Cap 7

CAPITOLUL
Tranzistoare cu efect de c[mp

0.0
5.0m
10.0m
15.0m
20.0m
25.0m
I
D
(A)
V
GS
(V)
I
DSS
-3 -2 -1 0 1
N JFET
NMOS
canal indus
canal initial
V
GS
0
V
P
g
m
0
N JFET
Prezentare general` 217
7.1. Tranzistoare metal-oxid-semiconductor (MOSFET) 218
7.2. Tranzistoare cu poart` jonc\iune (JFET) 239
216 Electronic` - Manualul studentului
control
D
S
G
D
S
G
+5 V
in
(out)
out
(in)
-5 V
off
on
-5 V
+5 V
inversor logic
NMOS PMOS
7.1. Tranzistoare metal-oxid-semiconductor (MOSFET)
1.A. Simboluri ]i mod de func\ionare 218
1.B. Caracteristica de transfer 220
1.C. Caracteristica de ie]ire 222
1.D. Aplica\ie: comutatorul analogic 224
Probleme rezolvate 232, probleme propuse 233
Lucrare experimental` 234
0
out
in
R
1
V
CONTR
( 0)
10 k
1 M
1 M
0 0
out
in
R
1 0
R
2
7.2. Tranzistoare cu poart` jonc\iune (JFET)
2.A. Simboluri ]i mod de func\ionare 239
2.B. Caracteristici statice 239
2.C. Surse de curent cu JFET 243
2.D. Repetorul pe surs` 245
2.E. Atenuatorul controlat 246
Problem` rezolvat` 250, probleme propuse 251
Lucrare experimental` 253
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 217
Prezentare general`
Principiul de func\ionare al triodei cu vid, primul dispozitiv electronic capabil s` "amplifice", inventat
[n 1906 de c`tre Lee De Forest, se bazeaz` pe controlul unui flux de electroni, control realizat prin
respingerea par\ial` a lor de c`tre un c[mp electric. Deoarece electronii sunt respin]i de electrodul de
comand`, numit gril` (grid [n englez`), iar suprafa\a acestuia (de forma unei plase) este mic`, intensitatea
curentului de gril` necesar pentru comanda dispozitivului este practic nul`.
Pentru a elimina dezavantajele tuburilor electronice, [n anii 1930-1935 se fac [ncerc`ri de a construi un
dispozitiv la care un c[mp electric aplicat din exterior s` controleze curentul electric printr-un
semiconductor; tehnologia acestor materiale era abia la [nceput ]i tentativa e]ueaz`. {n 1945, la Bell
Laboratories, Shockley ]i apoi Brattain [ncearc`, f`r` succes, realizarea unui astfel de dispozitiv. Trei ani mai
t[rziu, acela]i grup descoper`, din [nt[mplare, tranzistorul cu contacte punctiforme. Apoi Shockley
imagineaz` tranzistorul sandwich, cu jonc\iuni, care se impune rapid [ncep[nd cu 1951. Tranzistorul cu
contacte punctiforme r`m[ne doar [n istorie; azi, prin tranzistoare bipolare [n\elegem, de fapt, tranzistoare
bipolare cu jonc\iuni.
Controlul curentului de colector se realizeaz` la acest tip de dispozitiv prin curentul ce str`bate
jonc\iunea emitor-baz`. Privit din afar` [ns`, tranzistorul bipolar poate fi privit at[t ca un amplificator ce
amplific` cu factorul (aproximativ constant, de ordinul sutelor) curentul de baz`, c[t ]i ca un dispozitiv
transconductan\` [n care curentul de colector este controlat de tensiunea-baz` emitor. Dar, indiferent cum
privim noi lucrurile, sursa de semnal care comand` tranzistorul bipolar trebuie s` debiteze sau s` absoarb`
un curent care este de ordinul a 1 % din curentul comandat. }i aceasta, dac` nu am ales cumva conexiunea
cu baz` comun`, [n care sursa de semnal trebuie s` debiteze [ntregul curent comandat... Astfel, tranzistorul
bipolar era, [ntr-un fel, o deziluzie. Din acest motiv, au continuat [ncerc`rile de a construi un tranzistor la
care controlul s` se efectueze printr-un c[mp electric, f`r` s` fie nevoie de existen\a unui curent de comand`.
Sunt produse, mai [nt[i tranzistoare cu efect de c[mp cu poart` jonc\iune iar [n 1960, tot la Bell Laboratories,
pornind de la teoria lui Shockley, fizicianul John Atalla realizeaz` primul tranzistor cu efect de c[mp de tip
MOS (metal-oxid-semiconductor).
La tranzistoarele cu efect de c[mp (FET - field effect transistors) conduc\ia [ntre dren` ]i surs` are
loc printr-o regiune limitat` a semiconductorului, numit` canal. Curentul [ntre terminalul de dren` ]i cel de
surs` este controlat prin c[mpul electric determinat de tensiunea aplicat` pe poart` (gate). Or, cel pu\in [n
principiu, pentru a men\ine un c[mp electric nu avem nevoie de un curent care s` circule. Astfel,
avantajul esen\al al tranzistoarelor cu efect de c[mp este acela c` intensitatea curentului [n terminalul por\ii
este practic nul`.
Din acest motiv,
la tranzistoarele cu efect de c[mp, curentul [ntre terminalul de dren` ]i cel de surs` este controlat de tensiunea
dintre poart` ]i surs`.
Exist` dou` tipuri constructive de tranzistoare cu efect de c[mp.
{n cazul tranzistoarelor cu poart` jonc\iune (JFET), [ntre poart` ]i canalul conductor exist` o
jonc\iune semiconductoare invers polarizat`; astfel, curentul de poart` are valori de ordinul zecilor de
nanoamperi.
Curen\i de poart` de [nc` o mie de ori mai mici se ob\in [n cazul celuilalt tip de tranzistoare cu efect de c[mp.
La tranzistoarele MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) poarta este izolat` prin intermediul
unui strat de dioxid de siliciu ]i curentul de poart` este de ordinul zecilor de picoamperi.
Clasificarea tranzistoarelor cu efect de c[mp este complicat` suplimentar de un alt aspect constructiv.
Unele tranzistoare conduc p[n` c[nd face\i ceva care s` le mic]oreze curentul: sunt tranzistoarele care au
canal ini\ial (depletion mode [n englez`). Toate tranzistoarele JFET ]i anumite tranzistoare MOSFET
func\ioneaz` dup` acest principiu. Tranzistoarele de cel`lalt tip sunt proiectate astfel [nc[t s` nu conduc` dec[t
dac` aplica\i un c[mp care s` "sape" un canal conductor. Sunt tranzistoarele care au canal indus
(enhancement mode [n englez`). Marea majoritate a tranzistoarelor MOSFET au canal indus.
Dac` mai \inem seama de felul de dopare al
canalului, care poate fi n sau p, am avea [n total
2 8
3
= tipuri de tranzistoare cu efect de c[mp.
Dintre acestea, ]ase ar putea fi realizate, cinci sunt
chiar produse ]i numai patru sunt importante.
Arborele familiei de tranzistoare cu efect de c[mp
poate fi admirat [n Fig. 7.1. Din cauza jonc\iunii
por\ii care trebuie s` fie [ntodeauna invers
polarizat`, tranzistoarele JFET (cu poart`
jonc\iune) nu pot realizate dec[t cu canal ini\ial.
Tranzistoarele cu poart` izolat` pot avea oricare
dintre aceste tipuri de canale, dar cele cu canal
ini\ial nu au dec[t c[teva aplica\ii particulare, a]a c`
nu trebuie s` ne ocup`m dec[t de tranzistoarele
MOSFET cu canal indus. Ambele categorii pot
avea fie canal n, fie canal p. Cum func\ionarea celor cu canal n este similar` cu a tranzistoarelor bipolare
NPN, ne vom focaliza aten\ia numai asupra acestora.
7.1. Tranzistoare metal-oxid-semiconductor (MOSFET)
1.A. Simboluri ]i mod de func\ionare
Tranzistoarele MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) sunt dipozitive electronice
cu trei terminale active: poarta G (de la gate - [n lb. englez`) , drena D ]i sursa D (Fig. 7.2 a). {n plus, ele
mai au un terminal, legat la substratul pe care a fost realizat tranzistorul, care trebuie men\inut la cel mai
cobor[t (sau ridicat, dup` tipul tranzistorului) poten\ial din circuit. Poarta este izolat` cu un strat de oxid de
siliciu, astfel [nc[t curentul de poart` este practic nul (put[nd ajunge chiar la 1 pA) iar curen\ii de dren` ]i
surs` sunt practic egali. Func\ionarea tranzistorului se bazeaz` pe controlul conductan\ei electrice a
canalului [ntre dren` ]i surs`, control efectuat prin tensiunea poart`-surs`.
Curentul de poart` este at[t de mic [nc[t condensatoarele realizate pe chip-ul de siliciu [n cazul
memoriilor ROM (read-only memory), ]i care nu au alt` cale de desc`rcare dec[t poarta tranzistoarelor
MOSFET cu care sunt "citite", []i p`streaz` sarcina electric` un timp care ajunge spre zece ani de zile.
FET
JFET MOSFET
canal n canal p canal ini\ial canal indus
canal n canal p
canal n
(numai cu
canal ini\ial)
Fig. 7.1. Clasificarea tranzistoarelor cu efect de
c[mp.
B
E
C
B
E
C
( )
( )
G
D
S
substrat
MOSFET cu canal n
G
D
S
substrat
MOSFET cu canal p
bipolar NPN
bipolar PNP
PEMOS
NEMOS
(cu canal indus)
a)
b)
c)
Fig. 7.2. Tranzistoare MOSFET ]i tipurile bipolare similare acestora.
A]a cum spuneam mai sus, dup` polaritatea lor exist` dou` tipuri de tranzistoare MOS: cu canal n
(NMOS) sau canal p (PMOS), iar dup` principiul de func\ionare avem tranzistoare cu canal indus (nu exist`
canal [nainte de aplicarea unei anumite tensiuni pe poart`) sau cu canal ini\ial (tensiunea aplicat` pe poart`
mic]oreaz` conductan\a canalului existent). Pentru tranzistoarele NMOS cu canal indus se utilizeaz` ]i
simbolurile ]i prescurt`rile speciale din Fig. 7.2 b) dar noi vom utiliza sistematic numai simbolurile din
desenul a) al figurii.
Ar rezulta, astfel, patru tipuri de tranzistoare MOS. Cu o singur` excep\ie (pentru foarte [nalt`
frecven\`), tranzistoarele MOS sunt realizate cu canal indus. Dintre acestea, ca tranzistoare discrete sunt
preferate cele NMOS, av[nd performan\e mai bune. Din acest motiv vom discuta [n continuare numai despre
tranzistoare NMOS cu canal indus. Modul lor de comand` (Fig. 7.3 a) este similar cu acela al
tranzistoarelor bipolar NPN.
G
D
S
substrat
MOSFET cu canal n bipolar NPN
+
on
off
B
E
C
on
off
+
a)
D
S
G
+
_
V
GS
I
D
+
_
I
G
=0
V
DS
b)
Fig. 7.3. Modul de comand` al tranzistoarelor NMOS ]i al tranzistoarelor NPN (a) ]i conexiunea cu
sus` comun` (b).
Spuneam mai [nainte c`, [n afara terminalelor "active" (poarta, sursa ]i drena), tranzistoarele MOSFET
mai au un al patrulea terminal, legat la substratul pe care a fost construit tranzistorul. {ntre canal ]i substrat
exist` o jonc\iune semiconductoare, reprezentat` pe simboluri prin s`geata desenat` pe terminalul
substratului. Sensul s`ge\ii arat` sensul [n care aceast` jonc\iune conduce; jonc\iunea trebuie [ns` men\inut`
[ntodeauna invers polarizat`, altfel ar compromite func\ionarea tranzistorului. Pentru ca aceast` jonc\iune s`
fie blocat` [n orice moment,
pentru un tranzistor cu canal n substratul trebuie s` fie legat la cel mai cobor[t poten\ial din circuit.
Cea mai utilizat` conexiune este accea cu sursa comun` porturilor de intrare ]i ie]ire, echivalent` cu
conexiunea emitor comun de la tranzistoarele bipolare (Fig. 7.3 b). Cum sursa este legat` la poten\ialul cel
mai cobor[t, substratul a fost legat la surs`. {n aceast` conexiune, portul de intrare este [ntre poart` ]i surs` iar
portul de ie]ire este [ntre dren` ]i surs`.
Deoarece nu exist` curent de poart`, nu are sens s` vorbim despre caracteristica de intrare.
Vom studia, deci, numai caracteristica de transfer I f V
D GS V const
DS
=
=
( )
.
]i cea de ie]ire
I f V
D DS V const
GS
=
=
( )
.
1.B. Caracteristica de transfer
Pentru tensiuni V
DS
suficient de mari (vom vedea mai t[rziu c[t de mari) caracteristica de transfer arat`
ca [n Fig. 7.4 a). Cu tensiune nul` [ntre poart` si surs`, nu exist` curent de dren`; la aplicarea unei tensiuni
pozitive care dep`]e]te o anumit` valoare V
T
, numit` tensiune de prag (threshold [n englez`), apare un
canal indus, valoarea curentului fiind controlat` de tensiunea pe poart`.
Dac` tensiunea poart`-surs` V
GS
dep`]e]te tensinea de prag V
T
, curentul depinde parabolic de V
GS
.
I V V
I K V V V V
D GS T
D GS T GS T
= <
=
0
2
pentru
pentru ( )
(7.1)
Observa\ie: De]i sunt notate identic , V
T
, nu confunda\i tensiunea de prag de la tranzistoarele
MOSFET cu tensiunea termic`; [n general, c[nd memora\i o formul`, [ncerca\i s` re\ine\i mai [nt[i
semnifica\ia m`rimilor implicate ]i apoi simbolurile.
