GENERALITATI ASUPRA DISPOZITIVELOR SI MODULELOR SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 1. Introdueere Partea de forth'a convertoarelor statice confine ea elemente de hari dispovitive semiconductoare de putere care se comporté asemanator unui intrerupator (comutator) electronic. In regim stabilizat aceste elemente de comutatie nu lucreaza niciodata in zona lor liniara unde se comporta ca o rezistenta variabilé. deoarece s-ar produce pierderi energetice inacceptabile. Din acest motiv dispozitivele semiconductoare de putere din structura convertoarelor statice vor lucra totdeauna in comutatie, Astfel, in electronica de putere, dispozitivele vor functiona doar in doua stari stabile: starea de conductie (ON) cind se permite circulatia curentului electric prin ramura de circuit, Ideal Tara nict o cadere de tensiune pe dispozitiv st starea de olocare (OFF) cand circula‘a curentului este intrerupta in totalitate 2. Clasificarea dispozitivelor semiconductoare de putere in functie de modalitatea in care pot fi controlate (criteriul controlabilitaii) dispozitivele semiconductoare de putere pct fi incadrate in trei categorii 1) Dispozitive necontrolabile - categorie formata din diadele de putere care ‘nu prezinti decdt dou terminale de fo-ti, fird terminal de comand. Starea de conductic sau de blocare este dictaté de felul in care sunt polarizate in circuit 9) Disparitive cu amorsare_contralati — categorie in care sunt incluse tiristourele si triacele. (toric vorbind, tiristorul a fost primul dispozitiv semiconductor do-putere cu treiterminale, dani de fort Canad, eatod) si nul de comand’ nmmit eri sau poartd, Pentru a intra in conductie un tiristor trebuie polarizat direct si comandat ire gris si catod cu un impuls scurt de ctrent. Odata amorsata conduetia, curentul de agrila poate sa dispara deoarece dispozitivu. riméne “agatat” in aceasta stare péna end sunt irtrunite conditiile de blocare, respectiv o polarizare inversa si o anulare a ccurentuluil prin acesta. Nu poate fi indusa starea de blocare prin comands si cin acest motiv se poate afirma ca tiristorul este un dispozitiv semiconductor de putere pe jumatare controlat. Eforturile de cercetare sentru a obtine o structura semiconductoare asemanatoare cu tiristorul, dar care s4 posed gi facilitai de blocare prin comand, au condus la realizarea tiristorului cu blocare pe poarta tip GTO (Gate Turn-Off ‘Autor: dring. Mihai Albu2__ULT. ,Gheorghe Asacl in asi, Facultatea [EEL Laborator Electronic& de Putere Thyristor) care este un dispozitiv din clasa celor complet controlabile. Triacul poate fi echivalat cv o structura formatk din dous tiristoare conectate in antiparalel 3) Disporitive semiconductoare de putere controlabile — sunt elemente de comutetie care pot fi aduse in conductie si blocate prin comanda, Cu anumite exceptii (ex. GTO, MCT) semnalul de deschidere trebuie aplicat continuu pe terminalul de comand pentru mentine starea de cond tora daca sunt polarizate direct. Blocarea se produce de la sine atunci cénd semnalul de comanda este indepattet sau va seadea sub o amumiia valuate Ue pray. Touui, fi Rosie multe situatii se prefera blocarea lor cu semnale inverse de comenda pentru a avea siguranta cd nu se vor deschide accidental, situatie care poate conduce la aparitia unor scurt cireuite in jin functic de natura semnalului de comanda, la rindul lor dispozitivele controlabile pot fi separate in doud grupe distincte: a) dispovitive comandate in curert ~ care pot fi: > tranzistoarele bipolare de putere (Bipolar Junction Transistors -BIT) — sunt dispozitive relativ lente pe durata tranzitilor (pierderi mari in comutatie), dar au avantajul