Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
ELECTRONIC ANALOGIC
I DIGITAL
Conf.dr.ing. NICOLAE PTRCOIU
Asist.drd.ing. ADRIAN TOMU
An univ. 2009-2010
BIBLIOGARFIE
1.
Poanta Aron
2.
Poanta Aron
3.
4.
5.
Electronica industriala.
Universitatea Politehnica Timisoara, 1996
6.
7.
Patrascoiu Nicolae
An univ. 2009-2010
SCURT ISTORIC
Definiie.
nceputul n 1895 cnd s-a realizat prima transmisie la distan a undelor electromagnetice fr fir;
1906 trioda, primul amplificator descoperit de Lee de Forest, urmeaz pentoda, tetroda
bazele dispozitivelor construite n baza fenomenului de micare a electronilor n cristale sunt puse
odat cu prezentarea modelului energetic al electronului n cristale n 1930 Strult
Romnia
1905 telegrafia fr fir
1924 primul emitor radio
1954 televiziunea
An univ. 2009-2010
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
Def. Elementul de circuit
Def. Dispozitivul electronic
Def. Circuitul electronic
An univ. 2009-2010
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
de tensiune
surse
de curent
Elementele de circuit:
pasivi
receptori
1.1 Surse
ideali
Sursa de curent
Sursa de tensiune
Simbol
activi
>
Simbol
U0
I0
I
Fig.1.1. Caracteristica static a
sursei de tensiune
dU
Ri =
=0
dI
An univ. 2009-2010
>>
Fig.1.2. Caracteristica
sursei de tensiune
Ri =
I
static a
1
dU
=
dI
dI
dU
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
1.2. Receptori
Receptorii sunt elemente de circuit ce primesc o anumit
energie la intrare, de valoare wi i o transfer ctre ieire la
valoarea we.
wi
Receptor
we
n funcie de raportul ntre cele dou energii, de intrare i ieire receptorii se clasific astfel:
wi > we receptor pasiv de circuit, caracterizat prin faptul c diferena dintre energii
wi we > 0 este datorat pierderilor pe aceste elemente
wi < we receptor activ, caracterizat prin faptul c diferena dintre energii we wi > 0 este preluat de
la o surs de alimentare, un astfel de receptor nu poate funciona fr aport energetic de la o surs
wi = we receptor ideal, ntlnit numai n modelarea dispozitivelor i circuitelor electronice
An univ. 2009-2010
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
1.2.1. Rezistorul
Simbol
Rezistor variabil
(poteniometru)
Rezistor fix
n clar
Marcarea valorii
rezistenei electrice
pe corpul rezistorului
150
4k7
10 k
150
4,7 k
Rezistor semivariabil
1k = 103 ,
1M = 103 k = 106 ,
1G = 103 M = 106 k = 109
An univ. 2009-2010
aplicaii fundamentale
limitarea curentului
I=
U
; U = R I
R
R RN
T [%] =
RN R
RN
100
divizor de tensiune
I=
U
R1 + R2
U = R2 I =
R2
U
R1 + R2
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
1.2.1. Rezistorul, forme de prezentare
An univ. 2009-2010
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
1.2.2. Condensatorul
Simbol
fix
variabil
electrolitic
1mF = 10-3 F,
1F = 10-3 mF = 10-6 F,
1nF = 10-3 F = 10-6 mF = 10-9 F
1pF = 10-3 nF = 10-6 F = 10-9 mF = 10-12 F
Marcarea valorii
capacitatii electrice
pe corpul condensatorului
20 F
50 V
+
n clar
semivariabil (trimer)
e
d
c
b
a
Pentru identificarea aplicaiilor tipice ale condensatoarelor se consider relaiile de definire a capacitii
electrice n raport cu sarcina Q
C=
i=
1
Q
U = Q
U
C
dQ
dQ = idt; Q = idt
dt
0
An univ. 2009-2010
1
U = idt
C0
XC =
i=
dQ d (C U )
dU
=
=C
;
dt
dt
dt
1
1
=
C 2 f C
i =C
dU
dt
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
An univ. 2009-2010
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
1.2.3. Bobina
L
LV
cu miez
variabil
Simbol
fixe
Bobina element pasiv de circuit
