Platform de e-learning i curricul e-content

pentru nvmntul superior tehnic

Electronic Digital
4. Comutator electronic cu TBIP

Comutator cu TBIP

Introducere. CL cu diode:
Schema bloc a unui CL cu TBIP:

Logica
etaj
iesire
intrari
logice
sarcina


* semnale logice logic pozitiv
* funcii logice realizate cu diode i rezistene: I, SAU
A
B
X=AB
R
SI
+ E
SI
A
B
X=A+B
R
SAV
- E
SAV

Funcionare:
* la circuitul SAU la ieire se obine cea mai mare dintre tensiunile de la
intrri;
* la circuitul I la ieire se obine cea mai mic dintre tensiunile de la
intrri:
* dezavantaje:
- degradarea nivelelor logice;
- limitarea fan-out;
- rspuns tranzitoriu nesimetric;
- consum ridicat.
* se realizeaz cu: diode, jonciuni EB, prin nsumare de cureni de colector
sau cu tranzistoare multiemitor.

Parametrii de comutaie ai TBIP

Obs. parametrii de comutaie parametrii de regim armonic
1) parametrii statici:

a) TBIP blocat comutator deschis:
B
C
E
C
E
B
comutator
deschis


parametrii:
- curent rezidual A I
ce
8 7
0
10 10

= (neglijabil);
- rezisten de pierderi foarte mare (neglijabil).
(aceste elemente pot conta numai n circuite cu rezistene externe foarte mari);
Concluzie: la un TBIP blocat tensiunile pe jonciuni depind numai de
circuitul exterior i nu trebuie s depeasc tensiunile maxim admisibile.

b) TBIP n conducie:
b1) n RAN:
i
B
V
BE
i
C
B
v
BE
E
C
|
0
i
B
i
E
v
BE
mA
A
V
BE
V
BE0

parametrii:
- tensiunea de deschidere a jonciunii EB (la cureni de emitor de zeci de A ):
V V V
BE
65 , 0 55 , 0
0
= , valoare tipic: V V
BE
6 , 0
0
= ;
- tensiunea direct pe jonciunea EB (la cureni de ordinul mA):
V V V
BE
85 , 0 75 , 0 = , valoare tipic: V V
BE
8 , 0 = ;
- curentul rezidual al jonciunii EB: A I
eb
12
0
10

< (aria jonciunii foarte mic);

- factorul de curent al tranzistorului: tipic, 60 40
0
= , dar i 40
0
< ;
- rezistena generatorului de curent este foarte mare, neglijabil.
b2) n SAT (comutator nchis):
i
B
V
BEsat
i
csat
B
v
BE
E
C
V
CEsat
r
csat

parametrii:
- tensiunea direct pe jonciunea EB la saturaie (la cureni de ordinul mA):
V V V
BEsat
85 , 0 75 , 0 = , valoare tipic: V V
BEsat
8 , 0 = ;
- tensiunea de saturaie intrinsec: V V
CEsat
1 , 0 ~ (valoare tipic);
- rezistena de saturaie, O ~10
csat
r (msuri tehnologice pentru micorare).
Concluzie: la un TBIP n saturaie, curenii prin jonciuni sunt stabilii numai de
circuitul exterior i nu trebuie s depeasc curenii maxim admisibili; tensiunile
pe jonciuni sunt mici i bine precizate.
c) RAI
- de obicei, apare n mod neintenionat;
- se caracterizeaz prin parametrul
i
cu valoare tipic
1
10

< , cu o mare
dispersie de fabricaie.

Observaie: toi parametrii TBIP sunt dependeni de curenii prin tranzistor
(deci i de tensiunile de alimentare) i de temperatur.

2) parametrii dinamici:
- capacitile de barier:

'
'
0
0
0
0
1
;
1
n
C
bc
bc
n
E
be
be
U
u
C
C
U
u
C
C
|
|
.
|

\
|

=
|
|
.
|

\
|

= cu:
-
0 0
,
bc be
C C , capacitile de barier ale celor dou jonciuni la
polarizare nul, neliniare, distribuite, proporionale cu ariile jonciunilor, de ordinul
pF sau mai mici;
-
C E
u u , tensiunile de pe cele dou jonciuni;
-
'
0 0
,U U , nlimile de barier ale celor dou jonciuni;
-
'
, n n , exponeni cu valori ntre 3 , 0 i 5 , 0 .
- constantele de timp de via ale purttorilor minoritari n exces,
p
i
n
i
constanta de timp de stocare,
s
, cu valori de ordinul ns;
- capacitile parazite ale conexiunilor, distribuite i neliniare.

