Sunteți pe pagina 1din 42

CAPITOLUL

Tranzistoare cu efect de c[mp


0.0
5.0m
10.0m
15.0m
20.0m
25.0m
I
D
(A)
V
GS
(V)
I
DSS
-3 -2 -1 0 1
N JFET
NMOS
canal indus
canal initial
V
GS
0
V
P
g
m
0
N JFET
Prezentare general` 217
7.1. Tranzistoare metal-oxid-semiconductor (MOSFET) 218
7.2. Tranzistoare cu poart` jonc\iune (JFET) 239
216 Electronic` - Manualul studentului
control
D
S
G
D
S
G
+5 V
in
(out)
out
(in)
-5 V
off
on
-5 V
+5 V
inversor logic
NMOS PMOS
7.1. Tranzistoare metal-oxid-semiconductor (MOSFET)
1.A. Simboluri ]i mod de func\ionare 218
1.B. Caracteristica de transfer 220
1.C. Caracteristica de ie]ire 222
1.D. Aplica\ie: comutatorul analogic 224
Probleme rezolvate 232, probleme propuse 233
Lucrare experimental` 234
0
out
in
R
1
V
CONTR
( 0)
10 k
1 M
1 M
0 0
out
in
R
1 0
R
2
7.2. Tranzistoare cu poart` jonc\iune (JFET)
2.A. Simboluri ]i mod de func\ionare 239
2.B. Caracteristici statice 239
2.C. Surse de curent cu JFET 243
2.D. Repetorul pe surs` 245
2.E. Atenuatorul controlat 246
Problem` rezolvat` 250, probleme propuse 251
Lucrare experimental` 253
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 217
Prezentare general`
Principiul de func\ionare al triodei cu vid, primul dispozitiv electronic capabil s` "amplifice", inventat
[n 1906 de c`tre Lee De Forest, se bazeaz` pe controlul unui flux de electroni, control realizat prin
respingerea par\ial` a lor de c`tre un c[mp electric. Deoarece electronii sunt respin]i de electrodul de
comand`, numit gril` (grid [n englez`), iar suprafa\a acestuia (de forma unei plase) este mic`, intensitatea
curentului de gril` necesar pentru comanda dispozitivului este practic nul`.
Pentru a elimina dezavantajele tuburilor electronice, [n anii 1930-1935 se fac [ncerc`ri de a construi un
dispozitiv la care un c[mp electric aplicat din exterior s` controleze curentul electric printr-un
semiconductor; tehnologia acestor materiale era abia la [nceput ]i tentativa e]ueaz`. {n 1945, la Bell
Laboratories, Shockley ]i apoi Brattain [ncearc`, f`r` succes, realizarea unui astfel de dispozitiv. Trei ani mai
t[rziu, acela]i grup descoper`, din [nt[mplare, tranzistorul cu contacte punctiforme. Apoi Shockley
imagineaz` tranzistorul sandwich, cu jonc\iuni, care se impune rapid [ncep[nd cu 1951. Tranzistorul cu
contacte punctiforme r`m[ne doar [n istorie; azi, prin tranzistoare bipolare [n\elegem, de fapt, tranzistoare
bipolare cu jonc\iuni.
Controlul curentului de colector se realizeaz` la acest tip de dispozitiv prin curentul ce str`bate
jonc\iunea emitor-baz`. Privit din afar` [ns`, tranzistorul bipolar poate fi privit at[t ca un amplificator ce
amplific` cu factorul (aproximativ constant, de ordinul sutelor) curentul de baz`, c[t ]i ca un dispozitiv
transconductan\` [n care curentul de colector este controlat de tensiunea-baz` emitor. Dar, indiferent cum
privim noi lucrurile, sursa de semnal care comand` tranzistorul bipolar trebuie s` debiteze sau s` absoarb`
un curent care este de ordinul a 1 % din curentul comandat. }i aceasta, dac` nu am ales cumva conexiunea
cu baz` comun`, [n care sursa de semnal trebuie s` debiteze [ntregul curent comandat... Astfel, tranzistorul
bipolar era, [ntr-un fel, o deziluzie. Din acest motiv, au continuat [ncerc`rile de a construi un tranzistor la
care controlul s` se efectueze printr-un c[mp electric, f`r` s` fie nevoie de existen\a unui curent de comand`.
Sunt produse, mai [nt[i tranzistoare cu efect de c[mp cu poart` jonc\iune iar [n 1960, tot la Bell Laboratories,
pornind de la teoria lui Shockley, fizicianul John Atalla realizeaz` primul tranzistor cu efect de c[mp de tip
MOS (metal-oxid-semiconductor).
La tranzistoarele cu efect de c[mp (FET - field effect transistors) conduc\ia [ntre dren` ]i surs` are
loc printr-o regiune limitat` a semiconductorului, numit` canal. Curentul [ntre terminalul de dren` ]i cel de
surs` este controlat prin c[mpul electric determinat de tensiunea aplicat` pe poart` (gate). Or, cel pu\in [n
principiu, pentru a men\ine un c[mp electric nu avem nevoie de un curent care s` circule. Astfel,
avantajul esen\al al tranzistoarelor cu efect de c[mp este acela c` intensitatea curentului [n terminalul por\ii
este practic nul`.
Din acest motiv,
la tranzistoarele cu efect de c[mp, curentul [ntre terminalul de dren` ]i cel de surs` este controlat de tensiunea
dintre poart` ]i surs`.
Exist` dou` tipuri constructive de tranzistoare cu efect de c[mp.
{n cazul tranzistoarelor cu poart` jonc\iune (JFET), [ntre poart` ]i canalul conductor exist` o
jonc\iune semiconductoare invers polarizat`; astfel, curentul de poart` are valori de ordinul zecilor de
nanoamperi.
Curen\i de poart` de [nc` o mie de ori mai mici se ob\in [n cazul celuilalt tip de tranzistoare cu efect de c[mp.
218 Electronic` - Manualul studentului
La tranzistoarele MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) poarta este izolat` prin intermediul
unui strat de dioxid de siliciu ]i curentul de poart` este de ordinul zecilor de picoamperi.
Clasificarea tranzistoarelor cu efect de c[mp este complicat` suplimentar de un alt aspect constructiv.
Unele tranzistoare conduc p[n` c[nd face\i ceva care s` le mic]oreze curentul: sunt tranzistoarele care au
canal ini\ial (depletion mode [n englez`). Toate tranzistoarele JFET ]i anumite tranzistoare MOSFET
func\ioneaz` dup` acest principiu. Tranzistoarele de cel`lalt tip sunt proiectate astfel [nc[t s` nu conduc` dec[t
dac` aplica\i un c[mp care s` "sape" un canal conductor. Sunt tranzistoarele care au canal indus
(enhancement mode [n englez`). Marea majoritate a tranzistoarelor MOSFET au canal indus.
Dac` mai \inem seama de felul de dopare al
canalului, care poate fi n sau p, am avea [n total
2 8
3
= tipuri de tranzistoare cu efect de c[mp.
Dintre acestea, ]ase ar putea fi realizate, cinci sunt
chiar produse ]i numai patru sunt importante.
Arborele familiei de tranzistoare cu efect de c[mp
poate fi admirat [n Fig. 7.1. Din cauza jonc\iunii
por\ii care trebuie s` fie [ntodeauna invers
polarizat`, tranzistoarele JFET (cu poart`
jonc\iune) nu pot realizate dec[t cu canal ini\ial.
Tranzistoarele cu poart` izolat` pot avea oricare
dintre aceste tipuri de canale, dar cele cu canal
ini\ial nu au dec[t c[teva aplica\ii particulare, a]a c`
nu trebuie s` ne ocup`m dec[t de tranzistoarele
MOSFET cu canal indus. Ambele categorii pot
avea fie canal n, fie canal p. Cum func\ionarea celor cu canal n este similar` cu a tranzistoarelor bipolare
NPN, ne vom focaliza aten\ia numai asupra acestora.
7.1. Tranzistoare metal-oxid-semiconductor (MOSFET)
1.A. Simboluri ]i mod de func\ionare
Tranzistoarele MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) sunt dipozitive electronice
cu trei terminale active: poarta G (de la gate - [n lb. englez`) , drena D ]i sursa D (Fig. 7.2 a). {n plus, ele
mai au un terminal, legat la substratul pe care a fost realizat tranzistorul, care trebuie men\inut la cel mai
cobor[t (sau ridicat, dup` tipul tranzistorului) poten\ial din circuit. Poarta este izolat` cu un strat de oxid de
siliciu, astfel [nc[t curentul de poart` este practic nul (put[nd ajunge chiar la 1 pA) iar curen\ii de dren` ]i
surs` sunt practic egali. Func\ionarea tranzistorului se bazeaz` pe controlul conductan\ei electrice a
canalului [ntre dren` ]i surs`, control efectuat prin tensiunea poart`-surs`.
Curentul de poart` este at[t de mic [nc[t condensatoarele realizate pe chip-ul de siliciu [n cazul
memoriilor ROM (read-only memory), ]i care nu au alt` cale de desc`rcare dec[t poarta tranzistoarelor
MOSFET cu care sunt "citite", []i p`streaz` sarcina electric` un timp care ajunge spre zece ani de zile.
FET
JFET MOSFET
canal n canal p canal ini\ial canal indus
canal n canal p
canal n
(numai cu
canal ini\ial)
Fig. 7.1. Clasificarea tranzistoarelor cu efect de
c[mp.
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 219
B
E
C
B
E
C
( )
( )
G
D
S
substrat
MOSFET cu canal n
G
D
S
substrat
MOSFET cu canal p
bipolar NPN
bipolar PNP
PEMOS
NEMOS
(cu canal indus)
a)
b)
c)
Fig. 7.2. Tranzistoare MOSFET ]i tipurile bipolare similare acestora.
A]a cum spuneam mai sus, dup` polaritatea lor exist` dou` tipuri de tranzistoare MOS: cu canal n
(NMOS) sau canal p (PMOS), iar dup` principiul de func\ionare avem tranzistoare cu canal indus (nu exist`
canal [nainte de aplicarea unei anumite tensiuni pe poart`) sau cu canal ini\ial (tensiunea aplicat` pe poart`
mic]oreaz` conductan\a canalului existent). Pentru tranzistoarele NMOS cu canal indus se utilizeaz` ]i
simbolurile ]i prescurt`rile speciale din Fig. 7.2 b) dar noi vom utiliza sistematic numai simbolurile din
desenul a) al figurii.
Ar rezulta, astfel, patru tipuri de tranzistoare MOS. Cu o singur` excep\ie (pentru foarte [nalt`
frecven\`), tranzistoarele MOS sunt realizate cu canal indus. Dintre acestea, ca tranzistoare discrete sunt
preferate cele NMOS, av[nd performan\e mai bune. Din acest motiv vom discuta [n continuare numai despre
tranzistoare NMOS cu canal indus. Modul lor de comand` (Fig. 7.3 a) este similar cu acela al
tranzistoarelor bipolar NPN.
G
D
S
substrat
MOSFET cu canal n bipolar NPN
+
on
off
B
E
C
on
off
+
a)
D
S
G
+
_
V
GS
I
D
+
_
I
G
=0
V
DS
b)
Fig. 7.3. Modul de comand` al tranzistoarelor NMOS ]i al tranzistoarelor NPN (a) ]i conexiunea cu
sus` comun` (b).
Spuneam mai [nainte c`, [n afara terminalelor "active" (poarta, sursa ]i drena), tranzistoarele MOSFET
mai au un al patrulea terminal, legat la substratul pe care a fost construit tranzistorul. {ntre canal ]i substrat
exist` o jonc\iune semiconductoare, reprezentat` pe simboluri prin s`geata desenat` pe terminalul
220 Electronic` - Manualul studentului
substratului. Sensul s`ge\ii arat` sensul [n care aceast` jonc\iune conduce; jonc\iunea trebuie [ns` men\inut`
[ntodeauna invers polarizat`, altfel ar compromite func\ionarea tranzistorului. Pentru ca aceast` jonc\iune s`
fie blocat` [n orice moment,
pentru un tranzistor cu canal n substratul trebuie s` fie legat la cel mai cobor[t poten\ial din circuit.
Cea mai utilizat` conexiune este accea cu sursa comun` porturilor de intrare ]i ie]ire, echivalent` cu
conexiunea emitor comun de la tranzistoarele bipolare (Fig. 7.3 b). Cum sursa este legat` la poten\ialul cel
mai cobor[t, substratul a fost legat la surs`. {n aceast` conexiune, portul de intrare este [ntre poart` ]i surs` iar
portul de ie]ire este [ntre dren` ]i surs`.
Deoarece nu exist` curent de poart`, nu are sens s` vorbim despre caracteristica de intrare.
Vom studia, deci, numai caracteristica de transfer I f V
D GS V const
DS
=
=
( )
.
]i cea de ie]ire
I f V
D DS V const
GS
=
=
( )
.
1.B. Caracteristica de transfer
Pentru tensiuni V
DS
suficient de mari (vom vedea mai t[rziu c[t de mari) caracteristica de transfer arat`
ca [n Fig. 7.4 a). Cu tensiune nul` [ntre poart` si surs`, nu exist` curent de dren`; la aplicarea unei tensiuni
pozitive care dep`]e]te o anumit` valoare V
T
, numit` tensiune de prag (threshold [n englez`), apare un
canal indus, valoarea curentului fiind controlat` de tensiunea pe poart`.
Dac` tensiunea poart`-surs` V
GS
dep`]e]te tensinea de prag V
T
, curentul depinde parabolic de V
GS
.
I V V
I K V V V V
D GS T
D GS T GS T
= <
=
0
2
pentru
pentru ( )
(7.1)
Observa\ie: De]i sunt notate identic , V
T
, nu confunda\i tensiunea de prag de la tranzistoarele
MOSFET cu tensiunea termic`; [n general, c[nd memora\i o formul`, [ncerca\i s` re\ine\i mai [nt[i
semnifica\ia m`rimilor implicate ]i apoi simbolurile.
Trebuie remarcat c` parabola are minimul chiar pe axa orizontal`, la V V
GS T
= ]i I
D
= 0; a doua
ramur` a parabolei (pentru V V
GS T
< ) nu face parte din caracteristica de transfer ]i a fost desenat` punctat [n
figur`. Vom vedea c` diferen\a V V
GS T
joac` un rol important [n rela\iile care descriu func\ionarea
tranzistorului MOSFET, a]a c` [i vom acorda o denumuire special`: comanda por\ii (gate drive [n limba
englez`). Peste tensiunea de prag, curentul are, deci, o dependen\` p`tratic` de comanda por\ii.
Tranzistorul este considerat "complet" deschis ([n starea ON) la o anumit` valoare a tensiunii V
GS
,
uzual de 10 V, unde se define]te curentul I
D on ( )
.
Valoarea a curentului I
D on ( )
este dat` [n foile de catalog; de aici s-ar putea estima valoarea
parametrul K al tranzistorului
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 221
K
I
V V
D on
GS on T
=

