Popoiu Constantin Prof:

Cristian Parvu
413 E
Celula Fotovoltaica
Istoric
Deja i n Grecia antic se tia c energia
luminii se poate utiliza, astfel se pare c la asediul
Siracuzei n anul 212 naintea erei noastre grecii au
concentrat lumina solar cu oglinzi i au ndreptat-o
ctre flota asediatoare a romanilor, incendiind-o. Tot
grecii au fost i cei care au utilizat energia luminoas n
scop panic aprinznd cu ea flacra olimpic. !n 1"#$ %le&andre 'dmond (ec)uerel a
descoperit c o *aterie e&pus la soare produce mai mult curent electric dect una
nee&pus. +entru acest e&periment a msurat diferen,a de poten,ial dintre doi electrozi de
platin situa,i unul pe fa,a luminat i cellalt pe fa,a um*rit a recipientului i scufunda,i
ntr-o *aie de solu,ie c-imic acid . .nd a e&pus aceast construc,ie la soare a o*ser/at
trecerea unui curent printre electrozi. %a a descoperit efectul fotoelectric pe care ns nu
l putea e&plica nc. 0rirea conducti/it,ii seleniului a fost demonstrat n 1"1#. 2ece
ani mai trziu a fost confec,ionat prima celul fotoelectric 3clasic4. Dup nc zece ani
n 1"$# a fost confec,ionat prima celul solar care producea electricitate. !n 1$56
fizicianul german +-ilipp 7enard a descoperit c lumina incident pe anumite suprafe,e
metalice eli*ereaz electroni din suprafa,a acestuia i astfel a oferit prima e&plica,ie
referitoare la efectul fotoelectric. Totui el nu tia nc de ce i la care metale se produce
acest efect. .u toate acesta pentru aceast descoperire el a o*,inut premiul 8o*el pentru
fizic n anul 1$59. :ezol/area pro*lemei a /enit de la %l*ert 'instein n 1$59 cnd cu
ajutorul teoriei cuantice a e&plicat dualitate luminii ea fiind prezent n acelai timp i ca
particul i ca und. +n atunci se credea c lumina este doar energie cu diferite lungimi
de und. 'instein n e&perimentele sale a constatat c lumina n unele situa,ii se comport
ca o particul, i c energia fiecrei particule sau foton depinde doar de lungimea de
und. 'l a descris lumina ca o serie de gloan,e ce ating suprafa,a materialului. Dac
aceste gloan,e au suficient energie, un electron li*er din metalul atins de foton se /a
eli*era din structura acestuia. Totodat a constatat c energia cinetic ma&im a
electronului este independent de intensitatea luminii i depinde doar de energia fotonului
care l-a eli*erat. %ceast energie depinde totodat numai de lungimea de und respecti/
frec/en,a luminii. +entru lucrrile sale pri/ind fenomenul foto/oltaic, a o*,inut premiul
8o*el pentru fizic n anul 1$21. Descoperirea n anul 1$6$ a jonc,iunii p-n de ctre
;illiam (. S-oc<le=, ;alt-er >. (rattain i ?o-n (ardeen a fost nc un pas mare n
direc,ia celulelor. Dup aceast descoperire fa*ricrii celulei solare n forma cunoscut
astzi nu i mai sta nimic n cale. @a*ricarea primei celule solare n 1$96 n la*oratoarele
firmei americane (ell se datoreaz totui unei ntmplri fericite. %ngaja,ii firmei su*
conducerea lui 0orton +rice au o*ser/at cnd cercetau un redresor cu siliciu, c acesta
producea mai mult curent cnd era e&pus la soare. .a urmare firma (ell prin contri*u,ia
domnilor .-apin, @uller i +earson a dez/oltat n 1$9# primele celule solare din siliciu
impurificate cu arsen dar care a/eau un randament de doar 6 A care a fost mrit la B A
prin sc-im*area impurificrii. !n 1$9" au fost testate celule solare pentru prima dat pe
sateliul Canguard D dotat cu un panou solar a/nd 15" celule solare pe *az de siliciu.
:ezultetele o*,inute au fost peste ateptri E pn n ziua de azi sondele spa,iale pn
dincolo de marte sunt alimentate cu curent produs de celulele solare, iar n anul 2511 se
/a lansa sonda spa,ial ?uno care /a fi prima sond spa,ial spre ?upiter alimentat cu
curent produs de celule solare. S-au atins n spa,iu randamente de pn la 15,9 A. %ceste
rezultate nu se puteau realiza pe pmnt i datorit condi,iilor diferite din spa,iu unde nu
se regsete ritmul zi-noapte i lumina natural nu este a*sor*it par,ial de atmosfer i
nori, totodat radia,iile cosmice conduc la o m*trnire mai rapid a celulelor solare
dect pe pmnt. De aceea industria i cercetarea ncearc o*,inerea unor randamente tot
mai mari n paralel cu prelungirea duratei de /ia,. :andamentul teoretic pentru celule
solare pe *az de siliciu se consider a fi de 2$ A pentru condi,iile de iradia,ie pe spectrul
din zona de mijloc. 0andel<orn i 7amnec< au mrit durata de /ia, a celulelor solare n
1$12 printr-o reflectare a purttorilor de sarcin minoritari dup ce au introdus un strat
numit *lac< surfaces field F(S@G n stratul impurificat 3p4. !n 1$1# 7indma=er i 'llison
au confec,ionat aa numita celul mo/ ce a/ea un randament de 16 A. +rin reducerea
refle&iei n 1$19 s-a mrit randamentul la 1B A. %ceste celule s-au numit celule .8:
F.omsat 8on :eflectionH .omsat I Telefonsatelit Gi au fost concepute pentru sateli,i
.riza de la nceputul anilor 15 a condus la creterea pre,urilor produselor petroliere a/nd
ca rezultat cretere pre,ului energiei. %cest lucru a impulsionat cercetrile n domeniul
celulelor solare. !n 1$"5 s-a nceput organizarea de concursuri de automo*ile ac,ionate cu
energie electric o*,inut de la module solare. !n 1$"1 un a/ion ac,ionat de energie solar
a tra/ersat .analul 0necii. !ntre timp Green precum i specialitii de la Jni/ersitatea
Stanford i cei de la Telefun<en au dez/oltat cellule solare cu un randament n jur de 25
A.
