Lucrarea de laborator nr.

1
Cercetarea caracteristicilor electrice ale materialelor conductoare
Scopul lucrrii: studierea naturii conductibilitii electrice i a
fenomenelor fizice n materialele conductoare, cunotina cu metodica
de cercetare a caracteristicilor electrice pentru materialele conductoare
i rezistoare, cercetarea experimental a principalelor caracteristici
electrice pentru diverse materiale conductoare, rezistoare i
termocuple i determinarea a lor parametri.
1.1. Noiuni generale
Materiale conductoare se numesc materiale la care principala
proprietate electric este nalta conductibilitate electric. Utilizarea lor
n tehnica electronic este condiionat n general de aceast
proprietate, care determin conductibilitatea electric foarte mare
( >105 Sm-1 ) la temperatur normal. Materialele conductoare cu
funcie de conducie a curentului electric pot fi corpuri lichide, solide
i n condiii corespunztoare i gaze.
Conductoarele solide sunt metalele, aliajele metalice i unele
modificri ale carbonului.
La conductoarele lichide se refer metalele topite, diferii
electrolii i topiturile compuilor ionici. Mecanismul de trecere a
curentului electric prin metale l aliajele lor este determinat de
deplasarea dirijat a electronilor liberi sub aciunea unul cmp electric.
n legtur cu aceasta, materialele i aliajele lor n stare solid i
lichid se numesc materialele conductoare cu conductibilitate
electronic sau conductoare de prima categorie. Conductoarele din a
doua categorie, numite conductoare ionice sau electrolii sunt soluiile
(n general n ap) acizilor, alcaliilor i ale srurilor. Trecerea
curentului prin aceste conductoare este determinat de deplasarea
ionilor pozitivi i negativi, avnd ca rezultat schimbarea treptat a
compoziiei electrolitului i separarea la electrozi a produselor
electrolizei. Conductibilitatea electric caracteristic acestor materiale
este mult mai mic dect conductibilitatea materialelor cu
conductibilitate electronic.

Toate gaze i vapori devin conductoare de curent electric numai

atunci cnd tensiunea cmpului electric depete o anumit valoare
limit la care energia cinetic a purttorilor de sarcin liberi (electroni
i ioni), accelerai de cmpul electric, este suficient pentru a produce
ionizarea prin ciocnire i fotoionizarea moleculelor i atomilor
gazului. n aa situaie gazul are conductibilitate electronic i ionic.
Gazele i vaporii nu sunt conductoare n condiii normale i pentru
valori sczute ale cmpului electric.
n tehnica electronic principalele materiale conductoare utilizate
sunt cele cu conductibilitate electronic. Existena electronilor liberi
duce la o bun conductibilitate electric i termic a metalelor i, de
asemenea, constituie o cauz a luciului metalelor. Rezistivitatea
electric () a materialelor i aliajelor metalice la temperatura
ambiant este n domeniul 10-8 10-5 m.
Metalele de nalt plasticitate i conductibilitate electric
(0,05 m) se utilizeaz la fabricarea conductoarelor, cablurilor,
nfurrilor transformatoarelor i mainilor electrice, bobinelor,
ghidurilor de und etc. Metalele i aliajele cu rezisten electric mare
(0,3 m) se folosesc n aparatele de nclzire electric, la
rezistoare, la tuburi cu incandescen etc.
Parametrii principali ai materialelor conductoare sunt:
1)conductivitatea electric sau inversul valorii sale rezistivitatea
electric, 2) coeficientul de temperatur al rezistivitii electrice, 3)
coeficientul conductibilitii termice, 4) diferena potenialelor de
contact i fora electromotoare termic, 5) lucrul de ieire a
electronilor din metal, 6) limita rezistenei la ntindere i alungirea
relativ la rupere.
Sensul fizic al parametrilor i fenomenelor care au loc n
materialele metalice la interaciunea lor cu cmpul electric se precaut
pe scurt mai jos.
1.2. Principalele cunotine teoretice
1.2.1. Conducia electric n metale i aliajele lor.
Toi electronii de valen ai atomilor din metale sunt liberi,
deoarece pot trece sub aciunea energiei termice de pe nivelurile
bandei de valen ai atomilor din metale sunt liberi, deoarece pot trece

sub aciunea energiei termice de pe nivelurile bandei de valen pe

nivelurile libere ale bandei de conducie, care urmeaz i chiar se
suprapun cu nivelurile ocupate ale bandei de valen. Ei se afl
nentrerupt n micare termic i haotic n ntregul volum al
materialului, devenind purttori mobili de sarcini i se numesc
electroni de conducie. Sub aciunea cmpului electric exterior
electronii de conducie ntr-un metal se deplaseaz n direcia forelor
de aciune ale cmpului i primesc o vitez suplimentar. ns
micarea dirijat a electronilor de conducie nu este liber din cauza
ciocnirilor cu atomii din nodurile reelei cristaline sau cu impuritile
(atomii de alt natur) i nsoete mprtierea energiei cinetice
primit de la cmp. Proprietatea conductoarelor de a lsa s treac
curentul electric se apreciaz cu valoarea reactivitii electrice
(rezistenei electrice specifice)
R

S
,
l

(1.1)

unde R - rezistena electric, S - seciunea transversal i l - lungimea

conductorului.
Rezistivitatea electric prezint rezistena electric R a
conductorului dat cu lungimea l=1 m i seciunea transversal
constant S=1mm2 i se exprim n mm2/m sau n alte uniti legate
ntre ele cu relaia:
1 mm2/m = 10-6 m = 1m.
Valoarea invers a rezistivitii electrice se numete
conductivitate electric (conductibilitatea electric specific)
1/ ,
(1.2)
care se exprim n siemens pe metru (S/m), iar 1 S/m = 1 -1 m-1
n baza modelului clasic al teoriei electronice a metalelor, dezvoltat
de Drude i Lorentz, se afl conceptul de gaz electronic, conform
cruia electronii de valen sunt liberi, mobili i colectivizai ntr-o
concentraie de acelai ordin de mrime cu concentraia volumic de
atomi (~ 1028m-3). Gazului electronic se nscriu proprietile gazului
ideal, adic micarea electronilor se supune legilor statisticii clasice.
Dac vom socoti c atomii n metal sunt ionizai de o singur dat,
apoi concentraia electronilor liberi n n unitate de volum poate fi
calculat dup formula:

d
N0 ,
A

(1.3)

unde d densitatea materialului; A masa atomic; N 0=6,021023mol-1

numrul lui Avogadro. Concentraia electronilor liberi este de
ordinea 1028m-3 la diverse conductoare metalice i practic
independent de temperatur. La existena cmpului electric densitatea
de curent (cantitatea de sarcin care trece prin unitatea de seciune
transversal n unitatea de timp) n conductor se determin dup
formula:
j en

e 2 nl
E E ,
m0 u

( 1.4)

unde m0 i e masa de repaus i sarcina electronului: - viteza

medie a micrii dirijate a electronilor liberi; u - viteza medie a
micrii termice; l - lungimea medie a drumului liber parcurs de
electroni; E intensitatea cmpului electric.
Intensitatea curentului electric din conductor poate fi
determinat sub forma:
I jS SE
(1.5)
Formula (1.4) arat c densitatea de curent j este proporional
cu intensitatea cmpului electric, iar aceasta este expresia cunoscut a
legii lui Ohm. Dependena curent-tensiune, I=f(U), care se determin
dup formulele (1.4) i (1.5) este o linie dreapt.
Expresia (1.2) pentru rezistivitatea electric, lund n eviden
formula (1.4), capt forma:

m0 u
e 2 nl

(1.6)

n conformitate cu modelul cinetic al teoriei metalelor,

rezistivitatea electric a metalelor este legat cu lungimea liberului
parcurs mediu a electronilor prin relaia:

1/ 3

h
,
e2n2/ 3 l

(1.7)

unde h = 6,6210-34 Js constanta lui Planck.

La diverse materiale conductoare vitezele de micare termic
(haotic) a electronilor de conducie care aparin gazului electronic
sunt aproximativ aceleai (~105 ms-1) i concentraiile electronilor
liberi se deosebesc de asemenea puin: astfel, de exemplu, la cupru i

nichel, aceast diferen de concentraie este sub 10%. De aceea,

valoarea rezistivitii electrice se determin, n primul rnd, cu
lungimea medie a drumului liber parcurs de electroni n conductorul
dat, care, la rndul su, depinde de structura conductorului, adic de
natura chimic a atomilor i tipul reelei cristaline. Metalele pure i cu
o structur cristalin perfect se caracterizeaz prin valorile cele mai
mici ale rezistivitii electrice . Prezena n metal a unor cantiti
mici de impuriti duce la deformarea reelei cristalului i la creterea
lui . Un rol nsemnat au i aciunile chimice ale atomilor de
impuritate. n aliaje, la dizolvarea metalelor de tranziie (fier, nichel,
cobalt la care pturile 3d sau 4f sunt incomplet ocupate) n elementele
din grupa nti a tabele chimice a lui Mendeleev, se observ creterea
anomal a lui , care, probabil, este legat cu plecarea electronilor de
valen ai atomilor metalului dizolvant la construirea d- i fsubstraturilor electronice interioare incomplete ale atomilor metalelor
de tranziie. Rezult c numrul electronilor de conducie se
micoreaz i rezistivitatea electric se mrete.
Dependena de temperatur a rezistivitii electrice pentru
materialele conductoare se determin, n primul rnd, de dependena
de temperatur a vitezei de drift la micarea dirijat a electronilor de
conducie (asta este caracteristic pentru metale) i de variaia
concentraiei purttorilor mobili de sarcin la ridicarea temperaturii
(asta este caracteristic pentru aliaje).
Cu ridicarea temperaturii se majoreaz amplitudinea oscilaiilor
termice ale atomilor i legate cu ele fluctuaia cmpului periodic a
reelei cristaline. n drumul deplasrii dirijate a electronilor apar tot
mai multe obstacole. De aceea se mrete mprtierea electronilor i
scade lungimea medie a parcursului liber l , iar aceasta, la rndul su,
aduce la scderea vitezei i la creterea rezistivitii electrice
(fig.1.1, a).