( )
( )
e j
2
. (7.2)
I
D
V
GS
0 2 4 6 8 10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
(V)
(mA)
I
D(on)
I
D
0
V
T
0
blocat deschis
a) b)
V
GS
g
m
0
V
T
0
g
m (on)
V
GS (on)
g
m (on) =
I
D(on)
2
- V
T
V
GS (on)
la
V
GS (on)
la
c)
V
GS
Fig. 7.4. Caracteristica de transfer a unui tranzistor NMOS (a), limitele [mpr`stierii sale tehnologice
pentru tranzistorul 2N4351 (b) ]i dependen\a transconductan\ei de tensiunea V
GS
(c).
Din p`cate, at[t V
T
c[t ]i I
D on ( )
sunt puternic [mpr`]tiate tehnologic [n cadrul exemplarelor pe care
produc`torii le v[nd ca fiind de acela]i tip. De exemplu, pentru 2N4351 produs de Motorola, tensiunea de
prag este [n domeniul 1.5 - 5 V, iar I
D on ( )
[ntre 3 ]i 15 mA. Caracteristica de transfer are, astfel, o
[mpr`]tiere tehnologic` mult mai mare dec[t la tranzistoarele bipolare; limitele acestei [mpr`]tieri, pentru
tranzistorul specificat, au fost desenate [n Fig. 7.4 b).
La varia\ii mici [n jurul unui punct de func\ionare, ac\iunea tranzistorului poate fi descris` prin
transconductan\a g
dI
dV
m
D
GS
= . Din rela\ia (7.1) rezult` c` transconductan\a este propor\ional` cu comanda
por\ii
g K V V K I
m GS T D
= = 2 2 b g
(7.3)
a]a cum se vede [n graficul din Fig. 7.4 c); dac` dorim s-o exprim`m [n func\ie de curentul de dren`,
transconductan\a este propor\ional` cu radical din curentul de dren`.
Valoarea sa cu tranzistorul complet deschis este
222 Electronic` - Manualul studentului
g
I
V V
m on
D on
GS on T
( )
( )
( )
=

2
(7.4)
Pentru tranzistorul 2N4351, [n cel mai favorabil caz ( I
D on ( )
=15 mA ]i V
T
= 5 V), ob\inem
g
m
= 6 mA V. Un tranzistor bipolar, operat tot la 15 mA, are transconductan\a
g
m
= = 15 600 mA 25 mV mA V. {n concluzie
tranzistoarele cu efect de c[mp au transconductan\a cu 1-2 ordine de m`rime mai mic` dec[t cele bipolare.
Altfel spus, sensibilitatea controlului curentului este mult mai mic` la tranzistoarele FET.
1.C. Caracteristica de ie]ire
Dac` aplic`m pe poart` o tensiune mai mare dec[t tensiunea de prag (altfel tranzistorul ar fi blocat)
familia de caracteristici de ie]ire are forma din Fig. 7.5. Fiecare din caracteristici prezint` dou` regiuni
distincte.
La valori V
DS
mici, curentul de dren` este aproximativ propor\ional cu tensiunea dren`-surs`:
tranzistorul se comport` ca un rezistor.
0 5 10 15 20
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
(V)
I
D
(mA)
= 1 V V
GS
-V
T
= 2 V V
GS
-V
T
= 3 V V
GS
-V
T
= 4 V V
GS
-V
T
panta
proportionala
cu V
GS
-V
T
sursa de curent (saturatie)
regiune de
rezistor
regiune de
curentul de saturatie
proportional cu
V
GS
-V
T
(
)
2
Fig. 7.5. Caracteristici de ie]ire pentru tranzistorul MOSFET 2N3797.
Valoarea rezisten\ei ohmice echivalente depinde de tensiunea aplicat` pe poart`; avem o regiune de
rezisten\` controlat`. Un rezistor adev`rat este [ns` un dispozitiv simetric: bornele sale pot fi inversate ]i
comportarea sa r`m[ne aceea]i. {n consecin\`, pentru a putea [nlocui un rezistor, tranzisorul ar trebui s`-]i
extind` comportarea liniar` a caracteristicii ]i la tensiuni negative. Pentru tensiuni dren`-surs` mici [n valoare
absolut`, a]a se ]i [nt[mpl`, dup` cum se poate constata pe figur`.
{n aceast` regiune, curentul de dren` are expresia aproximativ`
I K V V V
D GS T DS
2 b g (7.5)
tranzistorul fiind echivalent cu un rezistor de rezisten\`
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 223
R
K V V
DS
GS T
=

1
2 b g
, (7.6)
controlat` de tensiunea aplicat` pe poart`. Cum parametrul K nu este dat explicit [n foile de catalog, este
mult mai util s` scriem rela\ia precedent` [n func\ie de rezisten\a R
DS0
ob\inut` la o valoare particular`
V
GS0
a tensiunii poart`-surs`
R R
V V
V V
DS DS
GS T
GS T
=

0
0
.. (7.7)
Cea mai mic` valoare a rezisten\ei se ob\ine c[nd tranzistorul este complet deschis; ea poate fi
exprimat` prin parametrul I
D on ( )
ca
R
V V
I
DS on
GS on T
D on
( )
( )
( )
=

2
. (7.8)
{n foile de catalog este dat` valoarea sub care se g`se]te garantat aceast` rezisten\` (cel mai defavorabil caz).
{ntr-a doua regiune, tranzistorul se comport` cu totul altfel:
la valori V
DS
mari, curentul [nceteaz` practic s` mai depind` de tensiunea dren`-surs`, ie]irea comport[ndu-
se ca o surs` de curent controlat` de tensiunea de poart`.
Am putea spune, ca majoritatea textelor, c` se observ` aici satura\ia curentului de dren` [n raport
cu tensiunea dren`-surs`. Vom evita [ns` acest mod de exprimare, pentru a pre[nt[mpina eventualele
confuzii cu ceea ce se [n\elege prin satura\ie la tranzistorul bipolar. {n regiunea de surs` de curent controlat`,
este valabil` rela\ia (7.1) ]i aici am ridicat caracteristica de transfer ]i am definit transconductan\a. Cu
tranzistorul [n acest regim de func\ionare putem realiza amplificatoare (pentru c` I
D
nu este saturat [n
raport cu m`rimea de intrare V
GS
ci, din contr`, este controlat practic numai de aceasta).
Este foarte important s` cunoa]tem limita aproximativ` [ntre cele dou` regiuni de func\ionare. Astfel,
pentru o tensiune poart`-surs` fixat`, frontiera [ntre regiunea de rezistor controlat ]i aceea de surs` de
curent controlat` este la o valoare a tensinii dren`-surs` egal` cu comanda por\ii V V V
DS GS T limita
= .
{n Fig. 7.5 aceast` frontier` a fost desenat` cu linie [ntrerupt`.
Compara\ia rela\iei (7.6) cu (7.3) arat` un lucru extrem de interesant:
aleg[nd o tensiune de poart`, rezisten\a din regiunea de rezisten\` controlat` este inversul transconductan\ei
din regiunea de satura\ie.
{mbun`t`\irea liniarit`\ii [n regiunea de rezisten\` controlat`
Am v`zut c`, la tensiuni dren`-surs` mici, curentul de dren` variaz` aproximativ propor\ional cu
tensiunea dren`-surs`. De fapt, [n aceast` regiune, o rela\ie mai exact` este
I K V V V V
D GS T DS DS
= 2 2 b g ; (7.9)
224 Electronic` - Manualul studentului
dac` V V V
DS GS T
<< , atunci al doilea termen din paranteza
p`trat` poate fi neglijat ]i ob\inem propor\ionalitatea amintit` mai
sus.
Rela\ia anterioar` ne arat` calea prin care liniaritatea poate
fi [mbun`t`\it`: [n loc s` \inem constant` tensiunea V
GS
o facem s`
varieze ca V V
GS DS
= + const. 2. Un circuit prin care putem s`
realiz`m acest truc este cel din Fig. 7.6. Exprim[nd prin teorema
Milman poten\ialul por\ii (aten\ie, nu exist` curent de poart`), avem
V V V V
GS G DS
= = +
1
2 2. {nlocuind acum [n rela\ia (7.9)
termenul V
DS
2 din parantez` dispare ]i ob\inem o rela\ie de
propor\ionalitate [ntre curent ]i tensiune f`r` s` mai fie nevoie s`
folosim aproxima\ia V V V
DS GS T
<< . Extinderea regiunii de
liniaritate nu este [nsa prea mare, [ntruc[t [ns`]i rela\ia (7.9) []i [nceteaz` valabilitatea la tensiuni dren` surs`
mari.
1.D. Aplica\ie: comutatorul analogic
De foarte multe ori trebuie s` [ntrerupem ]i apoi s` restabilim aplicarea unui semnal (tensiune variabil`
[n timp) la bornele unei sarcini. Curen\ii ]i puterile implicate sunt mici dar curentul este alternativ, trebuind
s` circule prin sarcin` [n ambele sensuri. Putem rezolva acest lucru cu un comutator mecanic, ca [n Fig. 7.7
a). Dac` atunci c[nd este [n conduc\ie comutatorul are rezisten\a R
on
, pe sarcin` ajunge frac\iunea
R R R
s s on
( ) + din semnalul aplicat la intrare (regula divizorului rezistiv). {ntrerup[nd contactul,
comutatorul prezint` o rezisten\` R
off
foarte mare, astfel [nc[t pe sarcin` tensiunea este practic nul`. De]i au
rezisten\a R
on
extrem de mic`, comutatoarele mecanice sunt lente ]i nu pot fi comandate electronic dec[t
prin complicarea dispozitivului (releu electromagnetic). Pentru aceast` aplica\ie nu putem folosi un tranzistor
bipolar deoarece tensiunea [ntre colector ]i emitor nu coboar` la zero fiind limitat` la tensiunea de satura\ie
iar tranzistorul nu se comport` ca un rezistor ohmic..
a)
out
in
R
s
D
S
G
0
-10 V
+10 V
off
on
control
b)
-10 V
0
out in
R
s
0 0
Fig. 7.7. Comutatoare analogice.
S` [ncerc`m acum cu un tranzistor MOS, care nu are jonc\iuni [ntre poart` ]i canal (Fig. 7.7.b). Pentru
a fixa ideile s` presupunem c` teniunea sursei de semnal evolueaz` [ntre -5 V ]i + 5 V iar rezisten\a de
sarcin` are valoarea R
s
= 50 k; astfel, curentul prin sarcin` evolueaz` [ntre -0.1 mA ]i +0.1 mA. Drept
comutator utiliz`m un tranzistor NMOS de uz general, 3N170, care la tensiunea V
GS on
= 10 V ofer` o
100 k
100 k
V
1
V
D
= V
DS
V
G
Fig. 7.6. Circuit pentru
[mbun`t`\irea liniarit`\ii [n regiunea
de rezisten\` controlat`.
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 225
rezisten\` dren`-surs` de 200 ]i un curent I
DS on
=10 mA. Pentru el, tensiunea de prag garantat` de
fabricant este de cel mult 2 V.
Leg`m substratul la un poten\ial mai cobor[t dec[t orice poten\ial din circuit, de exemplu -10 V ]i
aranj`m s` putem comuta poten\ialul por\ii [ntre - 10 V ]i +10 V. Cu poarta legat` la -10 V, poten\ialul
acesteia este [n orice moment mai cobor[t dec[t poten\ialele drenei ]i sursei, care pot fi aduse de c`tre sursa de
semnal numai p[n` la - 5V (Fig. 7.8 a). {n aceste condi\ii, tranzistorul este tot timpul blocat, rezisten\a [ntre
dren` ]i surs` av[nd valori imense, de ordinul G. Rezult`, astfel, c` tensiunea care ajunge pe sarcin` este
practic nul`; de fapt, prin capacitatea parazit` existent` [ntre dren` ]i surs` o anumit` tensiune ajunge totu]i
pe sarcin`.
b) a)
out
in
R
s
D S
G
-10 V
+10 V
- 5 V - 4.99 V
out
in
R
s
D S
G
-10 V
+10 V
+5 V + 4.95 V
out in
R
s
D S
G
-10 V
-10 V
-5 V
0 V
+5 V
c)
tranzistor blocat tranzistor deschis
tranzistor deschis
Fig. 7.8 a). Func\ionarea comutaturului cu tranzistor NMOS: tranzistorul blocat (a), tranzistorul [n conduc\ie
cu tensiunea de intrare -5 V (b) ]i tranzistorul [n conduc\ie cu tensiunea de intrare +5 V (c).
Leg`m acum poarta la poten\ialul de + 10 V. {n momentul [n care tensiunea semnalului ajunge la
-5 V, ca [n Fig. 7.8 b), avem o tensiune poart`-surs` de +15 V ]i putem conta pe o rezisten\` dren`-surs`,
conform rela\iei (7.6), de
200
10- 2
15- 2
=120 .
Cum rezisten\a de sarcin` are 50 k., pe sarcin` ajunge "numai" 99.8 % din semnalul de intrare.
La cealalt` situa\ie extrem`, tensiunea semnalului este de +5 V ]i tensiunea poart` surs` scade la
+5 V, ca [n desenul c) al figurii. Acum, rezisten\a tranzistorului este de 530 . ]i pe sarcin` ajunge 98.9 %
din semnalul de intrare. Vom avea, deci, o u]oar` distorsionare a semnalului, de aproape 0.9 %, datorit`
varia\iei rezisten\ei comutatorului. S` verific`m, [n final c` tranzistorul r`m[ne [n regiunea de rezisten\`
controlat`. Pentru aceasta avem nevoie de valoarea tensiunii dren`-surs`; este exact valoarea tensiunii care nu
ajunge pe sarcin`, adic` [ntre 0.2 % ]i 1.1 % din tensiunea semnalului, deci nu mai mult de 55 mV !
Tranzistorul este, cu siguran\`, [n regiunea de rezisten\a controlat`.
Dac` privim [nc` o dat` la desenele b) ]i c) ale figurii 7.8, constat`m c` drena ]i sursa []i inverseaz`
rolurile [ntre ele. De fapt,
la un tranzistor cu efect de c[mp, drena ]i sursa sunt echivalente la curent continuu ]i pot fi interschimbate;
ele difer` numai la curent alternativ drena av[nd o capacitate mai mic` fa\` de poart`.
Comutatorul prezentat mai sus are [ns` un dezavantaj major: tensiunea semnaului nu se poate apropia
prea mult de tensiunea de alimentare pozitiv`, altfel nu ar mai r`m[ne o tensiune suficient` pentru men\inerea
deschis` a tranzistorului. Solu\ia const` [n utilizarea unui comutator cu dou` tranzistoare MOS
226 Electronic` - Manualul studentului
complementare (CMOS -complementary MOS),
adic` unul cu canal n ]i unul cu canal p, ca [n
Fig. 7.9. Ca s` bloc`m ambelor tranzistoare este
suficient s` aducem la -5 V poarta tranzistorului
NMOS ]i la +5 V poarta tranzistorului PMOS.
Pentru a comanda acest lucru de la un singur
punct se utilizeaz` un inversor logic, care ofer`
la ie]ire sa nivelul continuu de -5 V c[nd intrarea
sa este la +5 V ]i reciproc..
Atunci c[nd semnalul trebuie s` treac` prin
comutator, poarta tranzistorului NMOS este
men\inut` la alimentarea pozitiv` iar poarta
tranzistorului PMOS este adus` la alimentarea
negativ`. Dac` semnalul se apropie de +5 V,
tranzistorul NMOS se blocheaz`, a]a cum ar`tam
mai sus, dar se deschide puternic tranzistorul PMOS. Din contr`, c[nd semnalul se apropie de -5 V, situa\ia
este inversat` ]i tranzistorul NMOS este cel care conduce. Dac` recitim observa\ia [n leg`tur` cu schimbarea
rolului [ntre dren` ]i surs`, [n\elegem imediat de ce ]i intrarea ]i ie]irea din comutator pot fi schimbate [ntre
ele la fel ca la un comutator mecanic.
Comutatoare analogice CMOS sunt dispoibile ca circuite integrate. Astfel, circuitul 4066 con\ine patru
asemenea comutatoare independente. La o alimentare cu -5 V ]i +5 V, rezisten\a [n starea ON a
comutatorului este aproximativ 75 ]i nu variaz` cu mai mult de 20 de]i semnalul poate evolua pe
[ntregul interval dintre poten\ialele aliment`rilor. Pentru aplica\ii profesionale, comutatoarele AD7510 sau
cele din seria 1H5140 ofer`, la o alimentare de 5 V, o rezisten\` sub 100 , varia\ia sa fiind redus` la un
raport 1:1.25.
Observa\ie: {n circuitele cu tranzistoare FET se obi]nuie]te s` se noteze poten\ialul cel mai
ridicat al aliment`rii cu V
DD
iar poten\ialul cel mai cobor[t al aliment`rii cu V
SS
. Astfel, [n circuitul
din Fig. 7.9, V
DD
= +5 V ]i V
SS
= -5 V pentru c` avem o alimentare simetric` fa\` de mas`.
Circuitul func\ioneaz` [ns` ]i cu o singur` surs` de alimentare, adic` cu V
DD
= +10 V ]i V
SS
= 0 V.
{n aceea]i tehnologie CMOS se realizeaz` circuite integrate logice (digitale) [n care semnalul nu
poate avea dec[t dou` st`ri, starea HIGH (de poten\ial cobor[t) ]i starea LOW (de poten\ial cobor[t).
Circuitele digitale CMOS dep`]esc ca performan\e (vitez`, consum de putere mic, imunitate la zgomot, etc.)
circuitele digitale cu tranzistoare bipolare ]i le [nlocuiesc treptat [n aparatura proiectat` ast`zi.
P[n` [n 1970 tranzistoarele cu efect de c[mp realizate abia puteau comanda curen\i de c[teva zeci de
mA la tensiuni de zeci de vol\i. Apoi, o nou` tehnologie a permis realizarea tranzistoarelor MOS de putere
(cu nume depinz[nd de companie, VMOS, TMOS, HEXFET, etc.). Aceste noi tranzistoare sunt capabile s`
opereze la tensiuni de ordinul a 1000 V ]i s` vehiculeze curen\i medii de p[n` la 70 A; pentru durate scurte,
ele pot conduce curen\i de p[n` la 280 A (curen\i de v[rf). Pentru acestea, rezisten\a [n starea ON a putut fi
cobor[t` p[n` pe la 0.010 , astfel c` ele pot fi utilizate [n comutatoare de curen\i mari. {n plus, tranzistoarele
MOS de putere sunt mult mai stabile termic dec[t corespondentele lor bipolare, la acela]i tip de capsul`
put[nd opera la puteri disipate mai mari.
control
D
S
G
D
S
G
+5 V
in
(out)
out
(in)
-5 V
off
on
-5 V
+5 V
inversor logic
NMOS PMOS
Fig. 7.9. Comutator analogic CMOS.
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 227
Efectul Miller
Deoarece poarta este izolat` fa\` de canal, curentul de
poart` este practic nul (ajung[nd chiar la pA). Acest lucru este
[ns` valabil numai [n regim de curent continuu, c[nd nici un
poten\ial ]i nici un curent nu mai variaz` [n timp. Dac` dorim
s` modific`m starea tranzistorului, prin varia\ia tensiunii
poart`-surs`, va trebui neap`rat s` [nc`rc`m (sau s` desc`rc`m)
anumite capacit`\i parazite, deci prin poart` va circula un
curent ale c`rui valori nu sunt neglijabile. S` presupunem c`
dorim s` [nchidem ]i s` deschidem, cu frecven\a de 20 kHz, un
comutator de curent mare; poarta tranzistorului va trebui s`
evolueze [ntre zero ]i 10 V [ntr-un interval de timp de ordinul a
10 s. Dac` utiliz`m un tranzistor de tipul IRL2203N produs
de International Rectifier ( R
DS on
de 7 m la 60 A), vom avea
[ntre poart` ]i surs` o capacitate C
gs
de 3500 pF iar [ntre dren`
]i surs` o alt` capacitate, C
gd
, de 690 pF, a]a cum se vede [n Fig. 7.10.
La prima vedere s-ar p`rea c` trebuie s` [nc`rc`m numai capacitatea poart`-surs`. Dac` ar fi a]a,
curentul mediu de [nc`rcare care trebuie trimis [n poart` ar fi
I C
U
t
F = = =

