167

Capitolul 6


TEHNOLOGIA DE FABRICAIE
A JONCIUNILOR P-N

6.1. Scurt istoric

Karl Ferdinand Braun descoperea, n anul 1874, c unele cristale au proprie-
tatea de a permite, n anumite condiii, trecerea curentului electric ntr-un singur
sens.
Greenleaf Whittier Pickard a realizat, n anul 1906, i a brevetat n anul 1911,
ceea ce el a denumit detectorul cu "musti de pisic" (cat whisker). Numele ve-
nea de la forma pe care o avea dispozitivul: un mic cristal de galen (sulfur de
plumb) prevzut cu contacte metalice i terminale subiri flexibile asemntoare
unor musti de pisic.
Fenomenul de diod sau de redresare aprea la contactul dintre cristal i me-
tal.
Ulterior s-a constatat c acelai fenomen putea s apar i la contactul dintre
dou buci din acelai tip de cristal care aveau, ns, proprieti de conducie uor
diferite.
Cunotinele din fizica de la sfritul secolului XIX nu au permis explicarea
acestui fenomen.
Acest lucru a nceput s se ntmple abia dup anii 1920, o dat cu dezvolta-
rea mecanicii cuantice i nelegerea structurii materialelor.
Cristalul din detectorul cu galen era de fapt un semiconductor, iar contactul
metalsemiconductor, unde se producea redresarea curentului va cpta denumi-
rea de contact Schottky sau dioda Schottky, dup numele fizicianului elveian
Walter Schottky. Schottky a publicat lucrarea sa despre contactul metal
semiconductor n anul 1938.
n capitolul de fa nu se va prezenta ns acest tip de diod. Se vor trece n
revist, totui, cteva considerente generale precum i aspecte legate de tehnologia
acestui tip de dispozitiv.
Expunerea se va concentra pe diodele cu jonciuni, numite i jonciuni pn,
deoarece funcionarea majoritii covritoare a dispozitivelor semiconductoare i
a circuitelor integrate actuale au la baz aceste jonciuni.

TEHNOLOGII ELECTRONICE


168

6.2. Considerente teoretice privind jonciunea pn

6.2.1. Formarea jonciunii pn

Jonciunea reprezint zona de contact dintre un semiconductor de tip p i un
semiconductor de tip n. Exist dou moduri de a realiza jonciuni pn: prin aliere
si prin difuzie.
Alierea a dou sau mai multor materiale este un proces metalurgic n urma
cruia se realizeaz un material nou prin nclzirea pn la topire a constituenilor.
Comportarea materialului rezultat funcie de temperatur este descris de diagra-
ma de faz. Diagrama de faz red comportarea aliajului n funcie de concentraia
elementelor componente.
Primele dispozitive cu semiconductori au fost fabricate prin aliere. Exemplul
clasic n acest sens l constituie dispozitivul cu germaniu.
Pe un cristal (plachet) de germaniu (de o mrime adecvat puterii disipate de
dispozitivul final) se aeaz o pastil de indiu.
Printr-un tratament termic, aplicat n condiii de temperatur adecvate, se
produce alierea germaniului cu indiul.
Temperatura procesului s-a ales astfel nct germaniul s se topeasc numai
parial, n dreptul pastilei de indiu (care se topete integral).
n acest fel alierea se produce localizat (n dreptul pastilei de indiu), iar fron-
tul de aliere ptrunde n germaniu determinnd formarea jonciunii (aliaj germaniu
+ indiu germaniu) din ce n ce mai adnc n plachet. Reeaua monocristalin
este puternic afectat, zona aliat devenind policristalin sau chiar amorf.
Adncimea (de la suprafaa plachetei de germaniu) pn la care ptrunde frontul
de aliere determin adncimea jonciunii.
Indiul este un element trivalent, ceea ce face ca atunci cnd devine
substituional n germaniu (element tetravalent) s duc la un surplus de goluri;
semiconductorul devine de tip p.
n acest fel s-a realizat prima diod pn cu jonciune.
Dei tehnologia dispozitivelor cu germaniu a evoluat, totui avantajele tehno-
logice oferite de siliciu au fcut ca acest din urm material s fie folosit n msur
tot mai mare pentru realizarea dispozitivelor moderne cu semiconductori.
Chiar dac siliciul nu are proprieti la fel de bune ca germaniul din punct de
vedere electric i termic (mobilitate mic a purttorilor de sarcin, band interzis
ngust, ceea ce face ca dispozitivele s nu poat funciona la temperaturi nalte),
el s-a impus datorit procesrii mult mai "prietenoase".
Capitolul 6. Tehnologia de fabricaie a jonciunilor p-n


169
Pe parcursul descrierii proceselor tehnologice de realizare a dispozitivelor
semiconductoare cu siliciu se vor desprinde avantajele procesrii siliciului fa de
celelalte materiale semiconductoare.
n cazul siliciului impurificarea nu se mai realizeaz prin aliere ci prin difuzie.
n procesul de difuzie atomii de impuritate, aflai n numr mare la suprafaa
unei plachete de siliciu, ptrund n reeaua cristalin a semiconductorului datorit
energiei cptate prin nclzire (procesul se produce ntr-un cuptor, la o tempera-
tur ridicat).
Atomii de impuritate difuzeaz n siliciu i concentraia lor scade cu adnci-
mea de la suprafaa plachetei de siliciu. n momentul n care concentraia de impu-
riti devine egal cu aceea a impuritilor deja existente n siliciu, dar de tip
"opus", se spune c s-a realizat o jonciune. Prin opus se nelege impuriti
donoare fa de impuriti acceptoare (i invers).
Spre deosebire de procesul de aliere, procesul de difuzie altereaz n foarte
mic msur structura cristalin a materialului semiconductor de baz. Datorit
acestui fapt dispozitivele realizate astfel au caracteristici electrice apropiate de
cele ideale descrise de ecuaiile corpului solid cristalin.

6.2.2. Curentul n jonciunea pn

A. Diagrame energetice. Regiunea de sarcin spaial

n continuare se va analiza ce se ntmpl cnd se realizeaz un contact intim
ntre dou buci din acelai semiconductor dar dopate diferit, una cu impuriti
donoare i cealalt cu impuriti acceptoare.
Prin contactul intim se nelege
c se dispune de o singur bucat de
material semiconductor. Aceast bu-
cat de semiconductor conine ns o
zon de tip n i o zon de tip p.
Situaia benzilor energetice na-
intea contactului intim este prezenta-
t n figura 6.1.
Pentru a nelege ce se ntmpl
cnd cele dou buci de semicon-
ductor se altur pentru a forma un
singur material este nevoie s se in-
troduc noiunea de potenial chimic.
Aa cum se cunoate din fizic,


Fig. 6.1. Diagrama energetic pentru semiconduc-
torul de tip p i pentru semiconductorul de tip n.


TEHNOLOGII ELECTRONICE


170
distribuia electronilor (care particip la conducie) pe nivele energetice este dat
de funcia FermiDirac. Prin nivel Fermi s-a definit acel nivel al energiei pentru
care funcia FermiDirac ia valoarea 0,5. O alt interpretare a nivelului Fermi este
c la 0 K nici un electron nu poate ocupa o poziie superioar nivelului Fermi (cu
alte cuvinte exist o probabilitate nenul ca electronul s scape din banda de va-
len, dar energia pe care o are nu-i permite s sar pn n banda de conducie).
Distribuia FermiDirac exprimat prin relaia 6.1 permite determinarea pro-
babilitii privind ocuparea unei stri de energie E de ctre o particul dintr-un
ansamblu statistic de particule:

( )
( )
kT
E
e
E f

+
=
1
1
, (6.1)

unde: E este energia particulei;
K constanta lui Boltzmann;
T temperatura.