Forme i mrimi
7a nceputul comercializrii panourilor solare, celulele a/eau o form rotund,
pstrnd forma *arelor de siliciu din care au fost de*itate. %ceast form azi este rar
utilizat locul ei fiind preluat de formele dreptung-iulare de cele mai multe ori ptrate
a/nd col,urile mai mult sau mai pu,in teite. +n la sfritul anilor 1$$5 celulele solare
a/eau cel mai des mrimea de fa*rica,ie de 155K155 mm Fn jargonul de specialitate
numite celule de 6 ,oliG. Dup aceea au fost introduse pe scar tot mai larg celulele cu
latura de 129 mm, i de prin anul 2552 i celulele cu latura de 195 mm se utilizeaz tot
mai des n modulele standard i se pre/ede c nici celulele de 255K255 nu /or fi o raritate
n /iitor. !n procesul de*itare rezult i plci de dimensiuni mai mici, care pot genera
aceeai tensiune doar cu un curent mai mic datorit suprafe,ei mai mici, i care i gsesc
aplica,ia n aparatele cu consum mic.
mbtrnirea
+rin m*trnire n,elegem modificarea parametrilor de func,ionare a elementelor
semiconductoare a celulelor solare n timp. !n cazul de fa, n special scderea
randamentului pe parcursul /ie,ii acestora.
+erioada luat n considerare este de cca 25 ani, !n condi,ii de utilizare terestr,
randamentul scade cu cca 15 A, pe cnd n spa,iu acest procent se atinge ntr-un timp
mult mai scurt datorit cmpurilor de radia,ii mult mai puternice.
+ierdere de randament n utilizare se datoreaz n multe cazuri unor cause *anale
independente de celulele solare. %ici enumerm murdrirea suprafe,elor sticlei de
protec,ie a modulelor, mucegirea pornind de la rama modulului, um*rirea modulelor de
ctre /egeta,ia din jur crescut ntre timp, ingl*irea polimerilor care constituie materialul
de contact ntre celul i sticl.
Celula solara
L celul solar const din dou sau mai multe straturi de material semiconductor,
cel mai ntlnit fiind siliciul. %ceste straturi au o grosime cuprins ntre 5,551 i 5,2 mm
i sunt dopate cu anumite elemente c-imice pentru a forma jonc,iuni Mp4 i Mn4. %ceast
structur e similar cu a unei diode. .nd stratul de siliciu este e&pus la lumin se /a
produce o Magita,ie4 a electronilor din material i /a fi generat un curent electric.
.elulele, numite i celule foto/oltaice, au de o*icei o suprafa, foarte mic i
curentul generat de o singur celul este mic dar com*ina,ii serie, paralel ale acestor
celule pot produce curen,i suficient de mari pentru a putea fi utiliza,i n practic. +entru
aceasta, celulele sunt ncapsulate n panouri care le ofer rezisten, mecanic i la
intemperii.
Clasificare
.elulele solare pot fi clasificate dup mai multe criterii. .el mai folosit criteriu
este dup grosimea stratului materialului. %ici deose*im celule cu strat gros i celule cu
strat su*,ire.
Jn alt criteriu este felul materialuluiN se ntre*uin,eaz, de e&emplu, ca materiale
semiconductoare com*ina,iile .dTe, Ga%s sau .uDnSe, dar cel mai des folosit este
siliciul.
Dup structur de *az deose*im materiale cristalineFmono-OpolicristalineG
respecti/ amorfe.
!n fa*ricarea celulelor foto/altaice pe lng materiale semiconductoare, mai nou,
e&ist posi*iltatea utilizrii i a materialelor organice sau a pigmen,ilor organici.
Materiale
1G.elule pe *az de siliciu
-Strat gros
iG.elule monocristaline Fc-SiG- randament mare - n produc,ia n
serie se pot atinge pn la peste 25 A randament energetic, te-nic
de fa*rica,ie pus la punctH totui procesul de fa*rica,ie este
energofag, ceea ce are o influen, negati/ asupra periodei de
recuperare Ftimp n care ec-i/alentul energiei consumate n
procesul de fa*ricare de/ine egal cantitatea de energia generatG.
iiG.elule policristaline Fmc-SiG- la produc,ia n serie s-a atins deja
un randament energetic de peste la 1B A, cosum relati/ mic de
energie n procesul de fa*rica,ie, i pn acum cu cel mai *un
raport pre, E performan,.
-Strat su*,ire
iG.elule cu siliciu amorf Fa-SiG - cel mai mare segment de pia, la
celule cu strat su*,ireH randament energetic al modulelor de la 9 la
1 AH nu e&ist strangulri n apro/izionare c-iar i la o produc,ie
de ordinul Tera;att
iiG.elule pe *az de siliciu cristalin, e&. microcristale FPc-SiG
n com*ina,ie cu siliciul amorf randament mareH te-nologia aceeai
ca la siliciul amorf
2GSemiconductoare pe *az de elemente din grupa DDD-C
-.elule cu Ga%s - randament mare, foarte sta*il la sc-im*rile de
temperatur, la nclzire o pierdere de putere mai mic dect la celulele
cristaline pe *az de siliciu, ro*ust /iza/i de radia,ia ultra/iolet,
te-nologie scump, se utilizeaz de o*icei n industria spa,ial
FGaDn+OGa%s, Ga%sOGeG
#GSemiconductoare pe *az de elemente din grupa DD-CD
-.elule cu .dTe - utilizeaz o te-nologie foarte a/antajoas
.(DFdepunere de staturi su*,iri pe suprafe,e mari n mediu cu p> ,
temperatur i concentra,ie de reagent controlateG H n la*orator s-a atins
un randament de 1B A, dar modulele fa*ricate pn acum au atins un
randament su* 15 A, nu se cunoate fia*ilitatea. Din moti/e de protec,ia
mediului este impro*a*il utilizarea pe scar larg.
