Energie fotovoltaica

Estimrile duratei pentru sursele convenionale, n cele

mai optimiste estimri, sunt (sursa Oil & Gas Journal,
World Oil):
petrol: 1.277.702/77/365= 32 de ani
gaz: 1.239.000/47/365= 72 de ani
crbune: 4.786.000/52/365= 252 de ani.
Probleme:
dezvoltarea economic a Chinei i Indiei, dou ri care au o
populaie de aproximativ 2 miliarde de locuitori;
rzboiele care au loc n zona fierbinte a petrolului, atacurile
teroriste...;
globalizarea care face ca orice criza dintr-un loc al Terei s se
propage extrem de rapid n toate arile;
creterea alarmant a preului gazelor naturale i a petrolului,
acesta atingnd un pre record de 147 de dolari pe baril la 11
iulie 2008
Scurt istoric

In anul1839 fizicianul
E.Becquerel a descris
pentru prima oara efectul
fotovoltaic
Heinrich Hertz in 1870 a
studiat PV efect in solide,
cum ar fi Selenium (Se).
Curand celulele solare de
Se au convertit lumina in
electricitate cu o eficienta
de1% -2%. Astfel Se a
fost repede adoptat
pentru fabricarea de
senzori pentru radiatie.
Efectul fotovoltaic a fost explicat la inceputul
secolului 20 datorita teoriei cuantice
1916 Robert Millikan demonstreaza experimental
efectul fotoelectric
1918 Jan Czochralski a dezvoltat tehnica de
crestere a cristalului de siliciu.
un pas important in vederea comercializarii
celulelor solare a fost facut in anii 1940 si iceputul
anilor 1950 cand procesul Czochralski a fost pus la
punct pentru producerea cristalului de siliciu pur (c-
Si).
In 1954, cercetatorii de la laboratorul Bell utilizand
procesul Czochralski au realizat prima celula
solara de c-Si cu o eficienta de 4%.
Prima celul solar modern este realizat
i patentat de Russell Ohl, vezi fig., n
anul 1941
Chaplin, Fuller and Pearson de
la Bell Telephone Laboratories
au dezvoltat o celula de siliciu
avand o eficienta ceva m,ai
ridicata de circa 6%
In ani 1950 celulele solare au
fost utilizate pentru prima data
ca surse de energie pentru
sateliti( Vanguard 1 )
1958 T. Mandelkorn, U.S. Signal
Corps Laboratories, fabrica
celule solare de tipul n sau p
(celule rezistente la radiatie )

1958, 1959, 1960 Hoffman Electronics
obtine eficiente pentru celule de 9, 10,
14%
In 1963 in Japonia a fost pus in functiune
un array ce furnizeaza 242-watt
Datorita crizei de petrol din ani 1970
interesul pentru surse de energie
alternativa a crescut considerabil
1972 francezii instaleaza un sistem
photovoltaic de cadmium sulfide (CdS) la
o scoala din Niger.

Astazi celulele solare sunt folosite in foarte multe
domenii:
5 kWh per day
42 m2 acoperiti cu
celule de Si amorf




Ford Motor factory
Cardiff, Wales.PV-
panels, from
amorphous Si.
(Power: 97 kWp)
Zero energy house (12 kWh/m2) in
Wettringen
Sistem de incarcare a bateriilor vehiculelor electrice .
University
of South Florida, U.S.A.
module de siliciu mono-cristaline
4.4kW pentru sistem de racire
mono-crystalline silicon modules
Offices of Dr.
Charles Boniske &
Dr. Daniel Watrous,
Visalia, CA
System Size: 35 kW

Dept of Defense,
Pentagon Facility,
Arlington, VA
System Size: 87 kW
Curba de descrestere a pretului pe
MWp in functie de timp (ani)
Curba de vazari. In 1999 totalul
puterii generate de PV in lume a
fost de 460.6 MWp.
Progresul in eficienta celulelor solare
Semiconductori.
Jonctiunea p-n
Semiconductori
metalele sunt corpuri solide care deasupra
benzilor ocupate au o banda partial ocupata cu
electroni;
izolatori si semiconductori - sunt corpuri solide
care deasupra benzilor complet ocupate cu
electroni au o banda energetica in care toate
nivelele energetice sunt libere; pentru delimitare
utilizindu-se largimea benzii interzise astfel
pentru Eg < 3 eV materialele sunt
semiconductori, iar pentru Eg > 3 eV materialele
sunt izolatori;
Un alt criteriu mai vechi, empiric,
care tine cont de proprietatile de
conductie imparte materialele in
stare solida in:

conductori avand rezistivitatea de la 10
-8
la
10
-6
m;
semiconductori avand rezistivitatea de la
10
-6
la 10
12
m
izolatori avand rezistivitatea de la 10
12
la
10
22
m
In natura intalnim elemente pure sau
combinatii binare si ternare care
manifesta proprietati semiconductoare.
In tabelul enumeram cateva astfel de
elemente.
Tipuri reprezentanti
Elem. pure Si, Ge, Sn, P, Se,Te...
Elem. binare CdS, CdTe, ZnS...
Elem. ternare GaAsP, InGaSb...
Materiale utilizate la fabricare
celulelor
Material Energy gap (eV) Type of gap
Crystalline Si, c-Si 1.12 Indirect
Amorphous Si, a-Si 1.75 Direct
CuInSe
2
(Copper Indium Diselinide)
CIS
1.05 Direct
CdTe 1.45 Direct
GaAs 1.42 Direct
InP 1.34 Direct