Dac ansamblul este constituit din particule neutre (de exemplu, moleculele
unui gaz) mrimea poart numele de potenial chimic.
n cazul unui ansamblu format din particule ncrcate cu sarcin electric m-
rimea reprezint potenialul electrochimic.
Dac particulele ncrcate cu sarcin electric sunt electroni atunci potenialul
electrochimic este denumit nivel Fermi.
Un principiu fundamental al termodinamicii l constituie faptul c n condiii
de echilibru termic (temperatur constant) nivelul Fermi este constant n tot ma-
terialul.
n baza acestei observaii nseamn c la alturarea celor dou buci de
semiconductor (n i p) nu va exista situaia energetic prezentat n figura 6.2, ci
aceea din figura 6.3.
O interpretare posibil a situaiei benzilor energetice prezentat n figura 6.3
poate fi urmtoarea.
Se dispune de un singur material semiconductor, de exemplu siliciu,
impurificat n anumite zone cu impuriti acceptoare i n alte zone cu impuriti
donoare.
Dup cum s-a mai spus, la 0 K electronii n materialul semiconductor nu pot
depi nivelul Fermi. Totodat la 0 K electronii aflai att n zona "n" ct i n
zona "p" au nevoie de aceeai energie ca s devin electroni liberi, deci s ajun-
g n vid (nu trebuie s existe discriminare ntre electronii celor dou zone dac
Capitolul 6. Tehnologia de fabricaie a jonciunilor p-n


171
asupra materialului nu se aplic nici o constrngere suplimentar cum ar fi dife-
rena de temperatur sau diferena de potenial). n aceste condiii, dac referina
este nivelul minim energetic din vid trebuie ca nivelul Fermi s se gseasc, peste
tot n material, la aceeai diferen energetic fa de energia electronilor liberi
n vid. Cum energia minim a electronilor liberi n vid este constant nseamn c
i nivelul Fermi trebuie s fie constant.






Fig. 6.2. Situaia energetic la alturarea
semiconductorului
de tip p cu semiconductorul de tip n.
Fig. 6.3. Situaia benzilor de energie la contactul
intim dintre cele dou tipuri de semiconductor.


Pentru a se obine situaia din figura 6.3 benzile energetice de valen i de
conducie se curbeaz pentru a se realiza racordarea ntre regiunile p i n. Este o
situaie diferit fa de cea prezentat n figura 6.1 i figura 6.2 n care benzile
energetice de conducie i de valen sunt netede.
Dar n situaia din figura 6.3 electronii din banda de conducie din zona n au
tendina s se deplaseze prin difuzie ctre zona p, deoarece aici concentraia elec-
tronilor este mai mic (tendina de a echilibra concentraiile). Apare n acest fel un
curent de difuzie.
Se tie c nclinarea benzilor energetice se datoreaz unei diferene de poten-
ial.
Aceast diferen de potenial d natere unui cmp electric intern ndreptat
dinspre zona n (zon ce devine ncrcat cu sarcin pozitiv datorit plecrii unor
electroni) ctre zona p. Cmpul electric, la rndul su, iniiaz un curent de drift
care tinde s ntoarc electronii n zona n. Cei doi cureni de electroni (de difuzie
i de drift) se echilibreaz astfel nct nu exist o curgere net de curent ntre cele
dou zone.
TEHNOLOGII ELECTRONICE


172
O discuie similar se poate face i pentru goluri n banda de valen. Golurile
se mic n sens opus electronilor din banda de conducie. Deplasarea golurilor
prin difuzie creeaz un cmp electric intern ndreptat n acelai sens ca i cmpul
produs de micarea electronilor.
Diferena total de potenial corespunztoare suprapunerii celor dou cmpuri
este notat
i
n figura 6.3. i este denumit potenial intern al jonciunii pn.
Cu notaiile din figura 6.3, potenialul intern are expresia:

n p i
+ = , (6.2)
unde:

( )
( ).
,
n regiunea
q
E E
p regiunea
q
E E
i F
n
i F
p

=
. (6.3)

Relaiile pentru calculul potenialelor sunt:

, ln
, ln
i
A
p
i
D
n
n
N
q
kT
n
N
q
kT
=
=
(6.4)

unde: N
D
este concentraia de impuriti donoare;
N
A
concentraia de impuriti acceptoare;
n
i
concentraia intrinsec de impuriti ;
q sarcina electric elementar.

n aceste condiii expresia diferenei de potenial intern (relaia 6.2), n funcie
de concentraia de impuriti din cele dou zone, devine:

2
ln
i
D A
i
n
N N
q
kT
= . (6.5)
Este interesant s se cunoasc pe ce distan se ntinde curbarea benzilor
energetice fa de zona de jonciune n cele dou zone, n respectiv p. n figura 6.3
aceste distane s-au notat cu x
n
respectiv x
p
.
Capitolul 6. Tehnologia de fabricaie a jonciunilor p-n


173
Dac n zona n pe distana x
n
concentraia de electroni a sczut foarte mult, se
poate spune c zona n pe distanta x
n
a rmas ncrcat cu o concentraie de ioni
pozitivi N
D
.
Aceast sarcin se poate calcula cu relaia:

n D n p p
x AqN x A Q = = , (6.6)

unde: Q
p
este sarcina total;
A aria transversal a jonciunii;

p
concentraia de sarcin pozitiv n zona n, lng jonciune;
q sarcina electric elementar.

n mod analog se calculeaz sarcina pentru zona p:

p A p n n
x AqN x A Q = = . (6.7)

Materialul trebuie s fie neutru din punct de vedere electric, astfel nct cele
dou sarcini s se compenseze reciproc. ndeplinirea acestei condiii impune ega-
litatea:

n p
Q Q = , (6.8)

ceea ce dup nlocuire devine:

p A n D
x N x N = . (6.9)

Zona din semiconductor cuprins de o parte i de cealalt a jonciunii ntre -x
p

i x
n
poart numele de zon de sarcin spaial.
Jonciunea format ntre cele dou zone de material uniform dopate cu N
A

respectiv N
D
poart numele de jonciune abrupt (concentraia de impuriti se
modific n mod abrupt, la jonciune).
Dac concentraia N
D
este diferit fa de concentraia N
A
jonciunea se nu-
mete abrupt asimetric.
Modul n care variaz concentraia de impuriti, sarcina electric, cmpul in-
tern i potenialul pentru o astfel de jonciune este redat n figura 6.4.


TEHNOLOGII ELECTRONICE


174



Fig. 6.4. Concentraia de impuriti, sarcina electric, cmpul electric
i potenialul intern funcie de distana pe direcia perpendicular pe planul jonciunii.

Din punct de vedere tehnic nu se poate realiza o astfel de jonciune, deoarece
ntotdeauna distribuia impuritilor prezint o pant n zona jonciunii (jonciune
gradat fig. 6.5). Acest lucru este pus n eviden cel mai bine de difuziile
adnci pentru dispozitive de putere (de exemplu, la o diod de putere, adncimea
la care se formeaz jonciunea fa de suprafaa plachetei poate ajunge la zeci de
microni).
Doar pentru dispozitivele de puteri mici, care au jonciuni mai puin adnci
(adncimea jonciunii < 1 m), aproximarea profilurilor de impuriti prin jonci-
uni abrupte d rezultate coerente.
Jonciunile cu alura cea mai apropiat de aceea a unei jonciuni abrupte asi-
metrice se obin prin tehnici de epitaxie de tipul MBE (Molecular Beam Epitaxie).

Capitolul 6. Tehnologia de fabricaie a jonciunilor p-n


175


Fig. 6.5. Jonciune gradat format prin difuzie.