Avantajele comutatorului cu TBIP:
- putere disipat mic n BL; curenii de valoare mic; tensiuni determinate
de circuitul exterior;
- putere disipat mic n SAT; tensiunile pe jonciuni de valoare mic i
precizat; cureni determinai de circuitul exterior;
Dezavantajele comutatorului cu TBIP:
- comutarea din starea de blocare n starea de conducie i invers presupune
deplasarea unei cantiti de sarcin n (din) baz i n (din) capacitile parazite
ceea ce presupune timpi de comutare diferii de zero.

Observatii:
1.
com
t ct mai mic:
-
be
C i
bc
C ct mai mici arii ale jonciunilor ct mai mici cu consecinele:
-
adm d adm
P I
max max
, mici;
-
0 0
,
cb eb
I I foarte mici ( A
11
10

< );
-
s p n
, , ct mai mici dopare cu Aur crete recombinarea n baz i
scade factorul de curent al tranzistorului
0
la valori <50;
concentraii de impuriti,
a
N i
d
N ct mai mari

0 0
,
cb eb
I I mici;
- deoarece
0 eb
I este foarte mic rezult tensiunea direct baz emitor la cureni de
ordinul mA cu valori ridicate V V 85 , 0 75 , 0 cu valoarea tipic 0,8V.
2. regimurile de lucru ale TBIP pe caracteristicile statice:
i
B
+ V
CC
R
C
u
CE
V
CC
R
C
V
CC
BL
i
C
v
CE
V
CEsat
panta
1
R
C
i
B
SAT
RAN


- blocare:
0
, 0
ce C B
I i i = = , neglijabil;
- RAN:
Csat C Bsi B
i i i i s < s < 0 ; 0 ;
- SAT:
c
CEsat CC
Csat C Bsi B
R
V V
i i i i

= = > , .
Comportarea tranzistorului n saturaie depinde i de .
B
i Cantitativ:
- grad de saturaie:
Bsi
Bsi B
i
i i
n

= ;
- factor de supracomand: 1
'
+ = = n
i
i
n
Bsi
B
.
3. Dependena
CEsat
V de cureni i de temperatur:
Ecuaiile Ebers Moll:
q
kT
v
T
= ; 1 =
T
BE
v
V
e
e B ; 1 =
T
BC
v
V
c
e B .

C c cs e es
B C E c cs i e es
i B I B I
i i i B I B I
=
+ = =
0

Se elimin
e
B : ( ) ( )
B C c i cs
i i B I
0 0 0
1 1 =
( ) ( )
B C i e i es
i i B I + = 1 1
0

Rezult:

( )
( )
( )
( )
i cs
C
T
i cs
B C
T BC
I
i i
v
I
i i
v V




0
0 0
0
0 0
1
1
ln
1
1
1 ln

~
|
|
.
|

\
|


+ =

( )
( )
( )
( )
i es
B C i B
T
i es
B C i
T BE
I
i i i
v
I
i i
v V

0 0
1
1
ln
1
1
1 ln

+ +
~
|
|
.
|

\
|

+
+ =
Rezult:
( )
( )
( )
0 0
0
0 0
1
1
ln
1
1
ln

+
=

+
= =
C
B
i
C
B
i
T
C B
C i B
es
cs
T BC BE CEsat
i
i
i
i
v
i i
i i
I
I
v V V V
Dar:
0
'
'
0
; ;

n
i
i
i n i i i i
C
B
Bsi B Bsi Csat C
= = = = .
Deci:
( )
( )
( )
1
1 1
ln
1
1
ln
'
0
'
0
0
'
0
0
'
0

+
=

+
=
n
n
v
n
n
v V
i
i
T
i
i
T CEsat

.
Dac:
,
n scade,
CEsat
V scade;
Ex.: V V n
CEsat i
115 , 0 1 , 0 , 5 ; 40
'
0
= = = = (neglijabil, dar dependent de
cureni i de temperatur).
4. TBIP este comutator electronic
comutare direct BL SAT RAN,
comutare invers BL SAT RAN ,