a)
b)
c)
Fig 1.1. Variaia rezistivitii electrice cu temperatura conductorului
metalic (a) cuprului (b) i metalelor feromagnetice (c) 1,2 i 3 n (a)
pentru diverse metale neferomagnetice topite.
Domeniul liniar n dependena de temperatur a lui la
majoritatea metalelor se ntinde de la temperatura normal pn la
temperaturi care sunt n apropiere de temperatura de topire T top (fig.
1.1. b). Ca excepie pot fi metalele feromagnetice (fig.1.1.c).
Schimbarea relativ a rezistivitii electrice la schimbarea
temperaturii cu un grad n scara lui Kelvin se numete coeficientul de
temperatur al rezistivitii electrice

1 d
,
dT

care poate fi calculat i dup formula

R l ,

(1.8)
(1.9)

1 dR
unde R
- coeficientul de temperatur al rezistenei electrice
RT dT

la temperatura dat T; RT - rezistena conductorului la temperatura

dat T; l - coeficientul termic de dilatare liniar a conductorului;
d / dT i dR / dT -viteza de schimbare a lui i R.
n domeniul liniar al variaiei rezistivitii electrice (T ) se
poate de folosit formula:
0 1 0 ,
(1.10)
unde 0 i - rezistivitatea i coeficientul de temperatur al
rezistivitii electrice, care se refer la temperatura iniial T 0 a gamei:
- rezistivitatea la temperatura ridicat T.

Din formula (1.8) i (1.10) rezult c valoarea lui pentru

metalele pure trebuie s fie n apropiere de 1/T. Valorile experimentale
ale lui l pentru metalele pure n stare solid, care ntotdeauna sunt
mai mari n comparaie cu pentru aliajele lor., sunt apropiate ntre
ele (vezi anexa 1.1), adic se poate considera aproximativ

1
0,004 K 1 . Coeficienii termici de dilatare liniar l au
273

valori mai mici: pentru cupru 16,710-6 K-1; nichel 12,810-6K-1;

constantan 17,010-6K-1. Pentru metalele pure l i, de aceea,
la ei R . ns pentru aliaje aa aproximare nu este corect.
Cum s-a nsemnat, motivele de mprtiere a electronilor sau a
undelor electronice n metale sunt nu numai oscilaiile termice ale
nodurilor reelei cristaline, dar i defectele structurale statice (atomi de
impuritate substituionali i interstiionali, vacane de atomi n reeaua
cristalin, dislocaii, granie ale granulelor etc.), care aduc la abateri de
la caracterul periodic al cmpului de potenial al cristalului. ns
mprtierea electronilor pe defectele statice ale reelei cristaline nu
depinde de temperatur. De aceea, la coborrea i apropierea
temperaturii de zero absolut, rezistena metalelor tinde la o valoare
constant (fig.1.1, a), care se numete rezisten remanent. De aici
rezult regula Mattisen despre aditivitatea rezistivitii.
T rem ,
(1.11)
adic rezistena metalului este egal cu suma rezistenei, condiionate
de interaciunea electronilor cu reeaua cristalin, i rezistenei
remanente, condiionate de mprtierea electronilor pe defectele
structurale statice.
Abateri de la aceast regul se observ la metalele i aliajele
supraconductoare (niobiu, stibiu, aluminiu, titan, mercur, plumb etc.),
n care pentru temperaturi mai mici dect temperatura critic Tsc brusc
se anuleaz rezistena i se mrete conductibilitatea. La temperaturi
foarte coborte (de ordinul K) dispare mprtierea electronilor pe
oscilaiile termice ale nodurilor reelei cristaline. n afar de aceasta,
datorit interaciunii perechilor de electroni cu reeaua cristalin gazul
electronic capt proprieti caracteristice pentru starea de
suprafluiditate lichid, mai precis pentru temperaturi T<Tsc are loc
starea de supraconductibilitate a materialului conductor (fig. 1.1, a ).

Materialele supraconductoare sunt folosite pentru transportul energiei

electrice cu randament foarte ridicat, pentru fabricarea magneilor cu
intensitatea nalt a cmpului magnetic etc.
Cel mai nsemnat aport n rem aduce mprtierea pe impuriti
care ntotdeauna sunt n conductoare n form de impurificare sau n
form de elemente pentru aliere. Prezena n metal chiar a unor
cantiti mici de adaosuri duce la mrirea rezistivitii , nectnd c
adaosurile vor avea o conductibilitate mai mare n comparaie cu
metalul de baz. Aa, la introducerea impuritii de argint cu 0, 01
pri atomice n conductorul de cupru, aduce la mrirea rezistivitii
electrice a cuprului cu 0,002 m.
S-a stabilit experimental c la coninuturi mici de impuriti
rezistivitatea electric se mrete proporional cu concentraia atomilor
de impuritate.
Pentru aliaje cu metale de tranziie se observ i unele abateri de
la aceast regul. Una din motivele de abateri de la regula lui
Mattissen poate fi legat cu influena impuritilor asupra
proprietilor elastice ale metalului ce nsoete schimbarea spectrului
de oscilaii a reelei cristaline.
La alierea metalelor ntre ele se formeaz aliajul unuia din trei
tipuri: soluia solid, amestec mecanic, compus chimic. n tehnic pe
larg se folosesc aliajele metalice, care au structura neordonat a
soluiei solide.
Dependenele lui i ale aliajului din dou metale, care
formeaz ntre ele soluie solid, de schimbarea coninutului fiecrui
metal n limitele 0....100% au maximum caracteristic pentru i
minim pentru . Aceste puncte de maximum i minim nu se observ
dac aliajul a dou metale aduce la o cristalizare separat (aliajul de
tipul amestec mecanic de cristale a fiecrei componente). Ca i n
cazul metalelor, rezistena total a aliajelor se determin cu formula
(1.11). Specificul soluiilor solide const n aceea c rem poate s
depeasc de multe ori componena termic T . Pentru multe aliaje
din dou componente dependena de coninut a lui rem se descrie
bine cu dependena parabolic de tipul
rem CX A X B CX A 1 X A ,
(1.12)

unde XA i XB prile atomice ale componentelor A i B n aliaj: Cconstanta care depinde de natura aliajului.
Relaia (1.12) a cptat denumirea de legea lui Nordheim. Din
ea rezult, c n soluiile solide binare rezistena remanent se mrete
cum la adugarea atomilor B la metalul A, aa i la adugarea atomilor
A la metalul B, precum aa schimbare se caracterizeaz prin curba
simetric (fig.1.3).

Fig.1.2. Variaia rezistivitii electrice n funcie de

compoziie (n procente de mas) pentru aliajele Au-Cu
Puin mai altfel se comport soluiile solide, n care ca
componente sunt metalele din grupa trectoare sau elementele din
pmnturi rare. n astfel de aliaje valoarea maxim a lui deseori nu
corespunde coninutului de 50%.
Cu ct mai mare este rezistivitatea aliajului , cu att mai mic
este . Asta rezult din aceea, c n soluiile rem T i rem nu
depinde de temperatur.
n unele aliaje la anumit raport al componentelor poate
cpta valori mici negative.
Alt caz, cnd se observ abateri de la situaiile teoretice
principale, este conductibilitatea electric n pelicule subiri. Peliculele
metalice pe larg se utilizeaz n microelectronic n calitate de
conductoare, suprafee de contact, armturi plane pentru
condensatoare, elemente magnetice i rezistoare ale circuitelor
integrate.

Toate elementele de baz se reproduc pe peliculele cu grosimea

10.....1000

care sunt cptate la condensarea fasciculelor

moleculare n vidul nalt pe suporturi dielectrice. Proprietile

electrice ale peliculelor subiri metalice i aliajele se pot deosebi n
msur considerabil de la proprietile probelor volumetrice din
materialele iniiale conductoare. Una din motivele acestei deosebiri
este varietatea caracteristicilor de structur a peliculelor subiri. La
varietatea condiiilor de condensare, structura peliculelor formate
poate s se schimbe de la starea de limit neordonat cu dispersie fin
(condensat amorf) pn la structura monocristalin a stratului (straturi
epitaxiale). Alt motiv de variaie a proprietilor materialului n form
de pelicul este legat cu apariia efectelor de dimensiune, mai precis
cu majorarea rolului proceselor de suprafa n comparaie cu cele
volumetrice n cazul cnd grosimea peliculei este comparabil cu
lungimea medie a parcursului liber al electronilor. n aa condiii
presupunerea independenei rezistivitii electrice a materialului de
dimensiuni geometrice ale probei este nedreapt. Din cauza reflexiilor
i dispersiei pe suprafa a electronilor liberi i gradului mare de
defecte structurale, rezistivitatea electric a peliculelor poate fu
cu mult mai mare dect rezistivitatea volumetric a materialului.
Efectul de dimensiune i mrirea lui a peliculelor subiri ncepe s
se observe la grosimi mai mici de 0,1m ( 0,1 m). La grosimile
10 3 m depunerea nu se mai realizeaz n continuu i metalul se
depune sub forma unor granule izolate (insule). Peliculele foarte
subiri se caracterizeaz cu o conductibilitate nemetalic cu o
rezistivitate foarte mare i cu coeficientul negativ de temperatura al
rezistivitii .
Pentru aprecierea relativ a proprietilor de conducie a
peliculelor subiri se folosete parametrul rezistena pe patrat R (sau
rezistena pe patratul fr dimensiuni, sau rezistena specific pe
suprafaa ), care este egal cu rezistena msurat ntre dou laturi
opuse a unui patrat pe suprafaa peliculei
R = / s
(1.13)

