Scopul lucrrii: Studierea aprofundat a tranzistorului cu efect de cmp,

cercetarea caracteristicilor statice de transfer i a parametrilor lui, familiarizarea

cu

tipul

de

tranzistor

TECMOS.

Tranzistorul cu efect de cmp cu poart jonciune (TECJ) este un dispozitiv

electronic unipolar (conducia se face printr-un singur tip de purttori fie electroni,
fie goluri). Este format dintr-un cristal semiconductor n care se realizeaz un canal
conductor prevzut la capete cu contacte pentru aplicarea tensiunii de alimentare i
un electrod de comand a curentului din canal. Contactele de la capete sunt
denumite: surs - electrodul prin care purttorii ptrund n canal, i dren electrodul prin care purttorii sunt evacuai din canal. Tipul n sau p al materialului
semiconductor din care este fcut canalul, determin tipul purttorilor mobili de
sarcin: electroni i respectiv goluri i mprirea tranzistoarelor cu efect de cmp
n TECJ cu canal n i TECJ cu canal p.
Schimbarea conductanei canalului se obine prin cmpul creat de o
tensiune care se aplic celui de-al treilea electrod numit poart sau gril.
La tranzistorul TECJ seciunea efectiv a canalului este modificat prin comanda
lrgimii regiunii de trecere a unei jonciuni pn. n fig.la, este prezentat structura
simplificat a unui astfel de tranzistor realizat ntr-un cristal semiconductor tip n
unde au fost obinute dou jonciuni pn care las ntre ele un canal conductor. Cele
dou jonciuni sunt polarizate invers, iar mrimea tensiunii de polarizare comand
lrgimea regiunilor de trecere i deci seciunea efectiv a canalului.
n fig.l b, este artat o variant de realizare a unui TECJ n tehnologie
planar epitaxial. Canalul este realizat din regiunea n crescut pe substratul p +.
Jonciunile gril-canal i substrat-canal, delimiteaz clar canalul conductor.

Mod Coala
.
Elaborat
Verificat

docum.

Scaian A.
Cosolapov A.

Semnat Data

CPAE 525.1 111028 07 LL

Studiul tranzistorului cu
efect de cmp (TEC)

Lit.

Coala

Coli

UTM FRT SER-111

Realizarea contactelor ohmice se face pe regiuni dopate n +. n unele cazuri

substratul utilizabil ca electrod de comand similar grilei, iar uneori se conecteaz
mpreun cu grila.
Curenii de gril, datorit polarizrii inverse a jonciunii pn sunt foarte
redui: 1pA^10nA astfel rezultnd o rezisten de intrare de 1010-1013Q.
Atenie! Trebuie evitat regimul accidental de polarizare direct a jonciunii
poart-canal care conduce la o disipaie termic n regiunea de trecere putnd
deteriora tranzistorul.

Fig. 1 a) Schema simplificat a unui tranzistor TECJ ;

b) structura unui tranzistor TECJ planar epitaxial cu canal n.
n cele ce urmeaz se va studia un tranzistor TECJ cu canal n.
Caracteristici statice ale TECJ
1.Caracteristici

de

ieire

(de

dren)

(1)
n cazul tensiunilor de dren mici, ntre ID i VD exist o relaie liniar,
caracteristicile ce trec prin origine sunt drepte i au panta dependent de tensiunea
aplicat pe poart. Experimental se constat c prin canal trece curent i n cazul
aplicrii unei tensiuni negative pe dren.
Cu creterea tensiunii pozitive pe dren , dup atingerea unei anumite

Mod

Coal
a

document

Semnat Data

CPAE 525.1 111028 07 LL

Coal
a

valori VDS curentul se satureaz, caracteristicile fiind drepte, paralele cu abscisa. In

montaje de amplificare, TECJ lucreaz n regiunea de saturaie unde curentul I D
este efectiv comandat de tensiunea VGS.
2.Caracteristici

de

transfer.