6G.elule .DS, .DGS
-.DS este prescurtarea de la .upru-Dndiu-Diselenid produs n sta,ie pilot la
firma ;Qrt- Solar n 0ar*ac- am 8ec<ar, respecti/ .upru-Dndiu-Disulfat
la firma Sulfurcell n (erlin, iar .DGS pentru .upru-Dndiu-Galiu-Diselenat
produs n sta,ie pilot n JppsalaOSuedia. +roductorii de mai sus promit
trecerea la produc,ia n mas n anul 2551.
9G.elule solare pe *az de compui organici
-Te-nologia *azat pe c-imia organic furnizeaz compui care pot
permite fa*ricarea de celule solare mai ieftine. +rezint, totui, un
impediment faptul c aceste celule au un randament redus i o durat de
/ia, redus Fma&. 9555-G. !nc Fianuarie 2551G nu e&ist celule solare pe
*az de compui organici pe pia,.
BG.elule pe *az de pigmen,i
-8umite i celule GrRtzel utilizeaz pigmen,i naturali pentru transformarea
luminii n energie electricH o procedur ce se *azeaz pe efectul de
fotosintez. De o*icei sunt de culoare mo/.
1G.elule cu electrolit semiconductor
-De e&emplu solu,iaN o&id de cupruO8a.l. Sunt celule foarte uor de
fa*rict dar puterea i siguran,a n utilizare sunt limitate.
"G.elule pe *az de polimeri
-Deocamdat se afl doar n faz de cercetare.
Rezervele de materia prim
.a materie prim de *az siliciul este disponi*il n cantit,i aproape nelimitate.
+ot aparea ns strangulri n apro/izionare datorate capacit,ilor de produc,ie
insuficiente i din cauza te-nologiei energofage.
7a celulele solare ce necesit materiale mai speciale cum sunt cele pe *az de
indiu, galiu, telur i seleniu situa,ia se prezint altfel. 7a metalele rare indiu i galiu
consumul mondial Findiu cca. "95 t, galiu cca. 1B9 tG depete deja de mai multe ori
produc,ia anul FJSGS 0inerals DnformationG. Deose*it de critic este situa,ia datorit
creterii accentuate a consumului de indiu n form de indiu E o&id de zinc n ecranele cu
cristale lic-ide i cele cu 7'D organic, precum i utilizrii de galiu i indiu n produc,ia
diodelor luminiscente F7'DG care se comercializeaz n surse de lumin cu consum mic
de energie respecti/ ca surs de lumin de fundal n tele/izoare cu ecran plat.
:ezer/ele de indiu, estimate la B555 toneFeconomic e&ploata*ile 2"55 toneG, se
presupune c se /or epuiza deja n aceast decad F8eue 2Qrc-er 2eitung 1. Dezem*er
2559G Freser/e de indiu conform JSGS 0ineral .ommodit= Summaries F255BGG.
7a seleniu i telur, care e i mai greu de gsit, situa,ia pare mai pu,in critic,
deoarece am*ii metaloizi se regsesec n cantit,i mici n nmolul anodic rezultat n urma
procesului de electroliz a cuprului iar productorii de cupru utilizeaz doar o parte din
nmolul rezultat pentru e&tragerea de telur i seleniu. :ezer/ele e&ploata*ile economic la
seleniu se estimeaz totui la doar "2555 tone, iar la telur la doar 6#555 tone, /iza/i de
cupru unde se estimeaz la 995 milioane toneS 0ulte procese de produc,ie utilizeaz
galiu, indiu, seleniu i telur n mod neeconomic.
Spre deose*ire de cupru, unde procesul de reciclare este pus la punct, la galiu,
indiu, seleniu i telur procesul de reciclare nu este posi*il deoarece aceste elemente se
gsesc incluse n structuri multistrat foarte fin distri*uite de unde recuperarea, se pare,
nici n /iitor nu /a fi posi*il.
Moduri de construcie
+e lng materia prim o importan, mare prezint te-nologia utilizat. Se
deose*esc diferite structuri i aranjamente n care se depun electrozii de acoperire
transparen,i a cror rezisten, nu este deloc neglija*il.
%lte te-nici /izeaz mrirea eficien,ei asigurnd a*sor*,ia unui spectru de
frec/en, ct mai larg prin suprapunerea mai multor materiale cu diferite caracteristici de
a*sor*,ie. Se ncearc selectarea materialelor n aa fel nct spectrul luminii naturale s
fie a*sor*it la ma&imum.
%ctualmente celulele solare pe *az de materiale semiconductoare cele mai des
comercializate sunt cel pe *az de siliciu.
.elulele solare pe *az de materiale semiconductoare utilizate pentru producerea
de energie electric sunt legate n module. +e un modul se afl mai multe rnduri de
celule solare conectate n serie ntre ele pe fa,a i pe re/ersul modulului permi,nd,
datorit tensiunii nsumate, utilizarea unor conductori cu sec,iune mai mic dect la
legarea n paralel. +entru protejarea unei celule solare mpotri/a efectului de a/alan n
jonc,iune, datorat poten,ialului mai mare Faprut de e&emplu la um*rirea par,ial a
modululuiG, tre*uie incorporate paralel cu celulele solare diode de protec,ieF*=passG.
Sistemele de panouri solare sunt nzestrate uneori cu mecanisme de orientare,
panoul fiind n permanen, direc,ionat pentru a e&ploata la ma&imum energia solar
incident.
:andamentul termodinamic ma&im teoretic
pentru producerea de energie din lumina solar este
de "9 A. %cesta se calculeaz din temperatura
suprafe,ei soareluiF9"55 TUG, temperatura ma&im
de a*sor*,ieFV2955 TU, tempertura de topire a
materialelor greu fuzi*ileG i temperatura mediului
nconjurtorF#55 TUG.
Dac se utilizeaz doar o por,iune din spectrul
luminii solare, /aloarea teoretic se reduce n
func,ie de lungimea de und, pn la 9-#9 A.
8eutilizarea spectrului complet este una din
deza/antajele celulelor solare fa, de centralele
solare termice.
Principiu de funcionare
.elulele solare pe
*az de materiale
semiconductoare n
principiu sunt construite
ca nite fotodiode cu
suprafa, mare care ns
nu se utilizeaz ca
detectoare de radia,ii ci
ca surs de curent.