Pentru o jonciune abrupt asimetric limea regiunii de sarcin spaial este
dat de relaia:

p n
x x W + = , (6.10)

unde:
( )
( )
a i
D A A
D S
p
a i
D A D
A S
n
V
N N N
N
q
x
V
N N N
N
q
x

+

=

+

=
1 2
1 2
. (6.11)

nlocuind expresiile pentru x
n
i x
p
n relaia (6.11) se obine, pentru lrgimea
regiunii de sarcin spaial, relaia:

( )
a i
D A
S
V
N N q
W

=
1 1 2
, (6.12)

unde: W, x
n
i x
p
au semnificaiile din figurile 6.3 i 6.6;
N
A
i N
D
concentraiile de impuriti acceptoare (zona p) respectiv
donoare (zona n);

s
permitivitatea semiconductorului;
(
s
= K
0
unde
0
este permitivitatea vidului;
0
= 8,86 x 10
-14
F/cm i
K este constanta dielectric; K
siliciu
= 11,4);
TEHNOLOGII ELECTRONICE


176

i
potenialul intern al jonciunii;
V
a
tensiunea extern aplicat pe jonciune.

Fig. 6.6. Jonciune pn abrupt asimetric cu tensiune
extern aplicat Va.

Observaii
1. Limea regiunii de sarcin spaial crete cu tensiunea invers aplicat pe
jonciune i se micoreaz la aplicarea unei tensiuni directe.
2. Regiunea de sarcin spaial se extinde mai mult n zona de semiconductor
mai puin dopat.

Pentru familiarizarea cititorului cu ordinul de mrime a regiunii de sarcin
spaial, se va prezenta n continuare un exemplu numeric.
Exemplu: Se realizeaz o jonciune abrupt prin difuzie de bor ntr-o plachet
de siliciu de tip n uniform dopat i care are rezistivitatea de 5 cm. Concentraia
impuritilor de bor (N
A
) este de 10
19
cm
-3
. Concentraia de impuriti donoare
(N
D
) n placheta iniial de tip n este de aprox. 10
15
cm
-3
. Cmpul intern al acestei
jonciuni este dat de relaia (6.5): i = 0,82 V; (kT/q la temperatura camerei
T=300 K este aproximativ 26 mV). Lrgimea regiunii de sarcin spaial (fr
tensiune electric aplicat din exterior V
a
=0) este dat de relaia (6.12):
W=1 m. Dac pe diod se aplic tensiunea invers V
R
=40 V (V
a
= V
R
) atunci
conform aceleai relaii (6.12) se obine W = 7,05 m.

Observaie
La proiectarea unui dispozitiv discret sau circuit integrat este important s se
in cont de extinderea regiunii de sarcin spaial pentru tensiunea maxim inver-
s la care lucreaz jonciunea.
Capitolul 6. Tehnologia de fabricaie a jonciunilor p-n


177

6.2.3. Curentul n jonciunea pn polarizat invers

Exist dou abordri pentru deducerea expresiei curentului printr-o diod:
- prima din abordri presupune rezolvarea ecuaiei de transport a lui
Boltzmann pentru un semiconductor neomogen;
- a doua abordare (datorat lui Shockley) propune divizarea jonciunii pn n
trei regiuni: o regiune central regiunea de sarcin spaial (cuprins n-
tre -x
p
i x
n
v. fig. 6.6) i dou regiuni neutre din punct de vedere electric
( regiunea p cuprins ntre Wp i x
p
i regiunea n cuprins ntre x
n
i Wn
vezi fig. 6.6). n acest caz curentul total este format prin nsumarea com-
ponentelor de curent aprute n cele trei regiuni.
Justificarea expresiei curentului prin jonciunea pn se face apelnd la abor-
darea lui Shockley.
Dac asupra unei jonciuni pn se aplic o tensiune invers V
a
=V
R
semicon-
ductorul n ntregul lui trece ntr-o stare excitat. Tensiunea V
R
are aceeai orienta-
re ca i potenialul intern iniial
i
. Potenialul intern total capt valoarea:

R i
V + = (6.13)

Dup cum se tie, acest lucru
trebuie s se traduc, n reprezenta-
rea energetic, printr-o curbare i
mai accentuat a benzilor de ener-
gie. Singura modalitate prin care se
poate realiza acest lucru este ca ni-
velul Fermi s nu mai fie constant
n tot semiconductorul. Pentru jon-
ciunea polarizat invers apare o
diferen ntre nivelele Fermi din
cele dou zone (n si p) egal cu
qV
R
. Diagrama energetic pentru
acest caz este prezentat n figura
6.7.
n figura 6.8 se prezint situa-
ia concentraiilor purttorilor de
sarcin mobili n cele trei zone ale
jonciunii.




Fig. 6.7. Diagrama energetic pentru
o jonciune polarizat invers.

TEHNOLOGII ELECTRONICE


178


Fig. 6.8. Situaia concentraiei de purttori de sarcin la aplicarea
unei tensiuni inverse pe jonciune.

a. Regiunea de sarcin spaial
La aplicarea tensiunii inverse se mrete regiunea de sarcin spaial (cresc x
n

i x
p
). Acest lucru presupune c ali purttori de sarcin sunt ndeprtai din regiu-
nea de sarcin spaial. n aceast zon semiconductorul tinde s revin la starea
iniial printr-un proces de generare net de purttori de sarcin. Aceti purttori
sunt imediat "preluai" de cmpul electric i "aruncai" n zonele neutre.
Viteza de generare net are expresia:

0
2
=
i
n
U , (6.14)

unde
0
este timpul de via din regiunea golit polarizat invers i se exprim prin
relaia:

t th p n
kT
t
E
i
E
p
kT
i
E
T
E
n
N v
e e

+
=

2
0
, (6.15)

n care: v
th
este viteza de agitaie termic;
N
t
densitatea centrilor de generarerecombinare;
E
i
nivelul Fermi intrinsec;
E
t
nivelul energetic al centrilor de combinarerecombinare;
N
i
concentraia intrinsec de impuriti;

n
i
p
seciunile de captur pentru electroni, respectiv goluri;

0
timpul de via din regiunea golit polarizat invers.
Capitolul 6. Tehnologia de fabricaie a jonciunilor p-n


179
Orice impuritate introduce n diagrama energetic a semiconductorului nivele
suplimentare de energie, de multe ori acestea plasndu-se n banda interzis.
Acestea acioneaz ca centrii de generarerecombinare (electronilor le este facili-
tat trecerea din banda de valen n banda de conducie deoarece ei pot pi acum
pe un nivel intermediar energetic pentru a ajunge n banda de conducie).
Conform relaiei (6.14) viteza de generarerecombinare net scade exponeni-
al cu distana la care se afl nivelului energetic introdus de impuritate fa de nive-
lul Fermi intrinsec.
Cei mai eficieni centri de generarerecombinare sunt cei situai n apropierea
nivelului Fermi intrinsec.

Observaie
Metalele introduc centri de generarerecombinare apropiai de nivelul intrin-
sec n siliciu, ceea ce conduce la o vitez de generare mare. Aceasta se traduce
printr-un curent invers mare al jonciunii. Impuritile donoare i acceptoare n
siliciu introduc nivele energetice n banda interzis foarte apropiate de banda de
valen sau de banda de conducie. Efectele acestor centri sunt relativ mici asupra
vitezei de generarerecombinare.



Fig. 6.9. Mecanismul de generarerecombinare prin
centrii plasai n banda interzis.

Curentul datorat generriirecombinarii n regiunea de sarcin spaial este
exprimat de relaia:

j
i
gen
WA
n
q I
0
2
1

= (6.16)
TEHNOLOGII ELECTRONICE


180

unde: W este lrgimea regiunii de sarcin spaial;
A
j
aria transversal a jonciunii;
q sarcina electric elementar.

