Convertoare statice

CURS 2
http://electro.curs.pub.ro/2013/

1.3. REGIMUL TERMIC

Temperatura cristalului semiconductor influeneaz semnificativ comportarea diodei, n

orice regim de funcionare. Acest temperatur, denumit temperatura virtual a
jonciunii i notat Tvj, este determinat de echilibrul ntre puterea dezvoltat i puterea
disipat de diod ;
Cldura se dezvolt prin efectul Joule la trecerea curentului prin diod ;
Cldura se disip prin nclzirea elementelor componente (cristal semiconductor, capsul
i radiator) i prin cedare ctre mediul ambiant, n principal prin radiatorul pe care este
montat capsula.
Radiatorul se monteaz pe o singur parte a capsulei (rcire unidirecional) la diodele
mici, sau pe ambele fee ale acesteia (rcire bidirecional) la diodele de cureni mari.
2

Studiul regimului termic permite

- alegerea radiatorului potrivit pentru a asigura funcionarea diodei n limitele de
temperatur admise (-40C150C), pentru un curent mediu dat ;
- determinarea temperaturii Tvj , pentru o configuraie dat i un curent mediu impus ;
- determinarea curentului mediu pentru o configuraie dat i o temperatur Tvj , impus.
Studiul regimului termic (permanent sau tranzitoriu) se face cu ajutorul schemelor termice
echivalente, construite prin analogie cu schemele electrice.

1.3.1. REGIMUL TERMIC PERMANENT

Schemele termice echivalente pentru studiul regimului termic permanent se construiesc numai cu
rezistene termice.
Rezistena termic reda modul n care un mediu transfer cldura. Rezistena termic Rth se
msoar n [grd/W], aa cum rezult din relaia de definiie, similar cu teorema lui Ohm:

Rth = T

unde:
- T este diferena de temperatur ntre cele dou puncte ntre care se consider c
exist o rezisten termic Rth ;
- P este puterea termic dezvoltat n sursa de cldur i transmis prin rezistena
termic respectiv

V =
V=RI

=
I

V0

V
I
R

P
R th

P
R th = R th P
A

REGIMUL TERMIC PERMANENT

Pentru diode cu rcire unidirecional se construiete schema termic echivalent

R thJC () R
thCK RthKA
P
=
vJ
C
K

vJ

C
P

K
A

REGIMUL TERMIC PERMANENT

Notatii:

TvJ temperatura virtual a jonciunii (a cristalului semiconductor);

TC temperatura capsulei ;

TK temperatura radiatorului (montat de obicei la catod) ;

TA temperatura mediului ambiant ;


RthJC () rezistena termic dintre jonciune i capsul, care este funcie de
unghiul de conducie , adic de unghiul electric care msoar durata trecerii
curentului prin diod ;

RthCK rezistena termic dintre capsul i radiator ;

RthKA rezistena termic dintre radiator i mediul ambiant

REGIMUL TERMIC PERMANENT

RthJC () = RthJC DC + r ()
r
[k/W]
0,064

0,048

0,032
0,016

30

60

90

120

150

180

[grd]

REGIMUL TERMIC PERMANENT

TvJ = T A + P RthJC DC + r () + RthCK + RthKA = T A + P RthJA

TC = T A + P (RthCK + RthKA ) = T A + P RthCA

REGIMUL TERMIC PERMANENT

Pentru diode cu rcire bidirecional, schema termic echivalent are dou ramuri : cte
una pentru fiecare direcie de transmitere a cldurii.

R'thJC ()
=

TJ

R'thCK

TC

TK

R''thJC ()

R''thCK

R'thKA
TA
R''thKA

n realitate, variaiile de temperatur nu sunt identice pe cele dou fee ale diodei, dar variaiile
sunt aleatoare, n funcie de condiiile locale de rcire. Din acest motiv se face ipoteza
suplimentar c variaia de temperatur este identic pe cele dou fee ale diodei i .Rth = Rth' = Rth''
Prin legarea n paralel a rezistenelor de pe cele dou brae ale schemei echivalente, rezult o
valoare de dou ori mai mic pentru rezistena termic total, n cazul rcirii bidirecionale.
n cataloage se dau rezistenele termice pentru ambele moduri de rcire, la diodele pentru care
9
este cazul

1.3.2. REGIMUL TERMIC TRANZITORIU

Schemele termice echivalente pentru studiul regimului termic tranzitoriu conin rezistene i
capaciti termice. Capacitile redau posibilitatea corpurilor de a nmagazina o anumit cantitate
de cldur. Schemele termice echivalente sunt formate din grupuri RthC, dar care nu au o
coresponden direct cu elementele constructive ale diodei. n cataloage sunt date, tabelat, valori
pentru rezistenele rk i constantele de timp k=rkCk , k=1,25. Din cauza diferenelor mari ntre
constantele de timp ale cristalului semiconductor (milisecunde) , capsulei (secunde) i
radiatorului (minute), cel mai adesea este suficient s se ia n calcul numai schema echivalent
dintre jonciune i capsul.