obtinerii unor stiri de conductie profunde ierderi miei in conductie). > Ustoeree cu blocre pe poard (G1O) sn dspoctveuitzate in aplicatii de mare putere, Pentru comanda acestor dispozitive sunt Uutilizate impulsuri de curent, un impuls pozitiv de amplitudine mica pentru deschidere (la fel ca la tiristor) si un impuls negativ de amplitudine mare pentru biocare, b) dispozitive comandate_in_tensiune ~ mai sunt numite si dispozitive semiiconductoare de putere ct gril’ MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) sau grila izolata, Avand in vedere calitafile incotestablle ale acestora (putere mica de comands, freeventa mare de lueru ete.) cercetrile din domeniul semiconducioarelor de pulere yi efurturile (ehnologice de fabricatie s-au indreptat cu precidere spre dezvoltarea lor. in prezent, se ghsesc pe piafd o multitudine de ascmenea dispozitive, In continuare sunt prezentate cele mai utilizate sau acele dispozitive cu grilé MOS care au avut gi au rolul cel mai important in cvolutia clectronieit de putere: > tranzistoare MOSFET de putere (MOS Ficid Effect Transistors) ~ sunt dispozitive rapide (pierderi mici in comutatie) si din acest motiv sunt utiizate in convertoare cu freevente de lucru mari (zeci «sute de kHz). Dezavantajul lor consti in cresterea rapida a valorii rezistenfei de conductie (rosin ~ parametru de catalog) odaté cu cresterea tensiunii de lucru maxime pentru care au fost fabricate, ceea ce va conduce Ia pierderi imporsante pe durata conductiei. Din acest motiv nu sunt utilizate in convertaare de puteri mari.Lucrarea 2: Generalitati asupra dispozitivelor si modulelor semiconductoare de putere 3 > tranzistoare bipotare cu grilé izotaté (Insulated Gate Bipolar Tranzistor ~ IGBT) este un tranzistor hibrid, 0 combinatie intre tranzistorul bipolar de putere de la care a luat calitatea conductiei unor curenti mari fir pierderi importante si tran7istorul de tip MOSFET de la care a luat viteza relativ mare de comutatie. A rezultat un tranzistor care poate fi utilizat in convertoare cu comutatie fortati la freevente de lucnu ridicate (kHz +zesi de kHz) pana la puteri de ordinul zecilor de megawati. Astfel. se poate afirma e& in prezent tranzistorul de tip IGBT este locomotiva electronicii de putere, cel mai utilizat dispozitiv din acest domeniu al tehnici Avand in vedere diversitatea dispozitivelor semiconductoare de putere controlabile si trsatura lor comund de a fi aduse in conductie si de a fi blocate prin comand, s-a simit nevoia reprezentarii avestora printi-un simbol uni in schemele de fortd ele convertoarelor statice. In Fig2.L.sunt date doug variante de simboluri utilizatz in literatura de specialitat. a) » ig: 2.1 Simboluri utilizate pentru dispozitive semiconductoare controlabile Prima varianta (Fig.2..a) este asenanatoare cu simbolul unui contact electric comandat apartinind unui contactor sau releu. A doua varianté (Fig.2.1.b) este mai stilizati si pune in evident caracteristice de conductie unidirectionalé a curentului printr-un asemenea dispozitiv (sigeata contactului). Variabilele ir si uy reprezinté urentul care strabate dispozitivul T, respectiv cdderea de tensiune pe acesta in starea de conductie. In continuare se va utiliza yarianta (b), varianta (a) fiind mai degraba adecvati pentru comutatorul electronic bidirectional utilizat in convertoarele matricial. Un al doilea criteriu de clasificare al dispozitivelor semiconductoare de putere ar putea fi considerat numarul de caracteristici de blocare si de conductie realizate de dispozitiv, Acestea, definite in mod ideal, sunt ilustrate in sistemul de axe ip—urdin Fig.2.2, Pot fi evidentiate urmitoarele caracteristici si totodata