Observaie
O diod ideal este un dispozitiv care trebuie s permit trecerea curentului
numai n situaia n care este polarizat n direct (curentul invers este nul pentru o
dioda ideal). Printr-o diod real trece ns, la polarizare invers, un curent care
are una din componente datorat generrii n regiunea de sarcin spaial. n afar
de anumite cazuri speciale, n jonciuni trebuie s minimizm curentul invers. O
cale de minimizare este prevenirea impurificrii cu elemente care micoreaz
0

(i deci mresc U). O alt cale este de a menine lrgimea regiunii de sarcin spa-
ial (W) la o dimensiune ct mai mic. Conform relaiei (6.12) acest lucru presu-
pune concentraii de impuriti mari. Dar o concentraie de impuriti mare redu-
ce, dup cum se va vedea, tensiunea de strpungere a jonciunii. Curentul printr-o
jonciune polarizat invers crete cu mrirea tensiunii aplicate pe jonciune deoa-
rece W creste cu V
R
(rel. (6.12)).

b. Regiunile neutre
Cmpul intens, care apare datorit tensiunii inverse aplicate, preia purttorii
minoritari din zonele neutre de lng regiunea de sarcin spaial (v. fig. 6.8) i i
arunc n cealalt zon neutr unde devin purttori majoritari. Ca urmare a acestui
mecanism concentraia purttorilor minoritari scade (p
n0
la p
n
n zona neutr n i
n
p0
la n
p
n zona neutr p) n apropierea regiunii de sarcin spaial. n acelai timp
concentraia de purttori majoritari crete uor lng zona de sarcin spaial (p
p0

la p
p
i n
n0
la n
n
). Curbarea concentraiei de impuriti ctre zona de sarcin spaia-
l duce la apariia unui curent de difuzie. Curentul total de difuzie este dat de su-
ma curenilor datorai purttorilor majoritari i minoritari n zona neutr.

Observaie
Curentul de difuzie format ntr-o zon neutr este identic cu curentul de difu-
zie format n cealalt zon neutr, deoarece curentul datorat purttorilor minoritari
n una din zone trebuie s se regseasc n curentul de purttori majoritari n cea-
lalt zon (nu se pierd i nu se ctig purttori de sarcin n zonele neutre). n
acest fel se poate nlocui componenta dat de curentul majoritar n una din zonele
neutre (s zicem electronii n zona n) cu componenta datorat purttorilor minori-
tari n cealalt zon (electronii n zona p). n aceste condiii curentul de difuzie n
jonciunile pn este dat de suma curenilor de difuzie ai purttorilor minoritari.
Capitolul 6. Tehnologia de fabricaie a jonciunilor p-n


181

Lungimea pe care se produce scderea concentraiei de purttori minoritari
(L
n
i L
p
) se numete lungime de difuzie a purttorilor minoritari i se exprim
prin relaiile:

, D L
D L
p p p
n n n
=
=
(6.17)

unde: D
n
, D
p
sunt coeficienii de difuzie ai purttorilor de sarcin. Valorile aces-
tor coeficieni sunt date de relaiile lui Einstein:

n n
q
kT
D = , (6.18)

p p
q
kT
D = , (6.19)

unde:
n
i
p
sunt mobilitile electronilor, respectiv ale golurilor;
T temperatura absolut;
k constanta Boltzmann;

n
,
p
timpii de via ai purttorilor minoritari (timpi datorai generrii n
volumul corespunztor lungimii de difuzie).

Aplicnd relaiile (6.17) i (6.18) curentul de difuzie prin jonciune devine:

+ =
p D
p
n A
n
i j diff
L N
D
L N
D
n qA I
2
. (6.20)

Curentul total prin jonciunea polarizat invers este dat de suma curenilor re-
zultai n urma generriirecombinarii n regiunea de sarcin spaial i difuziei
purttorilor la marginea regiunilor neutre, lng regiunea de sarcin spaial:

diff gen total
I I I + = . (6.21)

Dac
n
=
p
=
0
expresia raportului I
diffn
/ I
gen
devine:

TEHNOLOGII ELECTRONICE


182
W
L
N
n
I
I
n
A
i
gen
n diff
2
,
= . (6.22)

Observaie
Influena curentului de difuzie n curentul invers al unei jonciuni devine cu
att mai mare cu ct temperatura jonciunii crete. Acest lucru se datoreaz crete-
rii concentraiei intrinseci n
i
cu temperatura.

6.2.3. Curentul n jonciunea pn polarizat n direct

n cazul unei jonciuni polarizat
n direct cu tensiunea V
F
, regiunea de
sarcin spaial se micoreaz (conform
relaiei (6.12) n care V
a
=V
F
). i n
acest caz se produce separarea nivelului
Fermi n dou quasinivele (E
Fp
i E
Fn
)
distanate la qV
a
=qV
F
ca n figura 6.10.
Concentraia de purttori minori-
tari este mrit n regiunile neutre, ln-
g regiunea de sarcin spaial (fig.
6.11).





Fig. 6.11 Modificarea concentraiei de impuriti la aplicarea
unei tensiuni directe pe jonciune.

Fig. 6.10. Diagrama energetic pentru o jonci-
une
pn polarizat n direct.

Capitolul 6. Tehnologia de fabricaie a jonciunilor p-n


183

Observaie
Cmpul electric intern se micoreaz datorit micorrii potenialului intern
cu valoarea V
F
dar el nu i schimb sensul.

a. Contribuia la curentul direct dat de regiunea de sarcin spaial

Sarcina electric n regiunea de sarcin spaial de o parte a jonciunii se mic-
oreaz ca urmare a micorrii W. Pentru a reveni la situaia de echilibru are loc o
recombinare net a purttorilor n exces. Viteza de recombinare net este dat de o
relaie similar cu relaia (6.16), dar amplificat cu un factor exponenial ce de-
pinde de tensiunea direct aplicat V
F
:

kT
F
V q
i
e
n
U
2
0
2
1

= , (6.23)

unde n
i
i
0
au semnificaiile cunoscute.

n aceste condiii curentul prin jonciune datorat recombinrii n regiunea de
sarcin spaial este dat de relaia:

kT
F
qV
i
F rec
We
n
q I
2
0
,
2
1

= . (6.24)

Observaie
La polarizare direct curentul de recombinare depinde de tensiunea direct
aplicat V
F
prin termenul
kT
F
qV
e
2
. n reprezentare logaritmic panta dreptei
ln(I
rec,F
) = f(V
F
) este q/2kT.

b. Contribuia la curentul direct dat de regiunile neutre

n regiunile neutre concentraia purttorilor minoritari este crescut pn la
valorile p
n
respectiv n
p
(fig. 6.11) fa de situaia fr tensiune, aplicat pe jonci-
une (cnd concentraiile purttorilor minoritari sunt p
n0
respectiv n
p0
).
Contribuia la curentul total prin jonciune dat de curentul de difuzie n zone-
le neutre se calculeaz cu relaiile:

TEHNOLOGII ELECTRONICE


184
,
, 1
, 1
, , ,
2
,
2
,
p diff n diff F diff
j
kT
F
V q
p D
i
p p diff
j
kT
F
V q
n A
i
n n diff
I I I
A e
L N
n
qD I
A e
L N
n
qD I
+ =

=
(6.25)

unde: D
n
, D
p
, L
p
i L
n
au semnificaiile date n cazul curentului de difuzie prin
jonciune la polarizare invers.

Observaie
Curentul de difuzie la polarizarea direct este egal cu curentul de difuzie la
polarizarea invers amplificat cu factorul ( 1
kT
F
qV
e ). n reprezentarea logaritmic
panta dreptei ln(I
diff,F
)=f(V
F
) este egal cu q/kT.

n aceste condiii, curentul total prin jonciunea p-n polarizat direct este su-
ma curenilor de recombinare (regiunea de sarcin spaial) i de difuzie (regiunile
neutre):

I
F
= I
rec,F
+ I
diff,F .
(6.26)

O reprezentare empiric pentru caracteristica direct a unei jonciuni polariza-
te n direct este dat de expresia:

mkT
V q
F
F
e I . (6.27)

unde: m mai poart denumirea de factor de idealitate al diodei. Valoarea lui m
este cuprins n intervalul (12).