(2)
Aceast familie de caracteristici se traseaz de obicei pentru regimul de
saturaie cnd curentul ID este slab influenat de tensiunea VDS. Se constat c
aceste caracteristici sunt foarte apropiate ntre ele fiind suficient s se traseze doar
una, corespunztoare unei tensiuni de dren superioar celei de saturaie.
Pentru tensiuni de gril mici, caracteristica de transfer poate fi considerat liniar.
Spre tensiuni negative apropiate de Vp (tensiunea de prag la care tranzistorul se
blocheaz),

caracteristica

de

transfer

prezint

pant

variabil.

Fig. 2 Caracteristicile tipice pentru un tranzistor TECJ, cu canal n;

(a) caracteristici de ieire, (b) caracteristici de transfer

Observaie! La tranzistorul TECJ caracteristicile de intrare

Mod

Coal
a

document

Semnat Data

CPAE 525.1 111028 07 LL

Coal
a

nu prezint interes datorit rezistenei foarte mari a

circuitului de intrare ce conduce la cureni foarte mici, fapt care se constituie ntrun

parametru

de

performan

al

acestui

tip

de

tranzistor.

a) Transconductana (conductana mutual, panta), gm, se definete ca

(3)
b)

Conductana

de

dren

(conductana

de

ieire)

gD

tensiune,

(4)
c)

Factorul

de

amplificare

static

(5)
Parametrii

gm,

gD

sunt

legai

prin

relaia:

(6)

Fig.3 Montaj pentru trasarea caracteristicilor statice la

tranzistorul TECJ cu canal n

Mod

Coal
a

document

Semnat Data

CPAE 525.1 111028 07 LL

Coal
a

Trasarea caracteristicilor statice la un tranzisor cu efect de cmp cu

poart metal-oxid-semiconductor (TECMOS) cu canal indus de tip p n
conexiune surs-comun
n cele mai multe cazuri n dispozitivele fabricate din siliciu izolatorul este
realizat dintr-un strat de oxizi, obinndu-se o structur MOS (Metal-OxidSemiconductor). Tranzistoarele astfel construite se numesc TECMOS (sau n
englez MOSFET; Metal-Oxid- Semiconductor Field Effect Tranzistor).
Particularitatea cea mai important o reprezint rezistena de intrare foarte
mare

care

atinge

1015Q.

Fig.4 Structura fizic a unui tranzistor TECMOS cu canal indus

Se consider tranzistorul MOS din fig.4 unde pe gril este aplicat o
tensiune VG suficient pentru a forma un strat de inversiune puternic ntre surs i
dren n timp ce tensiunea pe dren este mic V D<VG. Prin canal va circula un
curent, n lungul acestuia existnd o cdere de tensiune. Fiecare seciune a
canalului este caracterizat de tensiunea VC(y). Tensiunea efectiv dintre poart i
canal VGC, mrime care determin intensitatea cmpului electric transversal n
izolator este variabil cu distana. Lrgimea canalului scade de la surs spre
dren.
n cazul TECMOS intereseaz caracteristicile de ieire i cele de transfer. In fig.5
(a) sunt prezentate caracteristicile de ieire la un astfel de tranzistor :

Mod

Coal
a

document

Semnat Data

CPAE 525.1 111028 07 LL

Coal
a

(7)
La tensiuni de dren foarte mici ID depinde liniar de VD ; urmeaz apoi
poriunea neliniar a caracteristicilor, iar dup aceasta regiunea de saturaie n care
canalul se nchide. Valorile curentului n cele trei cazuri sunt descrise de expresiile
analitice gsite n seciunea precedent. Pstrnd constant rata de cretere a
tensiunii de poart, VG , caracteristicile de ieire nu sunt echidistante deoarece
ntre ID i VG exist o dependen ptratic. n majoritatea calculelor care se fac
pentru utilizarea TECMOS n montaje de amplificare se consider c n regiunea
saturat

caracteristicile

sunt

paralele.

