CAPITOLUL

Efectul temperaturii asupra

caracteristicilor dispozitivelor
semiconductoare
2 mV
dreapta de
sarcina
la temperatura

la temperatura
+ 1 grad
M
N
I
C
V
BE
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
polarizare fix`
polarizare colector-baz`
I
C
I
C
(o)

(o)
aici a fost proiectat
s` func\ioneze circuitul
divizor rezistiv [n baz` ]i rezistor [n emitor
polarizare fix`
cu rezistor [n emitor
A. Termistori 258
B. Diode semiconductoare 259
C. Tranzistoare bipolare 262
D. Tranzistoare cu efect de c[mp 275
Probleme rezolvate 279, probleme propuse 283
Lucrare experimental` 284
258 Electronic` - Manualul studentului
Mecanismul conduc\iei [n semiconductoare este diferit de acela al conduc\iei [n metale. Din acest
motiv, [n timp ce la metale modificarea temperaturii are un efect foarte slab asupra conductivit`\ii (varia\ii de
c[teva miimi pe grad), caracteristicile dispozitivelor semiconductoare sunt influen\ate mult mai puternic de
temperatur`. {n general, acesta este un inconvenient important [n utilizarea lor [n circuitele electronice, mai
ales [n cazul tranzistoarelor ]i al amplificatoarelor integrate. {n anumite situa\ii [ns`, cum este cazul
termistorilor ]i, mai rar, al diodelor, efectul temperaturii este utilizat pentru ob\inerea unor senzori de
temperatur`.
A. Termistori
Termistorii sunt elemente de circuit cu dou`
borne (dipoli), utiliza\i pentru c` rezisten\a lor
depinde puternic de temperatur`. Cei mai comuni
sunt aceia la care rezisten\a scade cu temperatura,
av[nd coeficientul de temperatur`

R
R T
negativ,
numi\i [n limba englez` NTC (Negative
Temperature Coefficient) thermistors. {n anumite
aplica\ii se [nt[lnesc, [ns`, ]i termistori cu coeficient
de temperatur` pozitiv (PTC thermistors).
Ne vom referi [n continuare numai la
termistorii NTC; ei sunt construi\i din materiale
semiconductoare intrinseci (oxid de mangan, oxid de
cupru, oxid de zinc, etc.). Dac` temperatura [n tot
volumul termistorului ar fi men\inut` constant`,
termistorul ar avea o comportare de rezistor;
rezisten\a sa variaz`, [ns`, puternic cu temperatura.
Aceast` dependen\` este destul de bine descris` de rela\ia
R R e
B
T T
=

F
H
G
I
K
J
0
1 1
0
(8.1)
unde T este temperatura [n K, R
0
este rezisten\a termistorului la temperatura T
0
iar B este o constant` ce
depinde de material ]i tehnologia de fabrica\ie, av[nd valori [n jur de 4000 K. {n Fig. 8.1 este reprezentat`
grafic dependen\a de temperatur` a unui astfel de termistor; pentru comoditatea interpret`rii axa
temperaturilor a fost marcat` [n grade Celsius.
Coeficientul de temperatur`, definit ca

R
R T
, este aproximativ constant, astfel c`
rezisten\a unui termistor NTC scade cu aproximativ 4 % pe grad, [njum`t`\indu-se la o [nc`lzire de 15-
20
o
C.
Temperatura termistorului se poate modifica datorit` varia\iei temperaturii ambiante (a corpului cu
care este [n contact termic), termistorul fiind utilizat [n aceast` situa\ie ca senzor de temperatur`. Datorit`
sensibilit`\ii sale termice ridicate, el este preferat atunci c[nd trebuie sesizate varai\ii foarte mici de
20 30 40 50 60 70 80 90 100
0.0
2.0k
4.0k
6.0k
8.0k
10.0k
temperatura ( C)
o
R ( )
Fig. 8.1. Dependen\a de temperatur` a
rezisten\ei unui termistor NTC.
Cap. 8. Dependen\a de temperatur` a caracteristicilor 259
dispozitivelor semiconductoare
temperatur` (de exemplu, sisteme de termostatare care men\in temperatura constant` [n limita a 10
-5
grade
sau m`surarea [nc`lzirii produse la absorb\ia unei radia\ii electromagnetice). Din acela]i motiv, utilizarea
unui senzor de temperatur` cu termistor este o solu\ie bun` atunci c[nd electronica de prelucrare trebuie s` fie
simpl`. Pe de alt` parte, termistorul este utilizat [n anumite circuite unde varia\ia cu temperatura a rezisten\ei
sale compenseaz` efectele nedorite ale varia\iei cu temperatura a caracteristicilor altor componente ([n
special tranzistoare). Dezavantajele sale ca senzor de temperatur` sunt legate de puternica neliniaritate a
varia\iei temperaturii (Fig. 8.1) ]i abaterile de la expresia simpl` (8.1).
Dac` termistorul este parcurs de un curent electric, o alt` cauz` a varia\iei temperaturii sale o
constituie auto[nc`lzirea datorit` puterii disipate prin efect Joule. C[nd termistorul este utilizat ca senzor de
temperatur`, acest efect trebuie s` fie f`cut negliabil prin m`surarea rezisten\ei sale cu un curent "de
interogare" c[t mai mic.
Exist` [ns` ]i aplica\ii care folosesc sc`derea rezisten\ei prin auto[nc`lzire. Dac` temperatura ambiant`
este men\inut` constant` iar curentul care [l str`bate este suficient de mare ca s`-i modifice semnificativ
temperatura "intern`", caracteristica static` I f U = ( ) se modific`, ap`r[nd o regiune cu rezisten\` dinamic`
negativ`.
B. Diode semiconductoare
Caracteristica static` a unei diode semiconductoare este descris` de rela\ia
I I e
s
V
mV
T
= ( ) 1 (8.2)
unde I
s
este curentul invers de satura\ie, V k T e
T B
= este poten\ialul termic (k
B
constanta Boltzman, T
temperatura absolut`, e sarcina electronului). La temperatura camerei, poten\ialul termic, propor\ional cu
temperatura [n kelvin, este de aproximativ 25 mV. Coeficientul de emisie m are valoarea 1 pentru diodele cu
germaniu ]i aproape 2 pentru cele cu siliciu. {n regiunea V V
T
>> , unde dioda este deschis`, I I
s
>> ]i
rela\ia anterioar` devine
I Ie
s
V
mV
T
. (8.2')
Logaritm[nd [n baza zece ob\inem
log .
I
I
V
mV
s T
= 0 43 (8.3)
adic` o rela\ie liniar`; valoarea curentului cre]te de zece ori la fiecare varia\ie a tensiunii egal` cu
2 30 . mV
T
.
{n Fig. 8.1 sunt reprezentate caracteristicile statice (cu intensitatea [n scar` logaritmic`) pentru o diod`
cu germaniu ]i una cu siliciu; a]a cum prezice rela\ia (8.3), graficele sunt (aproximativ) linii drepte. Se
observ` pantele diferite datorate valorilor lui m ]i curentul de satura\ie mult mai mare la dioda cu germaniu.
260 Electronic` - Manualul studentului
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
temperatura: 27 grade C
curentul (mA)
tensiunea (V)
siliciu
germaniu
m= 1
m 2
0.1 0.2 0.3 0.4
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
curentul (mA)
tensiunea (V)
80 C
o
60 C
o
40 C
o
20 C
o
dioda cu germaniu
a)
b)
Fig. 8.2. Caracteristici statice pentru o diod` cu germaniu ]i una cu siliciu (a) ]i dependen\a de
temperatur` a caracteristicii pentru o diod` cu germaniu (b).
La prima vedere s-ar p`rea c` dependen\a de temperatur` a caracteristicii statice este una simpl`:
cre]terea poten\ialului termic V
T
propor\ional cu temperatura ar mic]ora panta caracteristicilor din
Fig. 8.2 a), rotind dreptele [n sensul orar. Lucrurile sunt mai complicate, deoarece curentul de satura\ie I
s
nu
este constant ci cre]te cu temperatura. Astfel, [n afara rota\iei, dreptele sufer` ]i o transla\ie [n sus.
Pentru germaniu, dependen\a curentului de satura\ie are expresia
I KT e KT e
s
V
T T

2
0 78
2
9000
. V
; (8.4)
rezult`, de aici, un coeficient de varia\ie de 11% pe grad. La dioda real` apar, [ns`, ]i alte componente ale
curentului I
s
, care au o varia\ie mai lent` cu temperatura. Din acest motiv,
dependen\a m`surat` a curentului invers de satura\ie la diodele cu germaniu pune [n eviden\` o varia\ie a
acestuia de aproximativ 7 % pe grad, adic` o dublare a sa la fiecare varia\ie de 10 grade.
Combin[nd efectul asupra lui I
s
cu efectul factorului e
V V
T
, varia\ia caracteristicii cu temperatura,
pentru o diod` cu germaniu [n conduc\ie direct`, poate fi urm`rit` pe Fig. 8.2 b). Efectul varia\iei lui I
s
este
dominant: dac` men\inem tensiunea constant` curentul cre]te practic exponen\ial cu temperatura,
dubl[ndu-se la fiecare cre]tere cu 10 grade. Putem privi lucrurile, [ns`, ]i altfel:
men\in[nd curentul constant, ob\inem o sc`dere a tensiunii pe diod` de aproximativ 2 mV pe grad.
Din grafic rezult` c` dependen\a tensiunii cu temperatura este suficient de liniar` pentru ca dioda s` fie
utilizat` ca termometru de performan\e modeste.
Cap. 8. Dependen\a de temperatur` a caracteristicilor 261
dispozitivelor semiconductoare
Pentru diodele cu siliciu, recombinarea golurilor cu electronii are loc predominant [n zona de trecere;
din acest motiv, curentul de satura\ie depinde de temperatur` conform rela\iei
I KT e KT e
s
V
T T
= =