T (t)
J

r1

rk

r2

T (t)
C

P(t)
C1

C2

T (t)
JC

Ck

Schema termic echivalent pentru regim termic tranzitoriu

10

REGIMUL TERMIC TRANZITORIU

Deoarece operarea cu un asemenea circuit echivalent este dificil, se introduce noiunea de
impedan termic tranzitorie echivalent:

Z thJCDC (t ) =

TJC (t )
P

TJC (t) este diferena de temperatur ntre jonciune i capsul, la momentul t, dup
trecerea unui flux termic de amplitudine constant P, un interval de timp t.

Z thJC DC

Z thJC DC

thJC DC

Variaia impedanei termice (calitativ) la aplicarea unei trepte de putere .

11

REGIMUL TERMIC TRANZITORIU

Practic, impedana termic se poate determina n dou moduri :

prin calcul, cu relaia urmatoare folosind rk i k date n tabelat, n fila de catalog:

t

Z thJC DC (t ) = ri 1 e i

i =1
k

din graficul dat n catalog pentru rcire uni sau bidirecional

0,1
0,08

ZthJC DC

a)

[C/W]

0,06

b)

0,04
0,02
0,001

t[s]
0,01

0,1

10

100
12

REGIMUL TERMIC TRANZITORIU

Pentru o ncrcare de scurt durat, sau neperiodic, temperatura se calculeaz prin
metoda superpoziiei, considernd c o rcire corespunde unei trepte de putere negativ .
p
p

P
t
t

t1

t2
P

t1

-P
P ZthJC DC (t-t 0)

T JC
t

t1
0

t
t2

-P Z thJC DC (t-t 1)

Calculul nclzirii prin metoda superpoziiei

13

REGIMUL TERMIC TRANZITORIU

Pulsul de putere de durat (t1-t0) se descompune n dou trepte, una pozitiv (aplicat la
momentul t0) i una negativ (aplicat la momentul t1).

0, t < t0

TJC (t ) = P Z thJC (t t0 ), t0 t < t1

P Z (t t ) PZ
thJC 1
0
thJCDC (t t1 ), t t1

14

1.4. PIERDERILE DE PUTERE IN

DIODE
n convertoarele statice de putere, regimul de funcionare al dispozitivelor semiconductoare este
periodic. Din acest motiv, n calculele termice se folosete puterea (disipat) medie pe o perioad.
Aceste pierderi se produc atunci cnd dioda este n conducie, adic polarizat direct (PF), cnd
dioda este blocat, adic polarizat invers (PR) i pe durata proceselor de comutaie (PC) :

P = PF + PR + PC
Funcie de frecvena cu care dioda comut n cadrul convertorului static, unele sau altele dintre
cele trei componente ale pierderilor devin mai mari sau mai mici. Pierderile n conducie rmn
ns mereu cele mai importante.

15

1.4.1. FUNCTIONAREA LA FRECVENTA INDUSTRIALA

Pierderile cele mai importante se produc n conducie. n stare blocat, curentul invers
este mult mai mic dect curentul direct, deci practic este neglijabil, iar durata comutaiilor este
foarte mic n raport cu durata perioadei, deci iari neglijabil.
Se noteaz cu PFAV puterea medie, dezvoltat prin efect Joule, n dioda n conducie,
adic polarizat direct. Prin definiie :

PFAV

1
=
T

tc

1
1
pF d t =
v F iF d t =
v F iF d t
T 0
T 0

perioada de comutaie a diodei ;

T:

pF = vFiF : puterea instantanee dezvoltat de dioda n conducie ;

tc = 180/ T :timpul de conducie din fiecare perioad.