stiri ale dispozitivelor semiconductoare de putei ‘Autor: dring. Mihai Albu4 UT. ,Gheorghe Asac in asi, Facultatea [EEL Laborator Electronic& de Putere © caracteristica de blocare directa ~ este objinuti atunci cand dispozitivul blocheaza tensiuni directe (pozitive). Nici un curent nu cireuls prin elementul de comutatie in aceasta stare; + caracteristica de conductie directd — este obfinutiatunci cind dispozitivul se afl in conductie total preluind un curent pozitiv determinat de 0 tensiune de polarizare directa. Caderea de tensiune pe elementul de comutatie aflat in starea de conductie, in mod ideal, este considerata zero; utd atunei end dispozitivul ircula. prin ‘© caracteristica de blocare inversa — este ob blocheaza tensiuni inverse (negative). Nici un curent mu dlispozitiv in aceasti stare; © caracteristica de conductie inversd — este obtinut’ atunei cand dispozitivul poate si conduct si curenti inversi, negativi. Aceasti caracteristica este specifica elementelor de comutatie bidirectional. ‘Caracteristica de cconductie directa. — Decohidoro (blocare) Caracteristica de directa comandata blocare inversi re Deschidere (locate) inversi comandati 7 ur Caracieristica de Dlocare direct Caracteristica de conduetie inversa Fig. 2.2. Caractersticile ideale, de conductie gi de blosare, specfice ¢lementelor de comutate din electronica de putere Majoritatea dispozitivelor semiconductoare utilizate in electronica de putere nu pot obtine toate caracteristicile enumerate mai sus. Astfel. diodele lucreaza doar pe dowd caracteristici din Fig.2.2, una de conductie si una de blocare, trecerea intre cele doud ficdndu-se necontrolat, Dispozitivele controlabile pot realiza doud sau trei caracteristici: caracteristicile de blocare directa si inversa precum si caracteristica de conductic directa cu precizarea ca trecerea de pe caracteristica de blocare directa si conductie directa se obfine in urma unei comenzi. Sunt unele dispozitive conirolabile (ex. tranzistorul MOSFET) care nu au capecitate de blocare invers ‘Asa cum s-a mai precizat, dispozitvele semiconductoare de putere elementare sunt, in general, ventile unidircetionale in ceca ce priveste sensul de circulatic al curentului prin ele, Foarte interesante in structurile moderne ale electronicii de putereLLuerarea 2: Generalitti asupra dispozitivelor si modulelor semiconductoare de putere_$ sunt dispozitivele care pot realiza toate cele patru caracteristici prezentate mai sus ‘numite comutatoare electronice sau celule de comutatie bidireetionale. Pentru a objine comutetoare biditectionale controlabile, in prezent sunt utilizate ansambluri de tranvistoare de putere legate in antiparalal. Dac& tranzistonrele utilizate pre7inti 0 slabii capacitate de blocare inversa acestea sunt insotite de diode rapide conectate in ‘montaje asa eum se prezinta in Fig.2.3. ry @) Oy 23. Modalititi de objinere a celulelor de comutatie bidirectionale si controlabile arie) de catre dispozitiv intr-un ciclu de Funetionare: = Bnergia de comutatie la deschidere: Ejay, ~2-ULy “foun (@t¥® AB z = Energia de comutati la blocare: — Eyyp) ~ yeaa jagy (atic AE op) + Energia de conductte: Eom = Cag La hog athe reptUMEH Bn) (lungime dreptunghi * ty, deoarece fon >> fon) trun ciclu de functionare cuprinde, Energia totala de comutafie consumati atit energia consumati pe durata deschiderii, eat si energia consumata pe durata loca Esony + Egon, = Ua al tens +hopy) (22)Luerarea 2: Generalitti asupra dispozitivelor si modulelor semiconductoare de putere 9 Conform celor aritate anterior, pierderile in comutatie reprezinta puterea edie >ierdut’ la nivelul dispozitivului pe duratele comutajilor sau energia total de comutetie consumata pe durata unei secunde. Stiind ca intr-0 secunda au loc f: perechi de tranvitii deschidere-hlocare, se pot calet la pierderile in comutatie: 1 P= Bade F(t ten) 23) Thin latia (9-3) Sfrecvenja de comutayie si cu marimea timpilor de comutatie. Astfel, pentru a abtine 0 freeventd de Iucru inalté a convertorului, in scopul diminuarié masei si gabaritului acestuia, trebuiesc alese dispozitive rapide (fast, ultra fast) cu timpi de comutatie foarte mici (ex. tranzistoarele de putere de tip MOSFET). 