15
1
2 15
6900
. .
.21 V
(8.5)
care determin` o cre]tere de aproximativ 8% pe grad.
{n conduc\ie direct` at[t dependen\a lui I
s
c[t ]i factorul e
V V
T
( ) 2
afecteaz` caracteristica static`, a]a
cum se observ` [n Fig. 8.3. La cre]terea temperaturii, m`rirea lui I
s
produce o transla\ie [n sus a
caracteristicii, pe c[nd factorul e
V V
T
( ) 2
determin` o rotire a ei [n sens orar, mic]or[ndu-i panta. La
temperaturi apropiate de temperatura camerei, men\in[nd constant` tensiunea pe diod` ob\inem o varia\ie a
curentului de aproximativ 7 % pe grad, aproape egal` cu cea de la diodele cu germaniu. Dac` se men\ine
constant curentul, tensiunea pe diod` scade aproximativ liniar cu cre]terea temperaturii; pentru curen\i
de ordinul miliamperilor
la curent constant, sc`derea tensiunii pe diodele cu siliciu este de aproximativ 2 mV pe grad, ca ]i la cele cu
germaniu.
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10 curentul (mA)
tensiunea (V)
40 C
o
20 C
o
60 C
o
80 C
o
Fig. 8.3. Influen\a temperaturii asupra caracteristicii unei diode cu siliciu.
{n concluzie
indiferent de tipul lor, [n conduc\ie direct`, la tensiune constant`, curentul diodelor cre]te practic
exponen\ial cu temperatura, cu aproximativ 7 % pe grad, dubl[ndu-se la fiecare [nc`lzire cu 10 grade.
Dac` se men\ine curentul constant, tensiunea pe diod` scade liniar cu temperatura cu aproximativ
2 mV pe grad.
262 Electronic` - Manualul studentului
C. Tranzistoare bipolare
Tranzistorul [ndepline]te func\ia unui robinet controlat. M`rimea pe care o controleaz` este
intensitatea curentului de colector iar controlul se efectueaz` prin polarizarea direct` a jonc\iunii emitor
baz`.
S` vedem, [n c[teva aplica\ii tipice, de ce curentul de colector trebuie s` fie stabil [n raport cu
temperatura ambiant`. Circuitul din Fig. 8.4 a) trebuie s` amplifice de 300 de ori varia\ii de tensiune cu
frecven\a peste 20 Hz ]i amplitudini de ordinul milivoltului. Dac` a fost proiectat corect, [n absen\a
semnalului de intrare poten\ialul colectorului se g`se]te undeva pe la jum`tatea tensiunii de alimentare, s`
zicem la 8 V; aplic[nd semnalul de intrare, poten\ialul colectorului va evolua [n jurul nivelului de 8 V cu
amplitudini de ordinul a 0.3 V. Condensatorul de ie]ire blocheaz` componenta continu` ]i pe sarcin` ajung
numai varia\iile, de data aceasta ele efectu[ndu-se [n jurul nivelului de 0 V. Cre]terea prin [nc`lzire a
curentului de colector coboar` nivelul mediu al poten\ialului de colector, dar semnalul de pe sarcin` va
continua s` fie o versiune amplificat` a semnalului de intrare; sarcina nu va sesiza c` se [nt[mpl` ceva cu
tranzistorul. Dac` [ns` cre]terea curentului de colector este prea mare, poten\ialul colectorului coboar`
aproape de nivelul masei ]i tranzistorul intr` [n satura\ie [ncet[nd s` amplifice. Cum nivelul ini\ial era la
jum`tatea tensiunii de alimentare
o dublare a curentului de colector aduce cu siguran\` tranzistorul [n satura\ie, sco\[nd din uz amplificatorul.
T
0
V
alim
+15 V
R
C
8 V
C
2
0
V
out
a)
b)
+60 V
difuzor
T
1
T
2
R
1
R
2
R
3
I
H
I
H
sarcina
Fig. 8.4. Amplificator cu emitorul comun (a) ]i amplificator de putere [n contratimp (b).
Nu trebuie s` ajungem p[n` acolo pentru ca efectele s` ne deranjeze. Vom vedea c` la acest circuit
amplificarea varia\iilor de tensiune este propor\ional` cu valoarea medie a curentului de colector. Astfel,
[nc`lzirea tranzistorului va produce m`rirea amplitudinii varia\iilor care ajung pe sarcin`, lucru cu totul
nepl`cut, mai ales dac` utilz`m amplificatorul [ntr-un lan\ de m`sur`. Chiar [n cazul unui amplificator audio,
o varia\ie de c[teva procente a curentului de colector este tot ce putem accepta.
Situa\ia se schimb` dramatic dac` ceea ce dorim s` amplific`m pentru a m`sura este un nivel de
tensiune continu`. {n acest caz nu mai putem separa, cu un condensator, semnalul util de regimul de
polarizare pentru c` ambele au aceea]i frecven\` : 0 Hz. Vom vedea c` o modificare cu 10 % a curentului de
colector este echivalent` cu o varia\ie a semnalului de 2 mV. C[nd trebuie s` sesiz`m semnale [ntr-adev`r
Cap. 8. Dependen\a de temperatur` a caracteristicilor 263
dispozitivelor semiconductoare
mici (un termocuplu ofer` [n jur de 50 V pe grad), curentul de colector ar trebui s` varieze cu temperatura
cu mult mai pu\in de 0.1 la sut`.
Dac` [nc`lzirea producea doar inutilitatea amplificatoarelor discutate p[n` acum, pentru tranzistoarele
din amplificatorul de putere desenat [n Fig. 8. 4 b) stabilitatea termic` este o chestiune de via\` ]i de moarte.
F`r` semnal, circuitul de polarizare asigur` trecerea unui curent de valoare mic` (c[\iva mA) prin cele dou`
tranzistoare c`tre mas`. Principiul de func\ionare al amplificatorului se bazeaz` pe deschiderea pe r[nd a
tranzistoarelor de c`tre semnalul alternativ aplicat la intrare, curentul, cu amplitudinea de ordinul amperilor,
trec[nd prin condensatorul de ie]ire spre difuzor. Astfel, pe tranzistoare se disip` o putere apreciabil`, de
ordinul zecilor de W, care produce [nc`lzirea lor. Cre]terea temperaturii deschide simultan ambele
tranzistoare ]i un curent important I
H
[ncepe s` circule de la alimentarea pozitiv`, prin cele dou`
tranzistoare, spre mas`. Puterea disipat` cre]te suplimentar cu I V
H alim
]i tranzistoarele se [nc`lzesc ]i mai
mult: avem o reac\ie pozitiv` de natur` termic`. A]a cum am v`zut, dac` gradul reac\iei pozitive dep`]e]te
un anumit prag sistemul devine instabil; [n cazul nostru temperatura cre]te foarte rapid ]i procesul se sf[r]e]te
prin distrugerea tranzistoarelor, deoarece curentul I
H
nu este limitat de nici o rezisten\`.. Aceasta este
ambalarea termic` (thermal run-away [n englez`) . Pentru a o pre[nt[mpina, [n vremurile c[nd se mai
utilizau tranzistoare cu germaniu, [n locul rezisten\ei R
2
se conectau [n serie doi termistori NTC [n foarte
bun contact termic cu capsulele tranzistoarelor. La [nc`lzirea excesiv` a acestora, rezisten\a termistorilor
sc`dea puternic, mic]or[nd tensiunile baz`-emitor ale tranzistoarelor ]i [ncerc[nd s` le blocheze. De multe
ori, [ns`, cre]terea temperaturii interne a tranzistoarelor, datorat` reac\iei pozitive, era at[t de rapid` [nc[t p[n`
la [nc`lzirea termistorilor tranzistoarele erau deja distruse.
Observa\ie: {n Fig. 8.4 am notat tensiunea de alimentare, ca ]i [n capitolele anterioare, cu V
alim
. Acest
manual fiind unul introductiv, am preferat s` facem acest lucru pentru a reduce la minimum riscul unor
confuzii. {n schemele profesionale, tensiunea de alimentare pozitiv` a circuitelor ce con\in tranzistoare
bipolare este notat` cu +V
CC
. Sunt dou` aspecte implicate [n aceast` conven\ie. {n primul r[nd,
dublarea indicelui unei tensiuni este rezervat` exclusiv tensiunilor de alimentare.; at[t pentru litera V c[t ]i
pentru indici se folosesc majuscule deoarece este vorba de o tensiune continu`.
{n al doilea r[nd, [n cazul circuitelor cu tranzistoare bipolare tensiunea pozitiv` are indicele "CC" pentru c`
cele mai utilizate tranzistoare sunt cele de tip npn, la care colectorul este legat` spre alimentarea pozitiv`.
Tensiunea pozitiv` se noteaz` cu +V
CC
chiar ]i [n cazul [n care circuitul nu con\ine dec[t tranzistoare de tip
pnp, care au emitoarele legate spre alimentarea pozitiv`. Pentru simetria nota\iei, dac` circuitul are ]i o
alimentare negativ` fa\` de mas`, tensiunea ei este notat` cu V
EE
.
La modificarea temperaturii sau schimbarea tranzistorului cu alt exemplar, curentul de colector se
schimb`. Circuitul de polarizare [ncearc` s` "impun`" tranzistorului valoarea unei anumite m`rimi de
control, care s` r`m[n` constant`. Dup` configura\ia circuitului de polarizare, aceast` m`rime men\inut`
constant` poate fi curentul de emitor, curentul de baz` sau tensiunea pe jonc\iunea emitor-baz`. {n oricare din
aceste situa\ii suntem interesa\i ca modificarea temperaturii s` aib` un efect c[t mai mic asupra m`rimii
controlate, care este curentul de colector. Vom analiza, pe r[nd, aceste variante, identific[nd modul [n care
temperatura afecteaz` curentul de colector.
264 Electronic` - Manualul studentului
i) Curentul de emitor este men\inut constant
{n func\ionare normal`, jonc\iunea emitor-baz`
este polarizat` direct iar jonc\iunea colector-baz` este
polarizat` invers, a]a cum se vede pe desenul din
Fig. 4 a). Curentul de colector are dou` componente
I I I
C E CB
= +
0
. (8.6)
Prima component`, egal` cu I
E
, este
determinat` de curentul de emitor, unde factorul este
subunitar dar foarte apropiat de unitate (efectul de
tranzistor). Peste aceasta se suprapune curentul invers al
jonc\iunii colector baz`, invers polarizat`, care se poate
m`sura cu circuitul din desenul b), l`s[nd emitorul [n
gol; cum tensiunea invers` este [n valoare absolut` mult
mai mare dec[t V
T
25 mV, acesta este practic
curentul invers de satura\ie al jonc\iunii.
S` presupunem c` circuitul de polarizare men\ine
curentul de emitor constant. {n aceste condi\ii, efectul
temperaturii asupra curentului de colector se poate
manifesta numai prin intermediului factorului sau al
curentului I
CB0
. Factorul are valori foarte apropiate
de unitate iar varia\iile sale relative cu temperatura sunt
doar de c[teva procente la o varia\ie [ntre 20
o
C ]i 100
o
C.
Spre deosebire de acesta, curentul I
CB0
are o
dependen\` de temperatur` extrem de puternic`. El este
curentul invers de satura\ie al unei jonc\iuni ]i ne
a]tept`m la o comportare asem`n`toare celei [nt[lnite la
studiul diodelor pentru m`rimea I
s
, exprimat` de
rela\iile (8.4) ]i (8.5): o cre]tere aproape exponen\ial`.
Graficele din Fig. 8.5 , trasate pentru dou` tranzistoare de
putere mic`, confirm` acest lucru; [n plus, se observ` c`,
chiar la temperaturi apropiate de 100
o
C, curentul I
CB0
,
este neglijabil pentru tranzistoarele cu siliciu, deoarece
ajunge doar la 1 nA [n timp ce curen\ii de colector de
repaus sunt cel pu\in de ordinul a 100 A. La tranzistorul cu germaniu, curentul I
CB0
ajunge pe la 10 A; el
nu mai poate fi u]or neglijat dar efectele sale sunt totu]i acceptabile.
{n Fig. 8.6 acelea]i tranzistoare au fost operate la curent de emitor constant ]i s-a ridicat
caracteristica de ie]ire la 25
o
C ]i la 100
o
C. De]i efectul curentului curentului I
CB0
este complet neglijabil la
tranzistorul cu siliciu, curentul s`u de colector sufer` totu]i o crestere vizibil` datorit` [nc`lzirii. Aceasta se
datoreaz` varia\iei cu temperatura a factorului .
I
B
I
E
foarte mic
+
_
+
_ 0.6 V
10 V
I
C =
I
E
+ I
CB0
+
_
10 V
I
CB0
I
E
=0
a)
b)
Fig. 8.4. Configura\ia cu baz` comun` utilizat` la
polarizare (a) ]i semnifica\ia curentului rezidual
I
CB0
.
20 40 60 80 100
10p
100p
1n
10n
100n
1
(A)
temperatura (grade Celsius)
I
CB0
germaniu
siliciu
Fig. 8.5. Dependen\a de temperatura a curentului
I
CB0
.
Cap. 8. Dependen\a de temperatur` a caracteristicilor 265
dispozitivelor semiconductoare
0 2 4 6 8 10
0.8
0.9
1.0
(V) V
CB
I
C
(mA)
0 2 4 6 8 10
0.8
0.9
1.0
(V) V
CB
I
C
(mA)
germaniu
siliciu
25 C
o
25 C
o
100 C
o
100 C
o
varia\ie de 0.7 %
varia\ie de 0.4 %
a)
b)
Fig. 8.6. Efectul temperaturii asupra caracteristicii de ie]ire la I
E
= const.
Un circuit de polarizare care s` men\in` constant curentul de emitor necesit` dou` surse de alimentare
(una pozitiv` ]i una negativ`, ca [n Fig. 8.4 a) ]i intercalarea [n circuitul emitorului a unei surse de curent.
Din acest motiv, el este complet nepractic ]i dependen\ele din Fig. 8.6 constituie un caz foarte convenabil dar
nerealist. Vom vedea, mai t[rziu, cum ne putem apropia de aceast` situa\ie, cu un circuit de polarizare
adecvat.
ii) Curentul de baz` este men\inut constant
10 V
I
B foarte mic
0.6 V
+
_
_
+
I
C =
+ I
CE0
10 V
I
B
= 0
+
_
I
CE0
a)
b)
I
B
Fig. 8.7. Configura\ia cu emitor comun utilizat` la polarizare (a) ]i semnifica\ia curentului rezidual I
CE0
.
Polarizarea tranzistoarelor bipolare se realizeaz` dup` principiul din Fig. 8.7 a), pentru c` ambele surse
de tensiune au aceea]i polaritate, permi\ind utilizarea, de fapt, a unei singur alimentator. {n plus, pentru
prelucrarea varia\iilor conexiunea cea mai frecvent folosit` este cea cu emitorul comun. Curentul de intrare
este curentul de baz`, mult mai mic dec[t cel de emitor; utiliz[nd rela\ia
I I I
E B C
= + (8.7)
266 Electronic` - Manualul studentului
]i rela\ia (8.6), ob\inem
I I I
C B CB
=

