Ministerul Educaiei al Republicii Moldova

Universitatea Tehnic a Moldovei

RAPORT
Lucrare de laborator Nr.1
la Electronic

A efectuat:

st. gr. TI-132

O. Zubcov

A verificat:

lect. univ.
M. Luchia

Chiinu 2014

Lucrare de laborator Nr.1

Tema: Studierea tranzistoarelor bipolare
Scopul lucrrii:
Determinarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar n conexiunea cu baza comun (BC) i
cu emitorul comun (EC) i calcularea parametrilor h pentru semnale mici.

Consideraii teoretice:
Un tranzistor bipolar const din dou regiuni semiconductoare cu acelai tip de
conductivitate numite emitor si colector, separate de o zon subire de conductivitate de tip opus
numita baz. Criteriile fundamentale pe care trebuie s le ndeplineasc un tranzistor sunt:
1. Emitorul este mult mai puternic dopat dect baza (curentul prin jonciunea emitorului trebuie
sa fie determinat de purttorii majoritari ai emitorului injectai in baz, injecia de purttori
majoritari ai bazei n emitor trebuie sa fie neglijabil).
2. Regiunea bazei este fizic subire, mai mic dect lungimea de difuzie (purttorii injectai n
baz o traverseaz fr a suferi procese de recombinare majore).
3. Zona colectorului este fizic mai larg decat cea a emitorului (ajut la colectarea curentului
injectat de emitor i la disiparea eficient a cldurii generate pe jonciunea colectorului).
4. Colectorul este slab dopat fat de baz (n acest fel stratul de baraj are o lrgime mai mare si
jonciunea colectorului poate suporta tensiuni inverse mari, de zeci pna la sute de voli, fr
s se strpung).
Pentru a caracteriza funcionarea tranzistorului ca amplificator, se face apel la parametrii hibrizi (sau
parametrii h), care se introduc considernd tranzistorul ca un cuadripol.

Schema montajului experimental

a) Baz comun (BC)

b) Emitor comun (EC)

Tabelul msurrilor i determinrilor:

Baz comun: (intrare)

UEB,
20
40
60
80
100
120
140 160 200 220 250
mV
UCB
=
0,01 0,034 0,083 0,177 0,354 0,696 1,269 2,14 4,97 7,05 10,81
IE, 0V
mA UCB
= - 0,022 0,047 0,1 0,212 0,422 0,815 1,612 2,74 6,48 9,29 14,55
5V
Baz comun (intrare)
30
25
20
15
10
5
0
20

40

60

80

UCB=0V
100

120

UCB=-5V
140

160

200

220

250

Baz comun: (ieire)

UCB,V

10

12

14

IC, IE =5 mA
mA IE =10 mA

5,23

5,3

5,33

5,36

5,39

5,41

5,45

5,47

9,9

10,58 10,64 10,7 10,76 10,82 10,87 10,98

Baz comun (ieire)

18
16
14
12
10
8
6

4
2
0
0

I ( E ) = 5 mA

10

12

14

I ( E ) = 10 mA

Emitor comun: (intrare)

UBE,
20
40
mV
UC
=
0
0,01
IB E
0V
,
UC
m
0,00 0,00
E=
A
5
4
5V

60

80

100

120

140

160

200

220

0,0
4

0,1

0,2

0,32

0,4
9

0,7

1,3

1,68 2,31

0,00 0,01 0,03

6
9
6

0,0
7

0,11 0,28 0,38 0,59

9
1
5
3

250

Emitorul comun (intrare)

3,5
3
2,5
2
1,5
1
0,5
0
20

40

60

80

100

U ( CE ) = 0V

120

140

160

200

240

280

U ( CE ) = -5 V

Emitor comun: (ieire)

6
8
10
UCE, V
0
0,5
1
1,5
2
3
4
12
IB
=200 0,15 4,31 4,5 4,58 4,75 4,96 5,15 5,6
6 6,29 6,5
IC, A
mA IB
=300 0,23 6,42 6,55 6,86 7,17 7,0 8,08 8,62 9,07 9,32 9,09
A

Emitorul comun (ieire)

18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0

0.5

1.5

2
I ( B ) = 200 mA

10

12

I ( B ) = 300 mA

Formulele de calcul pentru conexiunea BC:

Formulele de calcul pentru conexiunea EC:

Concluzie:
La efectuarea acestei lucrri de laborator am cercetat caracteristicile de intrare i ieire a
tranzistorului bipolar n conexiune cu baza comun. Am studiat o metod practic de aflare a
parametrilor h a tranzistorului.