mrimea fizic inductana electric L : [L]SI= F (henry)
Pentru identificarea aplicaiilor tipice ale condensatoarelor se consider relaiile de definire a capacitii
electrice n raport cu sarcina Q
= Li
i
d d ( L i )
di
u=
=
= L ; u dt = L di
dt
dt
dt
L=
1
i = u dt
L0
t
u=
d d (L i)
di
di
=
=L ; u=L
dt
dt
dt
dt
XL = L = 2 f L
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
An univ. 2009-2010
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
1.2.4. Transformatorul
nfurare
primar
miez
magnetic
i1
u1
u2
nfurare
secundar
P2 = P1
u2 i 2 = u1 i1
Rs
deci:
dar
u 2 = R s i2
R S i 22 = u1 i1
i
1
R S 2 = u1
i1
i1
2
2
Prin mprire cu i1 rezult
An univ. 2009-2010
u1
1
= r1
i1
n1 u1 i 2
=
= =k
n2 u2 i1
R S k 2 = r1 deci
r1 =
1 2
k RS
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
An univ. 2009-2010
Banda de conducie
Banda de conducie
Electron
Banda de valen
CONDUCTOR
Banda de valen
Banda de valen
SEMCONDUCTOR
IZOLATOR
Electron
liber
An univ. 2009-2010
Gol
D1 :
x E
1 = 0
lp E 0
de unde
D2 :
x E
1 = 0
ln E 0
de unde
E = 0, x < l n
E = E 0 x + 1, l n x 0
E = E x 1, 0 < x l
0
p
ln
E = 0, x > l p
= C1 = 1
E x
E
+ E0 x = 0 x 2 + E0 x
=+ 0
lp 2
2l p
2
= E 0 x + E x = E 0 x 2 + E x
0
0
ln 2
2l n
= C2 = 2
An univ. 2009-2010
x
E = E 0 1
lp
x
E = E 0 1
ln
-1
0= 2 - 1
E E n
p
ES ES
+ -- +
U U
0 0-U0
0+U
U
U
An univ. 2009-2010
3. DIODE
3.1. Dioda semiconductoare
Definire
Structur
Structur
Redresoare:de putere mic, medie, mare
Diodele pot fi Detecie
Speciale:Zener, Varicap, Tunel, Pin, Gunn
D
caracteristica
static
caracteristica volt
ampermetric
polarizare
invers
polarizare
direct
teoretic
UST
U
U 0 = 0,2 0,3V pentru Ge 0
U 0 = 0,6 0,7 V pentru Si
U
Rd = T
I
An univ. 2009-2010
experimental
II
I
caracteristica
static liniarizat
U
I
Simbol
I = Ii e U 1
R d = tg sau
AdI I 1
dU
I = Iie
UT
U
UT
Rd
Ii e
U
UT
1
1
dI
=
=
R d tgU
dU
0
+
U
deci
dI
I
=
dU U T
dioda
ideal
si deci R d =
C
UT
I
3. DIODE
3.2. Dioda Zener
max
Unestab
min
Unestab
Izmax
Iz
A PSF
Iz
Iz min
Ustab
R
Iz max
R Rs
Rs
min
I z max
=
U
U
nestab
stab R + R
R + RS
s
R Rs
Rs
U stab =
I z min
U max
nestab
R + Rs
R + Rs
An univ. 2009-2010
R
I
Is
Iz
Unestab
B
Rs
Unestab
R + Rs
Simbol
Stabilizator parametric
Izmin= 210 mA
RS
Unestab = R I + Ustab
I = I z + Is = I z +
Ustab
Ustab
Rs
U
Unestab = R Iz + stab + Ustab
Rs
R
Unestab = R Iz + + 1 Ustab
Rs
R Rs
Rs
Iz
Unestab
Ustab =
R + Rs
R + Rs
3. DIODE
An univ. 2009-2010
j1
p
j1
B
+
0
UBE
UBC
UEB
UBE
0
UBE
C
B
C
B
+
UCB
UCB
x
UBC
An univ. 2009-2010
B
+
j2
ICB 0
IB
IB
IE = IC
IC =
IC'
+ ICB 0
IC'
= <1
IE
IC' = IE
=
1
IB +
An univ. 2009-2010
IE = IC + IB
IC = IE + ICB 0
= 0.9 0.999
IC =
IC
IE = IC + IB = ( + 1) (IB + ICB 0 )
Ecuaiile simplificate
UBC
UEB
cazul ideal
IE (1 ) = IB + ICB 0
/ : (1 )
1
1
IE =
IB +
ICB 0
1
1
ICB 0 + ICB 0 =
IE = IE + ICB 0 + IB
IB + 1 +
ICB 0
1
1
IE = IC + IB
IC = IB
I = ( + 1) I
B
E
IC = IB + ( + 1) ICB 0
dI i
0
dt
C
IC
IB
dU i
0, i = 1 3
dt
I E = IC + I B
U CE = U CB + U BE
UC
E
UBE
IE
IC
E
B
IB
UCE
IE
UEB
IC
UCB
UBE
IE
B
IB
UCE
UBE
C
I B = f (U BE ) U ce =cons tan t
caracteristica de intrare
I C = f (U CE ) I B =cons tan t
caracteristica de ieire
caracteristica de ieire
An univ. 2009-2010
I E = f (U EB ) U CB =cons tan t
caracteristica de intrare
I C = f (U CB ) I E =cons tan t
I B = f (U BC ) U CE =cons tan t
caracteristica de intrare
I E = f (U EC ) I B =cons tan t
caracteristica de ieire
An univ. 2009-2010
UBE
e
e
U BE
UT
U BE
UT
U BE U BE
U T U T
= 1+
+
1!
2!
1+
U BE
UT
cuadripol
I1
U BE
+ UT
3!
