Cap5 Bipolarul - Studenti

Capitolul V
TRANZISTORUL BIPOLAR
09.03.15
Capitolul V
5.1 Introducere
5.2 Efectul de tranzistor
5.3 Relatii ntre cureni i tensiuni
5.4 Tranzistorul n RAN i RAI
5.5 Tranzistorul n blocare i saturaie
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
5.7 Fenomene fizice de ordin al II-lea
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
5.11 Regimul termic al tranzistorului
DCE 1
5.1 Introducere
Simboluri - relaii
fundamentale
C
C
iC
iB
iC
iB
B
iE
iE
npn
Fig 5.1a
iE iC iB
pnp
(5.1a)
vBE + vEC + vCB = 0

DCE 1
(5.1b)
5.1 Introducere
Structura
ideal
wE0
wB0
wE
xdE
n ND,E
wC0
wB
wC
xdC
n ND,C
C
NA
RSS
JE
RSS
B
Fig. 5.1b
DCE 1
JC
Capitolul V
5.1 Introducere
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
DCE 1
Tranzistorul in
RAN
wB
(n)
(p)
EJC
E iE
RSS
vBE
-
JE
(n)
RSS
iC
JC
iB
vCB
-
Fig. 5.2a
DCE 1
Baz
groas
wB
(n)
(p)
(n)
E iE
iC
RSS
vBE
-
JE
RSS
JC
iB
vCB
-
Fig. 5.2b
DCE 1
Baz
groas
C
E
iE
vBE
iC
Fig. 5.2c
DCE 1
vCB
Capitolul V
5.1 Introducere
5.3 Relaii ntre cureni i tensiuni
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
DCE 1
vBC
RAI
SATURAIE
vBE 0 ,vBC 0
vBE 0 ,vBC 0
vBE 0 ,vBC 0
vBE 0 ,vBC 0
BLOCARE
RAN = RAD
Fig. 5.3
DCE 1
vBE
Capitolul V
5.1 Introducere
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
DCE 1
Factorul de amplificare static, n curent, RAN, conexiunea baz comun (BC)
I CB 0 iE
iC F iE
(5.11a)
-iE
iC
iE
iC
vEB
vCB
BC
B
Fig. 5.4a
DCE 1
vBC 0
(5.11b)
Factorul de amplificare static, n curent, RAN, conexiunea emitor comun (EC)
iC
iB
iC
vCE vBE
iB
Q
+
vCE
vBE
E
EC
Fig. 5.4b
DCE 1
Factorul de amplificare static, n curent,RAI, conexiunea colector comun (CC)

i
R E
iB
-iE
E
vEC vBC
iB
Q
+
vEC
vBC
CC
C
Fig. 5.4c
DCE 1
Capitolul V
5.1 Introducere
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
DCE 1
Apli
caii
SATURAIE
COMUTATOR
COMUTATOR
ON
OFF
+VCC
C
IC 0
B
VCC+ VBC
VCE 0
0V
BLOCARE
Fig. 5.5
DCE 1
OFF
ON
Capitolul V
5.1 Introducere
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
DCE 1
Circuitul echivalent al tranzistorului npn n regim staionar

C
VBC
B IB
+
IC
I EC
R
ICC - IEC
I CC
F
VBE
E
IE
Fig. 5.6a
DCE 1
Circuitul echivalent al tranzistorului pnp n regim staionar

C
VCB
B IB
-
VEB
IC
I EC
R
IEC ICC
I CC
F
E
IE
Fig. 5.6b
DCE 1
Circuit echivalent pentru npn n RAN
IB
IC
C
+
I CC
VBE
VBE
I S exp
F IB
Vth
1
I E I C 1
F
Fig. 5.6c
DCE 1
Circuit echivalent pentru npn n RAN - liniarizat