1
1
1
0
(8.8)
unde

=
1
este numit factor de amplificare [n curent [n conexiunea emitor comun, iar
1
1
0 0

I I
CB CE
este un alt curent rezidual, [ntre colector ]i emitor, definit cu baza [n gol ( I
B
= 0), a]a
cum se poate vedea [n Fig. 8.7 b).
Astfel, pentru conexiunea cu emitorul comun avem rela\ia
I I I
C B CE
= +
0
(8.9).
Trebuie men\ionat c`, deoarece 1, factorul are valori mari. De asemenea, din aceast` cauz`, I
CE0
este
mult mai mare dec[t I
CB0
I I
CE CB 0 0
. (8.10)
Rela\ia (8.9) ne spune c`, dac` men\inem constant curentul de baz`, influen\a temperaturii se va manifesta
asupra curentului de colector prin intermediul factorului ]i prin intermediul curentului I
CE0
.
Deoarece factorul nu este constant cu temperatura, avem, de asemenea, o varia\ie cu temperatura a
factorului . Dar
d d d

1
1
. (8.11)
Varia\ia relativ` a lui este de ori mai mare dec[t varia\ia relativ` a factorului
{n interpretarea ultimelor dou` rela\ii trebuie
\inut seama c` factorul scade puternic (chiar cu
un ordin de m`rime) atunci c[nd curentul de
colector se mic]oreaz`; din acest motiv, valoarea
lui din aceste rela\ii nu este aceea de la curen\ii
nominali de operare, de ordinul 100-500. Astfel, la
o [nc`lzire cu 100 de grade, factorul nu cre]te cu
mai mult de 10-20 %. Din acest motiv, varia\ia cu
temperatura a curentului rezidual de colector cu
baza [n gol, I I
CE CB 0 0
= , p`streaz` caracterul
exponen\ial al dependen\ei lui I
CB0
, a]a cum se
poate constata [n Fig. 8.8, pentru dou` tranzistoare,
cu germaniu ]i, respectiv, siliciu.
I
CE0
(A)
20 40 60 80 100
10p
100p
1n
10n
100n
1
10
100
temperatura (grade)
siliciu
germaniu
Fig. 8.8. Dependen\a de temperatur` a curentului
rezidual I
CE0
.
Cap. 8. Dependen\a de temperatur` a caracteristicilor 267
dispozitivelor semiconductoare
Dac` ne-am hot`r[t s` men\inem constant curentul de baz`, s` urm`rim ce se [nt[mpl` cu caracteristica
de transfer I f I
C B
= ( ) la [nc`lzirea tranzistorului de la 25
o
C la 100
o
C (Fig. 8.9). {n primul r[nd, m`rirea
temperaturii produce o cre]tere a pantei dependen\ei, I I
C B
, adic` a factorului de amplificare
dinamic; acest efect este aproximativ de aceea]i m`rime la ambele tranzistoare, cu germaniu ]i, respectiv,
siliciu. Pentru tranzistorul cu germaniu [ns`, se observ` un fenomen suplimentar: odat` cu [nc`lzirea,
caracteristica de transfer este translatat` [n sus, spre curen\i de colector mai mari. Acesta este efectul cre]terii
curentului I
CE0
, care la germaniu ajunge de acela]i ordin de m`rime cu cel de colector.
0 2 4 6 8 10 12 14
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I
B
( A)
I
C
(mA)
25 C
o
100 C
o
germaniu
a)
0 2 4 6 8 10 12
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
B
( A)
I
C
(mA)
25 C
o
100 C
o
siliciu
b)
I
CE0
{
Fig.8.9. Efectul temperaturii asupra caracteristicii de transfer I f I
C B
= ( )
Cumularea celor dou` efecte face ca sensibiltatea tranzistoarelor cu germaniu s` fie mai mare dec[t
aceea a tranzistoarelor cu siliciu. Dac` mai arunc`m o privire la figura anterioar`, observ`m c` la
temperatur` mare, din cauza curentului I
CE0
, tranzistorul cu germaniu nici nu mai poate fi dus [ntr-un
regim apropiat de cel de blocare prin anularea curentului de baz`.
Din aceast` cauz`, tranzistoarele cu germaniu nu mai sunt ast`zi utilizate, [nt[lnindu-ne cu ele
numai [n textele introductive de electronic`.
iii) Tensiunea baz`-emitor este men\inut` constant`
A treia m`rime prin intermediul c`reia putem controla tranzistorul bipolar este tensiunea baz`-
emitor. Curen\ii de colector ]i emitor, fiind aproximativ egali, au practic aceea]i dependen\` de V
BE
. {n Fig.
8.10 am reprezentat influen\a temperaturii asupra caracteristicii de transfer I f V
C BE
= ( ). {n primul r[nd
constat`m c` nu exist` diferen\e semnificative [ntre comportarea tranzistorului cu germaniu ]i a celui cu
siliciu (except[nd, bine[n\eles, diferen\a de aproximativ 0.25 V [ntre valorile tensiunii de deschidere).
Ecua\ia care descrie caracteristica de transfer I f V
C BE
= ( ) [n regiunea activ` este
I I e
C s
V
V
BE
T
= (8.12)
unde poten\ialul termic V
T
este propor\ional cu temperatura masurat` [n K. Graficele din Fig. 8.10 pun [n
eviden\` dou` modific`ri la varia\ia temperaturii. Mai [nt[i, la cre]terea temperaturii panta graficelor scade;
268 Electronic` - Manualul studentului
aceasta se datoreaz` varia\iei lui V
T
, deoarece panta [n scar` semilogaritmic` este propor\ional` cu 1 V
T
adic` invers propor\ional` cu temperatura. Putem chiar s` calcul`m de c[te ori s-a mic]orat panta: de
( ) ( ) . 273 100 273 25 1 25 + + = ori.
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
(V) V
BE
(mA) I
C
25 C
o
100 C
o
germaniu
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
(V) V
BE
(mA) I
C
25 C
o
100 C
o
siliciu
a) b)
Fig. 8.10. Influen\a tempeaturii asupra caracteristicii de transfer I f V
C BE
= ( ).
Efectul cel mai puternic [l prezint`, [ns`, translatia [n sus a caracteristicii, care se datore]te cre]terii
factorului multiplicativ I
s
din rela\ia precedent`. Acest este propor\ional cu I
CB0
, depinz[nd ]i de al\i
parametri ai tranzistorului. Indiferent de tipul tranzistorului, [nc`lzirea de la 25
o
C la 100
o
C, cu men\inerea
constant` a tensiunii baz`-emitor, produce cre]terea puternic` a curentului de colector. La un curent de
colector de 1 mA, aceast` [nc`lzire provoac` o multiplicare de aproape 100 de ori a curentului de colector.
S` privim [n detaliu modificarea caracteristicii de
transfer I f V
C BE
= ( ) pentru o varia\ie de un grad
(Fig. 8.11). Dac` men\inem tensiunea baz`-emitor
constant` (a]a cum nu trebuie s` facem), curentul de
colector cre]te cu 10% pe grad. Dac`, pe de alt` parte,
dorim ca intensitatea curentului de colector s` r`m[n`
constant`, trebuie ca tensiunea baz`-emitor s` scad` cu
aproximativ 2 mV pe grad. {n toate textele de electronic`,
acest efect de modificare cu temperatura a caracteristicii
I f V
C BE
= ( ) este numit varia\ia cu temperatura a
tensiunii baz`-emitor (sau a tensiunii de deschidere) a
tranzistorului, de multe ori f`r` s` se mai specifice c`
aceasta se [nt[mpl` la curent constat de colector.
Ra\iunea pentru care se [nt[mpl` acest lucru va ap`rea
evident` pu\in mai t[rziu, c[nd vom analiza un circuit real
de polarizare.
La curent de colector constant, tensiunea baz` emitor scade liniar cu temperatura, aproximativ cu
2 mV pe grad.
A]a cum se vede [n Fig. 8.11, la tensiune baz`-emitor constant`, valoarea curentului cre]te cu
aproximativ 10 % pe grad. Cum aceast` cre]tere este exponen\ial`,
(mV) V
BE
(mA) I
C
25 C
o
100 C
o
siliciu
540 550 560 570 580 590 600
0.1
1.0
0.2
0.3
0.4
0.5
Fig. 8.11. Influen\a temperaturii asupra
caracteristicii de transfer I f V
C BE
= ( ).
Cap. 8. Dependen\a de temperatur` a caracteristicilor 269
dispozitivelor semiconductoare
la V
BE
= const. curentul de colector se dubleaz` la fiecare cre]tere cu 8 grade.
0.6 V
+10 V
1 mA
5 k
5V
+
-
5 V
+
-
la 20 C
o
0.6 V
+10 V
2 mA
5 k
0V
+
-
10 V
+
-
la 28 C
o

