea u
com
furnizat` de astabil. Se m`soar`
timpii de comand` ai conduc\iei, respectiv bloc`rii, deci ]i perioada de repeti\ie. Se ajusteaz`
E pentru ca amplitudinea I
E
a curentului de emitor s` fie 0,75 A.

6.2. Se studiaz` cazul sarcinii pur rezistive (L
s
= 0), f`r` circuite snubber, circuit de
control a comut`rii [n conduc\ie (C
b
=0), diod` antisatura\ie D
as
, ]i diod` de nul D
f
. Se
vizualizeaz` pe osciloscop u
com
, v
CE
(t), i
C
(t)i
E
(t) ]i evolu\ia punctului figurativ de
Desf`]urarea aplica\iei 51
func\ionare de coordonate i
C
(t)-v
CE
(t) [n planul ariei de func\ionare sigur` (AFS), folosind
bornele U
com
, U
0
]i I
E
. Se m`soar` timpii t
d
, t
r
, t
s
, t
f
.
Circuitul pentru simularea PSpice este reprezentat [n fig. 14, iar fi]ierul de circuit
corespunz`tor este 62.CIR din directorul C:\PSPICE\L2.
Pentru analiza PSpice se urm`re]te succesiunea:
se analizeaz` fi]ierul circuit 62.CIR cu succesiunea de comenzi: Files, Edit;
se par`se]te meniul Edit cu comanda Exit;
se intr` [n meniul Probe pentru a se vizualiza formele de und` furnizate de
PSpice cu succesiunea de comenzi: Probe, Run Probe;
se vizualizeaz` tensiunea colector-emitor a tranzistorului [ntre punctele 5 ]i 0 cu
comenzile: Add-trace, V(5);
se vizualizeaz` curentul de colector ]i curentul de baz` cu succesiunea de
comenzi Plot-control, Add-plot, Exit, Add-trace, F4, IC(Q) ]i similar IB(Q). Se m`soar`
timpii t
d
, t
r
, t
s
, t
f
.
se vizualizeaz` puterea instantanee disipat` de tranzistor cu succesiunea de
comenzi Plot-control, Add-Plot, Exit, Add-Trace, V(5)*IC(Q). Pentru a se analiza puterea
instantanee ]i valoarea sa maxim`, se folose]te comanda Zoom.
Din situa\ia anterioar`, cu formele de und` pentru V(5), IC(Q), IB(Q) ]i putere
instantanee afi]ate pe ecran, se revine [n situa\ia [n care pe ecran se afi]eaz` doar I(Q) cu
succesiunea de comenzi: Plot-control, Remove plot, Remove plot, Exit.
se vizualizeaz` evolu\ia punctului figurativ de func\ionare (PFF) i
C
(t)-v
CE
(t) [n
planul ariei de func\ionare sigur` (AFS) cu succesiunea de comenzi: X-axis, X-variable,
V(5). Se putea anticipa evolu\ia PFF [n AFS ?
Se p`r`se]te meniul Probe cu succesiunea de comenzi: Exit, Exit, Exit-program.

6.3. Se introduce [n circuit dioda de antisatura\ie D
as
pentru reducerea timpului de
stocare. Se vizualizeaz` pe osciloscop u
com
, v
CE
(t), i
C
(t)i
E
(t). Se m`soar` timpii t
d
, t
r
, t
s
, t
f
.
Ce se constat` ?
Pentru analiza PSpice, circuitul corespunz`tor este desenat [n fig. 15, iar fi]ierul de
circuit corespunz`tor este 63.CIR din C:\PSPICE\L2.
52 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

Fig. 15 Tranzistor bipolar [n comuta\ie cu sarcin` rezistiv` ]i circuit
cu diod` antisatura\ie pentru reducerea timpului de stocare.

Se vizualizeaz` diagramele func\ionale PSpice care pun [n eviden\` fenomenul
considerat. Se m`soar` timpii corespunz`tori comuta\iei tranzistorului. Ce diferen\e se
observ` fa\` de punctul anterior ?