Observaie
n cazul n care componenta principal a curentului direct este curentul de re-
combinare, atunci valoarea lui m este apropiata de 2. Dac ns, curentul de difu-
zie este dominant, atunci valoarea lui m este apropiat de 1.

Jonciunile pn polarizate n direct sunt dominate de curentul de recombinare
la tensiuni mici i de curentul de difuzie la tensiuni mari. Pentru diferii
Capitolul 6. Tehnologia de fabricaie a jonciunilor p-n


185
semiconductori, pragul difer funcie de banda interzis. Influena mai mare sau
mai mic se manifest la toi semiconductorii i funcie de temperatur.
n figura 6.12 se prezint zonele unei caracteristici directe a diodei cu siliciu
n reprezentare logaritmic. Se remarc o curbare accentuat a caracteristicii la
tensiuni directe mari datorate rezistenei serie; n aceast zon panta caracteristicii
m este mai mare dect 2.



Fig. 6.12. Curentul direct printr-o jonciune pn
n funcie de tensiunea aplicat.

n practic se vorbete despre o diod ideal cnd, n condiii normale de fun-
cionare la polarizare direct, curentul este dominat de curentul de difuzie (i pan-
ta m=1).

6.3. Strpungerea jonciunilor pn

6.3.1. Strpungerea Zener. Strpungerea prin multiplicare n avalan

Principala caracteristic a unei jonciuni pn este aceea c redreseaz, adic
permite trecerea curentului electric ntr-un singur sens. S-a vzut c o diod real
permite trecerea curentului i la polarizare invers, ns acest curent este nesemni-
ficativ fa de cel ce se formeaz la polarizare direct.
Un curent semnificativ apare i la polarizarea invers dac tensiunea aplicat
pe jonciune depete o anumit valoare; acest fenomen se numete strpungerea
jonciunii.
TEHNOLOGII ELECTRONICE


186
Tensiunea asociat fenomenului de strpungere se numete tensiune de str-
pungere (se va nota BV breakdown voltage), iar cmpul electric cores-punztor
se numete cmp critic i se va nota
crt
.
Strpungerea unei jonciuni se poate face dup dou mecanisme:
- strpungere Zener (tunelare);
- strpungere prin avalan.
n cazul tunelrii cmpul electric intens rupe legturile covalente dintre
atomi, dnd natere la un numr crescut de electroni i goluri disponibile pentru
conducie. n reprezentarea energetic un electron trece direct din banda de valen-
n cea de conducie prin efect tunel. Strpungerea Zener are loc dac intensita-
tea cmpului electric intern este foarte mare (> 100 V/ m).
Strpungerea Zener este precedat n cele mai multe cazuri de strpungerea n
avalan.
Acest mecanism presupune c electronii i golurile, disociate ca urmare a
cmpului intens, ciocnesc alte legturi covalente pe care le rup genernd mai
muli purttori de sarcin; se produce o multiplicare n avalan a purttorilor de
sarcin.
Strpungerea prin avalan este un fenomen care conduce la distrugerea jon-
ciunilor (jonciunile nu mai au caracter redresor).
Strpungerea Zener nu are efect distructiv. Jonciunile pn pot lucra n zona
de strpungere Zener i sunt folosite n generatoarele de tensiune constant.
Aceast situaie poate exista dac strpungerea Zener va avea loc naintea str-
pungerii prin avalan.
Din punct de vedere tehnologic, acest lucru se realizeaz prin doparea puter-
nic a celor dou zone ale jonciunii pn.
n figura 6.13 se prezint cmpul critic pentru strpungerea n avalan i
Zener pentru siliciu n funcie de concentraia de impuriti C
B
(C
B
poate fi
N
A
sau N
D
).

Fig. 6.13. Cmpul critic pentru siliciu n funcie de concentraia de impuriti.
Capitolul 6. Tehnologia de fabricaie a jonciunilor p-n


187
n vederea explicrii fenomenelor de strpungere se va face referire tot la o
jonciune abrupt, pentru a pune n eviden elementele care influeneaz tensiu-
nea de strpungere a unei jonciuni pn.
Pentru aceasta se va face referire la figura 6.4.
Cmpul maxim pentru o jonciune abrupt polarizat invers este dat de rela-
ia:

W
V
R i
+
= 2
max
. (6.28)
Jonciunea se va strpunge cnd cmpul maxim depete cmpul critic
cr
. n
aceste condiii relaia (6.28) se poate rescrie sub forma:

B
s
R
crt
qC
K
V
0
2
2

= , (6.29)

de unde se obine expresia tensiunii de strpungere:

B
crt s
qC
K
BV
2
2
0

= , (6.30)

n care C
B
are semnificaia din figura 7.13.

Observaii
1. Pentru o valoare constant a cmpului critic tensiunea de strpungere este
invers proporional cu concentraia de impuriti.
2. ntr-o jonciune ideal abrupt asimetric, deoarece regiunea de sarcin
spaial se extinde practic numai n zona mai puin dopat, strpungerea
jonciunii este produs de cmpul corespunztor zonei mai puin dopate.
3. Tensiunea de strpungere depinde de lrgimea benzii interzise a semicon-
ductorului; semiconductorii cu banda interzis mai larg au tensiuni de
strpungere mai mari.

Pentru jonciuni liniar gradate, care prezint n zona jonciunii o pant a con-
centraiei de impuriti definit prin relaia:

dx
dC
a = |x=x
j
, (6.31)
TEHNOLOGII ELECTRONICE


188
unde: x
j
este adncimea jonciunii msurate de la suprafaa unei plachete de
semiconductor n care s-a realizat o difuzie de impuriti, tensiunea de
strpungere se va calcula cu relaia:

qa
K
BV
crt s
9
32
2
0

= , (6.32)

mrimile ce intervin au semnificaiile precizate anterior.

6.3.2. Strpungerea jonciunilor realizate prin difuzia impuritilor

n fabricaia de circuite integrate se folosesc plachete lustruite oglind pe o
singur parte.
Pe o astfel de plachet de siliciu se realizeaz numeroase circuite integrate i
n fiecare circuit integrat se ntlnesc numeroase jonciuni pn.
Acest lucru impune ca jonciunile s fie realizate localizat i trebuie s se m-
piedice ptrunderea impuritilor n siliciu pe toat suprafaa plachetei.
Pentru realizarea din punct de vedere tehnologic a acestei condiii se folosete
o proprietate important a siliciului i anume c acesta se poate oxida ntr-o at-
mosfer de oxigen. n urma procesului de oxidare se formeaz un strat de dioxid
de siliciu (SiO
2
) care acoper ntreaga plachet.
Stratul de dioxid de siliciu constituie o barier eficient mpotriva ptrunderii
impuritilor n siliciu.
Posibilitatea formrii acestui strat, precum i existena unor soluii chimice cu
care s se ndeprteze controlat dioxidul de siliciu fr s se altereze materialul
semiconductor (siliciul), care se afl sub el, a permis dezvoltarea exploziv a teh-
nologiei dispozitivelor bazate pe acest material.
Ulterior, tehnologiile dezvoltate pentru confecionarea dispozitivelor
semiconductoare din siliciu au fost adaptate i pentru tehnologia dispozitivelor
bazate pe alte materiale semiconductoare, materiale care nu formeaz oxizi cu
aceleai caliti ca ale dioxidului de siliciu.
Stratul de dioxid de siliciu, pentru a fi eficient n a proteja (a masca) placheta
la ptrunderea impuritilor, trebuie s aib o anumit grosime. Aceast grosime
depinde de durata de timp n care placheta este supus aciunii impuritilor i de
temperatura la care are loc aceast operaie (de exemplu, temperatura la care se
produce difuzia impuritilor n siliciu).
Oxidarea plachetei de siliciu are loc i la temperatura camerei, dar stratul
crescut este foarte subire (2550) i nu este eficient.
Capitolul 6. Tehnologia de fabricaie a jonciunilor p-n


