LUCRAREA NR.

6
TRANZISTORUL BIPOLAR
1. Structur i procese fizice n TB convenional
Tranzistorul bipolar (TB) convenional reprezint un dispozitiv semiconductor cu trei terminale, a crui funcie principal
este cea de amplificare liniar a semnalelor electrice. Constructiv
acest tip de tranzistor const din dou jonciuni pn "cuplate" ntre
ele prin intermediul purttorilor minoritari. Dup modalitatea de
realizare i cuplare a jonciunilor se formeaz fie o structur npn

n
n

IE

IC
EB

V CB

V EB

IB
-+

N A ,N D

N DE

N AB

b
Fig.1 Structura fizic i profilurile de dopare la un
tranzistor npn

63

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

Se consider o structur npn (fig.1) la care se disting trei

regiuni: emitorul E, baza B i colectorul C. Indiferent de natura
purttorilor mobili de sarcin (electroni sau goluri) emitorul este
"sursa" de purttori iar colectorul "colecteaz" aceti purttori. n
regim normal de funcionare jonciunea emitor-baz este
polarizat direct iar jonciunea colector-baz este polarizat
invers. Modelul benzilor de energie pentru aceast situaie este
artat n fig.2.b.; modelul benzilor TB la echilibru termodinamic
este reprezentat n fig.2.a. n esen "efectul tranzistor" const n
comanda curentului invers de colector de ctre curentul direct al
jonciunii emitor-baz; aceast comand este eficient numai cnd
lrgimea bazei este foarte mic n comparaie cu lungimea de
difuzie a purttorilor minoritari prin baz.
Tranzistorul bipolar poate fi montat n circuit n trei
conexiuni fundamentale: baz comun (BC), emitor comun (EC)
i colector comun (CC); denumirea conexiunii este dat de
terminalul comun circuitului de intrare i celui de ieire.
Pentru a discuta funcionarea TB convenional pe baza
structurii npn din fig.1.a n conexiune BC se observ modul de
distribuie a concentraiilor de impuriti n cele trei regiuni : N DE
n emitor, N AB n baz i NDC n colector. La tranzistoarele actuale
cu bune performane concentraiile impuritilor se afl n raportul
N DE >>N AB >N DC (fig.1.b); n acelai raport se afl i concentraiile
purttorilor majoritari: n 0E >>p 0B >n 0C; concentraiile purttorilor
minoritari se afl ntr-un raport invers: p 0E <<n 0B <p 0C . Ca urmare a
profilului de dopare cu impuriti specificat mai sus, aceste
tranzistoare sunt marcate: n ++ p +n pentru o structur npn i p++ n + p
pentru o structur pnp.
Pe scurt, procesele de conducie din TB decurg dup cum
urmeaz. Jonciunea emitor-baz este polarizat direct i o
cantitate mare de electroni este injectat din emitor n baz. Aceti
electroni se deplaseaz spre colector prin procese de difuzie (la
tranzistoarele"drift" cu concentraie neuniform a impuritilor n
baz intervin i procese de drift) i marea majoritate, peste 99%,

64

LUCRAREA NR.6 Tranzistorul bipolar, caracteristici

statice, circuite de polarizare

ajung la jonciunea colector-baz; o mic cantitate de electroni se

recombin cu golurile existente n baz. Electronii care ajung la

Fig. 2 Modelul benzilor energetice la tranzistorul bipolar npn

colector particip la trecerea curentului invers prin jonciunea
colector-baz. Curentul total de emitor are dou componente I E =
I nE + I pE , unde componenta electronic InE este dat de electronii
injectai n baz, iar componenta de goluri IpE este dat de golurile
care se deplaseaz din baz n emitor ; avnd n vedere raportul
concentraiilor de dopare avem InE >> I pE .
Curentul total de colector are, de asemenea, dou componente I C = I nC + I pC ; componenta I nC este dat n principal de elec-

65

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

tronii provenii din emitor i care au traversat baza; componenta

I pC este dat de golurile care trec din colector n baz. Aa cum
rezult din procesele descrise mai sus, cantitatea de electroni ce
traverseaz jonciunea colector-baz este mult mai mare dect
cantitatea de goluri care trece din colector n baz, prin urmare are
loc inegalitatea I nC >> I pC. Curentul de baz IB are mai multe
componente: electronii care se recombin n baz, golurile care se
deplaseaz nspre emitor, curentul rezidual de colector I C0, obinut
n condia IE = 0.
2 Expresiile curenilor din TB.
Expresiile curenilor prin TB sunt date de ecuaiile generalizate Shockley:
V EB V CB