15 6X pionderile in comntatic crese propartional ev Pierderile in conductie sunt date de puterea medie preluata de semiconductor pe inte-valul in care acesta este ferm in corductie Pon = Fe Bon = Le Com La Ta Dre ea) unde Dye log /T. este Menumita curate relative de conduetie. Se observa ef pierderile in conducrie sunt proportionale cu valoarea caderii de tensiune de pe dispozitivul aflat in starea conductie ferma U,,, cu valoarea curentului preluat de acesta J; si cu mairimea intervaltlui de conductie relativ la durata cielului de functionare Duc. Pentru ca un dispozitiv semiconductor de putere sti poat& prelua un curent cét mai mare fri a depasi o anumici valoare a pierderilor de conductie trebuie sii fie caracterizat de o cidere de tensiune in starea de conductie edt mai mica (ex. tranzistorul bipolar de putere. Pierderile totale la nivelul dispozitivului in timpul funetionarii sunt date de suma pierderilor in comutatie gia pierderilor in conduetie: Pq = P+ Pog es) Aceste pierderi sunt limitate de cavacitatea de cedare a cldurii a ansamblului semiconductoare — radiator si de temperatura maxima Ia care poate lucra dispovitivul fird a se distruge termic. 5. Module de putere Jn prima etapa din evolutia elecronicii de putere se utilizau dispozitivele semiconductoare sub forma lor discretd pentru realizarea unei anumite topologii de fortd. Acestea erau montate pe radiatoare aranjate intr-o anumita ordine, iar legiturile intre terminale erau executate manual cu ajutorul conductoarelor a caro sectiune era calculata in functie de mérimea curentilor vehiculati. Proiectarea uneiasemenea constrictiitrebuie facuta eu mare gra pentru a diminua pe ct posibil inductantele ‘Autor: dring. Mihai Albu10___U-T. ,Gheorghe Asachi” din lagi, Facultatea IEEI, Laborator Electronica de Putere parazite, pierderile funefionarea schemei in eomutajie. In exzul unei structuri eum identiee, cum ar fi de exemplu o schema tifazata, se De asenenea,trebuie urmarit ca infreg ansimblu si rezulte cu un gahaeit eit mai redus si cit mai compact, pastrind totodatd, o eepacitate maxima de evacuare a eildurii din radiatoare. Utilizind solutii invechite de fabricatie toate aceste cerinte sunt greu de tradus 'n practic Solutia constructiva care s-a inpus de-a lungul timpului a rezultat din observatia c&, in marea lor majoritate, structurile de forté din electronica de putere actuala utilizeaza combinatii consacrate care se repeti cum ar fi: un tranzistor asociat cu o dioda de descarcare, 0 structurai brat de punte realizata cu diode, tristoare sau eu tranzistoare de putere etc. in consecinta, a aparut ideea ,,impachetarii” (packaging) intr-o singura capsula a acestor structuri standard sub forma modulelor de putere (power modules). in Gip, conceptul a fost adoptat yi dezvolat de majoritatea firmelor importante din domeniu, ajungandu-se chiar la un anumit grad de standartizare in ceea ce priveste structurile incorporate in module, forma capsulei, modul de aranjare si numerotarea terminalelor de forta si comanda, tehnologia de fabricate, tensiunile $i ccurentii nominali ete, Prin utilizarea structurilor de tip modul, in electronica