Sunteți pe pagina 1din 8

Componente i Circuite Pasive

Teme Suplimentare

Tema Numrul 9

Analiza rezistorului n nalt frecven


9.1 Enun tem
Realizai un program, ( aplicaie de tip Windows ), care are n vedere rezolvarea
urmtoarelor cerine:

- determinarea

elementelor componente ale schemei echivalente a rezistorului la nalt frecven


(Cech si Lech) n funcie de caracteristicile de material, i a pulsaiei de rezonan;

- analiza variaiei impedenei sau admitanei cu frecvena i reprezentare grafic n funcie de


parametrul a a diagramei polare i a hodografului;

Programul va permite posibilitatea de a alege tipul de analiz specific fiecrui din cele
dou enunuri de mai sus i va cere utilizatorului introducerea parametrilor necesari
realizrii analizei curente.
9.2 Aspecte teoretice
9.2.1 Scheme echivalente. Impedana rezistorului.
Pentru a analiza comportarea componentelor electronice n banda de frecven se utilizeaz
scheme echivalente ale acestora, care pun n eviden att efectul dorit s fie obinut de acestea, dar i
o serie de elemente parazite. Schemele echivalente au n vedere tipul componentei, funcionarea ei,
tipul materialelor utilizate, dar i soluia constructiv. n funcie de frecvena la care se face analiza,
anumite elemente parazite pot fi sau nu neglijate.
Se face precizarea c orice element conductor ( practic orice material prezint o conducie
electric) prin care se transmite un semnal electric, va fi caracterizat de: o rezisten electric datorit
opoziiei trecerii curentului electric; o capacitate datorit acumulrii de sarcin, respectiv diferenei
de potenial; o inductan datorit acumulrii de energie magnetic, respectiv variaia curentului
electric. De aceea
schema echivalent a oricrei componente electrice va cuprinde elemente de tip R, L, C, care ns n
funcie de frecvena, pot sau nu s fie neglijate.
Avnd n vedere tipul materialelor utilizate la realizarea rezistoarelor, dar i construcia
acestora, o schem echivalent ce evideniaz elementele parazite este prezentat n figura 9.1.
R

22
z
zg

RS

R iz

=
UK

Figura 9.1 Schema echivalent a rezistorului


n figura 9.1 s-au folosit notaiile:
-

2
zg

, tensiunea de zgomot intern;

UK, tensiunea termoelectric;


R, creterea rezistenei n curent alternativ fa de curent continuu;
Rs, rezistena serie echivalent terminalelor;
-1-

Componente i Circuite Pasive

Teme Suplimentare

L, inductana parazit;
C, capacitatea parazit;
R, rezistena rezistorului.
Se vor analiza pe rnd toate componentele schemei echivalente.
R, reprezent rezistena rezistorului, considerat ideal.
Tensiunea termoelectric UK. Conform structurii constructive, la realizarea rezistoarelor sunt
utilizate o serie de materiale conductoare, att pentru elementul rezistiv, ct i pentru zonele de
contactare i terminale. Dup cum se tie din fizic la contactarea a dou metale ce se afl la o
temperatur diferit, apare o tensiune termoelectric. Avnd n vedere c materialele utilizate la
realizarea rezistorului prezint tensiuni termoelectrice mici, pe de o parte, dar mai ales datorit
structurii constructive simetrice, ce a ce conduce la anularea tensiunilor, rezult la bornele rezistorului
o tensiune termoelectric UK, relativ mic (uniti V), care n practica curent poate fi neglijat.
Tensiunea termoelectric devine deranjant atunci cnd rezistorul este utilizat ca senzor de
curent sau n aplicaiile de curent continuu cu valori reduse ale tensiunii. Tensiunea UK crete, putnd
ajunge la zeci de V, o dat cu creterea diferenei de temperatur ntre terminalele rezistorului. deci
n aplicaiile la care tensiunea termoelectric este deranjant, modul de contactare al rezistorului
devine important.
Rezistena Rs, reprezint rezistena terminalelor si are n general o valoare foarte mic,
depinznd de dimensiunile terminalului i de materiale. n general ea
poate fi neglijat. n practic de influena lui Rs se ine seama numai la rezistoarele de valoare foarte
mic, 3m...1, i numai pentru terminale pentru plantare. n aceste situaii productorul prezint n
catalog valoarea rezistenei terminalului, o valoare uzual este de 0,4m/cm. De asemenea Rs trebuie
avut n vedere n aplicaiile cu senzor de curent.
Rezistena R, reprezint diferena dintre rezistena elementului rezistiv n curent alternativ i
cea de curent continuu. La proiectarea rezistoarelor, se consider c prin seciunea elementului rezistiv
curentul circul n mod uniform. Acest lucru este valabil n curent continuu i la joas frecven. La
nalt frecven, conform celor cunoscute de la fizic, datorit curenilor turbionari, distribuia
curentului nu mai este uniform, existnd tendina de a circula ctre seciunea exterioar, de unde i
numele de efect pelicular. Considernd un conductor de lungime L circular cu seciunea S, n curent
continuu i la joas frecven curentul circul uniform prin seciunea S, vezi figura 9.2 a i rezistena
Rcc este,