Prin alegerea grosimii peliculei se poate de variat R

independent de rezistivitatea volumetric a peliculei. Datorit c
R nu depinde de mrimea patratului rezistenei rezistoarelor peliculare
se calculeaz dup formula:
l0
R= R d 0
(1.14)
unde l0 lungimea rezistorului pe direcia de trecere a curentului
electric; d0 limea peliculei.
Pentru fabricarea rezistoarelor cu pelicule subiri se obin
pelicule metalice cu rezistena pe suprafa 500...1000 /. n calitate
de materiale rezistive se folosesc metalele greu fizibile (W, Mo, Ta,
Re, Cr) i aliajele nicrom (Ni, Cr) i monel (Ni, Cu).
1.2.2. Fenomenele de contact i fora electromotoare termic
La suprapunerea a dou metale diferite ntre ele, ia natere o
diferen de potenial. Acest fenomen a fost descoperit de fizicianul
italian A.Volta n anul 1797. Dup teoria cuantic motivul principal de
apariie a diferenei de potenial la contactare este n diverse valori ale
energiei lui fermi n metalele de compatibilitate. Energia lui Fermi sau
nivelul energetic Fermi EF determin energia maximal, pe care o
poate avea electronul n metal la temperatura absolut de zero. Energia
EF este independent de volumul cristalului, dar se determin numai
cu concentraia electronilor liberi, care nemijlocit rezult din
principiul lui Pauli, adic
3

EF

2/3

h2 2/3
n
,
2mn*

(1.15)

unde m n* - masa efectiv a electronului. La orice temperatur pentru

nivelul cu energia E=EF , probabilitatea de ocupare de ctre
electroni este egal cu 0,5. Toate nivelele energetice mai jos de nivelul
Fermi cu probabilitatea de ocupare mai mare de 0,5 sunt ocupate.
Dimpotriv, toate nivelele care se gsesc mai sus de nivelul fermi, cu
probabilitatea mai mic de 0,5 sunt libere de electroni. Energia
cinetic a electronului care se gsete pe nivelul Fermi este diferit n
diverse metale. De aceea, la conectarea materialelor conductoare apar
tranziii intense ale electronilor din domeniul B cu energia Fermi E PB

mai mare n domeniul A unde energia Fermi E PA este mai mic, mai
precis din metalul B n metalul A. Ca rezultat al acestui proces, la care
electronii tind s ocupe niveluri cu energia mai mic, metalul B se
ncarc pozitiv, iar metalul A negativ; ntre ele apare diferena de
potenial Uc (fig. 1.3), care se mpotrivete trecerilor de mai departe
ale purttorilor liberi de sarcin. Echilibrarea va fi atunci, cnd lucrul
electronilor de nvingere a forelor cmpului electric va fi egal cu
diferena de energie a electronilor, care pot trece prin contact:
eU c E FB E FA .
(1.16)
La echilibrarea nivelului Fermi n ambele metale trebuie s fie
acelai. Introducem expresia (1.15) n formula (1.16) i vom cpta:
E B E FA 3
UC F

e

2/3

h2
n B2 / 3 n A2 / 3 ,
*
8m ne

(1.17)

unde nA i nB concentraia electronilor liberi n materialele A i B.

Diferena potenialelor de contact la diferite cuple de metale
variaz de la zecimi de voli la civa voli.

Fig.1.3. Modelul
Fig. 1.4. Schema
nivelelor energetice de ctre
electronii liberi n metalele A
i B la conectarea lor.

de

ocupare

constructiv
a termocuplului

.
Circuitul nchis, alctuit din dou diferite conductoare metalice,
se numete termocuplu sau termoelement. n aa circuit nchis,
diferena potenialelor de contact pentru dou suduri (contacte) sunt
ndreptate n diverse direcii, de aceea la temperaturi identice ale

sudurilor suma diferenelor de potenial este egal cu zero. Dac

temperaturile sudurilor sunt diferite, atunci apare fora electromotoare
termic (f.e.m. termic) UT proporional diferenei de temperatur a
sudurilor:
U T T T2 T1 .
(1.18)

unde T - f.e.m. termic specific. Valoarea lui T depinde de

natura de contact i temperatur.
F.e.m. termic n circuitul nchis este compus din trei componente.
Prima component este determinat de dependena de temperatur a
diferenei potenialelor de contact. Altele dou componente ale f.e.m
termice sunt condiionate de difuzia purttorilor de sarcin de la
sudurile calde la cele reci i atracia electronilor de ctre cuani de
energie termic (fononi).
Teoria cuantic a metalelor obine urmtoarea expresie a f.e.m.
termice specifice pentru metalele monovalente:
T 2

k kT
e EF

(1.18)

unde k constanta lui Boltzmann. La temperatura ambiant raportul

kT
EF

are valoarea de ordinea 10-3 . De aceea T constituie civa

V/K.
Termocuplele metalice, care sunt fabricate din dou srme
metalice cu f.e.m. termic mare, pe larg se utilizeaz pentru msurarea
precis a temperaturii. n procesul de msurare este necesar de a
stabiliza temperatura unei suduri. Mai des utilizate sunt sudurile
metalelor i aliajelor: cupru-constantan, cromel-copel, cromel-alumel,
platina-platin-rodiu.
n aparatele de msurare i la rezistenele de precizie se
urmrete utilizarea metalelor i aliajelor cu f.e.m. termic ct mai
mic fa de cupru pentru a nu introduce erori de msur la msurarea
curenilor i tensiunilor mici.
Exist cupluri, care-i schimb semnul f.e.m. termice n procesul
de nclzire.
Prin urmare, metalele posed un ir de proprieti
caracteristice: 1) nalt conductibilitate electric i termic; 2)
coeficientul pozitiv de temperatur al rezistenei electrice: cu creterea

temperaturii, rezistena electric a metalelor pure se mrete: un

numr mare de metale (~30) posed starea supraconductoare; 3)
emisie termoelectronic, mai precis posibilitatea de a emite electroni
la nclzire; 4) nsuirea de reflectare, metalele sunt netransparente i
posed luciul metalic; 5) posibilitatea ridicat de deformaie plastic.
1.3. Descrierea instalaiei de laborator
Schema electric pentru studierea dependenei de temperatur a
rezistenei rezistoarelor bobinate i de volum fabricate din diverse
metale i aliaje, i dependenei de temperatur a forei electromotoare
termice la diverse termocuple este dat n fig.1.5. Rezistoarele
R1...R6 i sudurile calde ale termocuplelor BK0, BK1...BK3 sunt
stabilite n termostatul n care se asigur temperatura necesar T 2 n
domeniul de la 20 pn la 170C. Sudurile reci ale termocuplelor sunt
introduse n termostatul cu temperatura T1=const (vasul Dewar cu
ghea topit). n lipsa gheei, temperatura sudurilor reci ale
termocuplelor T1 corespunde cu temperatura camerei. Date despre
rezistoarele R1...R5 i termocuplele BK1...BK5 sunt artate pe panoul
frontal al instalaiei. Un terminal al rezistoarelor de cercetare este
conectat la ohmetrul PR, iar al doilea terminal de la fiecare rezistor
este conectat la unul din contactele comutatorului SA2, care are trei
direcii (SA2.1...SA2.3) cu cteva poziii (1...5).
Al doilea terminal al rezistoarelor R1...R5 este conectat la
direcia SA2, iar al rezistoarelor R6...R10 la direcia SA2.2. La
direcia SA2.3 este conectat un terminal al termocuplelor de cercetare.
Datorit acestor trei direcii ale comutatorului SA2 se poate n acelai
timp de msurat valorile rezistenei i forei electromotoare termice
dup indicaiile ohmetrului PR i milivoltmetrului PV1 (dispozitiv
universal de tipul B7-27).

Fig. 1. 5. Schema electric a standului pentru cercetarea

caracteristicilor electrice ale materialelor conductoare
Basculantul SA1 n poziia 1 conecteaz ohmetrul PR cu
comutatorul SA2.1, adic cu rezistoarele R1...R5, iar n poziia 2 cu
comutatorul SA2.2, adic cu rezistoarele R6...R10. Rezistorul necesar
se introduce n schem prin schimbarea poziiei mnerului
comutatorului SA2 i a basculantului SA2.

Termocuplul etalon BK0 este folosit pentru determinarea temperaturii

T2 n termostat. Fora electromotoare termic dezvoltat de el este
nregistrat de milivoltmetrul PV2, scara cruia este gradat n C.
Pentru cptarea temperaturii necesare T2 n termostat, trebuie de
aplicat tensiune la elementul de nclzire EK, adic de introdus fia
cordonului dublu de alimentare a transformatorului T n priza electric
cu tensiune ~ 220 V (50 Hz) i pe panoul frontal al instalaiei de
stabilit ntreruptoarele SA5 (Reeaua) i SA4 (Termostatul) n
poziia Conexiune, dup asta mnerul comutatorului SA3 se fixeaz
n una din poziiile posibile (1.4). n poziia 1 temperatura n termostat
se stabilete puin mai mare (cu 10...20 C) fa de temperatura
camerei, iar n poziia 4 aproape 180 C (temperatura maxim).
ATENIE! Nu se recomand de majorat temperatura n termostat
mai mare de 160 C, fiindc n caz contrar, se ntrerup contactele
electrice ale rezistoarelor cu a lor terminale.
1.4. Ordinea efecturii lucrrii
1.4.1.Asamblai schema electric a instalaiei pentru a efectua
msurrile dup fig.1.5. Conectai n reea voltmetrele B7-21 i B727A/1 i le permitei n parcurs de 10...15 min s se nclzeasc.
1.4.2. Determinai rezistivitatea electric volumetric i
superficial pentru diverse materiale conductoare i fora
electromotoare termic a termocuplelor la temperatura camerei
(elementul de nclzire EK a termostatului este deconectat).
Pentru aceasta msurm rezistena rezistoarelor de cercetare
R1...R10, care pe rnd se conecteaz n serie cu ohmetrul PR
(dispozitivul B7-27A/1 se utilizeaz n calitate de ohmetru), comutnd
SA1 i SA2 n poziiile 1-2 i 1...5 corespunztor. n acelai timp
msurm fora electromotoare termic a termocuplelor BK1...BK3
carea asemenea pe rnd se conecteaz la voltmetrul B7-21. limitele de
msurare a
dispozitivelor B7-21 i b7-27A/1 trebuie alese optimal din punct de
vedere a asigurrii msurrilor ct mai precise. Rezultatele msurrilor
i dimensiunile geometrice ale rezistoarelor de introdus n tabelul 1.1,
iar valorile forei electromotoare termice a termocuplelor n tabelul
1.3.