Dnteresant la acest tip de
semiconductoare este c
prin a*sor*,ie de
energie Fcldur sau luminG eli*ereaz purttori de sarcin Felectroni i goluriG. 'ste
ne/oie de un cmp electrostatic intern pentru ca din aceti purttori s se creeze un curent
electric dirijndu-i n direc,ii diferite.
%cest cmp electric intern apare n dreptul unei jonc,iuni p-n. +entru c intensitatea
flu&ului luminos scade e&ponen,ial cu adncimea, aceast jonc,iune este necesar s fie ct
mai aproape de suprafa,a materialului i s se ptrund ct mai adnc. %ceast jonc,iune
se creeaz prin impurificarea controlat. +entru a realiza profilul dorit, n mod normal se
impurific Mn4 un strat su*,ire de suprafa, i Mp4 stratul gros de dedesu*t n urma cruia
apare jonc,iunea. Su* ac,iunea fotonilor apar cupluri electron-gol n jonc,iune, din care
electronii /or fi accelera,i spre interior, iar golurile spre suprafa,.
L parte din aceste cupluri electron-gol se /or recom*ina n jonc,iune rezultnd o
disipare de cldur, restul curentului putnd fi utilizat de un consumator, ncrcat ntr-un
acumulator sau prin intermediul unui in/ertor li/rat n re,eaua pu*lic. Tensiunea
electromotare ma&im la *ornele unei celule solare Fde e&emplu la cele mai utilizate,
celulele de siliciu cristalineG este de 5,9 C.
Structura celulelor solare se realizeaz n aa mod nct s a*soar* ct mai mult
lumin i s apar ct mai multe sarcini in jonc,iune. +entru aceasta electrodul de
suprafa, tre*uie s fie transparent, contactele la acest strat s fie pe ct posi*il de
su*,iri, pe suprafa, se /a aplica un strat antireflectorizant pentru a micora gradul de
refle&ie a luminii incidente. %cestui strat antireflectorizant i se atri*uie culoare negru-
al*struie a celulelor solare care fr aceasta ar a/ea o culoare gri-argintie.
7a celulele solare moderne se o*,ine din nitrat de siliciu prin procedeul +'-
.CDFpe o suprafa, nclzit se depun n urma unei reac,ii c-imice componente e&trase
dintr-o faz gazoasG un stratul antireflectorizant de cca 15 nm grosime Fsfert de lungime
de und la un coeficient de refrac,ie de 2,5G. Se mai utilizeaz straturi reflectorizante din
SiL2 i TiL2 ce se depun prin procedeul %+-.CD.
Grosimea stratului influen,eaz culoarea celulei Fculoarea de interferen,G.
Grosimea stratului tre*uie s fie ct se pote de uniform, deoarece a*ateri de c,i/a
nanometri mresc gradul de refle&ie. .elulele i datoreaz culoarea al*astr realizrii
unei grosimi ce corespunde lungimii de und a culorii roii, culorea cea mai *ine
a*sor*it de siliciu. !n principiu ns n acest mod se pot realiza celule roii, gal*ene, sau
/erzi la cerin,e ar-itectonice deose*ite, dar /or a/ea un randament mai sla*. !n cazul
nitratului de siliciu i a *io&idului de siliciu stratul antireflectorizant mai are i un rol de a
reduce /iteza de recom*inare superficial.
Celule solare pe baz de siliciu

0aterialul cel mi utilizat pentru fa*ricarea de celule solare pe *az de
semiconductori este Siliciul. Dac la nceput pentru producerea celulelor solare se
utilizau deeuri rezultate din alte procese te-nologice pe *az de semiconductori, astzi
se apeleaz la materiale special n acest scop fa*ricate. +entru industria semiconductorilor
siliciul este materialul aproape ideal. 'ste ieftin, se poate produce ntru-un singur cristal
la un nalt grad de puritate, i se poate impurificaFdotaG n semiconductor de tip 3n4 sau
3p4. +rin simpla o&idare se pot crea straturi izolatoare su*,iri. Totui lrgimea zonei
interzise fac siliciul mai pu,in potri/it pentru e&ploatarea direct a efectului fotoelectric.
.elule solare pe *az pe siliciu cristalin necesit o grosime de strat de cel pu,in 155 Pm
sau mai mult pentru a pute a*sor*i lumina solar eficient. 7a celulele cu strat su*,ire de
tip semiconductor direct ca de e&emplu Ga%s sau c-iar siliciu cu structura cristalin
puternic pertur*at F/ezi mai josG, sunt suficiente 15 Pm.
!n func,ie de starea cristalin se deose*esc urmtoarele tipuri de siliciuN
-0onocristaline .elulele rezult din aa numitele ;afer Fplci de siliciu
dintr-un cristalG. %ceste cristale reprezint materia de *az pentru industria de
semiconductori i sunt destul de scumpe.
-+olicristaline .elulele sunt din plci care con,in zone cu cristale cu
orientri diferite. %cestea pot fi fa*ricate de e&emplu prin procedeul de turnare,
sunt mai ieftine i ca atare cele mai rspndite n produc,ia de dispoziti/e
foto/oltaice. Deseori ele se numesc i celule solare policristaline.
-%morfe .elulele solare constau dintr-un strat su*,ire de siliciu amorf
Ffr cristalizareG i din aceast cauz se numesc celule cu strat su*,ire. Se pot
produce de e&emplu prin procedeul de condensare de /apori de siliciu i sunt
foarte ieftine, dar au un randament sczut n spectru de lumin solar, totui au
a/antaje la lumin sla*. De aceea se utilizeaz n calculatoare de *uzunar i
ceasuri.
-0icrocristaline %cestea sunt celule cu strat su*,ire cu structur
microcristalin. %u un randament mai *un dect celulele amorfe i nu au un strat
att de gros ca cele policristaline. Se utilizeaz par,ial la fa*ricarea de panouri
foto/oltaice, dar nu sunt att de rspndite.
.elule solare tandem sunt straturi de celule solare suprapuse, deo*icei o
com*ina,ie de straturi policristaline i amorfe. Straturile sunt din materiale diferite i
astfel acordate pe domenii diferite de lungimi de und a luminii. +rin utilizarea unui
spectru mai larg din lumina solar, aceste celule au un randament mai mare dect celulele
solare simple. Se utilizeaz par,ial la fa*ricarea de panouri solare dar sunt relati/ scumpe.