Trebuie remarcat c` parabola are minimul chiar pe axa orizontal`, la V V
GS T
= ]i I
D
= 0; a doua
ramur` a parabolei (pentru V V
GS T
< ) nu face parte din caracteristica de transfer ]i a fost desenat` punctat [n
figur`. Vom vedea c` diferen\a V V
GS T
joac` un rol important [n rela\iile care descriu func\ionarea
tranzistorului MOSFET, a]a c` [i vom acorda o denumuire special`: comanda por\ii (gate drive [n limba
englez`). Peste tensiunea de prag, curentul are, deci, o dependen\` p`tratic` de comanda por\ii.
Tranzistorul este considerat "complet" deschis ([n starea ON) la o anumit` valoare a tensiunii V
GS
,
uzual de 10 V, unde se define]te curentul I
D on ( )
.
Valoarea a curentului I
D on ( )
este dat` [n foile de catalog; de aici s-ar putea estima valoarea
parametrul K al tranzistorului
K
I
V V
D on
GS on T
=
( )
( )
e j
2
. (7.2)
I
D
V
GS
0 2 4 6 8 10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
(V)
(mA)
I
D(on)
I
D
0
V
T
0
blocat deschis
a) b)
V
GS
g
m
0
V
T
0
g
m (on)
V
GS (on)
g
m (on) =
I
D(on)
2
- V
T
V
GS (on)
la
V
GS (on)
la
c)
V
GS
Fig. 7.4. Caracteristica de transfer a unui tranzistor NMOS (a), limitele [mpr`stierii sale tehnologice
pentru tranzistorul 2N4351 (b) ]i dependen\a transconductan\ei de tensiunea V
GS
(c).
Din p`cate, at[t V
T
c[t ]i I
D on ( )
sunt puternic [mpr`]tiate tehnologic [n cadrul exemplarelor pe care
produc`torii le v[nd ca fiind de acela]i tip. De exemplu, pentru 2N4351 produs de Motorola, tensiunea de
prag este [n domeniul 1.5 - 5 V, iar I
D on ( )
[ntre 3 ]i 15 mA. Caracteristica de transfer are, astfel, o
[mpr`]tiere tehnologic` mult mai mare dec[t la tranzistoarele bipolare; limitele acestei [mpr`]tieri, pentru
tranzistorul specificat, au fost desenate [n Fig. 7.4 b).
La varia\ii mici [n jurul unui punct de func\ionare, ac\iunea tranzistorului poate fi descris` prin
transconductan\a g
dI
dV
m
D
GS
= . Din rela\ia (7.1) rezult` c` transconductan\a este propor\ional` cu comanda
por\ii
g K V V K I
m GS T D
= = 2 2 b g
(7.3)
a]a cum se vede [n graficul din Fig. 7.4 c); dac` dorim s-o exprim`m [n func\ie de curentul de dren`,
transconductan\a este propor\ional` cu radical din curentul de dren`.
Valoarea sa cu tranzistorul complet deschis este
g
I
V V
m on
D on
GS on T
( )
( )
( )
=
2
(7.4)
Pentru tranzistorul 2N4351, [n cel mai favorabil caz ( I
D on ( )
=15 mA ]i V
T
= 5 V), ob\inem
g
m
= 6 mA V. Un tranzistor bipolar, operat tot la 15 mA, are transconductan\a
g
m
= = 15 600 mA 25 mV mA V. {n concluzie
tranzistoarele cu efect de c[mp au transconductan\a cu 1-2 ordine de m`rime mai mic` dec[t cele bipolare.
Altfel spus, sensibilitatea controlului curentului este mult mai mic` la tranzistoarele FET.
1.C. Caracteristica de ie]ire
Dac` aplic`m pe poart` o tensiune mai mare dec[t tensiunea de prag (altfel tranzistorul ar fi blocat)
familia de caracteristici de ie]ire are forma din Fig. 7.5. Fiecare din caracteristici prezint` dou` regiuni
distincte.
La valori V
DS
mici, curentul de dren` este aproximativ propor\ional cu tensiunea dren`-surs`:
tranzistorul se comport` ca un rezistor.
0 5 10 15 20
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
(V)
I
D
(mA)
= 1 V V
GS
-V
T
= 2 V V
GS
-V
T
= 3 V V
GS
-V
T
= 4 V V
GS
-V
T
panta
proportionala
cu V
GS
-V
T
sursa de curent (saturatie)
regiune de
rezistor
regiune de
curentul de saturatie
proportional cu
V
GS
-V
T
(
)
2
Fig. 7.5. Caracteristici de ie]ire pentru tranzistorul MOSFET 2N3797.
Valoarea rezisten\ei ohmice echivalente depinde de tensiunea aplicat` pe poart`; avem o regiune de
rezisten\` controlat`. Un rezistor adev`rat este [ns` un dispozitiv simetric: bornele sale pot fi inversate ]i
comportarea sa r`m[ne aceea]i. {n consecin\`, pentru a putea [nlocui un rezistor, tranzisorul ar trebui s`-]i
extind` comportarea liniar` a caracteristicii ]i la tensiuni negative. Pentru tensiuni dren`-surs` mici [n valoare
absolut`, a]a se ]i [nt[mpl`, dup` cum se poate constata pe figur`.
{n aceast` regiune, curentul de dren` are expresia aproximativ`
I K V V V
D GS T DS
2 b g (7.5)
tranzistorul fiind echivalent cu un rezistor de rezisten\`
R
K V V
DS
GS T
=
1
2 b g
, (7.6)
controlat` de tensiunea aplicat` pe poart`. Cum parametrul K nu este dat explicit [n foile de catalog, este
mult mai util s` scriem rela\ia precedent` [n func\ie de rezisten\a R
DS0
ob\inut` la o valoare particular`
V
GS0
a tensiunii poart`-surs`
R R
V V
V V
DS DS
GS T
GS T
=

0
0
.. (7.7)
Cea mai mic` valoare a rezisten\ei se ob\ine c[nd tranzistorul este complet deschis; ea poate fi
exprimat` prin parametrul I
D on ( )
ca
R
V V
I
DS on
GS on T
D on
( )
( )
( )
=

2
. (7.8)
{n foile de catalog este dat` valoarea sub care se g`se]te garantat aceast` rezisten\` (cel mai defavorabil caz).
{ntr-a doua regiune, tranzistorul se comport` cu totul altfel:
la valori V
DS
mari, curentul [nceteaz` practic s` mai depind` de tensiunea dren`-surs`, ie]irea comport[ndu-
se ca o surs` de curent controlat` de tensiunea de poart`.
Am putea spune, ca majoritatea textelor, c` se observ` aici satura\ia curentului de dren` [n raport
cu tensiunea dren`-surs`. Vom evita [ns` acest mod de exprimare, pentru a pre[nt[mpina eventualele
confuzii cu ceea ce se [n\elege prin satura\ie la tranzistorul bipolar. {n regiunea de surs` de curent controlat`,
este valabil` rela\ia (7.1) ]i aici am ridicat caracteristica de transfer ]i am definit transconductan\a. Cu
tranzistorul [n acest regim de func\ionare putem realiza amplificatoare (pentru c` I
D
nu este saturat [n
raport cu m`rimea de intrare V
GS
ci, din contr`, este controlat practic numai de aceasta).
Este foarte important s` cunoa]tem limita aproximativ` [ntre cele dou` regiuni de func\ionare. Astfel,
pentru o tensiune poart`-surs` fixat`, frontiera [ntre regiunea de rezistor controlat ]i aceea de surs` de
curent controlat` este la o valoare a tensinii dren`-surs` egal` cu comanda por\ii V V V
DS GS T limita
= .
{n Fig. 7.5 aceast` frontier` a fost desenat` cu linie [ntrerupt`.
Compara\ia rela\iei (7.6) cu (7.3) arat` un lucru extrem de interesant:
aleg[nd o tensiune de poart`, rezisten\a din regiunea de rezisten\` controlat` este inversul transconductan\ei
din regiunea de satura\ie.
{mbun`t`\irea liniarit`\ii [n regiunea de rezisten\` controlat`
Am v`zut c`, la tensiuni dren`-surs` mici, curentul de dren` variaz` aproximativ propor\ional cu
tensiunea dren`-surs`. De fapt, [n aceast` regiune, o rela\ie mai exact` este
I K V V V V
D GS T DS DS
= 2 2 b g ; (7.9)
dac` V V V
DS GS T
<< , atunci al doilea termen din paranteza
p`trat` poate fi neglijat ]i ob\inem propor\ionalitatea amintit` mai
sus.
Rela\ia anterioar` ne arat` calea prin care liniaritatea poate
fi [mbun`t`\it`: [n loc s` \inem constant` tensiunea V
GS
o facem s`
varieze ca V V
GS DS
= + const. 2. Un circuit prin care putem s`
realiz`m acest truc este cel din Fig. 7.6. Exprim[nd prin teorema
Milman poten\ialul por\ii (aten\ie, nu exist` curent de poart`), avem
V V V V
GS G DS
= = +
1
2 2. {nlocuind acum [n rela\ia (7.9)
termenul V
DS
2 din parantez` dispare ]i ob\inem o rela\ie de
propor\ionalitate [ntre curent ]i tensiune f`r` s` mai fie nevoie s`
folosim aproxima\ia V V V
DS GS T
<< . Extinderea regiunii de
liniaritate nu este [nsa prea mare, [ntruc[t [ns`]i rela\ia (7.9) []i [nceteaz` valabilitatea la tensiuni dren` surs`
mari.
1.D. Aplica\ie: comutatorul analogic
De foarte multe ori trebuie s` [ntrerupem ]i apoi s` restabilim aplicarea unui semnal (tensiune variabil`
[n timp) la bornele unei sarcini. Curen\ii ]i puterile implicate sunt mici dar curentul este alternativ, trebuind
s` circule prin sarcin` [n ambele sensuri. Putem rezolva acest lucru cu un comutator mecanic, ca [n Fig. 7.7
a). Dac` atunci c[nd este [n conduc\ie comutatorul are rezisten\a R
on
, pe sarcin` ajunge frac\iunea
R R R
s s on
( ) + din semnalul aplicat la intrare (regula divizorului rezistiv). {ntrerup[nd contactul,
comutatorul prezint` o rezisten\` R
off
foarte mare, astfel [nc[t pe sarcin` tensiunea este practic nul`. De]i au
rezisten\a R
on
extrem de mic`, comutatoarele mecanice sunt lente ]i nu pot fi comandate electronic dec[t
prin complicarea dispozitivului (releu electromagnetic). Pentru aceast` aplica\ie nu putem folosi un tranzistor
bipolar deoarece tensiunea [ntre colector ]i emitor nu coboar` la zero fiind limitat` la tensiunea de satura\ie
iar tranzistorul nu se comport` ca un rezistor ohmic..
a)
out
in
R
s
D
S
G
0
-10 V
+10 V
off
on
control
b)
-10 V
0
out in
R
s
0 0
Fig. 7.7. Comutatoare analogice.
S` [ncerc`m acum cu un tranzistor MOS, care nu are jonc\iuni [ntre poart` ]i canal (Fig. 7.7.b). Pentru
a fixa ideile s` presupunem c` teniunea sursei de semnal evolueaz` [ntre -5 V ]i + 5 V iar rezisten\a de
sarcin` are valoarea R
s
= 50 k; astfel, curentul prin sarcin` evolueaz` [ntre -0.1 mA ]i +0.1 mA. Drept
comutator utiliz`m un tranzistor NMOS de uz general, 3N170, care la tensiunea V
GS on
= 10 V ofer` o
100 k
100 k
V
1
V
D
= V
DS
V
G
Fig. 7.6. Circuit pentru
[mbun`t`\irea liniarit`\ii [n regiunea
de rezisten\` controlat`.
rezisten\` dren`-surs` de 200 ]i un curent I
DS on
=10 mA. Pentru el, tensiunea de prag garantat` de
fabricant este de cel mult 2 V.
Leg`m substratul la un poten\ial mai cobor[t dec[t orice poten\ial din circuit, de exemplu -10 V ]i
aranj`m s` putem comuta poten\ialul por\ii [ntre - 10 V ]i +10 V. Cu poarta legat` la -10 V, poten\ialul
acesteia este [n orice moment mai cobor[t dec[t poten\ialele drenei ]i sursei, care pot fi aduse de c`tre sursa de
semnal numai p[n` la - 5V (Fig. 7.8 a). {n aceste condi\ii, tranzistorul este tot timpul blocat, rezisten\a [ntre
dren` ]i surs` av[nd valori imense, de ordinul G. Rezult`, astfel, c` tensiunea care ajunge pe sarcin` este
practic nul`; de fapt, prin capacitatea parazit` existent` [ntre dren` ]i surs` o anumit` tensiune ajunge totu]i
pe sarcin`.
b) a)
out
in
R
s
D S
G
-10 V
+10 V
- 5 V - 4.99 V
out
in
R
s
D S
G
-10 V
+10 V
+5 V + 4.95 V
out in
R
s
D S
G
-10 V
-10 V
-5 V
0 V
+5 V
c)
tranzistor blocat tranzistor deschis
tranzistor deschis
Fig. 7.8 a). Func\ionarea comutaturului cu tranzistor NMOS: tranzistorul blocat (a), tranzistorul [n conduc\ie
cu tensiunea de intrare -5 V (b) ]i tranzistorul [n conduc\ie cu tensiunea de intrare +5 V (c).
Leg`m acum poarta la poten\ialul de + 10 V. {n momentul [n care tensiunea semnalului ajunge la
-5 V, ca [n Fig. 7.8 b), avem o tensiune poart`-surs` de +15 V ]i putem conta pe o rezisten\` dren`-surs`,
conform rela\iei (7.6), de
200
10- 2
15- 2
=120 .
Cum rezisten\a de sarcin` are 50 k., pe sarcin` ajunge "numai" 99.8 % din semnalul de intrare.
La cealalt` situa\ie extrem`, tensiunea semnalului este de +5 V ]i tensiunea poart` surs` scade la
+5 V, ca [n desenul c) al figurii. Acum, rezisten\a tranzistorului este de 530 . ]i pe sarcin` ajunge 98.9 %
din semnalul de intrare. Vom avea, deci, o u]oar` distorsionare a semnalului, de aproape 0.9 %, datorit`
varia\iei rezisten\ei comutatorului. S` verific`m, [n final c` tranzistorul r`m[ne [n regiunea de rezisten\`
controlat`. Pentru aceasta avem nevoie de valoarea tensiunii dren`-surs`; este exact valoarea tensiunii care nu
ajunge pe sarcin`, adic` [ntre 0.2 % ]i 1.1 % din tensiunea semnalului, deci nu mai mult de 55 mV !