Tabelul 1.1

Rezistoarele de volum
Nr.

R,

l, m

D, m

S, m

,m
2

n
tabelul 1.1 este nevoie de socotit aria seciunii S ( S

D
4

pentru

firul rezistiv) a conductorului i de calculat rezistivitatea electric

dup formul (1.1).
1.4.3. Cercetai dependenele de temperatur a rezistenei
rezistoarelor i a forei electromotoare termice la diverse termocuple.
Pentru aceasta este necesar de a conecta elementul de nclzire
EK a termostatului i de meninut temperatura n termostat cu 10...20
C mai sus de cea iniial. La nceputul msurrilor mnerul
comutatorului SA3 se fixeaz n poziia 1. Pe parcursul nclzirii
termostatului peste fiecare 10 C msurai rezistena rezistoarelor
R1...R6 i fora electromotoare termic a termocuplelor n acelai mod
artat n p.1.4.2. Datele rezistenei rezistoarelor cercetate se nscriu n
tabelul 1.2, iar valorile forei electromotoare termice n tabelul 1.3.
Temperatura maxim T2 a termostatului nu poate fi mai presus de 170
C. n tabelul 1.2 se nscriu valorile rezistenei rezistoarelor R1...R5
la temperatura camerei din p.1.4.2.
Dup datele tabelelor 1.2 i 1.3 de construit graficele
dependenelor R=f(T) i UT=f(T) pentru rezistoarele R1...R6 i
termocuplele BK1...BK3.

Tabelul 1.2

R1
cupru
R

R2
nichel

R
K-1

K-1

R3
constantan

R
K-1

K-1

R4
manganin

R
K-1

K-1

R
K-1

K-1

R5
nicrom
R

R
K-1

K-1

Tabelul 1.3
T2

T1

f.e.m. termic UT, V

BK1
BK2
cupru-constantan
cupru-manganin

BK3
cupru-fier

1.4.4. Dup datele de msurare calculai: a) lungimea medie a

drumului liber parcurs de electroni n srmele de cupru i de nichel
dup formula (1.7), mai precis

3
l

1
3

h
2

e2n 3

unde h=6.6210-34 Js; e=1,610-19 K

este dat n tabelul 1.1; nnumrul electronilor n 1 m3 al conductorului se determin dup
formula (1.3), n care pentru cupru d=8,93103 kg/m3 i A=58,7010-3
kg/mol; b) coeficientul termic al rezistenei electrice R pentru
conductoarele cercetate. Valoarea R

1 dR
R dT

se gsete prin

diferenierea grafic a curbelor R(T) la valorile alese ale temperaturii

(datele pentru T sunt date n tabelul 1.2).
Pentru aceasta ducem tangente la curba R(T) n punctele alese
(T,RT) i construim triunghiuri dreptunghiulare de mrimi arbitrare, pe
care se determin valorile catetelor R i T. Valoarea dR/dT pentru
valoarea concret RT se determin prin relaia dR/dT= R/ T.
Valoarea R se poate de determinat dup formula:
1 R
1 RT 2 RT 1
R

(1.20)
RT T RT 1 T2 T1

unde RT1 i RT2 valorile rezistenei rezistoarelor corespunztoare la

temperatura de jos T1 i de sus T2 a limitei de temperaturi n triunghiul
dat. Valorile R de introdus n tabelul 1.2.
1.4.5. Calculai coeficientul de temperatur al rezistivitii
electrice pentru cupru, nichel i constantan dup formula (1.9), n
care pentru aram este egal cu 16,7 10-6K-1 . Rezultatele
calculelor dup formula (1.9) se introduc n tabelul 1.2. Construii
graficele dependenei =f(T).
1.4.6. Calculai valorile forei electromotoare termice specifice
ale termocuplelor cercetate, folosnd graficile construite ale
dependenilor UT=f(T).
1.5. Coninutul referatului
1.5.4. Denumirea i scopul lucrrii de laborator.
1.5.5. Schema electric a instalaiei de laborator.
1.5.6. Ordinea efecturii lucrrii. Tabelele cu datele extrase
experimental i calculate i formulele de calcul.
1.5.7. Graficele caracteristicilor i rezultatele calculelor
parametrilor pentru diverse metale, aliaje i termocuple.
1.5.8. Concluzii.
1.6. ntrebrile de control
1. De ce metalele posed o conductibilitate electric nalt? Care este
mecanismul de conductibilitate n metale?
2. De ce rezistivitatea metalelor se majoreaz la nclzire? Dai
definiia rezistivitii electrice.
3. De ce rezistivitatea aliajelor metalice de tipul soluii solide este
mai mare dect rezistivitatea metalelor pure, care sunt
componenele aliajului?
4. Cum influeneaz impuritile asupra rezistivitii metalelor?
Formulai regula lui Mattisen.
5. Dai definiia coeficientului de temperatur al rezistivitii
electrice . Este o valoare constant pentru metalul dat? De
ce a aliajelor de tipul soluii solide este mai mic dect la
metalele pure?

6. Lmurii procesele care apar la contactarea a dou metale. Care

este sensul fizic al nivelului energetic Fermi?
7. n ce condiii apare fora electromotoare termic n circuitul
nchis?
8. Numii mecanismele principale care sunt responsabile pentru
apariia f.e.m. termice.
9. Cu care parametri se caracterizeaz nsuirile electrice ale
materialelor conductoare? Numii domeniile de utilizare a
materialelor conductoare cercetate.
10. De ce aliajele cu rezisten electric mare (de exemplu cromnichel) la conectarea multipl se prefac n praf?
11. Numii funciunile pe care le pot ndeplini materialele conductoare
pe baza proprietilor de conducie electric.
1.7. Bibliografie
1. Ctuneanu V.M. (coordonator) .a. Materialele pentru electronic.
Bucureti, Edit. Didac. i Pedag., 1982, - 468 p.
2. .., ..
. , 1986. 387 .
3. .., ..,
..
, - ., , 1985, 304 .
4. / .
.. , .. .. .,
, 1986.

Anexa 1.1
Proprietiile fizice de baz ale metalelor purificte la 20

Temperatura de trecere n stare supraconductoare, K

f.e.m. termic specific absolut, VK-1

Lucrul de ieire al electronilor, eV

Coef.de tem. rezistivitii electrice 103, K-1

Rezistivitatea electric, m

Coeficientul termic de dilatare liniar dl 106, K-1

Temp. de topire , Ttop, C

Densitatea,103 kg/m3

Metalul

Aluminiu
Beriliu
Wolfram
Galiu
Fier
Aur
Indiu
Cadmiu
Caliu
Cobalt
Cupru
Molibden
Natriu
Nichel
Cositor
Platina
Mercur
Plumb
Argint
Tantal
Crom

2,7
1,84
19,3
5,92
7,87
19,3
7,30
8,65
0,862
8,85
8,92
10,2
0,97
8,96
7,29
21,45
13,5
11,34
10,49
16,6
7,19
7,14

660
1280
3400
29,2
1540
1063
156
321
63,5
1500
1083
2620
98
1453
232
1770
-39
327
961
3000
1900
419

21,0
12,0
4,4
18,1
10,7
14,0
28,4
29,0
83,3
13,5
16,6
5,3
72,0
13,2
23,0
9,5
182
28,3
18,6
6,6
6,2
30,0

0,027
0,041
0,055
0,136
0,097
0,0225
0,09
0,074
0,065
0,064
0,0168
0,05
0,042
0,068
0,113
0,0981
0,958
0,19
0,015
0,124
0,13
0,0592

4,1
6,6
5,0
3,9
6,25
3,95
4,9
4,2
5,8
6,0
4,33
4,33
5,5
6,7
4,5
3,9
0,9
4,2
4,1
3,8
2,4
4,1

4,25
3,92
4,54
3,96
4,1
4,3
3,8
4,1
2,22
4,41
4,4
4,3
2,35
4,50
4,38
5,32
4,52
4,0
4,3
4,12
4,58
4,25

-1,3
-3,0
+2,0
+16,6
+1,5
+2,1
+12
-20,1
+1,8
+6,3
-8,7
-19,3
-1,1
-5,1
+8,1
-1,2
+1,5
-2,5
+18,0
+1,5

1,186
0,03
0,01
1,087
3,405
0,51
0,93
3,72
4,153
7,2
4,5
0,88

Lucrarea de laborator nr. 2

Cercetarea dependenei de temperatur a conductibilitii
electrice a materialelor semiconductoare
Scopul lucrrii : Studierea naturii fizice a conductibilitii electrice
n materialele semiconductoare, iniierea cu metodica de msurare a
conductibilitii electrice, cercetarea dependenei de temperatur a
conductibilitii electrice, determinarea regiunilor cu conductibilitatea
electric intrinsec i extrinsec i lrgirea benzii interzise la diverse
materiale semiconductoare
2.1. Cunotine generale

Proprietatea de baz a materialului la aplicarea unui cmp

electric din exterior este conductibilitatea electric, adic capacitatea
de a conduce curent electric sub aciunea tensiunii electrice continuu.