3500 10 3 5
12
10 V
10 s
mA

. .

V
G

C
gd
V
G
V
D
V
G

C
gd
I =
C
gd
V
G

t
(1+g R )
m s
I =
C
gd
V
G

t
(1+g R )
m s
(1+g R )
m s
V
G

C
gd
V
G

varia\ia
tensiunii pe
condensator
V
G

I =
C
gd
V
G

t
a) b) c)
(1+g R )
m s
varia\ia
tensiunii pe
condensator
varia\ia
tensiunii pe
condensator
Fig. 7.11. Efectul Miller la un tranzistor MOS: cazul [n care drena are poten\ial constant (a), cazul
[n care poten\ialul drenei variaz` [n opozi\ie cu cel al por\ii (b) ]i echivalarea acestei situa\ii cu un
condensator legat la mas`.
Exist` [ns` ]i o capacitate [ntre poart` ]i dren`. Dac` poten\ialul drenei ar r`m[ne constant, situa\ia ar fi
echivalent` cu aceea [n care aceast` capacitate ar fi legat` la mas` (Fig. 7.11 a): ea ar ap`rea [n paralel cu
capacitatea poart`-surs` ]i ar m`ri-o de la 3500 la 4190 pF. Din p`cate, [ns`, [n dren` este legat` sarcina ]i
poten\ialul drenei nu este constant. Dac` poarta sufer` o varia\ie de poten\ial V
G
pozitiv`, curentul de
dren` cre]te cu g V
m G
]i, [n consecin\`, dup` cum se observ` [n desenul b) al figurii, poten\ialul drenei
coboar`, av[nd o varia\ie V g R V
D m s G
= .. Cu alte cuvinte, ob\inem o amplificare a varia\iilor de
tensiune egal` cu
V
D
V
G
C
gs
C
gd
V
1
R
g
~
V
alim
R
s
R
1
C
1
Fig.7.10. Capacit`\i parazite la un
comutator cu tranzistor MOS.
228 Electronic` - Manualul studentului
A
V
V
g R
V
D
G
m s
= =