tranzistor in
saturatie !
dublarea curentului I
C

+10 V
1 mA
5 k
5V
+
-
5 V
+
-
termocuplu
a) b)
aduce tranzistorul [n satura\ie
Fig. 8.12. Efectul varia\iei cu temperatura a tensiunii baz`-emitor.
Pentru circuitele practice aceast` varia\ie este inacceptabil de mare: un amplificator proiectat s`
func\ioneze bine la 20 de grade (Fig. 8.12 a) ar intra [n satura\ie ]i ar [nceta s` mai amplifice la temperatura
de 28 de grade ! Concluzia este una singur`:
tensiunea baz`-emitor nu trebuie men\inut` constant`;
[n cazul particular al schemei din Fig. 8.7, baza nu trebuie polarizat` cu o surs` ideal` de tensiune, a]a cum
am desenat noi acolo, pentru simplitate.
Din acela]i motiv, un circuit simplu [n conexiune emitor-comun nu poate fi utilizat pentru
amplificarea tensiunii continue furnizat` de un termocuplu (Fig. 8.12 b). S` presupunem c` am ajustat cu
grij` tensiunea sursei de polarizare din baz` astfel [nc[t la o anumit` temperatur` de referin\`
0
curentul de
colector este de 1 mA ]i poten\ialul din colector este de 10 V-1 mA 5 k = 5 V . La o [nc`lzire a
termocuplului cu un grad, tensiunea furnizat` de acesta cre]te cu aproximativ 50V a]a c` ne a]tept`m la o
cre]tere a curentului de colector de g V
m BE
=
1 mA
mV
V = 2 A
25
50 care s` coboare cu 10 mV
poten\ialul colectorului. Am putea spune c` am amplificat de 200 de ori informa\ia de tensiune oferit` de
termocuplu. Realitatea este [ns` cu totul alta. }i temperatura tranzistorului se poate modifica, nu numai a
termocuplului, iar varia\ia echivalent` a tensiunii V
BE
pentru o [nc`lzire cu un grad este de - 2 mV, de 40 de
ori mai mare dec[t aceea dat` de termocuplu. Cu alte cuvinte, tranzistorul este un termometru de 40 de ori
mai sensibil dec[t termocuplul. Din acest motiv, dac` vom observa o sc`dere a poten\ialului de colector cu
10 mV nu vom avea de unde s` ]tim dac` termocuplul s-a [n`lzit cu un grad sau tranzistorul s-a [nc`lzit cu
1 40 0 025 = .
o
C. {n concluzie,
datorit` sensibilit`\ii sale termice, etajul cu emitor comun nu poate fi utilizat pentru amplificarea tensiunilor
continue.
{n leg`tur` cu circuitul din Fig. 8.12 b) mai trebuie s` scoatem [n eviden\` o dificultate. Chiar dac`
printr-un miracol am aranjat ca tranzistorul s` nu-]i modifice caracteristica de transfer la varia\ia temperaturii
ambiante, mai r`m[ne problema sursei de tensiune continue cu care polariz`m baza tranzistorului ]i a c`rei
270 Electronic` - Manualul studentului
tensiune se adun` cu informa\ia de tensiune de la termocuplu. Tensiunea sursei trebuie s` aib` o valoare
undeva pe la 600 mV ]i aceast` valoare trebuie s` se modifice cu mult mai pu\in de 50 V pe grad, altfel ar
masca semnalul de la termocuplu. Tensiunea sursei trebuie s` aib`, deci, un coeficient de temperatur` mult
mai mic dec[t 50 V 600 mV pe grad, adic` aproxmativ 80 ppm/grad (ppm este prescurtarea pentru "p`r\i
pe milion"). Pentru o diod` Zener obi]nuit` putem conta, [n cel mai bun caz, pe un coeficient de temperatur`
(prescurtat tempco [n englez`) de 300 ppm/grad. Va trebui s` utiliz`m o referin\` de tensiune integrat`
de performan\`, care are coeficientul de temperatur` de c[\iva ppm/grad, evident cu diferen\a de pre\
corespunz`toare.
Observa\ie: {n loc s` discute acest aspect esen\ial, o mul\ime de dasc`li de electronic` de pe la noi
risipesc zadarnic praful de cret` ca s` calculeze factorul de stabilitate termic` S I I
I C CB
=
0
]i uit[nd
s` mai calculeze varia\ia relativ` a lui I
C
, care era, de fapt, scopul [ntregului efort. De]i jocul cu derivate
par\iale e foarte frumos, efectul varia\iei curentului I
CB0
este neglijabil la tranzistoarele cu siliciu
(singurele folosite ast`zi), a]a cum se poate constata din Fig. 8.7 b). Privind la graficele din figurile 8.10 ]i
8.9 [n\elegem ce efecte termice afecteaz` curentul de colector al acestor tranzistoare: modificarea
carcteristicii de transfer I f V
C BE
= ( ) (a]a numita sc`dere a tensiunii baz`-emitor) ]i varia\ia factorului
. Al\i coeficien\i de sensibilitate ar trebui calcula\i, dar nu trebuie s` avem preten\ia ca ce predau domniile
lor s` ne fie uttil; doar \in ni]te cursuri a]a de frumoase....
{n c`utarea unui circuit de polarizare
A]a cum ]tim, pentru a putea fi utilizat [n regiunea activ`, un tranzistor bipolar trebuie s` fie mai [nt[i
polarizat prin stabilirea unui regim de curent continuu cu jonc\iunea baz`-emitor deschis`. Acest lucru se
[nt[mpl` deoarece caracteristica sa de transfer I f V
C BE
= ( ) este puternic neliniar`, valori utile ale
curentului de colector ob\in[ndu-se abia dup` ce V
BE
dep`]e]te tensiunea de deschidere. S` vedem acum [n
ce mod putem realiza polarizarea unui tranzistor cu siliciu astfel [nc[t punctul s`u de func\ionare s` nu se
deplaseze inacceptabil de mult la varia\ia temperaturii. {n acela]i timp, am dori ca intensitatea curentului de
colector s` fie c[t mai insensibil` la modificarea lui , deoarece acest parametru este foarte [mpr`]tiat
tehnologic.
Ca s` ]tim precis despre ce vorbim, s` consider`m o tensiune de alimentare de 10 V ]i s` polariz`m
tranzistorul cu colectorul la jum`tatea acestei tensiuni, la un curent de colector I
C
( ) 0
de 1 mA. Evident,
rezisten\a din colector va trebui s` aib` 5 k. {n Fig. 8.13 avem c[teva circuite de polarizare. Pentru cel din
desenul a), numit de autorii romni "cu olarizare simpl`", valoarea curentului de baz` se ob\ine din rela\ia
V I R V
alim B B BE
= 0; (8.13)
cum tensiunea baz`-emitor este de aproximativ 0.6V, mult mai mic` dec[t tensiunea de alimentare, curentul
de baz` este aproximativ I V R
B alim B
. De aici putem ob\ine valoarea necesar` a rezisten\ei de polarizare
R V I R
B alim
C
C
= =
( ) ( ) ( ) 0 0 0
2 , unde am notat cu
( ) 0
valoarea lui la temperatura pentru care
proiect`m circuitul.
Curentul de baz` fiind I V R
B alim B
, tranzistorul este operat, astfel, la curent de baz` practic
constant. A]a cum am v`zut pe graficul din Fig. 8.9 b), curentul de colector este afectat de temperatur` prin
intermediul factorului
I
V
R
V
R
I
C
B C
C
= =

alim alim
( )
( )
( ) 0
0
0
2
(8.14)
Cap. 8. Dependen\a de temperatur` a caracteristicilor 271
dispozitivelor semiconductoare
valoarea curentului de colector fiind propor\ional` cu noua valoare a lui , a]a cum se poate constata ]i pe
graficul din Fig. 8.14.
a) b)
R
C
I
C
R
B
V
alim
I
B
R
C
R
B
V
alim
I
B
V
alim
R
C
R
E
+
-
E
B
V
alim
R
C
R
E
R
B1
R
B2
+
-
V
BE
+
-
c)
d)
10 V
5 k
1 mA
720 k
5 k
I
C
1 mA
430 k
I
C
1 mA
5 k
2k
2.6 V
10 V
10 V 10 V
5 k
I
C
1 mA
2k
20 k
56 k
Fig. 8.13. Circuite de polarizare care asigur` un curent de colector de 1 mA ]i un poten\ial de 5 V [n colector:
(a) polarizare fix`, (b) polarizare colector-baz`, (c) polarizare cu surs` de tensiune [n baz` ]i rezisten\` [n
emitor ]i (d) "autopolarizare" (proiectarea a fost efectuat` cu =100).
Chiar dac` factorul nu sufer` varia\ii dramatice cu temperatura, nu merit` s` pieredem timpul cu
acest mod de polarizare pentru c` la montarea unui tranzistor [ntr-un circuit, [n produc\ia de serie, nimeni nu
]tie, de exemplu, unde anume este [ntre 100 ]i 250. Acest tip de polarizare trebuie utilizat doar dac` vrem
s` arunc`m apoi peste jum`tate din circuitele realizate; l-am discutat aici numai datorit` omniprezen\ei sale
[n literatura autohton`.
O alt` variant` de polarizare este cea din desenul b), numit` polarizare "colector-baz`". Pentru
proiectarea circuitului observ`m c` rezisten\a R
B
este legat` acum [n colector, deci la jum`tate din tensiunea
de alimentare. Pentru a ob\ine acela]i curent de baz` ca la primul circuit, valoarea ei trebuie s` fie
aproximativ de dou` ori mai mic` dec[t la cazul anterior, deci aproape egal` cu
( ) 0
R
C
([n aproxima\ia
V V
alim BE
2 >> ).
Ne intereseaz` acum ce se [nt[mpl` cu valoarea curentului de colector la modificarea temperaturii. Din
configuratia circuitului ob\inem rela\ia
V I R I R V
alim B C B B BE
1+ = ( ) 0 (8.15)
care, cu aproxima\ia de mai sus ]i + 1 , conduce la
I
V
R R
V
R
B
alim
C B
alim
C

+

+

( ) 0
e j
(8.16)
De data aceasta, tranzistorul nu mai este operat la curent de baz` constant; la cre]terea factorului
se produce automat o sc`dere a curentului de baz`, sc`dere care diminueaz` efectele acestei cre]teri asupra
curentului de colector. Acest tip de polarizare introduce o reac\ie negativ`. Dac` exprim`m curentul de
colector, ob\inem
272 Electronic` - Manualul studentului
I
V
R
I
C
alim
C
C