B
IB
IC
C
+
+
+
F IB
VBE
VCE
IE
E
Fig. 5.6d
I C 10 A 10 mA
VBE = 0,65V 0 ,1V

DCE 1
6. Circuitul echivalent de semnal mic, frecvente joase (simplificat)
vbe
ie g m vbe
r
B
ic g m vbe g m v
vbe v
ib
r
r
ib
ic
C
+
g m v F ib
v = vbe
ie
E
Fig 5.6e
DE
vce
(5.13e)
c) Capacitatea de barier a JE (Cj,E)
C j ,E
q J ,E
dq J ,E
dv BE
N D ,E N A
qAJ
xd ,E v BE
N D ,E N A
(5.18c)
Pentru o jonciune abrupt
xd ,E
2 s 1
B0 ,E vBE
q N A N D ,E
DE
12
C j ,E
dq J ,E
dv BE
AJ
x d ,E
(5.19b)
C j ,E 0
C j ,E
C j ,E
m j ,E
VBE
B0 ,E
1
2
(5.19c)
C j ,E 0
VBE
1
B 0 ,E
m j ,E
(5.19d)
1 1
... pt. o JE oarecare
3 2
DE
q J ,E QJ ,E q j ,E
q j ,E C j ,E vbe
(5.18d)
d) Capacitatea de barier a JC (Cj,C)
q j ,C C j ,C vbc
(5.18e)
C j ,C
C j ,C 0
VBC
B0 ,C
1 1
m j ,C ...
3 2
(5.19e)
m j ,C
JC oarecare
DE
3. Ecuaii curent-tensiune
1 dq D ,E dq J ,E

iE iCC 1
F
dt
dt
dq J ,C
iC iCC
dt
iCC dqD ,E dq J ,E dq J ,C
iB
F
dt
dt
dt
DE
(5.13f)
Componentele curenilor n RAN
xdE
xdC
dq J ,E (p) iCC
F
dt
iE
dqD, E
JE
B
vBE
+
iCC= -AJ Jn
dq J ,C
dt
dt
RSS
(n)
RSS
JC
iB
vCB
-
Fig. 5.6f
DE
iC
(5.18c),(5.18d),(5.18e),(5.13f)
ie g m 1
F
ic g m vbe C j ,C
vbe Cd ,E C j ,E
dvdtbe
dvbc
dt
(5.13h)
gm
dvbe
dvbc
ib
vbe Cd ,E C j ,E
C j ,C
F
dt
dt
DE
4. Circuitul echivalent natural de semnal mic i frecvene nalte (simplificat)
C C j ,C
C C d ,E C j ,E
B
ib
ic
C
+
g m v
vce
ie
E
Fig 5.6g
DE
vbe = dVBE
5.6.5 Tranzistorul ca
amplificator
vBE = VBE +
+VCC
RC
vbe
i C = IC + i c
iC
i B = IB + i b
iB
vCE
VBE
vI CCE=IV
CCCE I S exp
Vth
+ vceI I C
B
F
VCE = VCC - RCIC
VCB = VCE - VBE > 0
+
vbe
VBE
+
-
vBE
iE
(RAN)
DE
Tranzistorul ca
amplificator
ic
ib
+
vbe
~
-
+
vi
-
ic g m vbe
vce
-
RC
ic
g m vbe
ib
g vbe
F
F
vo
-
vce RC ic g m RC vbe
DE
Tranzistorul ca
amplificator
B
ib
ic
+
+
vbe
~
-
vi
g m vbe
oib
(vbe)
+
vo
RC
(vce)
ie
vo vce
Av
g m RC
vi vbe
ic
Ai F
ib
Ap Av Ai g m RC F
DE
Exemplu
numeric
D
ate
Amplitudinile
semnalelor/amplificrile
PSF
0,65 3
I Cc 80
1 ,25 10 20mA
,1mA
exp
0,025
I e 100 1 101A 100A
VCE = 10 2*2 = 6V
100 A
Ib 2
1A
I B 100 0,02mA
Vce 100
2 0,1 0,2V
I E I C I B 2 0,02 2,02mA
200
Av
160
mA
1
1
,
25
g m 40 2 80
80 k
V
Ai 100
100
rA A A 1 160
1,25
k 16000
100
p 80vki
VCC = 10V
VBE = 0,65 V
RC = 2k
IS =1,02*10-14A
F 100
vbe Vbe sin t