(7.8)
care la tranzistoarele cu efect de c[mp are valori de ordinul zecilor.
Din acest motiv, varia\ia tensiunii pe condensator nu mai este egal` cu V
G
ci este de 1+ g R
m s
ori
mai mare; astfel, la aceea]i varia\ie V
G
, ]i curentul de [nc`rcare al condensatorului va fi de 1+ g R
m s
mai
mare. Lucrurile se [nt[mpl` ca ]i cum capacitatea poart`-dren` ar fi devenit de 1+ g R
m s
mai mare, a]a
cum se vede [n Fig. 7.11 c)
Acest fenomen nu este specific circuitelor cu tranzistoare cu efect de c[mp. El apare ori de c[te ori o
capacitate este conectat` [ntre intrarea ]i ie]irea unui amplificator care are amplificare de tensiune A
V
negativ` ]i este cunoscut ca efect Miller.
O capacitate legat` [ntre intrarea ]i ie]irea unui amplificator de tensiune, cu amplificarea A
V
negativ`,
este v`zut` dinspre intrare ca fiind multiplicat` cu ( ) 1 A
V
C C A
echiv V
= 1 b g
(7.9)
Acelea]i probleme se [nt[lnesc ]i la circuitele cu tranzistoare bipolare; [n cazul celor cu efect de c[mp
ele ne pot surprinde deoarece pentru ele la curent continuu curentul de poart` este nul ]i suntem tenta\i s`
extindem automat aceast` proprietate ]i pentru varia\ii.
Revenind la problema noastr` concret`, capacitatea de 690 pF va fi v`zut` dinspre poart` ca o
capacitate de ordinul a 7000 pF ! Ea va necesita pentru [nc`rcare un curent [n jur de 7 mA, ridic[nd la 10 mA
curentul de poart`.
Cum furniz`m acest curent de poart` ? Sursa de semnal care excit` poarta are o rezisten\` intern` R
g
(Fig. 7.10). La saltul ini\ial al tensiunii de la 0 la 10 V, pentru a ob\ine un curent de 10 mA ar trebui ca
rezisten\a intern` s` fie de 1 k. Dar aceasta va fi numai valoarea ini\ial` a curentului. Odat` cu [nc`rcarea
capacit`\ii, poten\ialul por\iii cre]te spre 10 V ]i curentul disponibil, conform legii lui Ohm, scade. Pentru a
compensa acest efect, mic]or`m de zece ori rezisten\a intern` a sursei de semnal iar, dac` avem o rezisten\`
extern` ( R
1
[n Fig. 7.10) montat` [n serie cu poarta, o "scurtcircuit`m" cu un condensator de accelerare
C
1
, care vor trimite un puls suplimentar de curent [n poart`.
Observa\ie: {n Fig. 7.10 am notat tensiunea de alimentare, ca ]i [n capitolele anterioare, cu V
alim
.
Acest manual fiind unul introductiv, am preferat s` facem acest lucru pentru a reduce la minimum riscul unor
confuzii. {n schemele profesionale, tensiunea de alimentare pozitiv` a circuitelor ce con\in tranzistoare cu
efect de c[mp este notat` cu +V
DD
. Sunt dou` aspecte implicate [n aceast` conven\ie. {n primul r[nd,
dublarea indicelui unei tensiuni este rezervat` exclusiv tensiunilor de alimentare iar at[t pentru litera V c[t ]i
pentru indici se folosesc majuscule (sunt m`rimi de curent continuu).
{n al doilea r[nd, se utilizeaz` indicele D de la dren` pentru c` la alimentarea pozitiv` este legat` drena
unui tranzistor FET cu canal n. Tensiunea pozitiv` se noteaz` cu +V
DD
chiar ]i [n cazul [n care circuitul nu
con\ine dec[t FET cu canal de tip p, care au sursele legate la alimentarea pozitiv`. Pentru simetria nota\iei,
dac` circuitul cu FET are ]i o alimentare negativ` fa\` de mas`, tensiunea ei este notat` cu V
SS
.
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 229
Enun\uri frecvent utilizate
(at[t de frecvent [nc[t merit` s` le memora\i)
- Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, unde controlul curentului de ie]ire se face prin
injec\ia unui curent, la tranzistoarele cu efect de c[mp (FET [n lb. englez`) controlul curentului de
ie]ire se face prin intermediul unui c[mp electric.
- Curentul controlat circul` printr-un canal [ntre dren` ]i surs`.
- C[mpul electric este produs prin aplicarea unei tensiuni [ntre terminalul por\ii (gate) ]i surs`;
avantajul esen\ial al tranzistoarelor cu efect de c[mp este c` au curentul de poart` cu mult mai mic
dec[t curentul de baz` de la tranzistoarele bipolare.
- La tranzistoarele cu poart` jonc\iune, [ntre poart` ]i canal exist` o jonc\iune semiconductoare
invers polarizat`; curentul de poart` este de ordinul nanoamperilor.
-Tranzistoarele de tip metal oxid semiconductor (MOSFET) au poarta izolat` cu un strat foarte
sub\ire de dioxid de siliciu; curentul lor de poart` este extrem de mic, ajung[nd la picoamperi.
- Tranzistoarele cu efect de c[mp pot fi construite cu canal ini\ial (depletion mode) sau cu canal
indus (enhancement mode); pe de alt` parte, canalul poate fi de tip n sau de tip p.
- Tranzistoarele JFET se pot construi numai cu canal ini\ial, iar majoritatea tranzistoarelor
MOSFET au canal indus.
-Simbolurile generale pentru tranzistoarele MOSFET sunt
G
D
S
substrat
canal n
]i
G
D
S
substrat
canal p
; ele sunt utilizate ]i ca simboluri speciale pentru cele cu canal ini\ial.
-Pentru tranzistoarele MOSFET cu canal indus se mai utilizeaz` ]i simbolurile speciale
NEMOS
]i
PEMOS
.
- La tranzistoarele MOSFET cu canal n (NMOS), substratul trebuie legat la cel mai cobor[t
poten\ial din circuit pentru ca jonc\iunea [ntre el ]i substratul de tip n s` fie [ntodeauna invers
polarizat`.
- Pentru apari\ia canalului conductor [ntre dren` ]i surs`, tensiunea poart` surs` trebuie s`
dep`]easc` o anumit` valoare, numit` tensiune de prag V
T
.
- Pentru tensiuni dren` surs` mari ]i valori ale tensiunii poart` surs` peste tensiunea de prag,
caracteristica de transfer I f V
D GS
V
DS
=
=
( )
. const
este parabolic` I K V V
D GS T
= ( )
2
.
- Transconductan\a g I V
m D GS
= este propor\ional` cu comanda por\ii V V
GS T
sau, altfel
spus, cu radical din curentul de dren`.
- Tranzistoarele cu efect de c[mp au transconductan\a cu 1-2 ordine de m`rime mai mic` dec[t a
celor bipolare.
- Caracteristicile de ie]ire I f V
D DS
V
GS
=
=
( )
. const
prezint` dou` regiuni distincte: la valori mici
ale tensiuii V
DS
tranzistorul se comport` ca un rezistor ohmic cu rezisten\a controlat` de tensiunea
poart`-surs` iar la tensiuni V
DS
mari tranzistorul se comport` ca o surs` de curent controlat` de
tensiunea poart`-surs`.
-Frontiera [ntre cele dou` regiuni se g`se]te aproximativ la V V V
DS GS T
= .
230 Electronic` - Manualul studentului
-{n regiunea de rezistor controlat, rezisten\a variaz` invers propor\ional cu comanda por\ii
V V
GS T
.
- La aceea]i tensiune de poart`, rezisten\a din regiunea de rezistor controlat este inversul
transconductan\ei din regiunea de surs` de curent.
- Datorit` regiunii de rezistor, tranzistoarele MOSFET se pot utiliza ca ]i comutatoare
analogice; prin cuplarea a dou` tranzistoare complementare (NMOS ]i PMOS) se realizeaz` un
comutator analogic performant (CMOS) care este disponibil ca circuit integrat.
- Put[nd fi operate la tensiuni de ordinul a 1000 V ]i curen\i de zeci de amperi, tranzistoarele
MOS de putere ofer` rezisten\e R
DS on
de c[\iva m; ele sunt utilizate ca ]i comutatoare de curen\i
mari sau [n amplificatoare de putere.
-Viteza de operare a comutatoarelor este limitat` de capacit`\ile parazite ale tranzistoarelor.
-O capacitatea legat` [ntre intrarea ]i ie]irea unui amplificator de tensiune, cu amplificarea A
V
negativ`, este v`zut` dinspre intrare ca fiind multiplicat` cu ( ) 1 A
V
; acesta este efectul Miller.
Precau\ii [n manipularea tranzistoarelor MOSFET
Stratul de izolator dintre poart` ]i canal este at[t de sub\ire [nc[t la tensiuni de c[teva zeci de vol\i
poate fi str`puns ]i tranzistorul [nceteaz` ireversibil s` func\ioneze. Chiar energia sarcinilor acumulate
electrostatic este suficient` pentru a distruge un tranzistor MOSFET. Din acest motiv, aceste
tranzistoare se livreaz` ambalate [n folii conductoare sau cu terminalele scurtcircuitate [ntre ele prin
inele comductoare. Este indicat ca aceste dispozitive de protec\ie s` fie [ndep`rtate abia dup`
conectarea tranzistorului [n circuit, dup` aceea protec\ia fiind realizat` chiar prin rezistoarele care
fixeaz` poten\ialul por\ii. Ideal este ca operatorul s` fie "legat la p`m[nt" printr-o br`\ar` metalic`.
Dac` nu se alege aceast` solu\ie, o m`sur` de minim` siguran\` este ca, [nainte de a lucra cu
tranzistoare MOSFET, operatorul s` descarce sarcinile acumulate prin atingerea cu m[na a unui
conductor legat la p`m[nt iar [nainte de legarea [n circuit a tranzistoarelor s` ating` doar carcasa nu ]i
terminalele lor.
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 231
Termeni noi
-tranzistor cu efect de c[mp (FET) tranzistor la care curentul [ntre dren` ]i surs` este controlat de
m`rimea unui c[mp electric;
- canal regiune semiconductoare prin care circul` curentul [ntre dren` ]i
surs`;
-poart` (gate) terminalul de comand` al tranzistoarelor cu efet de c[mp; [ntre
poart` ]i surs` se aplic` tensiunea de comand`;
-tranzistor cu efect de c[mp tranzistor cu efect de c[mp la care poarta este o jonc\iune invers cu
poart` jonc\iune (JFET) polarizat`;
-tranzistor cu efect de c[mp tranzistor cu efect de c[mp la care poarta este izolat` fa\` de canal;
metal-oxid-semiconductor
(MOSFET)
- substrat terminal legat la materialul semiconductor pe care a fost realizat
tranzistorul FET; [ntre substrat ]i canal exist` o jonc\iune
semiconductoare care trebuie s` fie tot timpul inver polarizat`; din
acest motiv substratul se leag` la cel mai cobor[t (ridicat)
poten\ial, dup` tipul canalului (n, respectiv, p);
-canal ini\ial (depletion mode) tip constructiv de FET pentru care tranzistorul conduce cu tensiune
de comand` nul`;
-canal indus (enhancement mode) tip constructiv de FET pentru care tranzistorul conduce dac`
tensiunea de comand` dep`]e]te o valoare de prag;
-tensiune de prag V
T
valoarea tensiunii peste care intr` [n conduc\ie tranzistoarele cu
canal indus;
-curent [n starea ON curentul de dren` la o anumit` tensiune V
GS
la care tranzistorul cu
canal indus este considerat complet deschis; se define]te [n
regiunea de surs` de curent (V
DS
mare);
-rezisten` [n starea ON rezisten\a dren` surs` la o anumit` tensiune V
GS
la care
tranzistorul cu canal indus este considerat complet deschis; se
define]te [n regiunea de rezisten\` controlat` (V
DS
mic`);
- comutator analogic dispozitiv prin intermediul c`ruia pe o sarcin` se poate aplica sau
nu un semnal de tensiune, [n general cu polaritate variabil`;
rezisten\a comutatorului trebuie s` fie c[t mai mic` [n starea ON ]i
c[t mai mare [n starea OFF;
-efect Miller efect care const` [n faptul c` o capacitate legat` [ntre intrarea ]i
ie]irea unui amplificator cu amplificarea de tensiune A
V
negativ`
este v`zut` dinspre intrare ca fiind multiplicat` cu ( ) 1 A
V
.
232 Electronic` - Manualul studentului
Probleme rezolvate
Problema 1.
Inten\ion`m s` utiliz`m un tranzistor NMOS ca un
amplificator de tensiune (FIg. 7.12). Pentru aceasta, trebuie
s` stabilim un punct static de func\ionare cu un curent de
dren` de 2 mA ]i s` avem un poten\ial de dren` aproximativ
la jum`tatea tensiunii de alimentare. Cunoa]tem, pentru
tranzistor, tensiunea de prag V
T
= 0.5 V ]i curentul [n
starea on I
D on ( )
=10 mA m`surat la V
GS
= 20 V.
Trebuie s` alegem divizorul rezistiv din poart` ]i rezisten\a
din dren`.
Rezolvare
Valoarea rezisten\ei de dren` o putem stabili de la
[nceput. Alegem un poten\ial de 10 V [n dren` ]i avem R
D
= = (20 V- 10 V) 2 mA 5 k.
Din valoarea impus` pentru curentul de dren` am putea calcula tensiunea necesar` [ntre poart` ]i surs`.
Rela\ia pe care o avem este I K V V
D GS T
= b g
2
dar foaia de catalog nu furnizeaz` direct valoarea
parametrului K. Avem, [ns`, curentul ]i tensiunea pentru starea on
10 mA = 20 V- 0.5 V Ka f
2
de unde deducem
K = = 10 mA (19.5 V) mA V
2 2
0 026 . .
Putem, acum, s` impunem curentul de dren` cerut
2 mA 0.026
mA
V
0.5 V
2
= V
GS
b g
2
]i s` calcul`m tensiunea poart` surs` necesar` V
GS
= 9.22 V.
Cum ob\inem aceast` tensiune de la divizorul rezistiv ? Curentul de poart` este nul, divizorul este
ne[nc`rcat ]i putem aplica regula de trei simpl`
R R
2 1
= 9.22 V (20 V- 9.22 V) = 0.86.
Mai r`m[ne s` stabilim valorile rezisten\elor. {n cazul tranzistoarelor cu efect de c[mp avem o foarte mare
libertate dar valori prea mici ar mic]ora prea mult impedan\a v`zut` de generatorul de semnal iar rezisten\e
de valori exagerat de mari (peste 1 M) nu sunt u]or disponibile. O alegere bun` este R
2
= 860 k ]i
R
1
=1 M.
V
D
V
G
V
1 ~
R
D
R
1
C
1
+20 V
R
2
Fig. 7.12.
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 233
Problema 2.
a) Tranzistoarele cu efect de c[mp au o mare [mpr`]tiere a parametrilor. Pentru tranzistorul din
problema anterioar` ne putem a]tepta la o tensiune de prag chiar de 2 V. Cu valorile de rezisten\e alese acolo,
recalcula\i punctul de func\ionare dac` V
T
= 2 V.
b) Nici curentul I
D on ( )
nu este controlat tehnologic mai precis. Ne putem a]tepta ca acesta s` fie de 5
ori mai mic. Lua\i [n considera\ie ]i acest aspect la determinarea punctului de func\ionare.
Rezolvare
a) Curentul de dren` este propor\ional cu p`tratul comenzii por\ii V V
GS T
. Aceast` diferen\` se
modifc` de la 9.22 V - 0.5 V =8.72 V la 9.22 V - 2 V = 7.22 V. Astfel, noul curent de dren` va fi numai
0.686 din cel anterior, adic` 1.37 mA. Noul potetial de dren` va fi 20 V- 6.85 V=13.5 V [n loc de 10 V.
b) Dac` I
D on ( )
este de 5 ori mai mic, aceasta se [nt[mpl` din cauza parametrului K, care este la
r[ndul lui de 5 ori mai mic. Noul tranzistor, montat [n acela]i circuit proiectat de noi, va avea un curent de
dren` de numai 1 37 0 27 . . mA 5 mA = . {n aceste condi\ii, poten\ialul drenei va fi 20 V - 1.37 V= 18.6 V.
Iat` c`, de]i am proiectat cu grij` circuitul pentru a avea poten\ialul drenei la 10 V (jum`tatea aliment`rii),
datorit` [mpr`]tierii tehnologice a parametrilor el poate ajunge inacceptabil de aproape de poten\ialul
aliment`rii. Predictibilitatea punctului de fun\ionare este proast` la tranzistoarele FET; de multe ori
punctul de func\ionare se ajusteaz` [n func\ionare cu un rezistor reglabil.
Probleme propuse
P 7.1.1. Pentru un tranzistor NMOS cu canal indus, rezisten\a [n starea on R
DS on ( )
, definit` la
V
DS
=10 V, este de 300 iar tensiunea sa de prag este V
T
= 2 V . Care va fi rezisten\a [ntre dren` ]i
surs` dac` V
GS
= 4 V ?
P 7.1.2. {n condi\iile problemei precedente, la ce valoare a tensiunii dren` surs` [ncepe regiunea de
satura\ie ?
P 7.1.3. Pentru un tranzistor MOS cu tensiunea de prag V
T
= 3 V, curentul [n starea ON, definit la
V
GS
=10 V, este de 5 mA. C[t este, [n aceste condi\ii
transconductan\a ? Dar dac` tensiunea de poart` se mic]oreaz` astfel
[nc[t curentul scade la 1 mA ?
P 7.1.4. La cap`tul unui divizor format dintr-un rezistor ]i
tranzistorul MOSFET, se aplic` un semnal alternativ cu amplitudinea
de 100 mV [n jurul valorii 0, ca [n Fig. 5. {ntre ce limite evolueaz`
amplitudinea semnalului la ie]ire, dac` poten\ialul por\ii este modificat
[ntre 3 V ]i 10 V ? Tranzistorul are parametrii da\i [n problema P 7.1.1.
P 7.1.5. De ce nu a fost legat substratul la mas` ci la - 1 V ?
P 7.1.6. Un tranzistor NMOS de putere este utilizat drept
comutaor ON-OFF pentru aprinderea unui bec cu valorile nominale
12 V ]i 5 A. Tranzistorul are rezisten\a R
DS on ( )
sub 100 m.
a) Determina\i tensiunea pierdut` pe tranzistor ]i puterea
disipat` pe acesta.
b) Un tranzistor bipolar de putere (2N3055), operat [n aceea]i gam` de curen\i, prezint` o tensiune de
satura\ie colector emitor de 3 V. Calcula\i ]i pentru el c`derea de tensiune ]i puterea disipat`.
c) Compara\i rezultatele anterioare ]i decide\i care tip de tranzistor este mai potrivit pentru aceast`
aplica\ie.
100 k
100 k
~
330
-1 V
+
-
V
control
~
Fig. 7.13.
234 Electronic` - Manualul studentului
Lucrare experimental`
Experimentul 1. Caracteristica de transfer
D
S
G
100 k
mA
+
-
+
-
V
A1
V
A2
0 - 10 V
0 - 15 V
V
voltmetru
electronic
10 k
5 k
Fig. 7.14. Montaj experimental pentru trasarea caracteristicilor statice.
Desena\i pe caiet circuitul din Fig. 7.14 ]i stabili\i sensurile curen\ilor ]i polarit`\ile necesare pentru
aparatele de m`sur`. Realiza\i, apoi, circuitul.
Observa\ii:
-[n jurul tranzistorului au fost montate elemente de protec\ie ]i va trebui s` utiliza\i ca terminal de
poart` nodul de circuit marcat cu litera G
-substratul a fost legat deja la mas`
-rezistorul de 10 k are rolul de a [mpiedica [nc`rcarea condensatorului poart` -substrat (care are
curen\i de scurgere extrem de mici) datorit` electricit`\ii statice.
Stabili\i V
DS
= 10 V ]i trece\i miliampermetrul legat [n dren` pe scala de 10 mA. Cre]te\i apoi
tensiunea pe poart` observ[nd deschiderea tranzistorului. Nota\i-v` tensiunea de prag. Ridica\i caracteristica
I f V
D GS
= ( ) ob\in[nd 10 -12 puncte experimentale dup` deschiderea tranzistorului, p[n` la V
GS
=10 V, ]i
desena\i-o [n scar` liniar`, cu tensiunea [ncep[nd de la 0 vol\i.
Pentru verificarea rela\iei p`tratice I f V
D GS
= ( ), cel mai simplu este s` reprezent`m grafic
I f V
D GS
1 mA = ( ), pentru c` ar trebui s` ob\inem a linie dreapt`. Face\i acest lucru ]i formula\i o
concluzie asupra valabilit`\ii acestei rela\ii.
Relua\i determinarea tensiunii de prag ]i a caracteristicii, pentru o tensiune dren`-surs` de 15 V.
Desena\i-o [n scar` liniar`, pe acela]i grafic cu cea trasat` la V
DS
=10 V. Cum afecteaz` tensiunea dren`-
surs` caracteristica de transfer ?
Determina\i transconductan\a din panta graficului caracteristicii de transfer, la V
GS
=10 V(unde
I I
D DS on
=
( )
) ]i la I
D
=1 mA. La aceast` ultim` valoare a curentului, un tranzistor bipolar are o
transconductan\` de g
m
=1 mA 25 mV = 40 mS. Cum este, fa\` de aceasta, transconductan\a
tranzistorului MOSFET ?
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 235
Experimentul 2. Caracteristica de ie]ire
Polariza\i poarta cu un volt peste tensiunea de prag, la V V
GS T
= +1 V. Ridica\i caracteristica de
ie]ire I f V
D DS V const
GS
=
=
( )
.
modific[nd tensiunea dren`-surs` [ntre zero ]i 10 vol\i. Repeta\i, apoi,
experimentul, pentru V V
GS T
= + 2 V ]i V V
GS T
= + 3 V. Desena\i cele trei caracteristici pe un singur
grafic, [n scar` liniar`. Marca\i pe fiecare din cele trei caracteristici punctul care are coordonata V
DS
egal` cu
valoarea V V
GS T
corespunz`toare acelei caracteristici (datorit` alegerii tensiunilor de poart`, aceste valori
vor fi 1, 2 ]i, respectiv, 3 V). Pute\i trage o concluzie asupra frontierei aproximative dintre regiunea de
satura\ie ]i cea de rezisten\` controlat` ?
Experimentul 3. {mbun`t`\irea liniarit`\ii [n regiunea de rezisten\` controlat`
D
S
G
100 k
mA
+
-
+
-
V
A1
V
A2
0 - 10 V
0 - 15 V
V
voltmetru
electronic
10 k
5 k
100 k
V
Fig. 7.15.
Modifica\i circuitul pe care efectua\i experimentul pentru a realiza configura\ia din Fig. 7.15, leg[nd [n
poart` ]i rezisten\a de 100 k conectat` la dren`. Relua\i trasarea caracteristicilor de ie]ire, la acelea]i
tensiuni de poart` ca [n experimentul precedent. Nu dep`]i\i valoarea de 10 mA (ve\i ridica numai regiunea
de rezisten\` controlat`). Aten\ie, stabilirea tensiunii de poart` se face de fiecare dat` cu V
DS
= 0, ea
modific[ndu-se apoi datorit` tensiunii dren` surs`.
Desena\i caracteristicile de ie]ire ]i compara\i-le cu cele ob\inute [n experimentul anterior pe circuitul
standard. Formula\i o concluzie.
Experimentul 4. Comutatorul analogic cu MOSFET
Ave\i pe plan]et` circuitul din Fig. 7. 16 a) . La borna A generatorul de semnal furnizeaz` o tensiune
alternativ` cu amplitudinea de 1 V, suprapus` peste un nivel continuu. Valoarea nivelului continuu poate fi
reglat` cu poten\iometrul Pot., a]a cum se poate vedea [n desenul b) al figurii. Tranzistorul NMOS este
montat ca un comutator analogic [ntre ie]irea generatorului de semnal ]i rezisten\a de sarcin`. Prin
intermediul comutatorului K pute\i lega poarta tranzistorului fie la alimentarea pozitiv`, fie la alimentarea
negativ`.
Alimenta\i plan]eta cu tensiune pozitiv` ]i tensiune negativ`, de la dou` surse. Vizualiza\i cu
osciloscopul forma semnalului la borna A (aten\ie, intrarea osciloscopului trebuie conectat` pe pozi\ia DC
236 Electronic` - Manualul studentului
pentru a putea vizualiza ]i componenta continu`). Roti\i poten\iometrului ]i verifica\i c` nivelul continuu al
semnalului se modific`, ca [n desenul b) al figurii.
generator de
semnal
Pot.
b)
out
in
R
s
D S
G
-5 V
sarcina
K
5 k
A
-5 V
+5 V
GND
+
-
+
-
-5 V
+5 V
0 0
a)
alimentarea
plansetei
reglaj nivel
continuu
t t
Fig. 7.16. Comutator analogic cu tranzistor NMOS (a) ]i modificarea nivelului continuu al semnalului
produs` de rota\ia poten\iometrului (b).
Regla\i acum, cu poten\iometrul, nivelul continuu aproximativ la zero ]i stabili\i pozi\ia comutatorului
astfel [nc[t poarta s` fie la tensiune negativ`. Verifica\i dac` semnalul ajunge pe rezisten\a de sarcin`.
Formula\i o concluzie. Schimba\i pozi\ia comutatorului, leg[nd poarta tranzistorului la alimentarea pozitiv`.
Ajunge acum semnalul pe rezisten\a de sarcin` ? Cum este valoarea lui comparat` cu cea de la intrare ?
Efectua\i m`sur`tori mai precise ]i estima\i valoarea R
DS on
a tranzistorului.
P`str[nd sonda osciloscopului conectat` la sarcin`, modifica\i acum, din pozi\ia poten\iometrului,
nivelul continuu al semnalului. Urm`ri\i ce se [nt[mpl` cu semnalul c[nd acesta ajunge aproape de poten\ialul
aliment`rii negative ]i. apoi, de cel al aliment`rii pozitive. Formula\i o concluzie.
Pe aceea]i plan]et` ave\i ]i un circuit integrat 4066 care con\ine patru comutatoare CMOS. {nlocui\i
comutatorul cu tranzistor NMOS cu unul CMOS con\inut [n circuitul integrat, ca [n Fig. 7.17. Trece\i
comutatorul [n starea ON ]i observa\i din nou ce se [nt[mpl` cu semnalul la ie]ire c[nd modifica\i nivelul s`u
continuu. Formula\i o concluzie.
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 237
generator de
semnal
Pot.
in
out
R
s
sarcina
5 k
K
-5 V
+5 V
-5 V
1
2
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
+5 V
3
4066
Fig. 7.17.
Experimentul 5. Comutatorul MOSFET de curent mare
Ve\i studia acum un comutator realizat cu un tranzistor NMOS de putere. Acesta este comandat astfel
[nc[t s` [ntreup` periodic curentul de alimentare al unui bec, cu o frecven\` de c[\iva kHz, a]a cum se vede [n
Fig. 7.18. Cu ajutorul poten\iometrului Pot. ve\i putea modifica factorul de umplere, adic` raportul dintre
durata de conduc\ie ]i perioad` = T T
on
. Astfel, ve\i putea controla puterea medie pe care o prime]te
becul.
circuit de
comanda
Pot.
D
S
G
+12 V
+12 V
GND
+
-
alimentarea
plansetei
bec cu
incandescenta
reglajul factorului
de umplere
on
off
T
on
T
t
=
T
on
T