de putere se obtin surmatoarels evantaje: n conductoare si perturbatiile electromagnetice induse de i multe secti = compactizarea si diminuarea gabaritului sistemului electronic de putere; = imunitate sporité la perturba:is = reducerea inductanfelor parazite si a emisiilor electromagnetice; = reducerea pierderilor in timpul functionarit; = izolarea radiatorului de partite alate sub tensiune; = asamblarea usoara si reducerea costului sistemului Primele module realizate s-au limitat la integrarea intr-o forma monolitica @ celor mai utilizate structuri de forta din electronica de putere. Aceste sunt cele mai simple si formeaza asa numita categorie a modulelor integrate de putere (Power Integreted Modules - PIM). inc& detin fonderea cea mai mare in vanziri datorité diversiait lor, a calitaii, robusieii, prewlui seazut yi mu in ullimul rind datoriea puterilor, tensiunilor si curentilor mari pentru care pot fi realizate. Pe mésura ce Icluvlegtile de fabricatic au fest porfeuionate, cumplesitatca acesion module a crescut. in prezent, pot fi integrate intr-un singur modul mai multe structuri de converoare cum ar fi: redresor | invertor | feanare (Converter | Inverter | Brake circuit > CIB). Realizarea practic8 a unei structuri de forté cu dispozitive controtabile impune pozitionares lings acestea sia citcuitelor de comandi, in cazul tranzistoarelor de putere cu grila MOS puterea de comands este neglijabila, motiv pentru care circuitele de comand au putut fi rcalizate sub forma unor integrate specializate de mici dimensiuni, Pornind de la aceste observatia apartLucrarea 2: Generalitati asupra dispozitivelor si modulelor semiconductoare de putere 11 capsuld a tranzistoarelor cu gril MOS si a integratelor de comanda Apare, astfel, la ijlocul anilor °90 ai secolului trecut, conceptul electranicti de putere intligente (Smart Power), Produsele fabricate prin inrplementarea acestui concept sunt denumite, in general, dispovitive de putere inteligente (Smart Power Devices). Conceptul ,smart power” a patruns si s-a dezvoltat cu precadere in domeniul modulelor de putere. intro prima etapa s-a introdus in modul un circuit de comanda complex care si gestioneze inteligent functionarea intregului ansamblu (comand, protectic, comunivayic cu exterivrul). Aceste dispucitive sunt referite de sajur firmelcr producatoare si a specialistilor cu denumirea de module de putere inteligente (intelligent Power Modules — 1PM). © a doua etapa in dezvoltarea modulelor inteligente sia treia in evol ‘modulelor de putere, consti in asocierea la structura de forta si la citeuitul de comanda 8 unei procesor numeric de semnal (DST) avénd rol de conducere (control, reglare autometa) a sistemului din care face modulul. Acest modul poate fi programat pentru « functiona in diferite aplicaii. Odata introdus algoritmul de control acesta poate Iuera independent. Accasta facilitate justfie’ denumirea de modul IPM programabil sau ‘modul de putere programabil (Programmable Power Module). {in concluzie, pot fi evidentiate trei categorii de module de putere: # module integrate de putere — PIM; module de putere meligente ~ 1PM; module de putere programabile. Exist un prag al puterii peste cere fabricatia devine mult prea costisitoare pentru medulele inteligente si progiamabile. Tehnologia de integrate utilizaté in domeniul microelectronicii nu poate fi aplicata identic pentru modulele de mate putere deoarece conditiile de functionare a structurii semiconductoare sunt diferite: densitafile de curenti sunt mari, temperaturile si efmpurile eleetrice sunt ridicate. Din acest motiv peste anumite puteri sunt de preferat dispozitivele semiconductoare pe baza de