Vbe = 1,25 mV
DE
Expresia capacitatii de difuzie, Cd,E
qBF qAJ n p 0 n p0
2
wB qA ni w exp vBE 1
J
B
V
2N
2
A
th
vBE
wB2
ni2 Dn
1 BF iCC
qAJ
exp
2Dn
N A wB
Vth
q D,E q BF BF iCC F BF
Cd,E
dqD,E
dvBE
dqD ,E diCC
diCC dvBE
wB2
2 Dn
F gm
Q
DE
Expresia capacitatii de bariera ,Cj,E
q J .E qAJ N A xd ,e ( v BE )
AJ [ 2 q s N A ( B0 ,E VBE vbe
(5.2b)
1
)] 2
N D ,E N A
q J .E AJ [ 2q s N A ( B0 ,E VBE
vbe ( b0 ,E VBE ),
1
)] 2 [ 1
vbe
]
2( B0 ,E VBE )
x
1 x 1
2
DE
Capitolul V
5.1 Introducere
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
DCE 1
5.7 Fenomene fizice de ordinul al II-lea
5.7.1. Modularea grosimii bazei (efectul Early)

Modificarea limii zonei neutre a bazei (wB) prin variaia polarizrii JC.
wB
wB
VCB
wB
wB
E IE
IC
RSS
VBE
-
JE
B
RSS
IB
Fig. 5.7a
09.03.15
DCE 1
JC
VCB
-
VBC 0
FM
II
III
lg IC
Fig.5.7b
09.03.15
DCE 1
ln I C
panta 1
ln I C
ln I B
ln I KF
ln I B
panta 1/2
ln I S I KF
VBC 0
ln C2 I S
ln I S
I
ln S
FM
II
III
Fig. 5.7c
09.03.15
DCE 1
VBE
Vth
I B V BE
- caracteristica de intrare : dependenta
curentului de intrare de tensiunea de intrare in conexiunea EC
I C V BE
- caracteristica de transfer : dependenta
curentului de iesire de tensiunea de intrare in conexiunea EC
Zona I
IB , IC mici
1 V BE
ln I B ln C 2 I S
2 V th
lnIB
09.03.15
cu
V BE
V th
cu panta 1/2
DCE 1
Zona II
IB , IC medii
V BE
I C I CC I S exp
V th
V BE
I
I
CC
S
exp
IB
FM FM
V th
V BE
V th
VBE
I
S
ln I B ln
FM Vth
ln I C ln I S
ln IC / ln IB
cu
F FM max im
09.03.15
V BE
V th
cu panta 1
DCE 1
Zona III
IB , IC mari
I C I KF
ln I C ln I S I KF
ln IC
09.03.15
V BE
cu
V th
VBE
2Vth
cu panta 1/2
DCE 1
ln I C
panta 1
ln I C
ln I B
ln I KF
ln I B
ln I S I KF
ln FM
ln F ln I C ln I B
VBC 0
ln C2 I S
ln I S
I
ln S
FM
II
III
Fig. 5.7d
09.03.15
panta 1/2
DCE 1
VBE
Vth
5.7.3.Rezistena distribuit a bazei

B
VBE
SiO2
n+
VCB
RSS JE
B
RSS JC
n
C
09.03.15
DCE 1
Fig.5.7e
VBE
B
Rb
VBE
V B' E V BE I B Rb V BE
IB
+
V B' C V BC I B Rb V BC
VBC
VBC
-
Fig 5.7f
09.03.15
DCE 1
Capitolul V
5.1 Introducere
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
09.03.15
DCE 1
Circuitul echivalent natural de regim staionar n RAN
EM3 npn RAN

B
Rb
IC
B IB
C2 I S I CC
VBE
I CC
FM
I CC
Fig. 5.8a
09.03.15
DCE 1
VCE
VA
Circuitul echivalent natural de semnal mic, frecvene joase
rb
ic
ib
vbe v
g m v
0ib
ro vce
E
Fig. 5.8b
09.03.15
DCE 1
Circuitul echivalent natural de semnal mic, frecvene nalte (Giacoletto)
rb
ib
vbe v
C
+
g m v
ro vce
E
Fig. 5.8c
C Cd ,E C j ,E
C C j ,C
09.03.15
ic
DCE 1
5.8.6 Circuite echivalente cu parametrii msurabili