Fig. 7.18. Comutator de putere.


238 Electronic` - Manualul studentului
Desena\i-v` schema circuitului pe caiet ]i apoi alimenta\i plan]eta. Pentru c[teva pozi\ii ale
poten\iometrului, vizualiza\i cu un osciloscop evolu\ia tensiuii pe bec ]i desena\i forma de und` pe caiet.
Estima\i, de fiecare dat`, factorul de umplere. Cunosc[nd rezisten\a becului, determina\i ]i puterea pe care o
prime]te becul.
Concentra\i-v` acum asupra comutatorului. Determina\i valoarea tensiunii reziduale care cade pe
tranzistor ]i, din aceasta, rezisten\a sa [n starea ON. Estima\i puterea medie disipat` pe tranzistor c[nd factorul
de umplere are valoarea maxim`.
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 239
7.2. Tranzistoare cu poart` jonc\iune (JFET)
2.A. Simboluri ]i mod de func\ionare
La tranzistoarele cu efect de c[mp cu poart` jonc\iune
(JFET), [ntre poart` ]i canalul conductor exist` o jonc\iune invers
polarizat`. Tensiunea aplicat` [ntre poart` ]i surs` controleaz`
conduc\ia [n canalul dintre dren` ]i surs`. Deoarece jonc\iunea
este invers polarizat`, curentul de poart` este mult mai mic dec[t
curentul de baz` de la tranzistoarele bipolare, av[nd valori de
ordinul zecilor de nanoamperi.
Dac` la tranzistoarele de tip metal oxid semiconductor
(MOSFET) putem avea fie canal ini\ial, fie canal indus, datorit`
principiului de func\ionare,
tranzistoarele JFET nu pot fi realizate dec[t av[nd canal ini\ial.
Aceasta [nseamn` c` la tensiune nul` [ntre poart` ]i surs`
(V
GS
= 0) tranzistorul conduce [ntre dren` ]i surs`, urm[nd ca
acest curent I
D
s` fie mic]orat prin aplicarea unei tensiuni V
GS
care polarizeaz` invers jonc\iunea por\ii.
Dup` tipul de dopare, exist` dou` categorii de tranzistoare JFET: cu canal de tip n (similare
tranzistoarelor bipolare NPN) ]i cu canal p (similare tranzistoarelor bipolare PNP). Simbolurile lor sunt
prezentate [n Fig. 7.19, al`turi de corespondentele lor bipolare. S`geata arat` sensul direct al jonc\iunii; [n
aplica\ii, jonc\iunea por\ii trebuie todeauna polarizat` invers. Vom aborda [n continuare tranzistoarele JFET
cu canal n, care sunt mai frecvent utilizate, ca ]i corespondentele lor bipolare NPN. Modul de comand` al
acestora este reprezentat [n Fig. 7.20 a).
G
D
JFET cu canal n bipolar NPN
+
on
off
B
E
C
on
off
+
a)
D
+
_
V
GS
I
D
+
_
I
G
=0
V
DS
S
G
V
GS < 0
S
tensiune
negativ` !
b)
Fig. 7.20. Modul de comand` pentru tranzistoarele JFET cu canal n (a) ]i conexiunea cu surs` comun` (b).
2.B. Caracteristici statice
Cea mai utilizat` conexiune este accea cu sursa comun` porturilor de intrare ]i ie]ire, echivalent` cu
conexiunea emitor comun de la tranzistoarele bipolare (Fig. 7.20 b). {n acest caz, portul de intrare este [ntre
poart` ]i surs` iar portul de ie]ire este [ntre dren` ]i surs`. Deoarece nu exist` curent de poart`, nu are sens s`
S
D
G
B
E
C
S
D
G
B
E
C
( )
JFET cu canal n
JFET cu canal p
( )
Fig. 7.19. Tranzistoare JFET.]i
corespondentele lor bipolare.
240 Electronic` - Manualul studentului
vorbim despre caracteristica de intrare. Vom studia, deci, numai caracteristica de transfer
I f V
D GS V const
DS
=
=
( )
.
]i cea de ie]ire I f V
D DS V const
GS
=
=
( )
.
{n Fig. 7.21 a) am reprezentat caracteristica de transfer a unui tranzistor JFET (care are obligatoriu
canal ini\ial) [mpreun` cu aceea a unui tranzistor MOSFET cu canal indus. Se observ` faptul c` ele sunt
asem`n`toare, aceea a tranzistorului JFET fiind deplasat` pe axa tensiunilor spre valori negative. La
tranzistorul JFET, cu tensiune nul` [ntre poart` ]i surs` curentul de dren` nu este nul ]i valoarea sa este un
parametru important al tranzistorului, fiind notat cu I
DSS
.
0.0
5.0m
10.0m
15.0m
20.0m
25.0m
I
D
(A)
V
GS
(V)
I
DSS
-3 -2 -1 0 1
N JFET
V
P
V
T
NMOS
canal indus
canal initial
V
GS
0
V
P
g
m max
=
g
m max
I
DSS
2
V
P
a)
b)
g
m
0
Fig. 7.21. Caracteristica de transfer pentru tranzistoare JFET]i MOSFET cu canal indus (a) ]i dependen\a
transconductan\ei de tensiunea V
GS
pentru JFET (b).
Canalul existent ini\ial poate fi [nchis progresiv prin aplicarea unei tensiuni poart`-surs` negative. C[nd
valoarea ei ajunge la V
P
, numit` tensiune de blocare sau t`iere (cutoff voltage sau pinch-off voltage [n
englez`), curentul de dren` devine nul. Pentru tensiuni V
DS
suficient de mari (vom vedea mai t[rziu c[t de
mari), curentul depinde parabolic de tensiunea poart`-surs` V
GS
I V V
I I
V
V
V V
D GS P
D DSS
GS
P
GS P
= <
=
F
H
G
I
K
J

0
1
pentru
pentru
2
(7.10)
S` compar`m rela\ia anterioar` cu aceea de la tranzistorul MOSFET: I K V V
D GS T
= ( )
2
. La prima
vedere par diferite dar, dac` facem [nlocuirile
V V
I V K
P T
DSS
P