2
D2
IE
U BE
<< 1
UT
U EB << U T
U1 = h11 I1 + h12U 2
I 2 = h21 I1 + h22U 2
I2
U2
U1
<<
rE
rB
An univ. 2009-2010
UUBE
I E = I i e T 1
+ = 1 + U BE + 1 U BE
U T 2 U T
dU i
0
dt
1 U BE
+
6 UT
2
h11 =
U1
U 2 =0
h12U 2
I1
h11I1
U
h12 = 1 I1 =0 >
U2
I
U1 h21 = I2 U 2 =0
1
I2
h22 =
I =0
U2 1
IB
I E = Ii
h22
<<
h21I1
U BE
UT
I2
U2
U
UCE
CE
II. A doua limitare se impune asupra
1
UCEstr
curentului de colector prin realizarea
UCEstr
condiiei IC IC max
+ EC
Pd max
III. A treia limitare se impune puterii Pd Pd max
IC =
dezvoltate n tranzistor
RC
UCE IC Pd max
UCE
IC
dreapta de sarcina
EC
RC
IC
T
UCE
IC = IC max
IC max
hiperbola de disipatie
PSF
UCE
UCE max
An univ. 2009-2010
EC
EC = RC IC + UCE
IC =
1
1
EC
UCE
RC
RC
dIC
dI
dI
= B + ( + 1) CB 0
dT
dT
dT
dI
dI
1 = B + ( + 1) CB 0
dIC
dI
C
1
S
/:
dIC
dT
dICB 0
dI
+1
1 B =
dIC
S
dIB
= 1
dIC
S=
+1
dIB
dIC
dIB = dIC
Prin schema de polarizare trebuie s se asigure i stabilizarea termic a poziiei punctului static de
funcionare. Din punct de vedere al polarizrii i stabilizrii termice exist urmtoarele scheme de polarizare:
polarizarea independent;
polarizarea cu reacie din colector;
polarizarea cu reacie din emitor;
polarizarea automat sau cu divizor rezistiv n baz.
Analiza acestor scheme din punct de vedere al polarizrii i stabilizrii termice presupune calculul mrimilor
electrice ce definesc poziia punctului static de funcionare adic valorile UCE0, IC0, IB0 i coeficientului de
stabilizare termic al schemei S
An univ. 2009-2010
RC
T
IC
IB = IB 0 =
EC UBE
RB
UBE
EC = RB IB + UBE
dIB
=0
dIC
S=
+1
dI
1 B
dIC
= + 1 >> 1
Cunoscnd IB, n punctul static de funcionare IB0, pe baza ecuaiilor de funcionare ale tranzistorului se
poate determina valoarea curentului de colector, IC, n punctul static de funcionare, IC0
IC = IC 0 = IB 0 + ( + 1) ICB 0 IB 0
EC = RC IC + UCE
UCE = UCE 0 = EC RC IC 0
An univ. 2009-2010
I
T
UC
UBE
IC = IB
IB = IB 0 =
= (RC + RB ) IB + RC IC + UBE
I = IC + IB
IB =
IC
EC = RC (IC + IB ) + RB IB + UBE =
EC = RC I + RB IB + UBE
+
EC
S=
IB =
1
RC
(EC UBE )
IC
RC + RB
RC + RB
+1
dIB
dIC
+1
1+
RC
1
(EC UBE )
IB
RC + RB
RC + RB
EC UBE
RC ( + 1) + RB
dIB
RC
=
dIC
RC + RB
RC
RC + RB
RC EC UBE
=
IB 1 +
+
R
R
RC + RB
C
B
IC = IC 0 = IB 0 + ( + 1) ICB 0 IB 0
An univ. 2009-2010
UCE
IB =
1
RE
(EC UBE )
IC
RB + RE
RB + RE
S=
IE
RE
IC = IB
IB = IB 0 =
= (RB + RE ) IB + UBE + RE IC
IE = IB + IC
IB =
+1
dIB
dIC
+1
1+
1
RB
(EC UBE )
IB
RB + RE
RB + RE
EC UBE
RE ( + 1) + RB
dIB
RE
=
dIC
RB + RE
RC
RC + RB
RE
IB 1 +
RB + RE
IC = IC 0 = IB 0 + ( + 1) ICB 0 IB 0
An univ. 2009-2010
EC UBE
=
RB + RE
I1 = I2 + IB
+ EC
RC
R1
T
I1 IB
I2
EB
UBE
R2
IC
IE
RE
EC = R1I1 + R2I2
1
RE
RE
(
)
R
I
=
R
I
+
I
+
U
0
=
R
I
+
U
R
I
I
=
+
