Scopul lucrrii : Studierea naturii fizice a conductibilitii electrice n materialele semiconductoare,

iniierea cu metodica de msurare a conductibilitii electrice, cercetarea dependenei de temperatur a

conductibilitii electrice, determinarea regiunilor cu conductibilitatea electric intrinsec i extrinsec i
lrgirea benzii interzise la diverse materiale semiconductoare
Schema electric a machetului pentru cercetarea dependenei conductibilitii electrice a materialelor
semiconductoare prin metoda celor dou sonde la diverse temperaturi este prezentate n fig. 3.5.

.4 Ordinea efecturii lucrrii

3.4.1. Facei cunotin cu schema electric din fig.3.5 i pregtii machetul de lucru:
- conectai cu ajutorul conductoarelor de conexiune sursa de tensiune continu U=10 V i aparate de
msurare la jacurile respective a machetului, alergnd regimul de lucru i limita de msurare a fiecrui
aparat;
- instalai comutatorul SA3 n poziia, care corespunde probei de cercetare indicat de lector i
mnerul rezistorului R1 n poziia limit din stnga.
3.4.2. Cercetai dependena de temperatur a conductibilitii electrice pentru pentru probele date n
intervalul de temperaturi de la 293 pn la 460 K. Rezultatele de msurare de scris in tabelul 3.1.
Pentru aceasta conectai (dup permisiunea lectorului) sursa de alimentare 5-48, ntreruptorul S1 i
instalnd valoarea indicat a curentului I prin proba, msurai la temperatura camerei cderea de tensiune
ntre sondele U1 i U2, ce corespund direciilor curentului electric I+ i I- prin prob. Aceleai valori se
msoar i pentru toate celelalte probe. Apoi de conectat la sursa de curent elementul de nclzire EK a
termostatului i pe msura ridicrii temperaturii de efectuat msurrile analogice a lui U 1 i U2 peste 10
200C pentru toate probele. Temperatura termostatului se determin pe valoarea f.e.m. termice U T a
termocuplului BK i se calculeaz dup formula (3.25).

Tabelul 3.1
3.5.1. Calculai conductivitatea electrice n -1m-1 a materialelor semiconductoare cercetate dup
formula:
l I

S U
,
(3.28)
U (U1 U 2 ) / 2
unde l este lungimea dintre sonde pe care s-a msurat diferena de potenial
; I curentul parcurs; S - aria seciunii transversale a probei.
3.5.2. Dup datele tabelului 3.1 construii pe un desen pentru toate probele cercetate graficele
ln f 1000 / T
dependenei
. Din graficele obinute de determinat lrgimea bandei interzise Eg a
materialelor semiconductoare, avnd n intervalul cercetat de temperaturi o conductivitate electric
intrinsec, dup formula
(ln i )
E g 0,172
(1000 / T )
.

3.5.3. Determinai materialele probelor cercetate folosindu-v de datele din ndreptar pentru Eg a
materialelor semiconductoare la temperatura camerei.