Comutarea TBIP

Ecuaiile metodei sarcinii

- se integreaz ecuaia de continuitate pe toat lungimea bazei; rezult:
) (
) ( ) (
t i
t Q
dt
t dQ
B
n
= +

cu:
- ) (t i
B
curentul de baz, constant sau variabil, pentru 0 > t ;
-
n
t Q

) (
curentul de recombinare din baz;
-
dt
t dQ ) (
variaia sarcinii din baz determinat de aportul de purttori al
curentului de baz i datorit recombinrii.
- n regim staionar, n RAN:
n
B
Q
i

=
n
B C
Q
i i

0 0
= = ;
- se presupune c i n regim staionar se pstreaz proporionalitatea:

n
C
t Q
t i

) (
) (
0
= i rezult:
) (
) ( ) (
0 0
t i
t i t i
dt
d
B
C C
n
= +
|
|
.
|

\
|

) ( ) (
) (
0
t i t i
dt
t di
B C
C
n
= +
- n saturaie:
n(0)
Q
C
w
n(w)
n
x
Q
E
n
x
n'(0)
n(0)
w
n
x
n'(0)
n(0)
w
n(w)
Q
s
Q
si

- injecie de purttori de la emitor;
- infecie de purttori de la colector (polarizat direct);
- injecie suplimentar de la emitor pentru meninerea constant a curentului
de colector, dat de panta concentraiei de purttori;
Rezult:
- sarcina de purttori injectai pn la saturaie incipient,
si
Q ;
- sarcina de purttori injectai n saturaie de ambele jonciuni,
s
Q

Ecuaiile metodei sarcinii vor fi:
- pentru RAN:

=
= +
n
C
B
n
t Q
t i
t i
t Q
dt
t dQ

) (
) (
) (
) ( ) (
0
sau ) ( ) (
) (
0
t i t i
dt
t di
B C
C
n
= + ;
- pentru SAT:

=
= + +
Csat C
B
n
si
s
s s
i t i
t i
Q t Q
dt
t dQ
) (
) (
) ( ) (
; cu
) 1 ( 1
0

+
=
n
s
;
(
s
este constanta de timp de stocare, dat de relaia semiempiric n care este
eficiena emitorului i cu valori comparabile cu ale lui
n
).

Comutarea TBIP

Schema de comand:
R
1
R
2
R
C
v
0
v
i
K
v
g
K

Graficele mrimilor electrice din circuit:
v
g
Vg
T mare
t
v
B
V
BE
t
t
t
t
t
i
B
i
C
Q
v
0
t
int
-i
B0
i
csat
icsat
0,9
t
cr t
cad
ts
Q
si
t
t
n
s
t
cd
t
ci
V
cc

a) comutarea direct:
a1) timpul de ntrziere:
- schema echivalent pentru circuitul de intrare
R
1
R
2
v
B
V
g
(t)
c
int

- variaia tensiunii pe baza tranzistorului dup aplicarea saltului de tensiune de
comand:

|
|
.
|

\
|

+
=

1
1 ) (
2 1
2

t
g B
e V
R R
R
t v cu
2 1 int 1
R R C = ; cu:
bc be
C C C + =
~
int

- se atinge tensiunea de deschidere a TBIP dac
0 int
) (
BE B
V t v = ; rezult:

g
BE
BE g
g
V
V
R
R
R R C
V V
R R
R
V
R R
R
R R C t
0
2
1
2 1 int
0
2 1
2
2 1
2
2 1 int int
1 1
1
ln ln
|
|
.
|

\
|
+
=

+
+
= .

a2) timpul de cretere:
- se stabilete curentul de baz:
2 1 1 2 1
R R
V
R
V
R
V
R
V V
i
BE
g
BE
BE g
B
=

= ;
- se aplic metoda sarcinii pentru RAN:

B
n
i
t Q
dt
t dQ
= +

) ( ) (
cu condiia iniial: 0 ) 0 ( = Q i rezult:

|
|
.
|

\
|
=

n
t
B n
e i t Q

1 ) ( ;
|
|
.
|

\
|
=

n
t
B C
e i t i

1 ) (
0
.
- influena capacitii de barier a jonciunii Colector-Baz,
bc
C :
c
bc
i
Cbc
i
B
i
B
'


dt
dv
C i i i t i
BC
bc B C B B
bc
= = ) (
'
(curentul care susine acumularea de
sarcin n baz, conform ecuaiei metodei sarcinii,
B
i fiind curentul de baz
determinat de circuitul exterior);
( )
dt
di
R
dt
dv
v i R V v v
C
c
BC
BE C c cc CB BC
= = = ;
Rezult:
|
.
|