Parametrii hibrizi
Tensiunea de intrare i curentul de ieire n funcie de celelalte dou mrimi
Io
Ii
Vi
Vi hi
I h
o f
Vi
hi
Ii
09.03.15
Vo 0
Vo
Vi hi I i hrVo
hr I i
ho Vo
Vi
hr
Vo
Fig. 5.8d
I o h f I i hoVo
I i 0
Io
hf
Ii
DCE 1
Vo 0
Io
ho
Vo
I i 0
Parametrii hibrizi pentru tranzistor in EC

ic
+
B
ib
Q
vce
vbe
Fig. 5.8e
E
EC
vbe hie ib hre vce

i c h fe ib hoe vce
09.03.15
DCE 1
Circuitul echivalent cu parametrii hibrizi

B = B
ic
ib
hie
hoe1
h feib
hre vce
-
Fig. 5.8f
Parametrii h parametrii msurabili Q(2mA, 5V) i f = 10 kHz
vbe
hie
ib
09.03.15
hre
vce 0
vbe
v ce
ib 0
h fe
DCE 1
ic
ib
vce 0
hoe
ic
v ce
ib 0
Parametrii y (admitane)
Curenii de intrare/ieire funcie de tensiunile de intrare/ieire.
Io
Ii
Fig. 5.8g
Vi
I i yi
I y
o f
Ii
yi
Vi
09.03.15
Vo 0
Vo
I i yiVi yrVo
yr Vi
yo Vo
Ii
yr
Vo
I o y f Vi yoVo
Vi 0
Io
yf
Vi
DCE 1
Vo 0
Io
yo
Vo
Vi 0
Parametrii y
Curenii de intrare/ieire funcie de tensiunile de
intrare/ieire.
i c y fe vbe yoe vce
ib yie vbe y re vce
Circuitul echivalent cu parametrii y
B = B
ic
ib
+
y fe vbe
1
yoe
yie1
vbe
yre vce
-
vce
E
Fig. 5.8h
09.03.15
DCE 1
Parametrii y parametrii msurabili Q(2mA,5V) i

f=10MHz
ic
ib
ib
ic
y oe
yie
yre
y fe
v ce
vbe v 0
vce v 0
vbe v 0
ce
be
ce
vbe 0
Parametrii y admitane de forma:

d
yie g ie Cie ( tensiune )
dt
yre g re Cre
d
dt
d
y fe g fe C fe
dt
yoe g oe Coe
d
dt
ib g ie vbe Cie
09.03.15
dvbe
dv
g re vce Cre ce
dt
dt
DCE 1
Capitolul V
5.1 Introducere
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
09.03.15
DCE 1
5.9 Frecvene limit
5.9.1 Frecvena limit n conexiunea EC ( f )

Ic
B
Ib
Ib
Q
+
Vbe
E
E
EC
Fig. 5.9a
2f
ib I b sin t - valoare instantanee

Ib - constant; f - variabil
ic I c
09.03.15
Vce
vbe V be
DCE 1
Ib - fazor
5.9 Frecvene limit
Ctigul dinamic n curent conexiunea EC
Ic
Ib
vce 0
Ib
rb
Ib
g mV
ro
E
Fig. 5.9b
Teorema Kirchoff I n B i C
I b g V jC V jC V
I c g m V j C V g m V
09.03.15
Ic C
Vbe = V
E
DCE 1
5.9 Frecvene limit
Dependena lui fT de IC
fT
1
2 F
IC
Fig. 5.9c
1 C C
T
gm
C Cd ,E C j ,E
09.03.15
Cd ,E C j ,E C j ,C
gm
C C j ,C
DCE 1
1

F
C j ,E C j ,C
gm
Cd ,E g m F
Capitolul V
5.1 Introducere
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
09.03.15
DCE 1
5.10 Tensiuni limit
5.10.1 Tensiunea V(BR)CB0