6.4. Se introduce [n circuiul de la punctul 6.2 condensatorul C
b
pentru controlul
comut`rii [n conduc\ie. Se vizualizeaz` pe osciloscop u
com
, v
CE
(t), i
C
(t)i
E
(t). Se m`soar`
timpii t
d
, t
r
, t
s
, t
f
.
Circuitul pentru analiza PSpice este prezentat [n fig. 16, iar fi]ierul de circuit
corespunz`tor este 64.CIR din directorul C:\PSPICE\L2.
Se vizualizeaz` pe monitor diagramele V(6), IC(Q) ]i IB(Q) pun@ndu-se [n eviden\`
reducerea fronturilor de comuta\ie [n conduc\ie a tensiunii colector-emitor comparativ cu
cazul de la punctul 6.2.
Se efectueaz` multiple simul`ri cu diverse valori ale C
b
p@n` se ob\ine o valoare
minim` a frontului de comuta\ie [n conduc\ie a tensiunii pe tranzistorul bipolar de putere. Ce
valoare are condensatorul C
b
[n acest caz ?
Desf`]urarea aplica\iei 53

Fig. 16 Tranzistor bipolar [n comuta\ie pe sarcin` rezistiv`
]i circuit pentru controlul comut`rii [n conduc\ie.

6.5. Se analizeaz` comuta\ia tranzistorului bipolar pe sarcin` inductiv-rezistiv`, f`r`
diod` de nul ]i circuite snubber. Circuitul din baz` nu con\ine nici dioda antisatura\ie, nici
condensatorul pentru controlul comut`rii [n conduc\ie.
Se vizualizeaz` pe osciloscop u
com
, v
CE
(t), i
C
(t)i
E
(t) ]i evolu\ia punctului figurativ
de func\ionare de coordonate i
C
(t)-v
CE
(t), folosind bornele U
com
, U
0
]i I
E
. Cum v` explica\i
oscila\ia i
C
(t) ]i v
CE
(t) [n absen\a "aparent`" a unui condensator [n circuit ?
Circuitul corespunz`tor analizei PSpice este prezentat [n fig. 17, iar fi]ierul de circuit
corespunz`tor este 65.CIR din C:\PSPICE\L2.

Fig. 17 Tranzistor bipolar [n comuta\ie pe sarcin` inductiv-rezistiv`.

Se vizualizeaz` curentul de colector, de baz`, tensiunea colector-emitor ]i puterea
instantanee disipat` de tranzistor. Exist` momente [n care puterea instantanee pe tranzistor
este negativ`, deci tranzistorul cedeaz` energie. Cum explica\i acest lucru \in@nd cont c`
dispozitivul este pasiv, deci nu con\ine surse de energie ?
54 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE
Se m`soar` timpii t
d
, t
r
, t
s
, t
f
. Se vizualizeaz` evolu\ia punctului figurativ de
func\ionare [n planul AFS. Identifica\i punctele corespunz`toare st`rilor sta\ionare [n care
tranzistorul este saturat ]i respectiv blocat. Cum aprecia\i condi\iile [n care lucreaz`
tranzistorul [n acest circuit ?

6.6. Se introduce [n circuitul de la punctul anterior dioda de nul D
f
. Se vizualizeaz`
diagramele curen\ilor ]i tensiunilor pe dispozitiv.
Circuitul de analiz` PSpice este prezentat [n fig. 18, iar fi]ierul de circuit
corespunz`tor este 66.CIR.

Fig. 18 Tranzistor bipolar [n comuta\ie cu sarcin`
inductiv-rezistiv` ]i diod` de nul.

Se vizualizeaz` curentul de colector, de baz`, tensiunea colector-emitor ]i puterea
instantanee disipat` de tranzistor. Ce diferen\e se constat` fa\` de punctul anterior ?