16

FUNCTIONAREA LA FRECVENTA INDUSTRIALA

vF = VT 0 + rT iF
PFAV

1
=
T

(V

T0

+ rT i F ) iF d t = VT 0

1
1 2
iF d t + rT
iF d t
T 0
T 0

2
PFAV = VT 0 I FAV + rT I FRMS
= I FAV VT 0 + rT k 2f I FAV

1 2
iF d t = I FRMS
unde : T
0

I FRMS
kf =
I FAV

valoarea efectiv a
curentului direct

factorul de form al curentului direct

17

FUNCTIONAREA LA FRECVENTA INDUSTRIALA

Puterea dezvoltat depinde de:
- caracteristicile diodei (prin VT0 i rT)
- de consumator (prin mrimea curentului absorbit)
- de schema convertorului (prin forma de und a curentului).
exemplu de calcul
La intersecia dreptelor trasate pornind de la datele cunoscute (IFAV =300A i TA=40C), rezult
punctul A, cruia i corespunde RthCA+r=0,2C/W. De aici rezult rezistena termic maxim a
radiatorului pe care trebuie montat dioda aleas pentru realizarea convertorului static (i pentru
care se cunosc RthJC DC , RthCK i r ) :

RthKA = ( RthCA + r ) (r + RthCK )

Verificarea condiiilor :

T A T A admis
I FAV I FAV real

certific faptul c dioda i radiatorul sunt corect alese i permit funcionarea convertorului n
condiii mai grele dect cele impuse. Pentru prima condiie se urmrete traseul , iar pentru a
doua, traseul de pe nomograma din Fig.1.16.
Alegnd un radiator, astfel nct
RthCA+r=0,15C/W, adic mai mic dect valoarea maxim obinut, rezult TA=57C i
18
IFAV=400A.

FUNCTIONAREA LA FRECVENTA INDUSTRIALA

Dimensionarea radiatorului pentru o diod, care trebuie sa funcioneze la o anume temperatur
ambiant, fiind parcurs de un curent cu valoare medie i form de und cunoscut

1500
1250

PFAV
[W]

120
o

1000

=30

60

180

90 o

500

,
200

R thCA + r [o C/W]

PFAV
[W]

0,15
0,2
, 0,3
0,4

400
600
I FAVM[A]

0,8
,
40
0

90

180

120

=30

0,08
0,1
0,12

750

250

0,04
0,05
0,06

60

DC

120
80
o
TA [ C]

200

400

600

I FAVM[A]19

FUNCTIONAREA LA FRECVENTA INDUSTRIALA

Verificarea alegerii corecte a radiatorului se face prin calcul, cu relaia

TvJ = T A + P RthJC DC + r () + RthCK + RthKA = T A + P RthJA

din care trebuie s rezulte o temperatura virtual a jonciunii, TvJ <150C.

20

1.4.2. FUNCTIONAREA LA FRECVENTA JOASA

La frecvene joase, timpii de conducie (tc) i de blocare (tb) ai diodelor sunt mai lungi.
Din acest motiv, n regim stabilizat, temperatura virtual a jonciunii va varia n limite mai largi (
constituind o solicitare suplimentar a diodei, care determin obosirea termic a diodei. Mai
rezistente la acest regim de funcionare sunt diodele cu contacte presate. Pe lng condiia deja
cunoscut, ca TvJmax=150C, se impune condiia suplimentar : TvJmax=60C.

p
PFM
t

tb

tc
=
PFAV T PFM
t
T vJ

T vJ

21

FUNCTIONAREA LA FRECVENTA JOASA

Calculul temperaturii se face considernd regimul de fucionare ca o succesiune de regimuri
tranzitorii. Se lucreaz cu puterea medie maxim la conducie, PFM , definit prin relaia

T
tc

PFM = PFAV

Se poate calcula TvJ i TvJ , pentru regimul stabilizat de funcionare:

k

TvJ = PFM ri
i =1

1 e
1 e

TvJ = TA + PFM

i =1

ri

tc

i
T

1 e
1 e

b
1 e i

tc
i

T
i

Dimensionarea se poate face pornind fie de la TvJ=150C , fie de la TvJ=60C i verificnd

cealalt condiie. La cererea utilizatorului, productorii furnizeaz curbele de ncrcare la
frecvene joase
22

1.4.3. FUNCTIONAREA LA FRECVENTA INALTA

La frecvene nalte, durata comutaiei nu mai este neglijabil n raport cu durata de
conducie. n calculul termic, pentru puterea termic transmis, se iau n consideraie i pierderile
de la revenirea n invers pe durata timpului de cdere tf, pentru c doar pe aceast durat att
curentul, ct i tensiunea au valori semnificative. Puterea medie total ce trebuie transmis ctre
mediul ambiant crete:

P = PFAV + PQAV
- PFAV este puterea medie deja definit;
- PQAV este puterea medie dezvoltat la revenirea n invers (blocare) i se
exprim funcie de energia WQ i frecvena de comutaie f

PQAV =

WQ

= f WQ

T
Energia WQ disipat la blocare se calculeaz prin integrare:
tf

tf

ts

WQ = v i d t < VRM i d t VRM i d t = VRM Qs

23

FUNCTIONAREA LA FRECVENTA INALTA

PQAV reprezint partea cea mai important a pierderilor n comutaie PC . Pierderile la intrarea n
conducie, cea de-a doua component a pierderilor n comutaie PC , sunt neglijabile
n cataloage, pentru diodele rapide se dau nomograme pentru determinarea direct a pierderii
PQAV , cunoscnd sarcina stocat Qs , frecvena de lucru f i tensiunea invers de lucru VR .
VR=100V 300V 500V
200V 400V 600V 700V 800V900V
1000V
f=40 kHz
35 kHz
30 kHz
25 kHz
20 kHz
15 kHz
10 kHz
5 kHz

10-1

QS[ C]

10

15

20

25

30

35

40

PQAV [W]

Pierderile n diod pe durata de comutaie

24

1.5. MARIMI CARACTERISTICE ALE DIODELOR

Regimul normal de funcionare la polarizare direct
Curentul nominal IFAVM este valoarea medie a celui mai mare curent, de forma unui puls semisinusoidal, cu durata de 10 ms (unghi de conducie de 180 electrice), care n regim permanent
determin o nclzire normal a carcasei (indicat de productor), n condiii de rcire specificate.
Tensiunea de prag VT0
Rezistena dinamic rT
Tensiunea maxim direct VFM este cderea de tensiune maxim la bornele diodei, msurat n
condiii bine stabilite (la un curent direct i o temperatur date).
Temperaturi maxime : temperatura virtual a jonciunii TvJ =150 C i temperatura carcasei
TC=f(IFAV).
Rezistene termice : jonciune-capsul n curent continuu RthJC
RthCK i corecia funcie de unghiul de conducie r=f()

DC,

capsul-radiator

25

MARIMI CARACTERISTICE ALE DIODELOR

Regimul anormal de funcionare la polarizare direct
Este un regim nerepetitiv, care const n suprasolicitri n curent. ntre dou suprasarcini
succesive, dioda trebuie s aib timpul necesar revenirii la temperatura normal. Parametrii
caracteristici sunt :
Curentul de suprasarcin previzibil IF(OV) este valoarea medie a unui curent, de forma unui puls
semi-sinusoidal, cu durata de 10 ms (unghi de conductie de 180 electrice), care poate trece un
timp determinat prin diod.
Curentul de suprasarcin accidental IFSM este valoarea de vrf a unui curent, de forma unui
puls semi-sinusoidal, cu durata de 10 ms (unghi de conductie de 180 electrice), care poate trece
prin diod, cu condiia ca aceasta s nu fie polarizat invers nainte de un minut. Acest curent se
d pentru dou temperaturi ale jonciunii TvJ=25C i 150C.
Integrala Joule sau integrala de curent I2t msoar capacitatea diodei de a
nmagazina o anumit cantitate de cldur, n regim de avarie. Se calculeaz
corespuntor curentului IFSM pe o durat de 10 ms.
26

MARIMI CARACTERISTICE ALE DIODELOR

10 ms

I 2t =

2
I FSM
sin 2 t d t =

1 2
I FSM 10 10 3
2

[ A2 s ]

Pentru solicitri mai scurte de 10ms, integrala Joule se diminueaz corespunztor, cu un factor kI
k I = I 2 t I 2 t(10ms )
kI

1
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4

8
9
t[ms]

10

. Factorul de diminuare a integralei Joule funcie de durata de conducie, pentru dioda KS 6060
cu radiator TNF
27

MARIMI CARACTERISTICE ALE DIODELOR

Aceti parametri (IF(OV) , IFSM , I2t) indic posibilitile diodei de a suporta un curent de
suprasarcin sau scurtcircuit pn n momentul acionrii sistemului de protecie, de obicei
sigurane fuzibile. Parametrii diodei trebuie corelai cu cei ai siguranei fuzibile, astfel nct
aceasta s acioneze , adic s se ard i s ntrerup circuitul, nainte de distrugerea diodei .