189
Viteza de cretere a stratului de oxid poate fi mrit dac oxidarea se produce
la temperatur ridicat.
Acest proces de oxidare se numete oxidare termic.
Procesul de oxidare termic are loc n cuptoare speciale, cu temperatur pre-
cis controlat. n aceste cuptoare sunt plasate, de obicei, tuburi de cuar cu diame-
tre care s permit introducerea plachetelor de siliciu. Prin tuburile de cuar circu-
l gaze cu coninut bogat de oxigen sau vapori de ap.
Grosimea oxidului este controlat prin ajustarea temperaturii i a duratei pro-
cesului de oxidare.
Astfel, se pot obine prin procesul de oxidare termic, grosimi reproductibile
de dioxid de siliciu cuprinse ntre 500 i 10 000 (1m = 10 000 ).
Domeniul de temperatur pentru oxidarea termic a siliciului este cuprins n
mod uzual ntre 900
0
C i 1200
0
C. Duratele de procesare pot varia de la cteva
minute la cteva ore.
Exist situaii cnd este nevoie ca dioxidul de siliciu s aib grosimi de pn
la 20 000 (2 m). Aceste grosimi se obin cu preul unor timpi foarte lungi de
proces i a unor temperaturi ridicate. n general, prin procese de oxidare termic,
nu se realizeaz mai mult de 20 000 de dioxid de siliciu.
O alt extrem o ntlnim n cazul circuitelor integrate moderne care au nevo-
ie de straturi de oxizi cu grosimi mai mici de 100 (porile tranzistoarelor MOS).
Aceste grosimi pot fi realizate prin tratamente termice rapide (RTP Rapid
Thermal Processing).
Se va reveni asupra acestui proces pentru o prezentare mai detaliat.
n figura 6.14 se prezint fluxul tehnologic pentru realizarea unor diode cu
jonciuni, pornind de la o plachet de siliciu de tip n.
Pentru a permite impuritilor acceptoare s difuzeze localizat n siliciu de tip
n i s formeze jonciuni p-n trebuie ndeprtat dioxidul de siliciu din zonele res-
pective.
Procesul prin care se realizeaz aceast ndeprtare se numete proces de fo-
tolitografie.
Principale etape pentru procesul clasic de fotolitografie sunt prezentate n
continuare.
1. Placheta se acoper cu un polimer fotosensibil denumit fotorezist.
Fotorezistul are dou proprieti eseniale: i modific rezistena la coro-
dare chimic dac este iluminat i este rezistent la soluiile de corodare fo-
losite pentru dioxidul de siliciu.
2. Fotorezistul este iluminat cu lumin UV (n domeniul ultraviolet) printr-o
masc de sticl care are zone opace i transparente. Dimensiunea acestor
zone delimiteaz aria care se va deschide n dioxidul de siliciu pentru a
TEHNOLOGII ELECTRONICE


190
permite intrarea impuritilor n siliciu. Fotorezistul folosit poate fi de do-
u feluri: fotorezist pozitiv n zona impresionat cu radiaie UV
fotorezistul sufer o modificare chimic ceea ce l face s devin solubil
ntr-o soluie alcalin numit developant sau fotorezist negativ n zona
impresionat cu radiaie UV fotorezistul devine insolubil n developant;
acest tip de developant ndeprteaz fotorezistul neexpus. n fluxul tehno-
logic prezentat n figura 6.14 este ilustrat varianta de lucru cu fotorezist
pozitiv.



Fig. 6.14. Fluxul tehnologic pentru realizarea unei diode cu jonciuni.

3. Fotorezistul este developat (fotorezistul este ndeprtat din zonele n
care a fost iluminat). n acest mod se creeaz accesul la dioxidul de si-
liciu.
4. Dioxidul de siliciu este corodat prin masca de fotorezist; pentru coro-
dare se folosete de obicei o soluie tamponat de acid fluorhidric. De-
numirea comercial a soluiei este BHF (Buffered HydroFluoric Acid).
BHF este o soluie format din fluorur de amoniu i acid fluorhidric
n proporie 6:1 i are o vitez de corodare de aprox. 1000 /min la
25
0
C.
5. Fotorezistul se ndeprteaz prin imersarea plachetei n aceton i/sau
printr-o curire n plasm de oxigen (corodarea n plasm va fi pre-
zentat mai detaliat n capitolul 8).
Capitolul 6. Tehnologia de fabricaie a jonciunilor p-n


191
Dup ce s-a ndeprtat dioxidul de siliciu din zonele n care se vor obine jon-
ciuni pn, se continu procesul de fabricare a diodei cu procesul de impurificare
controlat.
Procesul de impurificare controlat a siliciului care se va aplica n exemplul
considerat este difuzia.
Se reamintete faptul c pentru siliciu impuritile donoare (siliciu de tip n)
folosite n mod uzual sunt: fosforul (P), arsenul (As) i stibiul (Sb).
Pentru a realiza siliciu de tip p impuritatea acceptoare utilizat cu precdere
este borul (B).
Difuzia borului se realizeaz ntr-un cuptor similar celui n care se realizeaz
oxidarea termic a siliciului. Prin cuptor sunt purjate gaze neutre (azot) care
transport molecule de tribromur de bor (BBr
3
), nitrur de bor (BN) sau oxid de
bor (B
2
O
3
). La temperaturi cuprinse ntre 900
0
C i 1150
0
C aceste substane se
descompun elibernd moleculele de bor care difuzeaz n siliciu schimbnd tipul
substratului din n n p. Borul ptrunde n reeaua siliciului devenind din interstiial
substituional, aa dup cum s-a mai spus. Evident, concentraia atomilor de bor
scade de la suprafa spre interiorul plachetei. Adncimea fa de suprafaa pla-
chetei la care concentraia atomilor de bor egaleaz concentraia atomilor donori
din siliciu (cei care au fcut ca placheta de siliciu sa fie de tip n) se numete adn-
cimea jonciunii i se noteaz, de obicei, prin x
j
.
n figura 6.14 s-a ilustrat att adncimea jonciunii ct i fenomenul de difuzie
lateral.
Difuzia lateral reprezint fenomenul de difuzie pe sub masca de dioxid de si-
liciu a atomilor de bor. Fenomenul de difuzie nu este un proces direcionat, din
aceast cauz nu exist nici un motiv ca odat intrai n reeaua siliciului atomii de
bor s nu difuzeze n toate direciile. Jonciunea prezint o zon de curbur a crei
raz se va nota cu r
j
. Pentru prezentarea de fa se va admite c r
j
=x
j
. n cazul real
difuzia lateral (perpendicular pe normala la placheta de siliciu) este de aprox.
0,8x
j
.

Observaie
n procesul de difuzie concentraia de impuriti n plachet, la suprafaa aces-
teia, trebuie s fie mai mare dect concentraia de impuriti existent anterior n
plachet, pentru a putea "inversa" tipul siliciului.

Cmpul electric n regiunea de sarcin spaial crete n zona de curbur dato-
rit curbrii jonciunii sub dioxidul de siliciu. Drept urmare, tensiunea de str-
pungere a jonciunii scade. n figura 6.14 s-a trasat cu linie ntrerupt limita regi-
unii de sarcin spaial. Se poate considera c s-a realizat astfel o jonciune abrup-
TEHNOLOGII ELECTRONICE


192
t asimetric pentru care regiunea de sarcin spaial se extinde numai n zona
slab dopat (zona n).

Observaie
Tensiunea de strpungere a jonciunilor difuzate depinde att de concentraia
de impuriti (care determin cmpul critic), ct i de raza de curbur a jonciunii
(adncimea jonciunii).

Acest tip de dependen poate fi urmrit n figura 6.15.



Fig. 6.15. Dependena tensiunii de strpungere pentru
o jonciune abrupt asimetric de adncimea jonciunii
i concentraia de impuriti a zonei slab dopate.