Tranzistorul este, cu siguran\`, [n regiunea de rezisten\a controlat`.
Dac` privim [nc` o dat` la desenele b) ]i c) ale figurii 7.8, constat`m c` drena ]i sursa []i inverseaz`
rolurile [ntre ele. De fapt,
la un tranzistor cu efect de c[mp, drena ]i sursa sunt echivalente la curent continuu ]i pot fi interschimbate;
ele difer` numai la curent alternativ drena av[nd o capacitate mai mic` fa\` de poart`.
Comutatorul prezentat mai sus are [ns` un dezavantaj major: tensiunea semnaului nu se poate apropia
prea mult de tensiunea de alimentare pozitiv`, altfel nu ar mai r`m[ne o tensiune suficient` pentru men\inerea
deschis` a tranzistorului. Solu\ia const` [n utilizarea unui comutator cu dou` tranzistoare MOS
complementare (CMOS -complementary MOS),
adic` unul cu canal n ]i unul cu canal p, ca [n
Fig. 7.9. Ca s` bloc`m ambelor tranzistoare este
suficient s` aducem la -5 V poarta tranzistorului
NMOS ]i la +5 V poarta tranzistorului PMOS.
Pentru a comanda acest lucru de la un singur
punct se utilizeaz` un inversor logic, care ofer`
la ie]ire sa nivelul continuu de -5 V c[nd intrarea
sa este la +5 V ]i reciproc..
Atunci c[nd semnalul trebuie s` treac` prin
comutator, poarta tranzistorului NMOS este
men\inut` la alimentarea pozitiv` iar poarta
tranzistorului PMOS este adus` la alimentarea
negativ`. Dac` semnalul se apropie de +5 V,
tranzistorul NMOS se blocheaz`, a]a cum ar`tam
mai sus, dar se deschide puternic tranzistorul PMOS. Din contr`, c[nd semnalul se apropie de -5 V, situa\ia
este inversat` ]i tranzistorul NMOS este cel care conduce. Dac` recitim observa\ia [n leg`tur` cu schimbarea
rolului [ntre dren` ]i surs`, [n\elegem imediat de ce ]i intrarea ]i ie]irea din comutator pot fi schimbate [ntre
ele la fel ca la un comutator mecanic.
Comutatoare analogice CMOS sunt dispoibile ca circuite integrate. Astfel, circuitul 4066 con\ine patru
asemenea comutatoare independente. La o alimentare cu -5 V ]i +5 V, rezisten\a [n starea ON a
comutatorului este aproximativ 75 ]i nu variaz` cu mai mult de 20 de]i semnalul poate evolua pe
[ntregul interval dintre poten\ialele aliment`rilor. Pentru aplica\ii profesionale, comutatoarele AD7510 sau
cele din seria 1H5140 ofer`, la o alimentare de 5 V, o rezisten\` sub 100 , varia\ia sa fiind redus` la un
raport 1:1.25.
Observa\ie: {n circuitele cu tranzistoare FET se obi]nuie]te s` se noteze poten\ialul cel mai
ridicat al aliment`rii cu V
DD
iar poten\ialul cel mai cobor[t al aliment`rii cu V
SS
. Astfel, [n circuitul
din Fig. 7.9, V
DD
= +5 V ]i V
SS
= -5 V pentru c` avem o alimentare simetric` fa\` de mas`.
Circuitul func\ioneaz` [ns` ]i cu o singur` surs` de alimentare, adic` cu V
DD
= +10 V ]i V
SS
= 0 V.
{n aceea]i tehnologie CMOS se realizeaz` circuite integrate logice (digitale) [n care semnalul nu
poate avea dec[t dou` st`ri, starea HIGH (de poten\ial cobor[t) ]i starea LOW (de poten\ial cobor[t).
Circuitele digitale CMOS dep`]esc ca performan\e (vitez`, consum de putere mic, imunitate la zgomot, etc.)
circuitele digitale cu tranzistoare bipolare ]i le [nlocuiesc treptat [n aparatura proiectat` ast`zi.
P[n` [n 1970 tranzistoarele cu efect de c[mp realizate abia puteau comanda curen\i de c[teva zeci de
mA la tensiuni de zeci de vol\i. Apoi, o nou` tehnologie a permis realizarea tranzistoarelor MOS de putere
(cu nume depinz[nd de companie, VMOS, TMOS, HEXFET, etc.). Aceste noi tranzistoare sunt capabile s`
opereze la tensiuni de ordinul a 1000 V ]i s` vehiculeze curen\i medii de p[n` la 70 A; pentru durate scurte,
ele pot conduce curen\i de p[n` la 280 A (curen\i de v[rf). Pentru acestea, rezisten\a [n starea ON a putut fi
cobor[t` p[n` pe la 0.010 , astfel c` ele pot fi utilizate [n comutatoare de curen\i mari. {n plus, tranzistoarele
MOS de putere sunt mult mai stabile termic dec[t corespondentele lor bipolare, la acela]i tip de capsul`
put[nd opera la puteri disipate mai mari.
control
D
S
G
D
S
G
+5 V
in
(out)
out
(in)
-5 V
off
on
-5 V
+5 V
inversor logic
NMOS PMOS
Fig. 7.9. Comutator analogic CMOS.
Efectul Miller
Deoarece poarta este izolat` fa\` de canal, curentul de
poart` este practic nul (ajung[nd chiar la pA). Acest lucru este
[ns` valabil numai [n regim de curent continuu, c[nd nici un
poten\ial ]i nici un curent nu mai variaz` [n timp. Dac` dorim
s` modific`m starea tranzistorului, prin varia\ia tensiunii
poart`-surs`, va trebui neap`rat s` [nc`rc`m (sau s` desc`rc`m)
anumite capacit`\i parazite, deci prin poart` va circula un
curent ale c`rui valori nu sunt neglijabile. S` presupunem c`
dorim s` [nchidem ]i s` deschidem, cu frecven\a de 20 kHz, un
comutator de curent mare; poarta tranzistorului va trebui s`
evolueze [ntre zero ]i 10 V [ntr-un interval de timp de ordinul a
10 s. Dac` utiliz`m un tranzistor de tipul IRL2203N produs
de International Rectifier ( R
DS on
de 7 m la 60 A), vom avea
[ntre poart` ]i surs` o capacitate C
gs
de 3500 pF iar [ntre dren`
]i surs` o alt` capacitate, C
gd
, de 690 pF, a]a cum se vede [n Fig. 7.10.
La prima vedere s-ar p`rea c` trebuie s` [nc`rc`m numai capacitatea poart`-surs`. Dac` ar fi a]a,
curentul mediu de [nc`rcare care trebuie trimis [n poart` ar fi
I C
U
t
F = = =
3500 10 3 5
12
10 V
10 s
mA
. .
V
G
C
gd
V
G
V
D
V
G
C
gd
I =
C
gd
V
G
t
(1+g R )
m s
I =
C
gd
V
G
t
(1+g R )
m s
(1+g R )
m s
V
G
C
gd
V
G
varia\ia
tensiunii pe
condensator
V
G
I =
C
gd
V
G
t
a) b) c)
(1+g R )
m s
varia\ia
tensiunii pe
condensator
varia\ia
tensiunii pe
condensator
Fig. 7.11. Efectul Miller la un tranzistor MOS: cazul [n care drena are poten\ial constant (a), cazul
[n care poten\ialul drenei variaz` [n opozi\ie cu cel al por\ii (b) ]i echivalarea acestei situa\ii cu un
condensator legat la mas`.
Exist` [ns` ]i o capacitate [ntre poart` ]i dren`. Dac` poten\ialul drenei ar r`m[ne constant, situa\ia ar fi
echivalent` cu aceea [n care aceast` capacitate ar fi legat` la mas` (Fig. 7.11 a): ea ar ap`rea [n paralel cu
capacitatea poart`-surs` ]i ar m`ri-o de la 3500 la 4190 pF. Din p`cate, [ns`, [n dren` este legat` sarcina ]i
poten\ialul drenei nu este constant. Dac` poarta sufer` o varia\ie de poten\ial V
G
pozitiv`, curentul de
dren` cre]te cu g V
m G
]i, [n consecin\`, dup` cum se observ` [n desenul b) al figurii, poten\ialul drenei
coboar`, av[nd o varia\ie V g R V
D m s G
= .. Cu alte cuvinte, ob\inem o amplificare a varia\iilor de
tensiune egal` cu
V
D
V
G
C
gs
C
gd
V
1
R
g
~
V
alim
R
s
R
1
C
1
Fig.7.10. Capacit`\i parazite la un
comutator cu tranzistor MOS.
A
V
V
g R
V
D
G
m s
= =
(7.8)
care la tranzistoarele cu efect de c[mp are valori de ordinul zecilor.
Din acest motiv, varia\ia tensiunii pe condensator nu mai este egal` cu V
G
ci este de 1+ g R
m s
ori
mai mare; astfel, la aceea]i varia\ie V
G
, ]i curentul de [nc`rcare al condensatorului va fi de 1+ g R
m s
mai
mare. Lucrurile se [nt[mpl` ca ]i cum capacitatea poart`-dren` ar fi devenit de 1+ g R
m s
mai mare, a]a
cum se vede [n Fig. 7.11 c)
Acest fenomen nu este specific circuitelor cu tranzistoare cu efect de c[mp. El apare ori de c[te ori o
capacitate este conectat` [ntre intrarea ]i ie]irea unui amplificator care are amplificare de tensiune A
V
negativ` ]i este cunoscut ca efect Miller.
O capacitate legat` [ntre intrarea ]i ie]irea unui amplificator de tensiune, cu amplificarea A
V
negativ`,
este v`zut` dinspre intrare ca fiind multiplicat` cu ( ) 1 A
V
C C A
echiv V
= 1 b g
(7.9)
Acelea]i probleme se [nt[lnesc ]i la circuitele cu tranzistoare bipolare; [n cazul celor cu efect de c[mp
ele ne pot surprinde deoarece pentru ele la curent continuu curentul de poart` este nul ]i suntem tenta\i s`
extindem automat aceast` proprietate ]i pentru varia\ii.
Revenind la problema noastr` concret`, capacitatea de 690 pF va fi v`zut` dinspre poart` ca o
capacitate de ordinul a 7000 pF ! Ea va necesita pentru [nc`rcare un curent [n jur de 7 mA, ridic[nd la 10 mA
curentul de poart`.
Cum furniz`m acest curent de poart` ? Sursa de semnal care excit` poarta are o rezisten\` intern` R
g
(Fig. 7.10). La saltul ini\ial al tensiunii de la 0 la 10 V, pentru a ob\ine un curent de 10 mA ar trebui ca
rezisten\a intern` s` fie de 1 k. Dar aceasta va fi numai valoarea ini\ial` a curentului. Odat` cu [nc`rcarea
capacit`\ii, poten\ialul por\iii cre]te spre 10 V ]i curentul disponibil, conform legii lui Ohm, scade. Pentru a
compensa acest efect, mic]or`m de zece ori rezisten\a intern` a sursei de semnal iar, dac` avem o rezisten\`
extern` ( R
1
[n Fig. 7.10) montat` [n serie cu poarta, o "scurtcircuit`m" cu un condensator de accelerare
C
1
, care vor trimite un puls suplimentar de curent [n poart`.
Observa\ie: {n Fig. 7.10 am notat tensiunea de alimentare, ca ]i [n capitolele anterioare, cu V
alim
.
Acest manual fiind unul introductiv, am preferat s` facem acest lucru pentru a reduce la minimum riscul unor
confuzii. {n schemele profesionale, tensiunea de alimentare pozitiv` a circuitelor ce con\in tranzistoare cu
efect de c[mp este notat` cu +V
DD
. Sunt dou` aspecte implicate [n aceast` conven\ie. {n primul r[nd,
dublarea indicelui unei tensiuni este rezervat` exclusiv tensiunilor de alimentare iar at[t pentru litera V c[t ]i
pentru indici se folosesc majuscule (sunt m`rimi de curent continuu).
{n al doilea r[nd, se utilizeaz` indicele D de la dren` pentru c` la alimentarea pozitiv` este legat` drena
unui tranzistor FET cu canal n. Tensiunea pozitiv` se noteaz` cu +V
DD
chiar ]i [n cazul [n care circuitul nu
con\ine dec[t FET cu canal de tip p, care au sursele legate la alimentarea pozitiv`. Pentru simetria nota\iei,
dac` circuitul cu FET are ]i o alimentare negativ` fa\` de mas`, tensiunea ei este notat` cu V
SS
.
Enun\uri frecvent utilizate
(at[t de frecvent [nc[t merit` s` le memora\i)
- Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, unde controlul curentului de ie]ire se face prin
injec\ia unui curent, la tranzistoarele cu efect de c[mp (FET [n lb. englez`) controlul curentului de
ie]ire se face prin intermediul unui c[mp electric.
- Curentul controlat circul` printr-un canal [ntre dren` ]i surs`.
- C[mpul electric este produs prin aplicarea unei tensiuni [ntre terminalul por\ii (gate) ]i surs`;
avantajul esen\ial al tranzistoarelor cu efect de c[mp este c` au curentul de poart` cu mult mai mic
dec[t curentul de baz` de la tranzistoarele bipolare.
- La tranzistoarele cu poart` jonc\iune, [ntre poart` ]i canal exist` o jonc\iune semiconductoare
invers polarizat`; curentul de poart` este de ordinul nanoamperilor.
-Tranzistoarele de tip metal oxid semiconductor (MOSFET) au poarta izolat` cu un strat foarte
sub\ire de dioxid de siliciu; curentul lor de poart` este extrem de mic, ajung[nd la picoamperi.
- Tranzistoarele cu efect de c[mp pot fi construite cu canal ini\ial (depletion mode) sau cu canal
indus (enhancement mode); pe de alt` parte, canalul poate fi de tip n sau de tip p.
- Tranzistoarele JFET se pot construi numai cu canal ini\ial, iar majoritatea tranzistoarelor
MOSFET au canal indus.