Dac materialul se afl ntr-un cmp electric cu intensitatea E , atunci

particulele ncrcate libere din material, adic purttorii mobili de

sarcini electrice, sub aciunea forei F q E ( unde q este sarcina

particulei) capt o acceleraie n direcia vectorului E (pentru

purttorii care au sarcin pozitiv q) sau n direcia opus ( pentru
purttorii care au sarcina negativ q). Apariia n aa fel a micrii
ordonate n spaiu (spre deosebire de cea termic haotic) al sarcinilor
electrice i este curentul electric n material.
Pentru cazul cnd n material exist purttori mobili de sarcin
numai de un tip, densitatea curentului electric j reprezint cantitatea
de sarcin electric care este transferat ntr-o unitate de timp prin

unitatea de seciune perpendicular pe vectorul E , i se determin

prin expresia:
(2.1)
j qN V ,
unde N este numrul de purttori mobili de sarcini electrice ce se afl
ntr-o unitate de volum, sau concentraia purttorilor mobili de

sarcin, m-3 ; V este viteza medie n micarea ordonat a purttorilor

mobili de sarcin (viteza de drift) cptat n timpul parcursului liber
sub aciunea cmpului electric exterior. Dac sub aciunea intensitii
cmpului electric se schimb numai direcia micrii purttorilor
mobili de sarcin i v<<u (unde u este viteza medie termic a
purttorilor la micarea haotic), atunci astfel de cmpuri electrice se
numesc slabe. Dac ns la aciunea cmpului electric mobilitatea
purttorilor se micoreaz i mrimea absolut a vitezei de drift
nceteaz de a mai depinde de cmp i devine egal cu viteza termic
(v u ), astfel de cmpuri electrice se numesc puternice. De obicei
viteza v n cmpurile electrice slabe este proporional cu intensitatea
cmpului electric :
v E ,
(2.2)
unde este factorul de proporionalitate, numit mobilitatea
purttorilor de sarcin i se msoar n m 2/Vs. Mobilitatea este
numeric egal cu viteza medie de drift a purttorilor de sarcin
produs de un cmp electric cu intensitatea unitate i caracterizeaz

agilitatea cu care purttorii mobili de sarcin se strecoar printre

nodurile reelei cristaline n cadrul micrii dirijate indus de cmpul

electric E .Viteza total a purttorilor mobili de sarcin se determin

prin suma vectorial a vitezei termice i vitezei de drift.
innd cont de expresia (2.2) i relaia (2.1) se poate scrie sub
j qNE E E / ,
forma :
(2.3)
unde = qN este conductivitatea electric i se msoar n S/m,
=1/ este rezistivitatea i se msoar in Ohmm [ m ].
Relaia (2.3) reprezint forma diferenial a legii lui Ohm.
Mrimea nu depinde de valoarea cmpului electric slab i a
curentului i prin urmare se determin de proprietile fizice ale
materialului. Legea lui Ohm nu se respect numai la intensiti foarte

mari ale cmpului electric, cnd v u . Dar acest caz n lucrarea dat
nu se asigur i n continuare nu se va mai analiza.
n limitele n care are loc legea lui Ohm mobilitatea purttorilor
mobili de sarcin nu depinde de intensitatea cmpului electric i se
determin de proprietile corpului solid i de mecanismul de
mprtiere a purttorilor de sarcin n cristal.
Aadar conductivitatea electric sau rezistivitatea electric
determin densitatea curentului electric n material la o mrime dat a
intensitii cmpului electric, adic caracterizeaz cantitativ fenomenul
de conducie electric.
Materiale semiconductoare sunt materiale care se caracterizeaz
prin valori ale rezistivitii electrice la temperatur normal n
domeniul 10-8109 m , ce se afl ntre valorile rezistivitii ale
materialelor conductoare i cele dielectrice,i la care conductibilitatea
electric n mare msur depinde de diferite aciuni energetice din
exterior (ca de exemplu ridicarea temperaturii, aplicarea cmpului
electric puternic sau magnetic, iradiere cu lumina, etc.) i de impuriti
( atomi de alt natur ).
n materialele semiconductoare ca purttori mobili de sarcin
sunt electronii i golurile de conducie, concentraiile de echilibru ale
cror n unitatea de volum se indic prin n i p corespunztor.
Conform relaiei (2.3) densitatea curentului electric in
semiconductor se determin dup formula :
j j n j p en n ep p E E ,
(2.4)

unde e este sarcina electric a electronului sau a golului, n i p este

mobilitatea electronilor de conducie i a golurilor, iar :
n p en n ep p e n n p p .
(2.5)
n semiconductoare extrinseci (cu impuriti), ca regul, una din
componentele relaiei (2.5) poate fi exclus la temperatura normal.
De exemplu, n cazul unei concentraii destul de mare a atomilor de
impuriti donoare n semiconductor aportul golurilor n
conductibilitatea electric este neglijabil. n majoritatea cazurilor
mobilitatea golurilor este mai mic dect cea a electronilor.
Variaia conductibilitii electrice ntr-un domeniu larg de
temperatur pentru un material semiconductor poate avea loc att n
urma modificrii concentraiei a purttorilor mobili de sarcin, ct i
n urma variaiei mobilitii lor.
2.2. Influena temperaturii asupra conductibilitii electrice a
semiconductoarelor
2.2.1. Dependena de temperatur a concentraiei purttorilor mobili
de sarcin
Fiecare electron din atomi liber are o anumit energie i ocup
un nivel energetic discret. La formarea reelei cristaline a
semiconductorului toate nivelurile energetice ale electronilor ce le
posed atomii de tipul dat, se vor deplasa puin n urma interaciunii
dintre atomi. n corpul solid, datorit interaciunii de schimb,
nivelurile energetice discrete ale atomilor izolai se desfac n benzi
energetice. Diagrama energetic a unui semiconductor pur (intrisec),
adic dependena energiei, pe care o poate avea electronul n cristal,
de la coordonata X este prezentat n fig.2.1,a.

Fig. 2.1. Diagramele energetice ale materialelor semiconductoare

intriseci (a), respectiv extrinseci, de tip n (b) i tip p (c) la T>0
Conform modelului de benzi energetice determinat cuantic ntrun corp solid spectrul energetic al electronilor este format din benzi de
energie permis i interzis. ntr-un semiconductor util din punct de
vedere al conduciei electrice snt banda energetic superioar
permis, ocupat cu electroni de valen, numit banda de valen
(BV) i urmtoarea band permis liber, numit banda de conducie
(BC); banda interzis (BI) de mrime Eg, n care nu exist stri
permise pentru electroni, se ntinde de la limita superioar Ev a
bandei de valen pna la limita inferioar Ec a bandei de conducie
(fig. 2.1,a). Cu sgeata i se indic trecerea electronului excitat din
banda de valen n banda de conducie. Aceasta tranziie arat la
ruperea unei legturi covalente ntre doi atomi vecini al materialului i
poate fi efectuat din contul energiei a oscilaiilor termice ale reelei
cristaline sau al energiei aciunilor din exterior asupra
semiconductorului. n acest caz apare un electron liber i o legtur
covalent nesatisfcut (rupt), creia pe diagrama energetic i
corespunde o stare posibil, dar neocupat de electron, n banda de
valen un gol liber. Energia, necesar pentru ruperea unei legturi
covalente se determin de lrgimea benzii interzise Eg a
semiconductorului. Golul se comport ca o particul fictiv, care are
sarcina pozitiv, egal dup valoare absolut cu sarcina electronului,
*
i o mas efectiv pozitiv m p . Cu ct mai nalt este temperatura i
mai mica lrgimea benzii interzise Eg, cu att este mai mare viteza de

generare termic a electronilor i a golurilor de conducie.

Concomitent cu generarea n semiconductor are loc nentrerupt
procesul invers recombinarea termic a purttorilor mobili de
sarcin, adic ntoarcerea electronilor de conducie n banda de valen
cu dispariia perechilor de purttori de sarcin prin refacerea
legturilor covalente. n rezultatul decurgerii acestor dou procese
opuse n semiconductor la orice temperatur se stabilete o oarecare
concentraie de chilibru a electronilor i a golurilor de conducie. ntrun semiconductor pur (fr impuriti) concentraia de echilibru a
electronilor de conducie ni este egal cu concentraia de echilibru a
golurilor pi :
ni p i

ni p i 2ni

ni pi ni2 pi2

(2.6)
Cu indicele i se noteaz toi parametrii semiconductorului pur
(intrisec). Valorile ni i pi pot fi determinate la temperatura T dup
formula :
;

ni p i

Eg

,
NcNv exp
2kT

(2.7)