+

+

( )
( )
( )
0
0
0
2
e j
. (8.17)
{n Fig. 8.14 am reprezentat dependen\a
I I f
C
C
( ) ( ) 0 0
= e j ]i pentru polarizarea
colector-baz`. Se observ` [mbun`t`\irea adus` de
polarizarea colector baz`: la dublarea factorului
curentul de colector nu se mai dubleaz` ci cre]te
doar cu 30 %. Circuitul introduce complica\ii [n
ceea ce prive]te amplificarea varia\iilor, astfel c`
este rar utilizat.
S` mai trecem odat` [n revist` graficele din
figurile 8.6, 8.9 ]i 8.10. La toate am considerat
aceea]i varia\ie de temperatur`; cele mai mici
modific`ri ale curentului de colector sunt cele din
Fig. 8.6 b), unde am men\inut constant curentul
de emitor, sub 1 % pentru o [nc`lzire de 75
o
C.
Circuitul din Fig. 8.13 c) [ncearc` s` se apropie de
aceast` situa\ie. La prima vedere se pare c` nu
suntem pe calea cea bun`, am legat o surs` ideal`
de tensiune [n baz`, or ]tim c` men\in[nd
V
BE
= const. rezultatele sunt dezastruoase. A mai
ap`rut, [ns`, ]i o rezisten\` [n emitor, astfel [nc[t
putem scrie
E V I R
B BE C E
= 0 (8.18)
(am utilizat faptul c` I I
C E
deoarece curentul I
CE0
este neglijabil). Valoarea necesar` pentru tensiunea
E
B
se ob\ine cu suficient` precizie cu rela\ia E I R
B
C
E
+ 0 6
0
.
( )
V .
Aceast` aproximatie este, [ns`, insuficient` pentru a calcula varia\iile datorate temperaturii. Vom
utiliza, pentru acest scop metoda dreptei de sarcin` aplicat` caracteristicii de transfer I f V
C BE
= ( ), ca [n
Fig. 8.15 a). Putem acum s` vedem ce se [nt[mpl` la cre]terea temperaturii cu un grad (desenul b).
Reprezent`m [n detaliu caracteristicile de la cele dou` temperaturi ]i urm`rim deplasarea punctului de
func\ionare din M [n N. Dac` admitem s` pierdem pe rezisten\a R
E
o tensiune mult mai mare dec[t 25 mV,
dreapta de sarcin` va fi foarte pu\in [nclinat` [n compara\ie cu caracteristica de transfer a tranzistorului. Cum
distan\a pe orizontal` [ntre cele dou` caracteristici este de 2 mV, avem valoarea varia\iei curentului de
colector I R
C E
2 mV .
Dac` dreapta de sarcin` nu ar fi "suficient de orizontal`", varia\ia curentului de colector ar fi cu
siguran\` mai mic` dec[t 2 mV R
E
a]a c` aceast` valoare reprezint` cazul cel mai defavorabil. Din acest
motiv, [n analiza stabili`\ii termice la astfel de circuite, varia\ia curentului de colector se calculeaz`
utiliz[nd varia\ia lui V
BE
definit` la curent de colector constant, o metod` care poate p`rea paradoxal`.
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
polarizare fix`
polarizare colector-baz`
I
C
I
C
(o)

(o)
aici a fost proiectat
s` func\ioneze circuitul
circuitul din Fig. 8.13 d)
polarizare fix`
cu rezistor [n emitor
Fig. 8.14. Efectul modific`rii factorului asupra
curentului de colector pentru polarizare fix`,
polarizare colector-baz`, polarizare cu divizor rezistiv
]i rezisten\` [n emitor (circuitul din Fig. 8.13 d) ]i
polarizare fix` cu rezistor [n emitor.
Cap. 8. Dependen\a de temperatur` a caracteristicilor 273
dispozitivelor semiconductoare
a)
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
tensiunea baza-emitor (volti)
panta = -
1
R
E
curentul de colector (mA)
E
B
2 mV
dreapta de
sarcina
la temperatura

la temperatura
+ 1 grad
b)
M
N
Fig. 8.15. Determinarea grafic` a punctului de func\ionare pentru circuitul din Fig. 8.13 c) (desenul a) ]i
modificarea acestuia la o [nc`lzire cu un grad (desenul b).
Pentru a vedea ce [mbun`t`\ire aduce acest tip de polarizare, s` calcul`m varia\ia relativ` a curentului
de colector la o varia\ie de temperatur` = 75
o
C, dac` accept`m s` pierdem pe rezisten\a R
E
o tensiune
V
R
E
= 2 V. Tensiunea baz`-emitor scade liniar cu temperatura, cobor[nd [n total cu
mV 150 grad mV 2 = =
BE
V . Cum sursa de tensiune p`streaz` constant poten\ialul bazei, surplusul
de tensiune de 150 mV se va reg`si pe rezisten\a din emitor, produc[nd o cre]tere a curentului de colector
dat` de legea lui Ohm I V R
C BE E
= . Pe de alt` parte, curentul de colector ini\ial [ndeplinea rela\ia
I V R
C BE E
=
, de unde ob\inem

I
I
V
V
C
C
BE
R
E
= = =
0 15
2
7 5
.
. %. (8.19)
O asemenea varia\ie relativ`, pentru o [nc`lzire de 75
o
C, este acceptabil` [n majoritatea aplica\iilor.
Putem formula o prim` comcluzie [n leg`tur` cu circuitul cu rezisten\` [n emitor ]i surs` ideal` de
tensiune [n baz`:
Stabilitatea termic` este cu at[t mai bun` cu c[t accept`m s` pierdem o tensiune mai mare pe rezisten\a
din emitor; 2 vol\i asigur` o varia\ie a curentului de colector de 1 la mie pe grad.
{n practic`, [n locul sursei de tensiune ideale se utilizeaz` un divizor rezistiv, ca [n desenul d) al
figurii, variant` numit` [n literatura de limb` romn` "autopolarizare". Dac`
B
E este tensiunea Thevenin a
divizorului iar R
B
este rezisten\a sa echivalent`, [n locul ecua\iei (8.18) avem acum
E V I R I R
B BE C B C E
= 0 (8.20)
Prezen\a termenului ce con\ine R
B
produce acum o oarecare dependen\` a curentului de colector [n raport cu
factorul , nedorit` at[t pentru stabilitatea termic` c[t ]i pentru predictibilitatea punctului de func\ionare
(factorul nu este cunoscut cu precizie pentru fiecare exemplar de tranzistor). Din acest motiv, valorile
274 Electronic` - Manualul studentului
rezisten\elor din divizor se aleg at[t de mici [nc[t divizorul s` func\ioneze practic ne[nc`rcat, astfel [nc[t [n
expresia = 75
o
C termenul al doilea s` poat` fi neglijat
R
R
B
E

10
. (8.21)
Cu valoarea realist` R R
B E
=
( ) 0
10, dependen\a curentului de colector de factorul devine
I I
C
C
=
+
( )
( )
.
.
0
0
11
1 0 1
; (8.22)
ea este reprezentat` [n Fig. 8. 14, unde se poate constata c[t de insensibil a devenit acum curentul de colector
la modific`rile factorului : la o dublare a factorului curentul de colector se modific` doar cu 5 %. |in[nd
cont de [mpr`]tierea tehnologic` a factorului , aceast` predictibilitatea a punctului de func\ionare este
suficient`, tranzistoarele put[nd fi montate f`r` s` li se m`soare individual acest factor.
Am fi putut [ncerca introducerea rezisten\ei de emitor ]i [n cazul circuitului cu polarizare simpl`.
Deoarece tensiunea Thevenin E
B
nu mai poate fi acum aleas`, fiind egal` cu cea de alimentare, nici valoarea
rezisten\ei R
B
nu mai este parametru liber. Cu valorile numerice considerate, la utilizarea divizorului rezistiv
am ales-o s` fie R R
B E
= =
( ) ( ) 0 0
10 200 . {n cazul polariz`rii fixe ea nu poate fi dec[t
R
B
=
( ) 0
7.4 k; o asemenea valoare pentru aceast` rezisten\\` cre]te sensibilitatea curentului de colector
[n raport cu factorul , a]a cum dovede]te graficul din Fig. 8.14. Putem formula, deci, o a doua concluzie [n
privin\a polariz`rii [n prezen\a rezisten\ei din emitor:
Rezisten\a echivalent` a sursei cu care aliment`m baza trebuie sa fie c[t mai mic` pentru a face
curentul de colector insensibil la varia\iile factorului ; o valoare de
( ) 0
10 R
E
este suficient`, produc[nd o
cre]tere a lui I
C
de numai 5 % la o dublare a lui .
Analiza comparativ` a circuitelor de polarizare, [n cazul tranzistoarelor cu siliciu (cele cu germaniu
nu se mai utilizeaz`), a ar`tat c`
cea mai bun` stabilitate termic` se ob\ine prin polarizarea bazei de la un divizor rezistiv ]i introducerea unei
rezisten\e [n emitor; tensiunea care cade pe rezisten\a din emitor trebuie s` fie [n jur de 1-2 V iar rezisten\a
echivalent` a divizorului R
E
10; acest circuit asigur` ]i o bun` predictibilitate a punctului de func\ionare
[n condi\iile [n care valorile factorului prezint` o [mpr`]tiere tehnologic` mare.
Str`pungerea secundar`
De]i ambalarea termic` nu mai apare la tranzistoarele de putere cu siliciu, datorit` sensibilit`\ii termice
mai mici a curentului de colector, ele sunt [n continuare afectate de un fenomem mai subtil, str`pungerea
secundar`. Pentru a putea vehicula curen\i mari, tranzistoarele de putere au arii mari ]i pot fi privite ca un
ansamblu de tranzistoare legate [n paralel. Dac` toate au aceea]i temperatur` local`, atunci ele []i [mpart
fr`\e]te curentul de colector. La curen\i mari [ns`, acest echilibru nu mai este p`strat cu acurate\e, unul dintre
tranzistoarele "elementare" se [nc`lze]te mai mult dec[t celelalte, curentul lui de colector cre]te pe seama
sc`derii curen\ilor de colector ai celorlalte tranzistoare care se r`cesc (puterea disipat` pe ele scade) [n timp
Cap. 8. Dependen\a de temperatur` a caracteristicilor 275
dispozitivelor semiconductoare
ce tranzistorul ghinionist disip` mai mult, se [nc`lze]te ]i mai mult, curentul lui de colector cre]te din nou...
A\i recunoscut fenomenul de ambalarea termic` ce are loc, acum, local. De]i puterea total` disipat`, dac`
ar fi repartizat` uniform, nu ar conduce la o temperatur` periculoas` pentru tranzistor, la dep`]irea unei
anumite valori a curentului de colector tranzistorul se distruge prin ceea ce se nume]te str`pungere
secundar`.
{n planul caracteristicilor de ie]ire, curba de putere disipat` constant` este o hiperbol`
I P V P V
C d CE d CE
= =
1
; pentru ca ea s` arate ca o linie dreapt`, se deseneaz` acest grafic [n coordonate
dublu logaritmice (Fig. 8.16). Astfel, curba de putere disipat` constant` devine o dreapt` cu panta de - 1
decad` pe decad`. Pe acest grafic se figureaz` regiunea de operare sigur` (SOA - Safe Operating Area [n
lb. englez`). Se observ` c` str`pungerea secundar` limiteaz` regiunea de operare sigur` mai drastic dec[t o
face puterea disipat` maxim` la care poate func\iona capsula tranzistorului.
1 10 100
0.01
0.1
1
10
100
tensiunea colector-emitor (vol\i)
curentul de colector (amperi)
limita I
C max
limita P
d max
limita V
CE max
limitarea
de str`pungere
secundar`
2N6274
REGIUNEA DE
OPERARE SIGURA
(npn, bipolar)
VNE003A
(NMOSFET)
Fig. 8.16. Regiunea de operare sigur` pentru un tranzistor bipolar de putere ]i pentru unul MOSFET.
D. Tranzistoare cu efect de c[mp
Diferen\a esen\ial` a acestor dispozitive fa\` de tranzistoarele bipolare este aceea c` se bazeaz` pe
conduc\ia furnizat` numai de purt`torii majoritari. De aici rezult` ]i comportarea lor, total diferit`, la
modificarea temperaturii. {ntruc[t cele dou` tipuri de tranzistoare cu efect de c[mp (JFET ]i MOSFET) au
propriet`\i similare, vom discuta numai cazul tranzistoarelor MOSFET.
La tensiuni dren`-surs` mari (regiunea de surs` de curent comandat` V V V
DS GS T
>> ),
caracteristica de transfer a acestor tranzistoare este bine descris` de rela\iile
I V V
I K V V V V
D GS T
D GS T GS T
= <
=
0
2
pentru
pentru ( )
(8.23)
276 Electronic` - Manualul studentului
unde I
D
este curentul de dren` (Fig. 17 a), V
GS
tensiunea poart`-surs` iar V
T
este tensiunea de prag .
Caracteristica depinde de temperatur` at[t prin intermediul factorului K c[t ]i prin intermediul tensiunii de
prag: factorul K scade cu temperatura, fiind propor\ional cu T
3 2
, pe c[nd tensiunea de prag scade
aproape liniar cu temperatura, cu (2 5 mV) C
o
.
D
S
G
V
GS
I
D
I
G
=0
V
DS
+
_
_
+
2 4 6 8 10
0
tensiunea poart`-surs` (vol\i)
I
D
+25 C
o
-50 C
o
+125 C
o
0 2 4 6 8 10
0
5
10
15
20
25
curentul de dren` (mA)
tensiunea poart`-surs` (vol\i)
+125 C
o
-50 C
o
+25 C
o
2N3796
a) b)
c)
Fig. 8.17. Influen\a temperaturii asupra caracteristicii de transfer la tranzistoarele MOSFET.
Aceste dou` mecanisme au asupra curentului de dren` efecte contrare, anul[ndu-se reciproc la o
anumit` valoare a tensiunii poart`-surs`, unde curentul de dren` nu mai depinde de temperatur`, a]a cum se
vede [n Fig. 8.17 b). Pentru a vizualiza mai bine fenomenul, [n desenul c) al figurii a fost reprezentat`
r`d`cina p`trat` din valoarea curentului de dren`.
Putem proiecta, astfel, circuite foarte pu\in sensibile la varia\iile de temperatur`, numai prin
alegerea adecvat` a punctului de func\ionare. Mai mult, se observ` c` tocmai la valori mari ale curentului,
unde ]i disipa\ia de putere este mare, curentul de dren` scade la cre]terea temperaturii. Din acest motiv,
tranzistoarele cu efect de c[mp nu prezint` fenomenul de ambalare termic`. Corespunz`tor, ele nu intr`
nici [n str`pungere secundar`, ca tranzistoarele bipolare, ]i regiunea de operare sigur`, la acela]i tip de
capsul`, este mai mare (vezi Fig. 8.16).
Cap. 8. Dependen\a de temperatur` a caracteristicilor 277
dispozitivelor semiconductoare
Enun\uri frecvent utilizate
(at[t de frecvent [nc[t merit` s` le memora\i)
-Termistorii sunt elemente de circuit cu dou` borne (dipoli) a c`ror rezisten\` depinde puternic
de temperatur`; cei la care rezisten\a scade cu temperatura au coeficientul de temperatur`