I E = a 11 ( e V T - 1) + a 12 ( e V T - 1)
V EB V CB

I C = a 21 ( e V - 1) + a 22 ( e V - 1)
T

unde coeficienii aij sunt definii de relaiile:

D B n 0B cth w + D E p 0E ]
a 11 = A E q [

L BL BL E
D B p 0B
a 12 = - A E q
w
L B sh
LB
D B p 0B
a 21 = A C q
w
L B sh
LB
D B n 0B cth w - D C p 0C ]

a 22 = A C q [

L BL BL C

(1)

(4)

(2)
(5)
(3)
(6)

LUCRAREA NR.6 Tranzistorul bipolar, caracteristici

statice, circuite de polarizare

Mrimile utilizate n aceste relaii au urmtoarele semnificaii:

V EB i VCB sunt tensiunile aplicate pe jonciunea emitor-baz,
respectiv colector-baz; VT =K BT/q este potenialul termic (la
temperatura camerei T 300K, V T 0,025 V; A E , A C sunt ariile
jonciunilor; DE , D B , D C sunt constantele de difuzie pentru
purttorii minoritari n emitor, respectiv baz i colector ; L E , L B ,
L C ,sunt lungimile de difuzie ale purttorilor minoritari n regiunile specificate de indici; p 0E , n 0B , p 0C sunt concentraiile purttorilor
minoritari n emitor, respectiv baz i colector; w este lrgimea
efectiv a bazei.
Curentul din baz rezult din relaia:
(7)

I E= I C+ I B

3. Caracteristici statice n conexiunea BC

Fiind un dispozitiv cu trei terminale, la TB exist trei
tensiuni i trei cureni, unde ca urmare a legilor lui Kirchhoff,
numai dou tensiuni i doi cureni sunt independeni; a treia
mrime (tensiune sau curent) este univoc determinat de primele
dou. Din cele patru mrimi rmase, dou se consider variabile
independente iar celelalte dou sunt considerate funcii; rezult
astfel patru familii de caracteristici statice. n conexiunea BC
aceste caracteristici sunt definite prin relaiile (n ordinea
importanei):

I C= f 1 ( V CB ) | I E ct. , I C = f 2 ( I E ) | V CB ct

(8)

V EB = f 3 ( I E ) | V CB ct , V EB = f 4 ( V CB ) | I E ct
n practica curent se utilizeaz primele trei familii; a patra familie
se utilizeaz pentru tranzistoarele speciale de nalt frecven.

67

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

a. Caracteristici de ieire, IC = f(V CB ), cu I E parametru este

reprezentat n fig.3.a. Pe aceast familie se disting trei regiuni de
funcionare a tranzistorului:
-(I) Regiunea activ n care jonciunea emitor-baz este polarizat
direct iar jonciunea colector-baz este polarizat invers; este
regiunea de funcionare normal a TB ca amplificator i oscilator.
ntruct I C este un curent invers, el prezint o slab dependen de
tensiunea V CB; creterea uoar a curentului IC n funcie de VCB
este datorat micorrii lrgimii efective a bazei w (prin efect
Early) cnd V CB crete.

Fig.3. Caracteristici statice ale tranzistorului bipolar n montaj

baz comun:a.-caracteristici de ieire,b.-caracteristici de transfer,
c.-caracteristici de intrare d.-caracteristici de reacie invers

68

LUCRAREA NR.6 Tranzistorul bipolar, caracteristici

statice, circuite de polarizare

-(II) Regiunea de saturaie, caracterizat prin polarizarea direct a

ambelor jonciuni; este situat n cadranul al doilea unde V CB
devine negativ.
-(III) Regiunea de blocare, caracterizat prin faptul c ambele
jonciuni sunt polarizate invers.
Regiunile (II) i (III) sunt utilizate n procesele de comutare ale
TB. Drept expresie analitic aproximativ pentru descrierea
acestei familii de caracteristici poate servi relaia (2) n care se
neglijeaz exp(VCB /V T ) n raport cu unitatea; neglijarea este
posibil ntruct VCB este o tensiune de polarizare invers i
V CB>>V T .
b. Caracteristici de transfer, I C = f(I E ), cu V CB parametru
sunt reprezentate n fig.3.b i arat c ntre I C i IE exist o
dependen liniar. Aceast dependen poate fi descris analitic
printr-o relaie simplificat. Cel mai important parametru care se
utilizeaz pentru caracterizarea global a TB n conexiunea BC
este ctigul (factorul) de curent h21b = 0, definit prin relaia:

0=

I C dI C

| V CB = ct .(9)

I E dI E

innd cont de aceast relaie i de curentul rezidual I C0 , se poate

scrie:
(10)

I C = 0 IE + I C0

Influena slab a tensiunii VCB asupra familiei caracteristicilor de

transfer se explic tot prin efect Early; micorarea lrgimii
efective a bazei duce la creterea ctigului de curent.

69

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

c. Caracteristici de intrare, reprezentate sub forma I E = f(V EB )

cu V CB parametru, sunt date n fig.3.c. Forma unei caracteristici
este asemntoare cu cea a unei diode polarizate direct. Acest fapt
decurge i din relaia (2) n care se neglijeaz exp (V CB /V T ) n
raport cu unitatea. Se constat o anumit influen a tensiunii V CB ,
care poate fi explicat prin creterea gradientului de concentraie a
purttorilor minoritari n baz odat cu creterea tensiunii V CB .
4. Caracteristici statice n conexiune EC
a. Caracteristici de ieire, IC =f(V CE ), cu I B parametru
prezentate n fig.4.a. Se disting trei regiuni de funcionare:
-(I) Regiunea activ n care jonciunea baz-emitor este polarizat
direct iar jonciunea colector-baz este polarizat invers. Trebuie
observat c n aceast regiune att pe baz ct i pe colector sunt
aplicate tensiuni pozitive n raport cu emitorul i V CE >V BE . Panta
caracteristicilor este mai mare dect la conexiunea BC; aceast
particularitate se explic prin faptul c n cazul conexiunii EC
efectul Early influeneaz curentul IC prin intermediul factorului
0 = 0 /(1-0 ) (n conexiunea BC efectul Early influeneaz
curentul I C prin intermediul factorului 0 ). n acest sens este util
stabilirea unei dependene convenabile ntre I C i IB. Dac n (10)
se nlocuiete IE cu valoarea scoas din (7) se obine:

I C = 0 IB + I CE0

(11)

unde

0
, I CE0 = I C0 0 =
1- 0 1 - 0
mrimea 0 reprezint ctigul de curent n conexiune EC.

70

(12)

LUCRAREA NR.6 Tranzistorul bipolar, caracteristici

statice, circuite de polarizare

Fig. 4 Caracteristici statice ale tranzistorului n montaj emitor

comun.a.- caracteristici de ieire, b.-caracteristici de transfer, c.caracteristici de intrare, d-caracteristici de reacie invers .
-(II) Regiunea de saturaie n care ambele jonciuni sunt polarizate
direct; aceast regiune este situat n primul cadran, ntre ordonat
i dreapta VCE =V BE ; pentru V CE <V BE , ambele tensiuni fiind
pozitive, cele dou jonciuni sunt polarizate direct .
-(III) Regiunea de blocare n care ambele jonciuni sunt polarizate
invers; aa cum rezult din (12) curentul ICE0, care se obine pentru
I B =0, este mult mai mare dect I C0 .
b. Caracteristici de transfer, I C = f(I B ), cu V CE parametru
prezentate n fig.4.b. Forma lor difer mult de caracteristicile
similare din conexiunea BC; att timp ct V CE >V BE

71

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

(regiunea activ), caracteristicile reprezint drepte descrise de

relaia (11), avnd panta egal cu 0 ; pentru tensiuni V CE <V BE
coeficientul 0 scade rapid la zero, putnd lua valori negative
ntruct I C i poate schimba sensul.
c. Caracteristici de intrare, I B =f(V BE ) cu V CE parametru,
ca n fig.4.c. Sunt de semnalat cteva particulariti: numai
caracteristicile corespunztoare valorii VCE = 0 trec prin origine;
pentru restul caracteristicilor avem I B (V BE =0) = - I C0; influena
tensiunii V CE este mai puternic n domeniul de valori VCE <V BE i
devine neglijabil pentru VCE >V BE .
5. Parametrii h. Scheme echivalente de cuadripol
Pentru calculul circuitelor de amplificare, oscilaie,
comutare, filtrare .a. realizate cu TB, se utilizeaz schemele de
cuadripol. n funcie de tipul circuitului electronic i de regimul de
funcionare al TB schemele echivalente pot fi liniare (de semnal
mic) sau neliniare. n continuare se prezint scheme echivalente
(modele) de semnal mic cu parametrii h.