Rcc =

L
S

a)

b)

Figura 9.2 Seciunea prin care circul curentul n funcie de frecven


La nalt frecven se poate aproxima c datorit efectului pelicular curentul circul numai
prin seciunea S, caracterizat de mrimea , numit adncime de ptrundere a curenilor turbionari.
Rezult c n curent alternativ rezistena este,

Rca =

L
S'

(1)

Este evident c Rca>Rcc, iar R va fi,

1 1
R = Rcc Rca = L .
S S'
Adncimea de ptrundere a curenilor turbionari este dat de relaia,
-2-

(2)

Componente i Circuite Pasive

Teme Suplimentare

(3)

unde:
este permeabilitatea mediului parcurs de cmpul magnetic; n cazul nostru materialele sunt
nemagnetice, deci =r0, r=1, rezult =0=410-7H/m (permeabilitatea vidului) ;
f este frecvena semnalului electric la care funcioneaz rezistorul;
este conductibilitatea electric a materialului, n cazul nostru a elementului rezistiv.
Cunoscnd tipul materialului elementului rezistiv, dimensiunile acestuia, se poate determina
frecvena de la care ncepe influena efectului pelicular. n cazul de fa, notnd cu r, raza
conductorului, se poate determina frecvena maxim fM, pn la care influena efectului pelicular poate
fi neglijat, din condiia,

r=
r=

1
0 f M

(4)

Rezult,

fM =

0r 2

(5)

Exemplu. Aliajul Ni-Cr (vezi tabelul 2.5) este utilizat frecvent la realizarea rezistoarelor bobinate i cu
pelicul metalic. Rezult n acest caz pentru rezistoarele bobinate, cu un conductor cu raza de 0,5mm.
fM=113MHz
Adncimea de ptrundere a curenilor turbionari ntr-o pelicul rezistiv de
Ni-Cr, va fi,

539
mm. Comparnd pe cu grosimea peliculei, modificri ale rezistenei pot apare la pelicule
f

groase i cu rezistivitate mai redus, deci la rezistoare de rezisten redus.


Riz, reprezint rezistena de izolare a suportului dielectric n paralel cu rezistena de izolaie
a elementului de protecie. Riz ia valori relativ ridicate, fiind n general de ordinul zecilor sau sutelor
de G. Pentru valori nominale uzuale pn la 10100M, influena lui Riz poate fi neglijat, fiind
conectat n paralel. Numai pentru valori nominale foarte ridicate ale rezistenei, Riz nu mai poate fi
neglijat. Deci la valori nominale de ultra nalt mrime, sute G.100T, este evident atenia
productorului asupra acestei mrimi. n practica uzual n general Riz poate fi neglijat. Mai trebuie
fcut observaia c n general, aportul suportului dielectric este predominant la Riz, iar elementul de
protecie poate avea o influen mai mare sau mai mic; ponderea celor dou elemente, depinde
puternic de soluia constructiv, dar mai ales din analiza cmpului electric ce parcurge cele dou
elemente.
L, reprezint inductana, evident nedorit a rezistorului. Dup cum s-a mai precizat la orice
element care este parcurs de un curent variabil, va apare o inductan, datorit acumulrii de energie
magnetic. Inductana este definit c fiind,