2 , (7.11)
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 241
observ`m c` avem, de fapt, exact aceea]i dependen\`. Formele sub care se utilizeaz` sunt diferite pentru c`
la JFET este comod s` folosim ca parametru curentul de dren` I
DSS
(definit la V
GS
= 0).
Din acest motiv,
toate rela\iile de la sec\iunea precedent`, unde am abordat tranzistoarele MOSFET, r`m[n valabile ]i pentru
tranzistoarele JFET.
Rela\iile vor ap`rea pu\in diferite ca form`, dar cu [nlocuirile (7.11) ele devin identice.
Ca ]i la tranzistoarele MOSFET, parametrii tranzistoarelor sunt puternic [mpr`]tia\i tehnologic:
tensiunea de t`iere poate avea o dispersie de 5V iar I
DSS
o varia\ie [n raportul 5 la 1. A]a cum am v`zut,
aceasta produce o slab` predictibilitate a punctului de func\ionare.
La varia\ii mici [n jurul unui punct de func\ionare, ac\iunea tranzistorului poate fi descris` prin
transconductan\a g
dI
dV
m
D
GS
= care este chiar panta caracteristicii de transfer [n punctul respectiv. Din rela\ia
(7.10) rezult` c` transconductan\a este propor\ional` cu radicalul din curentul de dren`
g
I
V
V V
I
V
I
m
DSS
P
GS P
DSS
P
D
= = 2 2
2
b g
. (7.12)
Dependen\a transconductan\ei de tensiunea V
GS
a fost reprezentat` [n Fig. 7.21 b); valoarea ei maxim` a
trasconductan\ei se ob\ine cu poarta legat` la surs`, c[nd V
GS
= 0:
g
I
V
m
DSS
P
max
= 2
. (7.13)
Dac` aplic`m pe poart` o tensiune mai mare dec[t tensiunea de prag, familia de caracteristici de ie]ire
are forma din Fig. 7.22. Fiecare din caracteristici prezint` dou` regiuni distincte.
0 5 10 15 20
-4.0
-2.0
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
V
DS
(V)
I
D
(mA)
= 3 V V
GS
-V
P
= 2.5 V V
GS
-V
P
= 2 V V
GS
-V
P
= 1.5 V V
GS
-V
P
V
GS
= 0 V
GS
V = -0.5 V
GS
V = -1.0 V
GS
V = -1.5 V
curentul de satura\ie
propor\ional cu
V
GS
-V
P
(
)
2
panta
propor\ional`
cu V
GS
-V
P
surs` de curent (satura\ie)
regiune de
rezistor
regiune de
Fig. 7.22. Caracteristici de ie]ire pentru tranzistorul JFET.
242 Electronic` - Manualul studentului
La valori V
DS
mici, curentul de dren` este aproximativ propor\ional cu tensiunea dren`-surs`,
tranzistorul comport[nd-se ca un rezistor.
Valoarea rezisten\ei ohmice echivalente depinde de tensiunea aplicat` pe poart`; avem o regiune de
rezisten\` controlat`. Pentru tensiuni dren` surs` mici [n valoare absolut`, aceast` regiune se continu` ]i la
tensiuni dren`-surs` negativ`.
{n aceast` regiune, dependen\a curentului de surs` poate fi aproximat` prin
I
I
V
V V V
D
DSS
P
GS P DS
2
2
b g ; (7.14)
tranzistorul are o comportare de rezistor, cu rezisten\a
R
V
I V V
DS
P
DSS GS P
=

2
2 b g
(7.15)
controlat` de tensiunea aplicat` pe poart`. Valoarea minim` a acestei rezisten\e se ob\ine c[nd poarta este
legat` la surs` ]i V
GS
= 0. {n aceste condi\ii,
R
V
I
DS min
P
DSS
=
2
(7.16)
{n cealalt` regiune tranzistorul are o comportare complet diferit`:
la valori V
DS
mari, curentul [nceteaz` practic s` mai depind` de tensiunea dren`-surs`, ie]irea comport[ndu-
se ca o surs` de curent controlat` de tensiunea de poart`..
{n regiunea de surs` de curent controlat`, este valabil` rela\ia (7.10) ]i aici am ridicat caracteristica de
transfer ]i am definit transconductan\a. Cu tranzistorul [n acest regim de func\ionare putem realiza
amplificatoare (pentru c` I
D
nu este saturat [n raport cu m`rimea de intrare V
GS
ci, din contr`, este
controlat practic numai de aceasta).
Compara\ia rela\iei (7.16) cu (7.12) arat` un lucru interesant ]i util: aleg[nd o tensiune de poart`,
rezisten\a din regiunea de rezisten\` controlat` este inversul transconductan\ei din regiunea de satura\ie.
De asemenea, este util s` cunoa]tem o limit` aproximativ` [ntre aceste dou` regiuni. Astfel,
pentru o tensiune poart`-surs` fixat`, frontiera [ntre regiunea de rezistor controlat ]i aceea de surs` de
curent controlat` este la o valoare a tensinii dren`-surs` egal` cu comanda por\ii V V V
DS GS P limita
= .
{n Fig. 7.22 aceast` frontier` a fost desenat` cu linie [ntrerupt`.
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 243
{mbun`t`\irea liniarit`\ii [n regiunea de rezisten\` controlat`
{n regiunea de rezisten\a controlat`, dependen\a mai exact` a curentului de dren` este dat` de rela\ia
I
I
V
V V V V
D
DSS
P
GS P DS DS
= 2 2
2
b g ; (7.17)
Din analiza acesteia rezult` c` liniaritatea poate fi [mbun`t`\it` dac` tensiunea de poart`, [n loc s` fie
\inut` constant`, variaz` dup` legea V V
GS DS
= + const. 2 .
Acest lucru [l realizeaz` circuitul din Fig. 7.23. Exprim[nd prin
teorema Milman poten\ialul por\ii, avem
V V V V
GS G DS
= = +
1
2 2. {nlocuind acum [n rela\ia (7.17)
termenul V
DS
2 din parantez` dispare ]i ob\inem o rela\ie de
propor\ionalitate [ntre curent ]i tensiune
I K V V V
D T DS
= 2 2
1
b g ; (7.18)
astfel, rezult` o comportare de rezistor f`r` s` mai fie nevoie s`
folosim aproxima\ia V V V
DS GS P
<< . Extinderea regiunii de
liniaritate nu este [nsa prea mare, [ntruc[t [ns`]i rela\ia (7.17) este o
aproxima\ie care []i [nceteaz` valabilitatea la tensiuni dren` surs`
mari.
2.C. Surse de curent cu JFET
Cel mai simplu circuit cu JFET este cel din Fig. 7.24 a): leg`m poarta la surs` ]i am ob\inut o surs` de
curent (de fapt, un "absorbant" de curent). Acest lucru este evident pe caracteristica de ie]ire trasat` la
V
GS
= 0, adic` cu poarta ]i sursa [n scurtcircuit (desenul b). Singurul lucru de care trebuie s` avem grij` este
ca tensiunea dren`-surs`, cobor[nd, s` nu se apropie de valoarea ( ) 0 = V V
P P
de unde tranzistorul [ncepe
s` semene cu o rezisten\`.
sarcina
+V
DD
I
DSS
a)
V
DS
I
D
V
GS
= 0 V
I
D nu este
perfect constant
c)
I
D
V
GS
I
DSS
0
V
P
0
b)
punct de
func\ionare
Fig. 7.24. Surs` de curent cu JFET.
100 k
100 k
V
1
V
D
= V
DS
V
G
(negativ`)
Fig. 7.23. Circuit pentru
[mbun`t`\irea liniarit`\ii in
regiunea de rezisten\` controlat`.
244 Electronic` - Manualul studentului
Circuitul precedent este simplu, dar prezint` dou` dezavantaje. {n primul r[nd, valoarea curentului
sursei nu poate fi programat` de c`tre proiectant, fiind egal` cu I
DSS
(desenul c). }i cum acest parametru are
o [mpr`]tiere tehnologic` mare (ajung[nd chiar la 1:5)... Exist` [ns` asemenea circuite, gata selectate de
produc`tor dup` valorile lui I
DSS
]i v[ndute ca surse de curent. Totu]i, [n aplica\ii este nevoie uneori s`
ajust`m fin valoarea sursei de curent. Un al doilea dezavantaj al circuitului este acela c` intensitatea
curentului de dren` nu este perfect constant`, cresc[nd u]or cu tensiunea V
DS
: sursa de curent nu este una
ideal`.
O rezolvare comun` pentru aceste dezavantaje poate fi g`sit` dac` ne amintim c` o problem`
asem`n`toare am [nt[lnit la tranzistoarele bipolare c[nd men\ineam V
BE
constant. Solu\ia era s` intercal`m o
rezisten\` [n circuitul emitorului ]i aceasta este rezolvarea (par\ial`) ]i a dezavantajelor amintite mai sus.
Ajungem, astfel, la sursa de curent perfec\ionat` din Fig. 7.25 a).
sarcina
+V
DD
I
D
a)
R
S
V
S
+
-
- V
GS
= I
D
R
S
I
D
V
GS
I
DSS
0 V
P
0
punct de
func\ionare
solu\ie fals`
b)
V
GS
V
P
I
D
0
0
M
P
Q
I
D
I
D
c)
la V
DS1
la V
DS2
dreapta de
sarcina cu
panta -1 R
S
N
Fig. 7.25. Surs` de curent cu rezistor conectat [n sursa.tranzistorului.
Pentru determinarea punctului de func\ionare putem [ncerca s` rezolv`m ni]te ecua\ii (sunt de gradul
doi ]i le putem rezolva prin radicali) sau putem apela la o metod` grafic` (desenul b). Una din ecua\ii este
chiar caracteristica de transfer I f V
D GS
=
=
( )
V const.
DS
iar cealalt` este V I R I R
GS D S D S
= = 0 .
Aceasta din urm`, scris` sub foma I V R
D GS D
= are ca reprezentare grafic` o dreapt` de pant` negativ`
ce trece prin origine. La intersec\ia celor dou` curbe se g`se]te punctul de func\ionare c`utat.
Observa\ie: Dac` am fi rezolvat sistemul de ecua\ii am fi g`sit dou` solu\ii; cea cu valoare mai mare
pentru I
D
corespunde ramurii din st[nga a parabolei, care nu face parte din caracteristic` ]i trebuie
ignorat`.
Dac` modific`m valoarea rezisten\ei din dren`, se modific` ]i panta "dreptei de sarcin`" ]i putem,
astfel, ajusta valoarea sursei de curent [ntre zero ]i I
DSS
. Introducerea rezisten\ei R
S
[mbun`t`\e]te ]i
comportarea sursei de curent, a]a cum se poate constata [n Fig. 7.25 c). Aici am trasat caracteristica de
transfer pentru dou` valori diferite ale tensiunii dren`-surs`, exager[nd influen\a acestei tensiuni asupra
caracteristicii.. Dac` sursa ar fi legat` direct la mas` (V
GS
= 0), punctul de func\ionare s-ar deplasa la
modificarea lui V
DS
, din M [n N pe axa vertical` a graficului. {n cazul introducerii rezisten\ei R
S
,
modificarea punctului de func\ionare are loc din pozi\ia P [n pozi\ia Q. Este clar c` varia\ia curentului I
D
este mai mic` dec[t [n prima situa\ie ]i este cu at[t mai mic` cu c[t dreapta de sarcin` se apropie de orizontal`,
adic` cu c[t rezisten\a R
S
cre]te.
Cre]terea rezisten\ei din surs` apropie func\ionarea sursei de curent de cea ideal`.
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 245
2.D. Repetorul pe surs` (source follower [n limba englez`)
Introducerea rezisten\ei R
S
ne-a permis s` aducem tranzistorul [n punctul de func\ionare dorit f`r` s`
fie nevoie de utilizarea unei surse negative pentru polarizarea por\ii. Acest truc poart` numele de negativare
automat` ]i a fost inventat pe vremea tuburilor electronice. Acela]i circuit poate fi utilizat ]i pentru a
[ndeplini o cu totul alt` func\ie (Fig. 7.26 a).
a)
+V
DD
R
S
V
S
+
-
+
-
V
in
out
V
GS
=
-
I
D
R
S
V
in
I
D
V
GS
I
DSS
0 V
P
0
b)
V
in
V
GS
V
in
t
V
in
V
GS const.
c)
V
out
=
V
GS
V
out
Fig. 7.26. Repetorul pe surs`.
Conect`m drena direct la alimentarea pozitiv`, desfacem poarta de la mas` ]i o leg`m la o tensiune de
intrare V
in
variabil` ]i noul circuit este gata. Ca s` [n\elegem func\ionarea sa, revenim la metoda dreptei de
sarcin` (desenul b). Acum [ns`, expresia lui V
GS
are forma V V I R
GS in D S
= , care conduce la
I
V
R
V
R
D
in
S
GS
S
= . (7.19)
Dreapta de sarcin` are [n continuare panta 1 R
S
dar nu mai trece prin origine ci intersecteaz` axa
orizontal` la coordonata V
in
.
S` urm`rim ce se [nt[mpl` dac` tensiunea de intrare V
in
sufer` varia\ii mici (exagerate pe desen pentru
a fi mai u]or vizibile). Dreapta de sarcin` se deplaseaz` paralel cu ea [ns`]i, fiind translatat` pe orizontal` cu
V
in
. Dac` dreapta de sarcin` are panta ([n modul) mult mai mic` dec[t panta g
m
a caracteristicii de transfer
1 1 R g R g
S m s m
<< >> ) (7.20)
atunci varia\iile tensiunii poart`-surs` sunt mult mai mici dec[t acelea ale tensiunii de intrare
V V V V V V
GS in S in GS in
<< = . (7.21)
{n aceste condi\ii, varia\iile tensiunii de intrare se reg`sesc (pu\in atenuate) ca varia\ii ale poten\ialului
sursei, a]a cum se observ` [n desenul c, unde am desenat evolu\iile [n timp ale celor dou` poten\iale; am
ob\inut un circuit repetor. Avantajul lui esen\ial este c` intensitatea curentului absorbit de la sursa de
246 Electronic` - Manualul studentului
semnal este extrem de mic` (zeci de nA la frecven\` nul` ]i determinat` de capacitatea de intrare la frecven\e
mari).
Putem chiar s` calcul`m c[t de bine sunt repetate varia\iile de tensiune. Dac` presupunem c` varia\iile
lui V
in
sunt suficient de mici astfel [nc[t I I
D D
<<1, putem exprima varia\ia I
D
a curentului
de dren` cu ajutorul transconductan\ei calculate [n acel punct de func\ionare
I g V g V V
D m GS m in out
= = b g. Pe de alt` parte, varia\ia tensiunii de ie]ire este dat` de legea
lui Ohm V R I
out s D
= . Din cele dou` rela\ii rezult` amplificarea repetorului
A
V
V g R
V
out
in m S
= =
+