L ieftinire aprecia*il se /a o*,ine prin utilizarea n com*ina,ie cu sisteme de lentile, aa
numitele sisteme de concentrare. .elulele solare o*isnuite pot fi confec,ionate dup mai
multe metode de fa*rica,ie.

0ateria prim siliciu este al doilea element c-imic din compozi,ia scoar,ei
terestre n pri/in,a cantitat,ii. Se regsete n compui c-imici cu alte elemente formnd
silicate sau cuar,. Siliciul *rut numit i siliciu metalurgic se o*,ine din )uar, prin topire n
furnal.:educera siliciului se petrece cu ajutorul car*onului la o temperatura de cca 1155
T., rezultnd la fiecare ton de siliciu metalurgic de puritate de cca $"-$$ A n jur de 1,9
T de .L2. +rin acest procedeu n 2552 s-au produs 6,1 T siliciu. 0are parte din acesta
este utilizat de industrie la fa*ricare a o,elului i n industria c-imic i numai o mic
parte n microelectronic i la fa*ricarea de celule foto/oltaice.
Din siliciul *rut printr-un proces de fa*rica,ie n trepte *azat pe triclorsilan se
o*,ine siliciul policristalin de cea mai mare puritate.
+n n prezent F255"G n produc,ie se recurge la o te-nologie Siemens *azat pe
un procedeu de tip .CD condensare de /apori de siliciu, procedeu ela*orat i optimizat
pentru ramura de microelectronic. !n microelectronic cerin,ele de calitate sunt total
diferite de cele din fa*ricarea de celule foto/oltaice. +entru fa*ricarea de celule solare
este foarte important puritatea plcii de siliciu n toat masa ei pentru a asigura o ct mai
mare durat de /ia, pentru purttorii de sarcin, pe cnd n microelectronic cerin,a de
foarte nalt puritate se rezum n principiu la stratul superior pn la o adncime de 25-
#5 Pm. Deoarece ntre timp consumul de siliciu de nalt puritate pentru fa*ricarea de
celule foto/oltaice a ntrecut pe cel pentru microelectronic, actualmente se fac cercetri
intense pentru ela*orarea de procedee de fa*ricare speciale mai ieftine optimizate pentru
celule solare.
.u toate c procesul de produc,ie a siliciului pur este foarte energofag, energia
consumat la fa*ricareaa celulelor solare, n func,ie de te-nologia utilizat, se poate
recupera n 1,9 pn la 1 ani. Dac se ia n considerare c durata de /ia, a panourilor
solare este de peste 25 ani *ilan,ul energetic rezultat este poziti/.
Siliciul pur n continuare poate fi prelucrat n mai multe feluri. +entru celule
policristaline amintim procedeele de turnare (ridgman i 'CG, pe cnd pentru cele
monocristaline procedeul .zoc-rals<i. !n fiecare din acestea n procesul fa*ricare a
*locurilor sau *arelor se face simultan i impurificare cu (or F/ezi mai josG.
Procedeul de turnare
%cesta se utilizeaz la fa*ricarea siliciului policristalin. Siliciul pur se topete ntr-
un cuptor cu induc,ie dup care se toarn ntr-un recipient de form ptrat n care se
supune la un proces de rcire ct mai lent posi*il n cursul cruia /or apare cristale ct
mai mari posi*il. :ecipientul are dimensiunile 95K95 cm, masa solidificat a/nd
nl,imea de #5 cm. (locul astfel solidificat se taie n mai multe *locuri mai mici cu
lungimea de #5 cm. Jn alt mod reprezint turnare continu, procedeu prin care materialul
este turnat direct pe support la dimensiunile cerute. %/antajul const n eliminare
pierderilor rezultate din tiere.
Jn alt mod reprezint turnarea continu, procedeu prin care materialul este turnat
direct pe support la dimensiunile cerute. %/antajul const n eliminare pierderilor
rezultate din tiere.
Procedeul Bridman
+rocedeul numit dup +erc= ;illiams (ridgman este aplicat tot n procesul de
fa*ricare a siliciului policristalin. Siliciul pur se topete tot ntr-un cuptor cu induc,ie dar
procesul de rcire n urma cruia n masa topit se formeaz mari zone ocupate de cte un
cristal are loc c-iar n cuptor. 0aterialul se supune unei nclziri progresi/e pornind de la
*az astfel nct n momentul topirii stratului superior, la *az deja se produce ntrirea
materialului. Dimensiunile *locurilor o*,inute sunt mai mari FB5KB5 cm E15K15 cmG cu
nl,imea de 25-29 cm, i se procedeaz la tierea lor n *locuri mai mici a/nd lungimea
de 25-29 cm.
Procedeul Czoc!rals"i
'ste utilizat la fa*ricarea de *are lungi monocristaline. !nainte de tierea plcilor
necesare celulelor, *arele cilindrice rezultate se ajustaeaz astfel nct s prezinte o
sec,iune ptrat.
Procedeul de topire zonal
Se mai numete i procedeu @loat-2one i se aplic tot la producerea
monocristalelor de siliciu su* form de *ar. +uritatea materialului o*,inut fiind
superioar celei necesitate n confec,ionarea celulelor solare, i costurile fiind mari,
prodedeul este rar utilizat. Singura firm ce utilizeaz acest procedeul este Sun+oWer din
Statele Jnite.
@a*ricare de Waferi FdiscuriOplci su*,iri de siliciuG
Din *arele de cristal /or fi sec,ionate plcu,eFWaferG cu un fierstru special
constnd dintr-o srm lung pe care s-au aplicat particule de diamant i care este
nfurat pe cilindri ce se rotesc. Jn *loc este complet sec,ionat n plcu,e de cca 5,1"X
5,2" mm la o singur trecere. +raful rezultat n urma de*itrii este inutiliza*il i
reprezint pn la 95 A din material.