6.3.3. Influena grosimii stratului de siliciu asupra
tensiunii de strpungere

Unul dintre principalii parametri ai diodelor, aa cum sunt prezentai n cata-
logul de componente electronice, este rezistena serie, care, uzual are o valoare
mai mic de 1 .
Capitolul 6. Tehnologia de fabricaie a jonciunilor p-n


193
Aceast rezisten intrinsec limiteaz creterea curentului electric prin diod
(v. rel. (6.27)). Apare o limitare a creterii exponeniale a curentului, aa cum a
fost pus n eviden i n figura 6.12.
Rezistenta serie a diodei se definete cu ajutorul relaiei:

dI
dU
R
S
= . (6.33)

Relaia (6.33) este valabil pentru valori mari ale curentului I
F
(I
F
este curen-
tul direct prin jonciune).
Pentru a nelege ce nseamn un curent direct mare se analizeaz jonciunea
pn din figura 6.16.
Un curent direct mare nseamn (conform acestei figuri dar asta nu este o
axiom) c pentru siliciu tensiunea direct trebuie s fie mai mare de 0,70,8 V.
Pentru a afla cui se datoreaz rezistena serie se presupune c n exemplul de
flux tehnologic prezentat n figura 6.14, s-a lucrat n urmtoarele condiii:
- plachete de siliciu de tip n, cu diametrul de 3", rezistivitatea
= 5 cm i grosimea d = 450 m;
- adncimea jonciunii realizat prin difuzie de bor este de 10 m;
- aria jonciunii este A = 500 m x 500 m.
n figura 6.16 este prezentat o imagine
3D a acestei structuri.
Structura are ataate terminale metalice
(Aanod, Ccatod) pentru a putea conecta di-
oda n circuit.
Se presupune c este posibil introduce-
rea unui al treilea terminal (T) prin care se
aplic o tensiune pe jonciune astfel nct s
apar un curent de 100 mA.
Acest curent este cules de catod i trebuie
s strbat o distan prin placheta de la
x
j
=10 m la d = 450 m.
Rezistena electric pe care o ntmpin
curentul va avea valoarea:

Rs = (d-x
j
-W)/A = 90 .

Curentul de 100 mA determin o cdere de tensiune pe rezistena de 90 n
valoare de 9 V.


Fig. 6.16. Jonciunea pn
n reprezentare 3D.

TEHNOLOGII ELECTRONICE


194
Dac se msoar tensiunea direct pentru o diod real cu siliciu se constat
c ea este situat n jurul valorii de 0,6 V.
Pentru o diod realizat conform fluxului tehnologic din figura 6.14 este ne-
voie s se reduc rezistena serie. n caz contrar se produc pierderi mari de pute-
re care conduc la nclzirea excesiv a dispozitivului.
Adncimea pe care lucreaz dispozitivul util este egal cu adncimea jonciu-
nii la care se adaug lrgimea zonei de sarcin spaial, corespunztoare tensiunii
inverse maxime la care lucreaz dioda. n mod uzual lrgimea zonei de sarcin
spaial nu depete 10 m (vezi exemplul de la calculul limii zonei de sarcin
spaial). n asemenea condiii curentul strbate inutil restul distanei pn pe par-
tea opus a plachetei.
O prim soluie de reducere a rezistenei serie este aceea de a lucra cu plache-
te mai subiri. Aceasta este o metod practicat, dar nu este suficient pentru a ob-
ine cele mai bune rezultate. Plachetele subiri se pot sparge uor n urma manipu-
lrii.
Soluia problemei o constituie folosirea ca substrat a unei plachete puternic
dopate a crei rezistivitate este, n situaiile practice, cuprins ntre
10 mcm i 20 mcm.
Rezistena serie poate fi micorat cu aproape trei ordine de mrime.
Dac se reuete difuzarea borului ntr-o astfel de plachet puternic dopat
conform relaiei (6.30), tensiunea de strpungere este mic deoarece concentraia
de impuriti C
B
este mare.
Problema se rezolv dac pe suprafaa plachetei de siliciu de tip n puternic
dopate se reuete depunerea unui strat de siliciu subire, slab dopat, n care se
poate realiza jonciunea pn.
Procesul tehnologic prin care se poate crete un strat subire de siliciu pe su-
prafaa unei plachete de siliciu se numete proces de epitaxie iar stratul rezultat
poart numele de strat epitaxial.
Epitaxia este un proces de tip CVD (Chemical Vapor Deposition) depunere
chimic din faza de vapori.
Procesul are loc ntr-un reactor de epitaxie. Instalaia const dintr-o incint de
cuar n care se aeaz pe un susceptor de grafit plachetele ce urmeaz a fi
epitaxiate. Plachetele sunt nclzite n reactor cu un curent de radiofrecven pn
la o temperatur de aprox. 1050
0
C.
n reactor se produce, sub aciunea unor ageni (de obicei hidrogen), descom-
punerea anumitor substane care conin siliciu, n siliciu i ali produi de reacie.
Atomii de siliciu se depun pe plachetele de siliciu n mod ordonat conform orien-
trii cristalografice a plachetelor.
Stratul epitaxial reproduce orientarea cristalografic a plachetelor.
Capitolul 6. Tehnologia de fabricaie a jonciunilor p-n


195
n procesul de epitaxie se pot introduce impuriti n mod controlat. Se obin
astfel straturi epitaxiale de siliciu de tip n sau de tip p.
Grosimea stratului epitaxial depinde de durata procesului i de temperatur.
De obicei se lucreaz cu o vitez de cretere de aprox. 1 m/min. (pentru straturi
epitaxiale subiri aceast vitez trebuie redus pentru a avea un control mai bun
asupra grosimii).
Ce se ntmpl dac grosimea stratului epitaxial nu este suficient de mare
pentru a permite extinderea regiunii de sarcin spaial ?
Pentru a rspunde la aceast ntrebare se va analiza relaia (6.28) care exprim
cmpul electric al unei jonciuni abrupte asimetrice.
La o anumit valoare a tensiunii inverse regiunea de sarcin spaial ocup tot
stratul epitaxial. n acest moment, W n relaia (6.28) nu mai crete o dat cu ten-
siunea invers aplicat. n aceast situaie cmpul crete mai repede cu tensiunea
V
R
iar cmpul critic se atinge pentru o tensiune de strpungere mai mic.

Fig. 6.17. Tensiunea de strpungere limitat de atingere
pentru diode realizate prin tehnici epitaxiale.

O astfel de jonciune poart numele de diod cu baz subire.
Tensiunea de strpungere pentru o astfel de jonciune este dat de relaia:

0
2
2
=
s
crt B
epi crt
K
W qC
W BV , (6.34)

TEHNOLOGII ELECTRONICE


196
i se numete tensiune de strpungere limitat de atingere (este vorba de atinge-
rea limitei stratului epitaxial fig. 6.17).

6.3.4. Procesul tehnologic de fabricaie a unei diode

n figura 6.18 se prezint fluxul tehnologic de fabricaie a unei diode. Pentru
realizarea diodei se folosete o plachet de siliciu de tip n puternic dopat (N
D1

10
19
cm
-3
).









Fig. 6.18. Fluxul tehnologic pentru realizarea unei diode.