L=

,
i

(6)

raportul dintre fluxul magnetic ce se sprijin pe suprafaa elementului conductor i curentul ce


parcurge acest element. Teoretic, inductana nu depinde de mrimile electrice, curent, tensiune, etc., ci
numai de natura mediului parcurs de cmpul magnetic i de geometria elementului. n general dac
materialele sunt pe magnetice, ce a ce este cazul rezistorului, aceast condiie este ndeplinit, cel
puin pentru frecvenele uzuale utilizate astzi.

-3-

Componente i Circuite Pasive

Teme Suplimentare

Pentru a aprecia mrimile importante de care depinde inductana. Se utilizeaz o relaie, pe


care trebuie s o considerm ideal, pentru un inductor (bobin) cu N spire, cu seciunea spirei S i
lungimea bobinajului l,
N 2 S
(7)
L=

unde este permeabilitatea mediului parcurs de cmpul magnetic.


Deci n cazul unui rezistor, inductana parazit, avnd n vedere c materialele sunt
nemagnetice (=0=410-7H/m), depinde practic numai de geometria rezistorului, de soluia
constructiv. Se poate aprecia c inductana este datorat terminalelor, Lt i elementului rezistiv Ler,
L = L t + L er
(8)
Inductana terminalelor depinde de tipul acestora. Pentru terminale pentru inserie,
Lt10nH/cm. Este proporional cu lungimea terminalelor, depinznd i de distana dintre terminale.
Terminalele SMD prezint o inductan foarte mic, de aproximativ 0,1..0,2nH.
Inductana elementului rezistiv depinde de forma i geometria acestuia. Pentru forma plan
(rezistoare cu pelicul groas) Ler este mic; poate fi aproximat la 1nH. Cele bobinate i cele
peliculare spiralate vor prezenta o inductan ridicat. n aceste cazuri inductana poate fi aproximat
ce relaia,
10 3 DN 2
H
(9)
L=
0,44 + La / D
sau
2
3 La

D
p [H ]
L=
0,44 + La / D
10

(10)

Dimensiunile i notaiile sunt conform figurilor 2.6 i 2.8:


N este numrul de spire;
D[mm] este diametrul suportului izolat;
La[mm] este lungimea activ a elementului rezistiv.
p[mm] este pasul de bobinare (spiralare).

Deci rezistoarele bobinate i peliculare spiralate vor avea o inductan ridicat, crescnd
puternic cu numrul de spire.
De exemplu, se consider un rezistor cu pelicul de carbon, tip RCG 1050. Se poate aproxima
D=3.5mm; La=10mm. Rezult pentru N=3, Lev=10nH; pentru N=10, Lev=106nH.
Avnd n vedere inductana parazit ridicat a acestor rezistoare, exist i variante constructive
ce reduc inductana. Acestea vor fi analizate la caracterizarea rezistoarelor. Pentru rezistoarele
peliculare, o variant simpl pe care o aplic anumite firme este limitarea numrului de spire la 3-4,
rezultnd o inductan ce nu depete 10-15nH.
C, reprezint capacitatea parazit a rezistorului. Conform legilor fizicii, dac ntre dou
elemente conductoare exist o diferen de potenial U, pe elementele respective se acumuleaz o
sarcin electric q, i echivalent ntre cele dou elemente exist o capacitate electric C,

C=

q
U

(11)

Pentru aprecierea capacitii se poate utiliza relaia pentru capacitatea condensatorului plan,

C =

S
d

(12)

unde, este permitivitatea mediului parcurs de cmpul electric; S este suprafaa armturii
condensatorului; d este distana dintre armturi.
-4-