-Simbolurile generale pentru tranzistoarele MOSFET sunt
G
D
S
substrat
canal n
]i
G
D
S
substrat
canal p
; ele sunt utilizate ]i ca simboluri speciale pentru cele cu canal ini\ial.
-Pentru tranzistoarele MOSFET cu canal indus se mai utilizeaz` ]i simbolurile speciale
NEMOS
]i
PEMOS
.
- La tranzistoarele MOSFET cu canal n (NMOS), substratul trebuie legat la cel mai cobor[t
poten\ial din circuit pentru ca jonc\iunea [ntre el ]i substratul de tip n s` fie [ntodeauna invers
polarizat`.
- Pentru apari\ia canalului conductor [ntre dren` ]i surs`, tensiunea poart` surs` trebuie s`
dep`]easc` o anumit` valoare, numit` tensiune de prag V
T
.
- Pentru tensiuni dren` surs` mari ]i valori ale tensiunii poart` surs` peste tensiunea de prag,
caracteristica de transfer I f V
D GS
V
DS
=
=
( )
. const
este parabolic` I K V V
D GS T
= ( )
2
.
- Transconductan\a g I V
m D GS
= este propor\ional` cu comanda por\ii V V
GS T
sau, altfel
spus, cu radical din curentul de dren`.
- Tranzistoarele cu efect de c[mp au transconductan\a cu 1-2 ordine de m`rime mai mic` dec[t a
celor bipolare.
- Caracteristicile de ie]ire I f V
D DS
V
GS
=
=
( )
. const
prezint` dou` regiuni distincte: la valori mici
ale tensiuii V
DS
tranzistorul se comport` ca un rezistor ohmic cu rezisten\a controlat` de tensiunea
poart`-surs` iar la tensiuni V
DS
mari tranzistorul se comport` ca o surs` de curent controlat` de
tensiunea poart`-surs`.
-Frontiera [ntre cele dou` regiuni se g`se]te aproximativ la V V V
DS GS T
= .
-{n regiunea de rezistor controlat, rezisten\a variaz` invers propor\ional cu comanda por\ii
V V
GS T
.
- La aceea]i tensiune de poart`, rezisten\a din regiunea de rezistor controlat este inversul
transconductan\ei din regiunea de surs` de curent.
- Datorit` regiunii de rezistor, tranzistoarele MOSFET se pot utiliza ca ]i comutatoare
analogice; prin cuplarea a dou` tranzistoare complementare (NMOS ]i PMOS) se realizeaz` un
comutator analogic performant (CMOS) care este disponibil ca circuit integrat.
- Put[nd fi operate la tensiuni de ordinul a 1000 V ]i curen\i de zeci de amperi, tranzistoarele
MOS de putere ofer` rezisten\e R
DS on
de c[\iva m; ele sunt utilizate ca ]i comutatoare de curen\i
mari sau [n amplificatoare de putere.
-Viteza de operare a comutatoarelor este limitat` de capacit`\ile parazite ale tranzistoarelor.
-O capacitatea legat` [ntre intrarea ]i ie]irea unui amplificator de tensiune, cu amplificarea A
V
negativ`, este v`zut` dinspre intrare ca fiind multiplicat` cu ( ) 1 A
V
; acesta este efectul Miller.
Precau\ii [n manipularea tranzistoarelor MOSFET
Stratul de izolator dintre poart` ]i canal este at[t de sub\ire [nc[t la tensiuni de c[teva zeci de vol\i
poate fi str`puns ]i tranzistorul [nceteaz` ireversibil s` func\ioneze. Chiar energia sarcinilor acumulate
electrostatic este suficient` pentru a distruge un tranzistor MOSFET. Din acest motiv, aceste
tranzistoare se livreaz` ambalate [n folii conductoare sau cu terminalele scurtcircuitate [ntre ele prin
inele comductoare. Este indicat ca aceste dispozitive de protec\ie s` fie [ndep`rtate abia dup`
conectarea tranzistorului [n circuit, dup` aceea protec\ia fiind realizat` chiar prin rezistoarele care
fixeaz` poten\ialul por\ii. Ideal este ca operatorul s` fie "legat la p`m[nt" printr-o br`\ar` metalic`.
Dac` nu se alege aceast` solu\ie, o m`sur` de minim` siguran\` este ca, [nainte de a lucra cu
tranzistoare MOSFET, operatorul s` descarce sarcinile acumulate prin atingerea cu m[na a unui
conductor legat la p`m[nt iar [nainte de legarea [n circuit a tranzistoarelor s` ating` doar carcasa nu ]i
terminalele lor.
Termeni noi
-tranzistor cu efect de c[mp (FET) tranzistor la care curentul [ntre dren` ]i surs` este controlat de
m`rimea unui c[mp electric;
- canal regiune semiconductoare prin care circul` curentul [ntre dren` ]i
surs`;
-poart` (gate) terminalul de comand` al tranzistoarelor cu efet de c[mp; [ntre
poart` ]i surs` se aplic` tensiunea de comand`;
-tranzistor cu efect de c[mp tranzistor cu efect de c[mp la care poarta este o jonc\iune invers cu
poart` jonc\iune (JFET) polarizat`;
-tranzistor cu efect de c[mp tranzistor cu efect de c[mp la care poarta este izolat` fa\` de canal;
metal-oxid-semiconductor
(MOSFET)
- substrat terminal legat la materialul semiconductor pe care a fost realizat
tranzistorul FET; [ntre substrat ]i canal exist` o jonc\iune
semiconductoare care trebuie s` fie tot timpul inver polarizat`; din
acest motiv substratul se leag` la cel mai cobor[t (ridicat)
poten\ial, dup` tipul canalului (n, respectiv, p);
-canal ini\ial (depletion mode) tip constructiv de FET pentru care tranzistorul conduce cu tensiune
de comand` nul`;
-canal indus (enhancement mode) tip constructiv de FET pentru care tranzistorul conduce dac`
tensiunea de comand` dep`]e]te o valoare de prag;
-tensiune de prag V
T
valoarea tensiunii peste care intr` [n conduc\ie tranzistoarele cu
canal indus;
-curent [n starea ON curentul de dren` la o anumit` tensiune V
GS
la care tranzistorul cu
canal indus este considerat complet deschis; se define]te [n
regiunea de surs` de curent (V
DS
mare);
-rezisten` [n starea ON rezisten\a dren` surs` la o anumit` tensiune V
GS
la care
tranzistorul cu canal indus este considerat complet deschis; se
define]te [n regiunea de rezisten\` controlat` (V
DS
mic`);
- comutator analogic dispozitiv prin intermediul c`ruia pe o sarcin` se poate aplica sau
nu un semnal de tensiune, [n general cu polaritate variabil`;
rezisten\a comutatorului trebuie s` fie c[t mai mic` [n starea ON ]i
c[t mai mare [n starea OFF;
-efect Miller efect care const` [n faptul c` o capacitate legat` [ntre intrarea ]i
ie]irea unui amplificator cu amplificarea de tensiune A
V
negativ`
este v`zut` dinspre intrare ca fiind multiplicat` cu ( ) 1 A
V
.
Probleme rezolvate
Problema 1.
Inten\ion`m s` utiliz`m un tranzistor NMOS ca un
amplificator de tensiune (FIg. 7.12). Pentru aceasta, trebuie
s` stabilim un punct static de func\ionare cu un curent de
dren` de 2 mA ]i s` avem un poten\ial de dren` aproximativ
la jum`tatea tensiunii de alimentare. Cunoa]tem, pentru
tranzistor, tensiunea de prag V
T
= 0.5 V ]i curentul [n
starea on I
D on ( )
=10 mA m`surat la V
GS
= 20 V.
Trebuie s` alegem divizorul rezistiv din poart` ]i rezisten\a
din dren`.
Rezolvare
Valoarea rezisten\ei de dren` o putem stabili de la
[nceput. Alegem un poten\ial de 10 V [n dren` ]i avem R
D
= = (20 V- 10 V) 2 mA 5 k.
Din valoarea impus` pentru curentul de dren` am putea calcula tensiunea necesar` [ntre poart` ]i surs`.
Rela\ia pe care o avem este I K V V
D GS T
= b g
2
dar foaia de catalog nu furnizeaz` direct valoarea
parametrului K. Avem, [ns`, curentul ]i tensiunea pentru starea on
10 mA = 20 V- 0.5 V Ka f
2
de unde deducem
K = = 10 mA (19.5 V) mA V
2 2
0 026 . .
Putem, acum, s` impunem curentul de dren` cerut
2 mA 0.026
mA
V
0.5 V
2
= V
GS
b g
2
]i s` calcul`m tensiunea poart` surs` necesar` V
GS
= 9.22 V.
Cum ob\inem aceast` tensiune de la divizorul rezistiv ? Curentul de poart` este nul, divizorul este
ne[nc`rcat ]i putem aplica regula de trei simpl`
R R
2 1
= 9.22 V (20 V- 9.22 V) = 0.86.
Mai r`m[ne s` stabilim valorile rezisten\elor. {n cazul tranzistoarelor cu efect de c[mp avem o foarte mare
libertate dar valori prea mici ar mic]ora prea mult impedan\a v`zut` de generatorul de semnal iar rezisten\e
de valori exagerat de mari (peste 1 M) nu sunt u]or disponibile. O alegere bun` este R
2
= 860 k ]i
R
1
=1 M.
V
D
V
G
V
1 ~
R
D
R
1
C
1
+20 V
R
2
Fig. 7.12.
Problema 2.
a) Tranzistoarele cu efect de c[mp au o mare [mpr`]tiere a parametrilor. Pentru tranzistorul din
problema anterioar` ne putem a]tepta la o tensiune de prag chiar de 2 V. Cu valorile de rezisten\e alese acolo,
recalcula\i punctul de func\ionare dac` V
T
= 2 V.
b) Nici curentul I
D on ( )
nu este controlat tehnologic mai precis. Ne putem a]tepta ca acesta s` fie de 5
ori mai mic. Lua\i [n considera\ie ]i acest aspect la determinarea punctului de func\ionare.
Rezolvare
a) Curentul de dren` este propor\ional cu p`tratul comenzii por\ii V V
GS T
. Aceast` diferen\` se
modifc` de la 9.22 V - 0.5 V =8.72 V la 9.22 V - 2 V = 7.22 V. Astfel, noul curent de dren` va fi numai
0.686 din cel anterior, adic` 1.37 mA. Noul potetial de dren` va fi 20 V- 6.85 V=13.5 V [n loc de 10 V.
b) Dac` I
D on ( )
este de 5 ori mai mic, aceasta se [nt[mpl` din cauza parametrului K, care este la
r[ndul lui de 5 ori mai mic. Noul tranzistor, montat [n acela]i circuit proiectat de noi, va avea un curent de
dren` de numai 1 37 0 27 . . mA 5 mA = . {n aceste condi\ii, poten\ialul drenei va fi 20 V - 1.37 V= 18.6 V.
Iat` c`, de]i am proiectat cu grij` circuitul pentru a avea poten\ialul drenei la 10 V (jum`tatea aliment`rii),
datorit` [mpr`]tierii tehnologice a parametrilor el poate ajunge inacceptabil de aproape de poten\ialul
aliment`rii. Predictibilitatea punctului de fun\ionare este proast` la tranzistoarele FET; de multe ori
punctul de func\ionare se ajusteaz` [n func\ionare cu un rezistor reglabil.
Probleme propuse
P 7.1.1. Pentru un tranzistor NMOS cu canal indus, rezisten\a [n starea on R
DS on ( )
, definit` la
V
DS
=10 V, este de 300 iar tensiunea sa de prag este V
T
= 2 V . Care va fi rezisten\a [ntre dren` ]i
surs` dac` V
GS
= 4 V ?
P 7.1.2. {n condi\iile problemei precedente, la ce valoare a tensiunii dren` surs` [ncepe regiunea de
satura\ie ?
P 7.1.3. Pentru un tranzistor MOS cu tensiunea de prag V
T
= 3 V, curentul [n starea ON, definit la
V
GS
=10 V, este de 5 mA. C[t este, [n aceste condi\ii
transconductan\a ? Dar dac` tensiunea de poart` se mic]oreaz` astfel
[nc[t curentul scade la 1 mA ?
P 7.1.4. La cap`tul unui divizor format dintr-un rezistor ]i
tranzistorul MOSFET, se aplic` un semnal alternativ cu amplitudinea
de 100 mV [n jurul valorii 0, ca [n Fig. 5. {ntre ce limite evolueaz`
amplitudinea semnalului la ie]ire, dac` poten\ialul por\ii este modificat
[ntre 3 V ]i 10 V ? Tranzistorul are parametrii da\i [n problema P 7.1.1.
P 7.1.5. De ce nu a fost legat substratul la mas` ci la - 1 V ?
P 7.1.6. Un tranzistor NMOS de putere este utilizat drept
comutaor ON-OFF pentru aprinderea unui bec cu valorile nominale
12 V ]i 5 A. Tranzistorul are rezisten\a R
DS on ( )
sub 100 m.
a) Determina\i tensiunea pierdut` pe tranzistor ]i puterea
disipat` pe acesta.
b) Un tranzistor bipolar de putere (2N3055), operat [n aceea]i gam` de curen\i, prezint` o tensiune de
satura\ie colector emitor de 3 V. Calcula\i ]i pentru el c`derea de tensiune ]i puterea disipat`.
c) Compara\i rezultatele anterioare ]i decide\i care tip de tranzistor este mai potrivit pentru aceast`
aplica\ie.
100 k
100 k
~
330
-1 V
+
-
V
control
~
Fig. 7.13.
Lucrare experimental`
Experimentul 1. Caracteristica de transfer
D
S
G
100 k
mA
+
-
+
-
V
A1
V
A2
0 - 10 V
0 - 15 V
V
voltmetru
electronic
10 k
5 k
Fig. 7.14. Montaj experimental pentru trasarea caracteristicilor statice.
Desena\i pe caiet circuitul din Fig. 7.14 ]i stabili\i sensurile curen\ilor ]i polarit`\ile necesare pentru
aparatele de m`sur`. Realiza\i, apoi, circuitul.