Prima operaie aplicat plachetei const n depunerea unui strat epitaxal de
tip n cu grosimea x
epi
, concentraia de impuriti a stratului epitaxial este N
D2

10
15
cm
-3
.
Urmeaz operaia de oxidare termic a stratului epitaxial, pe o adncime x
ox
.
n stratul de oxid creat se deschid ferestrele pentru difuzia de bor, printr-un proces
Capitolul 6. Tehnologia de fabricaie a jonciunilor p-n


197
fotolitografic. Printr-un proces de difuzie, n ferestrele deschise anterior se reali-
zeaz jonciunea pn, care va avea adncimea x
j
.
Referitor la procesul de difuzie se pot face unele precizri, ce vor fi prezenta-
te n continuare.
Difuzia propriu-zis are loc n atmosfer oxidant (oxigen sau vapori de ap).
n cursul acestui proces zona difuzat se acoper cu dioxid de siliciu. Acesta cre-
te mai repede peste zona difuzat dect n rest (dioxidul de siliciu rmas pe plcu-
la deschiderea ferestrelor crete cu o vitez mai mic dect cel care se formeaz
peste difuzie).
Oxidarea are loc, ns, cu consum de siliciu din plachet. Acest lucru nseam-
n c frontul de oxidare subiaz placheta, i ca urmare a acestui fenomen se va
produce o denivelare n siliciu, indicat n figura 6.18, cu simbolul x
ox
.
Pentru contactarea siliciului din zona p este necesar un nou proces fotolito-
grafic prin care se deschid ferestre de difuzie n dioxidul de siliciu. Spre deosebire
de primul proces fotolitografic, aici intervine o operaie suplimentar de aliniere
a noii mti, cu desenul deja imprimat pe plachet. Aceast operaie (de alinie-
re/expunere) se realizeaz pe maini adecvate acestui scop.
Printr-un proces de depunere n vid, prin ferestrele deschise anterior n
dioxidul de siliciu, se depune un strat de metal pentru contactarea zonei de tip p.
Procesul de depunere al metalului este de tip PVD (Physical Vapor Deposition).
n mod uzual se folosete aluminiul iar grosimea stratului depus ce acoper n-
treaga plachet este de circa 1 m.
Metalul depus n afara zonelor de conectare va fi ndeprtat prin corodare fo-
losind o masc de fotorezist. Deschiderea ferestrelor de corodare se realizeaz tot
printr-un proces fotolitografic.
n urmtoarea etap se metalizeaz spatele plachetei. Acest proces este urmat
de un tratament termic de aliere a metalului depus (de obicei aur) cu siliciul. n
urma acestui proces se poate realiza un contact intim ntre siliciu i preforma aur
germaniu cu care cipul de siliciu se lipete de ambaz.
Testarea electric se face pe plachet, verificndu-se parametrii electrici de
funcionare pentru fiecare cip n parte. Structurile defecte sunt marcate cu o cer-
neal special.
Dup testarea electric se face departajarea cipurilor printr-o operaie de zg-
riere cu un vrf de diamant sau cu un disc diamantat pe direcii perpendiculare,
astfel nct s se departajeze fiecare structur de diod. Separarea n cipuri a pla-
chetei procesate i "zgriate" anterior se face prin presarea acesteia cu un rulou de
cauciuc. Placheta "crap", asemenea unui geam trasat cu vrf de diamant, pe di-
reciile trasate (zgriate).

TEHNOLOGII ELECTRONICE


198

Cipurile care au funcionat corect n urma testrii pe plcu sunt lipite prin
intermediul unei paste conductoare sau a unei preforme (v. cap. 9) pe un suport
numit ambaz (fig. 6.18). Ambaza este metalic i este prevzut cu guri de tre-
cere, izolate electric de restul ambazei, pentru terminalele metalice. Unul din ter-
minale poate fi contactat direct pe ambaz.

Observaie
O capsul metalic pentru dispozitive microelectronice este format dintr-o
ambaz prevzut cu terminale de trecere (cele care se leag n circuit), pe care se
aeaz cipul i un capac care nchide structura semiconductoare.

Urmeaz operaia de ataare a firelor de legtur. Prin aceast operaie se
contacteaz aluminiul depus peste zona de tip p cu unul din terminalele libere ale
ambazei. Legtura se realizeaz uzual cu fir subire de aur. Grosimea tipic a firu-
lui folosit pentru diode de putere mic este de 25 m.
Structura obinut se nchide cu un capac metalic prin sudur electric,
realizndu-se n acest fel ncapsularea.
Ultimele operaii care se aplic diodelor sunt de testare final i de marcare a
acestora (nume dispozitiv, data de fabricaie .a.).
n fluxul tehnologic descris n figura 6.18 s-au prezentat operaiile cheie pen-
tru realizarea unei diode cu jonciuni cu siliciu. Trebuie avut n vedere c n reali-
tate mai pot exista o serie de operaii intermediare care nu au mai fost menionate.
De asemenea, trebuie menionat faptul c s-a exemplificat schema de montaj
pentru o diod protejat prin capsule metalice, dar exist i alte tipuri de ncapsu-
lare.

6.4. Viteza de comutare a jonciunilor pn

S-a analizat anterior jonciunea pn din punct de vedere al comportrii n cu-
rent continuu (la polarizare direct i la polarizare invers).
Performanele diodelor sunt de multe ori privite i din punct de vedere al vi-
tezei de comutare ntre cele dou moduri de polarizare. n acest context interesea-
z foarte mult cunoaterea parametrilor care influeneaz aceast vitez de comu-
tare.
Analiza fenomenului de trecere a unei jonciuni pn din polarizare direct,
cnd prin jonciune trece un curent I
F
, la polarizare invers, cnd prin jonciune
trece un curent I
R
, conduce la urmtoarele expresii pentru timpul de comutare:
Capitolul 6. Tehnologia de fabricaie a jonciunilor p-n


199

p
R
F
off
I
I
t

=
2
1
dac W
B
>> L
p
, (6.35)

p
B
R
F
off
D
W
I
I
t
2
2
1

= dac W
B
<<L
p
. (6.36)


Relaia (6.36) este practic va-
labil pentru o diod cu baz
subire.
Dac jonciunea este abrupt
asimetric de tipul celor realizate
printr-unul din cele dou fluxuri
tehnologice prezentate anterior,
atunci nseamn c zona de tip n
este slab dopat i regiunea de
sarcin spaial se extinde numai
n aceast zon. Prin W
B
s-a notat
distana de la jonciune (x
j
) la ca-
tod.

Observaie
Catodul n cazul diodei fr
strat epitaxial este contactul meta-
lic de pe spatele plachetei de sili-
ciu. n cazul diodei cu strat
epitaxial catodul este plasat la
limita strat epitaxialsubstrat pu-
ternic dopat.

L
p
este lungimea de difuzie a
purttorilor minoritari (goluri) n
zona de tip n. Expresia lungimii
de difuzie este dat de relaia
(6.17).
Timpul de via al golurilor n zona de tip n este notat cu
p.




Fig. 6.19. Dependena timpului de via al golurilor
n funcie de concentraia de aur n siliciu de tip n.

TEHNOLOGII ELECTRONICE


200
Observaii
O jonciune pn va comuta cu att mai rapid din conducie (polarizare direc-
t) n blocare (polarizare invers) cu ct:
- curentul la polarizare direct este mai mic;
- timpul de via al purttorilor minoritari este mai mic.
Apare aici o contradicie legat de timpul de via al purttorilor minoritari.

Cnd s-a analizat expresia curentului la polarizare invers s-a menionat c
pentru a avea un curent ct mai mic, tehnologul trebuie s fie atent s nu
impurifice involuntar cu metale materialul semiconductor, deoarece o astfel de
impurificare conduce la scderea timpului de via al purttorilor minoritari.
Pe de alt parte, dac se dorete s se realizeze o diod rapid este nevoie s
se reduc timpul de via al acelorai purttori minoritari.
Este evident c cele dou cerine nu pot fi satisfcute simultan. Astfel, la rea-
lizarea unei diode rapide se va sacrifica curentul invers n favoarea timpului de
via ct mai mic.
n mod uzual, micorarea timpului de via se realizeaz prin difuzie de aur n
materialul semiconductor. Timpul de via se controleaz prin ajustarea tempera-
turii de saturaie a aurului, aa cum se poate vedea n figura 6.19.
n general se admite c o diod este corect realizat din punct de vedere teh-
nologic, dac la polarizarea direct componenta de difuzie este mai mic dect cea
de recombinare i prin urmare, factorul de idealitate m este mai apropiat de valoa-
rea 1 n condiii de funcionare normal.