Conductibilitatea in semiconductori
conductibilitatea intrinseca specifica
materialelor semiconductoare pure Si, Ge, ea
apareca urmare a salturilor electronilor, situati la
limita superioara a benzii de valenta in banda de
conductie;
conductibilitate extrinseca se realizeaza in
semiconductoare dopate cu atomi de impuritate,
ceea ce duce la modificarea densitatii
purtatorilor liberi de sarcina in semiconductor;
Impuritatile donoare sporesc nr. electronilor
liberi din semiconductor
Diagrama semiconductorului de tip
n si p
Diagrama energiei si momentului
pentru banda de valenta si cea de
conductie a Si si GaAs.
Energia unui foton este data de relatia
E = h = hc/
Relatie ce se mai poate scrie
E = 1.24/ (eV)
Absorbtia
Tipuri de recombinari
.

Recombinarea prin
defecte in banda interzisa
Recombinarea Banda--banda
Recombinarea Auger
Jonctiunea p-n
O jonctiune semiconductoare este o schimbare
de la un semiconductor de tip p la unul de tip n
in aceeasi retea cristalina.
Daca jonctiunea este realizata in acelasi
semiconductor se obtine o homojonctiune p-n.
Daca se realizeaza intre doi semiconductori
diferiti ca tip de conductie sau ca largimi diferite
ale benzii interzise se obtin heterojonctiuni.
Printre metodele de obtinere a
jonctiunilor p-n putem enumera:
1. metoda alierii,
2. difuzia in structuri mesa,
3. implantarea ionica,
4. difuzia planara sau planar epitaxiala.
Dupa modul de dopare jonctiunile p-n
pot fi clasificate in simetrice, asimetrice,
line si abrupte.
Datorita gradientilor de concentratie dintre
cele doua regiuni n si p apare o difuzie de
electroni din regiunea n in regiunea p.
Aceasta conduce la micsorarea
concentratiilor de purtatori in regiunea de
contact, la formarea unei zone de saracire
alcatuita de zona I si II si la aparitia unui
camp intern E. Datorita deplasarii
electronilor din sectiunea n in p, in zona I
raman ionii pozitivi, golurile, iar prin
deplasarea golurilor din sectiunea p in
regiunea n, in zona II raman ionii negativi,
electronii
Prin jonctiune curentul total este nul. Explicatia
este ca curentii ohmici datorati actiunii
campului electric sunt anulati la echilibru de
curentii de difuzie. Benzile energetice ale
jonctiuni p-n se vor curba sub actiunea
campului electric.


Efectul fotovoltaic
Cuvntul fotovoltaic este alctuit din doi termeni: din
greac phos ce nseamn lumin i voltaic dup
fizicianul italian Volta nsemnnd electric. n Anglia nc
din 1849 a fost folosit acest termen [1].
Efectul fotoelectric intern sau efectul fotovoltaic este
propriu materialelor semiconductoare.
Generarea unei tensiuni electromotoare atunci cnd
lumina sau alt radiaie electromagnetic cade pe
jonciunea format din dou materiale semiconductoare
diferite p i n, pe heterojonciuni, pe jonciunii n cascad
sau pe contactul metal-semiconductor se numete efect
fotovoltaic.
n cazul iluminrii unei jonciuni p-n caracteristica I-V se
modific n funcie de parametrii radiatiei solare i de
unghiul de inciden pe care-l face radiaia cu celula
solar.
Clasificare
Exist astzi diverse clasificri pentru celulele solare.
Astfel clasificarea se poate face n funcie de:
grosimea stratului materialului: celule cu strat gros i celule cu
strat subire;
tipul de material: materiale semiconductoare (Si, Ge, CdTe,
GaAs, GaAIAs. GaInAsP. InAs, InSb, InP sau CuInSe), materiale
organice sau utilizarea pigmenilor organici;
structura de baz: cristaline (monocristaline, multicristaline,
policristaline), amorfe;
tipul jonciunii: unic joniune (homojonciune), multijonciune sau
tandem;
evoluia tehnologiei de fabricaie: celule de prim generaie
(Si,...), a doua generaie (celule cu strat subtire), a treia
generaie (celule organice...)
Evoluia celulei solare de
siliciu: familie de celule solare
cu eficien ridicat a)
celul solar PERC; b) celul
solar PERL; c) celul solar
PERT; d) celul solar
PERF (sursa Green i Hansen)
Parametri
celulelor utilizate
la construcia
mainii solare
(sursa Sandia
National
Laboratories)
Main solar
Honda dream
(sursa PVSRC)
Caracteristica I-V
Caracteristica semilogaritmica I-V la intuneric
Parametrii
curentul de scurt circuit Isc , se gasete
facnd tensiunea zero;
tensiunea de circuit deschis Voc obinut
setnd I = 0;

puterea maxim Pmax unde produsul IV
este maxim
|
|
.
|

\
|
+ = 1 ln
o
ph
oc
I
I
q
kT
V
Un alt parametru important al celulei este considerat factorul
de umplere notat FF
oc sc
V I
P
FF