Indiferent de conexiune TB poate fi privit ca un

cuadripol (reea electric) la care se disting patru borne
accesibile, dou la intrare i dou la ieire. Cele trei tipuri de
conexiuni fundamentale ale TB sunt indicate n fig.5.

Fig. 5 Modurile fundamentale de conectare n circuit a

tranzistorului bipolar :a.- Baz comun (BC) , b.- Emitor comun
(EC) , c.- Colector comun (CC)

72

LUCRAREA NR.6 Tranzistorul bipolar, caracteristici

statice, circuite de polarizare

Sub form general, mrimile de intrare i de ieire au o

component continu i una variabil (de semnal)
(13)
v I = V IQ + vI , v II = V IIQ + vII

i I = I IQ + iI , i II = I IIQ + iII
unde V IQ , I IQ , V IIQ , I IIQ reprezint valorile continue ce definesc
punctele statice de funcionare; v I , i I , v II , i II sunt variaii
ale mrimilor respective n jurul valorilor continue. Condiia de
semnal mic presupune: v I << V IQ , i I << I IQ , v II << V IIQ , i II
<< I IIQ. Parametrii h se obin dac mrimile i I i v II sunt
considerate variabile independente, iar v I i i II funcii; se poate
scrie:
(14)
v I = f 1 ( i I , v II )
i II = f 2 ( i I , v II )
Dac i I i v II prezint variaii n jurul valorilor IIQ i VIIQ, atunci i
v I , i II vor prezenta variaii n jurul valorilor VIQ i IIIQ . Pentru a
stabili legtura ntre variaiile tensiunilor i curenilor se
efectueaz o dezvoltare n serie Taylor a expresiilor (14), n care
se neglijeaz apoi termenii de ordin superior; rezult:

v I v I | Q + h 11 iI h 12 vII
i II = i II | Q + h 21 iI + h 22 vII
unde mrimile:

v I | Q = V IQ , i II | Q = I IIQ

h 11=

v I v I
Q

, h 12 =

i 1 v II
i II
| Q , h 22 = i II | Q
h 21 =
i I v II

|Q

(15)

(16)

(17)

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

reprezint parametrii h ai TB. Presupunnd c variaiile i I , v I .

v II , i II reprezint componente de semnal, ele pot fi notate prin
valorile instantanee alternative
(18)
iI = i 1 , iII = i 2

vI = v 1 , vII = v 2
innd cont de (13), din (15) se scoate:
v 1 = h 11 i 1 + h 12 v 2

(19)

i 2 = h 21 i 1 + h 22 v 2
parametrii h au un caracter diferenial.
Relaiile (19) pot fi particularizate pentru cele trei tipuri de
conexiuni:
-conexiunea EC, h b :
(20)
v eb = h 11b i e + h 12b v cb

i c = h 21b i e + h 22b v cb
-conexiunea EC, h e :

(21)

v be = h 11e i b + h 12e v ce
i c = h 21e i b + h 22e v ce

-conexiunea CC, h c :
(22)
v bc = h 11c i b + h 12c v ec
i e = h 21c i b + h 22c v ec
Schemele echivalente corespunztoare sunt reprezentate n fig.6.
Sursele de tensiune i de curent din aceste scheme sunt controlate
(dependente) astfel nct valorile lor depind de curenii i
tensiunile la terminalele tranzistorului. Trebuie observat c
schemele echivalente prezentate se refer numai la componentele
alternative de semnal ; parametrii h 11 i h21 se determin n
74