+entru o*,inerea de plcu,e de siliciu la nceput se utiliza materia prim
e&cedentar rezultat din fa*ricarea de circuite integrate, care nu corespundea calitati/
dar era potri/it pentru fa*ricarea celulelor solare. Datorit cererii mult crescute a
produc,iei de panouri solare, aceast surs are o importan, nesemnificati/.
.elulele monocristaline prezint o suprafa, omogen, pe cnd la celulele
policristaline se pot deose*i zone distincte cu cristale a/nd orientri diferite, ceea ce
creeaz o imagine asemntoare florilor de g-ea,.
!n stadiul de plcu,FWaferG fa,a i re/ersul plcu,ei nu se deose*esc.
Prelucrarea plcilor de siliciu
+lcile de*itate /or fi trecute prim mai multe *i de splare c-imic pentru a
nltura defectele de de*itare i a pregti o suprafa, potri/it captrii luminii. +entru
aceasta s-au ela*orat diferite procedee utilizate de fa*rican,i.
!n mod normal n aceast faz plcile sunt deja impurificate cu *or. %ceasta
nseamn c se gsete deja un surplus de goluri care pot capta electroni deci a/em o
impurificare tip 3p4. +e parcursul procesului de fa*ricare a celulei solare pentru crearea
unei jonc,iuni 3p-n4 este necesar s impurificm suprafa,a ei cu impurit,i de tip 3n4 ceea
ce se poate realiza ntr-un cuptor ntr-o atmosfer de fosfor. %tomii de fosfor ptrund n
suprafa, i /or crea o zon de cca 1 Pm cu un surplus de electroni.
+asul urmtor /a consta n adugarea unui electrod transparent din Si8& sau TiL2
. Jrmeaz imprimarea zonelor de conact i a structurii necesare pentru colectarea
curentului generat. @a,a celulei este pre/zut de cele mai multe ori cu dou *enzi pe care
ulterior se /or fi&a legturile dintre mai multe celule. !n afar de aceasta se /a aplica o
gril conductoare foarte su*,ire , care pe de o parte deranjeaz foarte pu,in intrarea
luminii, pe de alt parte micoreaz rezisten,a electric a electrodei. :e/ersul plcii de
regul este complet acoperit cu un material *un conductor de electricitate.
Dup procesare, celulele /or fi clasificate dup propriet,ile lor optice i electrice,
mai apoi sortate i asam*late n panouri solare.
@a*ricarea plcilor semiconductoare n mod direct
!n dorin,a de a se e/ita detaarea plcilor din *locuri , se gsesc diferite alte
modalit,i ce permit fa*ricarea celulelor solare.
Procedeul #F$
'@G este prescurtarea de la 'dge-defined @ilm-fed GroWt-. +rin acest procedeu
dintr-o cad de grafit nclzit electric se trag n sus tu*uri octogonale de cca B pn la 1
m cu o /itez de cca 1 mmOs. 7,imea unei fe,e este de 15-12.9 cm, iar grosimea peretelui
atinge cca 2"5 Pm. %poi tu*urile /or fi tiate de-a lungul canturilor cu un laser 8dY%G,
dup care fiecare fa,et pe *aza unei grile de-a latul. %stfel se pot realiza celule cu
diferite dimensiuni Fde e&emplu 12.9K19 cm sau 12.9K12.9 cmG. !n acest fel se o*,ine o
ntre*uin,are de "5 A a materialului disponi*il. .elulele astfel realizate sunt deo*icei
policristaline, care la /edere se deose*esc clar de cele de*itate, printre altele suprafa,a lor
este mai ondulat. %cest procedeu se mai numete i procedeu octagonal sau de
e&trudare.
+rocedeul '@G este utilizat de firma Sc-ott Solar n Germania i afost dez/oltat
de firma %S' Solar din Statele Jnite.
Procedeul %trin&Ribbon
0ai e&ist un procedeu dez/oltat de firma '/ergreen Solar din Statele Jnite care
const n tragerea cu ajutorul a dou fire a unei pelicule din siliciul topit. !n cursul acestui
proces rezult mai pu,ine deeuri Fpan ce tre*uie nlturatG ca la procedeele uzuale.
Procedeul cu transfer de strat
7a acest procedeu direct pe un su*strat Fcorp su*,ire solid, deo*icei cu o orientare
cristalin predefinitG se crete un monocristal de siliciu su* forma unui strat de cca 25
Pm grosime. .a material purttor se pot utiliza su*straturi ceramice, sau siliciu supus
unui tratatament superficial. +lacaFWaferG format ca fi deprins de stratul purttor care n
continuare /a putea fi reutilizat. %/antajele procedeului constau n consumul de siliciu
semnificati/ redus datorit grosimii mici, i lipsa deeurilor din de*itare Fpas ce nu mai
mai apre n acest procedeuG. :andamentul atins este mare i se situeaz n domeniul
celulelor monocristaline.
Celule din siliciu 'murdar(
+rocesul de topire i impurificare zonal se poate aplica i n cazul suprafe,elor
plateOstraturi. +rincipiul const n faptul c impurificarea, prin tratamentul termic
Fmultipl retopire prin deplasare lateral de e&emplu cu ajutorul unui fascicol laserG al
siliciului, poate fi concentrat n cte/e locuri.
Alte tipuri de celule solare:
Celule solare cu strat subire

.elulele solare cu strat su*,ire se gsesc n diferite /ariante dup su*strat i
materialul condensat a/nd o /arietate a propriet,ilor fizice i a randamentului pe
msur. .elulele solare cu strat su*,ire se deose*esc de celulele tradi,ionale Fcelule solare
cristaline *azate pe plci de siliciuG nainte de toate n te-nologia de fa*rica,ie i grosimea
stratului materialului ntre*uin,at. +ropriet,ile fizice ale siliciului amorf, care se
deose*esc de cele ale siliciului cristalin determin propriet,ile celulelor solare. %numite
propriet,i nu sunt nc pe deplin clarificate din punct de /edere teoretic.