1
1 1 ( )
, (7.22)
[ntodeauna subunitar`.
De]i varia\iile lor sunt aproximativ egale, [ntre poten\ialul ie]irii ]i cel al intr`rii exist` un decalaj
(offset [n limba englez`), poten\ialul ie]irii fiind mai ridicat cu V V
GS P
< dec[t cel al intr`rii.
Pentru [ndeplinirea mai bun` a condi\iei (7.20), o solu\ie elegant`
este intercalarea [n circuitul sursei tranzistorului a unei surse de curent (pe
care tocmai am studiat-o), ca [n Fig. 7.27. Astfel, dreapta de sarcin` devine
practic orizontal`. Pentru a nu avea probleme cu complian\a sursei de
curent a trebuit s` utiliz`m o alimentare diferen\ial` (dou` surse de
alimentare, una pozitiv` fa\` de mas` ]i una negativ`).
Dac` tranzistoarele sunt perfect identice (acelea]i valori pentru V
P
]i
I
DSS
) ]i mut`m borna de ie]ire [n drena lui T
2
, se mai [nt[mpl` un miracol:
dispare decalajul dintre poten\ialele intr`rii ]i ie]irii. Acest lucru poate fi
explicat [n modul urm`tor. Ambele tranzistoare func\ioneaz` la acela]i
curent de dren` ]i, deci, vor avea obligatoriu aceea]i valoare a tensiunii
V
GS
poart`-surs`. Pe de alt` parte, cele dou` rezistoare sunt egale ]i sunt
parcurse de acela]i curent. Pentru c`, la tranzistorul T
2
, V I R
G D 2
0 = ,
acela]i lucru se va [nt[mpla ]i a tranzistorul T
1
, adic` poten\ialul V
out
va fi
egal cu poten\ialul V
in
. {n realitate, chiar dac` tranzistoarele sunt bine
[mperecheate, fiind realizate pe acela]i "chip" de siliciu, o mic` valoare a
decalajului r`m[ne.
2.E. Atenuatorul controlat
Am folosit de multe ori un divizor rezistiv pentru a produce o tensiune continu` de valoare
convenabil`. Acela]i dispozitiv poate fi utilizat, [ns`, ]i ca atenuator, pentru a aplica pe o rezisten\` de
sarcin` un semnal de tensiune de amplitudine mai mic` dec[t cel produs de generator (Fig. 7.28 a). O
aplica\ie standard este poten\iometrul de volum cu care regla\i intensitatea semnalului sonor la un
amplificator audio.
Dezavantajul poten\iometrului este c` atenuarea sa nu poate fi controlat` dec[t mecanic; dac` am dori
s-o control`m electronic, ne-ar trebui un motora] care s` roteasc` axul poten\iometrului. Tranzistoarele cu
efect de c[mp, datorit` regiunii lor de rezisten\` controlat`, permit realizarea unor atenuatoare controlate de
o tensiune electric`.
+V
DD
+
-
V
in
V
S1
R
R
-V
SS
V
out
T
1
T
2
V
S2
V
D2
V
G1
V
G2
+
-
+
-
R I
D
R I
D
Fig. 7.27. Repetor
perfec\ionat.
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 247
a)
out
in
R
1
0
0
R
2
b)
out
in
R
1
0
0
V
CONTR
( 0)
10 k
c)
out
in
R
1
V
CONTR
( 0)
10 k
1 M
1 M
Fig. 7.28. Atenuator cu divizor rezistiv (a) ]i atenuatoare cu tranzistor JFET (b) ]i (c).
Tot ce avem de f`cut este s` [nlocuim rezisten\a R
2
a divizorului cu tranzistorul FET ]i s` control`m
tensiunea sa poart`-surs` (desenul b al figurii). La valoarea nul` a tensiunii de control, tranzistorul prezint` o
rezisten\` de valoare minim`, egal`, conform rela\iei (7.16), cu V I
P DSS
( ) 2 . {n aceste condi\ii, [ntre
amplitudinile semnalelor de intrare ]i ie]ire avem rela\ia

V
V
R
R R
V
V I R
out
in
DS
DS
P
P DSS
=
+
=
+
1 1
2
. (7.23)
Pe de alt` parte, c[nd tensiunea de control, negativ`, ajunge la V
P
tranzistorul este blocat ]i pe
sarcin` se reg`se]te [ntregul semnal de intrare. La frecven\e mari se produce, totu]i, o atenuare datorit`
capacit`\ii tranzistorului.
Pentru a apropia ]i mai mult comportarea tranzistorului de aceea a unui rezistor, se poate utiliza
adunarea, peste tensiunea de control, a cantit`\ii V
DS
2 ca [n Fig. 7.28 c), a]a cum am discutat mai [nainte.
Chiar ]i cu acest truc, trebuie s` avem grij` ca amplitudinea semnalului s` nu fie mai mare de c[teva zecimi
de volt, altfel acesta va fi distorsionat datorit` dependen\ei neliniare I f V
D DS
= ( ).
248 Electronic` - Manualul studentului
Enun\uri frecvent utilizate
(at[t de frecvent [nc[t merit` s` le memora\i)
-Tranzistoarele JFET nu pot fi realizate dec[t av[nd canal ini\ial.
-Simbolurile utilizate pentru tranzistoarele JFET sunt
S
D
G
(canal n)
]i
S
D
G
(canal p)
; tot
ce urmeaz` se refer` la tranzistoare JFET cu canal n.
- Jonc\iunea poart`-surs` trebuie s` fie invers polarizat`; astfel, la tranzistoarele JFET av[nd
canal de tip n, tensiunea poart`-surs` trebuie s` fie negativ`.
- La tensiune poart`-surs` nul` V
GS
= 0 exist` un curent de poart`. La V
DS
mari se define]te
curentul I
DSS
pentru V
GS
= 0.
-Cu [nlocuirile V V
P T
]i I V K
DSS
P
2
, rela\iile de la JFET sunt identice cu cele de la
OSFET.
- Negativarea por\ii fa\` de surs` mic]oreaz` curentul de dren`, la V V
GS P
= acesta devenind
nul.
- Pentru tensiuni dren` surs` mari ]i valori ale tensiunii poart` surs` peste tensiunea V
P
(de
blocare) , caracteristica de transfer I f V
D GS
V
DS
=
=
( )
. const
este parabolic` I I V V
D DSS GS P
= 1
2
b g .
- Transconductan\a g I V
m D GS
= este propor\ional` cu comanda por\ii V V
GS P
sau, altfel
spus, cu radical din curentul de dren`.
- Caracteristicile de ie]ire I f V
D DS
V
GS
=
=
( )
. const
prezint` dou` regiuni distincte: la valori mici
ale tensiuii V
DS
tranzistorul se comport` ca un rezistor cu valoarea controlat` de tensiunea poart`-
surs` iar la tensiuni V
DS
mari tranzistorul se comport` ca o surs` de curent controlat` de tensiunea
poart`-surs`.
-Frontiera [ntre cele dou` regiuni se g`se]te aproximativ la V V V
DS GS P
= .
-{n regiunea de rezistor controlat, rezisten\a variaz` invers propor\ional cu comanda por\ii
V V
GS P
.
- La aceea]i tensiune de poart`, rezisten\a din regiunea de rezistor controlat este inversul
transconductan\ei din regiunea de surs` de curent.
- Datorit` regiunii de rezistor, tranzistoarele JFET se pot utiliza [n atenuatoare controlate de o
tensiune electric`.
-{n regiunea de surs` de curent controlat`, tranzistoarele JFET sunt utilizate ca surse de curent
sau repetoare pe surs`.
Avantajele generice ale tranzistoarelor cu efect de c[mp sunt:
-curentul de poart` extrem de mic [n regim de curent continuu (la MOSFET ajunge la 1 pA !);
-la tensiuni dren`-surse mici ele se comport` ca ni]te rezistoare controlate, put[nd fi utilizate ca
]i comutatoare analogice sau atenuatoare comandate;
-tranzistoarele MOSFET de putere ajung la rezisten\e [n starea ON de c[\iva m;
-tranzistoarele MOSFET de putere pot manipula curen\i de zeci de amperi ]i tensiuni de
ordinul kilovol\ilor, av[nd rezisten\e [n starea ON de c[tiva m;
-sunt mai stabile cu temperatura (vom reveni asupra acestui subiect [n capitolul urm`tor).
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 249
Termeni noi
-tensiune de blocare (strangulare) valoarea tensiunii poart`-surs` care, polariz[nd invers jonc\iunea
poart`-canal, produce anularea curentului de dren` (blocarea
tranzistorului);
-repetor pe surs` (source follower) circuit cu drena legat` la un poten\ial constant [n care varia\iile
poten\ialulului sursei sunt aproximativ egale ([ntodeauna mai
mici) cu varia\iile poten\ialului por\ii; [ntre cele dou` poten\iale
exist` un decalaj, aproximativ constant;
-atenuator controlat circuit similar unui divizor rezistiv [n care rezistorul legat la mas`
este [nlocuit cu un tranzistor cu efect de c[mp, operat [n regiunea
de rezisten\` controlat`, a c`rui rezisten\` R
DS
este comandat`
prin poten\ialul por\ii;
250 Electronic` - Manualul studentului
Problem` rezolvat`
Avem la dispozi\ie un tranzistor JFET care are canal n ]i ai c`rui parametri au fost
determina\i: experimental: V
P
= - 4V ]i I
DSS
=15 mA.
a) Ne propunem, mai [nt[i, s` proiect`m o surs` de curent care s` absoarb` spre mas`
2 mA..
b) Cu aceast` surs` de curent vom [mbun`t`\i performan\ele unui repetor pe surs`,
realizat cu un tranzistor identic. Va trebui s` alegem tensiunile de alimentare ]i s` stabilim
[n ce domeniu poate evolua tensiunea de intrare.
Rezolvare
a) Schema sursei de curent este cea din Fig. 7.29; va trebui s` determin`m valoarea
necesar` pentru rezisten\a R
S
. Avem la dispozi\ie ecua\ia caracteristicii de transfer a
tranzistorului
2 mA =15 mA
4 V
V
GS