siliciu neintegrate in module inteligente. Comanda si protectia acestora se realizeazi, clasic, cu ajutorul unor scheme plasate in exteriorul dispozitivului sau a modulului. © solutie de vitor la aceasta problema 0 constituie utilizarea_unor ‘materigle semiconductoare mai stabile la temperaturi inalte in comparatie cu siliciu Acestea ar putea fi carbura de siliciu (SiC) si intr-o perspectiva mai indepartata, diamartul Dispozitive semiconductoare de putere pe baz de carburk de siliciu au fost deja realizate. Sunt depasite testele de laborator si primele dispozitive au fost lansate pe pati. Testele arath avantaje deasehite, in special in ceca ce priveste temperatura alta (in jur de 200°C) la care poate Iucra fara si isi piarda calititile. in consecint densitjile de curent prin comutatoarele electronice realizate cu SiC pot creste de ‘Autor: dring. Mihai Albu12___U-T. ,Gheorghe Asachi” din lagi, Facultatea IEEI, Laborator Electronica de Putere citeva ori si gabaritul unui asemenea dispezitiy, la un acelasi curent, diminudndu-se in consecingl fafa de un dispozitiv realizat cu silici. Ca si germaniu sau siliciu, carbonul este un element tetravalent. Structura 4 a carbonului sub forma diamantului se aseamana cu structura cristalina a celor dowa elemente semiconductoare clas ce. Pentru a putea fi considerat un material semiconductor acceptabil tm realizarea unor comutatoare electronice coniolabile structua cristalind a diamantului trebuie si fie perfectd. Nici cele mai pure diamante awwiale uu pot ft ulilizawe fi ascmenca aplivaii, Diamante autificiate ubiynuite, objinute prin sedimentarea vaporilor de czrbon, nu se ridicd nici ele la caliafle unui ‘material semiconductor utilizabil. Doar prin realizarea unor conditii speciale in timpul sedimentarii pot fi fabricate diamante a cAror structura cristalina permite 0 mobilitate a sareini pozitive mult mai mare decit mobilitatea eleetronilor din structura eristalind a carburi de siliciu, de exemplu, Rezultd un material semiconductor cu o conduetivitate ‘mult rai mare decét a materialelor semicenductoare utilizate in prezent, deci pierderi in conductie mult mai reduse. in plus, diamantul are avantaje net superioare datorita cimpurilor electrice mai puternice, latimii de band’ mai mare si rezistenqa ta temperaturi foarte ridicate. Se pot obfine, astfel, comutatoare statice la dimensiuni obignuite care si vehiculeze curenti de zeci de kilo amperi, si blocheze tensiuni de zeci de kV far a recurge la o conectare a mai multor asemenea dispozitive in paralel, respectiv in serie, Va fi comutatorul electronic aproape perfect. 6. Modul de lueru 1. Se vor studia clasificarile dispozitivelor semiconductoare de putere dupa criteriul controlabilitaii si al numarului de caracteristici statice realizate. Vor fi identificate dispozitivele semiconductoare wzuale in contextul acestor e'asificari cu trisaturilespeeitice; 2. Se vor analiza definitiile pentru capsula, structura semiconductoare, simbolul si caracteristicile dispozitivelor semiconductoare de puter 3. Se vor identifica tipul de piewderi care apar la. nivelul dispazitivelor semiconductoare atunci cénd fucreaza in schemele electronice de putere si se vor ‘vidcntia paramctrii sau variabilcle de care depind accats picederis 4, Se vor analiza avantajele aduse de principiul integratii in electronica de putere gi se vor trece in revista tipurile de module existente in prezent pe piaté ca rezultat, al aplicarii acestui principiu; 5. Se vor trece in revisti perspectivele de dezvoltare in domeniul dispozitivelor semiconductoare de putere: 6 Se vor studia in laborator diterite mastre de module si dispozitive semiconductoare de putere.