=
max
oc sc
V I FF P =
max
T c
oc sc
in
m
c
I A
V I FF
P
P

= = q
Atunci putem scrie:



Se poate calcula eficiena celulei solare:


unde: A
c
este aria celulei, I
T
este iradiana.
Factorii care influenteaza eficienta
Energia benzii interzise
Temperatura celulei
Rezistenta serie si sunt
Stratul antireflectant
Intensitatea lumionoasa
Conditiile atmosferice.
Eficienta vs. Eg
Influenta temperaturii
(
(

|
|
.
|

\
|
+ =
a
n
d
p
sc
g
oc
N
C
N
C
I
B
q
k
dT
dE
q dT
dV
ln
1
|
|
.
|

\
|

oc
g g
V
q
E
T dT
dE
q
1 1
(
(

|
|
.
|

\
|
+ ~
a
n
d
p
sc
g
oc
N
C
N
C
I
B
q
kT
q
E
V ln
Si, dEg/dT = - 0.0003 eV/C, (Eg/q) Voc 0.5 V,
rezulta dVoc/dT = -2 mV/C. pentru fiecare 1
0
C Voc
scade 0.002/0.55 0.4%
Dependena curbelor I-V de nivelele de
iluminare
Rezistenta serie si sunt
Rezistenta serie intr-o celula solara este
determinata de rezistenta serie a bazei, de
rezistenta contactelor metal-semiconductor la
electrozi si de rezistenta stratului difuzat de la
suprafata iluminata a celulei
Rezistenta shunt este paralela cu jonctiunea p-n.
Aceasta rezistenta este data de rezistenta mare a
jonctiunii p-n, polarizata invers. Rezistenta shunt
reprezinta calea de curgere a electronilor dupa
cum se poate vedea in figura
Efectul rezistenei serie si sunt asupra
caracteristicii I-V a celulei solare
Materiale antireflectante
Material Index of refraction
Al
2
O
3
1.77
Glasses 1.5-1.7
MgO 1.74
SiO 1.5-1.6
SiO
2
1.46
Ta
2
O
5
2.2
TiO
2
2.5-2.6
Types of solar cells
Effic.
%
Area
cm
2

V
oc

V
J
sc

mA/cm
2

FF
%
Test Centre
(Date)
Description
Silicon
Si (crystalline) 24.47 4 0.706 42.2 82.8 Scandia (99) UNSW PERL
11

Si (multicrystalline) 20.3 1 0.664 37.7 80.9 NREL(04) FhG-ISE
12

Si (thin film) 16.6 4 0.645 32.8 78.2 FhG(01) Stuttgart
13

III-V Cells
GaAs (crystalline) 25.1 3.91 1.022 28.2 87.1 NREL(90) Kopin
14

GaAs (multicrystalline) 18.2 4 0.994 23 79.7 NREL(95) RTI
15

GaAs (thin film) 24.5 1 1.029 28.8 82.5 FhG(05) Radboud
16

InP (crystalline) 21.9 4.02 0.878 29.3 85.4 NREL(90) Spire
17

Thin film chalcogenide
CIGS (cell) 18.4 1 0.669 35.7 77 NREL(01) NREL
18

CdTe (cell) 16.5 1 0.845 25.9 75.5 NREL(01) NREL
19

Amorphous/nanocrystalline Si
Si (amorphous) 9.5 1 0.859 17.5 63 NREL(03) Neuch.
20

Si (nanocrystalline) 10.1 1.2 0.539 24.4 76.6 JQA(97) Kaneka
21

Photochemical
Nanocrystalline dye 10.4 1 0.729 21.8 65.2 AIST(05) Sharp
22

Multijunction devices
GaInP/GaAs/Ge 32.3 3.99 2.622 14.37 85 NREL(03) Spectrolab
GaInP/GaAs 30.3 4 2.488 14.22 85.6 JQA(96) Japan Energy
23

GaAs/CIS 25.8 4 - - - NREL(89) Kopin
a-Si/CIGS 14.6 2.4 - - - NREL(88) ARCO
24

Concentratori solari
|
|
.
|

\
|
+
=
= 1
I
1) (C i C
ln
q
kT
(C) V
0
sc
oc
1) (C i C (C) i
sc sc
= =