UBE
I
I
2
2
E
B
C
BE
E
E
BE
2
2
B
C
2
UCE
R2
R2
R2
I1 =
1
R
RE + R2
IB + E IC +
UBE
R2
R2
R2
EC = RE IB + RE IC + UBE +
R
R
R1
(RE + R2 ) IB + 1 RE IC + 1 UBE
R2
R2
R2
R + R2
R + R2
R + R2
EC = RE 1
IC + 1
UBE
+ R1 IB + RE 1
R
R
R
2
2
2
R2
0
x
R1 + R2
R2
EC UBE
RE
R1 + R2
IB =
I
R1 R2
R1 R2 C
RE +
RE +
R1 + R2
R1 + R2
An univ. 2009-2010
R2
R R
EC = RE + 1 2 IB + RE IC + UBE
R1 + R2
R1 + R2
dIB
RE
=
R R
dIC
RE + 1 2
R1 + R2
S=
+1
dIB
dIC
1+
+1
RE
R R
RE + 1 2
R1 + R2
R2
EC UBE
RE
R1 + R2
IB =
I
R1 R2
R1 R2 C
RE +
RE +
R1 + R2
R1 + R2
IC = IB
IC = IC 0 = IB 0 + ( + 1) ICB 0 IB 0
+ EC
R1
IC
UCE
IE
R2
An univ. 2009-2010
RE
IB = IB 0
R2
EC UBE
R1 + R2
=
R1 R2
+ ( + 1) RE
R1 + R2
RC
T
R2
EC UBE
RE
R1 + R2
IB =
I
R1 R2 B
R1 R2
RE +
RE +
R1 + R2
R1 + R2
IC
R1
I1
IB
UCE
EC = R1 I1 + UBE + RE IE
I1 = IB + Ii
IE = IC + IB
UBE
Ii
ED
polarizat invers
+ EC jonciunea acesteia s fie de acelai tip cu cea a tranzistorului
RC
cele dou dispozitive se monteaz astfel nct s fie la aceiai temperatur
Aplicnd teorema I Kirchhoff i teorema II Kirchhoff pe circuitul baz emitor i
innd seama de ecuaiile de funcionare ale tranzistorului
RE
IE
IC = IB + ( + 1) ICB 0
IC =
EC UBE
R1
+ ICB 0
I
+ 1 R1 + RE
+ 1 R1 + RE i
Ii =
An univ. 2009-2010
+ 1 R1 + RE
1
1
ICB 0
ICB 0 = 1 + 1 +
RE
RE
ICB 0
R1
I = 0
+ 1 R1 + RE i
I1
IB T
I1 = IB + IT
1
E
1
IB = C
+ UBE
R1 RT R1
UBE
IT U
R
I
=
U
I
=
BE
T T
BE
T
RT
o
t
RT
RE
termistor
An univ. 2009-2010
CE
Ri = RB E = RB
RE
RB = R1 R2 =
+EC
CB
R1
IB
rB
rE
R2
CE
RE
RC
CC
T - model
cu
parametrii
naturali
RIB + RC >> rE
Ri = rB + rE
rB + rE << RB
Ri = rB + ( + 1) rE
I E = ( + 1) I B
rE = ( + 1) rE
AI = ?
An univ. 2009-2010
R1 R2
R1 + R2
AU = ?
RO = RC
RB
IB
IC
+
EC
RC
EC
RC
IC
ICS
T
IC = ICB 0
B1
UCE
IC = IB + ( + 1) ICB 0
A1
U CES
EC UCES EC
=
RC
RC
I
EC
= CS =
RC
ICS =
IBS
IC IB
An univ. 2009-2010
E1
EC U CE
IC = ICB 0
t
E2
td
IB1
t
IB2
tcd
ts t c
tr
IC
ICmax
0,9ICmax
tci
ti
0,1ICmax
t
t0 t 1 t 2 t3
t4
t 5 t6
IB = 0
UDS
UGS
gril surs
dren
j1
ID
n
p
canal
oxid de
siliciu
j1 SiO2
G
S
D
Canal iniial
S
D
G
S
canal p
An univ. 2009-2010
S
canal n
dID
0
dt
Ca i n cazul tranzistorului bipolar i pentru tranzistorul cu efect de cmp regimul static este definit de dou
regiune
familii de caracteristici:
regiune de
regiune
de
nesaturat saturaie strpungere
ID
UGS3
1. caracteristici de ieire sau
UGS2
caracteristici de dren,
I = f (U )
5.2. Regimul static al tranzistorului cu efect de cmp MOSFET
sau
DS U GS = ct
UGS1
UDS
Zona corespunztoare regiunii de saturaie corespunde unui curent de dren constant pentru UDS avnd valori mari. Funcionarea
tranzistorului n aceast zon are loc dac tensiunea de dren UDS depete valoarea tensiunii de dren de saturaie UDSS
2.