unde Nc i Nv reprezint densitatea efectiv de stri energetice n

banda de conducie i respectiv n banda de valen, iar k este
constanta lui Boltzman. Influena temperaturii asupra mrimii ni va fi
cu att mai mare cu ct mai mare va fi limea benzii interzise Eg.
Impuritatea de substituie, care nlocuiete un atom din nodurile
reelei i are mai muli electroni de valen dect snt necesari pentru
formarea legturilor covalente cu atomii vecini din reeaua de baz a
cristalului, creeaz n banda interzis n apropierea de limita inferioar
Ec a bandei de conducie stri locale permise, adic nivele energetice
discrete. Pe fiecare aa nivel energetic permis ocupat, numit nivel
donor ED, situat n imediata vecintate a bandei de conducie, la
temperaturi joase se afl cte un electron (fig 2.1,b). La ridicarea
temperaturii electronii de pe nivele energetice discrete (deci
concentraii nu prea mari) ale impuritilor pot s treac n banda
energetic liber (banda de conducie) i s participe n proces de
conducie electric (tranziia 1 n 2.1.b). Intervalul de energie
ED=EC ED reprezint energia necesar a electronului de valen
suplimentar al atomului de impuritate pentru a deveni electron de
conducie. Aceasta energie de ionizare ED, necesar pentru asemenea

tranziii 1, este mult mai mic dect energia de ionizarea a atomilor

proprii din reeaua de baz, adic mai mic dect lrgimea benzii
interzise. Impuritile, ce furnizeaz electroni n banda de conducie a
semiconductorului la ionizare se numesc impuriti donoare. La
temperaturi comparativ mai nalte electronii de valen pot, s rup
legturile lor cu atomii de baz ai materialului i s devin liberi,
adic pot s treac din band de valen n banda de conducie
(tranziia 2 din fig 2.1.b). n aa caz se formeaz dou tipuri de
purttori mobili de sarcin electronii i
golurile. n aa
semiconductor cu impuriti donoare concentraia electronilor de
echilibru depete concentraia golurilor, i ca urmare, el se numete
semiconductor de tip n.
Impuritatea, care are un numr de electroni de valena mai mic
dect numrul electronilor de valen ai atomului pe care l substituie
n reeaua cristalin, adic mai mic dect numrul necesar pentru
completarea legturilor covalente cu atomii vecini de baz ai
materialului semiconductor, i datorit acestui fapt poate uor s
capteze electroni de valen de la atomii de baz, este numit
acceptoare. Pentru legtura incomplet impuritatea acceptoare
creeaz n banda interzis un nivel energetic permis liber, numit nivel
acceptor EA, situat n apropierea limitei superioare a benzii de valen
EV (fig. 2.1,c). Legtura incomplet
(vacant a electronului de
valen sau golul) n rezultatul oscilaiilor termice ale reelei cristaline
sau excitrii termice poate fi completata cu un electron de valen a
legturii covalente vecine, care la rndul su va deveni incomplet.
Apare un gol nou n banda de valen. Electronii captai din banda de
valen la astfel de nivele de impuritate (tranziia 1), nu particip la
procesul de conducie a curentului electric din cauza legturii lor cu
atomii de impuritate. Intervalul de energie EA=EA - EV reprezint
energia necesar unui electron de valen pentru a se ataa atomului
acceptor ionizndu-l pentru a satisface o legtur covalent. n banda
de valen sunt goluri mobile (libere), care particip la procesul de
conducie a curentului electric. Micarea golurilor reprezint micarea
relativ complex a electronilor de valen legai de atomii de baz. La
temperaturi nalte sunt posibile trecerile 2, n rezultatul crora se
formeaz o pereche de purttori mobili: electronul i golul de
conducie. Semiconductorul dopat cu impuriti acceptoare are o

concentraie de echilibru a golurilor mai mare dect concentraia

electronilor de conducie i este numit semiconductor de tip p. Un
semiconductor poate s conin att impuriti donoare ct i impuriti
acceptoare.
Purttorii mobili de sarcin, concentraia crora predomin, sunt
numii majoritari (electroni n semiconductori de tip n i golurile n
semiconductori de tip p). Purttorii mobili de sarcin, concentraia
crora ntr-un semiconductor dat este n minoritate, se numesc
minoritari.
Conductibilitatea, condiionat de electroni i (sau) de goluri de
conducie care apar n rezultatul ionizrii numai a atomilor de
impuritate, se numete. conductibilitate prin impuriti
Folosind metodele fizice statice se poate de artat c la
temperaturi joase concentraia electronilor de conducie n
semiconductorul de tip n
E D
n NcNd exp
,
(2.8)
2kT
unde ND este concentraia atomilor de impuritate donoar n unitatea
de volum, iar ED este energia de ionizare a impuritilor donoare.
Logaritmiznd aceasta expresie, obinem:
E D
ln n ln NcNd
.
(2.9)
2kT
n expresia (2.9) primul termin din partea dreapt este puin dependent
de temperatur n comparaie cu termenul ED/(2kT). Dependena lui
ln(n) de 1/T n domeniul temperaturilor foarte joase, unde are loc
conductibilitatea prin impuriti, este aproximativ liniar cu
coeficientul unghiular de ED/(2kT) (domeniul 1 pe curb cu ND1 n
fig. 2.2,a).

Fig. 2.2. Dependenele tipice de temperatur a concentraiei

electronilor de conducie n semiconductori de tip n, ce conine
diverse concentraii ale impuritilor donoare : N D1<ND2<ND3 (a);
nivelele energetice discrete ale impuritii n banda interzis (b);
formarea benzii de niveluri energetice donoare la concetraii mari ale
impuriilor (c); suprapunerea benzii energetice de niveluri donoare
cu banda de conducie la foarte mari concentraii ale impuritilor (d)
La o ridicare a temperaturii cu puin mai mare dect temperatura
TS practic toi electronii trec de la atomi de impuritate donoar n
banda de conducie i atunci condiia de epuizare deplin a impuritii
donoare are forma:
N = ND
(2.10)
La ridicarea n continuare a temperaturii concentraia electronilor
n banda de conducie practic nu se va schimba (domeniul 2 pe curba
cu ND1 n fig.2.2,a) pn cnd nu se va ncepe trecerea la
conductibilitatea intrisec (proprie), adic cnd electronii vor trece
intensiv din banda de valen n banda de conducie. Deoarece
ED<<Eg, apoi intervalul de temperaturi, n care concentraia
electronilor practic nu depinde de temperatur, poate s fie destul de
mare. Acest interval de temperatur (domeniu), se numete domeniu
de epuizare a impuritii. La orice temperatur n stare de excitaie
termic se afl nu numai electronii de valen ai atomilor de
impuritate dar i electronii de valen a atomilor de baz, adic i
electronii din banda de valen. Concentraia electronilor din banda de
conducie are forma:
n = nimp + ni ,
(2.11)

unde nimp este concentraia electronilor de conducie, condiionat de

ionizarea impuritilor; ni este concentraia electronilor de conducie
determinat de generarea temic a purttorilor intriseci, ce au trecut
din banda de valen n banda de conducie. La temperaturi T>Ts se
poate de notat:
Eg

n N D ni N D NcNv exp
2kT

(2.12)

Odat cu ridicarea temperaturii se mrete si n, atinge i ntrece

valoarea ND. La temperaturi relativ mari, T>Ti (domeniul 3 pe curba
cu ND1 n fig. 2.2,a), rolul dominant ncep a juca tranziiile electronilor
peste banda interzis, adic are loc creterea rapid a concentraiei
purttorilor de sarcin proprii i trecerea n domeniul conductibilitii
electrice intriseci. n acest domeniu la T>Ti primul termen al relaiei
(2.12) poate fi neglijat i concentraia electronilor de conducie este
egal cu cea a golurilor, iar panta curbei (tgi) se determin de
valoarea lrgimii benzii interzise a semiconductorului. Logaritmnd
formula (2.7), obinem :
ln ni ln NcNv

Eg
2kT

i tg i

Eg
.
2k

(2.13)

Pentru majoritatea semiconductoarelor cu impuriti temperatura

Ti de trecere la conductibilitatea electric intrisec esenial este mai
mare dect cea a camerei. Aa, pentru germaniu de tip n cu ND=1022m-3
temperatura Ti450K. Valoarea lui Ti este cu att mai nalt cu ct este
mai mare lrgimea benzii interzise a semiconductorului i cu ct este
mai mare concentraia atomilor de impuritate n el.
Cu mrirea concentraiei impuritii domeniul 1 a curbelor, ce
corespund conductibilitii electrice prin impuriti, se deplaseaz in
sus. Unghiul de nclinaie a domeniului 1 depinde de concentraia
impuritilor ND, deoarece energia de ionizare a atomilor de impuritate
este determinat de interaciunea lor, iar aceasta din urm depinde de
distana dintre ei. Aceasta duce la despicarea nivelelor energetice
discrete i formarea benzii strilor de impuritate (fig.2.2, b,c). n mod
corespunztor se micoreaz energia de ionizare (ED1> ED2> ED3). Cu
ct este mai mare concentraia impuritii cu att este mai mare
temperatura epuizrii. Semiconductorul, n care banda de impuriti se

suprapune cu banda de conducie i ED0, este numit degenerat

(curba pentru ND3 n fig.2.2,a i d).
Formulele pentru concentraia purttorilor mobili n
semiconductor, dopat cu impuriti acceptoare, se obin analogic. Ele
au acelai aspect ca i pentru semiconductorul de tip n, dac n loc de
NC vom scrie NV, n loc de ED vom scrie EA i n loc de ND vom
scrie NA, adic :
E A
p NaNv exp
.
(2.14)
2kT
Dependena ln(p)=f(1/T) este absolut analogic curbelor pentru
semiconductorul de tip n (fig.2.2).
2.2.2. Dependena de temperatur a mobilitii purttorilor
de sarcin
Electronii i golurile de conducie sunt supuse mprtierii
(dispersiei), adic i schimb direcia i viteza micrii la ciocnire cu
nodurile reelei cristaline, defectele reelei, atomii de impuritate.
Viteza de drift, aceasta nseamn c i mobilitatea purttorilor de
sarcin, este strns legat cu lungimea parcursului liber n cristal:

e
e l
0 * ,
m*
m u

(2.15)

unde m* este masa efectiv a purttorilor de sarcin. O valoare mare a

mobilitii poate fi condiionat de o mas efectiv mic a purttorilor
de sarcin i de o valoare mare a timpului de deplasare liber sau mai
precis a timpului de relaxare 0 . Timpul de relaxare este determinat
de procesele de mprtiere a electronilor aflai n micare n
semiconductor i depinde de temperatur, concentraia impuritii Nimp
i intensitatea cmpului electric E.
n semiconductoare cu reeaua atomic mprtierea purttorilor
mobili de sarcin are loc n principal pe oscilaiile termice ale reelei
cristalinei pe impuritile ionizate. Aceste dou mecanisme de
dispersie aduc la apariia a dou poriuni n dependen de
temperatur a mobilitii (fig.2.3). Dispersia pe baza oscilaiilor
termice ale reelei cristalint joac un rol dominant la temperaturi
ridicate , unde mobilitatea