Componente i Circuite Pasive

Teme Suplimentare

Ca i inductana, capacitatea (cel puin teoretic) nu depinde de mrimile electrice (tensiune,


curent), ci de natura mediului parcurs de cmpul electric i de geometrie.
Capacitatea unui rezistor este predominant determinat de ansamblul zonei de contactare
suport dielectric. La majoritatea rezistoarelor aceast capacitate va fi direct proporional cu
permitivitatea relativ a suportului dielectric i suprafaa zonei de contactare i invers proporional
cu lungimea suportului dielectric. Un aport relativ mic l aduce i capacitatea dintre terminalele
pentru plantare, iar la rezistoarele bobinate i peliculare spiralate, capacitatea crete, datorit
capacitii parazite ce apare ntre oricare dou spire.
De exemplu. Se consider un rezistor cu straturi groase de tip cip, RCG507 [Vitrom, pag47].
Suportul dielectric este din alumin care are permitivitatea relativ r10.

C = 0 r

S
d

(13)

0=8,85pF/m, permitivitatea vidului.


Avnd n vedere dimensiunile rezistorului se poate aproxima: S=1,25mm2, d=3mm.
Rezult C=0,04pF
Se poate trage concluzia c n general capacitatea parazit este n general zeci de fF, fiind mai
mic dect 0,1pF.
Pentru calculul impedanei rezistorului se va utiliza schema echivalent din figura 9.3
R

Figura 9.3 Schema echivalent la nalt frecven.

Fa de schema din figura 9.1 s-au neglijat elementele parazite rezistive, care dup cum s-a
explicat au o influen numai n anumite situaii i conduc la modificarea rezistenei, precum i
tensiunile. Aceast schem este valabil pn la o anumit frecven, n funcie de dimensiunile
rezistorului i lungimea de und a semnalului, . Cu aproximaie trebuie ndeplinit condiia ca cea
mai mare dimensiune a rezistorului (lungimea) s fie mai mic dect /10.

L<

10

c
;
f

(14)

c=3 108m/s, viteza de propagare a undelor electromagnetice n vid.


n tabelul 1 este prezentat corespondena frecven lungime de und, pentru diferite lungimi
uzuale ale rezistoarelor.
Tabelul 1 Lungimea maxim a rezistoarelor n funcie de frecven.
f [Hz]
10M 50M 100M 300M 500M
1G
3G
30
6
3
1
0,6
0,3
0,1
[m]
-2
-2
L [m]
3
0,6
0,3
0,1
6 10
3 10
10-2

5G
0,06
6 10-3

10G
0,03
3 10-3

Conform tabelului 2.11, o dat cu creterea frecvenei dimensiunea rezistoarelor utilizate


trebuie s fie ct mai mic. Dup cum se observ la o frecven de 1GHz, rezistorul trebuie s aib o
lungime maxim de 3cm. Avnd n vedere dimensiunea minim de 5 cm a rezistoarelor realizate n
etapa actual, rezult c acestea pot fi utilizate, din acest punct de vedere pn la o frecven de 5-6
GHz.
Pentru circuitele pasive R,L,C, cu structur serie, este comod s se calculeze impedana, iar
pentru cele cu structur paralel, admitana. n cazul de fa se va determina admitana Y,

-5-

Componente i Circuite Pasive

Y =

1
R + j L

Teme Suplimentare

+ j C =

R 1 + j

RY =
1 + j

+ j

L /C
R

LC

(15)

+ j C

(16)

R
L /C

LC

RY se numete admitan normat.


Se utilizeaz notaiile,

r =
a =

1
LC

, pulsaia de rezonan a circuitului serie LC;

L / C
R

L / R
RC

(17)

L
C

unde: L constanta de timp inductiv;


C constanta de timp capacitiv.
Expresia (2.99), devine,
1

RY =

1 + j

a
r

+ j

(18)

1
r a

Relaia anterioar se poate pune sub forma,

RY = Re{RY } + j Im{RY }

(19)
Locul geometric al vrfului vectorului RY descrie diagrama polar sau hodograful admitanei,
care este prezentat n figura 2.20.

Fig.2.20 Reprezentarea polar a admitanei rezistorului.