caracteristici de transfer
sau caracteristici de gril
ID
UDS3
IDS = K (UGS U p )
UDS2
UDS1
UGS
An univ. 2009-2010
ID = f (UGS ) U
DS
= ct
RD
CD
UGS 0 =
ID
CG
UDS
R
R2
ED
R1 + R2
ED = RD ID + UDS
ID
ID =
ED UDS
RD RD
ID0
UGS
dreapta de
sarcin
UGS0
A
UDS0
UDS
ED
+ED
Pentru MOSFET cu canal iniial la care tensiunea de grila UGS
poate avea att valori pozitive ct i negative se utilizeaz
schema de polarizare
ID = IS
R1
CG
CD
ID
UDS
IG = 0
deoarece
UGS 0
R2
=
ED RS ID
R1 + R2
R
2
UGS
RS
CS
Nu este necesar ca circuitele de polarizare pentru MOSFET s realizeze i stabilizarea termic deoarece la
acest tip de tranzistor exist o dependen slab a caracteristicilor fa de variaiile de temperatur
An univ. 2009-2010
dID =
Se introduc
notaiile
gm
f
f
dUGS
dUDS +
UGS
UDS
f
ID
=
=
UGS UGS
U DS = cons tan t
1
f
ID
=
=
gd =
rd UDS UDS
U GS = cons tan t
ID = f (UDS ,UGS )
Dac se consider regimul dinamic ca o succesiune de regimuri statice adic punctul static de funcionare i
schimb poziia din punctul de coordonate (UGSi, UDSi, IDi) ntr-un alt punct de coordonate (UGSj, UDSj, IDj)
tensiunile pe terminale avnd variaiile
G
Aceast relaie permite construirea
circuitului echivalent al MOSFET ului
pentru semnal mic i joas frecven
IG
ID
UGS=Ug
gmUg
Amplificator MOSFET
An univ. 2009-2010
Id = g m UGS +
rd
UDS=Ud
1
UDS
rd
6. TRANZISTORUL UNIJONCIUNE
6.1. Structur, funcionare, caracteristici
B2
n
E
U =
l1
rB1
B1
T1
IB
IE
UB2B1
IB
UEB1
rB1
UB 2B1 = UB 2B1
rB
IE = f (UEB1 ) U
rB2
B2
l2
rB2
rB = rB1 + rB 2
rB1
r
=
= B1
rB1 + rB 2 rB
B2
B11
T2
rB1
B1
UEB1 = U + U0 = UP
IE
UB2B1=
0
=
B 2 B 1 ct
IV
U1B2B1< U2B2B1<
U3B2B1
UEB1
Ip
UV
An univ. 2009-2010
6. TRANZISTORUL UNIJONCIUNE
6.2. Aplicaie TUJ. Oscilatorul de relaxare
EB
IE
IV
deapta de sarcin
M
P
EB
R
Ip
IB2
IE
UEB1
UEB
C
UC
+
C
IB1
RB
UB2B1
I
UC
EB
RB2
EB1
UP
UV
UC
RB1
UC=UEB1
UP
ncrcare
EB
UC
UC
descrcare
URB1
UV
t
tnc tdesc
T
y
t
tnc1
tnc2
tnc3
An univ. 2009-2010
t
tdesc
p
p
A2
A1
A2
structur
simbol
Utilizat pentru a produce pulsuri de curent necesare la amorsarea unor dispozitive de comutaie, cum sunt
tiristoarele si triacele
IA
+E
A
- UB0
IH
IB0
UREZ
IB0
IH
An univ. 2009-2010
A1
UA1A2
UB0
30 40 V
A2
7.2. Tiristorul
Definire, structur i simbol
J3
J2
A
p+
C
n-
A
G
I E1 = I A
Pe baza ecuaiilor
tranzistorului bipolar
E
p
T1
IE1=IA
T1
B
n
n
C
C
p
p
B
IC1
C
IA
IG
IB2=IC1+IG
IB1=IC2
UA
T2
IE2=IA+IG
An univ. 2009-2010
UG
I C 2 = 2 I E 2 + I CB 02 = 2 (I A + I G ) + I CB 02
I E1 = I C1 + I B1 = I C1+ I C 2
I A = 1 I A + I CB 01 + 2 (I A + I G ) + I CB 02
I A = f (U AC ) I G =ct.
I E 2 = I A + IG
I C1 = 1 I E1 + I CB 01 = 1 I A + I CB 01
I A < I0
I + I CB 01 + I CB 02 2 I G + I CB 0
=
IA = 2 G
1 (1 + 2 )
1 (1 + 2 )
G
T2
n
E
I B1 = I C 2
Stingere
U AC = 0
IG = 0
UAC
UAC0
to
B
T TN
cu coeficient negativ de temperatur (NTC)
R = RN e
I
I
E
to
A
U
An univ. 2009-2010
An univ. 2009-2010
I = k U
UH U H = k H
I
E
B
An univ. 2009-2010
BI
d
An univ. 2009-2010
1 > 2 > 3
I[mA]
R0
3
U[V]
j
E
A
An univ. 2009-2010
I = f (U ) =ct
R
fotodiod
celul
solar
p n
jE
p
B
I C = f (U CE ) =ct
1
E
UCE
I=
0
Imax
Vout 0
Vcc
An univ. 2009-2010
Datorit consumului redus de energie, faptului c lumina generat este rece acest
Simbol A
C dispozitiv este utilizat n special ca element de semnalizare
a
f
ILED R
U = R I LED + U LED
i tensiunea nominal
U LED = 1,2 V
ULE
I LED = 15 mA
R=
PZ
anod comun
U U LED
I LED
catod comun
7 x LED
Optocuplorul
I
LED
An univ. 2009-2010
7 x LED
FT
d e
g h
9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.1. Definiii. Clasificri. Performane
tensiune
alternativ
tensiune
alternativ
cu
Transformator
amplitudine
(TR)
modificat
tensiune
continu
Redresor pulsatorie
(R)
Filtru
(F)
tensiune
continu
filtrat
Circuit
stabilizare
Performanele
sunt apreciate
