METODA DE CALCUL AL ETAJULUI

DE AMPLIFICARE N TENSIUNE I ETAJULUI DE

AMPLIFICARE N PUTERE
n fig.1 i fig.2 sunt prezentate dou scheme tipice de
amplificatoare.

Fig.1. Schema principial a etajului de amplificare n
audiofrecven a amplificatorului cu tranzistor
bipolar cuplat cu emitor comun.
1
R

R
C
R1
R
G
R2

d
2

d
1
R
S
U
G
U
ie.
U
intr.
I
B
I
E
I
C
E
C
VT

E
n tab.1. sunt prezentate datele iniiale necesare proiectrii.
Tab.1
Etaj de amplificare fr transformator
Varianta U
ie...
R
s
, Oh !
"
, #$ %
"
E
C
, V
9 2! 2"# 1!# 1$# 1!
%et&da de 'a(')( a a*(i+i'at&r)()i de tensi)ne
,n -a$a tran$ist&r)()i -i*&(ar
%ate iniiale& schema de cuplare a tranzistorului emitor comun
'E()* tensiunea la ieirea etajului de amplificare 'pe sarcin)
U
ie.a..
/ rezistena sarcinii* frec+ena de limit de jos* +aloarea
admisibil a coeficientului de distorsiuni neliniare ,n gama
frec+enei de jos* tensiunea sursei de alimentare 0
C
. -a efectuarea
calculelor se presupune c temperatura mediului ambiant este
. 1!/. 2!
#
0.
1 se determine&
- tipul tranzistorului care trebuie utilizat ,n circuit*
- regimul de funcionare al tranzistorului*
- nominala rezistorului din circuitul emitorului R
E
*
- nominala condensatorului de blocaj
E
*
- nominala rezistoarelor din di+izorul de tensiune R1, R2*
- nominala condensatorului de di+izare
1
2*
- nominala rezistorului din circuitul colectorului R
C
*
- coeficientul de amplificare al etajului dup tensiune 2
U
.
Ca(')()( a*(i+i'at&r)()i de tensi)ne
2
1. 2legem tipul tranzistorului conduc3ndu4ne de urmtoarele&
5) U
CE.adis.
31,141,560
C
unde U
CE.adis.
6 +aloarea ma7im
admisibil a tensiunii dintre colector i emitor 'conform
,ndrumarului pentru dispoziti+e electronice)*
18 1! 2 . 1 2 . 1
.
= = =
C admis CE
E
!"
b) I
C.adis.
2I
s.a..
7 2U
ie.a..
8R
s
unde I
s.a..
6 +aloarea admisibil
a amplitudinii curentului sarcinii iar I
C.adis.
4 +aloarea admisibil a
curentului colectorului 'conform ,ndrumarului pentru dispoziti+e
electronice).
#2#8 . #
2"#
! . 2 2 2
2
ma7 .
. ma7 . .
=

= =
s
ies
s admis C
#

$ $
% sau &'() m%
9entru aa etaje de amplificare de regul sunt utilizate
tranzistoare de putere redus. 1ubliniem c pentru gama de
temperaturi ale mediului ambiant preconozate la calculul etajului de
amplificare poate fi utilizat orice tranzistor. %in aceste considerente
e7cludem influena temperaturii asupra parametrilor tranzistorului
utilizat.
9entru tranzistorul selectat din ,ndrumar se traseaz pe h3rtie
milimetric familiile caracteristicilor de ieire i caracteristica de
intrare la +aloarea U
CE
: 6 ! ;. (oncomitent se noteaz +alorile
coeficienilor de amplificare dup curent pentru schema de cuplare
E(
. in

<
. a.

i +alorile ma7im admisibile pentru U

CE.adis.
,
I
C.adis.
, 9
C.adis.
.