.-iar i la celulele solare cristaline lumina este a*sor*it deja ntr-un strat
superficial Fde o adncime de cca 15 PmG. %r fi deci de preferat s se fa*rice celulele
solare cu un strat foarte su*,ire. !n compara,ie cu celulele din plci de siliciu cristalin
celule cu strat su*,ire sunt de 155 de ori mai su*,iri. .elulele cu strat su*,ire se o*,in de
cele mai multe ori prin condensarea din faz gazoas direct pe un material purttor care
poate fi sticl, folie metalic, material sintetic, sau alt material. +rocesul costisitor de
de*itare a *locurilor de siliciu descris n capitolul anterior poate fi deci eliminat.
.el mai ntre*uin,at material pentru celulele cu strat foarte su*,ire este siliciul amorf Fa-
SiN>G. 0odulele cu celule de acest tip au o durat de /ia, lung. Testele confirm un
randament sta*il pe o perioad de mai mult de 15 ani.
%lte materiale ce se mai pot ntre*uin,a sunt siliciul microcristalin FPc-SiN>G,
arseniura de galiu FGa%sG, teluriura de cadmiu F.dTeG sau legturi cupru-indiu-FgaliuG-
sulf-seleniu, aa numitele celule .DS, respecti/e celule .DGS unde n func,ie de tip S
poate nsemna sulf sau seleniu.
0odulele pe *az de celule cu strat su*,ire .DS au atins deja un randament de 11-
12 A /ezi Z2[G egal cu cel al modulelor multicristaline cu siliciu.
+entru producerea de curent electric este de dorit un randament mai mare, pe care
par,ial l pot oferi i celulele cu strat su*,ire. Se pot atinge randamente n jur de 25 A Fde
e&emplu 1$,2 A cu cellule .DSG.
Totui randamentul nu este singurul criteriu n alegere, de multe ori mai
importante sunt costurile la care se poate produce curent cu ajutorul panourilor solare, iar
acestea sunt determinate de procedeul de fa*rica,ie utilizat i de pre,ul materiei prime.
Jna din propriet,ile a/antajoase a celulelor cu strat su*,ire const n fapul c nu
necesit un su*strat rigid ca de e&emplu sticl sau aluminiu. 7a celulele solare fle&i*ile
ce pot fi fi&ate pe rucsac sau cusute pe -ain, se accept un randament mai sczut
deoarece factorul greutate este mai important dect transformarea optim a luminii n
energie electric.
L alt proprietate a/antajoas a celulelor cu strat su*,ire, mai ales al celor din
siliciu amorf este c ele au un mod de fa*rica,ie mai simplu i pot a/ea o suprafa,
efecti/ mai mare. Din acest moti/ ele au un segment de pia, semnificati/.
Jtilajele de fa*rica,ie par,ial sunt identice cu cele utilizate n fa*ricarea de ecrane
plate, i se pot o*,ine straturi cu o suprafa, de peste 9 m\. .u procedeul de fa*rica,ie
*azat pe siliciu amorf se pot produce i straturi su*,iri din siliciu cristalin, aa numitul
siliciu microcristalin com*innd propriet,ile siliciului cristalin ca material pentru celule
solare cu a/antajele metodelor utilizate n te-nica filmului su*,ire. +rin com*inarea
siliciului amorf i a celui microcristalin au fost o*,inute mriri su*stan,iale de randament
n ultimul timp.
Jn procedeu de producere a celulelor cu strat su*,ire din siliciu este .SG
F.r=stalline Silicon on GlassGH prin acesta se depune un strat su*,ire de mai pu,in de 2 Pm
direct pe o suprafa, de sticlH dup un tratament termic se o*,ine structura cristalin.
.ircuitele pentru curentul electric se aplic cu ajutorul te-nicii laser i celei utilizate n
imprimantele cu jet de cerneal. +e *aza acestei te-nologii se construiete o fa*ric n
Germania, care ar tre*ui s produc primele module n 255B.
Celule cu concentrator
7a acest tip de celul se economisete suprafa, de material semiconductor prin
faptul c lumina este concentrat pe o suprafa, mai mic prin utilizarea lentilelor, acestea
fiind mult mai ieftine dect materialul semiconductor. !n mare parte la acest tip de celule
se utilizeaz semiconductori pe *az de elemente din grupa DDD-C de multe ori aplicate n
tandem sau pe trei straturi. Din cauza utilizrii lentilelor, panourile cu acest tip de celule
tre*uie orientate incontinuu perpendicular pe direc,ia razelor solare.
Celule solare electroc!imice pe baz de pimeni
%cest tip ce cellule se mai numesc i celule GrRtzel. Spre deose*ire de celulele
prezentate pn acum la celule GrRtzel curentul se o*,ine prin a*sor*,ie de lumin cu
ajutorul unui pigment, utilizndu-se o&idul de titan ca semiconductor. .a pigmen,i se
utilizeaz n principiu legturi comple&e al metalului rar rut-enium, dar n scop
demonstrati/ se pot utiliza i pigmen,i organici, de e&emplu clorofila, sau ant-ocian Fdin
mureG Fdar au o durat de /ia, foarte redusG. 0odul de func,ionare al acestui tip de
celule nu este nc pe deplin clarificatH este foarte pro*a*il utilizarea comercial, dar
te-nologia de produc,ie nu este pus la punct.
Celule solare din compui oranici
.elule solare din compui organici utilizeaz legturi car*on--idrogen care au
propriet,i semiconductoare. !n aceti semiconductori lumina e&cit goluriOelectroni din
legturile de /alen,, care ns au un spectru de lungime de und destul de restrns. De
aceea deseori se utilizeaz dou materiale semiconductoare cu ni/ele de energie pu,in
diferite pentru a mpiedica dispari,ia acestor purttori. :andamentul pe o suprafa, de
1cm\ se cifreaz la ma&imal 9 A Fsitua,ia la ni/el de ianuarie 2551G.
Celule bazate pe fluorescen
'ste /or*a de celule solare, care mai nti produc lumin de lungime de und mai
mare prin fenomenul de fluorescen,, ca mai apoi s o transforme la marginile plcii.
Celule solare cristaline
7a celulele solare actuale randamentul este de cca 12 - 11 A. %desea fa*ricantul
acord o garan,ie la randament de "5 - "9 A Fla puterea de /rfG dup 25 ani.:ezult deci
dup un timp de utilizare ndelungat pierderi destul de limitate, ceea ce ndrept,ete
utilizarea sistemelor cu panouri solare.