prin
Dubl alternan
Cu priz median
n punte
P
Randamentul conversiei = u
Pa
1
Pa = u i d (t )
T 0
T
U dm
An univ. 2009-2010
1
= u (t ) d (t )
T 0
F=
U de
U dm
1
u 2 (t ) d (t )
T 0
T
9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.2. Redresoare monoalternan
Ia
TR
+
+
D
U AC
u=
2U sin(t )
Rs
b)
Ud
Ud
U max
Ud
U de
U dm
t
c)
n2
unde RT = r2 + r1
Rezistena intern a circuitului de redresare Ri = R T + Rd
n1
R
2 U sin (t )
u
S
2 U sin (t )
u S = RS i =
i=
=
tensiunea pe RS
+
R
R
Ri + RS
Ri + RS
i
S
2
U dm
1
=
2
1
(
)
=
u
d
t
S
0
2
Deoarece Ri << RS
RS
RS
1 1 cos(2t )
1
2
(
)
(
)
=
d(t ) =
U
sin
t
d
t
2 U2
2
+
2
R
R
2
(R i + R S )
i
S
2
U de
RS
2 RS U
RS
2 U
1
2 U
(
)
(
)
2
sin
t
d
t
cos
0 Ri + RS
Ri
2 (Ri + RS )
Ri + RS
0
+1
RS
U
U dm
U
2 U
2 U
0,45
dm
=
U dm =
0,45 U I dm =
Ri + RS
RS
R i + R S (R i + R S )
RS
RS
U
U
1
1 1
1 1
=
U
(t ) sin (2t ) =
Ri
2 2
2
Ri + RS
0
0
Ri + RS 2
+1 2
Rs
An univ. 2009-2010
Deoarece Ri << RS
U de =
U
0,707 U
2
9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.2. Redresoare monoalternan (parametrii)
Factorul de form F i respectiv coeficientul de ondulaie
F=
U de
U
=
= 1,57
U dm
2 2 U 2
= F 2 1 = 1,57 2 1 1,21
Pentru determinarea randamentului este necesar calcularea puterii utile Pu i a puterii absorbite Pa
Pu = U dm I dm = RS I dm
1
Pa =
2
1
2 U 2
= RS
(Ri + RS )2 2
U2
1 2 U 2
2
0 u i d (t ) = 2 0 Ri + RS sin (t ) d (t ) = 2 (Ri + RS )
Pu
RS
4
4
1
= 2
= 2
Pa Ri + RS Ri + 1
RS
Se observ c dac Ri << RS se poate neglija raportul celor dou rezistene i se obine un randament 45 %
iar n cazul n care nu se poate neglija rezistena intern a redresorului Ri n raport cu rezistena de sarcin RS,
adic rezistena de sarcin are o valoare mic se obine un randament < 40 %, deci un randament mic al
conversiei.
Pentru alegerea diodei redresoare se ine seama de valoarea maxim (de vrf) a tensiunii inverse aplicate
diodei i egal cu valoarea de vrf a tensiunii din secundarul transformatorului U max = 2 U precum i de
valoarea curentului mediu prin diod Idm. Aceste dou valori sunt utilizate pentru alegerea diodei pe baza
datelor de catalog, astfel:
I 0 > I dm
Exemplu
An univ. 2009-2010
9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.2. Redresoare dubl alternan
u
0
u
D1
TR 1
Ud
D2
TR
D1
D2
Rs
D4
Ud
U max
Rs
Ud
Ud
U de
U dm
n2
unde RT = r2 + r1
Rezistena intern a circuitului de redresare Ri = RT +2 Rd
n1
R
2 U sin (t )
u
S
2 U sin (t )
u S = RS i =
i=
=
tensiunea pe RS
+
R
R
Ri + RS
Ri + RS
i
S
RS
RS
2 RS U
2 2 U
1
2 2 U
U dm = u S d (t ) =
2 sin (t ) d (t ) =
cos =
Ri
Ri + RS
0
0 Ri + RS
(Ri + RS )
+1
0
RS
2 2 U
U
2 2 U
U
Deoarece Ri << RS U dm =
0,9 U
I dm = dm =
0,9
1
U de
RS
RS
RS
2 RS
1 1 cos(2t )
(
)
(
)
U
t
d
t
U
=
d (t ) =
2
sin
2
R
R
0
+
2
(Ri + RS )
i
S
0
1
RS 2
2 RS U
2 RS
1 1
1 1
1
=
U
=
U
(t ) sin (2t ) =
R
Ri + RS
2
2
2
R
+
R
2
i
i
S
0
0
+1
Rs
An univ. 2009-2010
Deoarece Ri << RS
U de = U
9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.2. Redresoare dubl alternan (parametrii)
Factorul de form F i respectiv coeficientul de ondulaie
F=
U de
=U
=
1,11
U dm
2 2 U 2 2
= F 2 1 = 1,112 1 0,48
Pentru determinarea randamentului este necesar calcularea puterii utile Pu i a puterii absorbite Pa
Pu = U dm I dm = RS I dm = RS
2
Pa =
u i d (t ) =
(Ri + RS )
1
8 U 2
2 U 2
U2
2
(
)
(
)
sin
t
d
t
=
0 Ri + RS
Ri + RS
1
Pu
1
8 U 2 Ri + RS 8
1
=
= RS
Pa
Ri + 1
(Ri + RS )2 2 U 2
RS
Se observ c dac Ri << RS se poate neglija raportul celor dou rezistene i se obine un randament 81 %
iar n cazul n care nu se poate neglija rezistena intern a redresorului Ri n raport cu rezistena de sarcin RS,
adic rezistena de sarcin are o valoare mic se obine un randament < 80 %, deci un randament mult mai
bun dect al conversiei monoalternan.