2. =egimul de funcionare al tranzistorului se determin conform
dreptei de sarcin 'caracteristica dinamic de ieire) trasate pe
familia caracteristicilor de ieire pentru schema de cuplare E(.
Trasarea dreptei de sarcin este prezentat ,n fig.$a. %reapta de
sarcin este trasat dup dou puncte& iniial 9 i punctul 1 care este
$
determinat de +aloarea tensiunii de alimentare 0
C
. (oordonatele
punctului 9 sunt curentul I
C:
i tensiunea U
CE:
'adic curentul i
tensiunea ce corespund +alorii U
intr.a..
: #).
1e definete >
#(
: '1#!/12#)>
ie.
: '1#!/12#)>
s.ma7.
:1.1!?#.#1:#.#11
,ns nu mai redus de 1 m@ i
U
CE:
7 U
ie.a..
; U
rest.a..
:2.!41:1.! !
unde 6 U
rest.a..
prezint +aloarea minim admisibil pentru A
(E
.
-a +alori U
CE
< U
rest.
apar distorsiuni neliniare destul de mari
fiind fapt c ,n gama de lucru se plaseaz poriunile caracteristicilor
statice cu neliniaritate major. 9entru tranzistoarele de putere redus
putem U
rest.
: 1 ;. 9entru regimul de funcionare clasa 2 punctul de
lucru 9 trebuie s fie plasat la mijlocul caracteristicii dinamice 'c3nd
semnal de intrare nu este). n aa caz +ariaiei curentului de intrare
'curentul bazei) corespund +ariaii proporionale ale curentului
colectorului 'curent de ieire).
-a alegerea regimului de funcionare al tranzistorului este
necesar s se ,ndeplineasc condiia I
C.in.
I
Cs
7 I
C:
.
%up c3te+a puncte s se traseze curba puterii admisibile pe care
o poate ,mprtia tranzistorul 9
C.adis.
7 I
C
U
CE
: const. i pentru
"
!
t
"
1
2
!
B
$
>
(
>
(
:9
(.adm.
CA
(E
>
D!
>
D"
>
D$
>
D2
>
D1
A
(E
E
(
t
A
(E#
A
rest.
A
(.m.
A
(.m.
>
>
(
.
m
a
7
.
>
(
.
m
.
>
(
.
m
.
>
(
.
#
.
>
(
.
m
i
n
.
>
(
.
m
i
n
.
a
d
m
.
>
D
A
DE
1
1
2
1
9
1
t
t
>
D
.
m
a
7
.
.
>
D
.
m
i
n
.
2
>
D
.
m
2A
intr.m.
A
D.min.
A
DE.ma7..
A
(
E

:
4
!
;
a)
b)
Fig.*. +eterminarea regimului de funcionare al tranzistorului dup
familiile caracteristicilor de ie,ire.
+alori ale temperaturii =
ed.n&r.
7 > 2?
:
se indic dac tranzistorul
ales posed parametrii regimului termic.
$. %eterminm +alorile nominale pentru R
C
i R
E
.
(onform caracteristicilor de ieire '+ezi fig.$a) determinm
R
t&ta(
7 R
C
> R
E
. =ezistena total ,n circuitul emitor4colector
R
t&ta(
7 0
C
8I
undeE I este curentul determinat ,n punctul " adic la intersecia
dreptei de sarcin cu a7a curentului. %ac se definete
R
E
7 3:,1?4:,2?6R
C

obinem
) 2! 1 ... 1! 1 '
total
C
#
# =
*
C t&ta( E
R R R =
.
". (onform caracteristicii statice de intrare determinm +alorile
ma7ime ,n amplitudine pentru semnalul de intrare I
intr.a..
i U
intr.a..

necesare pentru asigurarea +alorii necesare U
ie.a..
. %ac pornim de
la +aloarea coeficientului de amplificare minim dup curent a
tranzistorului utilizat
. in

obinem&
. in
. in . C
. in . B . in . r int
I
I I

= =
*
. in
. a. . C
. a. . B . a. . r int
I
I I

= =
.
2tunci
2
I I
I I
. in . B . a. . B
. . B . . r int

= =
.
%up caracteristica static de intrare ,n schema E( ridicat la
+alori U
CE
: 4 ! ; 'fig.$b) i +alorile obinute pentru I
B.in.
< I
B.a..
se determin +aloarea 2U
intr..
.
!. %eterminm rezistena de intrare a etajului de amplificare dup
curent alternati+ R
intr.
'fr a lua ,n consideraie di+izorul de
tensiune R1 i R2)&
. . r int
. . r int
. r int
I 2
U 2
R =

.
F
F. %eterminm nominalele rezistoarelor di+izorului de tensiune R1
i R2. 9entru a micora aciunea de untare a di+izorului asupra
circuitului de intrare presupunem

. r int 2 1
R 6 @ ... A 3 R
unde
2 R 1 R
2 R 1 R
R
2 1
+
=

.
n aa caz
C : E
2 1 C
E E
2 1 C
1
I R
R E
I R
R E
R

= =
*
2 1
2 1
R 1 R
R 1 R
2 R

=
.
G. %eterminm coeficientul de stabilitate ,n funcionarea etajului&
. a.

1
2 R 1 R
6 2 R 1 R 3 R
2 R 1 R 6 2 R 1 R 3 R
S
+
+ +
+ +
=

unde
. a.

prezint +aloarea ma7im posibil a coeficientului de

amplificare dup curent pentru tranzistorul solicitat.
9entru funcionarea normal a etajului de amplificare +aloarea
coeficientului de stabilitate nu trebuie s ,ntreac +aloarea de c3te+a
uniti.
8. %eterminm capacitatea condensatorului de di+izare
d
2&
1 B R ! 2
1
2 C
2
" . ie "
d

=
*
C = . ie
C = . ie
. ie
R R
R R
R
+
=

unde = . ie
R
este rezistena de ieire a tranzistorului determinat
conform caracteristicilor de ieire pentru schema de cuplare E(. n
majoritatea cazurilor C = . ie
R R >>
. %in aceste considerente putem
scrie S C . ie
R R R +
.
9. %eterminm capacitatea condensatorului
E
&
E "
E
R ! 2
1:

=
.
1#. %eterminm +aloarea coeficientului de amplificare a etajului
dup tensiune&
. . r int
. . ie
U
U
U
2 =
.
G
8