 T T 3 / 2 ,
(2.16)
adic mobilitatea se micoreaz la ridicarea temperaturii. Micorarea
lui la mrimea temperaturii T se explic prin creterea numrului de
ciocniri ale purttorilor mobili de sarcin n unitatea de timp cu
nodurile reelei cristaline, adic cu micorarea timpului parcursului
liber. Aceast lege a variaiei a lui de T va compensa n formula
(2.5) creterea cu temperatura a mrimilor NC i NV, care se determin
dup formulele:
NC

2mn* kT
2
h2

3/ 2

2m *P kT
i N V 2
h2

3/ 2

(2.17)

unde m*n i m*p sunt masele efective ale electronului i ale golului
de conducie n benzi, h este constanta lui Planck. n domeniul
temperaturilor joase o valoare esenial are o dispersie pe baza
atomilor ionizai de impuritate Nimp i mobilitatea
ion~T3/2/Nion,
(2.18)
adic mobilitatea crete odat cu ridicarea temperaturii. Valoarea i
poziia maximului curbei (T) depinde de concentraia impuritilor.
Cu creterea ei maximul se deplaseaz n regiunea temperaturilor mai
ridicate, iar toat curba n jos pe axa coordonatelor. La temperaturi
foarte joase, cnd impuritile sunt slab ionizate, mprtierea
purttorilor mobili de sarcin are loc pe atomii neutrali de impuritate.
n prezena acestui mecanism de mprtiere mobilitatea nu depinde
de temperatur, dar se determin numai de concentraia impuritii.
Mrirea concentraiei impuritii aduce la micorarea lungimii
parcursului liber al purttorilor i ca urmare, la scderea mobilitii
lor.
Mobilitatea purttorilor de sarcin poate sa se deosebeasc de la
o prob la alt prob n dependen de compusul lui i perfeciunea
structurii cristaline.
2.2.3. Dependena de temperatur a conductivitii electrice a
materialelor semiconductoare
Conductivitatea electric a semiconductorului, cum se vede din
relaia (2.5), se determin cu concentraia i mobilitatea purttorilor
mobili de sarcin, valorile crora depind de temperatur. Precum
pentru concentraia purttorilor mobili de sarcin este caracteristic

dependena exponenial de temperatur, iar pentru mobilitate dependena de putere (relativ slab). De aceea dependena de
temperatur a conductivitii electrice este asemntoare cu
dependena de temperatur a concentraiei purttorilor de sarcin (fig.
2.4).

Fig.2.3. Dependena de temperatura Fig.2.4. Dependena de

a mobilitii purttorilor mobili de temperatur a conductivitii
sarcin ntr-un semiconductor care electrice ntr-un semiconductor
conine diverse concentraii de
cu diverse niveluri de dopare
impuriti
(ND1<ND2< ND3)
Legea exponenial de variaie a concentraiei purttorilor mobili
de sarcin n materiale semiconductoare la modificarea temperaturii
explic deosebirea principal ntre dependena de temperatur a
conductivitii semiconductoarelor i conductoarelor. La metale
(materialele conductoare) concentraia purttorilor mobili de sarcin
practic nu depinde de temperatur.
n intervalul de temperaturi de la T S pna la T1 unde exist
domeniul de epuizare a impuritilor, conductivitatea electric se
micoreaz cu creterea temperaturii pentru semiconductoare slab
dopate, deoarece n acest caz mobilitatea se micoreaz cu creterea
temperaturii i mecanismul principal de mprtiere este interacia cu
oscilaiile termice ale reelei cristaline (curba pentru ND1 n fig. 2.4.).
Micorarea conductivitii n regiunea temperaturilor joase (T<TS) este
legat de micorarea concentraiei purttorilor de sarcin, furnizai de
atomii de impuritate, i micorarea mobilitii din cauza mrimii
interaciei cu impuritile ionizate. Creterea rapid la temperaturile

T>Ti corespunde domeniului de conductivitate intrisec, care se

caracterizeaz cu egalitatea concentraiilor electronilor i golurilor .
Pentru acest domeniu
i eni ( n p ) e( n p ) NcNv exp(

Eg
) . (2.18,a)
2kT

innd cont c dependena de temperatura a expresiei

(n+p)NCNV este dependena de putere i mult mai slab dect
dependena de temperatur a exp(-Eg/(2kT)) rezult
i const exp(

Eg
).
2kT

(2.19)

Dup panta dreptei pe poriunea conductivitii electrice intriseci

a dependenei ln de 1/T se poate de determinat lrgimea benzii
interzise a semiconductorului, adic
tg i

Eg
2k

(2.20)

Pentru materialele semiconductoare cu impuriti, cnd

concentraia purttorilor mobili de sarcin nu depinde de temperatur
dup legea exponenial (vezi relaia (2.8) i (2.14)), se poate de scris
relaia
imp e( n p ) N c ,v N imp exp(
imp const exp(

Eimp
2kT

) ,

E imp
2kT

) sau

(2.21)

unde Eimp i Nimp sunt energia de ionizare i concentraia atomilor

de impuritate. Formula (2.21) n regiunea conductivitii volumetrice
prin impuriti este valabil numai pentru acele temperaturi, pentru
care nu se petrece ionizarea complet a atomilor de impuriti (T<T S).
Dup panta dreptei n regiunea conductivitii electrice prin impuriti
poate fi determinat energia de ionizare a atomilor de impuritate,
adic:
tg imp

Eimp
2K

(2.22)

Obinnd experimental dependena de temperatur a

conductivitii sub forma ln=1/T se poate de determinat panta celor
dou poriuni n linie dreapt la axa abciselor sub forma :

tg i

Eg
(ln imp )
E imp
(ln i )

i tg imp
. (2.23)
1 / T
2k
1 / T
2k

Constanta lui Boltzman k=8,6210 -5 eV/K, de aceea din formula

(2.23) avem :
(ln imp )
(ln i )
E g 0,172
i E imp 0,172
. (2.24)
(1000 / T )
(1000 / T )
La construirea dependenei de temperatur a conductivitii
electrice n forma lg=f(1/T) panta a dou poriuni drept liniare la axa
abciselor se determin prin acelai mod:
(ln imp )
(ln i )
E g 0,4
i Eimp 0,4
.
(2.24,a)
3
(10 / T )
(10 3 / T )
2.3 Descrierea machetului de laborator
Schema electric a machetului pentru cercetarea dependenei
conductibilitii electrice a materialelor semiconductoare prin metoda
celor dou sonde la diverse temperaturi este prezentate n fig. 2.5.

Fig. 2.5. Schema electric a machetului pentru msurarea

conductibilitii electrice a materialelor semiconductoare la diverse
temperaturi

Proba de material semiconductor (Rx) se conecteaz n circuitul

de msurare, care conine o surs de tensiune de curent continuu
U=10 V (o surs de alimentare electric 5-48). Rezistorul variabil
R1 servete pentru reglarea curentului I, care curge prin prob, ci
miliampermetru PA - pentru msurarea acestui curent. Comutatorul S1
servete pentru conectarea sau deconectarea circuitului, S2 permite
schimbarea direciei curentului n proba. Cderea de tensiune U1 i
U2 pe proba ntre sonde (c,d) se msoare cu ajutorul milivoltmetrului
PV1. Proba de cercetare e conectat n circuit prin comutatorul S3,
plasat pe macheta.
Pentru efectuarea msurrilor de temperatur suportul cu probe
este introdus n termostat, elementul de nclzire EK a crui se
alimenteaz de la reglatorul cu tiristor (sursa de alimentare
nclzitorului U~). Regimul de nclzire a elementului EK se stabilete
prin tensiunea U~, care se majoreaz treptat nepind limita Umax
indicat la sursa de alimentare a nclzitorului U~, fiind msurat cu
ajutorul unui voltmetru de tensiunea continu.
Temperatura n termostat se controleaz cu ajutorul
termocuplului BK (traductor de temperatur), f.e.m. termic U T a
crui se msoar cu ajutorul milivoltmetrului PV2. Temperatura T n
termostat se determin dup formula
T[K] = Tcam + 25 UT[mV] ,
(2.25)
unde Tcam este temperatura camerei, K.
n calitate de aparate de msurare sunt utilizate multimetre de tip
DT-830 B i aparate universale digitale B7-21, B7-22, B7-27, la care e
necesar de stability regimul de lucru i limitele de msurare.
Pentru a evita defectarea multimetrilor este interzis de conectat
alimentarea circuitului fr permisiunea lectorului.
La msurarea rezistivitii electrice sau conductivitii electrice a
materialelor semiconductoare se ntlnesc dificulti legate de aceea c
n contactele la frontiera metal-semiconductor apar aa numitele
straturi de baraj, rezistena crora n zeci i sute de ori este mai mare
dect rezistena cristalului de volum.
Metoda cea mai rspndit de msurare a conductibilitii
electrice este metoda celor dou sonde, bazat pe msurarea diferenei
de potenial, ce apare ntre dou puncte ale probei (punctele c i d
pentru proba 1 n fig.2.5) la trecerea prin el (punctele a i b) a