Pentru alegerea diodei redresoare se ine seama de valoarea maxim (de vrf) a tensiunii inverse aplicate
diodei i egal cu valoarea de vrf a tensiunii din secundarul transformatorului U max = 2 U precum i de
valoarea curentului mediu prin diod Idm. Aceste dou valori sunt utilizate pentru alegerea diodei pe baza
datelor de catalog, astfel:
Pentru redresorul cu priz median
I 0 > I dm
An univ. 2009-2010
I 0 > I dm
Exemplu 1
Exemplu 2
9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.3. Redresoare comandate cu tiristoare
U
TR
~ u, f
U dm
1
=
2
U dm =0 =
U de
U d = f ( ), f = 0
1
=
2
=U
DCG
2 U
2 U sin (t ) d (t ) =
sin (t ) d (t ) =
2
max
U dm = U dm =0
2 U
2U
(1 + 1) =
U min = U
dm =
dm
Ud
Th
Rs
Ud
2 U m
2 U
2 U
2 U
cos(t ) =
+
cos =
(1 + cos )
2
2
2
2
=0
2 U
1 1 cos(2t )
1 1
1 1
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
U
t
d
t
U
d
t
U
t
t
sin
2
2
sin
2
2
2
2
1 sin 2
1
1
(
)
(
)
=
U
sin
2
sin
2
2 2
4
2
2
U
max
U de = U de =0 =
2
U min = U
de = = 0
de
An univ. 2009-2010
ic
Ud = R i +US
iS
iC
C
UC
Ud
dU S U S
dU S R
+ U S = R C
+
U d = R C
+ US +US
dt
RS
dt
RS
dU S
dU C
iC = C dt = C dt
i = iC + iS
iS = U S
RS
dU S R + RS
R C
+
U S = U d
dt
RS
R + RS
:
0
RS
dU S
R RS
RS
C
+US =
U d
R + RS
dt
R + RS
R RS
R + R C = T cons tan ta de timp a filtrului
S
Se introduc urmtoarele notaii
RS = k
coeficientul de transfer
R + RS
U S (t ) = k e
t
T
U d (t )
1
T
2f
R Rs
1
C
R + Rs
2f
T
U d ,U S
dU S
+ U S = k U d
dt
US
Ud
R + RS 1
R RS 2f
Exemplu
Filtru
D
C
Ui
UZ
Stabilizator U s
U S = f (U i , iS , T )
dU S =
1
U i + Ri iS + ST T
S
U S
iS =
RS
U BE
IB
IZ
US
RS
U S U BE (I E = iS ) U S = (RS iS )
U S U BE (I E = iS ) US = (RS i )S
T1
R5
I1
R2 U BE 2
I B1
iS
T2
ui
T3
US
= U BE 3
R5
UR
UZ
US
U S U BE (I E = iS ) U S = (RS iS )
tg = Ri
iS
An univ. 2009-2010
U BE U = U Z U SC
U
I E = I i BE
UT
R4
IC3
IB3
U BE = U Z U SC U
IE1
R
1
U S = U i i U S
S
RS
U BE = U Z U S
UZ
U S =
uS
RS
ui
U S
U S
U S
dU i +
diS +
dT
U i
iS
T
U i
R
= K = S 1 + i
U S
RS
i1
iS
U S U BE (I E = iS ) US = (RS i )S
U BE 3 = U R U Z
Rg
ui
e
1.
iS
uS
RS
2.
3.
4.