Tensiunea limita ntre B i C cu E n gol - tensiunea de strapungere a JC
Caracteristica static de ieire conexiunea BC - RAN
IC (mA)
8 mA
6 mA
6
4
4 mA
2 mA
IB=0
20
40
ICB0
Fig. 5.10a
09.03.15
DCE 1
60
80
VBR(CB0)
VCB (V)
5.10 Tensiuni limit
Determinarea tensiunii Early

saturaie
IC (mA)
8 A
6A
4A
2A
VCE (V)
-VA
20
60
Fig. 5.10b
VCE
I C ( VCE ) I C ( VBE ) 1
VA
IC
g
Conductana de ieire 0
VA
09.03.15
40
IC = 0
DCE 1
VCE = -VA
80
5.10 Tensiuni limit
5.10.3 Tensiunea V(BR)EB0

Tensiunea limit ntre B i E cu C n gol - tensiunea de strpungere a JE
Caracteristica static de ieire conexiunea BC - RAI
IE (mA)
10
8
6
4
2
IB=0
2
VEB V( BR ) EB0
09.03.15
IEB0
10
VBR(EB0)
IE
DCE 1
abrupt
VEB (V)
Fig. 5.10c
Capitolul V
5.1 Introducere
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
09.03.15
DCE 1
5.11.5 Domeniul pentru PSF n RAN

Amplificare
tranzistorul se polarizeaz n RAN
IC
SATURATIE
ICmax
Pdmax
Fig. 5.11
VCE
VCE = VBE
09.03.15
V(BE)CE0
BLOCARE
DCE 1
Domeniul pentru PSF n RAN este bordat (limitat) de:

intrarea tranzistorului n saturaie VCE VBE
intrarea tranzistorului n blocare
tensiunea limit
curentul limit
VCE V BR CE 0
I C I C max
puterea disipat maxim
09.03.15
IC 0
Pd Pd max
DCE 1

Cap5 Bipolarul - Studenti

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cap5 Bipolarul - Studenti

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Capitolul V

vBE + vEC + vCB = 0

5.2 Efectul de tranzistor

5.2 Efectul de tranzistor

5.2 Efectul de tranzistor

5.5 Tranzistorul n blocare i saturaie

5.4 Tranzistorul n RAN i RAI

Factorul de amplificare static, n curent, RAN, conexiunea baz comun (BC)

5.4 Tranzistorul n RAN i RAI

Factorul de amplificare static, n curent, RAN, conexiunea emitor comun (EC)

5.4 Tranzistorul n RAN i RAI

Factorul de amplificare static, n curent,RAI, conexiunea colector comun (CC)

5.5 Tranzistorul n blocare i saturaie

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

Circuitul echivalent al tranzistorului npn n regim staionar

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

Circuitul echivalent al tranzistorului pnp n regim staionar

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

Circuit echivalent pentru npn n RAN

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

Circuit echivalent pentru npn n RAN - liniarizat

VBE = 0,65V 0 ,1V

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

6. Circuitul echivalent de semnal mic, frecvente joase (simplificat)

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

c) Capacitatea de barier a JE (Cj,E)

Pentru o jonciune abrupt

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

d) Capacitatea de barier a JC (Cj,C)

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

Componentele curenilor n RAN

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

4. Circuitul echivalent natural de semnal mic i frecvene nalte (simplificat)

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

VCB = VCE - VBE > 0

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

vbe Vbe sin t

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

Expresia capacitatii de difuzie, Cd,E

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

Expresia capacitatii de bariera ,Cj,E

5.7 Fenomene fizice de ordinul al II-lea

5.7.1. Modularea grosimii bazei (efectul Early)

5.7 Fenomene fizice de ordinul al II-lea

5.7 Fenomene fizice de ordinul al II-lea

5.7 Fenomene fizice de ordinul al II-lea

5.7 Fenomene fizice de ordinul al II-lea

5.7 Fenomene fizice de ordinul al II-lea

5.7 Fenomene fizice de ordinul al II-lea

5.7 Fenomene fizice de ordinul al II-lea

5.7.3.Rezistena distribuit a bazei

5.7 Fenomene fizice de ordinul al II-lea

5.8 Modelarea avansat a tranzistorului

Circuitul echivalent natural de regim staionar n RAN

EM3 npn RAN

5.8 Modelarea avansat a tranzistorului

Circuitul echivalent natural de semnal mic, frecvene joase

5.8 Modelarea avansat a tranzistorului