6.7. Pentru configura\ia din cadrul punctului anterior se introduce circuitul snubber
off. Deoarece pentru cazul considerat se poate presupune c` sarcina este puternic inductiv`,
iar impulsurile de comand` au factorul de umplere = 0,5, se ob\ine pentru curentul prin
sarcin` valoarea de palier I V R
cc off 0
0 375 = = / , . La acest curent tranzistorul are
t s
f
= 0 35 , . Se ob\ine, utiliz@nd rela\ia (25), valoarea condensatorului snubber
. C n
s1
2 1875 = , F
Se vizualizeaz` pe osciloscop curentul prin tranzistor ]i tensiunea colector-emitor a
acestuia, precum ]i evolu\ia punctului figurativ de func\ionare (PFF) [n planul ariei de
func\ionare sigur` (AFS).
Circuitul corespunz`tor analizei PSpice este prezentat [n fig. 19, iar fi]ierul de circuit
corespunz`tor este 67.CIR.
Desf`]urarea aplica\iei 55

Fig. 19 Tranzistor bipolar [n comuta\ie cu sarcin` inductiv-rezistiv`,
diod` de nul ]i circuit snubber "off".

Se vizualizeaz` curentul de colector IC(Q), curentul prin condensatorul snubber
I(Coff), tensiunea colector-emitor V(5), puterea instantanee disipat` de tranzistor IC(Q)*V(5)
]i evolu\ia PFF [n planul AFS. Se observ` folosindu-ne de Zoom evolu\ia parabolic` a
tensiunii colector-emitor [n cursul comuta\iei tranzistorului [n blocare. Cum aprecia\i
modificarea puterii instantanee pe tranzistor [n cursul celor dou` comuta\ii ? Efectua\i alte
dou` simul`ri cu valori ale lui C mai mari ]i respectiv mai mici dec@t C . S` se explice
evolu\ia PFF [n planul AFS pentru cele trei situa\ii ob\inute.
off s1

6.8. {n cadrul configura\iei de la punctul 6.6 se introduce circuitul snubber on. La
valoarea de palier I V R
cc off 0
0 375 = = / , a curentului de colector calculat` anterior,
tranzistorul are t . Se ob\ine utiliz@nd rela\ia (28) ]i impun@nd s
r
=1 2 , U V
CE cc
=
valoarea inductan\ei din circuitul snubber on L H
on
= 96 . Se vizualizeaz` pe osciloscop
curentul prin tranzistor ]i tensiunea colector-emitor a acestuia, precum ]i evolu\ia PFF [n
planul AFS.
Circuitul pentru analiza PSpice este prezentat [n fig. 20, iar fi]ierul de circuit
corespunz`tor este 68.CIR.
Se vizualizeaz` curentul de colector IC(Q), tensiunea colector-emitor V(5), puterea
instantanee disipat` de tranzistor IC(Q)*V(5) ]i evolu\ia PFF [n planul AFS. Se observ`
utiliz@nd Zoom faptul c` tranzistorul comut` [n conduc\ie la tensiune colector-emitor nul`,
puterea disipat` [n cursul acestui proces fiind nul`. Cum aprecia\i influen\a circuitul snubber
on asupra puterii instantanee pe tranzistor [n cursul comuta\iei [n blocare ? Efectua\i alte
dou` simul`ri cu valori ale lui L mai mari ]i respectiv mai mici dec@t valoarea calculat`
anterior. Ce observa\i ?
on
56 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

Fig. 20 Tranzistor bipolar [n comuta\ie cu sarcin` inductiv-rezistiv`,
diod` de nul ]i circuit snubber "on".

7. {NTREB~RI
7.1. S` se calculeze puterea disipat` de tranzistorul T
1
[n satura\ie datorit`
tensiunii de satura\ie U
0
.
7.2. S` se calculeze pentru cazul sarcinii rezistive puterea disipat` de tranzistorul T
1

[n cursul comuta\iei, folosind pentru t
r
, t
f
]i frecven\a impulsurilor de comand` valorile
m`surate experimental. S` se compare puterea disipat` [n satura\ie calculat` anterior cu cea
datorat` comuta\iei.
7.3. S` se calculeze pentru cazul sarcinii inductiv-rezistive la comutarea [n blocare,
energia stocat` [n condensatorul C al circuitului snubber "off", energia disipat` [n rezisten\a
R
s
]i s` se fac` bilan\ul puterilor.
7.4. Din ce motiv apar oscila\ii ale curentului i
C
(t) la comutarea [n blocare pe sarcin`
inductiv-rezistiv` (punctul 6.5). S` se estimeze valoarea capacit`\ii colector-emitor a
tranzistorului T
1
utiliz@nd rezultatele simul`rii PSpice ?