Observa\ii:
-[n jurul tranzistorului au fost montate elemente de protec\ie ]i va trebui s` utiliza\i ca terminal de
poart` nodul de circuit marcat cu litera G
-substratul a fost legat deja la mas`
-rezistorul de 10 k are rolul de a [mpiedica [nc`rcarea condensatorului poart` -substrat (care are
curen\i de scurgere extrem de mici) datorit` electricit`\ii statice.
Stabili\i V
DS
= 10 V ]i trece\i miliampermetrul legat [n dren` pe scala de 10 mA. Cre]te\i apoi
tensiunea pe poart` observ[nd deschiderea tranzistorului. Nota\i-v` tensiunea de prag. Ridica\i caracteristica
I f V
D GS
= ( ) ob\in[nd 10 -12 puncte experimentale dup` deschiderea tranzistorului, p[n` la V
GS
=10 V, ]i
desena\i-o [n scar` liniar`, cu tensiunea [ncep[nd de la 0 vol\i.
Pentru verificarea rela\iei p`tratice I f V
D GS
= ( ), cel mai simplu este s` reprezent`m grafic
I f V
D GS
1 mA = ( ), pentru c` ar trebui s` ob\inem a linie dreapt`. Face\i acest lucru ]i formula\i o
concluzie asupra valabilit`\ii acestei rela\ii.
Relua\i determinarea tensiunii de prag ]i a caracteristicii, pentru o tensiune dren`-surs` de 15 V.
Desena\i-o [n scar` liniar`, pe acela]i grafic cu cea trasat` la V
DS
=10 V. Cum afecteaz` tensiunea dren`-
surs` caracteristica de transfer ?
Determina\i transconductan\a din panta graficului caracteristicii de transfer, la V
GS
=10 V(unde
I I
D DS on
=
( )
) ]i la I
D
=1 mA. La aceast` ultim` valoare a curentului, un tranzistor bipolar are o
transconductan\` de g
m
=1 mA 25 mV = 40 mS. Cum este, fa\` de aceasta, transconductan\a
tranzistorului MOSFET ?
Experimentul 2. Caracteristica de ie]ire
Polariza\i poarta cu un volt peste tensiunea de prag, la V V
GS T
= +1 V. Ridica\i caracteristica de
ie]ire I f V
D DS V const
GS
=
=
( )
.
modific[nd tensiunea dren`-surs` [ntre zero ]i 10 vol\i. Repeta\i, apoi,
experimentul, pentru V V
GS T
= + 2 V ]i V V
GS T
= + 3 V. Desena\i cele trei caracteristici pe un singur
grafic, [n scar` liniar`. Marca\i pe fiecare din cele trei caracteristici punctul care are coordonata V
DS
egal` cu
valoarea V V
GS T
corespunz`toare acelei caracteristici (datorit` alegerii tensiunilor de poart`, aceste valori
vor fi 1, 2 ]i, respectiv, 3 V). Pute\i trage o concluzie asupra frontierei aproximative dintre regiunea de
satura\ie ]i cea de rezisten\` controlat` ?
Experimentul 3. {mbun`t`\irea liniarit`\ii [n regiunea de rezisten\` controlat`
D
S
G
100 k
mA
+
-
+
-
V
A1
V
A2
0 - 10 V
0 - 15 V
V
voltmetru
electronic
10 k
5 k
100 k
V
Fig. 7.15.
Modifica\i circuitul pe care efectua\i experimentul pentru a realiza configura\ia din Fig. 7.15, leg[nd [n
poart` ]i rezisten\a de 100 k conectat` la dren`. Relua\i trasarea caracteristicilor de ie]ire, la acelea]i
tensiuni de poart` ca [n experimentul precedent. Nu dep`]i\i valoarea de 10 mA (ve\i ridica numai regiunea
de rezisten\` controlat`). Aten\ie, stabilirea tensiunii de poart` se face de fiecare dat` cu V
DS
= 0, ea
modific[ndu-se apoi datorit` tensiunii dren` surs`.
Desena\i caracteristicile de ie]ire ]i compara\i-le cu cele ob\inute [n experimentul anterior pe circuitul
standard. Formula\i o concluzie.
Experimentul 4. Comutatorul analogic cu MOSFET
Ave\i pe plan]et` circuitul din Fig. 7. 16 a) . La borna A generatorul de semnal furnizeaz` o tensiune
alternativ` cu amplitudinea de 1 V, suprapus` peste un nivel continuu. Valoarea nivelului continuu poate fi
reglat` cu poten\iometrul Pot., a]a cum se poate vedea [n desenul b) al figurii. Tranzistorul NMOS este
montat ca un comutator analogic [ntre ie]irea generatorului de semnal ]i rezisten\a de sarcin`. Prin
intermediul comutatorului K pute\i lega poarta tranzistorului fie la alimentarea pozitiv`, fie la alimentarea
negativ`.
Alimenta\i plan]eta cu tensiune pozitiv` ]i tensiune negativ`, de la dou` surse. Vizualiza\i cu
osciloscopul forma semnalului la borna A (aten\ie, intrarea osciloscopului trebuie conectat` pe pozi\ia DC
pentru a putea vizualiza ]i componenta continu`). Roti\i poten\iometrului ]i verifica\i c` nivelul continuu al
semnalului se modific`, ca [n desenul b) al figurii.
generator de
semnal
Pot.
b)
out
in
R
s
D S
G
-5 V
sarcina
K
5 k
A
-5 V
+5 V
GND
+
-
+
-
-5 V
+5 V
0 0
a)
alimentarea
plansetei
reglaj nivel
continuu
t t
Fig. 7.16. Comutator analogic cu tranzistor NMOS (a) ]i modificarea nivelului continuu al semnalului
produs` de rota\ia poten\iometrului (b).
Regla\i acum, cu poten\iometrul, nivelul continuu aproximativ la zero ]i stabili\i pozi\ia comutatorului
astfel [nc[t poarta s` fie la tensiune negativ`. Verifica\i dac` semnalul ajunge pe rezisten\a de sarcin`.
Formula\i o concluzie. Schimba\i pozi\ia comutatorului, leg[nd poarta tranzistorului la alimentarea pozitiv`.
Ajunge acum semnalul pe rezisten\a de sarcin` ? Cum este valoarea lui comparat` cu cea de la intrare ?
Efectua\i m`sur`tori mai precise ]i estima\i valoarea R
DS on
a tranzistorului.
P`str[nd sonda osciloscopului conectat` la sarcin`, modifica\i acum, din pozi\ia poten\iometrului,
nivelul continuu al semnalului. Urm`ri\i ce se [nt[mpl` cu semnalul c[nd acesta ajunge aproape de poten\ialul
aliment`rii negative ]i. apoi, de cel al aliment`rii pozitive. Formula\i o concluzie.
Pe aceea]i plan]et` ave\i ]i un circuit integrat 4066 care con\ine patru comutatoare CMOS. {nlocui\i
comutatorul cu tranzistor NMOS cu unul CMOS con\inut [n circuitul integrat, ca [n Fig. 7.17. Trece\i
comutatorul [n starea ON ]i observa\i din nou ce se [nt[mpl` cu semnalul la ie]ire c[nd modifica\i nivelul sù
continuu. Formula\i o concluzie.
generator de
semnal
Pot.
in
out
R
s
sarcina
5 k
K
-5 V
+5 V
-5 V
1
2
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
+5 V
3
4066
Fig. 7.17.
Experimentul 5. Comutatorul MOSFET de curent mare
Ve\i studia acum un comutator realizat cu un tranzistor NMOS de putere. Acesta este comandat astfel
[nc[t s` [ntreup` periodic curentul de alimentare al unui bec, cu o frecven\` de c[\iva kHz, a]a cum se vede [n
Fig. 7.18. Cu ajutorul poten\iometrului Pot. ve\i putea modifica factorul de umplere, adic` raportul dintre
durata de conduc\ie ]i perioad` = T T
on
. Astfel, ve\i putea controla puterea medie pe care o prime]te
becul.
circuit de
comanda
Pot.
D
S
G
+12 V
+12 V
GND
+
-
alimentarea
plansetei
bec cu
incandescenta
reglajul factorului
de umplere
on
off
T
on
T
t
=
T
on
T
Fig. 7.18. Comutator de putere.

Desena\i-v` schema circuitului pe caiet ]i apoi alimenta\i plan]eta. Pentru c[teva pozi\ii ale
poten\iometrului, vizualiza\i cu un osciloscop evolu\ia tensiuii pe bec ]i desena\i forma de und` pe caiet.
Estima\i, de fiecare dat`, factorul de umplere. Cunosc[nd rezisten\a becului, determina\i ]i puterea pe care o
prime]te becul.
Concentra\i-v` acum asupra comutatorului. Determina\i valoarea tensiunii reziduale care cade pe
tranzistor ]i, din aceasta, rezisten\a sa [n starea ON. Estima\i puterea medie disipat` pe tranzistor c[nd factorul
de umplere are valoarea maxim`.
7.2. Tranzistoare cu poart` jonc\iune (JFET)
2.A. Simboluri ]i mod de func\ionare
La tranzistoarele cu efect de c[mp cu poart` jonc\iune
(JFET), [ntre poart` ]i canalul conductor exist` o jonc\iune invers
polarizat`. Tensiunea aplicat` [ntre poart` ]i surs` controleaz`
conduc\ia [n canalul dintre dren` ]i surs`. Deoarece jonc\iunea
este invers polarizat`, curentul de poart` este mult mai mic dec[t
curentul de baz` de la tranzistoarele bipolare, av[nd valori de
ordinul zecilor de nanoamperi.
Dac` la tranzistoarele de tip metal oxid semiconductor
(MOSFET) putem avea fie canal ini\ial, fie canal indus, datorit`
principiului de func\ionare,
tranzistoarele JFET nu pot fi realizate dec[t av[nd canal ini\ial.
Aceasta [nseamn` c` la tensiune nul` [ntre poart` ]i surs`
(V
GS
= 0) tranzistorul conduce [ntre dren` ]i surs`, urm[nd ca
acest curent I
D
s` fie mic]orat prin aplicarea unei tensiuni V
GS
care polarizeaz` invers jonc\iunea por\ii.
Dup` tipul de dopare, exist` dou` categorii de tranzistoare JFET: cu canal de tip n (similare
tranzistoarelor bipolare NPN) ]i cu canal p (similare tranzistoarelor bipolare PNP). Simbolurile lor sunt
prezentate [n Fig. 7.19, al`turi de corespondentele lor bipolare. S`geata arat` sensul direct al jonc\iunii; [n
aplica\ii, jonc\iunea por\ii trebuie todeauna polarizat` invers. Vom aborda [n continuare tranzistoarele JFET
cu canal n, care sunt mai frecvent utilizate, ca ]i corespondentele lor bipolare NPN. Modul de comand` al
acestora este reprezentat [n Fig. 7.20 a).
G
D
JFET cu canal n bipolar NPN
+
on
off
B
E
C
on
off
+
a)
D
+
_
V
GS
I
D
+
_
I
G
=0
V
DS
S
G
V
GS < 0
S
tensiune
negativ` !
b)
Fig. 7.20. Modul de comand` pentru tranzistoarele JFET cu canal n (a) ]i conexiunea cu surs` comun` (b).
2.B. Caracteristici statice
Cea mai utilizat` conexiune este accea cu sursa comun` porturilor de intrare ]i ie]ire, echivalent` cu
conexiunea emitor comun de la tranzistoarele bipolare (Fig. 7.20 b). {n acest caz, portul de intrare este [ntre
poart` ]i surs` iar portul de ie]ire este [ntre dren` ]i surs`. Deoarece nu exist` curent de poart`, nu are sens s`
S
D
G
B
E
C
S
D
G
B
E
C
( )
JFET cu canal n
JFET cu canal p
( )
Fig. 7.19. Tranzistoare JFET.]i
corespondentele lor bipolare.
vorbim despre caracteristica de intrare. Vom studia, deci, numai caracteristica de transfer
I f V
D GS V const
DS
=
=
( )
.
]i cea de ie]ire I f V
D DS V const
GS
=
=
( )
.
{n Fig. 7.21 a) am reprezentat caracteristica de transfer a unui tranzistor JFET (care are obligatoriu
canal ini\ial) [mpreun` cu aceea a unui tranzistor MOSFET cu canal indus. Se observ` faptul c` ele sunt
asem`n`toare, aceea a tranzistorului JFET fiind deplasat` pe axa tensiunilor spre valori negative. La
tranzistorul JFET, cu tensiune nul` [ntre poart` ]i surs` curentul de dren` nu este nul ]i valoarea sa este un
parametru important al tranzistorului, fiind notat cu I
DSS
.
0.0
5.0m
10.0m
15.0m
20.0m
25.0m
I
D
(A)
V
GS
(V)
I
DSS
-3 -2 -1 0 1
N JFET
V
P
V
T
NMOS
canal indus
canal initial
V
GS
0
V
P
g
m max
=
g
m max
I
DSS
2
V
P
a)
b)
g
m
0
Fig. 7.21. Caracteristica de transfer pentru tranzistoare JFET]i MOSFET cu canal indus (a) ]i dependen\a
transconductan\ei de tensiunea V
GS
pentru JFET (b).
Canalul existent ini\ial poate fi [nchis progresiv prin aplicarea unei tensiuni poart`-surs` negative. C[nd
valoarea ei ajunge la V
P
, numit` tensiune de blocare sau tìere (cutoff voltage sau pinch-off voltage [n
englez`), curentul de dren` devine nul. Pentru tensiuni V
DS
suficient de mari (vom vedea mai t[rziu c[t de
mari), curentul depinde parabolic de tensiunea poart`-surs` V
GS
I V V
I I
V
V
V V
D GS P
D DSS
GS
P
GS P
= <
=
F
H
G
I
K
J

0
1
pentru
pentru
2
(7.10)
S` compar`m rela\ia anterioar` cu aceea de la tranzistorul MOSFET: I K V V
D GS T
= ( )
2
. La prima
vedere par diferite dar, dac` facem [nlocuirile
V V
I V K
P T
DSS
P
2 , (7.11)
observ`m c` avem, de fapt, exact aceea]i dependen\`. Formele sub care se utilizeaz` sunt diferite pentru c`
la JFET este comod s` folosim ca parametru curentul de dren` I
DSS
(definit la V
GS
= 0).