R
R T
negativ ]i sunt numi\i [n limba englez` "NTC thermistors".
- Pentru ace]ti termistori, rezisten\a scade aproximativ cu 4 % pe grad, [njum`t`\indu-se la o
[nc`lzire de 15-20 grade; sunt utiliza\i [n principal ca senzori de temperatur` ]i pentru compensarea
efectelor influen\ei temperaturii asupra altor componente electronice.
- {n conduc\ie direct` la tensiune constant`, curentul diodelor cre]te practic exponen\ial cu
temperatura, cu aproximativ 7 % pe grad, dubl[ndu-se la fiecare varia\ie de 10 grade indiferent de
materialul din care sunt realizate (germaniu sau siliciu); dac` se men\ine curentul constant, tensiunea
pe diod` scade liniar cu temperatura cu aproximativ 2 mV pe grad.
- Cre]terea puternic` cu temperatura a curen\ilor reziduali I
CB0
]i I
CE0
poate conduce, la
tranzistoarele de putere, la fenomenul de ambalare termic` ]i produce, [n final, distrugerea
tranzistoarelor.
-Datorit` valorii mari a curen\ilor reziduali I
CB0
]i I
CE0
, tranzistoarele cu germaniu nu mai
sunt utilizate ast`zi.
-Influen\a temperaturii se manifest` asupra tranzistoarelor cu siliciu preponderent prin
modificarea caracteristicii de transfer I f V
C BE
= ( ) (cre]terea curentului cu 10 % pe grad la
V
BE
= const. sau, echivalent, sc`derea tensiunii baz`-emitor cu 2 mV pe grad la I
C
= const.) ]i prin
varia\ia factorului cu temperatura.
-Cea mai bun` stabiltate a punctului de func\ionare s-ar ob\ine dac` am p`stra constant
curentul de emitor; din p`cate aceasta ar necesita utilizarea a dou` surse de alimentare de polarit`\i
diferite ]i construirea unei surse de curent, solu\ie cu totul neeconomic`.
- Men\inerea constant` a tensiunii baz`-emitor este cea mai proast` op\iune: curentul de
colector se dubleaz` la o [nc`lzire de numai 8 grade.
-Datorit` varia\iei tensiunii baz`-emitor cu 2 mV pe grad, configura\ia cu emitor comun nu
poate fi utilizat` pentru amplificare tensiunilor continue.
- O bun` predictibiltate a punctului de func\ionare [n condi\iile [n care factorul are o mare
[mpr`]tiere tehnologc`, [n acela]i timp cu o stabilitate termic` acceptabil`, se poate ob\ine prin
introducerea [n circuitul de emitor a unei rezisten\e R
E
pe care s` cad` o tensiune de 1-2 V simultan
cu polarizarea bazei cu un divizor rezistiv av[nd rezisten\a echivalent` ( ) R
E
10; [n aceste condi\ii
curentul de colector cre]te cu 5 % la dularea lui ]i cu 1 la mie la o [nc`lzire de 1
o
C.
-Tranzistoarele bipolare sunt afectate de fenomenul str`pungerii secundare care le limiteaz`
regiunea de functionare sigur` mai mult dec[t o face cond\ia de putere disipat` maxim`.
-Tranzistoarele cu efect de c[mp sunt mult mai pu\in sensibile la modificarea temperaturii
deoarece conduc\ia este asigurat` numai de purt`torii majoritari.
- Peste o anumit` valoare a curentului de dren`, acesta scade cu cre]terea temperaturii; [n
consecin\`, tranzistoarele cu efect de c[mp nu se pot ambala termic.
- Din acela]i motiv, tranzistoarele cu efect de c[mp nu prezint` fenomenul de str`pungere
secundar`; astfel, tranzistoarele MOSFET de putere sunt de preferat celor bipolare.
278 Electronic` - Manualul studentului
Termeni noi
-termistor dispozitiv cu dou` borne (dipol) utilizat [n circuite datorit`
dependen\ei puternice a rezisten\ei sale [n func\ie de temperatur`;
-coeficient de temperatur` x x T ( ), viteza de varia\ie cu temperatura a m`rimii, vitez`
(al unei m`rimi x) normalizat` la valoarea m`rimii respective;
-1 ppm o parte la un milion;
-termistor NTC termistor cu coeficient de temperatur` negativ;
-termistor PTC termistor cu coeficient de temperatur` pozitiv;
- ambalare termic` proces care determin` cre]terea rapid` a temperaturii
dispozitivelor semiconductoare datorit` reac\iei pozitive termice
(cre]terea temperaturii determin` cre]terea curentului care, la
r[ndul s`u, conduce la cre]terea puterii disipate ]i a temperaturii);
ambalarea termic` poate produce distrugerea dispozitivului;
- stabilitate termic` (a punctului proprietatea punctului de func\ionare de a nu se modifica la
de func\ionare) varia\ia temperaturii;
-polarizare fix` legarea bazei tranzistorului, printr-o rezisten\`, la tensiunea de
alimentare, emitorul fiind conectat la mas`; curentul de baz` este
men\inut practic constant;
-polarizare colector-baz` legarea bazei tranzistorului, printr-o rezisten\`, la colector,
emitorul fiind conectat la mas`; sensibiltatea curentului de
colector [n raport cu factorul este mic]orat`;
- autopolarizare polarizarea bazei prin intermediul unui divizor rezistiv; dac` [n
emitor este montat` o rezisten\a pe care cade o tensiune de 1-2 V
iar divizorul este practic ne[nc`rcat, se ob\ine o stabiltate termic`
satisf`c`toare a punctului de func\ionare;
- str`pungere secundar` fenomen care apare la tranzistoarele bipolare de putere ]i care
limiteaz` func\ionarea lor mai drastic dec[t puterea maxim` ce
poate fi disipat` de capsul`; curentul printr-o regiune a sec\iunii
tranzistorului devine mai mare, temperatura local` cre]te,
conduc[nd la un proces de ambalare termic` local` de]i puterea
total` pe dipozitiv nu a dep`]it valoarea maxima admis`;
Cap. 8. Dependen\a de temperatur` a caracteristicilor 279
dispozitivelor semiconductoare
Probleme rezolvate
Problema 1.
Pentru men\inerea constant` a temperaturii [ntr-o incint`, la cobor[rea temperaturii sub 60
o
C
tranzistorul din Fig. 8.18 a) trebuie s` intre [n conduc\ie ]i s` anclan]eze releul electromagnetic montat [n
colectorul s`u. Releul se anclan]eaz` sigur la un curent de 20 mA dar acest prag nu este perfect repetabil,
put[ndu-ne a]tepta ]i la anclan]`ri la 10 mA. Ca senzor de temperatur` avem de ales [ntre trei termistori NTC
care au la 20
o
C rezisten\ele de 1k, 10k ]i, respectiv, 100 k.
a) S` se proiecteze un circuit de polarizare al tranzistorului care s` asigure func\ia solicitat`.
b) S` se estimeze imprecizia de temperatur` provocat` de varia\ia pragului de anclan]are al releului.
V
alim
b)
10 V
releu
termistor
V
alim
a)
10 V
releu
V
alim
R
c)
10 V
250
releu
termistor
M
{
@ 60 C
o
2k
5k
M
Fig. 8.18.
Rezolvare
a) Avem la dispozi\ie un senzor de temperatur` a c`rui informa\ie de ie]ire este rezisten\a. Pe de alt`
parte, tranzistorul poate fi deschis prin controlul tensiunii baz`-emitor. Va trebui s` convertim informa\ia de
rezisten\` [ntr-o informa\ie de tensiune; [n plus, aceast` tensiune trebuie s` creasc` la sc`derea temperaturii.
Cea mai simpl` solu\ie de principiu este trimiterea prin termistor a unui curent constant de la o surs` de
curent, ca [n Fig. 8.18 b): la sc`derea temperaturii rezisten\a termistorului cre]te cu aproximativ 4 % pe grad
]i acela]i lucru [l face ]i poten\ialul [n punctul M. Realizarea unei surse de curent implic`, [ns`, utilizarea
unui alt tranzistor ]i a c[torva rezisten\e, a]a c` [ncerc`m o solu\ie mai simpl`, cu un divizor rezistiv (desenul
c al figurii). Not[nd cu R
T
rezisten\a termistorului, poten\ialul bazei tranzistorului (punctul M) este
V V
R
R R
B alim
T
T
=
+
(8.24)
acesta modific[ndu-se la varia\ia cu R
T
a rezisten\ei termistorului cu
V V
R
R R
R
B alim
T
T