+entru m*trnirea propriu-zis a celulelor solare rspunztor sunt defecte
pro/enite din recom*inare, ceea ce reduce durata de /ia, a purttorilor de sarcin cu cca
15 A fa, de /aloarea ini,ial. !n celulele fa*ricate dup procedeul .zoc-rals<i
m*trnire este produs de crearea de compui compleci cu *or-o&igen.
Celule solare amorfe
%ceste celulea ating un grad a/ansat de m*trnire de pn la 29 A n primul an
de func,ionare de aceea pentru acest tip de panouri solare n caracteristicile te-nice din
documentele de nso,ire nu se d puterea atins la fa*rica,ie ci puterea de dup procesul
de m*trnire. .a urmare acest tip de panouri au caracteristici mai *une la cumprare
dect cele din documente. !m*trnirea se produce su* ac,iunea luminii i este rezultatul
aa numitului effect Stae*ler-;rons<iFS;'G. !n cadrul acestuia siliciul -idrogenat amorf
Fa-SiN>G metasta*il trece printr-o faz de cretere concentra,iei defectelor cu un ordin de
mrime, paralel cu scderea conducti/it,ii i deplasarea ni/elului @ermi ctre mijlocul
distan,ei dintre *anda de /alen, i *anda de conduc,ie. Dup cca 1555 ore de e&punere la
soare, celulele de siliciu amorf ating un grad de saturare sta*il.
.aracteristici te-nice
+arametrii te-nici ai celulelor solare sunt da,i pentru condi,ii standard FST.,
Standard Test .onditionsG.N
Dntensitate luminoas de 1555 ;Om2 n zona panoului,
Temperatura celulei solare constant 29 T.,
Spectrul luminii %0 1,9 glo*alH DD8 '8 B1219, D'. 1219, DD8 '8 B5$56, D'.
$56.
%0 1,9 glo*al indic sl*irea luminii solare la suprafa,a pmntului n func,ie
de latitudine datorit parcurgerii unei mase mai mari de aer propor,ional cu latitudinea Fn
acest caz se consider latitudinea de 95TG. %ceasta corespunde condi,iilor de /ar din
'uropa central din nordul Dtaliei pn n centrul Suediei. !n iarn condi,iile corespund
unor /alori de %0 6 pn la %0 B. +rin a*sor*,ie atmosferic i spectrul luminii ce cade
pe panou se deplaseaz. Glo*al indic faptul c lumina este compus att din lumina
difuz ct i din cea direct.
'ste de remarcat c n realitate ndeose*i /ara la prnz, temperatura celulelor
solare Fn func,ie de pozi,ie, condi,ii de /nt etc.G poate atinge #5 pn la B5 T. ceea ce
are ca urmare o scdere a randamentului. Din acest moti/ se ia n calcul un alt parametru,
+8L.T care indic puterea la temperatura de func,ionare normal Fnormal operating cell
temperatureG.
Protecia mediului
!n fa*ricarea de celule solare se utilizeaz par,ial i materiale duntoare
snt,ii i mediului. '&emplu n acest sens prezint celulele cu strat su*,ire .dTe i
arseniura de galiu i mult discutatele celule solare de tip .DS i .DSG. +roduc,ia n mas
i utilizarea pe suprafe,e e&tinse a acestora tre*uie *ine cntrit. Dar i produc,ia de
celule cu siliciu tradi,ionale ascunde pericole pentru mediu. +entru persoane nea/izate
aceste riscuri ce sunt legate de procesul de fa*rica,ie nu sunt /izi*ile. %ici inter/ine
cerin,a de a promo/a selecti/ te-nologiile de fa*ricare a celulelor solare ce nu distrug
mediul i care pe *aza progreselor te-nologice promit a/antaje concuren,iale.
Fabricani de celule solare)
Germania
%ntec Solar 'nerg=]%8T'. SL7%: '8':GY %G , %rnstadt FT-QringenG
Deutsc-e .ell Gm*> F Solar;orld %G -Toc-terG, @rei*erg FSac-senG
'rSol]'rSol Solar 'nerg= %G , 'rfurt FT-QringenG
'/er^ Gm*> , T-al-eim FSac-sen-%n-altG
@irst Solar Gm*>, @ran<furt FLderG, F(randen*urgG
.SG Solar , T-al-eim FSac-sen-%n-altG
^-.ells]^-.ells %G , T-al-eim FSac-sen-%n-altG
Sc-ott Solar Gm*>, %lzenau F(a=ernG
S-ell Deutsc-land Gm*>, Gelsen<irc-en F8ordr-ein-;estfalenG
SJ7@J:.'77 Solartec-ni< Gm*>, (erlin
SunWa=s %G, Uonstanz F(aden-;Qrttem*ergG
SolarWorld %G, (onn
Solarion %G, 7eipzig
SolarWatt %G, Dresden
;Qrt- Solar , Sc-WR*isc- >all
n afara Germaniei
%d/ent Solar , %l*u)uer)ue FJS%G
@irst Solar Dnc., +err=s*urg FJS%G
G' 'nerg= - Solar +oWer FJS%G FfrQ-er %stropoWerG
Dsofoton FSpanienG
U=ocera , U=oto F?apanG
0icrosol +oWer +/t. 7td. FDndienG
0itsu*is-i]0itsu*is-i 'lectric , To<io F?apanG
+-otoWatt F@ran<reic-G
San=o , Lsa<a F?apanG
S-arp , Lsa<a F?apanG - %nteil am ;eltmar<t fQr Solarzellen ca. #5A
Soli*ro %(, Jppsala FSc-WedenG
Sun+oWer , JS%
Suntec- +oWer >oldings .o. 7td., ;u&i F.-inaG
Jnited Solar L/onic , %u*urn >ills FJS%G
Yingli Solar , (ejing F.-inaG
SWiss ;afers %G , ;einfelden FSWitzerlandG
:esurseN
-ttpNOOoregonstate.eduO_eccleseOfilesOTermA25+aper.pdf
-ttpNOOWWW.esa.intOtec-resourcesO'ST'.-%rticle
-ttpNOOro.Wi<ipedia.orgOWi<iO
-ttpNOOWWW.google.ro