An univ. 2009-2010
Ec I C
Rc
IC
A
B'
U CE
IC
B
fi
An univ. 2009-2010
f0
f
fS
RC1
R1
CB1
+ Ec
+ Ec
R3 R3
CC1
I1
C 2 U = h I h R I
I 2 = h21 IC1 2+ h22
2
21 1
22
2
S
1 + h22 RS
Ce1
RS
U1 =
=
h21 RS
U
AU = 2 =
U1 h11 (h12 h21 h11 h22 ) RS
h11 + h Rs'
1 + h22 Rs'
An univ. 2009-2010
I2 =
R4 RR4Ie12=Re 2 h
21 C
e 2 Ce 2
Re1
U1
U1 =
C2
I 2 (1 + h22 Rs ) = h21 I1
U2
R2
C2
U 2 = RS I 2
T2 T2
T1
I2
G
U1 = h11 I1 + h12 U 2
21 I1 + h22 U 2
I 2R= hR
unde
Rs' = Rc Rs =
RC RS
RC + RS
AU =
AI =
I2
h21
=
I1 1 + h22 RS
1 + h22 RS U 2
h21
RS
h + h h R
h11 (1 + h22 RS ) U 2
+ h12 U 2 = U 2 h12 11 11 22 S
h21 RS
h21
RS
Pentru h 0
Rs
h R
AU = 21 s =
h11
h11
h21 RS
U2
=
U1 h11 h RS
Ze =
h11 + Rg'
h22 Rg'
+ h
unde RG' = RG RB =
RG RB
RG + RB
Ec
Rc
IC
R1
Cb
A
R2
Re
U CE
EC
2
Ce
EC
RS
AU =
h11
Rc =
1 2
k RS
An univ. 2009-2010
TE
Dif
R1
Cb
k =
Rc
Rs
C
R2
Re
Ce
Amplificator in clasa B
Defazor
An univ. 2009-2010
Ur
AU =
AU =
A e j A
(
1 A e
j A +
A e j A
) = 1 A e j
1 2 A cos + ( A )2
y
A
=
u 1 A
A e j A
=
1 A (cos + j sin )
+ Ec
An univ. 2009-2010
AU =
= u y;
y = A (u y); y (1 A) = A u
A
u
y=
1 A
Atenuator
A = A e jA
= e
y = A
ur = y
Amplificator
= (2 k + 1)
cos = 1
= 2 k
cos = 1
y
A
AU = =
u 1+ A
dA
dA U =
(1 + A )2
AU =
y
A
=
u 1 A
R1
RC1
R3
R2
CC 2
CC1
T2
T1
RC2
Re1
R4 Re
2
Ce1
R5
R6
y
Ce2
RC1
U BE
I1
R2
I2
T1
RE1
y1
IE
R2
(u R 1 I B ) = U BE + I B R E
R1 + R 2
R2
u U BE
R1 + R 2
IB =
R R
RE + 1 2
R1 + R 2
y1 = E C R C1
An univ. 2009-2010
R 2 I 2 = U BE + R E1 I E
E C = R C1 I C + y1
T2
IE = IC + IB
I1 = I 2 + I B
y
R4
u = R 1 I1 + R 2 I 2
RC 2
R3
IB
R1
+ EC
RE 2
R1 + R E
R2
R1 + R 2
IC = IB
u = R1 I2 + R1 I B + R 2 I 2
I2 =
1
(u R 1 I B )
R1 + R 2
E C = R C11 I B + y1
R2
u U BE
R1 + R 2
+ y1
E C = R C1
R1 R 2
+RE
R1 + R 2
y1 = E C R C1
I B <<IC
AU =
R2
u U BE
R1 + R 2
R1 R 2
+RE
R1 + R 2
dy1
=
du
R C1
R1 + R E
R2
R1 + R 2
AU =
dy1
=
du
RE = 0
AU =
R C1
R2
R1 + R E
R1 + R 2
RC1
R1
+ EC
GCC
R5
R5
AU =
R C1
R1
1
+ RE
R
1
+1
R2
R 2 >> R 1
AU =
R6
T3
R1
R C1
RE
foarte mare
T1
ctre
etajul
urmtor
R2
I C1 = 1 I B1 = 1 I B
I E1 = I B2 = (1 + 1) I B1 = (1 + 1) I B
I C 2 = 2 I B2 = ( 2 + 1 2 ) I B
I C = I C1 + I C 2
I C = I B = (1 + 2 + 1 2 ) I B
An univ. 2009-2010
= 1 + 2 + 1 2
+ EC
RC1
RC1 = RC 2 = RC
RB1 = RB 2 = RB
RC 2
RE1 = RE 2 = RE
RB 2
RB1
T1
u1
y2
y1
T2
u2
RE1
R1
RE 2
R2
y1 = AU 1 u1 =
RE
y = y1 y2 =
y = AU u
I
u
ud
u+
I+
EC
R
R
R
R
RC1
u1 + C 2 u 2 = C u1 + C u 2 = C (u1 u 2 )
RE
RE
RE
RE 2
R E1
V+
V
traseu comun
An univ. 2009-2010
RC1
u1
RE1
y2 = AU 2 u 2 =
RC 2
u2
RE 2
u+ u
2
y
u+ u
yC
uC
Ad
[dB]
AC
Parametrul
Amplificarea diferenial, Ad
Rezistena de intrare, Ri
Rezistena de intrare, Re
Cureni de intrare, I+, I
Rejecia modului comun, CMR
Tensiunea diferenial de intrare, ud
u = Z1 i1 + uiAO = Z1 i1
y = Z 2 i2 + uiAO = Z 2 i2
i1 + i2 = i = 0
An univ. 2009-2010
Valori uzuale
105 106
106
102 103
10-9 A
60 100 dB
10-5 V
i1 = i2
i1 =
Z
1
i2 =
Z 2
Z1
i1
Valori ideale
0
0
0
u
y
=
Z1
Z2
Y(s) =
Z2
AO
i =0
Ri = 0
y=
Z2
u
Z1
Z 2 (s)
U(s)
Z1 (s)
ui1 R1
ui 2 R2
uin Rn
i1
i2
i3
AO
R2
u
R1
An univ. 2009-2010
y
AO
R
i
i1
uC
AO
Amplificator neinversor
u
i
i2
i1
R1
An univ. 2009-2010
y
AO
R2
b
i1 = i2
u = R1 i1 + uiA0 u = R1 i1
y = R i + R i
y = R2 i2 + R1 i1
2 2
1 1
i2 = i1 + i
y=
R
R2
u + u = 1 + 2 u
R1
R1
AU =
R
y
= 1+ 2
u
R1