28

MARIMI CARACTERISTICE ALE DIODELOR

Regimul normal de funcionare la polarizare invers
Tensiunea invers repetitiv maxim VRRM
Curentul invers maxim IRM,
Regimul anormal de funcionare la polarizare invers
Este un regim nerepetitiv, care const n suprasolicitri n tensiune. Parametrul caracteristic este:
Tensiunea invers accidental maxim VRSM
a crei depire, chiar i pentru scurt timp, duce la strpungerea diodei

29

MARIMI CARACTERISTICE ALE DIODELOR

Regimul de comutatie
Sarcina stocat Qs
Timpul de revenire n invers trr (se specific numai pentru diodele rapide)
Viteza critic de cretere a curentului di/dt (se specific numai pentru diodele rapide)
Depirea acestei viteze poate duce la distrugerea jonciunii prin favorizarea
repartizrii
neuniforme a densitii de curent n zona jonciunii i creterea
excesiv a temperaturii
n zonele cu densitate mare
Viteza critic de cretere a tensiunii inverse dv/dt (se specific numai pentru diodele
rapide)

30

Gata cu dioda !!
Dar urmeaza tiristorul

31

1. Tiristorul de putere.

32

Tiristoarele de putere sunt dispozitive semiconductoare comandate, unidirecionale n

curent i bidirecionale n tensiune. Spre deosebire de tranzistor, el poate rmne n conducie
i dup dispariia semnalului de comand, dac este parcurs de un curent minim, numit curent de
meninere.
J
+

A
p

++

G
+

++

G
K

simbolul

structura

33

J1
A
p

++

J2
n

++

G
Exist trei jonciuni p-n ntre patru straturi semiconductoare:
- dou exterioare (dopate p, respectiv n), puternic dopate (notate p++, respectiv n++),
permit vehicularea unui numr mare de purttori de sarcin liberi. Datorit lor, un tiristor de
putere poate suporta densiti de curent medii de 60100 A/cm2, valori necesare frecvent n
electronica de putere.
- doua mijlocii, slab dopate, n special cel n (notat din acest motiv n-), astfel nct
jonciunile p-n, J1 i J2 se realizeaz ntre un strat slab dopat i unul puternic dopat. Astfel
aceste jonciuni pot suporta tensiuni inverse mari, de 15 kV, fr s se strpung.
Diferena mare de potenial ntre anod i catod se regsete practic n ntregime pe stratul slab
dopat n-, strat n care se extinde zona de blocare (srac n purttori de sarcin liberi) de la
jonciunile p-n, J1 i J2 ; din acest motiv, limea zonei slab dopate n- este mai mare comparativ
cu limea celorlalte zone (de exemplu 320m, fa de 100m, limea stratului p++, sau 35m
limea stratului n++).
34

J1
A
p

++

J2
n

++

G
Tiristorul are trei electrozi :

- A numit anod, conectat la stratul dopat p++ ;

- K numit catod, conectat la stratul dopat n++ ;

- G numit poart sau gril, conectat la stratul dopat p+.

35

2.1. PRINCIPIUL DE FUNCIONARE

vD

vR
-

iR+

a)

vT
i

b)

iT-

c)

a) polarizat invers, cu tensiunea exterioar UP aplicat cu borna pozitiv la catod i cu

cea negativ la anod, situaie n care mrimile caracteristice se noteaz cu indicele R (VR i IR),
tiristorul este blocat i asigur ntreruperea circuitului;
b) polarizat direct i fr tensiune de comand, cu tensiunea UP aplicat cu borna
pozitiv la anod i cu cea negativ la catod, situaie n care mrimile caracteristice se noteaz cu
indicele D (VD i ID), tiristorul este tot blocat i asigur ntreruperea circuitului
c) polarizat direct i cu tensiune de comand, cu dou tensiuni exterioare : UP aplicat
cu borna pozitiv la anod i cu cea negativ la catod i UC aplicat cu borna pozitiv pe gril i
cu cea negativ la catod. n aceast situaie, n care mrimile caracteristice se noteaz cu
indicele T (VT i IT), tiristorul intr n conducie i asigur continuitatea circuitului. Tiristorul
trece n starea de conducie dac tensiunea UC asigur n circuitul poart-catod un curent iG
36
superior unei valori date IGT, care este o mrime de catalog a tiristorului.