F
H
G
I
K
J
1
2
;
de aici putem ob\ine valoarea necesar` pentru tensiunea V
GS
V
GS
= + = -4 V -1.46 V 2 15 1 d i .
Aceast` tensiune este produs` prin c`derea de tensiune pe rezisten\a R
S
; de aici rezult` imediat valoarea
acestei rezisten\e
R
S
= =
1.46 V
2 mA
730 .
b) Schema repetorului perfec\ionat este aceea prezentat` [n Fig.
7.27. O relu`m (Fig. 7.30), utiliz[nd sursa de curent gata proiectat` ]i
\in[nd seama c` cele dou` rezisten\e trebuie s` fie egale. Trecem pe
schem` tensiunile poart` surs` ]i c`derile de tensiune pe rezisten\e,
alegem valorile tensiunilor de alimentare ]i acum putem s` spunem
[ntre ce valori poate evolua tensiunea de intrare. Sursa tranzistorului T
2
este men\inut` la -15 V+1.46 V=-13.5 V. Pentru el, regiunea de
rezisten\` controlat` (care trebuie evitat`) [ncepe la
V V V
DS GS P
= = -1.46- (-4 V) = 2.54 V. {n concluzie, drena sa ar
putea cobor[ p[n` la -13.5+2.54=-11 V. Cum nu exist` decalaj [ntre
intrare ]i ie]ire, tragem concluzia c` poten\ialul intr`rii nu trebuie s`
coboare aproape de -11 V.
Tranzistorul T
1
lucreaz` [n acela]i punct de func\ionare; din
acest motiv, sursa sa nu trebuie s` urce la un poten\ial mai mare de
+ + V
DD
2.54 V 12.4 V. Cum poten\ialul intr`rii este cu -1.46 V
mai cobor[t dec[t poten\ialul sursei, rezult` c` poten\ialul intr`rii nu
trebuie s` urce aproape de +11 V.
R
S
V
S
2 mA
Fig. 7.29.
+15 V
+
-
V
in
V
out
T
1
T
2
+
-
+
-
730
730
1.46 V
1.46 V
-
+
1.46 V
-
+
1.46 V
-15 V
Fig. 7.30.
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 251
Probleme propuse
P 7.2.1. Un tranzistor JFET ce are canal n are caracteristica
de transfer din Fig. 7.31.
a) Determina\i I
DSS
]i V
P
.
b) {n jurul c`rui punct de func\ionare are tranzistorul
transconductan\a g
m
de valoare maxm` ]i care este aceast`
valoare ? {n ce regiune de func\ionare trebuie s` se g`seasc`
tranzistorul ]i c[t trebuie s` fie V
DS
?
c) La ce tensiune V
GS
are tranzistorul rezisten\a R
DS
de
valoare minim` ]i care este aceast` valoare ? {n ce regiune de
func\ionare trebuie s` se g`seasc` tranzistorul ]i c[t trebuie s` fie
V
DS
?
P 7.2.2. Calcula\i punctul static
de func\ionare al circuitului din Fig.
7.32, dac` tranzistorul are
caracteristica de transfer din Fig. 7.31 (utiliza\i metoda dreptei de sarcin`).
P 7.2.3. Un tranzistor JFET are parametrii (m`sura\i) I
DSS
= 3 mA ]i
V
P
= - 4 V; el este utilizat [n circuitul din Fig. 7.24 a). Determina\i ce rezisten\`
trebuie s` mont`m [n circuitul sursei, pentru a ob\ine un curent I
D
=1 mA.
P 7.2.4. Dup` ce a\i calculat ]i montat rezisten\a, a\i luat, din gre]eal` un
alt exemplar din cutia cu tranzistoare. Acesta are parametrii I
DSS
=1 mA 5 ]i
V
P
= - 1 V. Ce valoare va avea curenul de dren` [n locul celei impuse de 1 mA
?
P 7.2.5. Circuitul de la problema P 7.2.3
este utilizat ca repetor pe surs` (Fig. 7.33),
tensiunea de intrare av[nd varia\ii mici.
a) Calcula\i decalajul [ntre tensiunea de intrare ]i cea de ie]ire.
b) Determina\i amplificarea repetorului.
P 7.2.6. Tensiunea de intrarea a repetorului din problema precedent` a
crescut at[t de mult [nc[t tensiunea V
GS
a ajuns aproape zero.
a) C[t este valoarea tensiunii de intrare la care se [nt[mpl` acest lucru ?
b) Recalcula\i amplificarea repetorului pentru varia\ii mici [n jurul
acestui nou punct de func\ionare.
c) Compara\i cele dou` amplific`ri ]i trage\i o concluzie asupra
distorsiunilor produse de repetor dac` tensiunea de intrare are o excursie prea
mare.
P 7.2.7. Circuitul din Fig. 7.34 este un repetor perfec\ionat, care are montat` [n surs` o surs` de
curent. Presupun[nd ambele tranzistoare identice, cu I
DSS
= 5 mA ]i V
P
= - 2 V, determina\i valoarea
necesar` pentru cele dou` rezisten\e (identice). C[t va fi decalajul dintre tensiunea de ie]ire ]i cea de
intrare ?
P 7.2.8. {ntre ce limite poate varia tensiunea de intrare cu condi\ia ca nici unul din tranzistoare s` nu
ajung` [n regiunea de rezisten\` controlat` ? (revede\i problema rezolvat`)
-3 -2 -1 0
0
5
10
15
V
GS
(V)
I
D
(mA)
Fig. 7.31.
+ 15 V
240 1 M
1.5 k
Fig. 7.32.
+V
DD
R
S
V
S
+
-
V
in
out
V
out
=
V
GS
Fig. 7.33.
252 Electronic` - Manualul studentului
P 7.2.9. At[t [n problema precedent` c[t ]i [n cea rezolvat`, calculul
domeniului maxim admis pentru tensiunea de intrare a fost f`cut de la
[nceput numeric. Din aceast` cauz`, am sc`pat un rezultat interesant.
Relua\i calculul p`str[nd tensiunea V
P
ca variabil` literal` (simbolic`) ]i
[ncerca\i s` ar`ta\i c` limitele acestui domeniu sunt + V V
DD P
]i
+ V V
SS P
.
P 7.2.10. La atenuatorul controlat
din Fig. 7.35 tensiunea de control poate fi
modificat` [ntre zero ]i o valoare negativ`,
mai mare [n valoare absolut` dec[t
V
P
= -3 V. }tiind, [n plus, c` tranzistorul
are I
DSS
=10 mA, calcula\i [ntre ce
limite poate fi controlat` atenuarea, definit`
ca V V
in out
. {ntre ce limite
aproximative trebuie s` evolueze
poten\ialul intr`rii pentru ca tranzistorul s`
se comporte ca o rezisten\` ?
+15 V
+
-
V
in
V
out
T
1
T
2
-15 V
R
R
V
DD
V
SS
+
-
Fig. 7.34.
out
in
V
CONTR
( 0)
10 k
Fig. 7.35.
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 253
Lucrare experimental`
Experimentul 1. Caracteristica de transfer
Desena\i pe caiet circuitul din Fig. 7.36 ]i stabili\i sensurile curen\ilor ]i polarit`\ile necesare pentru
aparatele de m`sur`. Divizorul rezistiv este utilizat pentru a putea controla mai fin tensiunea de poart` din
butonul de reglaj al sursei V
A1
. Voltmetrul nu a fost legat chiar [n poart` pentru a nu fi neap`rat necesar ca el
s` fie electronic (justifica\i de ce !).
D
S
G
1 M
mA
+
-
+
-
V
A1
V
A2
0 - 10 V
0 - 15 V
V
10 k
5 k
Fig. 7.36. Montaj experimental pentru trasarea caracteristicilor statice.
Realiza\i circuitul. {ncepe\i experimentul, determin[nd curentul I
DSS
definit la V
GS
= 0. Pentru a fi
siguri c` ave\i o tensiune poart`-surs` nul` (unele surse de alimentare nu coboar` exact la zero) desface\i
firele care merg la sursa V
A1
]i lega\i-le [n scurtcircuit. Comuta\i miliampermetrul legat [n dren` pe scala de
30 mA ]i stabili\i V
DS
= 10 V. Nota\i-v` valoarea paramtrului I
DSS
al tranzistorului.
Desface\i acum scurtcircuitul ]i conecta\i sursa de alimentare V
A1
(aten\ie la polaritate, ea trebuie s`
fie negativ` fa\` de mas`). Cre]te\i ([n valoare absolut`) tensiunea pe poart` observ[nd [nchiderea progresiv`
a tranzistorului. Nota\i-v` tensiunea de prag, la care curentul de dren` devine nul.
Ridica\i caracteristica I f V
D GS
= ( ) ob\in[nd 10 -12 puncte experimentale, ]i desena\i-o [n scar`
liniar` (graficul va fi [n cadranul doi). Pentru verificarea rela\iei p`tratice I f V
D GS
= ( ), cel mai simplu este
s` reprezent`m grafic I I f V
D DSS GS
= ( ) , pentru c` ar trebui s` ob\inem a linie dreapt`. Face\i acest
lucru ]i formula\i o concluzie asupra valabilit`\ii acestei rela\ii.
Relua\i determinarea tensiunii de prag ]i a caracteristicii, pentru o tensiune dren`-surs` de 15 V.
Desena\i-o [n scar` liniar`, pe acela]i grafic cu cea trasat` la V
DS
=10 V. Cum afecteaz` tensiunea dren`-
surs` caracteristica de transfer ? Este important` valoarea V
DS
atunci c[nd se d` parametrul I
DSS
?
Determina\i transconductan\a din panta graficului caracteristicii de transfer, la V
GS
= 0 V ]i la
I
D
=1 mA. La aceast` ultim` valoare a curentului, un tranzistor bipolar are o transconductan\` de
g
m
=1 mA 25 mV = 40 mS. Cum este, fa\` de aceasta, transconductan\a tranzistorului JFET ?
254 Electronic` - Manualul studentului
Experimentul 2. Caracteristica de ie]ire
Polariza\i poarta la V V
GS P
= + 0 V .2 . Ridica\i caracteristica de ie]ire I f V
D DS V const
GS
=
=
( )
.
modific[nd tensiunea dren`-surs` [ntre zero ]i 10 vol\i. Repeta\i, apoi, experimentul, pentru
V V
GS P
= + 0 V .4 ]i V V
GS P
= + 0 6 . V. Desena\i cele trei caracteristici pe un singur grafic, [n scar`
liniar`. Marca\i pe fiecare din cele trei caracteristici punctul care are coordonata V
DS
egal` cu valoarea
V V
GS P
corespunz`toare acelei caracteristici. Pute\i trage o concluzie asupra frontierei aproximative dintre
regiunea de satura\ie ]i cea de rezisten\` controlat` ?
Experimentul 3. Repetorul pe surs`
Ve\i utiliza acum un repetor pe surs` cu JFET [ntr-o aplica\ie tipic`: urm`rirea evolu\iei [n timp a unui
poten\ial, absorbind un curent c[t mai mic din acel nod pentru a nu perturba starea circuitului. Vom investiga
desc`rcarea unui condensator de 1 F (Fig. 7.37 a). La ap`sarea butonului B, condensatorul se [ncarc` rapid
prin rezisten\a de 1 k la tensiunea de 5 V. {ncet[nd ap`sarea butonului, condensatorul r`m[ne izolat de
restul circuitului ]i se va dec`rca extrem de [ncet prin rezisten\a "de pierderi" a dielectricului, pe cae am
figurat-o cu linie puncatat`. Am dori s` vizualiz`m cu osciloscopul acest proces de desc`rcare. Pentru
aceasta, trebuie s` conect`m [n punctul M sonda osciloscopului iar masa sa la masa circuitului.
B
+10 V
+5 V
1 k
1 F
sonda
osciloscopului
B
+10 V
+5 V
1 k
1 F
R
s
out
+10 V
in
a) b)
M
M
Fig. 7.37. Vizualizarea dec`rc`rii unui condensator.
Amplificatorul de intrare al osciloscopului va extrage, [ns`, curent din condensator. Rezisten\a
echivalent` a intr`rii amplificatorului este notat` pe carcasa osciloscopului : 1 M. Din acest motiv, [n
momentul ini\ial, curentul absorbit a fi I
ini
= 5 V 1 M = 5 A . Datorit` acestui curent, tensiunea pe
condensator va [ncepe s` scad` cu o vitez` ini\ial`
V t I C
ini
= = = 5 A 1 F 5 V s ,
vitez` care va deveni din ce [n ce mai mic`, pe m`sur` ce condensatorul se descarc`.
Alimenta\i plan]eta, cupla\i sonda osciloscopului la condensator ]i [ncerca\i s` estima\i viteza ini\ial`
de varia\ie a tensiunii, ap`s[nd ]i relax[nd butonul de [nc`rcare. M`sura\i apoi timpul necesar desc`rc`rii
(considera\i c` s-a desc`rcat c[nd tensiunea coboar` sub o zecime din valoarea ini\ial`).
Pentru a ]ti dac` sonda perturb` semnificativ desc`rcarea condensatorului, relua\i experimentul, dar cu
o procedur` modificat`. Desface\i sonda de la condensator, [nc`rca\i-l ]i apoi l`sa\i-l s` se descarce "singur"
(f`r` sond`) un timp de c[teva zeci de secunde. Apoi conecta\i sonda ]i nota\i-v` valoarea ini\ial` a tensiunii.
Cap. 7. Tranzistoare cu efect de c[mp 255
Aminiti\i-va c` [n experimentul precedent, [n acest interval de timp, condensatorul s-ar fi descarcat aproape
complet prin rezisten\a de intrare a osciloscopului.
A venit momentul s` utiliz`m repetorul cu JFET. Conecta\i sonda la ie]irea sa (sursa tranzistorului) iar
intrarea (poarta) conecta\i-o la condensator, ca [n desenul b) al figurii. Ap`sa\i butonul de [nc`rcare, care face
ca tensiunea pe condensator s` devin` 5 V. F`r` s` [nceta\i ap`sarea butonului, m`sura\i tensiunea pe care o
arat` osciloscopul la ie]irea repetorului. Nota\i-v` valoarea sa. De ce este mai mare dec[t tensiunea dec[t 5 V
? Ridica\i degetul de pe buton ]i urm`ri\i desc`rcarea condensatorului. Repeta\i experimentul ]i [ncerca\i s`
estima\i viteza de varia\ie a tensiunii. De aici, utiliz[nd formula precdent`, estima\i curentul de desc`rcare
al condensatorului. Ce pute\i spune despre m`rimea curentului de poart` ?
Experimentul 4. Atenuatorul controlat ]i modula\ia de amplitudine
Ave\i pe plan]et` un atenuator controlat, cu schema din Fig. 7.38. Alimenta\i plan]eta ]i apoi
determina\i cu osciloscopul frecven\a ]i amplitudinea (v[rf la v[rf) a semnalului produs de generatorul de
semnal, care este aplicat la intrarea atenuatorului. Lega\i poarta tranzistorului la poten\iometru, muta\i sonda
osciloscopului la ie]ire ]i urm`ri\i modificarea amplitudinii, atunci c[nd varia\i tensiunea de control a
atenuatorului, cu ajutorul poten\iometrului.
generator de
semnal
-10 V
+10 V
GND
+
-
+
-
alimentarea
plansetei
A
-10 V
Pot.
V
CONTR
out
10 k
in
1 M
1 M
Fig. 7.38.
Determina\i [ntre ce limite se modifc` atenuarea (raportul [ntre amplitudinile de la intrare ]i ie]ire) ]i
calcula\i, de aici, rezisten\a minim` a tranzistorului.
Modificarea atenu`rii o putea\i face ]i prin montarea unei rezisten\e reglabile [n locul tranzistorului.
Atenuatorul cu tranzistor v` permite, [n plus, controlul electronic al atenu`rii (prin varia\ia unei tensiuni). Pe
aceea]i plan]et` mai ave\i un generator de semnal, cu frecven\` mult mai cobor[t` ]i form` de und` aproape
triunghiular`. Desface\i poarta tranzistorului de la poten\iometru ]i lega\i-o la ie]irea acestui generator de
semnal, ca [n Fig. 7.39. De data aceasta, generatorul de semnal B va face ce a\i fi f`cut dumneavoastr` dac`
a\i fi modificat mereu [nainte ]i [napoi pozi\ia poten\iometrului: amplitudinea semnalului de la ie]ire se va
modifica periodic [n timp.
256 Electronic` - Manualul studentului
Vizualiza\i cu osciloscopul semnalul dat de generatorul B ]i desena\i-l pe caiet. Muta\i, apoi, sonda
osciloscopului la ie]irea atenuatorului ]i observa\i ce se [nt[mpl`. Formula\i o concluzie.
Se spune c` semnalul de la intrare a fost modulat [n amplitudine de c`tre semnalul produs de
generatorul B, de frecven\` mult mai mic`. Modula\ia [n amplitudine (prescurat MA [n romn` ]i AM [n
englez`) st` la baza transmiterii radiofonice [n benzile de unde lungi, medii ]i scurte. Acolo, un semnal
sinusoidal, de frecven\` ajung[nd p[n` la c[\iva MHz, numit purt`toare (carrier [n englez`) este modulat [n
amplitudine de c`tre semnalul sonor care variaz` mult mai lent, av[nd componente doar p[n` la 20 kHz.
Motivul este acela c` oscila\iile electromagnetice de frecven\e mari pot fi mult mai u]or transmise ]i
recep\ionate dec[t cele de frecven\e mici.
out
in
10 k
generator de
semnal
A
generator de
semnal
B
100k
10 nF
D (germaniu)
demodulator MA
1 M
1 M
Fig.7.39.
La recep\ie, trebuie efecuat` opera\ia invers`, demodula\ia de amplitudine. Un circuit simplu care
realizeaz` aceast` func\ie este cel prezentat [n figur`. Conecta\i-l la ie]irea atenuatorului ]i verifica\i c` el
reface aproximativ semnalul produs de generatorul B.

S-ar putea să vă placă și