+ ( )
2
. (8.25)
280 Electronic` - Manualul studentului
Avem de ales termistorul ]i valoarea rezistentei R. Cum la 60
o
C tranzistorul trebuie s` fie deschis,
poten\ialul punctului M trebuie s` fie de aproximativ 0.6 V. Cu aceast` condi\ie, din rela\ia (8.24) g`sim
raportul necesar [ntre rezisten\a R ]i rezisten\a R
T
o
( ) 60
a termistorului
16 1
V 0.6
) 60 (
=
alim
T
V
R
R
o
(8.26)
Curentul prin divizor va trebui s` fie de cel pu\in 10 ori mai mare dec[tr curentul de baz`. Acesta din
urm` e de 20 0 2 mA mA . (am mizat pe un factor de cel pu\in 100, realist pentru un tranzistor de
mic` putere). Cu aceast` condi\ie g`sim
17 290
60 60
R R
T T
o o
( ) ( )
10 V
2 mA
. (8.27)
Cunoa]tem rezisten\ele termistorilor la 20
o
C. Cum rezisten\a se [njum`t`\e]te la o [nc`lzire de 15-20 grade,
la 60
o
C rezisten\a ajunge cam la un sfert din cea de la 20
o
C. Termistorii vor avea, deci, la 60
o
C rezsten\ele
de 250 , 2.5 k ]i, respectiv, 25 k. Numai primul [ndepline]te condi\ia (8.27), este cel care are 1 k la
20
o
C. Din = 250
) 60 (
o
T
R rezult` valoarea necesar` pentru rezisten\a R
= k 4 16
) 60 (
o
T
R R .
Aceast` estimare este una grosolan` pentru c` nu avem parametrul B al termistorului; din acest motiv vom
monta un rezistor ajustabil de 5 k [n serie cu unul fix de 2 k care s` permit` varia\ia lui R [ntre 2 ]i 7 k
]i [l vom regla fin astfel [nc[t releul s` se anclan]eze la cobor[rea sub 60
o
C.
Observa\ie: am ales termistorul cu rezisten\a cea mai mic`, fiind obliga\i de valoarea necesar` a
curentului de colector; aceasta este o solu\ie proast` din punctul de vedere al auto[nc`lzirii termistorului dar
nu poate fi evitat` dec[t prin introducerea unui alt tranzistor care s` creasc` amplificarea [n curent.
b) Pragul de anclan]are este [mpr`]tiat [n intervalul 10-20 mA. O dublare a curentului de colector se
efectueaz`, dup` cum ]tim din dependen\a exponen\ial` I f V
C BE
= ( ), la o varia\ie a tensiunii baz`-emitor
de 18 mV. Imprecizia de anclan]are a releului este echivalent`, deci, cu o imprecizie a poten\ialului bazei
egal` cu 18 mV. Pe de alt` parte, dac` utiliz`m rela\ia (8.25) putem calcula, pentru circuitul proiecat de noi,
varia\ia poten\ialului bazei determinat` de o varia\ie de 1
o
C

V V
R
R R
R V
RR
R R
R
R
V
R R
R R
R
R
B alim
T
T alim
T
T
T
T
alim
T
T
T
T
=
+
=
+
=
=
+
=
( ) ( )
( )
2 2
2
1
22 10 V
16
17
4
100
mV
2
.
Imprecizia datorat` releului este echivalent`, deci, cu aproape un grad.
Cap. 8. Dependen\a de temperatur` a caracteristicilor 281
dispozitivelor semiconductoare
Problema 2.
a) S` se modifice circuitul proiectat la
problema precedent` (f`r` introducerea altui
tranzistor) astfel [nc[t aceast` imprecizie s` fie
redus` de c[teva ori; se poate m`ri, pentru
aceasta, tensiunea de alimentare la 15 V.
b) {n Fig. 8.19 ave\i un circuit care
realizeaz` aceea]i func\ie ca cel de la punctul
precedent. {ncerca\i s` explica\i func\ionarea
sa ]i s` ar`ta\i avantajele aduse.
Rezolvare
a) Asupra impreciziei de 18 mV [n
tensiunea necesar` pentru anclansarea releului
nu putem face nimic. Putem [mbun`t`\i [ns`
sensibilitatea conversiei temperatur`-tensiune; conform rela\iei (8.25), aceasta este
R
R R
T
( ) +
2
]i ajunge la
un maxim dac` R R
T
o
=
( ) 60
. Aceasta [nseamn` [ns` c` poten\ialul punctului M nu va mai fi de 0.6 V ci se va
duce pe la jum`tatea tensiunii de alimentare. Aceasta
este ]i ideea de baz`, s` nu mai compar`m dou` tensiuni
de 0.6 V ci dou` tensiuni de aproape zece ori mai mari.
Pentru aceasta nu vom mai \ine poten\ialul emitorului la
mas` ci [l vom aduce la 5 V cu o rezisten\` ]i o diod`
Zener (ne p`str`m 10 V pentru anclan]area releului), ca
[n Fig. 8.20. Rezisten\a de 1k asigur` un curent prin
dioda Zener de cel pu\in 10 mA, necesar pentru a
func\iona ca stabilizatoare de tensiune.
Pentru deschiderea tranzistorului, este necesar
acum ca poten\ialul bazei s` urce la 5.7 V; astfel,
raportul [ntre rezisten\a R ]i rezisten\a R
T
o
( ) 60
a
termistorului este
R
R
V
T
alim
o
( )
.
60
1 1 7 =
5.7 V
.
{n aceste condi\ii, varia\ia poten\ialului punctului M la o [nc`lzire de un grad se ob\ine ca
V V
R
R R
R
M
T
T
=
+
=
=
alim
2
15 V
1.7
2.7
4
100
1 mV
( )
2
40
V
alim
R
15 V
2.5 k
releu
termistor
{
@ 60 C
o
2 k
5 k
- 5 V
2.5 k
5 k
+5 V
T
1
T
2
R
T
R
1
R
2
M
25 mA
Fig. 8.19.
V
alim
R
15 V
2.5 k
releu
termistor
{
@ 60 C
o
2 k
5 k
dioda Zener
5.1 V
510
M
Fig. 8.20.
282 Electronic` - Manualul studentului
de ]ase ori mai mare dec[t [n cazul circuitului proiectat la problema precedent`. Astfel, imprecizia de 18 mV
datorat` releului este echivalent` acum cu numai 0.13 grade.
Modificarea punctului unde se produce compara\ia determin` ]i modificarea rezisten\ei termistorului.
Va trebui s` alegem acum termistorul care avea 10 k la 20
o
C. Disipa\ia de putere pe termistor va fi [ns` mai
mare decit [n cazul precedent, tensiunea pe termistor cresc[nd iar curentul r`m[n[nd constant.
b) {n circuitul din Fig. 8.19 compara\ia se efectueaz` tot [ntre dou` tensiuni de aproximativ 5 V,
divizorul ce con\ine termistorul fiind de fapt identic cu cel proiectat la punctul a). C[nd poten\ialele bazelor
sunt riguros egale, curen\ii de colector ai celor dou` tranzistoare vor fi egali. Cre]terea poten\ialului bazei 1
va determina deschiderea tranzistorului T
1
]i blocarea tranzistorului T
2
deoarece suma curen\ilor de colector
r`m[ne constant` datorit` sursei de curent. Astfel, releul va fi anclan]at la cre]terea poten\ialului punctului M,
la fel ca la circuitul de la punctul precedent.
Acel circuit avea o dificultate pe care nu am discutat-o, deoarece nu era foarte mare: sc`derea cu
2mV pe grad a tensiunii de deschidere a tranzistorului ]i, de, asemenea, varia\ia cu temperatura a tensiunii
furnizate de dioda Zener (un coeficient de temperatura de 300 ppm/grad produce o varia\ie de 1.5 mV pe
grad). Circuitul pe care trebuie s`-l analiz`m elimin` primul inconvenient, deoarece este sensibil la diferen\a
[ntre tensiunile baz`-emitor ale tranzistoarelor iar aceste tensiuni scad [mpreun` cu 2 mV pe grad.
Polarizarea bazei tranzistorului T
2
cu un divizor rezistiv diminueaz` considerabil ]i efectele datorate
varia\iei tensiunii de alimentare, deoarece aceste varia\ii, afecteaz` aproape identic poten\ialele ambelor baze;
cum circuitul este sensibil numai la diferen\a [ntre aceste poten\iale, efectele lor se anuleaz` reciproc.
Dac` privim cu aten\ie schema circuitului, recunoa]tem un circuit [n punte (rezisten\ele R R R
T
, ,
1
]i
R
2
), dezechilibrul pun\ii fiind sesizat de un etaj diferen\ial cu tranzistoare (numit a]a deoarece amplific`
practic numai diferen\a [ntre poten\ialele intr`rilor). Etajul diferen\ial este at[t de important [n aplica\ii [nc[t [i
vom dedica, mai t[rziu, un capitol special.
Cap. 8. Dependen\a de temperatur` a caracteristicilor 283
dispozitivelor semiconductoare
Probleme propuse
P 8.1. La [nc`lzirea de la 20
o
C la 40
o
C rezisten\a unui termistor scade de 2.2 ori. Calcula\i parametrul
B al acestui termistor.
P 8.2. La 25
o
C, termistorul din problema precedent` are rezisten\a egal` cu 15.3 k.
Scrie\i expresia rezisten\ei sale [n func\ie de temperatur`. Care este valoarea rezisten\ei la
80
o
C ?
P 8.3. Circuitul din Fig. 8.21 este utilizat pentru m`surarea temperaturii. La 20
o
C
tensiunea pe diod` este de 0.653 V.
a) C[t va fi aceast` tensiune la 80
o
C ? Indica\ie: presupune\i curentul constant.
b) Lua\i [n considera\ie varia\ia calculat` a tensiunii pe diod` ]i determina\i cu c[te
procente s-a modificat curentul. Era justificat` presupunerea de la punctul precedent ?
P 8.4. Avem un termistor care are rezisten\a de 15 k la 20
o
C ]i vrem s` convertim [n
informa\ie de tensiune varia\ii mici ale temperaturii [n jurul valorii de 40
o
C. Trebuie s`
realiz`m, pentru aceasta, un divizor alimentat de la tensiunea continu` de 10 V, ca [n Fig.
8.22.
a) Ce valoare aproximativ` a rezisten\ei va avea termistorul la 40
o
C ?
b) C[t trebuie s` fie valoarea rezisten\ei R astfel [nc[t sensibilitatea conversiei
temperatur`-tensiune ([n jurul valorii de 40
o
C) la s` fie maxim` ?
c) C[t va fi [n aceste condi\ii U T [n jurul temperaturii de 40
o
C ?
d) C[te cifre trebuie s` aib` voltmetrul digital cu care se m`soar` tensiunea pentru a
se putea pune [n eviden\` o varia\ie de 0.001
o
C ?
P 8.5.
a) Proiecta\i sursa de curent din Fig. 8.23 astfel [nc[t s`
debiteze un curent de 1 mA ]i s` aib` o stabilitate termic`
satisf`c`toare (utiliza\i rezultatele analizei f`cute asupra
circuitelor de polarizare).
b) Estima\i efectul varia\iei cu 10
o
C asupra curentului
furnizat de surs` (lua\i [n considera\ie numai contribu\ia modific`rii tensiunii
baz`-emitor).
P 8.6. Utiliza\i proiectarea de la problema precedent` pentru a ob\ine un
amplificator cu emitor comun. Pentru aceasta, [nlocui\i sarcina cu o rezsten\`
R
C
, astfel [nc[t poten\ialul colectorului s` fie 6 V. Cu c[t se modific` acest
poten\ial la o [nc`lzire de 8
o
C ?
15 V
15 k
Vout
Fig. 8.21.
10 V
termistor
V
out
R
Fig. 8.22.
R
E
R
B1
R
B2
10 V
1 mA
sarcina
Fig. 8.23.
284 Electronic` - Manualul studentului
Lucrare experimental`
Desf`]urarea experimentului
Vom studia deplasarea punctului de func\ionare sub influen\a temperaturii la c[teva circuite cu
tranzistoare bipolare ]i cu efect de c[mp. Varia\iile de temperatur` le vom m`sura cu cel mai simplu
"termometru electronic", o diod` polarizat` direct la curent constant. Pentru c` modificarea repetat` a
temperaturii cere mult timp, vom urm`ri, [n acela]i experiment, ]i varia\ia rezisten\ei unui termistor, care
altfel ar fi necesitat reluarea operatiei de schimbare a temperaturii.
I
C
5 k
1 mA
I
B
5 k
I
C
1 mA
5 k
I
C
1 mA
15 k
D
T
1
T
2
T
3
5 k
I
C
1 mA
2k
5 k
I
C
1 mA
2k
germaniu !
1 k
I
D
5 mA
D
S
G
T
4
T
5
T
6
MOSFET
+
-
V
A2
R
h
[nc`lzire
V
A1
+15 V
+
-