Din acest motiv,
toate rela\iile de la sec\iunea precedent`, unde am abordat tranzistoarele MOSFET, r`m[n valabile ]i pentru
tranzistoarele JFET.
Rela\iile vor ap`rea pu\in diferite ca form`, dar cu [nlocuirile (7.11) ele devin identice.
Ca ]i la tranzistoarele MOSFET, parametrii tranzistoarelor sunt puternic [mpr`]tia\i tehnologic:
tensiunea de tìere poate avea o dispersie de 5V iar I
DSS
o varia\ie [n raportul 5 la 1. A]a cum am v`zut,
aceasta produce o slab` predictibilitate a punctului de func\ionare.
La varia\ii mici [n jurul unui punct de func\ionare, ac\iunea tranzistorului poate fi descris` prin
transconductan\a g
dI
dV
m
D
GS
= care este chiar panta caracteristicii de transfer [n punctul respectiv. Din rela\ia
(7.10) rezult` c` transconductan\a este propor\ional` cu radicalul din curentul de dren`
g
I
V
V V
I
V
I
m
DSS
P
GS P
DSS
P
D
= = 2 2
2
b g
. (7.12)
Dependen\a transconductan\ei de tensiunea V
GS
a fost reprezentat` [n Fig. 7.21 b); valoarea ei maxim` a
trasconductan\ei se ob\ine cu poarta legat` la surs`, c[nd V
GS
= 0:
g
I
V
m
DSS
P
max
= 2
. (7.13)
Dac` aplic`m pe poart` o tensiune mai mare dec[t tensiunea de prag, familia de caracteristici de ie]ire
are forma din Fig. 7.22. Fiecare din caracteristici prezint` dou` regiuni distincte.
0 5 10 15 20
-4.0
-2.0
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
V
DS
(V)
I
D
(mA)
= 3 V V
GS
-V
P
= 2.5 V V
GS
-V
P
= 2 V V
GS
-V
P
= 1.5 V V
GS
-V
P
V
GS
= 0 V
GS
V = -0.5 V
GS
V = -1.0 V
GS
V = -1.5 V
curentul de satura\ie
propor\ional cu
V
GS
-V
P
(
)
2
panta
propor\ional`
cu V
GS
-V
P
surs` de curent (satura\ie)
regiune de
rezistor
regiune de
Fig. 7.22. Caracteristici de ie]ire pentru tranzistorul JFET.
La valori V
DS
mici, curentul de dren` este aproximativ propor\ional cu tensiunea dren`-surs`,
tranzistorul comport[nd-se ca un rezistor.
Valoarea rezisten\ei ohmice echivalente depinde de tensiunea aplicat` pe poart`; avem o regiune de
rezisten\` controlat`. Pentru tensiuni dren` surs` mici [n valoare absolut`, aceast` regiune se continu` ]i la
tensiuni dren`-surs` negativ`.
{n aceast` regiune, dependen\a curentului de surs` poate fi aproximat` prin
I
I
V
V V V
D
DSS
P
GS P DS
2
2
b g ; (7.14)
tranzistorul are o comportare de rezistor, cu rezisten\a
R
V
I V V
DS
P
DSS GS P
=
2
2 b g
(7.15)
controlat` de tensiunea aplicat` pe poart`. Valoarea minim` a acestei rezisten\e se ob\ine c[nd poarta este
legat` la surs` ]i V
GS
= 0. {n aceste condi\ii,
R
V
I
DS min
P
DSS
=
2
(7.16)
{n cealalt` regiune tranzistorul are o comportare complet diferit`:
la valori V
DS
mari, curentul [nceteaz` practic s` mai depind` de tensiunea dren`-surs`, ie]irea comport[ndu-
se ca o surs` de curent controlat` de tensiunea de poart`..
{n regiunea de surs` de curent controlat`, este valabil` rela\ia (7.10) ]i aici am ridicat caracteristica de
transfer ]i am definit transconductan\a. Cu tranzistorul [n acest regim de func\ionare putem realiza
amplificatoare (pentru c` I
D
nu este saturat [n raport cu m`rimea de intrare V
GS
ci, din contr`, este
controlat practic numai de aceasta).
Compara\ia rela\iei (7.16) cu (7.12) arat` un lucru interesant ]i util: aleg[nd o tensiune de poart`,
rezisten\a din regiunea de rezisten\` controlat` este inversul transconductan\ei din regiunea de satura\ie.
De asemenea, este util s` cunoa]tem o limit` aproximativ` [ntre aceste dou` regiuni. Astfel,
pentru o tensiune poart`-surs` fixat`, frontiera [ntre regiunea de rezistor controlat ]i aceea de surs` de
curent controlat` este la o valoare a tensinii dren`-surs` egal` cu comanda por\ii V V V
DS GS P limita
= .
{n Fig. 7.22 aceast` frontier` a fost desenat` cu linie [ntrerupt`.
{mbun`t`\irea liniarit`\ii [n regiunea de rezisten\` controlat`
{n regiunea de rezisten\a controlat`, dependen\a mai exact` a curentului de dren` este dat` de rela\ia
I
I
V
V V V V
D
DSS
P
GS P DS DS
= 2 2
2
b g ; (7.17)
Din analiza acesteia rezult` c` liniaritatea poate fi [mbun`t`\it` dac` tensiunea de poart`, [n loc s` fie
\inut` constant`, variaz` dup` legea V V
GS DS
= + const. 2 .
Acest lucru [l realizeaz` circuitul din Fig. 7.23. Exprim[nd prin
teorema Milman poten\ialul por\ii, avem
V V V V
GS G DS
= = +
1
2 2. {nlocuind acum [n rela\ia (7.17)
termenul V
DS
2 din parantez` dispare ]i ob\inem o rela\ie de
propor\ionalitate [ntre curent ]i tensiune
I K V V V
D T DS
= 2 2
1
b g ; (7.18)
astfel, rezult` o comportare de rezistor f`r` s` mai fie nevoie s`
folosim aproxima\ia V V V
DS GS P
<< . Extinderea regiunii de
liniaritate nu este [nsa prea mare, [ntruc[t [ns`]i rela\ia (7.17) este o
aproxima\ie care []i [nceteaz` valabilitatea la tensiuni dren` surs`
mari.
2.C. Surse de curent cu JFET
Cel mai simplu circuit cu JFET este cel din Fig. 7.24 a): leg`m poarta la surs` ]i am ob\inut o surs` de
curent (de fapt, un "absorbant" de curent). Acest lucru este evident pe caracteristica de ie]ire trasat` la
V
GS
= 0, adic` cu poarta ]i sursa [n scurtcircuit (desenul b). Singurul lucru de care trebuie s` avem grij` este
ca tensiunea dren`-surs`, cobor[nd, s` nu se apropie de valoarea ( ) 0 = V V
P P
de unde tranzistorul [ncepe
s` semene cu o rezisten\`.
sarcina
+V
DD
I
DSS
a)
V
DS
I
D
V
GS
= 0 V
I
D nu este
perfect constant
c)
I
D
V
GS
I
DSS
0
V
P
0
b)
punct de
func\ionare
Fig. 7.24. Surs` de curent cu JFET.
100 k
100 k
V
1
V
D
= V
DS
V
G
(negativ`)
Fig. 7.23. Circuit pentru
[mbun`t`\irea liniarit`\ii in
regiunea de rezisten\` controlat`.
Circuitul precedent este simplu, dar prezint` dou` dezavantaje. {n primul r[nd, valoarea curentului
sursei nu poate fi programat` de c`tre proiectant, fiind egal` cu I
DSS
(desenul c). }i cum acest parametru are
o [mpr`]tiere tehnologic` mare (ajung[nd chiar la 1:5)... Exist` [ns` asemenea circuite, gata selectate de
produc`tor dup` valorile lui I
DSS
]i v[ndute ca surse de curent. Totu]i, [n aplica\ii este nevoie uneori s`
ajust`m fin valoarea sursei de curent. Un al doilea dezavantaj al circuitului este acela c` intensitatea
curentului de dren` nu este perfect constant`, cresc[nd u]or cu tensiunea V
DS
: sursa de curent nu este una
ideal`.
O rezolvare comun` pentru aceste dezavantaje poate fi g`sit` dac` ne amintim c` o problem`
asem`n`toare am [nt[lnit la tranzistoarele bipolare c[nd men\ineam V
BE
constant. Solu\ia era s` intercal`m o
rezisten\` [n circuitul emitorului ]i aceasta este rezolvarea (par\ial`) ]i a dezavantajelor amintite mai sus.
Ajungem, astfel, la sursa de curent perfec\ionat` din Fig. 7.25 a).
sarcina
+V
DD
I
D
a)
R
S
V
S
+
-
- V
GS
= I
D
R
S
I
D
V
GS
I
DSS
0 V
P
0
punct de
func\ionare
solu\ie fals`
b)
V
GS
V
P
I
D
0
0
M
P
Q
I
D
I
D
c)
la V
DS1
la V
DS2
dreapta de
sarcina cu
panta -1 R
S
N
Fig. 7.25. Surs` de curent cu rezistor conectat [n sursa.tranzistorului.
Pentru determinarea punctului de func\ionare putem [ncerca s` rezolv`m ni]te ecua\ii (sunt de gradul
doi ]i le putem rezolva prin radicali) sau putem apela la o metod` grafic` (desenul b). Una din ecua\ii este
chiar caracteristica de transfer I f V
D GS
=
=
( )
V const.
DS
iar cealalt` este V I R I R
GS D S D S
= = 0 .
Aceasta din urm`, scris` sub foma I V R
D GS D
= are ca reprezentare grafic` o dreapt` de pant` negativ`
ce trece prin origine. La intersec\ia celor dou` curbe se g`se]te punctul de func\ionare cùtat.
Observa\ie: Dac` am fi rezolvat sistemul de ecua\ii am fi g`sit dou` solu\ii; cea cu valoare mai mare
pentru I
D
corespunde ramurii din st[nga a parabolei, care nu face parte din caracteristic` ]i trebuie
ignorat`.
Dac` modific`m valoarea rezisten\ei din dren`, se modific` ]i panta "dreptei de sarcin`" ]i putem,
astfel, ajusta valoarea sursei de curent [ntre zero ]i I
DSS
. Introducerea rezisten\ei R
S
[mbun`t`\e]te ]i
comportarea sursei de curent, a]a cum se poate constata [n Fig. 7.25 c). Aici am trasat caracteristica de
transfer pentru dou` valori diferite ale tensiunii dren`-surs`, exager[nd influen\a acestei tensiuni asupra
caracteristicii.. Dac` sursa ar fi legat` direct la mas` (V
GS
= 0), punctul de func\ionare s-ar deplasa la
modificarea lui V
DS
, din M [n N pe axa vertical` a graficului. {n cazul introducerii rezisten\ei R
S
,
modificarea punctului de func\ionare are loc din pozi\ia P [n pozi\ia Q. Este clar c` varia\ia curentului I
D
este mai mic` dec[t [n prima situa\ie ]i este cu at[t mai mic` cu c[t dreapta de sarcin` se apropie de orizontal`,
adic` cu c[t rezisten\a R
S
cre]te.
Cre]terea rezisten\ei din surs` apropie func\ionarea sursei de curent de cea ideal`.
2.D. Repetorul pe surs` (source follower [n limba englez`)
Introducerea rezisten\ei R
S
ne-a permis s` aducem tranzistorul [n punctul de func\ionare dorit f`r` s`
fie nevoie de utilizarea unei surse negative pentru polarizarea por\ii. Acest truc poart` numele de negativare
automat` ]i a fost inventat pe vremea tuburilor electronice. Acela]i circuit poate fi utilizat ]i pentru a
[ndeplini o cu totul alt` func\ie (Fig. 7.26 a).
a)
+V
DD
R
S
V
S
+
-
+
-
V
in
out
V
GS
=
-
I
D
R
S
V
in
I
D
V
GS
I
DSS
0 V
P
0
b)
V
in
V
GS
V
in
t
V
in
V
GS const.
c)
V
out
=
V
GS
V
out
Fig. 7.26. Repetorul pe surs`.
Conect`m drena direct la alimentarea pozitiv`, desfacem poarta de la mas` ]i o leg`m la o tensiune de
intrare V
in
variabil` ]i noul circuit este gata. Ca s` [n\elegem func\ionarea sa, revenim la metoda dreptei de
sarcin` (desenul b). Acum [ns`, expresia lui V
GS
are forma V V I R
GS in D S
= , care conduce la
I
V
R
V
R
D
in
S
GS
S
= . (7.19)
Dreapta de sarcin` are [n continuare panta 1 R
S
dar nu mai trece prin origine ci intersecteaz` axa
orizontal` la coordonata V
in
.
S` urm`rim ce se [nt[mpl` dac` tensiunea de intrare V
in
sufer` varia\ii mici (exagerate pe desen pentru
a fi mai u]or vizibile). Dreapta de sarcin` se deplaseaz` paralel cu ea [ns`]i, fiind translatat` pe orizontal` cu
V
in
. Dac` dreapta de sarcin` are panta ([n modul) mult mai mic` dec[t panta g
m
a caracteristicii de transfer
1 1 R g R g
S m s m
<< >> ) (7.20)
atunci varia\iile tensiunii poart`-surs` sunt mult mai mici dec[t acelea ale tensiunii de intrare
V V V V V V
GS in S in GS in
<< = . (7.21)
{n aceste condi\ii, varia\iile tensiunii de intrare se reg`sesc (pu\in atenuate) ca varia\ii ale poten\ialului
sursei, a]a cum se observ` [n desenul c, unde am desenat evolu\iile [n timp ale celor dou` poten\iale; am
ob\inut un circuit repetor. Avantajul lui esen\ial este c` intensitatea curentului absorbit de la sursa de
semnal este extrem de mic` (zeci de nA la frecven\` nul` ]i determinat` de capacitatea de intrare la frecven\e
mari).