K1

UP
iT

J1

p++

vT

RS

J2

J3

G
iG

n ++

RG

vG

UC

La polarizare direct, deci cu tensiunea UP aplicat ca n figura, cu ntreruptorul K1 nchis, dar n

absena semnalului de comand (cu K2 deschis), jonciunea J2 este polarizat invers. Aceasta
suport tensiuni inverse comparabile cu jonciunea J1 , deoarece stratul n- este cu 3-4 ordine de
mrime mai slab dopat dect stratul p. Cu ct stratul n- este mai slab dopat, cu att el trebuie s
fie mai lat, pentru ca zona srac n purttori de sarcin de la jonciunea J2 s nu se extind n
toat zona n- i astfel s se produc scurtcircuitarea jonciunilor J1 i J2 .
Ca urmare, indiferent de polaritatea tensiunii UP , adic indiferent dac tiristorul este polarizat
direct sau invers, acesta este blocat n absena semnalului de comand. La polarizare invers el
va fi parcurs de un curent invers IR , iar la polarizare direct de un curent direct ID , ambii de
valoare foarte sczut.
37

K1

UP
iT

J1

p++

vT

RS

J2

J3

G
iG

n ++

RG

vG

UC

La polarizare direct, dar n prezena semnalului de comand deci cu ntreruptoarele K1 i K2

nchise, tiristorul conduce, dac IG >IGT.
Intrarea i meninerea n conducie a tiristorului, chiar i dup ntreruperea semnalului de
comand se poate urmri pe schema urmatoare, n care tiristorul a fost desenat ca fiind format din
dou tranzistoare echivalente:

38

K1

UP
iT

J1

RS

J2

p++

vT

J3

G
iG

n ++

RG

vG

UC

A
I T =IE2

K1

RC
E2

B2

C2

UP

A
T2

T1

E1

B1
p

I E1

R G K 2 UC
+

a)

T2

I T=I E2
IT

C1

VT

X
IG

I C2

I B2

I C1

T1 I E1
K
I B1

id

Cb

IG
G

VG

b)

Schema echivalent a tiristorului, format din dou tranzistoare

39

RC
A
I T =IE2

E2

B2

K1
C2
p

UP

A
T2

T1

E1

B1
p

I E1

R G K 2 UC
+

a)

T2

I T=I E2
IT

C1

VT

X
IG

I C2

I B2

I C1

T1 I E1
K
I B1

id

Cb

IG
G

VG

b)

Dac ntreruptorul K1 este nchis, la nchiderea lui K2 , curentul IG reprezint semnal de comand
pe baz pentru tranzistorul T1 , care are ndeplinite condiiile de intrare n conducie. Potenialul
negativ al emitorului E1 se transmite colectorului C1. Curentul de colector IC1 reprezint curentul
de baz pentru tranzistorul T2. Acest tranzistor va intra i el n conducie : potenialul pozitiv al
emitorului E2 se transmite colectorului C2 ; curentul de colector IC2 este curentul de baz pentru
tranzistorul T1 i deci poate prelua rolul curentului de comand IG . Ca urmare, ntreruptorul K2
se poate deschide i curentul de comand pe poarta tiristorului IG , se poate ntrerupe, deoarece
cele dou tranzistoare se comand reciproc i conducia prin ansamblul format de ele, adic prin
tiristor, se automenine.

40

RC
A
I T =IE2

E2

B2

K1
C2
p

UP

A
T2

T1

E1

B1
p

I E1

R G K 2 UC
+

a)

T2

I T=I E2
IT

C1

VT

X
IG

I C2

I B2

I C1

T1 I E1
K
I B1

id

Cb

IG
G

VG

b)

Acest fenomen, numit reacie intern de curent, poate fi iniiat dac prin tiristor trece un curent
mai mare dect curentul de acroare, notat IL i se menine, la scderea lent a curentului pn la
o valoare numit curent de meninere, notat IH ; aa cum s-a precizat, curentul de comand trebuie
s ndeplineasc anumite condiii de amplitudine i durat care vor fi detaliate

41

RC
A
I T =IE2

E2

B2

K1
C2

UP

A
T2

T1

E1

B1
p

I E1

R G K 2 UC
+

a)

T2

I T=I E2
IT

C1

VT

X
IG

I C2

I B2

I C1

T1 I E1
K
I B1

id

Cb

IG
G

VG

b)

Legtura dintre curentul direct prin tiristor i curentul de comand :

- pentru tranzistorul T1 , care are purttori de sarcin majoritari negativi:

I C1 = n I E1 + I CB 01
I B1 = (1 n ) I E1 I CB 01

I E1 = I T + I G
I B1 = I C 2 + I G
42

RC
A
I T =IE2

E2

B2

K1
C2

UP

A
T2

T1

E1

B1
p

I E1

R G K 2 UC
+

a)

T2

I T=I E2
IT

C1

VT

X
IG

I C2

I B2

I C1

T1 I E1
K
I B1

id

Cb

IG
G

VG

b)

- pentru tranzistorul T2 , care are purttori de sarcin majoritari pozitivi :

I C 2 = p I T + I CB02
IT = I E2
Rezulta:

I B1 + I CB 01
1 n
I + I G + I CB 01
IT + IG = C2
1 n

I E1 =

43

RC
A
I T =IE2

E2

B2

K1
C2

UP

A
T2

T1

E1

B1
p

I E1

R G K 2 UC
+

X
IG

I C2

I B2

I C1

T1 I E1
K
I B1

id

Cb

IG
G

VG

a)

IT + IG =

T2

I T=I E2
IT

C1

VT

b)

p I T + I CB 02 + I G + I CB 01
1 n

Se noteaz ICB0 =I CB01 +I CB02

IT =

n I G + I CB 0
1 ( n + p )

44

Deoarece nIG>>ICB0 , dac se neglijeaz curentul ICB0 , se poate calcula ctigul n curent la
amorsarea tiristorului, Gon , definit ca raportul dintre curentul principal, IT i curentul de
comand, IG

IT
n
Gon =
=
I G 1 ( n + p )
Coeficienii n i p depind de structura cristalului semiconductor, de temperatura de
lucru i de curentul IT , aa cum se vede n graficul de mai jos:
1

0,8

T3

0,6

T1 T2

T1 < T2 < T3
T3

0,4

T2
p

0,2
0

T1
10

-4

10

-2

I T [A]
0

10

10

45

2.2. CARACTERISTICILE STATICE

- pentru circuitul de for i=f(v), care reprezint variaia curentului prin tiristor ca funcie de
tensiunea la bornele acestuia ;

- pentru circuitul de comand iG=f(vG).

46

2.2.1. Caracteristica static a circuitului de for

IT

IL
IH
I DM

VRSM
-VT VBR VRRM

IRM VT0

I G =0
3

CI

I G =0

1
VT
VDRM

V B0
VDSM

CIII
-IT
47

IT

IL
IH
I DM

VRSM
-VT VBR VRRM

IRM VT0

I G =0
3

CI

I G =0

1
VT
VDRM

V B0
VDSM

CIII
-IT

La polarizare direct a tiristorului , dar n absena curentului de comand (IG=0), punctul static
de funcionare parcurge poriunea 1 din cadranul CI. Tiristorul este blocat n direct, iar
caracteristica este de fapt caracteristica invers a jonciunii J2. n aceast situaie, n+p1 i
prin tiristor trece un curent foarte mic, atta timp ct tensiunea este inferioar tensiunii de
autoamorsare (tensiune de basculare), notat VB0 . La atingerea acestei tensiuni, ncepe procesul
de generare n avalan a purttorilor de sarcin, purttori care suplinesc lipsa curentului de
comand i determin amorsarea tiristorului
Tiristorul parcurge rapid zona instabil 4, de rezisten negativ, determinat de
creterea foarte accentuat a numitorului ecuaiei tiristorului 1-(n+p). Astfel, tiristorul trece n
zona 2 a caracteristicii statice care corespunde strii de conducie i se comport asemntor cu
o diod n conducie : la cureni mari (sute de amperi),
cderile de
tensiune sunt mici
(1 2V).
48

IT

IL
IH
I DM

VRSM
-VT

VBR V
RRM

IRM VT0

I G =0
3

CI

I G =0

1
VT
VDRM

V B0
VDSM

CIII
-IT

Aceast comportare a tiristorului n absena curentului de comand este posibil, dar nu este
dorit i util n convertoarele statice de putere. Tensiunea VB0 nu trebuie atins n cursul
funcionrii normale. Pe msur ce curentul de comand crete, tensiunea VB0 scade. Pentru
IG=0 , n catalogul de tiristoare se indic tensiunea direct repetitiv maxim, notat VDRM ,
care reprezint tensiunea maxim pe care tiristorul o poate bloca la polarizare direct n mod
repetitiv, fr s se produc fenomenul de autoamorsare.

