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01 - Elemente de Electronica Corpului Solid
01 - Elemente de Electronica Corpului Solid
- 103 / cm la t amb
- ne 10 22 / cm 3 (electroni liberi)
- neutre electric local i general
- conductibilitatea scade cu temperatura
( j qnv qn n E E
1
E)
Ge (Si)
n p ni
n0 n e
Wc W F
kT
p0 p e
2 m p kT
p 2
2
h
2 mn kT
n 2
2
h
WF Wv
kT
3
2
3
2
cu n0 p0 ni
(independent de WF)
Semiconductor intrinsec:
n0 p0 n e
Wc W F
kT
p e
WF Wv
kT
rezult:
WF
o
Wc Wv 3 kT m p
ln
2
2 q mn
la 0 K
WF
Wc Wv
;
2
T crete WF scade
m p mn
n n0 p0 n p e
ni2
const. T e
W
kT
Consecine:
*
ni ( Si) 1.5 1010 / cm 3
*
*
Wc WF
kT
n p e
W
kT
3
2
ni const. T e
W
kT
ni ( Si) ni (Ge)
dependena de temperatur
n0 n e
kT
p0 p e
W
kT
Semiconductor extrinsec:
de tip N : n0 p0 N d
- provenii prin generare de perechi
- provenii prin ionizarea impuritilor donoare
la temperatur ambiant:
la temperatur mare:
n0 N d
n0 p0
v E
v - viteza medie;
E - cmp electric aplicat;
m2
- mobilitate mrime de material:
V s
1
1
n p Ge ; n p Si
2
2
depinde de:
- temperatur (scade)
- defectele structurii cristaline (scade)
- concentraia purttorilor liberi
j n camp qn n E;
j p camp qp p E
j qn n E qp p E q n n p p E E
qn n qp p
semiconductor intrinsec:
semiconductor de tip N:
semiconductor de tip P:
i qni n p
qn n qN d n
qp p qN a p
j n dif qDn n;
j p dif qD p p
cm 2
Dn , D p constante de difuzie,
(depind de material)
s
Ecuaiile de transport
Wp
q
Dar: W p qU
deci: U x ct.
x
q
cmpul intern:
E grad U
' x
q
jn qDn n qn n E qDn
8
dn
qn n E 0
dx
din:
x
kT
( x)
i apoi:
kT
dn
n
dn
' x
dx sau:
' x
n
kT
dx
kT
n ne
se deduce: ln n ln n
n
' x
' x qn n
0,
kT
q
' x 0, rezult:
qDn
de unde, pentru:
Dn
D
; la fel: p
p
kT
kT
(relaii Einstein)
jn qDn n
E n
kT
j p qD p p
E p
kT
Ecuaiile de continuitate
Variaia n timp a concentraiei de purttori:
- generare de purttori (termic, iradiere, etc.) Gn, Gp
- recombinare de purttori (gol + electron dispar + foton) Rp, Rn
- deplasare de purttori (div j 0)
div j p
div j p
p
Gp Rp
Sp
t
q
q
div j n
div j n
n
Gn Rn
Sn
t
q
q
S p G p R p viteza efectiv de cretere
9
- direct
- indirect: - centri de recombinare
- capcane
- centri de alipire
Sp
p p0
p
dp
p p0
cu condiia iniial: p0 p1
dt
p
Soluia este: p (t ) p0 ( p1 p0 )e
- semnificaia lui p
Recombinarea depinde de concentraiile de purttori:
R p pn, este coeficient de proporionalitate
Generarea se face pe cale termic i viteza de generare depinde doar de
temp.:
G p p0 n0
S p G p R p pn p0 n0
p p p0 , n n n0
S p n0 p p0 n np
Rezult:
Fie:
n0 p p0 n
10
n0 p0 S p n0 p n0 p p0
Dar: S p
p p0
p
1
1
n0 N d
p
p p0 div j p
t
p
q
n n0 div j n
n
t
n
q
Aplicaie:
- regim staionar
- semic. de tip N
- model unidimensional
- cmp electric slab
dpn
dp
qD p n
dx
dx
1 dj p
j p qpn p E qD p
0
p n pn 0
p
q dx
pn pn 0 1 d
dp
qD p n 0
p
q dx
dx
d 2 p n p n pn 0
0
p
dx 2
Se noteaz: L p
D p p
pn ( x) pno pn (0) pn 0 e
11
x
Lp
12