Fig.5. Caracteristici statice tipice pentru un tranzistor TECMOS cu canal indus:

(a)

caracteristici

de

ieire

(b)

caracteristici

de

transfer.

Al doilea tip de caracteristici de interes sunt cele de transfer:

(8)
Regimul normal de funcionare al TECMOS fiind cel de saturaie, ca

Mod

Coal
a

document

Semnat Data

CPAE 525.1 111028 07 LL

Coal
a

urmare a influenei slabe a tensiunii VD asupra curentului ID , caracteristicile de

transfer (luate la diferite tensiuni de dren) sunt foarte apropiate, n practic
folosindu-se una singur ca n fig.5-(b). Pe caracteristica de transfer se poate
observa i valoarea tensiunii de prag, VP. De obicei sunt date curentul de dren
maxim i tensiunea de poart corespunztoare.
n cadrul prii experimentale se va studia tranzistorul ROS 01 pentru care
vor fi trasate :
- Caracteristicile de ieire ID = f (V) cu VG parametru.
- Caracteristicile de transfer ID = f (VG) cu VD parametru.
Se va utiliza pentru trasare metoda punct cu punct pe baza montajului din
fig.6.Pentru a preveni distrugerea dispozitivului printr- o conectare greit n
montaj, n paralel cu terminalele tranzistorului sunt conectate diode zener de
protecie.
Tranzistoarele TECMOS se pot distruge uor prin strpungere n timpul
montrii n circuitele electronice datorit impedanei foarte mari de intrare care
favorizeaz acumularea unei sarcini electrostatice i provoac apariia unei
diferene de potenial pe gril, conducnd la strpungerea stratului de oxid.
Capacitatea corpului uman depete 300 pF i n anumite condiii se poate
ncrca electrostatic la peste 10 KV. Alte surse de tensiuni periculoase sunt casetele
i distanierele din polistiren, policlorur de vinil .a. De asemenea, tensiuni mari
pot genera echipamentele de testare i ciocanele de lipit.Este necesr s se prevad
o serie de msuri de protecie fa de pericolul generat de aceste surse de tensiuni
periculoase

pentru

dispozitiv:

- pentru anularea sarcinii statice tranzistoarele sunt inute n cutii metalice

sau cu terminalele scurtcircuitate printr-un inel conductor;
- toate echipamentele de manipulare i ciocanul de lipit se leag la mas,
- se recomand ventilarea cu aer ionizat a zonei de lucru;
- operatorul va purta legat la ncheietura minii un conductor conectat
printr-un rezistor de 1M la masa general iar planeta de lucru este de obicei
dintr-un cauciuc conductor conectat la mas;

Mod

Coal
a

document

Semnat Data

CPAE 525.1 111028 07 LL

Coal
a

- nu trebuie depite tensiunile tranzitorii de vrf specificate n foile de

catalog;
- nu se scot i nu se introduc tranzistoarele n circuite aflate n stare de
funcionare .
Pentru protecia direct la unele dispozitive TECMOS sunt introduse n
structur jonciuni Zener cuplate ntre gril i surs. Dezavantajul acestei soluii de
protecie

este

reducerea

impedanei

de

intrare

tranzistorului

Fig.6 Montaj pentru trasarea caracteristicilor statice la un

tranzistor TECMOS cu canal indus de tip p
Concluzie: Efectund

aceast lucrare de laborator am luat cunotin

despre tranzistorul cu efect de cmp cu poart (TECJ) i cu tranzistorul TECMOS

cu un canal indus. Am analizat asemnrile i deosebirile dintre aceste tipuri de
tranzistoare i cele bipolare. Totodat am realizat faptul c acest tip de transistor
este folosit la modificarea curentului electric prin modificarea tensiunii aplicate
unui electrod sau modificarea curentului absorbit de acest electrod.

Mod

Coal
a

document

Semnat Data

CPAE 525.1 111028 07 LL

Coal
a