Separnd partea real i cea imaginar, expresia (18) devine,
1 j
RY =

RY =

Din condiia,


1 +
r

1

1 +
r

a
r

+ j
r

Im{R Y} = 0
-6-

(20)

1
+ j
r a

1
a

a

1 +

(21)

Componente i Circuite Pasive

Teme Suplimentare

rezult frecvena de rezonan.

a
2


1 + a 2
r

=0

(22)

Rezult,

= r

a2 1
a2

(23)

Soluia ecuaiei (2.104), depinde de valoarea lui a:


pentru a<1, nu exist soluie real, deci nu avem rezonan;
pentru a=1, rezult =0;
pentru a>1, exist soluia real 0, care este pulsaia de rezonan.
2

0 = r

a 1
a2

(24)

n funcie de valoarea lui a, rezult i forma tipic pentru hodograma admitanei, prezentat n
figura 2.21.

Figura 9.4 Hodograful admitanei n funcie de parametrul a.

Avnd n vedere figura 9.4, se pot trage urmtoarele concluzii:

L / C <R, la nalt frecven impedana rezistorului va fi capacitiv;


L / C =R, la nalt frecven impedana este capacitiv, dar crete banda de

dac a<1, adic

dac a=1, adic


frecven n care impedana este rezitiv, fa de cazul anterior;

dac a>1, respectiv

f0 = f r

a2 1
a2

L / C >R,

la nalt frecven, pn la frecvena de rezonan

, impedana este inductiv, la rezonan este rezistiv i peste frecvena f0

devine capacitiv.
Rezult de asemenea c rezistoarele de rezisten mic se vor comporta inductiv la nalt
frecven, iar cele de rezisten mare vor avea impedana capacitiv.
Pentru o imagine mai clar a tipului impedanei rezistorului se prezint n figura 2.22, modulul
impedanei, iar n figura 2.23, defazajul dintre tensiune i curent.

-7-

Componente i Circuite Pasive

Teme Suplimentare

Z
a>1
R

a=1
a<1
f0

Figura 9.5 Modulul impedanei rezistorului n funcie de frecven i parametrul a.

/2
a>1
f0

a=1
a<1
-/2

Figura 9.6 Defazajul dintre tensiunea la bornele rezistorului i curentul prin rezistor, n funcie de
frecven i parametrul a.

Pentru rezistoare nu exist un parametru cu ajutorul cruia s se poat aprecia cu o eroare


acceptabil comportarea n frecven, datorit faptului c impedana la nalt frecven depinde att de
inductan i capacitate, dar i de valoarea rezistenei. Este totui important s se rein cp un rezistor
va avea o frecven maxim la care poate fi utilizat, cu att mai mare cu ct inductana i capacitatea
sunt mai mici, i mai ales inductana. O apreciere mai exact poate fi obinut, dac productorul
prezint anumite date experimentale n catalog. Un exemplu este prezentat n tabelul 2
Tabel 2 Impedana rezistorului cu pelicul de carbon, CR16, la f=250MHz
10
22
56
100
220
560
1000
RN()
3,47 1,72
1,11
1,03
0,99
0,98
0,96
Z/RN
70
52
31
23
10
0
-9
()

2200
0,84
-32

5600
0,5
-60

Dup cum se observ din tabelul 2 numai rezistoarele cu valorile rezistenei cuprinse n
intervalul 2201K se poate considera c au o comportare acceptabil la frecvena de 250MHz.
La valori mici rezistorul se comport inductiv, ajungnd ca la 10, modulul impedanei s creasc la
34,7 i defazajul la 70. La valori mari, rezistorul se comport capacitiv, ajungnd ca la 5,6 K,
modulul impedanei s scad la 2,8 K i defazajul s fie de -60.
Rezult de asemenea din tabel c un rezistor cu o anumit inductan i capacitate va avea
frecvene maxime de utilizare pentru valori medii ale rezistenei, maximul fiind pentru
frecvena maxim de utilizare scznd o dat cu scderea i creterea rezistenei.

-8-

L
= R,
C