curentului electric. Pentru a exclude influena rezistenelor de trecere

ntre sondele de msurare i prob se folosete metoda compensrii
(reducerii la zero) .
La trecerea curentului prin prob n legtur cu neohmicitatea
contactelor de metalsemiconductor proba poate s se nclzeasc la
un capt i s se rceasc la altul. n afar de aceasta la determinarea
dependenei de temperatur a conductibilitii proba este necesar se
aezat n termostat i n aa caz capetele probei pot sa se afle la
diferite temperaturi. Aceste dou mprejurri aduc la aceea c ntre
sondele de msurare (contactele) de rnd cu cderea de tensiunii U,
creat de curentul electric ce trece prin prob cu rezistena R, apare
diferena de potenial termoelectric a probei UTE, care se va aduga la
U sau se va scdea din U n dependen de aceea, care capt a probei
este mai cald. Diferena de potenial termoelectric poate sa constituie
de la un procent pn la cteva zeci de procente de la U; precum ea se
schimb cu variaia temperaturii. Dac de efectuat msurrile cderii
de tensiune pe prob la dou direcii opuse ale curentului electric se
poate evita influena a f.e.m. termice (UTE).
Practic se msoar diferene de potenial U 1=U+UTE la o direcie
a curentului electric prin prob. La schimbarea direciei curentului
electric semnul lui U se schimb , iar semnul lui UTE rmne acelai,
fiindc diferena de temperatur a capetelor probei nc nu s-a
schimbat. Dac ambele msurri de efectuat n cel mai scurt timp
posibil, atunci mrimea UTE nu va dovedi s se schimbe. De aceea
diferena de potenial dintre sonde la alt direcie a curentului electric
prin prob este U2=U+UTE . Scznd U2 din U1 i mprind la doi,
obinem :
U U 2 U U TE U U TE
U 1

.
( 2.26)
2
2
Deoarece diferena de potenial U2 este negativ fa de U1, relaia
(2.26) poate fi scris prin mrimile absolute :
U

U1U
2

(2.27)

n aa fel, cnd se msoar conductibilitatea electric la trecerea

curentului continuu, msurrile este necesar de efectuat la dou
direcii ale curentului n intervalul minimal de timp.

Metoda celor dou sonde este deosebit de comod pentru

msurarea rezistenei R i determinarea rezistivitii (

RS
) a
l

probelor, seciunea transversal a cror are o form geometric simpl.

Dimensiunile transversale ale probei trebuie sa fie n cteva ori mai
mici dect lungimea l a ei.
n lucrarea dat se cerceteaz trei cristale (probe), confecionate
din diferite materiale semiconductoare n form de paralelipiped
dreptunghiular. Contactele la ele sunt confecionate prin topirea n vid
a materialelor, ce satisfac cerinelor de ohmicitate. Dimensiunile
geometrice ale probelor sunt indicate n anexa 2.1. Numrul probelor
i intervalului de temperatur pentru cercetare sunt artate de lector.
2.4 Ordinea efecturii lucrrii
2.4.1. Facei cunotin cu schema electric din fig.2.5 i
pregtii machetul de lucru:
- conectai cu ajutorul conductoarelor de conexiune sursa de
tensiune continu U=10 V i aparate de msurare la jacurile
respective a machetului, alergnd regimul de lucru i limita de
msurare a fiecrui aparat;
- instalai comutatorul SA3 n poziia, care corespunde probei de
cercetare indicat de lector i mnerul rezistorului R1 n poziia limit
din stnga.
2.4.2. Cercetai dependena de temperatur a conductibilitii
electrice pentru pentru probele date n intervalul de temperaturi de la
293 pn la 460 K. Rezultatele de msurare de scris in tabelul 2.1.
Pentru aceasta conectai (dup permisiunea lectorului) sursa de
alimentare 5-48, ntreruptorul S1 i instalnd valoarea indicat a
curentului I prin proba, msurai la temperatura camerei cderea de
tensiune ntre sondele U1 i U2, ce corespund direciilor curentului
electric I+ i I- prin prob. Aceleai valori se msoar i pentru toate
celelalte probe. Apoi de conectat la sursa de curent elementul de
nclzire EK a termostatului i pe msura ridicrii temperaturii de
efectuat msurrile analogice a lui U1 i U2 peste 10200C pentru
toate probele. Temperatura termostatului se determin pe valoarea

f.e.m. termice UT a termocuplului BK i se calculeaz dup formula

(2.25).
Tabelul 2.1
T
,
K

I=.
10 3 Proba nr 1,
,
ln
T U1, U2, U,
-1 -1

-1

mV

mV

mV

Proba nr 2,
U1,
mV

U2,
mV

U,
mV

I=..
,
-1m-11

ln

2.5. Prelucrarea rezultatelor msurrilor

2.5.1. Calculai conductivitatea electrice n -1m-1 a materialelor
semiconductoare cercetate dup formula:

l I
,
S U

(2.28)

unde l este lungimea dintre sonde pe care s-a msurat diferena de

potenial U ( U 1 U 2 ) / 2 ; I - curentul parcurs; S - aria seciunii
transversale a probei.
2.5.2. Dup datele tabelului 2.1 construii pe un desen pentru
toate probele cercetate graficele dependenei ln f 1000 / T . Din
graficele obinute de determinat lrgimea bandei interzise Eg a
materialelor semiconductoare, avnd n intervalul cercetat de
temperaturi o conductivitate electric intrinsec, dup formula
(ln i )
E g 0,172
.
(1000 / T )
2.5.3. Determinai materialele probelor cercetate folosindu-v de
datele din ndreptar pentru Eg a materialelor semiconductoare la
temperatura camerei.
2.6. Coninutul drii de seam
2.6.1. Tema i scopul lucrrii.
2.6.2. Schema electrica de principiu a machetului de laborator i
dimensiunile geometrice ale probelor.

2.6.3. Ordinea efecturii lucrrii i tabelul 2.1 cu datele

experimentale i de calcul, de asemenea formulele de baz pentru
calcul i exemple de calcul.
2.6.4.Graficele dependenei ln f 1000 / T i rezultatul
calculelor ale lui Eg. Apreciai eroarea metodei.
2.6.5. Concluzii.
2.7.

ntrebri de control

2.7.1. Care materiale se refer la materialele semiconductoare?

2.7.2. Lmurii noiunele: semiconductor intrisec, lrgimea
benzii interzise?
2.7.3. Care valori definesc conductibilitatea electric a
semiconductoarului? Lmurii sensul fizic.
2.7.4. n ce mod impuritile influeneaz asupra conductivitii
materialelor semiconductoare?
2.7.5. Prin ce se deosebesc dependenele de temperatur a
conductivitii materialelor semiconductoare i conductoare?
2.7.6. Cum se poate de determinat g imp . pe dependena
de temperatur a conductivitii?
2.7.7. n ce const particularitatea metodei celor dou sonde de
determinare a conductibilitii electrice?
2.7.8. Artai domeniile principale de utilizare a materialelor
semiconductoare.
2.8. Bibliografie
1. Ctuneanu V.M., Corleanu V., Iancu O., Drgulinescu M.,
Materiale pentru electronic. Bucureti : Editura Didactic i
Pedagogic, 1982-468 p.
2. . ., B.C.
. - .: . ., 1986. - 367 .
3. . .
. - .: . ., 1975.
4. . ., . .
.-.: , 1975.-368.

5. . ., . . . - .
. . 1966. - 304 .
6. .., ., B.. . - . , 1985. - 304 .
7. / .
. . , . . , . . . 3 . - :
, 1986. .1; 1987, .2; 1988, ..
Anexa 8.1
Dimensiunele geometrice ale cristalelor de cercetare
Nr.Probei
1
2
3

Lungime
intre sonde
l, mm
2.0
2.0
2.0

Limea
b, mm

Grosimea
d, mm

3.0
3.0
3.0

0.5
0.5
0.5

Concluzie:
n urma efecturii lucrarii de laborator numarul 1 Cercetarea
caracteristicilor electrice ale materialelor conductoare experimental
am abservat c n urma creterii temperaturii se mrete i rezistenta
metalelor cercetate.
La etapa initial,cnd T=20 C (temperature camerii),rezistena cea mai
mica o are nichelul
(R=7,3 ),la cupru este puin mai mare (R=9,5 ) nsa cea mai mare
valoare a rezistenei este la cupru-constantan (R=190,2 ).O dat cu
mrirea temperaturii se mrete i rezistena.La T=30 C rezistena
cuprului sa marit cu 0,3 atingnd valoarea de (R=9,8 ),la nichel a
crescut cu 0,4 (R=7,7 ) iar la constantan rezistena sa marit foarte

puin cu 0,1 (R=190,3 ).Am repetat colactarea datelor indicate de

resistor la temperaturile T=40,50,50 pn la temperature de 150 C
i am observant c rezistena constantanului a rmas aproape aceiai
atingnd valoarea maxima de R=190,7 ,rezistena cuprului sa marit
cu 3,7 i a atins valoarea de R=13,2 iar n cazul nichelului
rezistena sa mrit cu 4,3 adic R=11,6 .Putem observa c odat cu
mrirea temperaturii rezistena nichelului crete mai repede fa de
rezistena cuprului.
Datorit efecturii acestei lucrri de laborator ne-am familizat cu
metodele de cercetare a caracteristicilor electrice pentru materialele
conductoare i rezistoare,am cercetat experimental principalele
caracteristici electrice pentru diverse materiale
conductoare,rezistoare.Am studiat natura conductibilitii electrice i a
fenomenelor fizice n materialele conductoare.