49

IT

IL
IH
I DM

VRSM
-VT

VBR V
RRM

IRM VT0

I G =0
3

CI

I G =0

1
VT
VDRM

V B0
VDSM

CIII
-IT

Zona 2 a caracteristicii directe corespunde tiristorului n conducie. n aceast stare tiristorul

ajunge dac este strbtut de un curent direct mai mare dect curentul de acroare (IT >IL ) i
rmne n conducie dac este strbtut de un curent direct mai mare dect curentul de meninere
(IT >IH ) .
Ca i la diode, caracteristica de conducie este dependent de temperatura de lucru a tiristorului
i se aproximeaz cu o dreapt definit de ecuaia :

vT = VT 0 + rT iT
50

IT

IL
IH
I DM

VRSM
-VT

VBR V
RRM

IRM VT0

I G =0
3

CI

I G =0

1
VT
VDRM

V B0
VDSM

CIII
-IT

- rT este rezistena dinamic a tiristorului, dat n catalog i definit prin

rT =

dvT
d iT

- VT0 este tensiunea de prag i reprezint punctul de intersecie al caracteristicii de

conducie cu abscisa, fr s aib semnificaie fizic, aa cum are n cazul diodei

51

n cataloage, pentru fiecare tiristor sunt prezentate caracteristicile de conducie, ca valori tipice i
valori limit, pentru dou temperaturi ale jonciunii (25C i 125C). Se observ c att
rezistena diferenial rT, ct i tensiunea de prag sunt dependente de temperatura jonciunii : rT
crete, n timp ce VT0 scade cu creterea temperaturii. n cataloage valorile rT i VT0 sunt date
pentru jonciunea la cald (125C).
1000

a) T vj =25o C

800

IT
[A] 600
400

b) Tvj=125 o C

200
0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8

VT [V]

Caracteristica de conducie a tiristorului T128N

52

IT

IL
IH
I DM

VRSM
-VT

VBR V
RRM

IRM VT0

I G =0
3

CI

I G =0

1
VT
VDRM

VB0
VDSM

CIII
-IT

La polarizare invers a tiristorului, acesta se comport ca o diod polarizat invers. Ca urmare,

caracteristicile inverse ale tiristorului i diodei sunt asemntoare. n zona 3 tiristorul este blocat
n invers i, la aplicarea tensiunii inverse, prin el trece un curent foarte mic, considerat neglijabil
n cadrul convertoarelor statice de putere. Tiristorul rmne blocat indiferent de existena sau
absena curentului de comand IG . Existena curentului modific totui alura caracteristicii,
determinnd o uoar cretere a curentului invers, la aceeai tensiune invers, deci o cretere a
puterii dezvoltate, putere inutil din punctul de vedere al utilizatorului. Aadar, existena
curentului de comand trebuie evitat la polarizarea invers a tiristorului.
53

La depirea tensiunii de strpungere VBR , apare multiplicarea prin avalan a purttorilor i, ca

urmare, creterea puternic a curentului invers. Acesta determin creterea puterii dezvoltate,
ceea ce are drept consecin distrugerea termic a tiristorului. n scopul evitrii apariiei acestui
fenomen, n cataloagele productorilor de tiristoare nu este indicat tensiunea VBR , ci tensiunea
VRRM , numit tensiune invers repetitiv maxim ; VRRM reprezint valoarea de vrf a
tensiunii inverse ce poate fi aplicat tiristorului, periodic (repetitiv), fr ca el s se deterioreze.
Curentul invers corespunztor tensiunii VRRM este curentul invers maxim, notat IRM i indicat
de asemenea n cataloage. Unii productori dau i tensiunea VRSM , tensiunea invers maxim
accidental, care poate fi suportat de tiristor n mod singular, fr s se strpung. Strpungerea
tiristorului este ireversibil i nseamn distrugerea structurilor semiconductoare, acestea
pierzndu-i proprietatea de conducie unidirecional.
Caracteristica invers depinde i ea de temperatur, deoarece curentul invers este cauzat, n
principal, de energia furnizat electronilor prin agitaie termic : deci la temperatur mai mare,
curentul invers este mai mare, pentru aceeai tensiune invers aplicat la bornele tiristorului.
Aceast caracteristic nu se indic ns n catalog.
la polarizare direct n conducie, curenii sunt mari i tensiunile mici, iar la polarizare
invers i n stare blocat n direct, curenii sunt mici i tensiunile mari.
54