\
|
= +
dt
t di
R C i t i
dt
t di
C
c bc B C
C
n
) (
) (
) (
0
sau:

B C
C
n
i t i
dt
t di
0
'
) (
) (
= + cu:
c bc n n
R C
0
'
+ = .
- se remarc influena foarte mare a celui de al doilea termen i a lui
0
. Deci:

|
|
|
.
|

\
|
=

'
1 ) (
'
n
t
B n
e i t Q

;
|
|
|
.
|

\
|
=

'
1 ) (
0
n
t
B C
e i t i

.
Terminarea comutrii directe:
- n RAN: pentru =
B cr C
i t i
0
9 , 0 ) (
'
3 , 2
n cr
t = (mare);
- n SAT: pentru
B
Csat
n cr Csat cr C
i
i
t i t i
0
'
9 , 0
1
1
ln 9 , 0 ) (

= = ;
- dar;
Csat
B
Csat
B
Bsi
B
i
i
i
i
i
i
n
0
0
'

= = = i:
'
'
9 , 0
1
1
ln
n
t
n cr

= .
- prin dezvoltare n serie:
'
'
9 , 0
n
t
n
cr

~ .
- se observ: ) , , , (
0 bc c n cr cr
C R t t = ;
- pentru ca 0
cr
t este necesar ca:
0
ct mai mic,
bc n
C , ct mai mici,
c
R ct mai mic (contradicie cu
Rc
V
P
CC
d
2
2
= ct mai mic).
n continuare, se acumuleaz sarcin n baz:

B
n
si
s
s s
i
Q t Q
dt
t dQ
= + +
,
) ( ) (

cu:
Bsi n si
i Q
,
= ; 0 ) 0 ( =
s
Q .
Rezult:
( )
|
|
.
|

\
|
=

s
t
Bsi B s s
e i i t Q

1 ) ( ;
( ) ( )
si si Bsi B s s
nQ Q n i i Q = = = 1 ' ) ( .

b) comutarea invers
- pn la eliminarea sarcinii din baz, tensiunea
BE
V rmne la valoarea de
deschidere; circuitul echivalent:
R
1
R
2
i
B0
V
BE

- curentul de baz va fi:
2
0
R
V
i
BE
B
= (sau
2 1
R R , n funcie de circuit);
b1) eliminarea sarcinii suplimentare:

0
,
) ( ) (
B
n
si
s
s s
i
Q t Q
dt
t dQ
= + +

cu: ( )
Bsi B s s
i i Q = ) 0 ( ;
( ) ( )
s
t
B B s Bsi B s s
e i i i i t Q



+ + + =
0 0
) ( .
La anularea sarcinii, 0 ) ( =
s s
t Q , se obine timpul de stocare:

0
0
ln
B Bsi
B B
s s
i i
i i
t
+
+
= . comentarii.
b2) comutarea de la saturaia incipient la blocare:

0 0
'
) (
B C
C
n
i i
dt
t di
= + , cu:
Bsi Csat C
i i i
0
) 0 ( = = ;
Rezult:
( )
'
0 0 0 0
) (
n
t
Bsi B B C
e i i i t i



+ + = ;
Se calculeaz timpul de cdere din condiia: 0 ) ( =
cad C
t i :

|
|
.
|

\
|
+ =
0
'
1 ln
B
Bsi
n cad
i
i
t .
Concluzii:

cad s ci
cr cd
t t t
t t t
+ =
+ =
int
comentarii.


Evitarea intrrii n saturaie

* eliminare
s
t , dar meninere n apropierea regiunii de saturaie;
* circuit de reacie negativ neliniar:
+V
cc
D
E
R
c
i
c
i
m
i
i
i
c
u
CE
E
V
CEsat
i
B
i
Bsi
i
i
M
1
V
cc
M
2
E
c
R
c

funcionare:
- pentru
1 B i
i i < , D blocat i PSF, n RAN, parcurge zona M M
1

- pentru
1 B i
i i > , D deschis, se stabilete tensiunea de ieire la valoarea:
E V E V V
BE D oL
~ + + = i PSF, tot n RAN, parcurge zona
2
M M ; curentul
de colector se stabilete la valoarea:
|
|
.
|

\
|
+ = =
c
CC
i E C
R
E V
i i i
0 0

- tensiunea E se simuleaz cu rezistene sau se poate folosi o diod Schottky:

Sursa: Nicolae Cupcea, Structura circuitelor digitale, Editura Matrix Rom,
Bucureti.