Putem chiar s` calcul`m c[t de bine sunt repetate varia\iile de tensiune. Dac` presupunem c` varia\iile
lui V
in
sunt suficient de mici astfel [nc[t I I
D D
<<1, putem exprima varia\ia I
D
a curentului
de dren` cu ajutorul transconductan\ei calculate [n acel punct de func\ionare
I g V g V V
D m GS m in out
= = b g. Pe de alt` parte, varia\ia tensiunii de ie]ire este dat` de legea
lui Ohm V R I
out s D
= . Din cele dou` rela\ii rezult` amplificarea repetorului
A
V
V g R
V
out
in m S
= =
+
1
1 1 ( )
, (7.22)
[ntodeauna subunitar`.
De]i varia\iile lor sunt aproximativ egale, [ntre poten\ialul ie]irii ]i cel al intr`rii exist` un decalaj
(offset [n limba englez`), poten\ialul ie]irii fiind mai ridicat cu V V
GS P
< dec[t cel al intr`rii.
Pentru [ndeplinirea mai bun` a condi\iei (7.20), o solu\ie elegant`
este intercalarea [n circuitul sursei tranzistorului a unei surse de curent (pe
care tocmai am studiat-o), ca [n Fig. 7.27. Astfel, dreapta de sarcin` devine
practic orizontal`. Pentru a nu avea probleme cu complian\a sursei de
curent a trebuit s` utiliz`m o alimentare diferen\ial` (dou` surse de
alimentare, una pozitiv` fa\` de mas` ]i una negativ`).
Dac` tranzistoarele sunt perfect identice (acelea]i valori pentru V
P
]i
I
DSS
) ]i mut`m borna de ie]ire [n drena lui T
2
, se mai [nt[mpl` un miracol:
dispare decalajul dintre poten\ialele intr`rii ]i ie]irii. Acest lucru poate fi
explicat [n modul urm`tor. Ambele tranzistoare func\ioneaz` la acela]i
curent de dren` ]i, deci, vor avea obligatoriu aceea]i valoare a tensiunii
V
GS
poart`-surs`. Pe de alt` parte, cele dou` rezistoare sunt egale ]i sunt
parcurse de acela]i curent. Pentru c`, la tranzistorul T
2
, V I R
G D 2
0 = ,
acela]i lucru se va [nt[mpla ]i a tranzistorul T
1
, adic` poten\ialul V
out
va fi
egal cu poten\ialul V
in
. {n realitate, chiar dac` tranzistoarele sunt bine
[mperecheate, fiind realizate pe acela]i "chip" de siliciu, o mic` valoare a
decalajului r`m[ne.
2.E. Atenuatorul controlat
Am folosit de multe ori un divizor rezistiv pentru a produce o tensiune continu` de valoare
convenabil`. Acela]i dispozitiv poate fi utilizat, [ns`, ]i ca atenuator, pentru a aplica pe o rezisten\` de
sarcin` un semnal de tensiune de amplitudine mai mic` dec[t cel produs de generator (Fig. 7.28 a). O
aplica\ie standard este poten\iometrul de volum cu care regla\i intensitatea semnalului sonor la un
amplificator audio.
Dezavantajul poten\iometrului este c` atenuarea sa nu poate fi controlat` dec[t mecanic; dac` am dori
s-o control`m electronic, ne-ar trebui un motora] care s` roteasc` axul poten\iometrului. Tranzistoarele cu
efect de c[mp, datorit` regiunii lor de rezisten\` controlat`, permit realizarea unor atenuatoare controlate de
o tensiune electric`.
+V
DD
+
-
V
in
V
S1
R
R
-V
SS
V
out
T
1
T
2
V
S2
V
D2
V
G1
V
G2
+
-
+
-
R I
D
R I
D
Fig. 7.27. Repetor
perfec\ionat.
a)
out
in
R
1
0
0
R
2
b)
out
in
R
1
0
0
V
CONTR
( 0)
10 k
c)
out
in
R
1
V
CONTR
( 0)
10 k
1 M
1 M
Fig. 7.28. Atenuator cu divizor rezistiv (a) ]i atenuatoare cu tranzistor JFET (b) ]i (c).
Tot ce avem de f`cut este s` [nlocuim rezisten\a R
2
a divizorului cu tranzistorul FET ]i s` control`m
tensiunea sa poart`-surs` (desenul b al figurii). La valoarea nul` a tensiunii de control, tranzistorul prezint` o
rezisten\` de valoare minim`, egal`, conform rela\iei (7.16), cu V I
P DSS
( ) 2 . {n aceste condi\ii, [ntre
amplitudinile semnalelor de intrare ]i ie]ire avem rela\ia
V
V
R
R R
V
V I R
out
in
DS
DS
P
P DSS
=
+
=
+
1 1
2
. (7.23)
Pe de alt` parte, c[nd tensiunea de control, negativ`, ajunge la V
P
tranzistorul este blocat ]i pe
sarcin` se reg`se]te [ntregul semnal de intrare. La frecven\e mari se produce, totu]i, o atenuare datorit`
capacit`\ii tranzistorului.
Pentru a apropia ]i mai mult comportarea tranzistorului de aceea a unui rezistor, se poate utiliza
adunarea, peste tensiunea de control, a cantit`\ii V
DS
2 ca [n Fig. 7.28 c), a]a cum am discutat mai [nainte.
Chiar ]i cu acest truc, trebuie s` avem grij` ca amplitudinea semnalului s` nu fie mai mare de c[teva zecimi
de volt, altfel acesta va fi distorsionat datorit` dependen\ei neliniare I f V
D DS
= ( ).
Enun\uri frecvent utilizate
(at[t de frecvent [nc[t merit` s` le memora\i)
-Tranzistoarele JFET nu pot fi realizate dec[t av[nd canal ini\ial.
-Simbolurile utilizate pentru tranzistoarele JFET sunt
S
D
G
(canal n)
]i
S
D
G
(canal p)
; tot
ce urmeaz` se refer` la tranzistoare JFET cu canal n.
- Jonc\iunea poart`-surs` trebuie s` fie invers polarizat`; astfel, la tranzistoarele JFET av[nd
canal de tip n, tensiunea poart`-surs` trebuie s` fie negativ`.
- La tensiune poart`-surs` nul` V
GS
= 0 exist` un curent de poart`. La V
DS
mari se define]te
curentul I
DSS
pentru V
GS
= 0.
-Cu [nlocuirile V V
P T
]i I V K
DSS
P
2
, rela\iile de la JFET sunt identice cu cele de la
OSFET.
- Negativarea por\ii fa\` de surs` mic]oreaz` curentul de dren`, la V V
GS P
= acesta devenind
nul.
- Pentru tensiuni dren` surs` mari ]i valori ale tensiunii poart` surs` peste tensiunea V
P
(de
blocare) , caracteristica de transfer I f V
D GS
V
DS
=
=
( )
. const
este parabolic` I I V V
D DSS GS P
= 1
2
b g .
- Transconductan\a g I V
m D GS
= este propor\ional` cu comanda por\ii V V
GS P
sau, altfel
spus, cu radical din curentul de dren`.
- Caracteristicile de ie]ire I f V
D DS
V
GS
=
=
( )
. const
prezint` dou` regiuni distincte: la valori mici
ale tensiuii V
DS
tranzistorul se comport` ca un rezistor cu valoarea controlat` de tensiunea poart`-
surs` iar la tensiuni V
DS
mari tranzistorul se comport` ca o surs` de curent controlat` de tensiunea
poart`-surs`.
-Frontiera [ntre cele dou` regiuni se g`se]te aproximativ la V V V
DS GS P
= .
-{n regiunea de rezistor controlat, rezisten\a variaz` invers propor\ional cu comanda por\ii
V V
GS P
.
- La aceea]i tensiune de poart`, rezisten\a din regiunea de rezistor controlat este inversul
transconductan\ei din regiunea de surs` de curent.
- Datorit` regiunii de rezistor, tranzistoarele JFET se pot utiliza [n atenuatoare controlate de o
tensiune electric`.
-{n regiunea de surs` de curent controlat`, tranzistoarele JFET sunt utilizate ca surse de curent
sau repetoare pe surs`.
Avantajele generice ale tranzistoarelor cu efect de c[mp sunt:
-curentul de poart` extrem de mic [n regim de curent continuu (la MOSFET ajunge la 1 pA !);
-la tensiuni dren`-surse mici ele se comport` ca ni]te rezistoare controlate, put[nd fi utilizate ca
]i comutatoare analogice sau atenuatoare comandate;
-tranzistoarele MOSFET de putere ajung la rezisten\e [n starea ON de c[\iva m;
-tranzistoarele MOSFET de putere pot manipula curen\i de zeci de amperi ]i tensiuni de
ordinul kilovol\ilor, av[nd rezisten\e [n starea ON de c[tiva m;
-sunt mai stabile cu temperatura (vom reveni asupra acestui subiect [n capitolul urm`tor).
Termeni noi
-tensiune de blocare (strangulare) valoarea tensiunii poart`-surs` care, polariz[nd invers jonc\iunea
poart`-canal, produce anularea curentului de dren` (blocarea
tranzistorului);
-repetor pe surs` (source follower) circuit cu drena legat` la un poten\ial constant [n care varia\iile
poten\ialulului sursei sunt aproximativ egale ([ntodeauna mai
mici) cu varia\iile poten\ialului por\ii; [ntre cele dou` poten\iale
exist` un decalaj, aproximativ constant;
-atenuator controlat circuit similar unui divizor rezistiv [n care rezistorul legat la mas`
este [nlocuit cu un tranzistor cu efect de c[mp, operat [n regiunea
de rezisten\` controlat`, a c`rui rezisten\` R
DS
este comandat`
prin poten\ialul por\ii;
Problem` rezolvat`
Avem la dispozi\ie un tranzistor JFET care are canal n ]i ai c`rui parametri au fost
determina\i: experimental: V
P
= - 4V ]i I
DSS
=15 mA.
a) Ne propunem, mai [nt[i, s` proiect`m o surs` de curent care s` absoarb` spre mas`
2 mA..
b) Cu aceast` surs` de curent vom [mbun`t`\i performan\ele unui repetor pe surs`,
realizat cu un tranzistor identic. Va trebui s` alegem tensiunile de alimentare ]i s` stabilim
[n ce domeniu poate evolua tensiunea de intrare.
Rezolvare
a) Schema sursei de curent este cea din Fig. 7.29; va trebui s` determin`m valoarea
necesar` pentru rezisten\a R
S
. Avem la dispozi\ie ecua\ia caracteristicii de transfer a
tranzistorului
2 mA =15 mA
4 V
V
GS

F
H
G
I
K
J
1
2
;
de aici putem ob\ine valoarea necesar` pentru tensiunea V
GS
V
GS
= + = -4 V -1.46 V 2 15 1 d i .
Aceast` tensiune este produs` prin c`derea de tensiune pe rezisten\a R
S
; de aici rezult` imediat valoarea
acestei rezisten\e
R
S
= =
1.46 V
2 mA
730 .
b) Schema repetorului perfec\ionat este aceea prezentat` [n Fig.
7.27. O relu`m (Fig. 7.30), utiliz[nd sursa de curent gata proiectat` ]i
\in[nd seama c` cele dou` rezisten\e trebuie s` fie egale. Trecem pe
schem` tensiunile poart` surs` ]i c`derile de tensiune pe rezisten\e,
alegem valorile tensiunilor de alimentare ]i acum putem s` spunem
[ntre ce valori poate evolua tensiunea de intrare. Sursa tranzistorului T
2
este men\inut` la -15 V+1.46 V=-13.5 V. Pentru el, regiunea de
rezisten\` controlat` (care trebuie evitat`) [ncepe la
V V V
DS GS P
= = -1.46- (-4 V) = 2.54 V. {n concluzie, drena sa ar
putea cobor[ p[n` la -13.5+2.54=-11 V. Cum nu exist` decalaj [ntre
intrare ]i ie]ire, tragem concluzia c` poten\ialul intr`rii nu trebuie s`
coboare aproape de -11 V.
Tranzistorul T
1
lucreaz` [n acela]i punct de func\ionare; din
acest motiv, sursa sa nu trebuie s` urce la un poten\ial mai mare de
+ + V
DD
2.54 V 12.4 V. Cum poten\ialul intr`rii este cu -1.46 V
mai cobor[t dec[t poten\ialul sursei, rezult` c` poten\ialul intr`rii nu
trebuie s` urce aproape de +11 V.
R
S
V
S
2 mA
Fig. 7.29.
+15 V
+
-
V
in
V
out
T
1
T
2
+
-
+
-
730
730
1.46 V
1.46 V
-
+
1.46 V
-
+
1.46 V
-15 V
Fig. 7.30.
Probleme propuse
P 7.2.1. Un tranzistor JFET ce are canal n are caracteristica
de transfer din Fig. 7.31.
a) Determina\i I
DSS
]i V
P
.
b) {n jurul c`rui punct de func\ionare are tranzistorul
transconductan\a g
m
de valoare maxm` ]i care este aceast`
valoare ? {n ce regiune de func\ionare trebuie s` se g`seasc`
tranzistorul ]i c[t trebuie s` fie V
DS
?
c) La ce tensiune V
GS
are tranzistorul rezisten\a R
DS
de
valoare minim` ]i care este aceast` valoare ? {n ce regiune de
func\ionare trebuie s` se g`seasc` tranzistorul ]i c[t trebuie s` fie
V
DS
?
P 7.2.2. Calcula\i punctul static
de func\ionare al circuitului din Fig.
7.32, dac` tranzistorul are
caracteristica de transfer din Fig. 7.31 (utiliza\i metoda dreptei de sarcin`).
P 7.2.3. Un tranzistor JFET are parametrii (m`sura\i) I
DSS
= 3 mA ]i
V
P
= - 4 V; el este utilizat [n circuitul din Fig. 7.24 a). Determina\i ce rezisten\`
trebuie s` mont`m [n circuitul sursei, pentru a ob\ine un curent I
D
=1 mA.
P 7.2.4. Dup` ce a\i calculat ]i montat rezisten\a, a\i luat, din gre]eal` un
alt exemplar din cutia cu tranzistoare. Acesta are parametrii I
DSS
=1 mA 5 ]i
V
P
= - 1 V. Ce valoare va avea curenul de dren` [n locul celei impuse de 1 mA
?