ohmetru
termistor
rezisten\a de [nc`lzire R
h
, dioda D, termistorul ]i toate tranzistoarele sunt [n foarte bun contact termic
Fig. 8. 24.
Ave\i pe plan]et` circuitele din Fig. 8.24. Curentul diodei D este practic constant deoarece diferen\a
V V
A1 D
(care cade pe rezisten\a R
1
) se va modifica doar cu 120 0 8 mV 15 V = . % la varia\ia de 60
o
C
pe care inten\ion`m s` o producem. Astfel, tensiunea pe diod` va sc`dea cu aproximativ 2 mV pe grad, ]i ne
va permite s` estim`m varia\ia de temperatur` cu o precizie mai bun` de 10 %, suficient` pentru scopul
nostru.
Tranzistoarele T
1
-T
4
sunt din siliciu ]i au fost alese s` aib` factorii aproximativ egali. Ele vor fi
polarizate ini\ial, la temperatua camerei la aceea]i valoare a curentului de colector I
C
( ) 0
=1 mA. Modurile
lor de polarizare sunt [ns` diferite: polarizare fix`, polarizare colector baz`, polarizare la V
BE
const. ]i
Cap. 8. Dependen\a de temperatur` a caracteristicilor 285
dispozitivelor semiconductoare
autopolarizare (cu rezisten\` [n emitor). Valoarea rezisten\ei din emitor va asigura o c`dere de tensiune pe
aceasta de 2 V.
Cea mai bun` stabilitate termic` o va prezenta circuitul de autopolarizare, construit [n jurul
tranzistorului T
4
. Exact [n aceea]i configura\ie este conectat ]i tranzistorul T
5
, cu germaniu. El ne va permite
s` facem o compara\ie [ntre stabilitatea tranzistoarelor cu germaniu ]i a celor cu siliciu. Tot pentru
compara\ie am introdus tranzistorul T
6
de tip MOSFET cu canal indus; pentru el comportarea termic`
avantajoas` apare la uren\i mai mari, a]a c` [l vom polariza ini\ial la un curent de 5 mA.
Dup` ce v-a\i desenat pe caiet schemele circuitelor pe care le ve\i studia, alimenta\i plan]eta de la sursa
de alimentare V
A1
de 15 V ]i ajusta\i fin punctul de func\ionare la fiecare tranzistor. Nu ve\i m`sura direct
curen\ii de colector ]i, respectiv, dren` (explica\i de ce) ci poten\ialele fa\` de mas` ale nodurilor respective.
Valorile rezisten\elor au fost astfel alese [nc[t de fiecare dat` va trebui s` ob\ine\i aceea]i valoare: 10 V. Dup`
ce a\i terminat de ajustat polariz`rile, m`sura\i ]i nota\i-v` tensiunea pe dioda D, care va fi termometrul
nostru.
S` nu uit`m termistorul Th. Trecem ohmetrul pe scara de 100 k, [l etalon`m dac` este nevoie ]i [l
conect`m a bornele termistorului. Citim valoarea rezisten\ei ]i o not`m. Ave\i multe valori de m`surat, a]a c`
este bine s` v` construi\i un tabel ca cel de mai jos.
Poten\ialul de colector (sau dren`) al tranzistoarelor (V)
Tensiunea pe
diod` (mV)
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
Rezisten\a
termistorului
()
Lega\i acum la plan]et` ]i sursa de alimentare V
A2
, dup` ce a\i reglat-o la tensiune nul`. Ea va
[nc`lzi rezisten\a de putere R
h
care este montat` [n foarte bun contact termic cu dioda D, termistorul ]i toate
tranzistoarele. Cre]te\i la 1 V valoarea tensiunii ]i urm`ri\i [nc`lzirea diodei D prin sc`derea tensiunii la
bornele sale. C[nd sc`derea [nceteaz`, rezisten\a de [nc`lzire, dioda ]i tranzistoarele au ajuns la un echilibru
termic. M`sura\i, [n aceste condi\ii, tensiunea pe diod` ]i poten\ialele de colector (dren`) ale tuturor
tranzistoarelor. Citi\i ]i noua valoare a rezisten\ei termistorului.
Cre]te\i cu [nc` un volt tensiunea de [nc`lzire, a]tepta\i s` se realizeze echilibrul termic ]i relua\i
m`sur`torile. Repeta\i procedeul p[n` c[nd temperatura a crescut cu aproape 60 de grade fa\` de cea ini\ial`
(120 mV sc`dere a tensiunii pe diod`).
Prelucrarea rezultatelor pentru tranzistoare
Dup` ce a\i terminat m`sur`torile trebuie s` interpreta\i rezultatele. Construim un alt tabel, pentru
aceste rezultate.
Curen\ii de colector (sau dren`) ai tranzistoarelor (mA)

(
o
C)
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
Rezisten\a
termistorului
()
0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 5.0
Mai [nt[i, din valorle tensiunii pe diod` calcula\i =
ini
, ]tiind c` tensiunea scade cu aproximativ
2 mV pe grad. Apoi, din poten\ialele de colector ]i dren` ale tranzistoarelor determina\i valorile curen\ilor
286 Electronic` - Manualul studentului
respectivi. Dac` vreunul din circuite a ajuns cumva [n satura\ie, nota\i asta explicit pentru c` [n acest caz
curentul nu mai este determinat de varia\ia parametrilor tranzistorului.
Desena\i apoi, pentru toate tranzistoarele cu siliciu, pe acela]i grafic, dependen\ele I f
C
= ( ) .
Compara\i-le ]i formula\i o concluzie [n privin\a stabilit`\ii termice ale diferitelor variante de polarizare.
Compara\i acum tranzistorul cu germaniu ]i tranzistorul cu siliciu cu acela]i tip de circuit de polarizare
(tranzistoarele T
4
]i T
5
), desen[nd pe acela]i grafic dependen\ele I f
C
= ( ) . Formula\i o concluzie.
Ad`uga\i, pe acela]i grafic ]i dependen\a I f
D
5 mA = ( ) ob\inut` pentru tranzistorul MOSFET.
Compara\i-o cu dependen\a de la tranzistorul cu siliciu ]i formula\i o concluzie.
Prelucrarea rezultatelor pentru termistor
Vom prelucra acum datele de la termistor. Mai [nt[i, ca s` ne facem o idee asupra modului cum variaz`
rezisten\a sa, reprezent`m grafic R f T = ( ) [n coordonate liniare. Cum este dependen\a rezisten\ei sale ?
Formula\i o concluzie.
{n continuare, [ncerc`m s` verific`m dac` el respect` rela\ia teoretic`. Dac` la temperatura T
0
([n
Kelvin) el are rezisten\a R
0
, atunci dependen\a R f T = ( ) se scrie sub forma
R R e R e
B
T T
B
T
T T T
= =

F
H
G
I
K
J

+
F
H
G
I
K
J
0
1 1
0
1
0 0
2
0

(
unde B este o constant` ce caracterizeaz` termistorul. {mp`r\ind la R
0
]i logaritm[nd, ob\inem
y R R
B
T
T T
T = =
+
ln
0
0
2
0
1
1
.
Reprezent`m ]i noi grafic
dependen\a y R R f T = = ln ( )
0
, R
0
fiind rezisten\a m`surat` la temperatura
ini\ial` (ambiant`). Ce form` aproximativ`
are graficul ? Pute\i estima cu c[te procente
pe grad scade rezisten\a termistorului ?
Temperatua ini\ial` era [n jur de 300
K a]a c` pentru varia\ii T nu foarte mari
a doua frac\ie din rela\ia precedent` este
practic unitar`. Graficul ar trebui s` fie,
deci, [n prima sa por\iune o linie dreapt` cu
panta B T
0
2
. "Fit`m" o dreapt` printre
punctele experimentale la T 20 K, [i
m`sur`m panta ]i cu T
0
300 K estim`m
parametrul B al termistorului.
Putem s` ob\inem direct din grafic informa\ii asupra temperaturii ini\iale. Extrapol`m spre dreapta
graficului linia dreapta cu care am fitat anterior ]i m`sur`m la ce valoare y
1
ajunge ea la T T =
max
. Pe de
alt` parte, graficul experimental, care este descris de rela\ia neliniar`, va ajunge la o valoare y
max
de
1
0
+ T T
max
ori mai mic`. De aici putem s` estim`m temperatura ini\ial` T
0
T T
y y
0
1
1
1
=

max
max
.
0 10 20 30 40 50 60 70 80
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
=ln
R
0
R
T (K) T
max
y
max
y
y
1
dreapta y
=
B
T
0
2
T