LUCRAREA NR.6 Tranzistorul bipolar, caracteristici

statice, circuite de polarizare

condiii de scurtcircuit la ieire iar h21 i h22 n condiii de gol la

intrare.La TB se pot defini, de asemenea, parametrii y i z care se
utilizeaz mai rar.
h 11 b i e

ic

vh

v eb
i

22b

h 12bv cb
h
21b e

h 11 e
b

hv
ce 22e

v
be

h 12ev ceh 21ei

ie

i b 11 c

vh
ec
22c

v
bc

h 12v eci h 21c

c

Fig.6 Scheme echivalente cu parametri h pentru TB

6. Studiul experimental al TB. Trasarea caracteristicilor
statice la TB
Trasarea caracteristicilor statice poate fi realizat pe
caracteriscop, pe nregistrator grafic X-Y i prin metoda punct cu
punct. Cea mai performant modalitate este prima deoarece permite o analiz rapid pentru diferite polarizri, o comparaie
direct a mai multor dispozitive de acelai tip i asigur identificarea regimurilor maxime de funcionare fr distrugerea componentelor. n continuare se prezint metoda trasrii punct cu
punct.

75

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

Pentru comanda circuitului de intrare al TB este necesar o

surs de curent constant. Aceasta se realizeaz cu un circuit
electronic activ sub forma unui modul SC, fixat pe planeta de
lucru care este alimentat de la o surs stabilizat de tensiune S1 i
prezint o rezisten intern ridicat. Dup montarea pe planet a
modulului de curent constant sursa de tensiune care l alimenteaz
este reglat la 30V dup care nu se mai acioneaz asupra ei,
curentul constant fiind modificat din poteniometrul modulului SC
i msurat cu instrumentul M1. Atenie la polaritile sursei de
alimentare i a modulului de curent constant.
I. Conexiunea BC Va fi utilizat montajul din fig.7 (pentru
tranzistor npn).
mA

mA

M2

CE

M1

+
S2

--

0-20V

SC S1
VE VE
++

30V
M3 M4

Fig.7 Montaj pentru trasarea caracteristicilor statice n

conexiune BC la un tranzistor npn
Sursa de curent SC pentru montaj BC asigur o modificare
continu a curentului de emitor n limitele 110 mA. Urmrind
nregistrarea dependenelor (8) se ridic valori pentru cel puin 5
caracteristici din fiecare familie, iar apoi se reprezint grafic. Din
caracteristicile statice obinute se determin parametrii h b n acord
cu definiiile din 1.3.

76

LUCRAREA NR.6

Tranzistorul bipolar, caracteristici

statice, circuite de polarizare

VEB

VEB
| V CE = ct. , h 12b = | I E = ct.
VCB

h 11b=
IE
IC

(23)

IC

h 21b =

| I E = ct.

IE

VCB

II. Conexiunea EC
Se realizeaz montajul din fig.8 (tranzistor npn).
mA

M2

M1

++
SC S1
VE - -

S2
VE
0-20V M4

30V
M3

Fig.8 Montaj pentru trasarea caracteristicilor statice n

conexiune EC la un tranzistor npn
Sursa de curent SC pentru monaj EC furnizeaz un curent
constant reglabil ntre 10100 A. Se ridic valori pentru trasarea
urmtoarelor familii de caracteristici:
-caracteristicile de ieire IC = f 1 (V CE ), I B parametru;
-caracteristicile de intrare I B = f 2 (V BE ), V CE parametru;
-caracteristicile de transfer I C =f 3 (I B ), V CE parametru;
-caracteristicile de reacie VBE =f 4 (V CE ), I B parametru. .

77

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

Se vor reprezenta minimum cinci caracteristici din fiecare

familie. Vor fi calculai parametrii h e conform relaiilor:

VBE

VBE
h 11e=

| I B = ct.
| V CB = ct. , h 12e =

IB
IC
h 21e =

VCE

(24)

IC
| I B = ct.
| V CE = ct. , h 22e =

IB VCE
n cadrul lucrrii practice sunt analizate tranzistoarele
de mic putere cu siliciu din seria BC 413-414
1. Tranzistoarele planar-epitaxiale prezint o dependen de
curent a amplificrii. La cureni mici de 0,11 mA amplificarea
este mai redus i crete de 2...3 ori la creterea curentului,
atingnd un maxim la 1020 mA. Tranzistoarele sunt marcate cu
indici suplimentari n funcie de amplificarea n curent astfel:

2. Familia BC413-BC414 n capsul din plastic TO-92 se

produce pe plan mondial din 1965 de ctre Philips, Siemens,
AEG-Telefunken, SESCOSEM, Texas Instruments, Motorola
Fairchild, SGS Thomson , IPRS Bneasa.
3. Puterea disipat la 45C este pentru toate tipurile de cel
puin 300 mW. Nu se recomand ca la funcionarea de lung

78

LUCRAREA NR.6 Tranzistorul bipolar, caracteristici

statice, circuite de polarizare

durat puterea s depeasc 150 mW, astfel nct jonciunea s

aib o temperatur sub 125C, asigurndu-se fiabilitatea.
n continuare sunt prezentate caracteristicile tranzistoarelor din
seria BC413-BC414.
Valori maxime absolute

Caracteristici de curent continuu

79

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

Caracteristici dinamice (la t =25 0 C)

Mrimea
Tensiunea colector-baza
Parametrii
h n montaj EC
Tensiunea colector-emitor
Tensiunea emitor-baza
Curent de vrf la colector
Curent de baz
Puterea total disipat
Temperatura jonc;iunii
Temperatura de stocare
Rezistena termic

simbol
UCB0
UCE0
UEB0
ICM
IBM
Ptot
tj
tstg
Rthja

min tip max

4550
3045
5
100
20
300
150
-55 +150
420

Mrimea
Curent rezidual de colectorLa
UCB=30V

simbol
ICB0

min tip max

15
5

Curent rezidual de emitor

Tensiunedestrpungerecolector
baz (IC= 10
Tensiunedestrpungerecolector
emitor (IC= 10mA)
Tensiune de strpungere
emitorbaza (IE= 10

IEB0
U(BR)C
B0
U(BR)C
0
U(BR)E
BO

Tensiune de saturaie
colectoremitor

UCEsat

Tensiunea de satura;ie bazemitor

UBEsat

15
45
50
30
45
5

UM
V
V
V
mA
mA
mW
0C
0C

Observaii

Tamb;< 25 0C

K/W
UM
nA

nA
V
V

Observaii
Tamb=250C
Tamb=1250C

BC413
BC414
BC413
BC414

V
90 250

mV

200 600

mV

700

mV

IC=
10mA,IB=
0,5mA
IC=
100mA,IB=
5mA
IC=
10mA,IB=
0,5mA

Fig.9 Caracteristicile statice de ieire la tranzistorul BC413 n

montaj EC

80

LUCRAREA NR.6 Tranzistorul bipolar, caracteristici

statice, circuite de polarizare

Mrimea
Produsul band x amplificareLa f
= 100MHz
Capacitatea baz colector
Factorul de zgomotf= 30Hz15KHz

simbol
fT
CCB0
F

min tip max

250
2,5
3

UM
MHz
pF
dB

Observaii
UCE=5VIC=1
0mA
UCE= 5VIc=
200

Parametrul
grupa
mintipmax
Fig.10
a.-tensiunea
de saturaie
colector-emitor nUM
funcie de
hie
K
curentul
de BC
colector (h fe =3,24,5
20, t8,568,7
amb = 15
25 0 C) b.- tensiunea
bazemitor
n
funcie
de
curentul
de
colector
(U
CE
=
5V,
t
amb
=
25 0 C)
BC
2x10 - 43x10 - 4
hre
hfe
hoe

BC
330600
7.Tranzistorul
bipolar ca element
de circuit
(BC
Studiu suplimentar)306060 110
S

Pentru a putea realiza cu ajutorul TB diferite funcii trebuie

ca acesta s fie polarizat ntr-un anumit mod specific. Alegerea
punctui static caracterizat printr-un curent de baz I BQ , o tensiune
de colector V CQ i un curent de colector ICQ , se face pe baza unor
criterii impuse de funcia dorit.
Punctul de funcionare trebuie plasat ntr-o regiune bine
definit, delimitat pe familia caracteristicilor de ieire de: puterea

81

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

Fig.11 Parametrii h in montaj EC pentru tranzistorul BC413

disipat maxim, tensiunea maxim admis i curentul maxim
admis.