P 7.2.5. Circuitul de la problema P 7.2.3
este utilizat ca repetor pe surs` (Fig. 7.33),
tensiunea de intrare av[nd varia\ii mici.
a) Calcula\i decalajul [ntre tensiunea de intrare ]i cea de ie]ire.
b) Determina\i amplificarea repetorului.
P 7.2.6. Tensiunea de intrarea a repetorului din problema precedent` a
crescut at[t de mult [nc[t tensiunea V
GS
a ajuns aproape zero.
a) C[t este valoarea tensiunii de intrare la care se [nt[mpl` acest lucru ?
b) Recalcula\i amplificarea repetorului pentru varia\ii mici [n jurul
acestui nou punct de func\ionare.
c) Compara\i cele dou` amplific`ri ]i trage\i o concluzie asupra
distorsiunilor produse de repetor dac` tensiunea de intrare are o excursie prea
mare.
P 7.2.7. Circuitul din Fig. 7.34 este un repetor perfec\ionat, care are montat` [n surs` o surs` de
curent. Presupun[nd ambele tranzistoare identice, cu I
DSS
= 5 mA ]i V
P
= - 2 V, determina\i valoarea
necesar` pentru cele dou` rezisten\e (identice). C[t va fi decalajul dintre tensiunea de ie]ire ]i cea de
intrare ?
P 7.2.8. {ntre ce limite poate varia tensiunea de intrare cu condi\ia ca nici unul din tranzistoare s` nu
ajung` [n regiunea de rezisten\` controlat` ? (revede\i problema rezolvat`)
-3 -2 -1 0
0
5
10
15
V
GS
(V)
I
D
(mA)
Fig. 7.31.
+ 15 V
240 1 M
1.5 k
Fig. 7.32.
+V
DD
R
S
V
S
+
-
V
in
out
V
out
=
V
GS
Fig. 7.33.
P 7.2.9. At[t [n problema precedent` c[t ]i [n cea rezolvat`, calculul
domeniului maxim admis pentru tensiunea de intrare a fost f`cut de la
[nceput numeric. Din aceast` cauz`, am sc`pat un rezultat interesant.
Relua\i calculul p`str[nd tensiunea V
P
ca variabil` literal` (simbolic`) ]i
[ncerca\i s` ar`ta\i c` limitele acestui domeniu sunt + V V
DD P
]i
+ V V
SS P
.
P 7.2.10. La atenuatorul controlat
din Fig. 7.35 tensiunea de control poate fi
modificat` [ntre zero ]i o valoare negativ`,
mai mare [n valoare absolut` dec[t
V
P
= -3 V. }tiind, [n plus, c` tranzistorul
are I
DSS
=10 mA, calcula\i [ntre ce
limite poate fi controlat` atenuarea, definit`
ca V V
in out
. {ntre ce limite
aproximative trebuie s` evolueze
poten\ialul intr`rii pentru ca tranzistorul s`
se comporte ca o rezisten\` ?
+15 V
+
-
V
in
V
out
T
1
T
2
-15 V
R
R
V
DD
V
SS
+
-
Fig. 7.34.
out
in
V
CONTR
( 0)
10 k
Fig. 7.35.
Lucrare experimental`
Experimentul 1. Caracteristica de transfer
Desena\i pe caiet circuitul din Fig. 7.36 ]i stabili\i sensurile curen\ilor ]i polarit`\ile necesare pentru
aparatele de m`sur`. Divizorul rezistiv este utilizat pentru a putea controla mai fin tensiunea de poart` din
butonul de reglaj al sursei V
A1
. Voltmetrul nu a fost legat chiar [n poart` pentru a nu fi neap`rat necesar ca el
s` fie electronic (justifica\i de ce !).
D
S
G
1 M
mA
+
-
+
-
V
A1
V
A2
0 - 10 V
0 - 15 V
V
10 k
5 k
Fig. 7.36. Montaj experimental pentru trasarea caracteristicilor statice.
Realiza\i circuitul. {ncepe\i experimentul, determin[nd curentul I
DSS
definit la V
GS
= 0. Pentru a fi
siguri c` ave\i o tensiune poart`-surs` nul` (unele surse de alimentare nu coboar` exact la zero) desface\i
firele care merg la sursa V
A1
]i lega\i-le [n scurtcircuit. Comuta\i miliampermetrul legat [n dren` pe scala de
30 mA ]i stabili\i V
DS
= 10 V. Nota\i-v` valoarea paramtrului I
DSS
al tranzistorului.
Desface\i acum scurtcircuitul ]i conecta\i sursa de alimentare V
A1
(aten\ie la polaritate, ea trebuie s`
fie negativ` fa\` de mas`). Cre]te\i ([n valoare absolut`) tensiunea pe poart` observ[nd [nchiderea progresiv`
a tranzistorului. Nota\i-v` tensiunea de prag, la care curentul de dren` devine nul.
Ridica\i caracteristica I f V
D GS
= ( ) ob\in[nd 10 -12 puncte experimentale, ]i desena\i-o [n scar`
liniar` (graficul va fi [n cadranul doi). Pentru verificarea rela\iei p`tratice I f V
D GS
= ( ), cel mai simplu este
s` reprezent`m grafic I I f V
D DSS GS
= ( ) , pentru c` ar trebui s` ob\inem a linie dreapt`. Face\i acest
lucru ]i formula\i o concluzie asupra valabilit`\ii acestei rela\ii.
Relua\i determinarea tensiunii de prag ]i a caracteristicii, pentru o tensiune dren`-surs` de 15 V.
Desena\i-o [n scar` liniar`, pe acela]i grafic cu cea trasat` la V
DS
=10 V. Cum afecteaz` tensiunea dren`-
surs` caracteristica de transfer ? Este important` valoarea V
DS
atunci c[nd se d` parametrul I
DSS
?
Determina\i transconductan\a din panta graficului caracteristicii de transfer, la V
GS
= 0 V ]i la
I
D
=1 mA. La aceast` ultim` valoare a curentului, un tranzistor bipolar are o transconductan\` de
g
m
=1 mA 25 mV = 40 mS. Cum este, fa\` de aceasta, transconductan\a tranzistorului JFET ?
Experimentul 2. Caracteristica de ie]ire
Polariza\i poarta la V V
GS P
= + 0 V .2 . Ridica\i caracteristica de ie]ire I f V
D DS V const
GS
=
=
( )
.
modific[nd tensiunea dren`-surs` [ntre zero ]i 10 vol\i. Repeta\i, apoi, experimentul, pentru
V V
GS P
= + 0 V .4 ]i V V
GS P
= + 0 6 . V. Desena\i cele trei caracteristici pe un singur grafic, [n scar`
liniar`. Marca\i pe fiecare din cele trei caracteristici punctul care are coordonata V
DS
egal` cu valoarea
V V
GS P
corespunz`toare acelei caracteristici. Pute\i trage o concluzie asupra frontierei aproximative dintre
regiunea de satura\ie ]i cea de rezisten\` controlat` ?
Experimentul 3. Repetorul pe surs`
Ve\i utiliza acum un repetor pe surs` cu JFET [ntr-o aplica\ie tipic`: urm`rirea evolu\iei [n timp a unui
poten\ial, absorbind un curent c[t mai mic din acel nod pentru a nu perturba starea circuitului. Vom investiga
desc`rcarea unui condensator de 1 F (Fig. 7.37 a). La ap`sarea butonului B, condensatorul se [ncarc` rapid
prin rezisten\a de 1 k la tensiunea de 5 V. {ncet[nd ap`sarea butonului, condensatorul r`m[ne izolat de
restul circuitului ]i se va dec`rca extrem de [ncet prin rezisten\a "de pierderi" a dielectricului, pe cae am
figurat-o cu linie puncatat`. Am dori s` vizualiz`m cu osciloscopul acest proces de desc`rcare. Pentru
aceasta, trebuie s` conect`m [n punctul M sonda osciloscopului iar masa sa la masa circuitului.
B
+10 V
+5 V
1 k
1 F
sonda
osciloscopului
B
+10 V
+5 V
1 k
1 F
R
s
out
+10 V
in
a) b)
M
M
Fig. 7.37. Vizualizarea dec`rc`rii unui condensator.
Amplificatorul de intrare al osciloscopului va extrage, [ns`, curent din condensator. Rezisten\a
echivalent` a intr`rii amplificatorului este notat` pe carcasa osciloscopului : 1 M. Din acest motiv, [n
momentul ini\ial, curentul absorbit a fi I
ini
= 5 V 1 M = 5 A . Datorit` acestui curent, tensiunea pe
condensator va [ncepe s` scad` cu o vitez` ini\ial`
V t I C
ini
= = = 5 A 1 F 5 V s ,
vitez` care va deveni din ce [n ce mai mic`, pe m`sur` ce condensatorul se descarc`.
Alimenta\i plan]eta, cupla\i sonda osciloscopului la condensator ]i [ncerca\i s` estima\i viteza ini\ial`
de varia\ie a tensiunii, ap`s[nd ]i relax[nd butonul de [nc`rcare. M`sura\i apoi timpul necesar desc`rc`rii
(considera\i c` s-a desc`rcat c[nd tensiunea coboar` sub o zecime din valoarea ini\ial`).
Pentru a ]ti dac` sonda perturb` semnificativ desc`rcarea condensatorului, relua\i experimentul, dar cu
o procedur` modificat`. Desface\i sonda de la condensator, [nc`rca\i-l ]i apoi l`sa\i-l s` se descarce "singur"
(f`r` sond`) un timp de c[teva zeci de secunde. Apoi conecta\i sonda ]i nota\i-v` valoarea ini\ial` a tensiunii.
Aminiti\i-va c` [n experimentul precedent, [n acest interval de timp, condensatorul s-ar fi descarcat aproape
complet prin rezisten\a de intrare a osciloscopului.
A venit momentul s` utiliz`m repetorul cu JFET. Conecta\i sonda la ie]irea sa (sursa tranzistorului) iar
intrarea (poarta) conecta\i-o la condensator, ca [n desenul b) al figurii. Ap`sa\i butonul de [nc`rcare, care face
ca tensiunea pe condensator s` devin` 5 V. F`r` s` [nceta\i ap`sarea butonului, m`sura\i tensiunea pe care o
arat` osciloscopul la ie]irea repetorului. Nota\i-v` valoarea sa. De ce este mai mare dec[t tensiunea dec[t 5 V
? Ridica\i degetul de pe buton ]i urm`ri\i desc`rcarea condensatorului. Repeta\i experimentul ]i [ncerca\i s`
estima\i viteza de varia\ie a tensiunii. De aici, utiliz[nd formula precdent`, estima\i curentul de desc`rcare
al condensatorului. Ce pute\i spune despre m`rimea curentului de poart` ?
Experimentul 4. Atenuatorul controlat ]i modula\ia de amplitudine
Ave\i pe plan]et` un atenuator controlat, cu schema din Fig. 7.38. Alimenta\i plan]eta ]i apoi
determina\i cu osciloscopul frecven\a ]i amplitudinea (v[rf la v[rf) a semnalului produs de generatorul de
semnal, care este aplicat la intrarea atenuatorului. Lega\i poarta tranzistorului la poten\iometru, muta\i sonda
osciloscopului la ie]ire ]i urm`ri\i modificarea amplitudinii, atunci c[nd varia\i tensiunea de control a
atenuatorului, cu ajutorul poten\iometrului.
generator de
semnal
-10 V
+10 V
GND
+
-
+
-
alimentarea
plansetei
A
-10 V
Pot.
V
CONTR
out
10 k
in
1 M
1 M
Fig. 7.38.
Determina\i [ntre ce limite se modifc` atenuarea (raportul [ntre amplitudinile de la intrare ]i ie]ire) ]i
calcula\i, de aici, rezisten\a minim` a tranzistorului.
Modificarea atenu`rii o putea\i face ]i prin montarea unei rezisten\e reglabile [n locul tranzistorului.
Atenuatorul cu tranzistor v` permite, [n plus, controlul electronic al atenu`rii (prin varia\ia unei tensiuni). Pe
aceea]i plan]et` mai ave\i un generator de semnal, cu frecven\` mult mai cobor[t` ]i form` de und` aproape
triunghiular`. Desface\i poarta tranzistorului de la poten\iometru ]i lega\i-o la ie]irea acestui generator de
semnal, ca [n Fig. 7.39. De data aceasta, generatorul de semnal B va face ce a\i fi f`cut dumneavoastr` dac`
a\i fi modificat mereu [nainte ]i [napoi pozi\ia poten\iometrului: amplitudinea semnalului de la ie]ire se va
modifica periodic [n timp.
Vizualiza\i cu osciloscopul semnalul dat de generatorul B ]i desena\i-l pe caiet. Muta\i, apoi, sonda
osciloscopului la ie]irea atenuatorului ]i observa\i ce se [nt[mpl`. Formula\i o concluzie.
Se spune c` semnalul de la intrare a fost modulat [n amplitudine de c`tre semnalul produs de
generatorul B, de frecven\` mult mai mic`. Modula\ia [n amplitudine (prescurat MA [n romn` ]i AM [n
englez`) st` la baza transmiterii radiofonice [n benzile de unde lungi, medii ]i scurte. Acolo, un semnal
sinusoidal, de frecven\` ajung[nd p[n` la c[\iva MHz, numit purt`toare (carrier [n englez`) este modulat [n
amplitudine de c`tre semnalul sonor care variaz` mult mai lent, av[nd componente doar p[n` la 20 kHz.
Motivul este acela c` oscila\iile electromagnetice de frecven\e mari pot fi mult mai u]or transmise ]i
recep\ionate dec[t cele de frecven\e mici.
out
in
10 k
generator de
semnal
A
generator de
semnal
B
100k
10 nF
D (germaniu)
demodulator MA
1 M
1 M
Fig.7.39.
La recep\ie, trebuie efecuat` opera\ia invers`, demodula\ia de amplitudine. Un circuit simplu care
realizeaz` aceast` func\ie este cel prezentat [n figur`. Conecta\i-l la ie]irea atenuatorului ]i verifica\i c` el
reface aproximativ semnalul produs de generatorul B.

Cap 7

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cap 7

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

CAPITOLUL

Tranzistoare cu efect de c[mp

Fig. 7.18. Comutator de putere.

S-ar putea să vă placă și