82

LUCRAREA NR.6 Tranzistorul bipolar, caracteristici

statice, circuite de polarizare

Condiia ca puterea disipat de tranzistor s nu creasc peste

limita admis dicteaz o grani sub form de hiperbol n planul
caracteristicilor de ieire:

i C v C = P Dmax (25)
Limitarea tensiunii colector-emitor la o valoare V Cmax , este
impus de multiplicarea n avalan a purttorilor n regiunile de
trecere , fapt care conduce la strpungerea electric a jonciunii
baz-colector. Curentul de colector trebuie s fie sub o valoare
I Cmax pentru a preveni distrugerea tranzistorului sau scderea
pronunat a factorului 0 . La tensiuni mici domeniul de
funcionare este limitat de grania dintre regiunea activ i cea de
saturaie,iar la cureni mici de cea ntre regiunea activ i regiunea
de blocare.

Fig.12 Domeniul de funcionare admis pentru TB

83

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

Schema unui amplificator de semnal mic cu TB npn n montaj

EC este prezentat n fig.13
IC

I CQ
Q

Fig.13 Schema unui amplificator de semnal mic cu tranzistor

bipolar
TB fiind un dispozitiv cu comand n curent n circuitul de intrare
se conecteaz n serie cu tensiunea de polarizare V BB i cu sursa
de semnal un rezistor R b de valoare ridicat. Mrimile care
intervin n analiz sunt vB , i B , v C , i C, iniial necunoscute i care au
expresiile:

v B = V BQ + v b
i B = I BQ + i b
i C = I CQ + i c
v C = V CQ + v c

84

(26)

LUCRAREA NR.6

Tranzistorul bipolar, caracteristici

statice, circuite de polarizare

Se presupun cunoscute v b (v bv s ).
Pentru circuitul de colector se poate scrie legea a II-a a lui
Kirchhoff (n regim lent variabil)
(27)

v C = V CC + i C R C

Aceast relaie reprezint ecuaia dreptei de sarcin pentru

circuitul de ieire trasat n familia caracteristicilor de colector
(fig.13b). Dreapta intersecteaz axele de coordonate n punctele
(0,V CC ), (V CC /R C,0) i are panta -1/R C . Punctul static este
determinat de I BQ , I CQ i VCQ .
Pentru circuitul de baz se poate scrie:
(28)

v B = V BB - i B R B

relaie care reprezint ecuaia dreptei de sarcin pentru circuitul de

intrare (fig.13c). Ea intersecteaz axele de coordonate n punctele
(0,V BB ), (V BB /R b ). R b are valori mari, panta dreptei are valori mici
i se poate aproxima ca fiind paralel cu axa V B . Se admite astfel
c iB este slab influenat de tipul tranzistorului i regimul su de
funcionare.
n montajele practice se utilizeaz o singur surs de tensiune pentru polarizarea tranzistorului, iar circuitul se realizeaz
astfel nct s asigure stabilizarea punctului de funcionare.
Variaia temperaturii influeneaz regimul de curent continuu al
tranzistorului. Dac temperatura crete, punctul de funcionare se
deplaseaz spre cureni mari n regiunea de saturaie, iar la
scderea temperaturii spre regiunea de blocare.
Punctul static de funcionare trebuie meninut constant la
modificarea temperaturii. Circuitul simplu din fig.13a nu poate
asigura protecia la fenomenul de ambalare termic. Dac
temperatura crete, curentul de colector crete datorit creterii
valorii lui 0 cu temperatura. Un astfel de circuit poate fi utilizat
doar la puteri disipate reduse i la temperaturi ambiante apropiate

85

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

de 20C. n fig.14 se prezint o variant de polarizare cu o singur

surs de tensiune care asigur totodat i stabilizarea termic a
punctului de funcionare.

Fig.14 Schema unui amplificator de semnal mic cu TB

Tensiunea continu VBQ i curentul IBQ se fixeaz prin alegerea elementelor divizorului rezistiv R 1 i R2 i a valorii
rezistorului din emitor R E . Condensatorul C E constituie drumul de
nchidere la mas a componentei alternative de semnal. Tensiunea
v BE n absena semnalului, va fi dat de diferena dintre tensiunea
n punctul B asigurat prin divizorul R1 , R 2 i cderea de tensiune
pe rezistorul R E. O cretere a curentului de colector provocat de
ridicarea temperaturii produce o cdere mai mare de tensiune la
bornele rezistorului R E , ducnd la micorarea tensiunii vBE i deci
a curentului i B; curentul de colector este meninut astfel la o
valoare constant. Punctul static de funcionare este stabilizat.

86